KR100994489B1 - Apparatus for plasma processong, apparatus for processing of substrate - Google Patents

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KR100994489B1
KR100994489B1 KR20080020930A KR20080020930A KR100994489B1 KR 100994489 B1 KR100994489 B1 KR 100994489B1 KR 20080020930 A KR20080020930 A KR 20080020930A KR 20080020930 A KR20080020930 A KR 20080020930A KR 100994489 B1 KR100994489 B1 KR 100994489B1
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황재석
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엘아이지에이디피 주식회사
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본 발명은 플라즈마 처리장치, 기판 처리장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판의 처리공간을 제공하는 챔버;상기 처리공간에 마련되어, 상기 기판의 처리를 위해 상기 기판을 지지하는 스테이지;상기 스테이지를 상기 처리공간 내부에서 승강시키는 스테이지 승강부;및 일측이 상기 챔버에 고정되고, 상기 스테이지의 승강에 따라 타측이 상기 스테이지를 관통하여, 상기 스테이지로부터 돌출되는 지지핀을 구비하는 기판 지지부;를 구비함으로써, 복수 개의 지지핀을 구동시키기 위한 구동장치를 구성을 생략하여, 장비의 구성을 구성을 간략화 할 수 있다. The present invention relates to a plasma processing apparatus, the substrate processing apparatus, the plasma processing apparatus of the present invention includes a chamber providing a process space of the substrate provided in the processing space, the stages for supporting the substrate for processing the substrate; a substrate support having a support pin, and one end is fixed to the chamber, that is to the other side, depending on the lifting of the stage through the stage, projecting from the stage; stage lifting unit to lift the stage from within the processing space; , omitting the structure of the driving apparatus for driving a plurality of supporting pins, it is possible to simplify the structure the structure of the machine by providing the.

Description

플라즈마 처리장치, 기판 처리장치{APPARATUS FOR PLASMA PROCESSONG, APPARATUS FOR PROCESSING OF SUBSTRATE} Plasma processing apparatus, the substrate processing apparatus {APPARATUS FOR PLASMA PROCESSONG, APPARATUS FOR PROCESSING OF SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리장치에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 승강되는 챔버의 변경되는 위치에 대해 고정위치를 가지며, 기판을 챔버로부터 탈착시키는 기판 지지부를 구비하는 기판 처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus having a substrate support that has a fixed location, the removable substrate from the chamber to the present invention relates to a substrate processing apparatus, more particularly to a position where change of the lifting chamber.

최근 정보화 사회가 발전하면서 정보통신기기에 대한 관심이 높아지고 있으며, 정보통신기기에 필수적인 디스플레이 장치에 대한 요구도 다양해지고 있다. While recent information society development is growing interest in the information and communication devices, and can also become an essential requirement for various display devices in the information and communication equipment. 이에 따라 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 등의 여러 가지 표시 장치가 개발되고 있다. This has a number of display devices such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel) is being developed accordingly. 이러한 표시 장치의 사용자는 고화질화, 경량화 등과 함께 대형화를 요구하고 있다. Users of such a display device would require a larger, along with high image quality, light-weight. 따라서, 최근에는 50인치이상의 초대형 LCD가 개발되어 상용화되고 있다. Therefore, in recent years it has been the development and commercialization of more than 50 inches super LCD.

LCD는 액정(Liquid Crystal)의 굴절률의 비등방성(anisotropy)을 이용하여 화면에 정보를 표시하는 표시 장치이다. LCD is a display device for displaying information on the display using the anisotropic (anisotropy) of the refractive index of the liquid crystal (Liquid Crystal). LCD는 두 기판 사이에 액정을 첨가하고 합 착하여 생산된다. LCD is produced by complex addition of the liquid crystal, and the sum between the two substrates. 두 기판 중 하나는 구동소자 에레이(Array) 기판이며, 다른 하나는 칼라필터(Color Filter) 기판이다. One of the two substrates is a substrate drive element ereyi (Array), and the other is a color filter (Color Filter) substrate. 구동소자 에레이 기판에는 복수개의 화소가 형성되어 있으며, 각 화소에는 박막트랜지스터(Tin Film Transistor)와 같은 구동소자가 형성된다. Ereyi driving element substrate has a plurality of pixels are formed, each pixel is provided with a driving element such as thin film transistors (Tin Film Transistor). 칼라필터기판에는 칼라를 구현하기 위한 칼라 필터 층이 형성되어 있으며, 화소전극, 공통전극 및 액정분자를 배향하기 위한 배향막이 도포된다. A color filter substrate has a color filter layer to implement a color is formed, the orientation film for orienting the pixel electrode, the common electrode and the liquid crystal molecules is applied.

이러한 표시장치의 제조공정에 채택되는 장비로는, 기판에 구동소자를 형성하기 위해 식각 공정 및 도포 공정에 사용되는 플라즈마 처리장치와, 두 기판의 합착을 위한 기판 합착장치 등이 있다. Equipment employed in the manufacturing process of such a display device, there is a plasma processing apparatus used in the etching process and the coating process to form a driving element on the substrate, the substrate laminating apparatus for laminating two substrates or the like.

일반적인 플라즈마 처리장치는 처리공간을 고진공상태로 유지하고, 그 내부에 상부전극과 하부전극이 배치된다. A plasma processing apparatus to maintain a treatment space in a high vacuum state, and the upper electrode and the lower electrode is disposed therein. 두 전극은 RF전원이 인가되는 전극과, 접지되는 전극으로 구분되며, 상부전극은 그 내부에 공정가스를 공급할 수 있는 가스공급수단이 구비되어 플라즈마 처리장치 내부에 공정가스를 공급할 수 있도록 마련된다. The electrodes are divided into electrode is a ground electrode applied to the RF power source and, an upper electrode is provided with a gas supply means that can supply a process gas therein is provided to supply the process gas to the plasma processing apparatus. 하부전극은 플라즈마 처리장치 내부로 반입된 기판을 하부전극 상면에 안착시키기 위한 다수개의 리프트 핀이 구비된다. The lower electrode is provided with a plurality of lift pins for mounting the substrate brought into the plasma processing apparatus to the lower electrode upper surface.

한편, 일반적인 기판 처리장치는 상부챔버와 하부챔버에 의해 기판의 처리공간을 형성하며, 처리공간은 진공 상태를 유지할 수 있도록 마련된다. On the other hand, a typical substrate treatment apparatus to form a processing space in the substrate by the upper chamber and a lower chamber, and the processing space is provided to maintain the vacuum. 처리를 위한 기판은 처리공간으로 반입되어, 하부챔버에 지지된다. A substrate for processing is introduced into the treatment space, it is supported in the lower chamber. 이때, 기판은 하부챔버에 마련되는 리프트 핀에 의해 반입되는 기판을 하부챔버에 안착시킨다. At this time, the substrate is then mounted to a substrate that is brought by the lift pins provided in the lower chamber to the lower chamber.

이와 같이, 플라즈마 처리장치와 기판 처리장치에 사용되는 리프트 핀은 기판이 수평을 유지하며, 기판의 전체 면적을 균일하게 지지할 수 있도록, 복수개로 마련된다. In this way, lift pin used for the plasma processing apparatus and a substrate processing apparatus to the substrate, and kept horizontal, uniformly supports the entire area of ​​the substrate, is provided with a plurality. 또한, 리프트 핀은 하부전극, 또는 하부챔버에 형성되는 관통공으로 관통되어 승강할 수 있도록 구동장치와 함께 마련된다. In addition, the lift pins are through-penetrating ball formed on the lower electrode, or the lower chamber is provided with a drive to lift. 따라서, 처리공간을 진공 상태로 유지하기 위하여, 관통공과 리프트 핀 사이를 밀폐시킬 수 있는 벨로우즈(bellows)와 같은 기밀부재의 사용이 불가피한 실정이다. Thus, the situation, the use of airtight member such as a bellows (bellows) that can be closed through the ball and through the lift pin to maintain a treatment space in a vacuum state inevitable.

종래의 플라즈마 처리장치, 기판 처리장치는 최근 기판의 대형화에 따라 필요한 리프트 핀의 수량이 증가하게 되어, 고가의 기밀부재가 다수 사용되어야 하고, 리프트 핀을 구동시키기 위한 구동장치의 부담도 커지게 된다. Conventional plasma processing apparatus, the substrate processing apparatus is in an increase in the quantity of lift pins required by the large size of the last board, the high price of the airtight member number should be used, and the burden of a drive system for driving the lift pin also increases .

또한, 복수 개의 리프트 핀을 동시에 구동시키고, 지지핀의 미세한 높이를 조절하는 데에도 어려움이 있다. Further, even it is difficult to drive a plurality of lift pins at the same time, to adjust the fine height of the support pin.

이에 따라, 본 발명이 이루고자 하는 목적은 하부전극, 또는 하부챔버의 승강에 따라 별도의 구동장치 없이 기판을 하부전극, 또는 하부챔버에서 분리하도록 한 플라즈마 처리장치, 기판 처리장치를 제공함에 있다. Accordingly, it is an object another object of the present invention to provide a bottom electrode, or the substrate without a separate driving device lower electrode in accordance with the lifting of the lower chamber, or a plasma treatment so as to remove it from the lower chamber apparatus, the substrate processing apparatus to provide.

본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 기판의 처리공간을 제공하는 챔버;상기 처리공간에 마련되어, 상기 기판의 처리를 위해 상기 기판을 지지하는 스테이지;상기 스테이지를 상기 처리공간 내부에서 승강시키는 스테이지 승강 부;및 일측이 상기 챔버에 고정되고, 상기 스테이지의 승강에 따라 타측이 상기 스테이지를 관통하여, 상기 스테이지로부터 돌출되는 지지핀을 구비하는 기판 지지부;를 구비한다. The plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention includes a chamber providing a process space of the substrate provided in the processing space, the stages for supporting the substrate for processing the substrate, lifting the stage from within the processing space stage lifting unit for; the one side and is fixed to the chamber, and the other side in accordance with the lifting of the stage through the stage, the substrate support having a support pin projecting from the stage; and a.

상기 기판 지지부는, 상기 지지핀과 동축을 가지고 상기 스테이지에 삽입 설치되며, 상기 스테이지의 승강에 따른 상기 스테이지 및 상기 지지핀의 마모를 방지하는 부싱(bushing)을 더 구비할 수 있다. The substrate support, with the support pin and the shaft is inserted into the installation stage, it is possible to further comprise a bushing (bushing) to prevent the stage and the wear of the support pin of the lifting of the stage.

상기 부싱은, 상기 지지핀의 외주면에 접하는 가이드 홀이 형성되어, 상기 가이드 홀은 상기 지지핀을 따라 상기 스테이지의 승강을 안내할 수 있다. The bushing, the guide hole in contact with the outer peripheral surface of the support pin is formed, the guide holes can be the support along the guide pin to the lifting of the stage.

상기 부싱은 상기 지지핀과 이격되는 내부공간이 마련되며, 상기 지지핀은 상기 내부공간에 위치하는 지점에 지지턱이 돌출 형성되며, 상기 기판 지지부는 상기 스테이지를 향한 상기 부싱의 내벽과 상기 지지턱을 탄력지지하는 탄성부재를 더 구비할 수 있다. The bushing is the inner space that is spaced apart from the support pin provided, the support pin is a supporting jaw formed to project at the point which is located in the interior space, the substrate support is the inner wall and the supporting jaw of the bushing toward the stage the support may further include an elastic member for elastic.

한편, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 제1 챔버;상기 제1 챔버와 함께 기판의 처리공간을 제공하는 제2 챔버;상기 제2 챔버를 상기 제1 챔버 측으로 승강시키는 챔버 승강부;및 일측이 상기 처리공간의 외부에 고정되고, 상기 제2 챔버의 승강에 따라 타측이 상기 제2 챔버를 관통하여 상기 처리공간으로 돌출되는 지지핀을 구비하는 기판 지지부;를 구비한다. On the other hand, the plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention includes a first chamber, lifting chamber for lifting the side of the first chamber to the second chamber, a second chamber providing a process space of the substrate with the first chamber unit; and a; and one side of a substrate support having a support pin fixed to the outside of said processing space, the other side in accordance with the lifting of the second chamber through the second chamber, which is protruding into the processing space.

상기 기판 지지부는, 상기 지지핀과 동축을 가지고 상기 제2 챔버에 삽입 설치되며, 상기 제2 챔버의 승강에 따른 상기 제2 챔버 및 상기 지지핀의 마모를 방지하는 부싱(bushing)을 더 구비할 수 있다. The substrate support, the support is inserted provided in the second chamber has a pin and the shaft, further comprising a bushing (bushing) for preventing the second chamber and the wear of the support pin of the lifting of the second chamber can.

상기 부싱은, 상기 지지핀의 외주면에 접하는 가이드 홀이 형성되어, 상기 가이드 홀은 상기 지지핀을 따라 상기 제2 챔버의 승강을 안내할 수 있다. The bushing, the guide hole in contact with the outer peripheral surface of the support pin is formed, the guide holes can be the support along the guide pin to the lifting of the second chamber.

상기 부싱은 상기 지지핀과 이격되는 내부공간이 마련되며, 상기 지지핀은 상기 내부공간에 위치하는 지점에 지지턱이 돌출 형성되며, 상기 기판 지지부는 상기 제2 챔버를 향한 상기 부싱의 내벽과 상기 지지턱을 탄력지지하는 탄성부재를 더 구비할 수 있다. The bushing is the inner space that is spaced apart from the support pin provided, the support pin is a supporting jaw formed to project at the point which is located in the interior space, the substrate support is the inner wall and the of the bushing toward the second chamber an elastic member for elastically supporting the supporting jaw may be further provided.

한편, 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 제1 챔버;상기 제1 챔버와 함께 기판의 처리공간을 제공하는 제2 챔버;상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 중 적어도 어느 하나를 승강시키는 챔버 승강부;상기 처리공간에 마련되어, 상기 기판의 처리를 위해 상기 기판을 지지하는 스테이지;상기 스테이지를 상기 처리공간 내부에서 승강시키는 스테이지 승강부;및 일측이 상기 제2 챔버에 고정되고, 상기 스테이지의 승강에 따라 타측이 상기 스테이지를 관통하여, 상기 스테이지로부터 돌출되는 지지핀을 구비하는 기판 지지부;를 구비한다. On the other hand, the plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention includes a first chamber, at least one of the first chamber and the second chamber, a second chamber providing a process space of the substrate with the first chamber chamber lifting unit for lifting; provided in the treatment space, for the treatment of the substrate stage for supporting the substrate, the stage elevating section to lift the stage from within the processing space; and one side is fixed to the second chamber, to the other side through the stage in accordance with the lifting of the stage, the substrate support having a support pin projecting from the stage; and a.

상기 기판 지지부는, 상기 지지핀과 동축을 가지고 상기 스테이지에 삽입 설치되며, 상기 스테이지의 승강에 따른 상기 스테이지 및 상기 지지핀의 마모를 방지하는 부싱(bushing)을 더 구비할 수 있다. The substrate support, with the support pin and the shaft is inserted into the installation stage, it is possible to further comprise a bushing (bushing) to prevent the stage and the wear of the support pin of the lifting of the stage.

상기 부싱은, 상기 지지핀의 외주면에 접하는 가이드 홀이 형성되어, 상기 가이드 홀은 상기 지지핀을 따라 상기 스테이지의 승강을 안내할 수 있다. The bushing, the guide hole in contact with the outer peripheral surface of the support pin is formed, the guide holes can be the support along the guide pin to the lifting of the stage.

상기 부싱은 상기 지지핀과 이격되는 내부공간이 마련되며, 상기 지지핀은 상기 내부공간에 위치하는 지점에 지지턱이 돌출 형성되며, 상기 기판 지지부는 상 기 스테이지를 향한 상기 부싱의 내벽과 상기 지지턱을 탄력지지하는 탄성부재를 더 구비할 수 있다. The bushing is the inner space that is spaced apart from the support pin provided, the support pin is a supporting jaw formed to project at the point which is located in the interior space, the substrate support supporting the inner wall of the bushing and facing a group Stage It may further include an elastic member for elastically supporting the jaws.

한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리장치는 기판의 처리공간을 제공하며, 기판이 출입되는 도어를 구비하는 챔버;상기 처리공간에 마련되어, 상기 기판의 처리를 위해 상기 기판을 지지하는 스테이지;상기 스테이지를 상기 처리공간 내부에서 승강시키는 스테이지 승강부;및 일측이 상기 챔버의 하부에 고정되며, 상기 스테이지의 하강에 따라, 타측이 상기 스테이지로부터 돌출되어 상기 기판을 상기 스테이지로부터 이격지지하고, 상기 스테이지의 상승에 따라, 타측이 상기 스테이지로 함입되어 상기 기판을 상기 스테이지에 안착시키는 지지핀을 구비한다. On the other hand, the substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention provides a treatment area of ​​the substrate, the chamber having a door in which the substrate is allowed; provided in the treatment space, for supporting the substrate for processing the substrate stage; stage lifting unit to lift the stage from within the processing space; and one side is fixed to a lower portion of the chamber, in accordance with the falling of the stage, the other end is projected from the stage, and the support separated from the substrate from the stage , with the increase of the stage, the other side is incorporated in the stage comprises a support pin for mounting the substrate on the stage.

상기 기판 지지부는, 상기 지지핀과 동축을 가지고 상기 스테이지에 삽입 설치되며, 상기 스테이지의 승강에 따른 상기 스테이지 및 상기 지지핀의 마모를 방지하는 부싱(bushing)을 더 구비할 수 있다. The substrate support, with the support pin and the shaft is inserted into the installation stage, it is possible to further comprise a bushing (bushing) to prevent the stage and the wear of the support pin of the lifting of the stage.

상기 부싱은, 상기 지지핀의 외주면에 접하는 가이드 홀이 형성되어, 상기 가이드 홀은 상기 지지핀을 따라 상기 스테이지의 승강을 안내할 수 있다. The bushing, the guide hole in contact with the outer peripheral surface of the support pin is formed, the guide holes can be the support along the guide pin to the lifting of the stage.

상기 부싱은 상기 지지핀과 이격되는 내부공간이 마련되며, 상기 지지핀은 상기 내부공간에 위치하는 지점에 지지턱이 돌출 형성되며,상기 기판 지지부는 상기 스테이지를 향한 상기 부싱의 내벽과 상기 지지턱을 탄력지지하는 탄성부재를 더 구비할 수 있다. The bushing is the inner space that is spaced apart from the support pin provided, the support pin is a supporting jaw formed to project at the point which is located in the interior space, the substrate support is the inner wall and the supporting jaw of the bushing toward the stage the support may further include an elastic member for elastic.

한편, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리장치는 상부챔버;상기 상부챔버와 함께 기판의 처리공간을 제공하는 하부챔버;상기 하부챔버를 상승시켜 상기 처리공간을 밀폐시키며, 상기 하부챔버를 하강시켜 상기 처리공간을 개방시키는 챔버 승강부;및 일측이 상기 처리공간의 외부에 고정되며, 상기 처리공간의 개방에 따라, 타측이 상기 하부챔버로부터 돌출되어 상기 기판을 상기 하부챔버로부터 이격지지하고, 상기 처리공간의 밀폐에 따라, 타측이 상기 하부챔버로 함입되어 상기 기판을 상기 하부챔버에 안착시키는 지지핀을 구비하는 기판 지지부;를 구비한다. On the other hand, the substrate processing apparatus according to a second embodiment of the invention the upper chamber, a lower chamber providing a process space of the substrate with the upper chamber is raised to the lower chamber sikimyeo sealing the processing space, the lower chamber to the chamber lifting unit for opening the processing space lowered; and and one side is fixed to the outside of said processing space, in accordance with the opening of the processing space, the other end is projected from the lower chamber and supporting spaced apart from the substrate from the lower chamber , according to the sealing of the processing space, the other end is embedded in the lower chamber, the substrate support having a support pin for mounting the substrate to the lower chamber, and a.

상기 기판 지지부는, 상기 지지핀과 동축을 가지고 상기 제2 챔버에 삽입 설치되며, 상기 제2 챔버의 승강에 따른 상기 제2 챔버 및 상기 지지핀의 마모를 방지하는 부싱(bushing)을 더 구비할 수 있다. The substrate support, the support is inserted provided in the second chamber has a pin and the shaft, further comprising a bushing (bushing) for preventing the second chamber and the wear of the support pin of the lifting of the second chamber can.

상기 부싱은, 상기 지지핀의 외주면에 접하는 가이드 홀이 형성되어, 상기 가이드 홀은 상기 지지핀을 따라 상기 제2 챔버의 승강을 안내할 수 있다. The bushing, the guide hole in contact with the outer peripheral surface of the support pin is formed, the guide holes can be the support along the guide pin to the lifting of the second chamber.

상기 부싱은 상기 지지핀과 이격되는 내부공간이 마련되며, 상기 지지핀은 상기 내부공간에 위치하는 지점에 지지턱이 돌출 형성되며, 상기 기판 지지부는 상기 제2 챔버를 향한 상기 부싱의 내벽과 상기 지지턱을 탄력지지하는 탄성부재를 더 구비할 수 있다. The bushing is the inner space that is spaced apart from the support pin provided, the support pin is a supporting jaw formed to project at the point which is located in the interior space, the substrate support is the inner wall and the of the bushing toward the second chamber an elastic member for elastically supporting the supporting jaw may be further provided.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치, 기판 처리장치는 승강에 따라 변경되는 하부전극 또는, 하부챔버의 위치에 대해 고정위치를 갖는 기판 지지부를 마련함으로써, 복수 개의지지핀을 구동시키기 위한 구동장치를 구성을 생략하여, 장비의 구성을 구성을 간략화 할 수 있다. Plasma processing apparatus, the substrate processing apparatus according to the present invention by providing a substrate support having a fixed position relative to the lower electrode or the position of the lower chamber is changed according to the lift, the construction of the driving device for driving a plurality of support pins omitted, it is possible to simplify the structure the structure of the equipment.

또한, 지지대로 기판을 지지함으로써, 복수 개의 지지핀의 개별 높이를 조절하기 위한 어려움을 제거할 수 있으며, 스테이지를 관통하는 복수 개의 지지핀의 수를 줄일 수 있어서, 처리공간의 기밀을 유지시키기 위한 고가의 벨로우즈와 같은 기밀부재의 수를 줄여 장비의 원가를 절감할 수 있다. Further, by supporting the substrate to the support, to remove the difficulty to control the plurality of support individual heights of the pins, and it is possible to reduce the number of the plurality of support pins passing through the stage, for maintaining airtightness of treatment space reducing the number of sensitive elements, such as high-end of the bellows can reduce the cost of equipment.

이하, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대해, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. Or less, relative to the plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치을 간략하게 나타낸 단면도이다. 1 is a sectional view showing an overview of the plasma processing jangchieul according to the first embodiment of the present invention. 도 1을 참조하면, 플라즈마 처리장치(100)는 챔버(110), 스테이지(130), 스테이지 승강부(140) 및 기판 지지부(150)를 구비한다. 1, the plasma processing apparatus 100 has a chamber 110, a stage 130, the stage elevating section 140 and the substrate support 150. The

챔버(110)는 일체형으로 마련되어 기판(S)의 처리공간(101)을 제공하며, 일측벽에 기판(S)의 출입이 가능하도록 도어(111)를 구비한다. The chamber 110 includes a door 111 provided in one-piece and providing a processing space (101) of the substrate (S), which are accessible to the substrate (S) on one side wall.

스테이지(130)는 하부전극으로써, 기판(S)의 처리를 위해 기판(S)을 지지하도록 처리공간(101)의 하부에 배치된다. Stage 130 as a lower electrode, are disposed in the lower portion of the processing space 101 to support the substrate (S) for treatment of the substrate (S). 이때, 처리공간(101)의 상부에는 상부전극(120)이 배치되며, 상부전극(120)은 그 내부에 공정가스를 공급할 수 있는 가스공급수단(미도시)이 구비되어, 처리공간(101)으로 공정가스를 공급할 수 있도록 한다. At this time, the upper portion of the processing space 101 is disposed an upper electrode 120, the upper electrode 120 is provided with a gas supply means (not shown) that can supply a process gas therein, the process space 101 so as to supply the process gas.

스테이지(130)의 상단에는 기판의 안정적인 지지를 위한 기판 척이 구비될 수 있다. The top of the stage 130 may be provided with a substrate chuck for a stable support of the substrate. 기판 척(131)으로는 진공흡착력에 의해 기판(S)을 부착하는 진공 척, 정 전기력에 의해 기판(S)을 부착하는 정전척(Electro Static Chuck, ESC) 중 어느 하나로 채용될 수 있다. A substrate chuck 131 may be employed any one of a vacuum chuck, an electrostatic chuck (Electro Static Chuck, ESC) for attaching the substrate (S) by a constant electric force to attach the substrate (S) by a vacuum suction force.

스테이지(130)는 스테이지 승강부(140)의 지지를 받으며, 스테이지 승강부(140)에 의해 승강되도록 구비된다. Stage 130 is provided to receive the support of the lift stage 140, so that the lifting by the lifting stage 140.

스테이지 승강부(140)는 스테이지(130)를 지지하며 승강되는 승강축(141)과, 승강축(141)에 동력을 제공하는 승강모터(143)를 구비할 수 있다. Stage lifting unit 140 may be provided with a lifting and lowering motor 143 to power the lifting shaft 141 and lifting shaft 141 is supported and the lifting stage 130. 여기서, 도 1에 도시된 바와 같이, 승강축(141)은 유압실린더로 채택될 수 있으며, 이에 따라 승강모터(143)는 유압펌프 모터로 채택될 수 있다. Here, as shown in Figure 1, the lifting shaft 141 may be adopted as a hydraulic cylinder, whereby the elevating motor 143 may be employed as the hydraulic pump motor. 도시되지 않았지만, 다른 실시예로 스테이지 승강부(140)는 승강축(141)이 스테이지(130)를 지지하며 회전되는 승강스크류로 채택되고, 이에 따라 승강모터(143)는 감속기를 구비하는 직류 모터(DC moter), 저압 모터(AC-moter) 중 어느 하나로 채택될 수 있다. Although not shown, the stage elevating section 140, in other embodiments the lifting shaft 141 is employed in the lifting screw is supported and rotates the stage 130, whereby the elevating motor 143 is a DC motor having a speed reducer there can be employed any one of a (DC moter), low-pressure motor (AC-moter). 승강모터(143)가 저압 모터로 채택될 경우에는 모터 엔코더와 함께 채택되는 것이 바람직하다. If the lifting motor 143 is to be adopted as the low-voltage motors is preferably employed with the motor encoder.

한편, 기판 지지부(150)는 처리공간(101)으로 반입되는 기판(S)을 스테이지(130)로 안내하며, 기판(S)의 배출을 위해, 스테이지(130)에 안착된 기판(S)을 스테이지(130)로부터 이격시키기 위해 구비된다. On the other hand, the substrate support 150 and guiding the substrate (S) is introduced into the processing space 101 to the stage 130, for the discharge of the substrate (S), the substrate (S) mounted on a stage 130 It is provided to separated from the stage 130.

도 2는 도 1에 표기된 "I"부를 나타낸 확대 사시도이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 지지부의 결합관계를 나타낸 부분 단면 사시도이다. 2 is an enlarged perspective view showing part "I" indicated in Figure 1, Figure 3 is a partial cross-sectional perspective view showing a coupling relationship of the substrate support in a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 기판 지지부(150)는 지지핀(151)과, 지지대(153)를 구비한다. Referring to Figure 2 to Figure 3, the substrate support 150 has a support pin 151 and a support 153. 지지핀(151)은 스테이지(130)의 승강방향으로 스테이지(130) 를 관통하도록 구비된다. The support pin 151 is provided to pass through the stage 130 to the lifting direction of the stage 130. 이에 따라 스테이지(130) 및 기판 척(131)에는 지지핀(151)이 통과되는 관통공(133)이 형성된다. Accordingly, the stage 130 and the substrate chuck 131, a through hole 133 which is the support pin 151 to pass through is formed.

스테이지(130)를 관통하는 지지핀(151)은 일단이 챔버(110)의 바닥면에 결합되고, 타단이 지지대(153)에 결합된다. The support pin 151 that passes through the stage 130 has one end coupled to the bottom surface of the chamber 110, the other end is coupled to the support 153. 지지핀(151)은 기판(S)의 수평을 유지하며, 기판(S)을 지지하도록 복수 개로 구비될 수 있다. The support pin 151 maintains the level of the substrate (S), may be provided in plural number, so as to support the substrate (S).

지지대(153)는 지지핀(151)의 타단을 서로 연결하는 바(bar) 형태로 구비될 수 있다. Support 153 may be provided in the other end of the support pin 151 to the bar (bar) form connecting with each other. 지지대(153)는 지지핀(151)의 승강에 따라 승강되며, 기판(S)에 접촉되어 기판(S)을 지지한다. Support 153 is elevated in accordance with elevation of the support pin 151, it is in contact with the substrate (S) supports the substrate (S). 스테이지(130)에는 스테이지(130)에 기판(S)의 안착 시, 기판(S) 안착에 간섭을 주지 않도록 지지대(153)가 함입되는 함입홈(153a)이 형성된다. Stage 130, the embedded grooves (153a) which is seated upon a support (153) so as not to interfere with the substrate (S) mounted on a substrate (S) in stage 130 the constriction is formed.

이러한 지지대(153)는 복수 개의 지지핀(151)이 각 관통공(133)에 따라 정렬위치를 갖도록 하며, 복수 개의 지지핀(151)의 높이가 정렬되도록 하여, 기판(S)을 평탄하게 지지하도록 한다. These supports 153 and a plurality of support pins 151 to have an alignment position for each through hole 133, to ensure that the alignment the height of the plurality of support pins 151, the supporting flat of the substrate (S) and to.

이와 같이, 스테이지(130)가 스테이지 승강부(140)에 의해 그 위치가 변경되는 반면, 지지핀(151)과 지지대(153)은 지지핀(151)이 챔버(110)에 고정되므로써, 그 위치가 변경되지 않는다. Thus, the stage 130 is the stage while the position is changed by the elevating unit 140, a support pin 151 and the support 153, the support pin 151 is fixed doemeurosseo, its position in the chamber 110 It does not change.

한편, 스테이지(130)의 관통공(133)에는 부싱(bushing;)이 마련된다. On the other hand, the through hole 133 of the stage 130 bushing; is provided with a (bushing). 부싱(155)은 지지핀(151)과 동축을 이루며, 스테이지(130)의 관통공(133)에 억지끼움되어 설치된다. Bushing 155 is formed using the support pin 151 is coaxial with, and is installed and interference fit in the through holes 133 of the stage 130. 부싱(155)은 내벽이 지지핀(151)과 이격되어 내부공간을 제공하며, 상단 및 하단에 지지핀(151)의 외주면에 접하는 가이드 홀(155a)이 형성된다. Bushings 155 are spaced apart and the support pin 151, the inner wall and provides an inner space, the guide hole (155a) in contact with the outer peripheral surface of the support pin 151 at the top and bottom is formed.

부싱(155)과 지지핀(151)은 스테이지(130)의 승강시, 가이드 홀(155a)의 내주면이 지지핀(151)의 외주면에 접하여 승강되도록 하여, 스테이지(130)의 승강을 가이드할 수 있다. Bushing 155 and a support pin 151 may be to ensure that the lifting contact with the outer peripheral surface of the support pin 151, the inner circumferential surface of the vertical when the guide hole (155a) of the stage 130, and guide the lifting of the stage 130 have. 즉, 부싱(155)과 지지핀(151)은 지지핀(151)의 축방향을 따라 스테이지(130)가 승강되도록 한다. That is, the bushing 155 and a support pin 151 so that the stage 130 is elevated along the axial direction of the support pin 151.

또한, 스테이지(130)의 승강시, 부싱(155)은 장비의 진동 등에 의해 발생될 수 있는 지지핀(151)과 관통공(133)과의 마찰에 의한 장비의 손상을 방지한다. Further, during the lifting of the stage 130, a bushing 155 to prevent damage to the equipment due to the friction with the support that may be generated due to vibration of the equipment pin 151 and the through hole 133. The 이에 따라 부싱(155)은 스테이지(130) 및 지지핀(151)의 수명을 연장시키며, 장비 관리의 편의를 제공할 수 있다. Accordingly, bushing 155 is to extend the life of the stage 130 and a support pin 151, thereby providing the convenience of the system management.

이러한 부싱(155)은 스테이지(130)와의 유기적인 결합과, 스테이지(130)의 승강에 따른 장비의 진동 발생 시, 지지핀(151)과의 유연성 및 탄력을 제공하고, 진동과 충격을 흡수할 수 있는 폴리우레탄과 같은 재질로 마련되는 것이 바람직하다. The bushing 155 is to provide the flexibility and elasticity of the stage 130 with when the vibration of the equipment according to the lift generated in the organic bond, and a stage 130, a support pin 151, and absorbs vibrations and shocks it can be prepared from a material such as polyurethane, which is preferred.

부싱(155)의 내부공간에는 탄성부재(157)가 마련되며, 부싱(155)의 내부공간에 위치하는 지지핀(151)의 구간에는 지지턱(151a)이 형성될 수 있다. Section of the support pin 151, the inner space of the bushing 155 is provided with an elastic member 157, which is located in the inner space of the bushing 155 may be a support jaw (151a) is formed. 지지턱(151a)은 스테이지(130)의 상승에 따라 탄성부재(157)를 압축시켜, 탄성부재(157)가 스테이지(130)의 상승방향으로 신장력을 발휘하도록 한다. The support jaw (151a) is compressed by the elastic member 157 according to the rising of the stage 130, and the elastic member 157 to exert a stretching force to the lifting direction of the stage 130.

탄성부재(157)는 기판(S) 안착을 위한 스테이지(130)의 상승시, 신장력이 스테이지(130)의 상승방향으로 발휘하여, 스테이지(130)를 상승시키는 스테이지 승강부(140)의 상승력을 보강해준다. Elastic member 157 is the lifting force of the stage elevating section 140, which to exert a lifting direction of rising when, stretching force of the stage 130 of the stage 130 for mounting the substrate (S), raising the stage 130 It allows the reinforcement.

또한, 탄성부재(157)는 스테이지(130)의 상승방향으로 작용하는 신장력에 의 해, 상승된 스테이지(130)의 높이를 지지하며, 스테이지(130)의 하강시, 스테이지(130)의 급속 낙하를 방지하여, 장비 손상을 방지 할 수 있도록 한다. In addition, the rapid fall of the elastic member 157 is stretching force to, the time of the fall of and support the height of the elevated stage 130, stage 130, stage 130 of the acting in the lifting direction of the stage 130 to prevent and to prevent damage to the equipment.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리장치의 작동에 대해, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, the operation of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4, 5, 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 일부를 확대하여 작동상태를 나타낸 확대 단면도이다. 4, 5 and 6 is an enlarged cross-sectional view, on an enlarged scale, a part showing an operational state of the plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 기판(S)의 처리를 위해 도어(111)가 개방되며, 기판(S)은 처리공간(101)으로 반입된다. 4, for treatment of the substrate (S) and the door 111 opens, the substrate (S) is introduced into the processing space 101. The 이때, 스테이지(130)는 대기높이(h1)에 위치하며, 지지대(153)는 스테이지(130)로부터 돌출되어, 처리공간(101)에 위치한다. At this time, the stage 130 is located in the standby height (h1), the support 153 is projected from the stage 130 and is located at the processing space 101. The 또한, 탄성부재(157)는 압축되어, 신장력이 스테이지(130)의 상승방향으로 작용하는 상태를 유지한다. Further, the elastic member 157 is compressed, maintains the state in which the stretching force acts in the lifting direction of the stage 130.

도 5를 참조하면, 처리공간(101)으로 반입된 기판(S)은 지지대(153)에 의해 지지된다. 5, the substrate (S) has been imported into the processing space 101 is supported by the supporter (153). 기판(S)이 지지대(153)에 의해 지지되면, 스테이지(130)는 스테이지 승강부(140)에 의해 상승된다. When the substrate (S) is supported by the supporter 153, the stage 130 is raised by the lifting stage 140. 스테이지(130)의 상승시, 부싱(155)과 지지핀(151)은 가이드 홀(155a)이 지지핀(151)의 외주면에 접하여, 스테이지(130)의 상승을 가이드 한다. In contact with the outer peripheral surface at the time of rise of the stage 130, the bushing 155 and the support pin 151 is a guide hole (155a), the support pin 151, to guide the rise of the stage 130.

스테이지(130)가 상승 됨에 따라, 지지대(153)에 의해 지지되어 있는 기판(S)은 스테이지(130)의 기판 척(131)에 부착되고, 지지대(153)로부터 스테이지(130)의 상승방향으로 이격된다. An upwardly direction from the stage 130 is increased As a support substrate (S) which is carried by the 153 is attached to the substrate chuck 131 of the stage 130, a support 153 according to stage 130 It is spaced apart. 이때, 스테이지(130)와 이격되었던 지지대(153)는 함입홈(153)에 함입되며, 기판(S)은 스테이지(130)에 안착된다. At this time, a support 153, which was spaced apart from the stage 130 are embedded in the embedded grooves (153), the substrate (S) is secured to the stage 130.

한편, 스테이지(130)가 상승됨에 따라, 스테이지(130)의 상승방향으로 신장력을 발휘하는 탄성부재(157)는 스테이지(130)의 상승방향으로 신장된다. On the other hand, the stage 130, the elastic member 157 to exert, stretching force to the lifting direction of the stage 130 as the rise is extended in the lifting direction of the stage 130. 이에 따라 탄성부재(157)는 스테이지 승강부(140)의 승강력을 보강하여, 스테이지(130)의 승강을 원할하게 한다. Accordingly, the elastic member 157 by reinforcing the strength of the W stage elevating section 140, and smoothly lift the stage 130.

스테이지(130)가 상승되어 상승높이(h2)에 도달하면, 탄성부재(157)는 승강축(141)과 함께, 상승된 스테이지(130)의 상승높이(h2)를 지지한다. When the stage 130 is raised reaches the rise height (h2), the elastic member 157, together with the lifting shaft 141, and supports the rise height (h2) of the elevated stage 130.

이와 같이, 기판(S)이 스테이지(130)에 안착되면, 기판(S)에 처리가 가해진다. As such, when the substrate (S) is secured to the stage 130, the process is applied to the substrate (S). 즉, 처리공간(101)으로 공정가스가 제공되며, 공정가스에 의해 기판(S) 표면을 식각하거나, 소정 물질을 도포할 수 있다. That is, there is provided a process gas into the process space 101, and etching the substrate (S) by the surface of the process gas, or may be applied to certain materials.

기판(S)의 처리를 마치면, 기판(S)의 배출을 위해 기판 지지부(150)는 기판(S)을 스테이지(130)로부터 이격시킨다. After the treatment of the substrate (S), a substrate support 150 for the discharge of the substrate (S) it is then separated from the substrate (S) from the stage 130.

도 6을 참조하면, 스테이지(130)는 스테이지 승강부(140)에 의해 하강된다. 6, the stage 130 is lowered by the stage elevating section 140. 스테이지(130)의 하강시, 부싱(155)과 지지핀(151)은 가이드 홀(155a)이 지지핀(151)의 외주면에 접하여, 스테이지(130)의 하강을 가이드 한다. In contact with the outer circumferential surface of the falling of the stage 130, the bushing 155 and the support pin 151 is a guide hole (155a), the support pin 151, to guide the lowering of the stage 130. 스테이지(130)가 하강됨에 따라 함입홈(153a)으로부터 돌출되는 지지대(153)는 기판(S)에 접촉되며, 기판(S)을 기판 척(131)으로부터 이격시킨다. As the stage 130 descends embedded support 153 which protrudes from the groove (153a) is in contact with the substrate (S), then separated from the substrate (S) from the substrate chuck (131).

이때, 스테이지(130)의 상승방향으로 신장된 탄성부재(157)는 스테이지(130)와 함께 하강되는 부싱(155)에 의해 압축되며, 스테이지(130)의 급속하강을 방지한다. At this time, the elastic member 157 extending in the lifting direction of the stage 130 is compressed by the bushing 155 is lowered with the stage 130, to prevent the rapid fall of the stage 130.

스테이지(130)가 하강되어, 대기높이(h1)에 위치하면, 도어(111)가 개방되 고, 기판(S)은 처리공간의 외부로 반출된다. Is the stage 130 descends, when located at the standby height (h1), and the door 111 gaebangdoe, the substrate (S) is taken out to the outside of the processing space.

여기서, 상술된 설명에서는 챔버(110)가 일체형으로 마련되어, 처리공간(101) 내에 스테이지(130)를 구비하고, 스테이지(130)는 하부전극으로 사용되며, 스테이지(130)의 상부에 상부전극(120)을 구비하는 것으로 설명하고 있으나, 다른 실시예로 챔버(110)를 상하로 분리하여, 상부전극과 하부전극으로 사용하도록 변형 실시 가능하다. Here, the upper electrode on top of the above described chamber 110 is provided integrally, and a stage 130 in the processing space 101, a stage 130 is used as a lower electrode, a stage 130 ( Although described as having a 120), to separate the chamber 110 in another embodiment up and down, it is possible variant embodiment to be used as the upper electrode and the lower electrode.

이하, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대해, 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다. Hereinafter, a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, will be described with reference to the accompanying drawings.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치을 간략하게 나타낸 단면도이고, 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 지지부의 결합관계를 나타낸 부분 단면 사시도이다. 7 is a cross-sectional view showing an overview of the plasma processing jangchieul according to a second embodiment of the present invention, Figure 8 is a partial cross-sectional perspective view showing a coupling relationship of the substrate support in a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 7 내지 도 8을 참조하면, 플라즈마 처리장치(200)는 제1 챔버(210a), 제2 챔버(210b), 챔버승강부(240) 및 기판 지지부(250)를 구비한다. And Referring to Figure 7 to 8, the plasma processing apparatus 200 is provided with a first chamber (210a), a second chamber (210b), the lifting chamber 240 and the substrate support (250). 제1 챔버(210a)는 상부챔버이며, 제2 챔버(210b)는 하부챔버일 수 있다. A first chamber (210a) is a top chamber, a second chamber (210b) may be a lower chamber. 제1 챔버(210a)는 내측에 상부전극(220)을 구비하며, 제2 챔버(210b)는 스테이지(230)를 구비할 수 있다. A first chamber (210a) is provided with a top electrode 220, on the inside, a second chamber (210b) may have a stage 230. 이때 스테이지(230)는 하부전극으로써, 스테이지(230)로 흐르는 전류가 제2 챔버(210b)로 인가되는 것을 방지하기 위해, 제2 챔버(210b)와 이격되는 것이 바람직하다. At this time, the stage 230 as the lower electrode, it is desirable to be spaced apart from the second chamber (210b) to prevent the current flowing through the stage 230 to be applied to the second chamber (210b).

또한, 제1 챔버(210a)와 제2 챔버(210b)의 사이에는 처리공간(201)의 밀폐시, 처리공간(201)의 기밀을 유지시키기 위한 오-링(O-ring)과 같은 기밀부재(203)가 구비된다. In addition, the first chamber (210a) and the second chamber (210b) between has five to maintain the confidentiality of the processing space 201, sealed during the processing space 201 of the-airtight member such as a ring (O-ring) the section 203 is provided.

제1 챔버(210a)는 플라즈마 처리장치(200)의 외관을 형성하는 외부프레임(미도시)에 결합된다. A first chamber (210a) is coupled to the external frame (not shown) to form an appearance of the plasma processing apparatus 200. 제2 챔버(210b)는 챔버 승강부(240)의 지지를 받으며, 챔버 승강부(240)에 의해 제1 챔버(210a) 측으로 승강되도록 구비된다. A second chamber (210b) is provided to receive the support of the lifting side of the lifting chamber 240, a first chamber (210a) by elevating the chamber section 240. 이에 따라, 제2 챔버(210b)와 스테이지(230)는 함께 승강된다. Accordingly, the second chamber (210b) and the stage 230 is elevated together.

여기서, 챔버 승강부(240)와, 기판 지지부(250)는 상술된 스테이지 승강부(140), 기판 지지부(150)와 각각 그 구성과 작용이 유사하다고 볼 수 있다. Here we can see that with the lifting chamber 240, the substrate support 250 is similar to the stage elevating section 140 described above, the substrate support 150 and each of its configuration and operation. 따라서, 이하에서는 챔버 승강부(240)와, 기판 지지부(250)에 대한 상세한 설명을 생략하도록 하며, 챔버 승강부(240)와, 기판 지지부(250)에 대해서는 상술된 스테이지 승강부(140)와, 기판 지지부(150)에 대한 상세한 설명을 참조하여 이해할 수 있을 것이다. Therefore, the following description and from the chamber lifting unit 240, and so as to omit the detailed description of the substrate support 250, and a stage elevating section 140 described above for the chamber lifting unit 240, and a substrate support (250) , it will be understood by reference to the following detailed description of the substrate support (150).

다만, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)의 기판 지지부(250)는 지지핀(251)의 타측이 처리공간(201)의 외부에 위치하므로, 지지핀(251)을 고정하기 위한 고정판(259)과, 지지핀(251)이 제2 챔버(210b)를 관통됨에 따라 처리공간(201)의 기밀을 유지시키기 위한 벨로우즈(258)를 더 구비할 수 있을 것이다. However, since the other side of the substrate support 250 of the plasma processing apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention includes a support pin 251 is located outside the process space 201, and fixing the support pin (251) to be able to further include a bellows 258, for maintaining the confidentiality of the fixing plate 259 and the processing space as the support pin 251 passes through the second chamber (210b) (201).

이하, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리장치의 작동에 대해, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, the operation of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 9, 10, 11은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 일부를 확대하여 작동상태를 나타낸 확대 단면도이다. 9, 10 and 11 is an enlarged cross-sectional view showing an operating state on an enlarged scale, a portion of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the invention.

도 9를 참조하면, 대기상태에서 제1 챔버(210a)와 제2 챔버(210b)는 이격되 어, 처리공간(201)은 개방되고, 제2 챔버(210b)는 대기높이(h1')에 위치한다. 9, the first chamber (210a) and the second chamber (210b) is air being separated from the processing space 201 in the stand-by state is opened, the second chamber (210b) is a standby height (h1 ') Located.

이때, 지지대(253)는 제2 챔버(210b)로부터 제1 챔버(210a) 측으로 이격되어, 처리공간(201)에 위치한다. At this time, the supporter (253) are spaced toward the first chamber (210a) from a second chamber (210b), located in the processing space 201. The 또한, 탄성부재(257)는 압축되어, 신장력이 제2 챔버(210b)의 상승방향으로 작용하는 상태를 유지한다. Further, the elastic member 257 is compressed, it maintains the state in which the stretching force acts in the lifting direction of the second chamber (210b). 또한, 벨로우즈(258)는 제2 챔버(210b)의 하강방향으로 압축된 상태를 유지한다. Further, the bellows (258) maintains a compressed state with the falling direction of the second chamber (210b).

도 10을 참조하면, 기판(S)은 처리공간(201)으로 반입되어, 지지대(253)에 의해 지지된다. 10, the substrate (S) is introduced into the process space 201, and is supported by a support 253. 기판(S)이 지지대(253)에 의해 지지되면, 제2 챔버(210b)는 챔버승강부(240)에 의해 제1 챔버(210a) 측으로 상승된다. When the substrate (S) is supported by a supporter 253, a second chamber (210b) is raised toward the first chamber (210a) by elevating the chamber section 240. 부싱(255)의 가이드 홀(255a)은 지지핀(251)의 외주면에 접하여, 제2 챔버(210b)의 상승을 가이드 한다. Guide holes of the bushing (255) (255a) is in contact with the outer peripheral surface of the support pin 251, to guide the rise of the second chamber (210b).

제2 챔버(210b)가 상승 됨에 따라, 지지대(253)에 의해 지지되어 있는 기판(S)은 제2 챔버(210b)의 기판 척(231)에 부착되고, 지지대(253)로부터 제2 챔버(210b)의 상승방향으로 이격된다. The second chamber from the second chamber (210b) has as the increase, the substrate (S), which is supported by a support 253 is attached to the substrate chuck 231 of the second chamber (210b), the support (253) ( are spaced upwardly of the direction 210b). 이때, 제2 챔버(210b)와 이격되었던 지지대(253)는 함입홈(253a)에 함입되며, 기판(S)은 제2 챔버(210b)에 안착된다. At this time, the second chamber, the support 253 was separated from (210b) is embedded in the embedded grooves (253a), the substrate (S) is seated in the second chamber (210b).

한편, 제2 챔버(210b)가 상승됨에 따라, 제2 챔버(210b)의 상승방향으로 신장력을 작용하고 있는 탄성부재(257)는 제2 챔버(210b)의 상승방향으로 신장된다. On the other hand, the second chamber (210b), the elastic member 257, which, applies a stretching force to the lifting direction of the second chamber (210b) as the rise is extended in the lifting direction of the second chamber (210b). 이에 따라 탄성부재(257)는 챔버승강부(240)의 승강력을 보강하여, 제2 챔버(210b)의 승강을 원할하게 한다. Accordingly, the elastic member 257 causes the reinforcement to the w power of the lifting chamber 240, the desired lifting of the second chamber (210b). 이때, 벨로우즈(258)는 제2 챔버(210b)의 상승방향으로 신장된다. In this case, the bellows 258 is extended in the lifting direction of the second chamber (210b).

제2 챔버(210b)가 상승되어 처리공간(201)이 밀폐되는 상승높이(h2')에 도달하면, 기밀부재(203)는 제1 챔버(210a)에 접촉되며, 처리공간(201)은 밀폐된다. A second chamber (210b) reaches the rise height (h2 ') is raised to be the processing space 201 is sealed, airtight member 203 is in contact with the first chamber (210a), the processing space 201 is closed do. 기 밀부재(203)는 벨로우즈(258)와 함께 처리공간(201)의 기밀을 유지시킨다. Confidential member 203 to maintain the confidentiality of the processing space 201 with the bellows 258. 이때, 탄성부재(257)는 상승된 제2 챔버(210b)의 상승높이(h2')를 지지한다. At this time, the elastic member 257 supports the rise height (h2 ') of the raised second chamber (210b).

이와 같이, 기판(S)이 제2 챔버(210b)에 안착되면, 기판(S)에 처리가 가해진다. As such, when the substrate (S) is seated in the second chamber (210b), the process is applied to the substrate (S). 기판(S)의 처리를 마치면, 기판(S)의 배출을 위해 기판 지지부(250)는 기판(S)을 제2 챔버(210b)로부터 이격시킨다. After the treatment of the substrate (S), a substrate support 250 for the discharge of the substrate (S) it is then separated from the substrate (S) from a second chamber (210b).

도 11을 참조하면, 제2 챔버(210b)는 챔버승강부(240)에 의해, 고정판(259) 측으로 하강된다. 11, a second chamber (210b) is lowered toward, the fixed plate 259 by elevating chamber 240. 부싱(255)의 가이드 홀(255a)은 지지핀(251)의 외주면에 접하여, 제2 챔버(210b)의 하강을 가이드 한다. Guide holes of the bushing (255) (255a) is in contact with the outer peripheral surface of the support pin 251, the first guides the fall of the second chamber (210b). 제2 챔버(210b)가 하강됨에 따라 함입홈(253a)으로부터 돌출되는 지지대(253)는 기판(S)에 접촉되며, 기판(S)을 기판 척(231)으로부터 이격시킨다. As the second chamber (210b) is lowered embedded support 253 which protrudes from the groove (253a) is in contact with the substrate (S), then separated from the substrate (S) from the substrate chuck (231).

이때, 제2 챔버(210b)의 상승방향으로 신장된 탄성부재(257)는 제2 챔버(210b)와 함께 하강되는 부싱(255)에 의해 압축되며, 제2 챔버(210b)의 급속하강을 방지한다. In this case, the elongated in elevation direction in the second chamber (210b), the elastic member 257 is compressed by the bushing (255) is lowered with the second chamber (210b), to prevent rapid descent of the second chamber (210b) do. 또한, 벨로우즈(258)는 제2 챔버(210b)의 하강방향으로 압축된다. In addition, the bellows 258 is compressed in the falling direction of the second chamber (210b). 제2 챔버(210b)가 하강되어, 대기높이(h1')에 위치하면, 기판(S)은 처리공간(201)의 외부로 반출된다. 2 is a chamber (210b) fall, when located at the standby height (h1 '), the substrate (S) is taken out to the outside of the processing space 201. The

이상에서, 플라즈마 처리장치(100, 200)는 기판(S)이 처리공간(101, 201)의 하측에 지지되는 것으로 설명하고 있다. In the above, the plasma processing apparatus 100 and 200 are described as the substrate (S) is supported on the lower side of the processing space (101, 201). 하지만, 이는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 구체적인 실시예들에 불과할 뿐, 기판(S)이 지지되는 위치를 한정하는 것은 아니다. However, this is not intended to limit the position at which the support is nothing but in the specific embodiments as well, the substrate (S) for implementing the invention. 따라서, 상술된 실시예들에서, 스테이지(130, 230)를 처리공간(100, 201)의 상측에 배치하고, 제1 챔버(210a)와 제2 챔버(210b)의 배치를 서로 치환시 키더라도 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 구성과 작용은 서로 유사하다 볼 수 있다. Thus, in the embodiments described above, the stages 130 and 230 to the processing space (100, 201) disposed on the image side, and the first chamber (210a) and the second, even if the key when the arrangement of the chamber (210b) substituted with each other configuration and operations for implementing the technical features of the present invention can be found similar to each other.

다만, 스테이지(130, 230)를 처리공간(101, 201)의 상측에 배치하고, 제1 챔버(210a)와 제2 챔버(210b)의 배치를 서로 치환시킬 경우, 지지핀(151, 251)은 처리공간(101, 201)의 상측에서 기판(S)을 지지하게 되므로, 지지핀(151, 251)은 기판(S)을 흡착 지지하도록 구비되는 것이 바람직하다. However, the stages 130 and 230 to the processing space (101, 201) in the case to each other, replacing the arrangement of the first chamber (210a) and the second chamber (210b), support pins (151, 251), and disposed on the image side of the is preferably provided with a support adsorbing the substrate (S), so that support the substrate (S) on the upper side of the processing space (101, 201), support pins (151, 251).

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)에 구비되는 스테이지(130)는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)의 처리공간(201)에 설치되어, 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(미도시)를 구현할 수 있을 것이다. Further, the stage 130 is provided in the plasma processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention is installed in the processing space 201 of the plasma processing apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention, It will be able to implement a plasma processing apparatus (not shown) according to a third embodiment of the present invention.

이때, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(200)의 제2 챔버(210b)에 구비되는 스테이지(230)의 구성은 생략되며, 지지핀(151)이 스테이지(130)를 관통하도록 설치하도록 설치하는 것이 바람직하다. In this case, the configuration of a stage 230 provided in the second chamber (210b) of the plasma processing apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention will be omitted, and the support pin 151 to pass through the stage 130 it is preferable to provide for installation.

여기서, 상술된 실시예들의 플라즈마 처리장치(100, 200, 미도시)는 기판(S)의 식각 공정, 기판(S)의 물리증착(Physical Vapor Deposition) 공정, 기판(S)의 화학증착(Chemical Vapor Deposition;CVD) 공정 등에 사용되는 장치이다. Here, the (at 100, 200, not shown), the plasma processing apparatus of the embodiment described above is a chemical vapor deposition (Chemical of the substrate (S) etching process, the substrate physical vapor deposition of (S) (Physical Vapor Deposition) process, the substrate (S) of Vapor Deposition; is a device used in a CVD) process. 그러나, 그 외에도 기판(S)의 합착공정 등에서 기판(S)을 지지하여 기판(S)에 소정의 처리를 가하는 기판 처리장치(미도시)에도 여러 가지로 변형 실시 가능할 것이다. However, the addition is to be carried out in various modified substrate processing apparatus (not shown) for applying a predetermined process to the substrate (S) to support the substrate (S), etc. cementation step of the substrate (S). 따라서, 본 발명의 실시예들의 변형 및 변경은 본 발명의 기술적 사상을 벗어날 수 없을 것이다. Consequently, variations and modifications of the embodiments of the present invention will not be able to escape from the invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치을 간략하게 나타낸 단면도이다. 1 is a sectional view showing an overview of the plasma processing jangchieul according to the first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 표기된 "I"부를 나타낸 확대 사시도이다. Figure 2 is an enlarged perspective view showing part "I" indicated in FIG.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 지지부의 결합관계를 나타낸 부분 단면 사시도이다. Figure 3 is a partial cross-sectional perspective view showing a coupling relationship of the substrate support in a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 4, 5, 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 일부를 확대하여 작동상태를 나타낸 확대 단면도이다. 4, 5 and 6 is an enlarged cross-sectional view, on an enlarged scale, a part showing an operational state of the plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치을 간략하게 나타낸 단면도이다. Figure 7 is a cross-sectional view showing an overview of the plasma processing jangchieul according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 기판 지지부의 결합관계를 나타낸 부분 단면 사시도이다. Figure 8 is a partial cross-sectional perspective view showing a coupling relationship of the substrate support in a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 9, 10, 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 일부를 확대하여 작동상태를 나타낸 확대 단면도이다. 9, 10 and 11 is an enlarged cross-sectional view, on an enlarged scale, a part showing an operational state of the plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명> <Reference Numerals [>

100 : 플라즈마 처리장치 110 : 챔버 100: plasma processing apparatus 110: chamber

120 : 상부전극 130 : 스테이지 120: upper electrode 130: Stage

140 : 스테이지 승강부 150 : 스테이지 승강부 140: stage lift unit 150: stage lifting unit

Claims (20)

  1. 기판의 처리공간을 제공하는 챔버; A chamber for providing a process space of a substrate;
    상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판을 지지하는 스테이지 It is disposed within the chamber for supporting the substrate stage
    상기 챔버 내부에서 상기 스테이지를 승강시키는 스테이지 승강부; Stage lifting unit to lift the stage in the chamber;
    일측이 상기 챔버에 고정되고, 타측이 상기 스테이지의 승강에 따라 상기 스테이지를 관통하여 상기 스테이지로부터 출몰하는 지지핀; One side is fixed to the chamber, the other side of the support pin retracting through the stage in accordance with the lifting of the stage from the stage;
    상기 지지핀과 동축을 가지고 상기 지지핀이 관통하도록 상기 스테이지에 삽입되며, 내벽이 상기 지지핀으로부터 이격되는 부싱; The support is inserted to the stage so that the support pin has a through-pin coaxial with, the bushing being spaced from the inner wall of the support pin;
    상기 부싱의 내측에서 상기 지지핀으로부터 돌출되는 지지턱; The support is projected from the support pin in the inside of the bushing jaw;
    상기 부싱으로부터 상기 지지턱을 탄성지지하는 탄성부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. Plasma processing apparatus comprising: a; an elastic member for supporting the elastically supporting the jaw from the bushing.
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  5. 제1 챔버; A first chamber;
    상기 제1 챔버와 함께 기판의 처리공간을 제공하는 제2 챔버; A second chamber providing a process space of the substrate with the first chamber;
    상기 제2 챔버를 상기 제1 챔버 측으로 승강시키는 챔버 승강부; Chamber lifting unit for lifting the second chamber toward the first chamber;
    일측이 상기 처리공간의 외부에 고정되고, 상기 제2 챔버의 승강에 따라 타측이 상기 제2 챔버를 관통하여 상기 처리공간으로 돌출되는 지지핀을 구비하는 기판 지지부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. Plasma comprising the; one side of the substrate support portion having a support pin fixed to the outside of the treatment space, through the lifting the other side the second chamber according to the second chamber which projects into the processing space, processor.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 기판 지지부는, The method of claim 5, wherein the substrate support,
    상기 지지핀과 동축을 가지고 상기 제2 챔버에 삽입 설치되며, With the support pin and the shaft is inserted provided in the second chamber,
    상기 제2 챔버의 승강에 따른 상기 제2 챔버 및 상기 지지핀의 마모를 방지하는 부싱(bushing)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising a bushing (bushing) for preventing the second chamber and the wear of the support pin of the lifting of the second chamber.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 부싱은, 7. The method of claim 6 wherein the bushing,
    상기 지지핀의 외주면에 접하는 가이드 홀이 형성되어, The guide hole in contact with the outer peripheral surface of the support pins are formed,
    상기 가이드 홀은 상기 지지핀을 따라 상기 제2 챔버의 승강을 안내하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. Along the pin guide hole of the support is plasma treating apparatus, wherein for guiding the lifting of the second chamber.
  8. 제6 항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 부싱은 상기 지지핀과 이격되는 내부공간이 마련되며, The bushing is the inner space that is spaced apart from the support pins provided,
    상기 지지핀은 상기 내부공간에 위치하는 지점에 지지턱이 돌출 형성되며, The support pin is protruded a supporting jaw formed at the point which is located in the interior space,
    상기 기판 지지부는 상기 제2 챔버를 향한 상기 부싱의 내벽과 상기 지지턱을 탄력지지하는 탄성부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. The substrate support is a plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising an elastic member for elastically supporting the inner wall and the supporting jaw of the bushing toward the second chamber.
  9. 제1 챔버; A first chamber;
    상기 제1 챔버와 함께 기판의 처리공간을 제공하는 제2 챔버; A second chamber providing a process space of the substrate with the first chamber;
    상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 중 적어도 어느 하나를 승강시키는 챔버 승 강부; Chamber of the second lifting at least one of a chamber and the second chamber W gangbu;
    상기 처리공간에 마련되어, 상기 기판의 처리를 위해 상기 기판을 지지하는 스테이지; It provided in the processing space, the stages for supporting the substrate for processing the substrate;
    상기 스테이지를 상기 처리공간 내부에서 승강시키는 스테이지 승강부; Stage lifting unit to lift the stage from within the processing space;
    일측이 상기 제2 챔버에 고정되고, 상기 스테이지의 승강에 따라 타측이 상기 스테이지를 관통하여, 상기 스테이지로부터 돌출되는 지지핀을 구비하는 기판 지지부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. To one side is fixed to the second chamber, the other side through the stage in accordance with the lifting of the stage, the substrate support having a support pin projecting from the stage; plasma processing apparatus comprising a.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 기판 지지부는, 10. The method of claim 9, wherein the substrate support,
    상기 지지핀과 동축을 가지고 상기 스테이지에 삽입 설치되며, With the support pin and the shaft is inserted into the installation stage,
    상기 스테이지의 승강에 따른 상기 스테이지 및 상기 지지핀의 마모를 방지하는 부싱(bushing)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. The plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising a bushing (bushing) to prevent the stage and the wear of the support pin of the lifting of the stage.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 부싱은, 11. The method of claim 10, wherein the bushing,
    상기 지지핀의 외주면에 접하는 가이드 홀이 형성되어, The guide hole in contact with the outer peripheral surface of the support pins are formed,
    상기 가이드 홀은 상기 지지핀을 따라 상기 스테이지의 승강을 안내하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. Along the pin guide hole of the support is plasma treating apparatus, wherein for guiding the elevation of the stage.
  12. 제11 항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 부싱은 상기 지지핀과 이격되는 내부공간이 마련되며, The bushing is the inner space that is spaced apart from the support pins provided,
    상기 지지핀은 상기 내부공간에 위치하는 지점에 지지턱이 돌출 형성되며, The support pin is protruded a supporting jaw formed at the point which is located in the interior space,
    상기 기판 지지부는 상기 스테이지를 향한 상기 부싱의 내벽과 상기 지지턱을 탄력지지하는 탄성부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. The substrate support is a plasma processing apparatus according to claim 1, further comprising an elastic member for elastically supporting the inner wall and the supporting jaw of the bushing toward the stage.
  13. 기판의 처리공간을 제공하는 챔버; A chamber for providing a process space of a substrate;
    상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판을 지지하는 스테이지 It is disposed within the chamber for supporting the substrate stage
    상기 챔버 내부에서 상기 스테이지를 승강시키는 스테이지 승강부; Stage lifting unit to lift the stage in the chamber;
    일측이 상기 챔버에 고정되고, 타측이 상기 스테이지의 승강에 따라 상기 스테이지를 관통하여 상기 스테이지로부터 출몰하는 지지핀; One side is fixed to the chamber, the other side of the support pin retracting through the stage in accordance with the lifting of the stage from the stage;
    상기 지지핀과 동축을 가지고 상기 지지핀이 관통하도록 상기 스테이지에 삽입되며, 내벽이 상기 지지핀으로부터 이격되는 부싱; The support is inserted to the stage so that the support pin has a through-pin coaxial with, the bushing being spaced from the inner wall of the support pin;
    상기 부싱의 내측에서 상기 지지핀으로부터 돌출되는 지지턱; The support is projected from the support pin in the inside of the bushing jaw;
    상기 부싱으로부터 상기 지지턱을 탄성지지하는 탄성부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치. A substrate processing apparatus comprising: a; an elastic member for supporting the elastically supporting the jaw from the bushing.
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  17. 상부챔버; An upper chamber;
    상기 상부챔버와 함께 기판의 처리공간을 제공하는 하부챔버; A lower chamber providing a process space of the substrate with said upper chamber;
    상기 하부챔버를 상승시켜 상기 처리공간을 밀폐시키며, 상기 하부챔버를 하강시켜 상기 처리공간을 개방시키는 챔버 승강부; Is raised to the lower chamber sikimyeo sealing the treatment space, it is lowered to the lower chamber to open the chamber motor to the processing space;
    일측이 상기 처리공간의 외부에 고정되며, 상기 처리공간의 개방에 따라, 타측이 상기 하부챔버로부터 돌출되어 상기 기판을 상기 하부챔버로부터 이격지지하고, 상기 처리공간의 밀폐에 따라, 타측이 상기 하부챔버로 함입되어 상기 기판을 상기 하부챔버에 안착시키는 지지핀을 구비하는 기판 지지부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치. One side is fixed to the outside of said processing space, in accordance with the opening of the processing space, the other side in accordance with the sealing of the processing space is projected from the lower chamber and supporting spaced apart from the substrate from the lower chamber, the other side of the lower a substrate processing apparatus comprising a; is incorporated into the chamber a substrate support having a support pin for mounting the substrate in the lower chamber.
  18. 제17 항에 있어서, 상기 기판 지지부는, 18. The method of claim 17 wherein the substrate support,
    상기 지지핀과 동축을 가지고 상기 하부챔버에 삽입 설치되며, With the support pin and the shaft is inserted provided in the lower chamber,
    상기 하부챔버의 승강에 따른 상기 하부챔버 및 상기 지지핀의 마모를 방지하는 부싱(bushing)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a bushing (bushing) for preventing the lower chamber and the wear of the support pin of the lifting of the lower chamber.
  19. 제18 항에 있어서, 상기 부싱은, 19. The method of claim 18, wherein the bushing,
    상기 지지핀의 외주면에 접하는 가이드 홀이 형성되어, The guide hole in contact with the outer peripheral surface of the support pins are formed,
    상기 가이드 홀은 상기 지지핀을 따라 상기 하부챔버의 승강을 안내하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치. Along the guide pin hole of the support substrate processing apparatus, characterized in that to guide the lifting of the lower chamber.
  20. 제18 항에 있어서, 19. The method of claim 18,
    상기 부싱은 상기 지지핀과 이격되는 내부공간이 마련되며, The bushing is the inner space that is spaced apart from the support pins provided,
    상기 지지핀은 상기 내부공간에 위치하는 지점에 지지턱이 돌출 형성되며, The support pin is protruded a supporting jaw formed at the point which is located in the interior space,
    상기 기판 지지부는 상기 하부챔버를 향한 상기 부싱의 내벽과 상기 지지턱을 탄력지지하는 탄성부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치. The substrate support is a substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an elastic member for elastically supporting the inner wall and the supporting jaw of the bushing facing the lower chamber.
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