KR100989137B1 - Donor Substrate For Laser Induced Thermal Imaging, The Fabricating Method Of The Same and The Method Of Fabricating Orgnic Light Emitting Display Device Using the Same - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000001931 thermography Methods 0.000 title description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 2
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
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- H10K71/10—Deposition of organic active material
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/844—Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
본 발명은 레이저 열 전사용 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공하는 것으로써, 기재필름; 기재필름 상에 위치하는 광-열 변환층; 상기 광-열 변환층 상에 위치하는 전사층; 상기 전사층을 포함하는 기재필름 상부에 위치하는 보호용 필름을 포함하며, 상기 보호용 필름은 기재필름과 가장자리의 일부만 부착되어 봉투형태를 이루는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사용 도너 기판을 제공한다. The present invention provides a laser thermal transfer donor substrate, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same; A light-to-heat conversion layer on the base film; A transfer layer on the light-to-heat conversion layer; And a protective film positioned on an upper portion of the base film including the transfer layer, wherein the protective film is attached to a base film and a part of an edge thereof to provide a donor substrate for laser thermal transfer.
도너기판, 레이저 열 전사법 Donor substrate, laser thermal transfer method
Description
본 발명은 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a donor substrate, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing an organic light emitting display device using the same.
평판 표시 장치 중 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체광이므로 시야각에 문제가 없어서, 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다. Among the flat panel display devices, the organic light emitting display device has a high response speed with a response speed of 1 ms or less, low power consumption, and no self-illumination, so there is no problem in viewing angle, and thus it is advantageous as a moving image display medium regardless of the device size. . In addition, low-temperature manufacturing is possible, and the manufacturing process is simple based on the existing semiconductor process technology has attracted attention as a next-generation flat panel display device in the future.
상기 유기전계발광표시장치는 유기전계발광소자로 사용하는 재료와 공정에 따라 습식공정을 사용하는 고분자형 소자와증착공정을 사용하는 저분자형 소자로 크게 나눌 수 있다. The organic light emitting display device can be broadly classified into a polymer type device using a wet process and a low molecular type device using a deposition process according to materials and processes used as an organic light emitting device.
상기 고분자 또는 저분자 발광층의 패터닝 방법 중 잉크젯 프린팅 방법의 경 우 발광층 이외의 유기층들의 재료가 제한적이고, 기판 상에 잉크젯 프린팅을 위한 구조를 형성해야하는 번거로움이 있다. 또한 증착 공정에 의한 발광층의 패터닝 경우 금속 마스크의 사용으로 인해 대형 소자의 제작에 어려움이 있다. In the inkjet printing method of the patterning method of the polymer or the low molecular weight light emitting layer, the materials of the organic layers other than the light emitting layer are limited, and there is a need to form a structure for inkjet printing on the substrate. In addition, when the light emitting layer is patterned by the deposition process, there is a difficulty in manufacturing a large device due to the use of a metal mask.
위와 같은 패터닝의 방법을 대체할 수 있는 기술로 레이저 열전사법(LITI : Laser Induced Thermal Imaging)이 최근 개발되고 있다. Recently, the laser induced thermal imaging (LITI) has been developed as a technique to replace the above patterning method.
레이저 열전사법이란 광원에서 나오는 레이저를 열에너지로 변환하고, 이 열 에너지에 의해 패턴 형성 물질을 대상 기판으로 전사시켜 패턴을 형성하는 방법으로, 이와 같은 방법을 위해서는 전사층이 형성된 도너 기판과 광원, 피사체인 기판이 필요하다. The laser thermal transfer method converts a laser beam from a light source into thermal energy, and transfers a pattern forming material to a target substrate using the thermal energy to form a pattern. For this method, a donor substrate, a light source, and a subject having a transfer layer are formed. Phosphorus substrate is required.
이때, 상기 기판 상에 화소가 정의된 화소영역 상에 상기 도너기판을 얼라인 한 후 도너 기판 상의 전사층을 전사하는 과정에서 화소영역의 에지영역에 공기가 압축되는 현상이 발생한다. 그리고 기판쪽으로 전사물질을 밀어낼때 공기가 압축되며 에지부분이 터져나가는 현상이 발생하게되는데 이 때문에 레이저 열 전사 과정에서 불량이 발생하는 문제점이 있다. At this time, after the alignment of the donor substrate on the pixel region where the pixel is defined on the substrate, air is compressed in the edge region of the pixel region in the process of transferring the transfer layer on the donor substrate. In addition, when the transfer material is pushed toward the substrate, the air is compressed and the edge part is blown out. Therefore, there is a problem that a defect occurs in the laser thermal transfer process.
또한, 종래의 레이저 열 전사법을 진행할 시에는 발광층 또는 유기막 물질이 산화되거나 오염되어 소자 성능 열화 문제도 발생하는 문제점도 발생하고 있다. In addition, when the conventional laser thermal transfer method is performed, a problem arises in that the light emitting layer or the organic film material is oxidized or contaminated, thereby deteriorating device performance.
상기 문제점을 해결하고자, 본 발명에서는 봉투형태의 레이저 열 전사용 도너기판을 제공함으로써, 진공상태에서 레이저 열 전사법에 의한 유기전계발광표시장치를 제조하는 방법을 제공하고자 한다. In order to solve the above problems, the present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting display device by a laser thermal transfer method in a vacuum state by providing a donor substrate for laser thermal transfer in the form of an envelope.
본 발명은 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공하는 것으로써, 기재필름; 기재필름 상에 위치하는 광-열 변환층; 상기 광-열 변환층 상에 위치하는 전사층; 상기 전사층을 포함하는 기재필름 상부에 위치하는 보호용 필름을 포함하며, 상기 보호용 필름은 기재필름과 가장자리의 일부만 부착되어 봉투형태를 이루는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사용 도너 기판을 제공한다. The present invention provides a donor substrate, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing an organic light emitting display device using the same, including: a base film; A light-to-heat conversion layer on the base film; A transfer layer on the light-to-heat conversion layer; And a protective film positioned on an upper portion of the base film including the transfer layer, wherein the protective film is attached to a base film and a part of an edge thereof to provide a donor substrate for laser thermal transfer.
그리고, 기재필름을 준비하고, 상기 기재필름 상에 광-열 변환층을 형성하고, 상기 광-열 변환층에 전사층을 형성하고, 상기 전사층을 포함하는 상기 기재필름 상부에 위치하는 보호용 필름을 형성하되, 상기 기재필름과 상기 보호용 필름은 가장자리의 일부만 부착하여 봉투형태를 이루도록 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 열 전사용 도너기판의 제조방법을 제공한다. And, preparing a base film, to form a light-heat conversion layer on the base film, to form a transfer layer on the light-heat conversion layer, the protective film located on the base film including the transfer layer Forming, but the base film and the protective film provides a method of manufacturing a donor substrate for laser thermal transfer, characterized in that to form a bag form by attaching only a portion of the edge.
또한, 기판을 형성하고, 상기 기판 상에 위치하는 제 1 전극을 형성하고, 상기 제 1 전극 상에 화소정의막을 형성하고, 상기 기판을 전사층이 형성된 기재필름을 포함하는 봉투형 도너기판 내에 배치시키고, 상기 봉투형 도너기판 내의 공기를 흡기하여 진공처리하고, 상기 도너기판에 레이저를 조사하여 전사층을 상기 기판 상으로 전사시키고, 상기 봉투형 도너기판에서 상기 기판을 분리하고, 상기 기판 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다. Further, a substrate is formed, a first electrode positioned on the substrate is formed, a pixel definition film is formed on the first electrode, and the substrate is disposed in an envelope-type donor substrate including a base film having a transfer layer formed thereon. Air in the envelope-type donor substrate is evacuated, and a laser is irradiated to the donor substrate to transfer the transfer layer onto the substrate, and the substrate is separated from the envelope-type donor substrate, and on the substrate. A method of manufacturing an organic light emitting display device is provided, wherein the second electrode is formed.
그리고 기판을 준비하고, 상기 기판에 제 1 전극을 형성하고, 상기 제 1 전극 상에 전사층을 구비하는 레이저 열 전사용 도너기판을 배치하여 얼라인 하고, 상기 얼라인 된 기판과 레이저 열 전사용 도너기판을 진공봉투에 넣고 흡기하여 진공상태로 형성하고, 상기 레이저 열 전사용 도너기판 상에 레이저를 조사하여 전사층을 상기 기판으로 전사하고, 상기 진공봉투를 제거하고, 상기 기판 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다. Then, a substrate is prepared, a first electrode is formed on the substrate, and a laser thermal transfer donor substrate having a transfer layer is disposed on the first electrode to align the aligned substrate and the laser thermal transfer. A donor substrate is placed in a vacuum bag to intake and formed in a vacuum state. A laser is irradiated onto the laser thermal transfer donor substrate to transfer a transfer layer to the substrate, the vacuum bag is removed, and a second layer is placed on the substrate. Provided is a method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that an electrode is formed.
본 발명은 진공상태에서 레이저 열 전사법을 진행하여 유기전계발광표시장치를 제조할 수 있는 방법을 제공함으로써, 종래의 레이저 열 전사법시 발생하였던, 에지오픈의 문제점과 산화, 오염에 의한 소자 열화에서 발생하는 문제점을 해결하여 불량을 줄이고, 제품의 수율을 향상 시킬 수 있는 효과가 있다. The present invention provides a method for manufacturing an organic light emitting display device by performing a laser thermal transfer method in a vacuum state, thereby deteriorating a device due to edge open problems, oxidation, and contamination, which have occurred during the conventional laser thermal transfer method. There is an effect to solve the problems that occur in reducing the defects, and improve the yield of the product.
이하, 실시예를 예로 들어 본 발명을 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples.
<실시예 1> ≪ Example 1 >
도 1a는 본발명의 실시예 1에 따른 열 전사용 도너기판에 관한 도면이다. 1A is a view of a donor substrate for thermal transfer according to Embodiment 1 of the present invention.
도 1a를 참조하면, 기재필름(100) 상에 보호용 필름(150)이 마주하는 형태로 상기 기재필름(100) 및 보호용 필름(150)의 가장자리 부분이 서로 접착되어 있다. 그러므로 상기 기재필름(100)과 보호용 필름(150)이 봉투형태를 이룬다. Referring to FIG. 1A, edge portions of the
도 1b 및 1c는 실시예 1에 따른 열전사용 도너기판에 관한 단면도이며, 도 1a를 Ⅰ방향으로 다른 단면도이다. 1B and 1C are cross-sectional views of the thermoelectric donor substrate according to the first embodiment, and FIG. 1A is another cross-sectional view in the I direction.
도 1b를 참조하면, 상기 기재필름(100) 상에 광-열변환층(102)가 위치하고, 상기 광-열 변환층(102) 상에 전사시키고자 하는 전사층(105)가 위치한다. Referring to FIG. 1B, a light-to-
상기 기재필름(100)은 투명성 고분자로 이루어져 있는데, 이러한 고분자로는 폴레에틸렌 테레프탈레이트와 같은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌 등을 사용한다. 그 중에서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 주로 사용한다. 기재 필름의 두께는 10 내지 500 ㎛인 것이 바람직하며, 이 기재 필름의 역할은 지지필름으로서의 역할을 수행하며 복합적인 다중계도 사용 가능하다. The
상기 광-열 변환층(102)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하는 성질을 갖고 있는 광흡수성 물질로 형성한다. 이러한 특성을 갖고 있는 막으로서 알루미늄, 그 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막 그리고 카본 블랙, 흑연이나 적외선 염료가 첨가된 고분자로 이루어진 유기막이 있다. 이때 금속막은 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 100 내지 5,000 Å 두께로 형성하며, 유기막의 경우에는 일반적인 필름코팅 방법인 압출(extrusion), 스핀(spin), 및 나이프(knife) 코팅 방법을 이용하여 0.1 내지 10 ㎛ 두께가 바람직하다. The light-to-
그리고 나서, 상기 광-열 변환층(102) 상에 전사층(105)를 형성한다. 상기 전사층(105)은 고분자 또는 저분자 물질의 유기막으로 형성할 수 있으며, 이때 전 사층의 형성은 일반적인 코팅 방법인 압출, 스핀, 나이프 코팅 방법, 진공 증착법, CVD 등의 방법을 이용하여 100 내지 50,000 Å 두께로 코팅한다. Then, the
도 1c를 참조하면, 상기와 같이 기재필름(100) 상에 광-열 변환층(102) 및 전사층(105)을 형성한 후에, 상기 기재필름(100) 상부에 전면에 위치하는 보호용 필름(150)을 형성한다. 이때 상기 기재필름(100)과 상기 보호용 필름(150)을 마주하게 한 뒤, 열을 가하여 가장자리를 접착시켜 봉투형태를 완성한다. 상기 열은 상기 기재필름(100)과 보호용 필름(150) 접착될수 있는 정도만 가하면 되며, 상기 가장자리 접착시에는 기판(도 1에 도시, 200)이 들어갈 수 있는 너비만큼을 남겨두며 접착한다. Referring to FIG. 1C, after the light-to-
상기 보호용 필름(150)은 돌기(150a)를 구비하는데, 상기 돌기(150a)는 진공처리시 공기가 지나갈수 있는 통로의 역할을 할 수 있게 하며, 상기 보호용 필름(150)은 일반적인 진공 포장용 필름이면 사용 가능하고, 바람직하게는 폴리에스테르계 필름, 나일론 등의 가스투과율이 낮은 필름을 이용한다. The
상기와 같이, 진공상태에서 전사가 가능한 레이저 열 전사용 도너기판을 완성하며, 상기와 같은방법으로 레이저 열 전사법을 실시한다. As described above, the laser thermal transfer donor substrate capable of transferring in a vacuum state is completed, and the laser thermal transfer method is performed in the same manner as described above.
도 1d 및 1e는 상기 레이저 열 전사용 도너기판을 이용하여 전사층을 전사하는 방법에 대한 도면이다. 1D and 1E illustrate a method of transferring a transfer layer using the laser thermal transfer donor substrate.
도 1d를 참조하면, 상기와 같이 형성한 봉투형태의 레이저 열 전사용 Referring to Figure 1d, for the laser thermal transfer of the envelope form formed as described above
도너기판(A) 안에 전사층을 형성할 기판(200)을 위치시킨다. 이때, 상기 전사층이 형성될 기판(200)의 면과 전사할 전사층(105)이 마주보도록 형성한다. 그리 고 나서, 상기 봉투형태의 레이저 열 전사용 도너기판(A)에 진공을 걸어 진공상태로 만들어 준다. In the donor substrate A, the
그 후에, 통상적인 레이저 열 전사법에 이용되는 레이저를 가하여, 전사하고자 하는 전사층패턴(105a)을 상기 기판(200) 상으로 전사시킨다. Thereafter, a laser used in a conventional laser thermal transfer method is applied to transfer the
그러므로, 도1e를 참조하여, 상기와 같은 방법으로 상기 기판(200) 상에 전사층패턴(150a)을 형성한다. Therefore, referring to FIG. 1E, the
<실시예2> Example 2
도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 <실시예2>에 따른 따른 레이저 열 전사용 도너기판 및 그를 이용한 전사층의 전사방법에 관한 도면이다. 2A to 2B are diagrams illustrating a donor substrate for laser thermal transfer and a method of transferring a transfer layer using the same, according to Embodiment 2 of the present invention.
도 2a를 참조하면, 기재필름(300) 상에 광-열 변환층(302)를 형성한다. 그리고 나서 상기 광-열 변환층(302) 상에 전사층(305)을 형성하여 레이저 열 전사용 도너기판을 형성한다. 상기 기재필름(300), 광-열 변환층(302) 및 전사층(305)의 형성방법은 상기 <실시예1>에서와 동일하며, 중복을 피하기 위하여 생략한다. 상기와 같이 전사층(305)이 구비된 기재필름(300)을 형성하여 도너기판을 완성한다. Referring to FIG. 2A, the light-to-
도 2b를 참조하면, 상기와 광-열 변환층(302) 및 전사층(305)가 형성된 기재필름(300)으로 형성된 도너기판의 전사층(305)이 기판(400)과 마주하게 하여, 두장의 보호용 필름(500)으로 이루어진 진공봉투(B)에 넣는다. Referring to FIG. 2B, the
상기 보호용 필름(150)은 돌기(150a)를 구비하는데, 상기 돌기(150a)는 진공처리시 공기가 지나갈수 있는 통로의 역할을 할 수 있게 하며, 상기 보호용 필름(150)은 일반적인 진공 포장용 필름이면 사용 가능하고, 바람직하게는 폴리에스 테르계 필름, 나일론 등의 가스투과율이 낮은 필름을 이용한다. The
도 2c 및 도 2d를 참조하면, 상기와 같이 기재기판(300) 및 기판(400)을 진공봉투(B)에 넣고 진공을 걸어 진공상태를 유지한 뒤, 상기 도너기판 상에 레이저를 조사하여 전사하고자 하는 전사층패턴(305a)를 기판(400) 상에 전사하도록 한다. Referring to FIGS. 2C and 2D, the
<실시예3> Example 3
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한것으로써, 도 3을 참조하며, 기판(400)을 형성하고, 상기 기판(400) 상에 제 1 전극(410)을 형성한다. 3 illustrates a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention. Referring to FIG. 3, a
그리고 나서, 상기 제 1 전극(410)을 포함하는 기판(400)을 상기 <실시예1>에 따른 레이저 열 전사용 도너기판(도 1c에 도시)을 이용하여 레이저 열 전사법을 실시하고, 전사층(420)을 혀 상기 제 1 전극(410) 상에 유기막층(420)을 형성한다. Thereafter, the
그리고 나서, 상기 기판(400) 전면에 걸쳐 제 2 전극(430)이 형성되어 유기전계발광표시장치를 완성한다. Then, a
상기 <실시예3>은 <실시예1>의 도너기판을 이용하여 전사층을 형성하는 것으로 서술하였으나, <실시예2>에 서술된 레이저 열 전사법을 이용하여 형성할 수도 있다. Although <Example 3> has been described as forming a transfer layer using the donor substrate of <Example 1>, it can also be formed using the laser thermal transfer method described in <Example 2>.
도 1 a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예1 따른 레이저 열 전사용 도너기판에 관한 도면이다. 1A to 1C are diagrams illustrating a donor substrate for laser thermal transfer according to Embodiment 1 of the present invention.
도 1d 및 1e는 상기 레이저 열 전사용 도너기판이용하여 전사층을 전사하는 방법에 대한 도면이다. 1D and 1E illustrate a method of transferring a transfer layer using the donor substrate for laser thermal transfer.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예2 따른 레이저 열 전사용 도너기판 및 그를 이용한 전사층의 전사방법에 대한 도면이다. 2A to 2D are diagrams illustrating a donor substrate for laser thermal transfer and a transfer method of the transfer layer using the same, according to Embodiment 2 of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예 3 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한 도면이다.3 is a view of a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention.
Claims (13)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080085178A KR100989137B1 (en) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | Donor Substrate For Laser Induced Thermal Imaging, The Fabricating Method Of The Same and The Method Of Fabricating Orgnic Light Emitting Display Device Using the Same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080085178A KR100989137B1 (en) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | Donor Substrate For Laser Induced Thermal Imaging, The Fabricating Method Of The Same and The Method Of Fabricating Orgnic Light Emitting Display Device Using the Same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100026248A KR20100026248A (en) | 2010-03-10 |
KR100989137B1 true KR100989137B1 (en) | 2010-10-20 |
Family
ID=42177612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080085178A KR100989137B1 (en) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | Donor Substrate For Laser Induced Thermal Imaging, The Fabricating Method Of The Same and The Method Of Fabricating Orgnic Light Emitting Display Device Using the Same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100989137B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101732523B1 (en) | 2010-10-22 | 2017-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Method of manufacturing organic light emitting device and method of manufacturing organic light emitting display apparatus |
KR102044820B1 (en) * | 2013-04-30 | 2019-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | Method for heating transfer and method of manufacturing an organic light emitting display device using the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003031357A (en) | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Toppan Printing Co Ltd | Electroluminescent element |
KR20060020029A (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | Donor substrate for laser induced thermal imaging and method of fabricating electroluminescence display device using the same substrate |
KR20060081410A (en) * | 2003-09-05 | 2006-07-12 | 이스트맨 코닥 캄파니 | Forming an organic layer in an oled |
-
2008
- 2008-08-29 KR KR1020080085178A patent/KR100989137B1/en active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100026248A (en) | 2010-03-10 |
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