KR100979947B1 - Anisotropic conductive film having a good adhesive property and circuit board using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 경화율과 탄성 모듈러스가 최적화되어 접속 신뢰성이 우수한 에폭시계 이방도전필름에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 이방도전필름은 경화거동지수(τ = [ta / ttotal], τ : 경화거동지수, ta : 경화율이 50%에 도달하는 시간, ttotal : 총 경화시간)가 0.2 ~ 0.5 또는 0.3 ~ 0.75 사이의 값을 갖고, 경화 완료 후 상온에서의 탄성 모듈러스 M2와 경화 전 탄성 모듈러스 M1의 비 M2/M1가 10 이상인 것을 특징으로 한다. The present invention relates to an epoxy-based anisotropic conductive film with excellent curing reliability and optimized modulus of elasticity and elastic modulus, wherein the anisotropic conductive film according to the present invention has a curing behavior index (τ = [t a / t total ], τ: curing behavior). Index, t a : time when the cure rate reaches 50%, t total : total cure time) has a value between 0.2 and 0.5 or 0.3 and 0.75, and elastic modulus M 2 at room temperature after completion of curing and elasticity before curing the ratio M 2 / M 1 of the modulus M 1 is 10 or greater characterized.

경화거동지수, 탄성 모듈러스, 이방도전필름, ACFCure Behavior Index, Elastic Modulus, Anisotropic Conductive Film, ACF

Description

접속 신뢰성이 우수한 이방도전필름 및 이를 이용한 회로접속구조체{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM HAVING A GOOD ADHESIVE PROPERTY AND CIRCUIT BOARD USING THE SAME}Anisotropic conductive film with excellent connection reliability and circuit connection structure using same {ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM HAVING A GOOD ADHESIVE PROPERTY AND CIRCUIT BOARD USING THE SAME}

본 발명은 회로기판끼리 또는 IC 칩 등의 전자부품과 배선기판과의 접속에 사용되는 이방도전필름 및 이를 이용한 회로접속구조체에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 경화율과 탄성 모듈러스가 최적화되어 접속 신뢰성이 우수한 이방도전필름에 관한 것이다. The present invention relates to an anisotropic conductive film used for connecting circuit boards or electronic components such as IC chips and wiring boards, and a circuit connection structure using the same. More specifically, the curing rate and elastic modulus are optimized to improve connection reliability. It relates to an excellent anisotropic conductive film.

회로기판끼리 또는 IC 칩 등의 전자부품과 회로기판을 전기적으로 접속하기 위해서, 접착제에 도전입자가 분산되어 있는 이방도전필름이 사용되고 있다. 이 경우, 이방도전필름을 서로 대치하는 전극 사이에 배치하고, 가열, 가압에 의해 전극 끼리를 접속한 후, 가압 방향으로 도전성을 갖게 하는 것에 의해 전기적 접속을 행한다. 이러한 이방도전필름은 대표적으로 LCD 모듈에서 LCD 패널, 인쇄회로기판(PCB), 드라이버 IC 등의 패키징을 위해 사용된다. In order to electrically connect circuit boards or electronic components, such as an IC chip, and a circuit board, the anisotropic conductive film in which the electroconductive particle is disperse | distributed to the adhesive agent is used. In this case, the anisotropic conductive film is disposed between the electrodes facing each other, the electrodes are connected by heating and pressurization, and then electrically connected by making the conductive in the pressing direction. Such anisotropic conductive film is typically used for packaging LCD panels, printed circuit boards (PCBs), and driver ICs in LCD modules.

현재 LCD는 노트북 PC나 모니터 및 텔레비젼 대상의 대형 패널로부터 휴대전화나 PDA(Personal Digital Assistant), 게임 등의 모바일 기기 대상의 중,소형 패널까지 다양한 용도에 적용되고 있으며, 이들의 LCD에는 이방도전필름에 의한 드라이버 IC의 실장이 채용되고 있다. LCD에서의 드라이버 IC 실장은, 드라이버 IC를 테이프 캐리어 패키지(TCP : Tape Carrier Package)화 하거나 COF(Chip On Film)화하고, 이것을 LCD 패널에 접착시키는 OLB(Outer Lead Bonding) 방식이나 인쇄회로기판(PCB : Printed Circuit Board)에 접착시키는 PCB 방식이 채용되고 있다. 또한, 휴대전화 등의 중,소형 LCD에서는, 드라이버 IC를 이방도전필름에 의해 직접 LCD 패널에 실장하는 COG(Chip On Glass) 방식이 채용되고 있다. Currently, LCDs are applied to a wide range of applications from large panels for notebook PCs, monitors, and TVs to medium and small panels for mobile devices such as mobile phones, personal digital assistants, and games. Driver IC mounting is adopted. Driver IC mounting in LCDs uses an outer lead bonding (OLB) method or a printed circuit board (PCB) in which a driver IC is formed into a tape carrier package (TCP) or a chip on film (COF) and bonded to the LCD panel. PCB: PCB type is attached to the printed circuit board. In addition, in small and medium-sized LCDs such as mobile phones, a COG (Chip On Glass) method in which a driver IC is directly mounted on an LCD panel by an anisotropic conductive film is adopted.

이와 같이, 회로기판끼리 또는 IC 칩 등의 전자부품과 회로기판을 이방도전필름을 이용하여 접속함에 있어서, 가장 문제가 되는 것은 접속 신뢰성이다. 즉, 이방도전필름에 있어서는 높은 접착성과 더불어 우수한 도통 신뢰성이 요구된다. As described above, connection reliability between the circuit boards and electronic components such as IC chips and the circuit board using an anisotropic conductive film is the most problematic. That is, in the anisotropic conductive film, excellent conduction reliability is required along with high adhesiveness.

따라서, 종래부터 이방도전필름의 접속 신뢰성을 개선하기 위하여 여러가지 노력들이 선행되어 왔다. 대표적으로는, 이방도전필름을 복층으로 형성하는 것과 같이 구조 변경을 시도하거나 접착제 조성물이나 도전 입자의 종류나 조성비를 조절하는 시도를 들 수 있다. Therefore, various efforts have been made in the past to improve the connection reliability of the anisotropic conductive film. Representative examples include attempting to change the structure, such as forming an anisotropic conductive film in multiple layers, or adjusting the type and composition ratio of the adhesive composition and the conductive particles.

그러나, 이방도전필름의 접속 신뢰성을 개선하기 위해서 경화율이나 탄성 모듈러스와 같이 이방도전 접착제 자체의 특성치를 조절하는 노력은 찾아 볼 수 없었다. However, in order to improve the connection reliability of the anisotropic conductive film, efforts to adjust the characteristic values of the anisotropic conductive adhesive itself, such as curing rate and elastic modulus, have not been found.

본 발명은 이방도전필름의 접속 신뢰성을 좌우할 수 있는 핵심적인 특성 인자(압흔 파라미터, 탄성 모듈러스)를 찾아내고, 이렇게 찾아낸 특성 인자의 최적치를 구하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to find a key characteristic factor (indentation parameter, elastic modulus) that can influence the connection reliability of an anisotropic conductive film, and to obtain an optimal value of the characteristic factor found.

본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.Other objects and advantages of the present invention can be understood by the following description, and will be more clearly understood by the embodiments of the present invention. It will also be readily apparent that the objects and advantages of the invention may be realized and attained by means of the instrumentalities and combinations particularly pointed out in the appended claims.

이방도전필름은 필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로 사용되는 열경화성수지, 도전입자 및 이형필름으로 이루어지는 것으로서, 서로 대치하는 회로 부재 사이에 개재된 후 열압착에 의해 대향하는 회로 부재를 서로 접착시키고, 전기적으로 접속시킨다. 또한, 이방도전필름은 내부의 열경화성수지가 열과 압력에 의해 경화가 진행되면서 대향하는 회로 부재를 접착시키기 때문에 열경화성 수지의 경화 거동에 따라 열압착후의 특성이 크게 변화한다. The anisotropic conductive film is composed of a thermoplastic resin for forming a film, a thermosetting resin used as a binder, conductive particles, and a release film. The anisotropic conductive film is interposed between the circuit members opposing each other, and then the opposite circuit members are bonded to each other by thermocompression bonding. Electrically connected In addition, in the anisotropic conductive film, since the thermosetting resin inside adheres to the opposite circuit member as the curing proceeds due to heat and pressure, the properties after thermocompression greatly change depending on the curing behavior of the thermosetting resin.

즉, 이방도전필름의 열경화성 수지는 열이 가해짐에 따라 점도가 낮아지다가 경화제의 활성온도 이상으로 열이 가해져 경화가 진행되면 점도가 상승하는 특성을 갖는다. 이렇게 열경화성 수지의 점도가 상승할 때, 특정 점도 이상이 되면 흐름성 부족으로 인해 도전 입자가 눌리지 못하게 된다. 상기 특정 점도는 열경화성 수지 의 경화율이 약 50%에 도달하는 시점에서의 점도를 의미한다. That is, the thermosetting resin of the anisotropic conductive film has a property that the viscosity decreases as heat is applied and heat is applied above the active temperature of the curing agent to increase the viscosity as curing proceeds. In this way, when the viscosity of the thermosetting resin rises, when the viscosity becomes higher than the specific viscosity, the conductive particles are not pressed due to the lack of flowability. The said specific viscosity means the viscosity at the time when the hardening rate of a thermosetting resin reaches about 50%.

따라서, 열경화성수지의 경화율이 50%에 도달하는데 걸리는 시간을 조절하는 것에 의해 이방도전필름의 접속 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다. Therefore, it is possible to improve the connection reliability of the anisotropic conductive film by adjusting the time taken for the curing rate of the thermosetting resin to reach 50%.

또한, 이방도전필름이 피접속부재 사이에서 열압착된 후, 압력을 제거하였을때, 이방도전필름을 구성하는 수지가 회복을 일으키게 되면 접속 신뢰성이 나빠진다. 따라서, 이방도전필름의 경화후 탄성 모듈러스를 경화전 탄성 모듈러스에 대하여 적절한 값으로 조절하는 것에 의해 이방도전필름의 접속 신뢰성의 향상이 가능하다.
구체적으로, 본 발명은 반도체 칩과 유리 기판 사이에 개재되어 열압착됨으로써 상기 반도체 칩과 유리 기판을 기계적으로, 전기적으로 접속시키는 이방도전필름으로서, 상기 이방도전필름은, 필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로서 에폭시계 열경화성 수지, 경화제, 도전 입자 및 이형 필름으로 이루어지고,
아래의 수학식으로 표현되는 경화거동지수(τ)가 0.2 ~ 0.5 사이의 값을 가지며,
τ = [ta / ttotal] (여기서, τ : 경화거동지수, ta : 경화율이 50%에 도달하는 시간, ttotal : 총 경화시간)
경화 완료 후 상온에서의 탄성 모듈러스 M2와 경화 전 탄성 모듈러스 M1의 비 M2/M1가 10 이상인 것을 특징으로 하는 이방도전필름, 및
반도체 칩과 유리 기판 사이에 상기 이방도전필름을 개재하여 열압착하는 것에 의해 전기적으로, 기계적으로 접속된 회로접속구조체에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 제 1 회로부재와 제 2 회로부재 사이에 개재되어 완충재를 이용하여 열압착됨으로써 상기 제 1 회로부재와 제 2 회로부재를 기계적으로, 전기적으로 접속시키는 이방도전필름으로서, 상기 이방도전필름은, 필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로서 에폭시계 열경화성 수지, 경화제, 도전 입자 및 이형 필름으로 이루어지고,
아래의 수학식으로 표현되는 경화거동지수(τ)가 0.3 ~ 0.75 사이의 값을 가지며,
τ = [ta / ttotal] (여기서, τ : 경화거동지수, ta : 경화율이 50%에 도달하는 시간, ttotal : 총 경화시간)
경화 완료 후 상온에서의 탄성 모듈러스 M2와 경화 전 탄성 모듈러스 M1의 비 M2/M1가 10 이상인 것을 특징으로 하는 이방도전필름, 및
제 1 회로부재와 제 2 회로부재 사이에 상기 이방도전필름을 개재하여 열압착하는 것에 의해 전기적으로, 기계적으로 접속된 회로접속구조체에 관한 것이다.
여기서, 상기 제 1 회로부재는 COF 또는 TCP이고, 상기 제 2 회로부재는 유리 기판 또는 인쇄회로기판인 것일 수 있다.
In addition, when the pressure is removed after the anisotropic conductive film is thermally compressed between the members to be connected, the connection constituting reliability deteriorates when the resin constituting the anisotropic conductive film causes recovery. Therefore, the connection reliability of the anisotropic conductive film can be improved by adjusting the elastic modulus after curing of the anisotropic conductive film to an appropriate value with respect to the elastic modulus before curing.
Specifically, the present invention is an anisotropic conductive film which is mechanically and electrically connected to the semiconductor chip and the glass substrate by being interposed between the semiconductor chip and the glass substrate, and thermally compressed, the anisotropic conductive film is a thermoplastic resin for film formation, It consists of epoxy-type thermosetting resin, a hardening | curing agent, electroconductive particle, and a release film as a binder,
The hardening behavior index (τ) expressed by the following equation has a value between 0.2 and 0.5,
τ = [t a / t total ] (where τ: hardening behavior index, t a : time when hardening rate reaches 50%, t total : total hardening time)
Anisotropic conductive film, characterized in that the ratio M 2 / M 1 of the elastic modulus M 2 at room temperature after completion of curing and the elastic modulus M 1 before curing, and
The present invention relates to a circuit connection structure electrically and mechanically connected by thermocompression bonding between a semiconductor chip and a glass substrate via the anisotropic conductive film.
In addition, the present invention is an anisotropic conductive film which is interposed between the first circuit member and the second circuit member and thermally compressed using a cushioning material to mechanically and electrically connect the first circuit member and the second circuit member, wherein the anisotropic conductive film The conductive film is composed of a thermoplastic resin for forming a film, an epoxy-based thermosetting resin, a curing agent, conductive particles, and a release film as a binder,
The hardening behavior index (τ) expressed by the following equation has a value between 0.3 and 0.75,
τ = [t a / t total ] (where τ: hardening behavior index, t a : time when hardening rate reaches 50%, t total : total hardening time)
Anisotropic conductive film, characterized in that the ratio M 2 / M 1 of the elastic modulus M 2 at room temperature after completion of curing and the elastic modulus M 1 before curing, and
The present invention relates to a circuit connection structure electrically and mechanically connected by thermocompression bonding between the first circuit member and the second circuit member via the anisotropic conductive film.
Here, the first circuit member may be a COF or TCP, and the second circuit member may be a glass substrate or a printed circuit board.

본 발명에 따른 이방도전필름은 회로기판끼리 또는 IC 칩 등의 전자부품과 회로기판을 전기적으로 접속함에 있어서, 높은 접착성과 도통 신뢰성을 구현한다. The anisotropic conductive film according to the present invention realizes high adhesion and conduction reliability in electrically connecting circuit boards or electronic components such as IC chips and circuit boards.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 각 도면 중에서 동일 부호는 동일 또는 동등한 구성요소를 나타내고 있다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each of the drawings, the same reference numerals denote the same or equivalent components.

도 1은 본 발명에 따른 이방도전필름(10)이 서로 대향하는 회로기판(20, 30) 사이에 개재된 상태를 도시하고 있다. 1 shows a state in which anisotropic conductive film 10 according to the present invention is interposed between circuit boards 20 and 30 facing each other.

상기 이방도전필름(10)은 필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로서 에폭시계 열경화성 수지, 경화제, 도전 입자 및 이형 필름으로 이루어지며, 필요에 따라 기타 첨가제가 포함될 수 있다. The anisotropic conductive film 10 is made of a thermoplastic resin for forming a film, an epoxy-based thermosetting resin, a curing agent, conductive particles, and a release film as a binder, and other additives may be included as necessary.

상기 열가소성 수지로는 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 포르말, 폴리비닐 아세탈, 폴리아미드, 페녹시 수지, 스틸렌-부타디엔-스틸렌 블록 공중합체, 카르복실화 스틸렌-에틸렌-부틸렌-스틸렌 블록 공중합체, 폴리 아크릴레이트 수지 등을 30 ~ 60중량% 사용할 수 있다. Examples of the thermoplastic resin include polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polyvinyl acetal, polyamide, phenoxy resin, styrene-butadiene-styrene block copolymer, carboxylated styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer, 30 to 60 weight% of polyacrylate resin etc. can be used.

상기 열경화성 수지로는 에폭시계 수지가 바람직한데, 특히, 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 단독 또는 혼합하여 30 ~ 70중량% 사용할 수 있다. As the thermosetting resin, an epoxy resin is preferable, and in particular, a bisphenol type epoxy resin, a novolak type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, or the like may be used. ~ 70% by weight can be used.

상기 경화제로는 에폭시 수지용 경화제가 바람직한데, 특히, 보존 안정성이 우수하고, 경화속도가 빠른 잠재성 경화제를 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 이미다졸계(이미다졸, 2-에틸 이미다졸, 2-페닐-4-메틸 이미다졸, 2-도데실 이미다졸, 2-페닐 이미다졸, 2-페닐-4-메틸 이미다졸, 4-메틸 이미다졸 등), 히드라지드계, 3불화붕소-아민 착체, 설포늄염, 아민이미드, 폴리아민의 염, 디시안디아미드 등을 0.1 ~ 10중량% 사용할 수 있다. As said hardening | curing agent, the hardening | curing agent for epoxy resins is preferable, In particular, it is preferable to use the latent hardening | curing agent which is excellent in storage stability and fast hardening rate. Specifically, imidazole type (imidazole, 2-ethyl imidazole, 2-phenyl-4-methyl imidazole, 2-dodecyl imidazole, 2-phenyl imidazole, 2-phenyl-4-methyl imidazole, 4 0.1 to 10% by weight of -methyl imidazole, etc.), a hydrazide system, a boron trifluoride-amine complex, a sulfonium salt, an amineimide, a salt of a polyamine, and dicyandiamide.

상기 도전 입자로는, OLB 방식이나 COG 방식의 이방도전필름의 경우는, 금-니켈 코팅된 폴리머볼이나 금 코팅된 니켈볼이 사용되고, PCB 방식의 이방도전필름의 경우는 니켈볼이 사용될 수 있다. As the conductive particles, in the case of an anisotropic conductive film of an OLB method or a COG method, a gold-nickel coated polymer ball or a gold coated nickel ball may be used, and in the case of a PCB type anisotropic conductive film, a nickel ball may be used. .

기타, 첨가제로서 커플링제, 접착 부여제 등이 부가적으로 사용될 수 있다. In addition, coupling agents, tackifiers, and the like may additionally be used as additives.

상기와 같은 구성을 갖는 이방도전필름은 열가소성 수지의 종류나 함량, 열경화성 수지의 종류나 함량, 경화제의 종류나 함량 및 첨가제의 종류 등을 변경하는 것에 의해 아래에서 상세하게 설명하는 경화거동지수(τ)나 탄성 모듈러스를 다양하게 조절할 수 있다. The anisotropic conductive film having the above configuration has a curing behavior index described in detail below by changing the type or content of the thermoplastic resin, the type or content of the thermosetting resin, the type or content of the curing agent, and the type of the additive. ) And elastic modulus can be adjusted in various ways.

이하에서, 에폭시계 이방도전필름의 접속 신뢰성(접착성, 도통 신뢰성)을 나타내는 지표로서 경화거동지수(τ)와 탄성 모듈러스를 소개한다. Hereinafter, the curing behavior index τ and the elastic modulus are introduced as an index indicating the connection reliability (adhesiveness, conduction reliability) of the epoxy anisotropic conductive film.

도 2는 이방도전필름의 온도에 따른 점도의 변화를 나타낸 그래프이다. 도면을 참조하면, 이방도전필름이 열을 받게 되면, 특정 온도까지 점도가 낮아지다가 경화가 시작되면서 점도가 증가한다. 이때, 이방도전필름의 점도가 특정 점도(η)를 초과하게 되면, 도전 입자가 눌릴 정도의 유동성을 보이지 않게 된다. 즉, 도 2의 A 영역에서, 이방도전필름은 도전 입자가 열압착에 의해 눌릴 정도의 유동성을 보이게 되지만, B 영역에서는 유동성이 떨어지게 되어 도전 입자가 충분히 눌리지 않게 된다. 따라서, 이방도전필름은 도전 입자가 충분히 눌리게 될 때까지 도 2의 A 영역에 머물러 있어야 한다. 2 is a graph showing the change in viscosity with temperature of the anisotropic conductive film. Referring to the drawing, when the anisotropic conductive film receives heat, the viscosity decreases to a specific temperature and then the viscosity increases as curing begins. At this time, when the viscosity of the anisotropic conductive film exceeds a specific viscosity (η), the fluidity of the degree to which the conductive particles are pressed is not shown. That is, in the region A of FIG. 2, the anisotropic conductive film exhibits fluidity such that the conductive particles are pressed by thermocompression, but in the region B, the fluidity is inferior and the conductive particles are not sufficiently pressed. Therefore, the anisotropic conductive film should remain in area A of FIG. 2 until the conductive particles are sufficiently pressed.

또한, 우수한 접속 신뢰성을 나타내는 이방도전필름이, 상기 특정 점도(η)에 도달하는 시간은 경화율이 50%에 도달하는 때로 정의할 수 있다. 따라서, 이방도전필름의 경화율이 50%에 도달하지 않았음에도 불구하고, 특정 점도(η)에 도달하거나, 경화율이 50%을 초과하였음에도 특정 점도(η)에 도달되지 않는 경우 모두 접착성이나 도통 신뢰성에 문제점을 초래할 수 있다. In addition, the time when the anisotropic conductive film which shows the outstanding connection reliability reaches | attains the said specific viscosity ((eta)) can be defined as when the hardening rate reaches 50%. Therefore, even if the hardening rate of the anisotropic conductive film does not reach 50%, if the specific viscosity (η) is reached or if the specific viscosity (η) is not reached even if the curing rate is higher than 50%, both the adhesiveness and It may cause a problem in conduction reliability.

이러한, 이방도전필름의 경화 거동은 아래의 수학식 1로 표현되는 경화거동지수(τ)로 표현할 수 있다. The hardening behavior of the anisotropic conductive film may be expressed by a hardening behavior index τ expressed by Equation 1 below.

τ = [ta / ttotal]τ = [t a / t total ]

(여기서, τ: 경화거동지수, ta : 경화율이 50%에 도달하는 시간, ttotal : 총 경화시간)Where τ is the curing behavior index and t a is the time when the curing rate reaches 50%, t total : Total curing time)

본 발명자들은 이러한 이방도전필름의 경화거동지수(τ)의 값을 적절히 조절하는 것에 의해 이방도전필름의 접속 신뢰성을 향상시키는 것이 가능함을 알게 되었다. The inventors have found that it is possible to improve the connection reliability of the anisotropic conductive film by appropriately adjusting the value of the curing behavior index τ of the anisotropic conductive film.

즉, 이방도전필름이 칩과 유리 기판 사이에 직접 개재되는 COG 방식의 경우, 우수한 접속 신뢰성을 확보하기 위해서 이방도전필름의 경화거동지수(τ)가 0.2 이상, 0.5 이하의 값을 가지는 것이 바람직하다.(즉, 0.2 ≤τ≤ 0.5) That is, in the case of the COG method in which the anisotropic conductive film is directly interposed between the chip and the glass substrate, it is preferable that the curing behavior index (τ) of the anisotropic conductive film has a value of 0.2 or more and 0.5 or less in order to ensure excellent connection reliability. (Ie 0.2 ≤τ≤ 0.5)

만약, COG 방식에 사용되는 이방도전필름의 경화거동지수(τ)가 0.2를 하회하면, 급격한 경화로 인해 도전 입자가 충분히 눌리기 전에 경화가 완료되기 때문에 압흔 불량이 발생하고, 경화거동지수(τ)가 0.5를 초과하면, 미경화로 인한 수지의 회복으로 접속 신뢰성이 나빠진다. If the hardening behavior index (τ) of the anisotropic conductive film used in the COG method is less than 0.2, indentation failure occurs because hardening is completed before the conductive particles are sufficiently pressed due to rapid hardening, and the hardening behavior index (τ) If) exceeds 0.5, connection reliability deteriorates due to recovery of the resin due to uncuring.

또한, COF 또는 TCP와 유리 기판을 접착시키기 위해 이방도전필름을 사용하는 OLB 방식이나 COF 또는 TCP와 인쇄회로기판(PCB)을 접착시키기 위해 이방도전필름을 사용하는 PCB 방식의 경우에는 이방도전필름의 경화거동지수(τ)가 0.3 이상, 0.75 이하의 값을 가지는 것이 바람직하다.(즉, 0.3 ≤τ≤ 0.75)In addition, in the case of an OLB method using an anisotropic conductive film to bond a COF or TCP to a glass substrate, or a PCB method using an anisotropic conductive film to bond a COF or TCP to a printed circuit board (PCB), It is preferable that the curing behavior index τ has a value of 0.3 or more and 0.75 or less (that is, 0.3 ≦ τ ≦ 0.75).

만약, OLB 방식이나 PCB 방식에 사용되는 이방도전필름의 경화거동지수(τ)가 0.3을 하회하면, 급격한 경화로 인해 도전 입자가 충분히 눌리기 전에 경화가 완료되기 때문에 압흔 불량이 발생하고, 경화거동지수(τ)가 0.75를 초과하면, 미경화로 인한 수지의 회복으로 접속 신뢰성이 나빠진다.  If the hardening behavior index (τ) of the anisotropic conductive film used in the OLB method or the PCB method is less than 0.3, indentation defects occur because hardening is completed before the conductive particles are sufficiently pressed due to rapid hardening, and the hardening behavior When the index τ exceeds 0.75, the connection reliability deteriorates due to the recovery of the resin due to uncuring.

COG 방식의 경우, 완충재를 사용하지 않고, 직접 칩에 열과 압력을 가하기 때문에 OLB 방식이나 PCB 방식에 비해 이방도전필름에 가해지는 열량이 많아진다. 이로 인해, 이방도전필름의 경화 역시 빨라진다. 이에 비해, OLB 방식이나 PCB 방식의 경우, 완충재를 개재하여 열압착을 진행하기 때문에 열의 전달이 느리고, 경화 역시 느리게 진행된다. In the case of the COG method, since heat and pressure are directly applied to the chip without using a buffer material, the amount of heat applied to the anisotropic conductive film is greater than that of the OLB method or the PCB method. Due to this, the curing of the anisotropic conductive film is also faster. On the other hand, in the case of the OLB method or the PCB method, since the thermal compression is performed through the buffer material, heat transfer is slow and curing is also slow.

도 3은 이방도전필름의 온도에 따른 탄성 모듈러스(modulus)의 변화를 나타낸 그래프이다. 도면을 참조하면, 초기에 온도가 상승함에 따라 이방도전필름의 탄성 모듈러스는 감소하지만, 경화가 시작되면서 탄성 모듈러스는 다시 상승하게 된다. 이때, 이방도전필름의 경화 완료후 탄성 모듈러스가 상대적으로 낮을 경우 고분자 수지의 회복이 일어나서 압흔 불량과 더불어 접속 신뢰성의 불량을 야기하게 된다. 3 is a graph showing a change in elastic modulus according to the temperature of the anisotropic conductive film. Referring to the drawings, as the temperature initially increases, the elastic modulus of the anisotropic conductive film decreases, but as the curing starts, the elastic modulus rises again. At this time, when the elastic modulus is relatively low after completion of the curing of the anisotropic conductive film, the recovery of the polymer resin occurs, causing indentation defects and poor connection reliability.

따라서, 우수한 접속 신뢰성을 나타내는 이방도전필름의 탄성 모듈러스 거동은 아래의 수학식 2로 표현된다. Therefore, the elastic modulus behavior of the anisotropic conductive film showing excellent connection reliability is expressed by Equation 2 below.

M2/M1 ≥10M 2 / M 1 ≥10

(여기서, M1 : 경화전 이방도전필름의 탄성 모듈러스, M2 : 경화 완료후 상온에서의 이방도전필름의 탄성 모듈러스)(M 1 : elastic modulus of anisotropic conductive film before curing, M 2 : elastic modulus of anisotropic conductive film at room temperature after completion of curing)

만약, 상기 M2/M1의 값이 10 미만이면, 경화 완료후 압력 제거시 고분자 수지의 회복이 일어나 압흔 특성이 나빠진다. If the value of M 2 / M 1 is less than 10, the recovery of the polymer resin occurs when the pressure is removed after completion of curing, and the indentation characteristics deteriorate.

상기 경화거동지수(τ)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1 ≥10)은 이방도전필름을 구성하는 열가소성 수지, 열경화성 수지, 경화제, 첨가제 등의 종류와 양을 변경하는 것에 의해 조절 가능하다.The curing behavior index (τ) and elastic modulus behavior (M 2 / M 1 ≥ 10) can be adjusted by changing the type and amount of the thermoplastic resin, thermosetting resin, curing agent, additives and the like constituting the anisotropic conductive film.

예를 들어, 경화개시온도가 낮고 경화속도가 빠른 경화제를 선택하여 이방도전필름을 제조하게 되면, 경화율 50%에 도달하는 시간이 빨라지게 되면서 경화거동지수가 0.2 또는 0.3 이하로 낮아지게 된다. 반면에, 경화개시온도가 높고, 경화속도가 느린 경화제를 선택하여 이방도전필름을 제조하게 되면, 경화율 50%에 도달하는 시간이 늦어지면서 경화거동지수가 0.5 또는 0.75 이상으로 높아지게 된다.For example, when an anisotropic conductive film is prepared by selecting a curing agent having a low curing start temperature and a fast curing rate, the curing behavior index is lowered to 0.2 or 0.3 or less while the time to reach a curing rate of 50% is accelerated. On the other hand, when an anisotropic conductive film is prepared by selecting a curing agent having a high curing start temperature and a slow curing speed, the curing behavior index is increased to 0.5 or 0.75 or more as the time to reach a curing rate of 50% is delayed.

따라서, 모든 조건이 동일한 상태에서 경화개시온도가 서로 상이한 경화제를 사용하는 것만으로도 이방도전필름의 경화거동지수(τ)를 0.2 ~ 0.5 또는 0.3 ~ 0.75로 조절할 수 있다. Therefore, the curing behavior index (τ) of the anisotropic conductive film can be adjusted to 0.2 to 0.5 or 0.3 to 0.75 only by using a curing agent having a different curing start temperature from the same conditions.

또한, 동일한 경화제를 사용하는 경우에도 그 양을 늘리게 되면, 경화거동지수(τ)가 높아지고, 그 양을 줄이면 경화거동지수(τ)가 낮아진다. In addition, even when the same curing agent is used, if the amount is increased, the curing behavior index τ is increased, and if the amount is decreased, the curing behavior index τ is lowered.

따라서, 모든 조건이 동일한 상태에서 경화제의 함량을 조절하는 것에 의해 이방도전필름의 경화거동지수(τ)를 0.2 ~ 0.5 또는 0.3 ~ 0.75로 조절할 수 있다.Therefore, the curing behavior index (τ) of the anisotropic conductive film can be adjusted to 0.2 to 0.5 or 0.3 to 0.75 by adjusting the content of the curing agent under all conditions.

또한, 열경화성 수지에 해당하는 에폭시 수지를 적절히 변경(에폭시 수지에 포함된 관능기의 수와 분자량의 조절)하거나 라디칼 경화 지연 효과를 가진 열가소성 수지(예를 들어, 메타크릴레이트계, 말레이미드 화합물, 불포화폴리에스테르, 아크릴산, 비닐아세테이트, 아크릴로니트릴 등과 같은 아크릴계 다관능성 단량체)를 사용하는 것에 의해서 상기 경화거동지수(τ)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1 ≥10)의 조절이 가능하다. In addition, the epoxy resin corresponding to the thermosetting resin is appropriately changed (adjustment of the number and molecular weight of functional groups contained in the epoxy resin) or a thermoplastic resin having a radical curing retardation effect (for example, methacrylate-based, maleimide compound, unsaturated By using acrylic polyfunctional monomers such as polyester, acrylic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, etc., the curing behavior index τ and elastic modulus behavior (M 2 / M 1 ≧ 10) can be controlled.

일반적으로, 에폭시 수지에 포함된 관능기의 수가 많아지면, 반응 속도는 빨라지고, 가교 밀도가 증가하여 경화거동지수(τ)가 낮아지고, 경화 완료후 탄성 모듈러스(M2)는 높아진다. 반면에, 에폭시 수지에 포함된 관능기의 수가 적어지면, 경화거동지수(τ)가 높아지고, 경화 완료후 탄성 모듈러스(M2)는 낮아진다. In general, as the number of functional groups contained in the epoxy resin increases, the reaction rate increases, the crosslinking density increases, and thus the curing behavior index (τ) is low, and the elastic modulus (M 2 ) after curing is high. On the other hand, when the number of functional groups contained in the epoxy resin decreases, the curing behavior index τ increases, and the elastic modulus M 2 decreases after the curing is completed.

또한, 필름 형성을 위해 첨가되는 열가소성 수지를 적절히 변경하는 것에 의해서도 탄성 모듈러스 거동의 조절이 가능하다. In addition, the elastic modulus behavior can be adjusted by appropriately changing the thermoplastic resin added for film formation.

또한, 라디칼 경화 촉진제, 체인트랜스퍼 보조제, 분자량 조절제 등을 사용하여 경화거동지수(τ)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1 ≥10)을 조절할 수 있으며, 이방도전필름을 구성하는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 경화제의 조성비를 조절하는 것에 의해서도 경화거동지수(τ)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1 ≥10)을 제어할 수 있다. In addition, it is possible to adjust the curing behavior index (τ) and the elastic modulus behavior (M 2 / M 1 ≥ 10) using radical curing accelerators, chain transfer aids, molecular weight regulators, and the like, and thermoplastic resins constituting the anisotropic conductive film, and thermosetting properties. By adjusting the composition ratio of the resin and the curing agent, the curing behavior index τ and the elastic modulus behavior (M 2 / M 1 ≧ 10) can be controlled.

이하에서, 여러가지 경화거동지수(τ)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1)을 나타내는 다수의 이방도전필름을 제조하고, 이렇게 제조된 이방도전필름에 대하여 압흔 특성 및 접속 저항 특성치를 측정하고 이를 테이블로 정리하였다. Hereinafter, a plurality of anisotropic conductive films exhibiting various curing behavior indexes (τ) and elastic modulus behaviors (M 2 / M 1 ) are prepared, and the indentation characteristics and the connection resistance characteristics of the anisotropic conductive films thus prepared are measured and Arranged in a table.

[이방도전필름의 제조][Production of Anisotropic Conductive Film]

필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로서의 에폭시계 열경화성 수지, 경화제로 이루어지는 접착제 조성물을 유기용제에 용해 또는 분산하고, 또한 도전 입자를 분산하여 필름 도공용 용액을 제조한다. 이때, 사용되는 유기용제는 방향족 탄화수소계와 함산소계의 혼합 용제가 재료의 용해성을 향상시키기 때문에 바람직하다. 뒤이어, 이 용액을 편면을 표면 처리한 투명 PET 필름에 도공장치를 이용하여 도포하고, 70℃, 10분의 열풍 건조에 의하여 이방도전필름을 얻는다.The adhesive composition which consists of a thermoplastic resin for film formation, an epoxy thermosetting resin as a binder, and a hardening | curing agent is melt | dissolved or disperse | distributed in an organic solvent, and also conductive particle is disperse | distributed, and the film coating solution is manufactured. The organic solvent used at this time is preferable because the mixed solvent of an aromatic hydrocarbon type and an oxygen type improves the solubility of a material. Subsequently, this solution is apply | coated to the transparent PET film which surface-treated the single side | surface using the tapping machine value, and an anisotropic conductive film is obtained by 70 degreeC hot air drying for 10 minutes.

[COG방식의 회로접속구조체][COG type circuit connection structure]

도 4는 이방도전필름을 개재하여 칩과 유리 기판을 본딩하는 COG 방식의 접속 공정을 설명하기 위한 도면이다. It is a figure for demonstrating the COG system connection process of bonding a chip and a glass substrate through an anisotropic conductive film.

도면에 도시된 바와 같이, 상기에서 제조한 이방도전필름(10)을 유리 기판(31) 위에 가 압착하고, 이 이방도전필름 위에 칩(21)을 대향 배치한 후 히팅바(41)를 이용하여 180℃, 3MPa의 조건에서 10초 동안 가열, 가압하여 회로접속구조체를 제작한다. As shown in the drawing, the anisotropic conductive film 10 prepared above is pressed on the glass substrate 31, and the chips 21 are disposed on the anisotropic conductive film so as to face each other using a heating bar 41. A circuit connection structure is fabricated by heating and pressing for 10 seconds at a temperature of 180 ° C. and 3 MPa.

이때, 상기 회로접속구조체에 사용되는 이방도전필름은 아래와 같은 경화거동지수(τ)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1)을 갖도록 제작된다. At this time, the anisotropic conductive film used in the circuit connection structure is manufactured to have a curing behavior index (τ) and elastic modulus behavior (M 2 / M 1 ) as follows.

실시예 1Example 1

경화거동지수(τ)가 0.21이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 2×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 4×109[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=200)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.21, an initial elastic modulus (M 1 ) of 2 × 10 7 [Pa], and an elastic modulus (M 2 ) of 4 × 10 9 [Pa] at room temperature after completion of curing. A film (M 2 / M 1 = 200) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

실시예 2Example 2

경화거동지수(τ)가 0.26이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 1×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 9×108[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=90)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.26, initial elastic modulus (M 1 ) of 1 × 10 7 [Pa], and elastic modulus (M 2 ) of 9 × 10 8 [Pa] at room temperature after completion of curing A film (M 2 / M 1 = 90) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

실시예 3Example 3

경화거동지수(τ)가 0.48이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 3×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 5×108[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=16.7)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.48, initial elastic modulus (M 1 ) of 3 × 10 7 [Pa], and elastic modulus (M 2 ) of 5 × 10 8 [Pa] at room temperature after completion of curing A film (M 2 / M 1 = 16.7) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 1Comparative Example 1

경화거동지수(τ)가 0.11이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 5×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 7×109[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=140)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Curing behavior index (τ) is 0.11, initial elastic modulus (M 1 ) is 5 × 10 7 [Pa], and after completion of curing, anisotropic conductive modulus (M 2 ) at room temperature is 7 × 10 9 [Pa] A film (M 2 / M 1 = 140) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 2Comparative Example 2

경화거동지수(τ)가 0.62이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 1×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 9×108[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=90)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.62, an initial elastic modulus (M 1 ) of 1 × 10 7 [Pa], and an elastic modulus (M 2 ) of 9 × 10 8 [Pa] at room temperature after completion of curing. A film (M 2 / M 1 = 90) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 3Comparative Example 3

경화거동지수(τ)가 0.74이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 7×106[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 6×107[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=8.57)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Curing behavior index (τ) is 0.74, initial elastic modulus (M 1 ) is 7 × 10 6 [Pa], and after completion of curing, anisotropic conductive modulus (M 2 ) at room temperature is 6 × 10 7 [Pa] A film (M 2 / M 1 = 8.57) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 4Comparative Example 4

경화거동지수(τ)가 0.11이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 8×106[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 7×107[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=8.75)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Curing behavior index (τ) is 0.11, initial elastic modulus (M 1 ) is 8 × 10 6 [Pa], and after completion of curing, anisotropic conductive elastic modulus (M 2 ) at room temperature is 7 × 10 7 [Pa] A film (M 2 / M 1 = 8.75) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

상기한 실시예 및 비교예를 통해 제작된 이방도전필름을 개재한 회로접속구조체에 대하여 하기와 같이 (1) 압흔 및 (2) 도통 신뢰성 테스트를 실시하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다. (1) indentation and (2) conduction reliability test were performed on the circuit connection structure via the anisotropic conductive film produced through the above-described Examples and Comparative Examples, and the results are shown in Table 1.

(1) 압흔 테스트 (1) indentation test

칩과 결합되는 유리 기판의 전극이 ITO 투명 전극인 경우에는 광학 현미경을 통해 도전볼 눌림 현상을 관찰하고, 크롬 전극인 경우에는 미분 간섭 현미경을 이용하여 DIC 압흔을 관찰하였다. When the electrode of the glass substrate bonded to the chip is an ITO transparent electrode, the conductive ball pressing phenomenon was observed through an optical microscope, and in the case of a chromium electrode, the DIC indentation was observed using a differential interference microscope.

이때, ITO 투명전극에서 도전볼의 변형이 관찰되는 경우에는 ○, 도전볼의 변형이 없는 경우에는 ×로 표시하고, 크롬 전극에서 도전볼의 돌출이 관찰된 경우에는 ○, 도전볼의 돌출이 없는 경우에는 ×로 표시하였다. At this time, if the deformation of the conductive ball is observed in the ITO transparent electrode, ○, if there is no deformation of the conductive ball, it is indicated by ×, and if the protrusion of the conductive ball is observed in the chromium electrode, ○, there is no protrusion of the conductive ball. In the case, X was indicated.

(2) 도통 신뢰성 테스트(2) conduction reliability test

85℃의 온도 및 85% 상대습도에서 500시간 동안 에이징한 후의 저항치(Ωa)와 에이징전의 초기 저항치(Ωi)를 멀티미터를 이용하여 각각 측정하였다. The resistance after the aging for 500 hours at the temperature of 85 ° C. and the 85% relative humidity (Ω a ) and the initial resistance before aging (Ω i ) were measured using a multimeter, respectively.

이때, 에이징한 후의 저항치(Ωa)와 에이징 전의 초기 저항치(Ωi)가 모두 5 Ω 미만인 경우에는 ○, 5 Ω 이상인 경우에는 ×, 측정이 불가능한 경우에는 "OPEN"으로 표시하였다. At this time, when the resistance value ( a ) after aging and the initial resistance value ( i ) before aging were both less than 5 kV, it was represented as (circle), x when 5 kW or more, and "OPEN" when measurement was impossible.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 도전볼
눌림
Challenge Ball
pressed
×× ×× ×× ××
DIC 압흔DIC Indentation ×× ×× ×× ×× i[Ω]Ω i [Ω] 0.30.3 0.40.4 0.30.3 4.54.5 3.23.2 5.25.2 2.72.7 a[Ω]Ω a [Ω] 1.21.2 1.31.3 1.31.3 25.025.0 OPENOPEN OPENOPEN OPENOPEN a/Ωi Ω a / Ω i ×× OPENOPEN OPENOPEN OPENOPEN

상기 표 1로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 3의 이방도전필름은 모두 우수한 압흔 현상과 도통 신뢰성을 나타내었다. 반면에, 비교예 1의 이방도전필름은 압흔 특성이 나쁠 뿐만 아니라 에이징한 후의 저항치가 에이징전의 초기 저항치에 비해 5배 이상을 나타내었다. 또한, 비교예 2 내지 비교예 4의 경우에는 에이징한 후 도통 불량을 나타내었다. As can be seen from Table 1, all of the anisotropic conductive films of Examples 1 to 3 exhibited excellent indentation phenomenon and conduction reliability. On the other hand, the anisotropic conductive film of Comparative Example 1 was not only bad indentation characteristics, but also the resistance value after aging showed more than five times the initial resistance value before aging. In addition, in the case of Comparative Examples 2 to 4, poor conduction was observed after aging.

따라서, 이방도전필름이 실시예 1 내지 실시예 3과 같은 경화거동지수(0.2≤τ≤0.5)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1≥10)을 가질 때, 이방도전필름의 접착성과 도통 신뢰성이 우수해짐을 확인할 수 있다. Therefore, when the anisotropic conductive film has the same hardening behavior index (0.2≤τ≤0.5) and elastic modulus behavior (M 2 / M 1 ≥ 10) as in Examples 1 to 3, the adhesion and conduction reliability of the anisotropic conductive film It can be confirmed that this is excellent.

[OLB방식의 회로접속구조체][OLB type circuit connection structure]

도 5는 이방도전필름을 개재하여 COF 또는 TCP를 유리 기판에 본딩하는 OLB 방식의 접속 공정을 설명하고 있다. 5 illustrates an OLB connection process for bonding COF or TCP to a glass substrate via an anisotropic conductive film.

도면에 도시된 바와 같이, 상기에서 제조한 이방도전필름(10)을 유리 기판(31) 위에 가 압착하고, 이 이방도전필름 위에 COF 또는 TCP(22)를 대향 배치한다. 그 후, COF 또는 TCP(22) 위에 0.15T의 테프론 시트로 이루어진 완충재(42)를 개재하고, 히팅바(41)를 이용하여 180℃, 3MPa의 조건에서 7초 동안 가열, 가압하여 회로접속구조체를 제작한다. As shown in the figure, the anisotropic conductive film 10 prepared above is pressed on the glass substrate 31, and the COF or TCP 22 is disposed on the anisotropic conductive film. Subsequently, the circuit connecting structure is heated and pressurized for 7 seconds at 180 ° C. and 3 MPa using a heating bar 41 through a buffer 42 made of 0.15T Teflon sheet on the COF or TCP 22. To produce.

이때, 상기 회로접속구조체에 사용되는 이방도전필름은 아래와 같은 경화거동지수(τ)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1)을 갖도록 제작된다. At this time, the anisotropic conductive film used in the circuit connection structure is manufactured to have a curing behavior index (τ) and elastic modulus behavior (M 2 / M 1 ) as follows.

실시예 1Example 1

경화거동지수(τ)가 0.32이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 1×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 3×109[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=300)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.32, an initial elastic modulus (M 1 ) of 1 × 10 7 [Pa], and an elastic modulus (M 2 ) of 3 × 10 9 [Pa] at room temperature after completion of curing. A film (M 2 / M 1 = 300) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

실시예 2Example 2

경화거동지수(τ)가 0.41이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 3×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 4×108[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=13.3)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.41, an initial elastic modulus (M 1 ) of 3 × 10 7 [Pa], and an elastic modulus (M 2 ) of 4 × 10 8 [Pa] at room temperature after completion of curing. A film (M 2 / M 1 = 13.3) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

실시예 3Example 3

경화거동지수(τ)가 0.73이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 2×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 5×108[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=25)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Curing behavior index (τ) is 0.73, initial elastic modulus (M 1 ) is 2 × 10 7 [Pa], and after completion of curing, anisotropic conductive elastic modulus (M 2 ) at room temperature is 5 × 10 8 [Pa] A film (M 2 / M 1 = 25) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 1Comparative Example 1

경화거동지수(τ)가 0.27이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 4×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 7×109[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=175)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.27, an initial elastic modulus (M 1 ) of 4 × 10 7 [Pa], and an elastic modulus (M 2 ) of 7 × 10 9 [Pa] at room temperature after completion of curing. A film (M 2 / M 1 = 175) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 2Comparative Example 2

경화거동지수(τ)가 0.79이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 9×106[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 3×108[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=33.3)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Curing behavior index (τ) is 0.79, initial elastic modulus (M 1 ) is 9 × 10 6 [Pa], and after completion of curing, anisotropic conductive elastic modulus (M 2 ) at room temperature is 3 × 10 8 [Pa]. A film (M 2 / M 1 = 33.3) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 3Comparative Example 3

경화거동지수(τ)가 0.42이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 8×106[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 7×107[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=8.75)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.42, initial elastic modulus (M 1 ) of 8 × 10 6 [Pa], and elastic modulus (M 2 ) of 7 × 10 7 [Pa] at room temperature after completion of curing A film (M 2 / M 1 = 8.75) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 4Comparative Example 4

경화거동지수(τ)가 0.27이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 9×106[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 7×107[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=7.78)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.27, initial elastic modulus (M 1 ) of 9 × 10 6 [Pa], and elastic modulus (M 2 ) of 7 × 10 7 [Pa] at room temperature after completion of curing A film (M 2 / M 1 = 7.78) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

상기한 실시예 및 비교예를 통해 제작된 이방도전필름을 개재한 회로접속구조체에 대하여 하기와 같이 (1) 압흔 및 (2) 도통 신뢰성 테스트를 실시하고, 그 결과를 표 2에 나타내었다. (1) indentation and (2) conduction reliability test were performed on the circuit connection structure via the anisotropic conductive film produced through the above-described Examples and Comparative Examples, and the results are shown in Table 2.

(1) 압흔 테스트 (1) indentation test

칩과 결합되는 유리 기판의 전극이 ITO 투명 전극인 경우에는 광학 현미경을 통해 도전볼 눌림 현상을 관찰하고, 크롬 전극인 경우에는 미분 간섭 현미경을 이용하여 DIC 압흔을 관찰하였다. When the electrode of the glass substrate bonded to the chip is an ITO transparent electrode, the conductive ball pressing phenomenon was observed through an optical microscope, and in the case of a chromium electrode, the DIC indentation was observed using a differential interference microscope.

이때, ITO 투명전극에서 도전볼의 변형이 관찰되는 경우에는 ○, 도전볼의 변형이 없는 경우에는 ×로 표시하고, 크롬 전극에서 도전볼의 돌출이 관찰된 경우에는 ○, 도전볼의 돌출이 없는 경우에는 ×로 표시하였다. At this time, if the deformation of the conductive ball is observed in the ITO transparent electrode, ○, if there is no deformation of the conductive ball, it is indicated by ×, and if the protrusion of the conductive ball is observed in the chromium electrode, ○, there is no protrusion of the conductive ball. In the case, X was indicated.

(2) 도통 신뢰성 테스트(2) conduction reliability test

85℃의 온도 및 85% 상대습도에서 500시간 동안 에이징한 후의 저항치(Ωa)와 에이징전의 초기 저항치(Ωi)를 멀티미터를 이용하여 각각 측정하였다. The resistance after the aging for 500 hours at the temperature of 85 ° C. and the 85% relative humidity (Ω a ) and the initial resistance before aging (Ω i ) were measured using a multimeter, respectively.

이때, 에이징한 후의 저항치(Ωa)와 에이징 전의 초기 저항치(Ωi)가 모두 5 Ω 미만인 경우에는 ○, 5 Ω 이상인 경우에는 ×, 측정이 불가능한 경우에는 "OPEN"으로 표시하였다.At this time, when the resistance value ( a ) after aging and the initial resistance value ( i ) before aging were both less than 5 kV, it was represented as (circle), x when 5 kW or more, and "OPEN" when measurement was impossible.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 도전볼
눌림
Challenge Ball
pressed
×× ×× ×× ××
DIC 압흔DIC Indentation ×× ×× ×× ×× i[Ω]Ω i [Ω] 0.20.2 0.30.3 0.20.2 5.65.6 4.94.9 7.27.2 10.110.1 a[Ω]Ω a [Ω] 1.21.2 1.31.3 1.31.3 53.153.1 OPENOPEN OPENOPEN OPENOPEN a/Ωi Ω a / Ω i ×× OPENOPEN OPENOPEN OPENOPEN

상기 표 2로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 3의 이방도전필름은 모두 우수한 압흔 현상과 도통 신뢰성을 나타내었다. 반면에, 비교예 1의 이방도전필름은 압흔 특성이 나쁠 뿐만 아니라 에이징한 후의 저항치가 에이징전의 초기 저항치에 비해 9배 이상을 나타내었다. 또한, 비교예 2 내지 비교예 4의 경우에는 에이징한 후 도통 불량을 나타내었다. As can be seen from Table 2, the anisotropic conductive films of Examples 1 to 3 all exhibited excellent indentation and conduction reliability. On the other hand, the anisotropic conductive film of Comparative Example 1 was not only poor indentation characteristics, but also the resistance value after aging showed 9 times or more than the initial resistance value before aging. In addition, in the case of Comparative Examples 2 to 4, poor conduction was observed after aging.

따라서, 실시예 1 내지 실시예 3과 같은 경화거동지수(0.3≤τ≤0.75)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1≥10)을 가질 때, 이방도전필름의 접착성과 도통 신뢰성이 우수해짐을 확인할 수 있다. Therefore, when the hardening behavior index (0.3≤τ≤0.75) and the elastic modulus behavior (M 2 / M 1 ≥ 10) as in Examples 1 to 3, the adhesion and conduction reliability of the anisotropic conductive film is excellent. You can check it.

[PCB 방식의 회로접속구조체][PCB type circuit connection structure]

도 6은 이방도전필름을 개재하여 COF 또는 TCP를 인쇄회로기판에 본딩하는 PCB 방식의 접속 공정을 설명하고 있다. 6 illustrates a PCB-type connection process of bonding COF or TCP to a printed circuit board through an anisotropic conductive film.

도면에 도시된 바와 같이, 상기에서 제조한 이방도전필름(10)을 인쇄회로기판(32) 위에 가 압착하고, 이 이방도전필름 위에 COF 또는 TCP(22)를 대향 배치한다. 그 후, COF 또는 TCP(22) 위에 0.15T의 테프론 시트로 이루어진 완충재(42)를 개재하고, 히팅바(41)를 이용하여 180℃, 3MPa의 조건에서 7초 동안 가열, 가압하여 회로접속구조체를 제작한다. As shown in the figure, the anisotropic conductive film 10 prepared above is pressed on the printed circuit board 32, and the COF or TCP 22 is disposed on the anisotropic conductive film. Subsequently, the circuit connecting structure is heated and pressurized for 7 seconds at 180 ° C. and 3 MPa using a heating bar 41 through a buffer 42 made of 0.15T Teflon sheet on the COF or TCP 22. To produce.

이때, 상기 회로접속구조체에 사용되는 이방도전필름은 아래와 같은 경화거동지수(τ)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1)을 갖도록 제작된다. At this time, the anisotropic conductive film used in the circuit connection structure is manufactured to have a curing behavior index (τ) and elastic modulus behavior (M 2 / M 1 ) as follows.

실시예 1Example 1

경화거동지수(τ)가 0.32이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 1×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 3×109[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=300)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.32, an initial elastic modulus (M 1 ) of 1 × 10 7 [Pa], and an elastic modulus (M 2 ) of 3 × 10 9 [Pa] at room temperature after completion of curing. A film (M 2 / M 1 = 300) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

실시예 2Example 2

경화거동지수(τ)가 0.41이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 3×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 4×108[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=13.3)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.41, an initial elastic modulus (M 1 ) of 3 × 10 7 [Pa], and an elastic modulus (M 2 ) of 4 × 10 8 [Pa] at room temperature after completion of curing. A film (M 2 / M 1 = 13.3) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

실시예 3Example 3

경화거동지수(τ)가 0.73이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 2×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 5×108[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=25)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Curing behavior index (τ) is 0.73, initial elastic modulus (M 1 ) is 2 × 10 7 [Pa], and after completion of curing, anisotropic conductive elastic modulus (M 2 ) at room temperature is 5 × 10 8 [Pa] A film (M 2 / M 1 = 25) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 1Comparative Example 1

경화거동지수(τ)가 0.27이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 4×107[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 7×109[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=175)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.27, an initial elastic modulus (M 1 ) of 4 × 10 7 [Pa], and an elastic modulus (M 2 ) of 7 × 10 9 [Pa] at room temperature after completion of curing. A film (M 2 / M 1 = 175) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 2Comparative Example 2

경화거동지수(τ)가 0.79이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 9×106[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 3×108[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=33.3)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Curing behavior index (τ) is 0.79, initial elastic modulus (M 1 ) is 9 × 10 6 [Pa], and after completion of curing, anisotropic conductive elastic modulus (M 2 ) at room temperature is 3 × 10 8 [Pa]. A film (M 2 / M 1 = 33.3) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 3Comparative Example 3

경화거동지수(τ)가 0.42이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 8×106[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 7×107[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=8.75)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.42, initial elastic modulus (M 1 ) of 8 × 10 6 [Pa], and elastic modulus (M 2 ) of 7 × 10 7 [Pa] at room temperature after completion of curing A film (M 2 / M 1 = 8.75) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 4Comparative Example 4

경화거동지수(τ)가 0.27이고, 초기 탄성 모듈러스(M1)가 9×106[Pa]이고, 경화 완료후 상온에서의 탄성 모듈러스(M2)가 7×107[Pa]인 이방도전필름(M2/M1=7.78)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로접속구조체에 적용하였다.Anisotropic conduction with a curing behavior index (τ) of 0.27, initial elastic modulus (M 1 ) of 9 × 10 6 [Pa], and elastic modulus (M 2 ) of 7 × 10 7 [Pa] at room temperature after completion of curing A film (M 2 / M 1 = 7.78) was produced and this anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

상기한 실시예 및 비교예를 통해 제작된 이방도전필름을 개재한 회로접속구조체에 대하여 하기와 같이 (1) 압흔 및 (2) 도통 신뢰성 테스트를 실시하고, 그 결과를 표 3에 나타내었다. (1) indentation and (2) conduction reliability test were performed on the circuit connection structure via the anisotropic conductive film produced through the above-described Examples and Comparative Examples, and the results are shown in Table 3.

(1) 압흔 테스트 (1) indentation test

칩과 결합되는 유리 기판의 전극이 ITO 투명 전극인 경우에는 광학 현미경을 통해 도전볼 눌림 현상을 관찰하고, 크롬 전극인 경우에는 미분 간섭 현미경을 이용하여 DIC 압흔을 관찰하였다. When the electrode of the glass substrate bonded to the chip is an ITO transparent electrode, the conductive ball pressing phenomenon was observed through an optical microscope, and in the case of a chromium electrode, the DIC indentation was observed using a differential interference microscope.

이때, ITO 투명전극에서 도전볼의 변형이 관찰되는 경우에는 ○, 도전볼의 변형이 없는 경우에는 ×로 표시하고, 크롬 전극에서 도전볼의 돌출이 관찰된 경우에는 ○, 도전볼의 돌출이 없는 경우에는 ×로 표시하였다. At this time, if the deformation of the conductive ball is observed in the ITO transparent electrode, ○, if there is no deformation of the conductive ball, it is indicated by ×, and if the protrusion of the conductive ball is observed in the chromium electrode, ○, there is no protrusion of the conductive ball. In the case, X was indicated.

(2) 도통 신뢰성 테스트(2) conduction reliability test

85℃의 온도 및 85% 상대습도에서 500시간 동안 에이징한 후의 저항치(Ωa)와 에이징전의 초기 저항치(Ωi)를 멀티미터를 이용하여 각각 측정하였다. The resistance after the aging for 500 hours at the temperature of 85 ° C. and the 85% relative humidity (Ω a ) and the initial resistance before aging (Ω i ) were measured using a multimeter, respectively.

이때, 에이징한 후의 저항치(Ωa)와 에이징 전의 초기 저항치(Ωi)가 모두 5 Ω 미만인 경우에는 ○, 5 Ω 이상인 경우에는 ×, 측정이 불가능한 경우에는 "OPEN"으로 표시하였다.At this time, when the resistance value ( a ) after aging and the initial resistance value ( i ) before aging were both less than 5 kV, it was represented as (circle), x when 5 kW or more, and "OPEN" when measurement was impossible.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 PCB 압흔PCB Indentation ×× ×× ×× ×× i[Ω]Ω i [Ω] 0.40.4 0.40.4 0.30.3 5.05.0 4.34.3 5.75.7 3.93.9 a[Ω]Ω a [Ω] 1.21.2 1.31.3 1.21.2 53.053.0 OPENOPEN OPENOPEN 29.129.1 a/Ωi Ω a / Ω i ×× OPENOPEN OPENOPEN ××

상기 표 3으로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 3의 이방도전필름은 모두 우수한 압흔 현상과 도통 신뢰성을 나타내었다. 반면에, 비교예 1 및 비교예 4의 이방도전필름은 압흔 특성이 나쁠 뿐만 아니라 에이징한 후의 저항치가 에이징전의 초기 저항치에 비해 9배 이상을 나타내었다. 또한, 비교예 2 및 비교예 3의 경우에는 에이징한 후 도통 불량을 나타내었다. As can be seen from Table 3, the anisotropic conductive films of Examples 1 to 3 all exhibited excellent indentation phenomenon and conduction reliability. On the other hand, the anisotropic conductive films of Comparative Examples 1 and 4 not only had poor indentation characteristics, but also exhibited a resistance value after aging of 9 times or more than the initial resistance value before aging. In addition, in the case of Comparative Example 2 and Comparative Example 3 showed poor conduction after aging.

따라서, 실시예 1 내지 실시예 3과 같은 경화거동지수(0.3≤τ≤0.75)와 탄성 모듈러스 거동(M2/M1≥10)을 가질 때, 이방도전필름의 접착성과 도통 신뢰성이 우수해짐을 확인할 수 있다. Therefore, when the hardening behavior index (0.3≤τ≤0.75) and the elastic modulus behavior (M 2 / M 1 ≥ 10) as in Examples 1 to 3, the adhesion and conduction reliability of the anisotropic conductive film is excellent. You can check it.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 상술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다. The following drawings, which are attached to this specification, illustrate exemplary embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the present invention, serve to further understand the technical spirit of the present invention. It should not be construed as limited to.

도 1은 대향하는 회로부재 사이에 이방도전필름이 개재된 상태도이다. 1 is a state diagram in which an anisotropic conductive film is interposed between opposing circuit members.

도 2는 이방도전필름의 온도에 따른 점도의 변화를 나타낸 그래프이다.2 is a graph showing the change in viscosity with temperature of the anisotropic conductive film.

도 3은 이방도전필름의 온도에 따른 탄성 모듈러스(modulus)의 변화를 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing a change in elastic modulus according to the temperature of the anisotropic conductive film.

도 4는 이방도전필름을 개재하여 칩과 유리 기판을 본딩하는 COG 방식의 접속 공정도이다.4 is a diagram illustrating a COG method of connecting a chip and a glass substrate through an anisotropic conductive film.

도 5는 이방도전필름을 개재하여 COF 또는 TCP를 유리 기판에 본딩하는 OLB 방식의 접속 공정도이다. 5 is an OLB connection process diagram for bonding COF or TCP to a glass substrate via an anisotropic conductive film.

도 6은 이방도전필름을 개재하여 COF 또는 TCP를 인쇄회로기판에 본딩하는 PCB 방식의 접속 공정도이다. FIG. 6 is a PCB process diagram of bonding COF or TCP to a printed circuit board through an anisotropic conductive film.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 이방도전필름 31 : 유리 기판10: anisotropic conductive film 31: glass substrate

32 : 인쇄회로기판 21 : 반도체 칩32: printed circuit board 21: semiconductor chip

22 : COF 또는 TCP 41 : 히팅바 22: COF or TCP 41: Heating bar

42 : 완충재 42: cushioning material

Claims (14)

반도체 칩과 유리 기판 사이에 개재되어 열압착됨으로써 상기 반도체 칩과 유리 기판을 기계적으로, 전기적으로 접속시키는 이방도전필름으로서, An anisotropic conductive film which is mechanically and electrically connected to the semiconductor chip and the glass substrate by being thermally compressed between the semiconductor chip and the glass substrate, 상기 이방도전필름은, 필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로서 에폭시계 열경화성 수지, 경화제, 도전 입자 및 이형 필름으로 이루어지고, The anisotropic conductive film is composed of a thermoplastic resin for forming a film, an epoxy-based thermosetting resin, a curing agent, conductive particles, and a release film as a binder, 아래의 수학식으로 표현되는 경화거동지수(τ)가 0.2 ~ 0.5 사이의 값을 가지며,The hardening behavior index (τ) expressed by the following equation has a value between 0.2 and 0.5, τ = [ta / ttotal]τ = [t a / t total ] (여기서, τ : 경화거동지수, ta : 경화율이 50%에 도달하는 시간, ttotal : 총 경화시간)Where τ = curing behavior index, t a : time when the curing rate reaches 50%, t total : total curing time) 경화 완료 후 상온에서의 탄성 모듈러스 M2와 경화 전 탄성 모듈러스 M1의 비 M2/M1가 10 이상인 것을 특징으로 하는 이방도전필름.Anisotropic conductive film, characterized in that the ratio M 2 / M 1 of the elastic modulus M 2 at room temperature after the completion of curing and the elastic modulus M 1 before curing. 제 1 회로부재와 제 2 회로부재 사이에 개재되어 완충재를 이용하여 열압착됨으로써 상기 제 1 회로부재와 제 2 회로부재를 기계적으로, 전기적으로 접속시키는 이방도전필름으로서, An anisotropic conductive film interposed between a first circuit member and a second circuit member and thermally compressed using a cushioning material to mechanically and electrically connect the first circuit member and the second circuit member. 상기 이방도전필름은, 필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로서 에폭시계 열경화성 수지, 경화제, 도전 입자 및 이형 필름으로 이루어지고,  The anisotropic conductive film is composed of a thermoplastic resin for forming a film, an epoxy-based thermosetting resin, a curing agent, conductive particles, and a release film as a binder, 아래의 수학식으로 표현되는 경화거동지수(τ)가 0.3 ~ 0.75 사이의 값을 가지며,The hardening behavior index (τ) expressed by the following equation has a value between 0.3 and 0.75, τ = [ta / ttotal]τ = [t a / t total ] (여기서, τ : 경화거동지수, ta : 경화율이 50%에 도달하는 시간, ttotal : 총 경화시간)Where τ = curing behavior index, t a : time when the curing rate reaches 50%, t total : total curing time) 경화 완료 후 상온에서의 탄성 모듈러스 M2와 경화 전 탄성 모듈러스 M1의 비 M2/M1가 10 이상인 것을 특징으로 하는 이방도전필름.Anisotropic conductive film, characterized in that the ratio M 2 / M 1 of the elastic modulus M 2 at room temperature after the completion of curing and the elastic modulus M 1 before curing. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제 1 회로부재는 COF 또는 TCP이고, 상기 제 2 회로부재는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 이방도전필름. The first circuit member is COF or TCP, and the second circuit member is an anisotropic conductive film, characterized in that the glass substrate. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제 1 회로부재는 COF 또는 TCP이고, 상기 제 2 회로부재는 인쇄회로기판인 것을 특징으로 하는 이방도전필름.The first circuit member is COF or TCP, and the second circuit member is an anisotropic conductive film, characterized in that the printed circuit board. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 반도체 칩과 유리 기판 사이에 상기 청구항 1에 기재된 이방도전필름을 개재하여 열압착하는 것에 의해 전기적으로, 기계적으로 접속된 회로접속구조체. A circuit connection structure electrically and mechanically connected between a semiconductor chip and a glass substrate by thermocompression bonding through the anisotropic conductive film of claim 1. 제 1 회로부재와 제 2 회로부재 사이에 상기 청구항 2에 기재된 이방도전필름을 개재하여 열압착하는 것에 의해 전기적으로, 기계적으로 접속된 회로접속구조체. A circuit connecting structure electrically and mechanically connected between a first circuit member and a second circuit member by thermocompression bonding through the anisotropic conductive film of claim 2. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12, 상기 제 1 회로부재는 COF 또는 TCP이고, 상기 제 2 회로부재는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 회로접속구조체.And the first circuit member is COF or TCP, and the second circuit member is a glass substrate. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12, 상기 제 1 회로부재는 COF 또는 TCP이고, 상기 제 2 회로부재는 인쇄회로기판인 것을 특징으로 하는 회로접속구조체.Wherein said first circuit member is a COF or TCP and said second circuit member is a printed circuit board.
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