KR100721563B1 - Donor device and LITI method using the donor device - Google Patents

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Abstract

도너 기판 및 상기 도너 기판을 사용하는 레이저 열전사 방법을 제공한다. 본 발명은 금속으로 형성되고, 접지된 베이스 기판; 상기 베이스 기판 상에 위치하는 광열변환층; 및 상기 광열변환층 상에 위치하는 전사층을 포함하는 레이저 열전사용 도너 기판 및 상기 도너 기판을 사용하는 레이저 열전사 방법을 제공한다.A donor substrate and a laser thermal transfer method using the donor substrate are provided. The present invention is formed of a metal, grounded base substrate; A photothermal conversion layer on the base substrate; And it provides a laser thermal transfer donor substrate comprising a transfer layer located on the light-to-heat conversion layer and a laser thermal transfer method using the donor substrate.

도너 기판, 레이저 전사, 유기전계발광표시장치 Donor substrate, laser transfer, organic light emitting display device

Description

도너 기판 및 상기 도너 기판을 사용하는 레이저 열전사 방법{Donor device and LITI method using the donor device}A donor substrate and a laser thermal transfer method using the donor substrate {Donor device and LITI method using the donor device}

도 1은 종래의 레이저 전사방법을 나타낸 단면도,1 is a cross-sectional view showing a conventional laser transfer method,

도 2는 본발명의 실시예에 따른 도너 기판을 나타낸 단면도,2 is a cross-sectional view showing a donor substrate according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 방법을 단위화소에 대해 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a unit pixel of a laser thermal transfer method according to an exemplary embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명 *Explanation of reference numerals for the main parts of the drawing

10, 200 : 기판10, 200: substrate

20, 100 : 도너 기판20, 100: donor substrate

110 : 베이스 기판110: base substrate

140 : 전사층140: transfer layer

30, 400 : 레이저30, 400: laser

295 : 화소정의막295 pixel defining layer

290 : 화소전극290 pixel electrode

본 발명은 도너기판과 상기 도너기판을 사용하는 레이저 열전사방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속 재질의 베이스 기판을 가지는 도너기판 및 상기 도너기판을 사용하는 레이저 열전사방법에 대한 것이다.The present invention relates to a laser thermal transfer method using a donor substrate and the donor substrate, and more particularly, to a donor substrate having a metal base substrate and a laser thermal transfer method using the donor substrate.

평판 표시 장치 중 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Among the flat panel display devices, the organic light emitting display device has a high response time with a response speed of 1 ms or less, low power consumption, and no self-emission, so there is no problem in viewing angle. . In addition, low-temperature manufacturing is possible, and the manufacturing process is simple based on the existing semiconductor process technology has attracted attention as a next-generation flat panel display device in the future.

상기 유기전계발광표시장치는 유기전계발광소자로 사용하는 재료와 공정에 따라 습식공정을 사용하는 고분자형 소자와 증착공정을 사용하는 저분자형 소자로 크게 나눌 수 있다.The organic light emitting display device may be broadly classified into a polymer type device using a wet process and a low molecular type device using a deposition process according to materials and processes used as an organic light emitting display device.

상기 고분자형 유기전계발광소자는 화소 전극을 포함한 기판 상에 잉크젯 프린팅 방법이나 스핀 코팅 방법을 사용하여 발광층을 포함한 유기층을 적층하고 대향전극을 형성하여 소자를 제작한다.The polymer type organic electroluminescent device fabricates a device by laminating an organic layer including a light emitting layer using an inkjet printing method or a spin coating method on a substrate including a pixel electrode and forming a counter electrode.

또한, 상기 저분자형 유기전계발광소자는 화소전극을 포함한 기판 상에 증착 공정에 의해 발광층을 포함한 유기층을 적층하고 대향전극을 형성하여 소자를 완성한다. In addition, the low molecular type organic light emitting display device is laminated on an organic layer including a light emitting layer by a deposition process on a substrate including a pixel electrode to form a counter electrode to complete the device.

상기 고분자 또는 저분자 발광층의 패터닝 방법 중 잉크젯 프린팅 방법의 경우 발광층 이외의 유기층들의 재료가 제한적이고, 기판 상에 잉크젯 프린팅을 위한 구조를 형성해야하는 번거로움이 있다.In the inkjet printing method of the patterning method of the polymer or the low molecular light emitting layer, the material of the organic layers other than the light emitting layer is limited, and there is a need to form a structure for inkjet printing on the substrate.

또한 증착 공정에 의한 발광층의 패터닝 경우 금속 마스크의 사용으로 인해 대형 소자의 제작에 어려움이 있다.In addition, when the light emitting layer is patterned by the deposition process, it is difficult to manufacture a large device due to the use of a metal mask.

위와 같은 패터닝의 방법을 대체할 수 있는 기술로 레이저 열전사법(LITI : Laser Induced Thermal Imaging)이 최근 개발되고 있다.Recently, the laser induced thermal imaging (LITI) has been developed as a technique to replace the above patterning method.

레이저 열전사법이란 광원에서 나오는 레이저를 열에너지로 변환하고, 이 열 에너지에 의해 패턴 형성 물질을 대상 기판으로 전사시켜 패턴을 형성하는 방법으로, 이와 같은 방법을 위해서는 전사층이 형성된 도너 기판과 광원, 기판이 필요하다. The laser thermal transfer method converts a laser beam from a light source into thermal energy and transfers a pattern forming material to a target substrate by using the thermal energy to form a pattern. For this method, a donor substrate, a light source, and a substrate having a transfer layer formed thereon This is necessary.

도 1은 일반적인 종래의 레이저 전사방법을 나타낸 것이다.1 illustrates a general conventional laser transfer method.

도면을 참조하면, 플레이트 상에 소정의 층이 형성된 기판(10)이 위치하고, 그 상부에는 베이스 기판(22), 광열번환층(24) 및 전사층(26)으로 이루어진 도너 기판(20)이 위치한다. 또한, 상기 열전사를 위한 광원은 도너 기판 상에 위치하여, 패턴에 따라 상기 광원에서 조절된 레이저(30)가 도너 기판의 상부로 스캐닝을 하게 된다. 상기 열전사법은 도너 기판이 피사체인 상기 기판(10) 전체를 덮고 있는 형태를 가진다.Referring to the drawings, a substrate 10 having a predetermined layer is formed on a plate, and a donor substrate 20 composed of a base substrate 22, a photothermal heat transfer layer 24, and a transfer layer 26 is positioned thereon. do. In addition, the light source for the thermal transfer is located on the donor substrate, the laser 30 adjusted in the light source according to the pattern is to scan the top of the donor substrate. The thermal transfer method has a form in which a donor substrate covers the entirety of the substrate 10 as a subject.

상기 열전사법의 경우 상기 도너 기판의 베이스 기판은 일반적으로 플라스틱 재질의 기판을 사용할 수 있는데, 상기 플라스틱 재질의 베이스 기판일 경우, 패터닝 후 도너 기판의 제거 시 정전기가 발생하게 된다. 상기 정전기는 패터닝 불량을 유발하거나 상기 하부 기판에 형성된 소자들에 영향을 주는 문제가 발생할 수 있다.In the case of the thermal transfer method, the base substrate of the donor substrate may generally use a plastic substrate. In the case of the plastic base substrate, static electricity is generated when the donor substrate is removed after patterning. The static electricity may cause a problem that causes poor patterning or affects the devices formed on the lower substrate.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는,금속 재질의 베이스 기판을 사용함으로써 레이저의 이용 효율을 향상시키는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공하는 것에 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device which improves the efficiency of use of a laser by using a metal base substrate.

또한, 상기 베이스 기판에 외부와 접지를 함으로써 공정 과정 중 정전기를 방지하는 유기전계발광표기장치의 제조방법을 제공하는 것에 목적이 있다.In addition, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting display device which prevents static electricity during a process by grounding the base substrate with the outside.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 금속으로 형성되고 접지된 베이스 기판;The present invention to achieve the technical problem is a base substrate formed of a metal and grounded;

상기 베이스 기판 상에 위치하는 광열변환층; 및 상기 광열변환층 상에 위치하는 전사층을 포함하는 레이저 열전사용 도너 기판을 제공한다.A photothermal conversion layer on the base substrate; And a transfer layer disposed on the photothermal conversion layer.

상기 베이스 기판의 두께는 20 내지 200㎛인 것일 수 있다.The base substrate may have a thickness of 20 to 200 μm.

또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 금속 재질로 형성되고, 접지된 베이스 기판 및 상기 베이스 기판 상에 위치하는 전사층을 구비하는 도너 기판을 상기 전사층과 기판이 마주보도록 위치시키고, 상기 기판으로부터 상기 도너 기판으로 향하는 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 기판 상에 패터닝하는 레이저 열전사 방법을 제공한다.In addition, in order to achieve the above technical problem, the present invention is formed of a metal material, the donor substrate having a grounded base substrate and the transfer layer located on the base substrate is positioned so that the transfer layer and the substrate facing, the substrate It provides a laser thermal transfer method for irradiating a laser to the donor substrate from the patterning the transfer layer on the substrate.

삭제delete

상기 기판은 투명기판을 사용하여 형성된 것일 수 있다.The substrate may be formed using a transparent substrate.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, lengths, thicknesses, and the like of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2는 본발명의 실시예에 따른 도너 기판을 나타낸 것이다.2 shows a donor substrate according to an embodiment of the present invention.

상기 도너 기판(100)은 베이스 기판(110) 상에 다수 개의 층이 형성된 구조로써, 상기 베이스 기판(110) 상에 위치한 광열변환층(120), 상기 광열변환층 상에 위치한 전사층(140)을 구비한다. The donor substrate 100 has a structure in which a plurality of layers are formed on the base substrate 110, and includes a photothermal conversion layer 120 positioned on the base substrate 110 and a transfer layer 140 positioned on the photothermal conversion layer. It is provided.

상기 광열변환층(120)은 상기 레이저 조사장치에서 조사된 레이저를 열에너지로 변환시키는 역할을 수행하고, 상기 열에너지는 상기 전사층(140)과 상기 광열변환층(120) 사이의 접착력을 변화시킴으로써 상기 전사층을 피사체인 기판 상으로 전사하는 역할을 한다.The photothermal conversion layer 120 serves to convert the laser irradiated by the laser irradiation device into thermal energy, and the thermal energy is changed by changing the adhesive force between the transfer layer 140 and the photothermal conversion layer 120. It transfers the transfer layer onto the substrate, which is the subject.

전사물질의 손상을 방지하고, 상기 전사층(140)과 상기 도너 기판의 접착력을 효과적으로 조절하기 위해 상기 광열변환층(120)과 상기 전사층(140) 사이에 버퍼층(130)을 개재할 수 있다.A buffer layer 130 may be interposed between the photothermal conversion layer 120 and the transfer layer 140 to prevent damage to the transfer material and to effectively control the adhesion between the transfer layer 140 and the donor substrate. .

상기 베이스 기판(110)은 금속 재질로 형성된 것으로써, 외부와 접지를 할 수 있다. 상기 금속 재질은 스테인리스 강(STS), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu)인 것이 바람직하다. 또한, 상기 베이스 기판은 필름이나 호일의 형태로써 100Å이하 범위의 평탄도를 가질 수 있다. The base substrate 110 is formed of a metal material and can be grounded with the outside. The metal material is preferably stainless steel (STS), aluminum (Al) and copper (Cu). In addition, the base substrate may have a flatness of 100 kPa or less in the form of a film or foil.

너무 얇으면 핸들링하기 어렵고, 또 너무 두꺼우면 무거워서 도너 기판의 이송에 문제가 발생할 수 있으므로 상기 베이스 기판(110)의 두께는 20 내지 200㎛인 것이 바람직하다.If the thickness is too thin, it is difficult to handle, and if the thickness is too heavy, a problem may occur in the transfer of the donor substrate.

상기 금속 재질인 베이스 기판으로 인해, 도너 기판의 평탄도를 더욱 향상시킬 수 있다.Due to the base substrate made of the metal, it is possible to further improve the flatness of the donor substrate.

상기 전사층(140)은 유기전계발광소자의 발광층일 수 있다.The transfer layer 140 may be a light emitting layer of the organic light emitting diode.

또한 상기 전사층(140)은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층을 더욱 포함할 수 있다.In addition, the transfer layer 140 may further include one or more layers selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole suppression layer, and an electron injection layer.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 열전사 방법을 단위화소에 대해 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a unit pixel of a laser thermal transfer method according to an exemplary embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 금속 재질로 형성된 베이스 기판(110)을 구비하는 도너 기판을(100) 전사층(140)과 기판(200)이 마주보도록 위치시킨다. 그 후 상기 기판(200)으로부터 상기 도너 기판(100)으로 향하는 레이저(400)를 조사하여 상기 전사층(140)을 상기 기판에 패터닝(140a)한다.Referring to the drawing, the donor substrate having the base substrate 110 formed of a metal material 100 is positioned so that the transfer layer 140 and the substrate 200 face each other. Thereafter, the laser 400 directed from the substrate 200 to the donor substrate 100 is irradiated to pattern the transfer layer 140 on the substrate.

자세히 설명하면, 소정의 층이 형성된 기판(200)을 준비한다. 상기 기판(210) 상에 소정의 층을 형성하는 것은 게이트 전극(250), 소스 전극(270a), 및 드레인 전극(270b)을 포함한 박막 트랜지스터를 형성하고, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소전극층(290)을 형성하고, 화소 정의막(295)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 또한, 상기 하부 기판은 투명한 재질의 기판을 사용하여 형성할 수 있다.In detail, a substrate 200 on which a predetermined layer is formed is prepared. Forming a predetermined layer on the substrate 210 forms a thin film transistor including a gate electrode 250, a source electrode 270a, and a drain electrode 270b and connects the pixel electrode layer 290 connected to the thin film transistor. ) And the pixel defining layer 295. In addition, the lower substrate may be formed using a substrate of a transparent material.

상기 도너 기판의 전사층(140)과 상기 기판 상의 소정의 층, 즉 화소정의막(295)과 상기 화소 정의막(295)으로 인해 노출된 화소 전극(290)의 일부분을 마주보도록 상기 기판(200)과 상기 도너 기판(100)을 위치시킨다. The substrate 200 may face a transfer layer 140 of the donor substrate and a predetermined layer on the substrate, that is, a portion of the pixel electrode 290 exposed by the pixel defining layer 295 and the pixel defining layer 295. ) And the donor substrate 100.

상기 전사층(140)은 상기 기판(200)의 노출된 화소전극(290)에 패터닝하고자 하는 물질로써, 유기전계발광소자의 발광층일 수 있다. The transfer layer 140 is a material to be patterned on the exposed pixel electrode 290 of the substrate 200 and may be a light emitting layer of an organic light emitting diode.

또한 상기 전사층(140)은 고분자 유기막 또는 저분자 유기막일 수 있다.In addition, the transfer layer 140 may be a polymer organic film or a low molecular organic film.

상기 기판(200)과 도너 기판(100)을 고정시킨 후, 상기 기판(200)으로부터 상기 도너 기판(100)으로 향하는 레이저(400)를 조사한다. After fixing the substrate 200 and the donor substrate 100, the laser 400 directed from the substrate 200 toward the donor substrate 100 is irradiated.

상기 레이저(400)가 조사된 영역은, 상기 서로 밀착된 상기 전사층(140a)과 상기 화소전극(290) 간의 접착력이 상기 버퍼층(130)과 상기 전사층(140)간의 접착력에 비해 커진다. 따라서, 상기 레이저가 조사된 영역의 전사층(140a)은 상기 버퍼층(130)으로부터 박리가 되고, 상기 화소전극(290) 상에는 전사층(140a)이 패터닝된다. In the region irradiated with the laser 400, the adhesive force between the transfer layer 140a and the pixel electrode 290 in close contact with each other is greater than the adhesive force between the buffer layer 130 and the transfer layer 140. Accordingly, the transfer layer 140a of the region irradiated with the laser is peeled off from the buffer layer 130, and the transfer layer 140a is patterned on the pixel electrode 290.

이때, 금속 재질인 베이스 기판(110)의 반사로 인해, 도너 기판으로 주사된 레이저의 광효율을 증가시킬 수 있고, 레이저의 이용효율을 높일 수 있다.In this case, due to the reflection of the metal base substrate 110, the light efficiency of the laser scanned by the donor substrate may be increased, and the utilization efficiency of the laser may be increased.

상기 패터닝된 전사층(140a)은 단위화소의 형태에 따라 스트라이프형이나 델타형으로 패터닝될 수 있다.The patterned transfer layer 140a may be patterned in a stripe shape or a delta shape according to the unit pixel shape.

상기 패터닝 과정을 거친 후, 상기 기판(200)을 상기 도너 기판(100)으로부터 제거한다. 상기 금속 재질로 형성된 베이스 기판(110)은 외부와 접지를 할 수 있다. 따라서, 상기 도너 기판의 제거 과정에서, 도너 기판의 접지된 베이스 기판(110)으로 인해, 종래의 전사 공정 이후 도너 기판의 제거 시 발생하던 정전기를 방지할 수 있게 되므로, 종래의 정전기로 인한 기판 상의 소자들에게 발생하던 불량을 줄일 수 있다. After the patterning process, the substrate 200 is removed from the donor substrate 100. The base substrate 110 formed of the metal material may be grounded to the outside. Accordingly, during the removal of the donor substrate, the grounded base substrate 110 of the donor substrate may prevent static electricity generated when the donor substrate is removed after the conventional transfer process. The defects occurring in the devices can be reduced.

상기 도너 기판을 제거한 기판을 다른 스테이지로 이동시킨다. 그리고, 상기 패터닝된 유기막 상에 대향 전극을 형성하여 유기전계발광표시장치를 완성한다. The substrate from which the donor substrate is removed is moved to another stage. The opposite electrode is formed on the patterned organic layer to complete the organic light emitting display device.

본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법은 금속 재질인 베이스 기판으로 인해 도너 필름 제거 시 발생하는 정전기를 방지하여, 패터닝 공정을 더욱 향상시키고, 기판 내에 형성된 소자들을 정전기로부터 보호할 수 있다.The method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention prevents static electricity generated when removing a donor film due to a base substrate made of a metal, thereby further improving a patterning process and protecting elements formed in the substrate from static electricity.

그리고, 금속 재질인 베이스 기판의 반사로 인해, 도너 필름으로 주사된 레이저의 광효율을 증가시킬 수 있고, 레이저의 이용효율을 높일 수 있다.In addition, due to the reflection of the base substrate, which is a metal material, the light efficiency of the laser scanned by the donor film may be increased, and the utilization efficiency of the laser may be increased.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (9)

금속으로 형성되고, 접지된 베이스 기판;A base substrate formed of metal and grounded; 상기 베이스 기판 상에 위치하는 광열변환층; 및A photothermal conversion layer on the base substrate; And 상기 광열변환층 상에 위치하는 전사층을 포함하는 레이저 열전사용 도너 기판.A donor substrate for laser thermal transfer comprising a transfer layer on the photothermal conversion layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광열변환층과 전사층 사이에 개재된 버퍼층을 더욱 포함하는 레이저 열전사용 도너 기판.And a buffer layer interposed between the photothermal conversion layer and the transfer layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 베이스 기판의 두께는 20 내지 200㎛인 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판.The base substrate is a laser thermal transfer donor substrate, characterized in that the thickness of 20 to 200㎛. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전사층은 유기전계발광소자의 발광층인 레이저 열전사용 도너 기판.The transfer layer is a laser thermal transfer donor substrate which is a light emitting layer of an organic light emitting device. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 전사층은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이 루어진 군에서 선택된 하나 이상의 층을 더욱 포함하는 레이저 열전사용 도너 기판.The transfer layer further comprises one or more layers selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole suppression layer, and an electron injection layer. 금속 재질로 형성되고, 접지된 베이스 기판 및 상기 베이스 기판 상에 위치하는 전사층을 구비하는 도너 기판을 상기 전사층과 기판이 마주보도록 위치시키고, 상기 기판으로부터 상기 도너 기판으로 향하는 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 기판 상에 패터닝하는 레이저 열전사 방법.A donor substrate formed of a metal material and having a grounded base substrate and a transfer layer positioned on the base substrate is positioned so that the transfer layer and the substrate face each other, and irradiates a laser directed from the substrate to the donor substrate. A laser thermal transfer method for patterning a transfer layer on the substrate. 삭제delete 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기판은 투명기판인 레이저 열전사 방법.The substrate is a laser thermal transfer method of the transparent substrate. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 전사층은 유기전계발광소자의 발광층인 레이저 열전사 방법.The transfer layer is a laser thermal transfer method of the light emitting layer of the organic light emitting device.
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