KR100989941B1 - 실리카 미분체의 제조방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리카 미분체의 제조방법 및 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리카 미분체의 원료물질을 메틸클로로실란으로 하고, 상기 메틸클로로실란을 분무장치를 이용하여 버너로 유입시켜 800 ∼ 1800 ℃로 화염을 생성시킨 후 생성된 실리카 미분체를 전기집진방식으로 회수함으로써, 기화방식에서 제조된 실리카보다 우수한 물성을 지닌 실리카를 제조하고 원료의 기화에 필요한 에너지를 절감하며, 실리카 미분체를 회수하는데 필요한 공정을 단축시켜 비용 및 에너지를 절감할 수 있을 뿐 아니라 회수율이 높은 실리카 미분체의 제조방법 및 장치에 관한 것이다.
실리카 미분체, 메틸클로로실란, 분무장치, 전기집진
Description
도 1은 실리카 미분체 제조시 메틸클로로실란을 도입하는데 있어 본 발명에 따른 원료 분무장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 실리카 미분체의 제조장치의 전기집진장치를 도시한 것이다.
도 3은 실시예 1로부터 제조된 실리콘 미분체의 기본 입자의 수를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 비교예 1로부터 제조된 실리콘 미분체의 기본 입자의 수를 개략적으로 도시한 것이다.
[도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명]
1: 원료주입부 2: 원료도입관
3: 분무가스 주입부 4: 분무가스 도입관
5: 구 6: 연소가스 도입부
7: 전압장치 연결부 8: 전압봉
9: 집진관 10: O-ring
본 발명은 실리카 미분체의 제조방법 및 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리카 미분체의 원료물질을 메틸클로로실란으로 하고, 상기 메틸클로로실란을 분무장치를 이용하여 버너로 유입시켜 800 ∼ 1800 ℃로 화염을 생성시킨 후 생성된 실리카 미분체를 전기집진방식으로 회수함으로써, 기화방식에서 제조된 실리카보다 우수한 물성을 지닌 실리카를 제조하고 원료의 기화에 필요한 에너지를 절감하며, 실리카 미분체를 회수하는데 필요한 공정을 단축시켜 비용 및 에너지를 절감할 수 있을 뿐 아니라 회수율이 높은 실리카 미분체의 제조방법 및 장치에 관한 것이다.
기체의 금속 화합물로부터 금속의 산화물을 제조하는 다양한 방법들이 공지되어 있다. 특히 금속 규소를 주 원소로 하는 화합물을 기상 열분해하여 실리카 미분체를 제조하는 공정이 가장 널리 산업적으로 이용되어지고 있다. 실리카 미분체의 기상 열분해법에 의한 제조는 테트라클로로실란을 주로 상업적으로 이용하고 있으며(WO 95/29872), 메틸클로로실란을 이용하여 실리카 미분체를 제조하는 방법도 상업적으로 이용되고 있다(JP 271722/94, US 5340560). 이러한 원료를 사용할 때 발생되는 문제점은 연소 후 배기가스로 부식성이 강한 염산가스가 방출되어 진다는 것이며, 이에 따라서 장치 부식이 발생하며 이를 생성물로부터 제거 하기 위한 장치가 추가로 요구 되므로 장치비용이 크다는 것이다. 이러한 단점을 보완하기 위하여 테트라메톡시실란 및 테트라에톡시실란 등의 알콕시 실란류의 원료를 이용하는 방법이 제시되고 있다. 하지만 알콕시실란으로 원료를 대체할 경우 원료가의 상승으로 경제성을 갖기가 어렵다.
한편, 종래 실리카 미분체의 제조를 위한 장치는 원료의 버너로의 도입부와 기화된 원료를 고온에서 산화시키기 위한 버너 및 생성된 실리카를 회수하기 위한 회수장치로 이루어진다. 도입부는 상온에서 액체로 존재하는 원료를 기화시키기 위한 장치이며 대부분 가열을 통한 기화방식을 사용하고 있다. 버너는 원료와 연료가스의 혼합 방식에 따라서 구조가 달라지며, 원료가 연료가스와 불꽃에 도달하기 전 혼합되는 방식을 전-혼합형(Pre-Mixed type)이라고 하며 원료가 연료가스와 서로 다른 노즐을 통해 분사되어 불꽃에서 혼합되는 형태를 확산형(Diffusion type)이라고 한다. 원료가 연료가스와 연소 전 혼합될 경우 생성물에 대한 물성의 조절 및 안정성에 어려움이 있기 때문에 대부분의 경우 확산형의 버너 형태를 사용한다. 생성물 회수장치는 나노 사이즈의 생성물을 포집하기 위하여 미세공의 필터와 감압장치가 병행하여 사용되거나, 연소 후 가스를 냉각하여 생성된 수분과 함께 미분체를 회수하고 이를 건조하여 미분체를 얻는다. 회수된 생성물은 스스로 응집체를 형성하기 때문에 응집된 수준을 균일하게 하기 위한 제분(Milling)공정이 추가로 요구된다.
기존의 이러한 제조방식이 갖는 문제점은 원료의 가열을 통한 기화방식을 선택할 경우 많은 에너지를 필요로 하며 필터를 사용할 경우에 필터가 막힐 수 있어 잦은 필터 교체로 인해 생성물의 회수가 번거로울 뿐 아니라병용되는 감압장치의 요구에 따라 비용이 많이 소요된다는 점이다.
이에, 본 발명자들은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 실리카 미분체의 원료물질을 메틸클로로실란으로 하고, 상기 메틸클로로실란을 분무장치를 이용하여 버너로 유입시켜 800 ∼ 1800 ℃로 화염을 생성시킨 후 생성된 실리카 미분체를 전기집진방식으로 회수하면 기존의 제조 방식에서 나타나는 단점을 보완할 수 있음을 알게 되어 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명은 원료의 도입에 분무장치를 이용하고 생성물 회수부를 전기집진방식을 채택함으로써 기화방식에서 제조된 실리카보다 우수한 물성을 지닌 실리카를 제조하고 원료의 기화에 필요한 에너지를 절감하며, 실리카 미분체를 회수하는데 필요한 공정을 단축시켜 비용 및 에너지를 절감할 수 있을 뿐 아니라 회수율이 높은 실리카 미분체의 제조방법 및 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 기상열분해법을 이용하여 실리카 미분체를 제조하는 방법에 있어서, 실리카 미분체의 원료물질을 메틸클로로실란으로 하고, 상기 메틸클로로실란을 분무장치를 이용하여 버너로 유입시켜 800 ∼ 1800 ℃로 화염을 생성시킨 후 생성된 실리카 미분체를 전기집진방식으로 회수하는 실리카 미분체의 제조방법을 그 특 징으로 한다.
본 발명은 원료도입관(2), 버너, 회수장치를 포함하는 기상열분해법을 이용하는 실리카 미분체의 제조장치에 있어서, 상기 원료도입관과 별도로 분무가스 도입관(4)이 장착되고, 상기 회수장치로 전기집진장치를 사용한 실리카 미분체 제조장치를 또 다른 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 기상열분해법에 의하여 메틸트리클로로실란을 이용하여 실리카 미분체를 제조하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실리카 미분체를 제조하는 장치는 원료도입부, 분무장치, 버너, 전기집진장치로 이루어지며, 본 발명의 특징이 되는 분무장치와 전기집진장치는 각각 도 1 및 2에 나타내었다. 원료인 메틸클로로실란은 실리지 펌프로 공급하였다. 도 1의 분무장치는 원료주입부(1), 원료도입관(2), 분무가스 주입부(3), 분무가스 도입관(4), 구(5)로 이루어지며, 모두 유리를 이용하여 제작되었다. 도 2의 전기집진 장치는 연소가스 도입부(6), 전압 장치 연결부(7), 전압봉(8), 집진관(9) 및 집진관에 부착되어 있는 실리카를 제거하기 위한 O-ring(10)으로 구성되어 있다. 이러한 본 발명의 장치는 원료의 도입을 분무장치를 이용하고 생성된 실리카 미분체의 회수를 전기집진장치를 사용함으로써, 기화방식에서 제조된 실리카보다 우수한 물성을 지닌 실리카를 제조하고 원료의 기화에 필요한 에너지를 절감하며, 실리카 미분체를 회수하는데 필요한 공정을 단축시켜 비용 및 에너지를 절감할 수 있을 뿐 아니라 회수율이 높은 실리카 미분체의 제조방법 및 장치를 제공 한다.
상기와 같은 본 발명의 실리카 미분체의 제조장치를 사용하고 기상열분해법을 이용하여 실리카 미분체를 제조하는 방법은 다음과 같다.
먼저, 실리카 미분체의 원료물질인 메틸클로로실란을 원료주입부(1)에 주입하고 동시에 분무가스 도입관(4)을 통해 분무가스를 주입하면 원료는 원료도입관(2)으로부터 미스트화되며, 다시 이 미스트는 구(5)에 충돌하여 더 미세한 미스트로 된다. 이렇게 형성된 미스트는 버너로 분무가스와 함께 이송되어 형성된 불꽃으로 분사되게 된다. 버너의 불꽃은 수소를 연료가스로 하고 산소를 조연소 가스로 하며, 버너의 온도는 수소와 산소의 비율을 조절하여 800 ∼ 1800 ℃로 화염을 생성시킨다. 이때 연소온도가 높기 때문에 희석가스를 사용할 필요가 있으므로 공기 또는 질소를 사용할 수 있다. 그리고, 연소관은 높은 온도 및 부식될 수 있는 환경을 견딜 수 있도록 스테인레스 스틸 또는 유리재질의 연소관을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 파이렉스(Pyrex) 또는 석영재질을 사용하는 것이 좋다. 상기 버너의 연소온도는 원료의 완전한 연소를 위하여 800 ℃ 이상에서 그리고 고온으로 인한 버너의 손상을 방지하기 위하여 최고온도 1800 ℃ 이하에서 실시하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 분무가스는 원료도입관(2)으로부터 미스트화 된 원료물질을 구(5)에 충돌시켜 더 미세한 미스트로 만드는 역할을 하며, 질소, 헬륨 또는 알곤 등의 불활성기체를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 질소를 사용하는 것이 좋다.
상기와 같이 버너를 통해 연소시켜 얻은 실리카 미분체를 본 발명은 전기집 진장치를 사용하여 회수함으로써, 종래 필터 및 감압장치 등의 소요비용을 절감시키는 장점이 있다. 이러한 본 발명의 전기집진장치는 파이렉스 재질의 관 형태이며 도 2에 나타낸 바와 같이 관의 상단부에 위치한 연소가스 도입부(6)로 연소 후 가스가 도입되며 하단부로 가스가 배출되도록 구성되어 있으며, 15,000 ∼ 25,000 V의 전압을 가할 수 있는 전압봉(8)과 O-링(ring)(10)으로 구성되어 있다. 전압봉(8)은 집진관(9)의 상단부로부터 내부의 중심축에 위치하도록 하며, 스테인레스 스틸 재질을 가진 고전압 발생장치로 연소가스 내의 실리카 미분체에 강제전하를 띄도록 한다. 강제전하를 띤 실리카 미분체는 정전기적으로 음전하를 띄며, 약한 양전하를 띠고 있는 집진관(9)의 유리벽면으로 부착이 된다. 부착된 실리카 미분체는 일정 두께 이상 누적이 될 경우 전기집진장치의 효율을 감소시킴으로 집진관(9)의 상단에 O-링(10)을 구비하여 누적된 실리카 미분체를 제거할 수 있도록 하여 운전 중에 전기집진장치의 효율을 지속시키도록 한다. 이때, 집진관(9)의 벽면에 장착된 열선(11)을 100 ∼ 200 ℃로 가열시켜 연소가스 내의 수분 및 염산을 효과적으로 제거할 수 있다.
일반적으로 생성된 실리카 미분체의 물성은 원료 및 버너의 형태에 따라 크게 달라지는데, 이는 기본적으로 원료가 연소하여 생긴 기본입자와 불꽃내에서 기본입자끼리 응집하여 형성된 2차 입자의 수가 달라지기 때문이다. 기본입자의 크기는 7 ∼ 10 nm이며, 2차 입자의 크기는 20 ∼ 200 nm의 크기를 갖는다. 실리카 미분체는 비공질의 입자로서 물성은 기본입자의 수가 많을수록 비표면적이 증가하며, 이 비표면적의 증가로 인하여 충진제로서 보다 좋은 물성을 지닌다.
이와 같은 본 발명의 방법으로 제조한 실리카 미분체는 기본 입자크기가 10 nm 이하이며, 비표면적이 100 ∼ 300 m2/g이다.
이하 본 발명을 실시예에 의거 더욱 상세히 설명하겠는 바, 본 발명이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
액체상태의 시료인 메틸트리클로로실란을 펌프를 이용하여 1 ㎖/min의 속도로 도입부를 통해 주입하였다. 일정한 양의 분무를 위하여 분무가스인 질소를 서서히 증가시키고 일정한 양의 분무를 확인하기 위하여 분무장치의 메틸클로로실란의 레벨을 일정하게 유지하였다. 이때 분무가스인 질소는 2.36 l/min로 공급하였으며, 불꽃의 형성을 위하여 수소와 산소를 각각 2.96 l/min, 2.03 l/min으로 주입하였다. 이때 불꽃의 온도는 1400 ℃이었다. 생성된 입자를 회수하기 위하여 사용된 전기집진장치의 하전압은 20,000 V이며, 120 ℃로 온도를 유지해주었다. 이때 전기집진장치의 회수율은 92%이었다(회수율 = 실제 회수된 실리카무게/이론적으로 계산된 실리카 무게).
이렇게 전기집진장치로부터 회수된 실리카 미분체 입자의 기본 입자의 크기[TEM(Transmission Electron Microscope), 필립스社]는 7 ∼ 10 nm, 2차 입자의 크기는 20 ∼ 60 nm이며, 도 3에 나타낸 기본입자의 수가 비교예 1에 비하여 훨씬 많음으로 인하여 비표면적[BET법,Gemini Ⅱ 2370]이 230 m2/g으로 더 커짐을 확 인하였다. 그리고, 실리카가 염산에 어느 정도 오염되었는지 확인하기 위하여 pH를 측정하였으며 그 결과 pH는 6의 값을 가짐을 확인하였다.
비교예 1 ∼ 3
다음은 원료를 기화방식으로 공급했을 때와의 제조된 실리카 물성을 비교하기 위하여 실시예 1의 방법에 있어서 분무장치를 이용하지 않고 기화기를 이용하여 실리카 미분체를 제조하였다. 이때 기화기는 플라스크에 펌프로 원료인 메틸트리클로로실란을 다음 표 1과 같은 속도로 공급하고 온도를 90 ℃로 유지하며 질소를 이송기체로 하였다.
상기와 같이 기화방식으로 제조한 실리카 미분체 입자의 기본 입자의 크기는 10 ∼ 20 nm, 2차 입자의 크기 20 ∼ 60 nm이며, 비표면적을 다음 표 1에 나타내었으며 이중 비교예 1의 경우 실리콘 미분체 입자의 기본입자의 수를 도 4에 나타내었다.
| 메틸트리클로로실란 (㎖/min) |
H2(l/min) | N2(l/min) | O2(l/min) | 비표면적 (BET법) (m2/g) |
|
| 비교예 1 | 0.10 | 2.96 | 0.29 | 1.96 | 140.5 |
| 비교예 2 | 0.15 | 2.96 | 0.29 | 1.96 | 60.1 |
| 비교예 3 | 0.20 | 2.96 | 0.41 | 1.96 | 60.3 |
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 종래 기화방식으로 실리카 미분체를 제조하는 경우 본 발명의 분무장치를 이용했을 경우인 실시예 1 보다 상대적으로 낮은 비표면적의 실리카 미분체가 생성되는 것을 알 수 있는데 이는 도 4에 나타난 대로 실리콘 미분체의 기본입자의 수가 실시예 1에 비해 적기 때문인 것으로 나타났다.
비교예 4 ∼ 5
상기 실시예 1의 방법에 있어서 집진 방식을 전기집진장치 대신 싸이클론 또는 필터를 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 실리카 미분체를 제조하였으며, 실리카 미분체의 회수율을 실시예 1과 같이 측정하여 그 결과를 다음 표 2에 나타내었다.
| 실시예 1 | 비교예 4 | 비교예 5 | |
| 집진방식 | 전기집진장치 | Cyclone1 | Filter2 |
| 회수율(%) | 92% | 49% | 44% |
| 1. Cyclone: D=5cm, 120 ℃(Perrys Hand Book 참조) 2. Filter: Glass fiber, 0.2 m, 120 ℃ |
|||
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실리카 미분체의 제조방법은 그 회수율이 우수함을 확인할 수 있었다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 실리카 미분체를 제조하기 위한 원료의 도입을 분무장치를 이용하고 생성된 실리카 미분체를 전기집진방식에 의해 회수함으로써 기화 방식에서 제조된 실리카보다 우수한 물성을 지닌 실리카를 제조하고 원료의 기화에 필요한 에너지를 절감하며, 실리카 미분체를 회수하는데 필요한 공정을 단축시켜 비용 및 에너지를 절감할 수 있을 뿐 아니라 회수율을 높일 수 있다.
Claims (3)
- 기상열분해법을 이용하여 실리카 미분체를 제조하는 방법에 있어서, 실리카 미분체의 원료물질을 메틸클로로실란으로 하고, 상기 메틸클로로실란을 분무장치를 이용하여 버너로 유입시켜 800 ∼ 1800 ℃로 화염을 생성시킨 후 생성된 실리카 미분체를 전기집진방식으로 회수하는 것을 특징으로 하는 실리카 미분체의 제조방법.
- 원료도입관(2), 버너, 회수장치를 포함하는 기상열분해법을 이용하는 실리카 미분체의 제조장치에 있어서, 상기 원료도입관과 별도로 분무가스 도입관(4)이 장착되고, 상기 회수장치로 전기집진장치를 사용한 것을 특징으로 하는 실리카 미분체 제조장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 전기집진장치는 15,000 ∼ 25,000 V의 전압을 가할 수 있는 전압봉과 O-링(ring)으로 구성된 것임을 특징으로 하는 실리카 미분체 제조장치.
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| KR1020030048744A KR100989941B1 (ko) | 2003-07-16 | 2003-07-16 | 실리카 미분체의 제조방법 및 장치 |
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0710525A (ja) * | 1993-04-30 | 1995-01-13 | General Electric Co <Ge> | 小さな凝集体サイズのフュームドシリカの製造方法及び製品 |
| JPH08109014A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 微細シリカの製造方法 |
| KR100308795B1 (ko) | 1999-01-27 | 2001-09-26 | 최만수 | 화염과 레이저를 이용한 미세입자 제조방법 및 미세입자 증착방법 |
| KR100330626B1 (ko) | 2000-03-07 | 2002-03-29 | 곽영훈 | 기상화학 반응에 의한 나노사이즈 실리카 초미분체 제조방법 |
-
2003
- 2003-07-16 KR KR1020030048744A patent/KR100989941B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0710525A (ja) * | 1993-04-30 | 1995-01-13 | General Electric Co <Ge> | 小さな凝集体サイズのフュームドシリカの製造方法及び製品 |
| JPH08109014A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 微細シリカの製造方法 |
| KR100308795B1 (ko) | 1999-01-27 | 2001-09-26 | 최만수 | 화염과 레이저를 이용한 미세입자 제조방법 및 미세입자 증착방법 |
| KR100330626B1 (ko) | 2000-03-07 | 2002-03-29 | 곽영훈 | 기상화학 반응에 의한 나노사이즈 실리카 초미분체 제조방법 |
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|---|---|
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