KR100986772B1 - Anisotropic Conductive Film Having A Good Thermal And Hardening Property And Circuit Board Using The Same - Google Patents

Anisotropic Conductive Film Having A Good Thermal And Hardening Property And Circuit Board Using The Same Download PDF

Info

Publication number
KR100986772B1
KR100986772B1 KR1020080032666A KR20080032666A KR100986772B1 KR 100986772 B1 KR100986772 B1 KR 100986772B1 KR 1020080032666 A KR1020080032666 A KR 1020080032666A KR 20080032666 A KR20080032666 A KR 20080032666A KR 100986772 B1 KR100986772 B1 KR 100986772B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
anisotropic conductive
conductive film
curing
film
glass transition
Prior art date
Application number
KR1020080032666A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090107258A (en
Inventor
노준
이경준
한용석
박정범
조일래
김정선
우상욱
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020080032666A priority Critical patent/KR100986772B1/en
Priority to JP2009093631A priority patent/JP2009249634A/en
Priority to CNA2009101340512A priority patent/CN101556943A/en
Publication of KR20090107258A publication Critical patent/KR20090107258A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100986772B1 publication Critical patent/KR100986772B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736Metallic materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L21/603Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672Foil-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Abstract

본 발명은 피접속부재를 서로 기계적으로 뿐만 아니라 전기적으로 접속시키는 이방도전필름에 관한 것으로서, 필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로서 열경화성 수지, 경화제, 도전 입자 및 이형 필름으로 이루어지고, 유동 파라미터[λ = (Tc - Tg)/Tc), 여기서, λ는 유동 파라미터를 의미하고, Tc는 이방도전필름의 경화개시온도를 나타내며, Tg는 이방도전필름의 유리전이온도를 나타낸다)가 0.05 보다 크고, 0.4 보다 작은 값을 갖는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to an anisotropic conductive film that mechanically and electrically connects members to be connected to each other, and comprises a thermosetting resin, a curing agent, conductive particles, and a release film as a thermoplastic resin and a binder for forming a film. = (Tc-Tg) / Tc), where λ represents the flow parameter, Tc represents the curing initiation temperature of the anisotropic conductive film, Tg represents the glass transition temperature of the anisotropic conductive film) is greater than 0.05, 0.4 It is characterized by having a smaller value.

유리전이온도, 경화개시온도, 유동 파라미터, 이방도전필름(ACF) Glass transition temperature, curing start temperature, flow parameters, anisotropic conductive film (ACF)

Description

열적 특성과 경화 특성이 최적화된 이방도전필름 및 이를 이용한 회로접속구조체{Anisotropic Conductive Film Having A Good Thermal And Hardening Property And Circuit Board Using The Same}Anisotropic Conductive Film Having A Good Thermal And Hardening Property And Circuit Board Using The Same}

본 발명은 회로 기판 끼리 또는 IC 칩 등의 전자 부품과 배선기판과의 접속에 사용되는 이방도전필름 및 이를 이용한 회로 접속구조체에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 열적 특성과 경화 특성이 최적화되어 접속 신뢰성이 우수한 이방도전필름에 관한 것이다. The present invention relates to an anisotropic conductive film used for connecting circuit boards or electronic components such as IC chips and wiring boards, and a circuit connection structure using the same. More specifically, the thermal and hardening properties are optimized to improve connection reliability. It relates to an excellent anisotropic conductive film.

회로기판끼리 또는 IC 칩 등의 전자부품과 회로기판을 전기적으로 접속하기 위해서, 접착제에 도전입자가 분산되어 있는 이방도전필름이 사용되고 있다. 이 경우, 이방도전필름을 서로 대치하는 전극 사이에 배치하고, 가열, 가압에 의해 전극 끼리를 접속한 후, 가압 방향으로 도전성을 갖게 하는 것에 의해 전기적 접속을 행한다. 이러한 이방도전필름은 대표적으로 LCD 모듈에서, LCD 패널, 인쇄회로기판(PCB), 드라이버 IC 등의 패키징을 위해 사용된다. In order to electrically connect circuit boards or electronic components, such as an IC chip, and a circuit board, the anisotropic conductive film in which the electroconductive particle is disperse | distributed to the adhesive agent is used. In this case, the anisotropic conductive film is disposed between the electrodes facing each other, the electrodes are connected by heating and pressurization, and then electrically connected by making the conductive in the pressing direction. Such anisotropic conductive films are typically used for packaging LCD panels, printed circuit boards (PCBs), and driver ICs.

현재 LCD는 노트북 PC나 모니터 및 텔레비젼 대상의 대형 패널로부터 휴대전화나 PDA(Personal Digital Assistant), 게임기 등의 모바일 기기 대상의 중,소형 패널까지 다양한 용도에 적용되고 있으나, 이들의 LCD에는 이방도전필름에 의한 드라이버 IC의 실장이 채용되고 있다. LCD에서의 드라이버 IC 실장은, 드라이버 IC를 테이프 캐리어 패키지(TCP : Tape Carrier Package)화 하거나 COF(Chip On Film)화하고, 이것을 LCD 패널에 접착시키는 OLB(Outer Lead Bonding) 방식이나 프린트 회로기판(PCB : Printed Circuit Board)에 접착시키는 PCB 방식이 채용되고 있다. 또한, 휴대전화 등의 중,소형 LCD에서는, 드라이버 IC를 이방도전필름에 의해 직접 LCD 패널에 실장하는 COG(Chip On Glass) 방식이 채용되고 있다. LCDs are currently applied to a wide range of applications, from large panels for notebook PCs, monitors, and televisions to medium and small panels for mobile devices such as mobile phones, PDAs, and game machines. Driver IC mounting is adopted. Driver IC mounting in LCDs uses an OLB (Outer Lead Bonding) method or a printed circuit board that converts the driver IC into a Tape Carrier Package (TCP) or a Chip On Film (COF) and adheres it to the LCD panel. PCB: PCB type is attached to the printed circuit board. In addition, in small and medium-sized LCDs such as mobile phones, a COG (Chip On Glass) method in which a driver IC is directly mounted on an LCD panel by an anisotropic conductive film is adopted.

이와 같이, 회로기판끼리 또는 IC 칩 등의 전자부품과 회로기판을 이방도전필름을 이용하여 접속함에 있어서, 가장 문제가 되는 것은 접속 신뢰성이다. 즉, 이방도전필름에 있어서는 높은 접착성과 더불어 우수한 도통 신뢰성이 요구된다. As described above, connection reliability between the circuit boards and electronic components such as IC chips and the circuit board using an anisotropic conductive film is the most problematic. That is, in the anisotropic conductive film, excellent conduction reliability is required along with high adhesiveness.

따라서, 종래부터 이방도전필름의 접속 신뢰성을 개선하기 위하여 여러가지 노력들이 선행되어 왔다. 대표적으로는, 이방도전필름을 복층으로 형성하는 것과 같이 구조 변경을 시도하거나 접착제 조성물이나 도전 입자의 종류나 조성비를 조절하는 시도를 들 수 있다. Therefore, various efforts have been made in the past to improve the connection reliability of the anisotropic conductive film. Representative examples include attempting to change the structure, such as forming an anisotropic conductive film in multiple layers, or adjusting the type and composition ratio of the adhesive composition and the conductive particles.

그러나, 이방도전필름의 접속 신뢰성을 개선하기 위해서 열적 특성이나 경화 특성과 같이 이방도전 접착제 자체의 특성치를 조절하는 노력은 찾아 볼 수 없었다. However, in order to improve the connection reliability of the anisotropic conductive film, efforts to adjust the characteristic values of the anisotropic conductive adhesive itself, such as thermal properties or curing properties, have not been found.

본 발명은 이방도전필름의 접속 신뢰성을 좌우할 수 있는 핵심적인 특성 인자(즉, 유동 파라미터)를 찾아내고, 이렇게 찾아낸 특성 인자의 최적치를 구하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to find a key characteristic factor (i.e., a flow parameter) that can influence the connection reliability of an anisotropic conductive film, and to obtain an optimum value of the characteristic factor found.

본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.Other objects and advantages of the present invention can be understood by the following description, and will be more clearly understood by the embodiments of the present invention. Also, it will be readily appreciated that the objects and advantages of the present invention may be realized by the means and combinations thereof indicated in the claims.

이방도전필름은 필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로 사용되는 열경화성수지, 도전입자 및 이형필름으로 이루어지는 것으로서, 서로 대치하는 회로 부재 사이에 개재된 후 열압착에 의해 대향하는 회로 부재(즉, 피접속부재)를 서로 접착시키고, 전기적으로 접속시킨다. The anisotropic conductive film is composed of a thermoplastic resin for forming a film, a thermosetting resin used as a binder, conductive particles, and a release film. The anisotropic conductive film is interposed between circuit members opposing each other, and then opposed to each other by thermal compression (ie, to be connected). Members) are bonded to each other and electrically connected.

즉, 이방도전필름은 열압착시 가해지는 열을 이용하여 수지 성분(열가소성 수지 및 열경화성 수지)을 유동시킨 상태에서 압력을 인가함으로써 피접속부재를 서로 기계적으로 뿐만 아니라 전기적으로 접속시키는 접착 필름이다. 이방도전필름은 온도가 높아짐에 따라 점도가 낮아지다가 유리전이온도 이상이 되면 접속 특성을 구현할 수 있을 정도의 유동특성을 나타낸다. 또한, 이방도전필름에 경화개시온도 이상의 열이 가해지면, 열경화성수지가 경화되면서 다시 점도가 상승하게 된다. That is, the anisotropic conductive film is an adhesive film which connects the connected members mechanically as well as electrically to each other by applying pressure in a state in which a resin component (thermoplastic resin and thermosetting resin) is flowed using heat applied during thermocompression bonding. The anisotropic conductive film shows a flow characteristic that can realize the connection characteristics when the viscosity decreases as the temperature increases and the glass transition temperature is higher. In addition, when heat above the curing start temperature is applied to the anisotropic conductive film, the thermosetting resin is cured and the viscosity is increased again.

이때, 유리전이온도가 경화개시온도에 비해 상대적으로 너무 높거나 경화개시온도가 유리전이온도에 비해 상대적으로 너무 낮게 되면, 도전입자가 충분히 눌리기 전에 경화가 일어나서 접속신뢰성이 나빠진다. 또한, 유리전이온도가 경화개시온도에 비해 상대적으로 너무 낮거나 경화개시온도가 유리전이온도에 비해 상대적으로 너무 높으면, 유동특성구간이 지나치게 길어지게 되어서 버블의 발생과 같은 접착 성능의 문제가 발생한다. At this time, if the glass transition temperature is too high relative to the curing start temperature or the curing start temperature is relatively too low compared to the glass transition temperature, curing occurs before the conductive particles are sufficiently pressed, resulting in poor connection reliability. In addition, if the glass transition temperature is too low relative to the curing start temperature or the curing start temperature is too high relative to the glass transition temperature, the flow characteristic section becomes too long, causing problems of adhesion performance such as bubbles. .

이와 같이, 이방도전필름의 유리전이온도와 경화개시온도는 이방도전필름의 접속 신뢰성을 구현하는데 있어서 매우 중요하게 고려해야할 인자이다. 즉, 우수한 접속신뢰성을 갖는 이방도전필름을 만들기 위해서는 특정한 유동특성구간(η1 ~ η2)내에 유리전이온도와 경화개시온도를 적절한 온도차를 갖도록 위치시킬 필요가 있다. As such, the glass transition temperature and the curing start temperature of the anisotropic conductive film are very important factors to realize the connection reliability of the anisotropic conductive film. In other words, in order to make an anisotropic conductive film having excellent connection reliability, it is necessary to position the glass transition temperature and the curing start temperature within a specific flow characteristic interval η 1 to η 2 to have an appropriate temperature difference.

따라서, 본 발명자들은 이방도전필름의 유리전이온도와 경화개시온도간의 상관관계를 파악하고, 이 온도 사이를 조절하기 위한 새로운 인자를 창안하였다. 즉, 바람직한 접속신뢰성을 갖는 이방도전필름은 하기의 수학식 1로 표현되는 유동 파라미터가 소정의 수치범위내에 존재해야 한다. Therefore, the present inventors have grasped the correlation between the glass transition temperature and the curing start temperature of the anisotropic conductive film, and created a new factor for controlling the temperature. That is, in the anisotropic conductive film having desirable connection reliability, the flow parameter represented by Equation 1 below should exist within a predetermined numerical range.

λ = (Tc - Tg)/Tcλ = (Tc-Tg) / Tc

여기서, λ는 유동 파라미터를 의미하고, Tc는 이방도전필름의 경화개시온도[K]를 나타내며, Tg는 이방도전필름의 유리전이온도[K]를 나타낸다. Here, λ means a flow parameter, Tc represents the curing start temperature [K] of the anisotropic conductive film, and Tg represents the glass transition temperature [K] of the anisotropic conductive film.

본 발명에 따른 이방도전필름은 회로기판끼리 또는 IC 칩 등의 전자부품과 회로기판을 전기적으로 접속함에 있어서, 높은 접착성과 도통 신뢰성을 구현한다. The anisotropic conductive film according to the present invention realizes high adhesion and conduction reliability in electrically connecting circuit boards or electronic components such as IC chips and circuit boards.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 각 도면중에서 동일 부호는 동일 또는 동등한 구성요소를 나타내고 있다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same reference numerals indicate the same or equivalent components.

도 1은 본 발명에 따른 이방도전필름(10)이 서로 대향하는 회로기판(20, 30) 사이에 개재된 상태를 도시하고 있다. 1 shows a state in which anisotropic conductive film 10 according to the present invention is interposed between circuit boards 20 and 30 facing each other.

상기 이방도전필름(10)은 필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로서의 열경화성 수지, 경화제, 도전 입자, 이형 필름 및 기타 첨가제로 이루어진다. The anisotropic conductive film 10 is composed of a thermoplastic resin for forming a film, a thermosetting resin as a binder, a curing agent, conductive particles, a release film, and other additives.

상기 열가소성 수지로는 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 포르말, 폴리비닐 아세탈, 폴리아미드, 페녹시 수지, 폴리 원숭이폰, 스틸렌-부타디엔-스틸렌 블록 공중합체, 카르복실화 스틸렌-에틸렌-부틸렌-스틸렌 블록 공중합체, 폴리 아크릴레이트 수지 등을 30 ~ 60중량% 사용할 수 있다. Examples of the thermoplastic resin include polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polyvinyl acetal, polyamide, phenoxy resin, poly monkeyphone, styrene-butadiene-styrene block copolymer, carboxylated styrene-ethylene-butylene-styrene A block copolymer, polyacrylate resin, etc. can be used 30 to 60 weight%.

상기 열경화성 수지로는 에폭시계 수지 또는 아크릴레이트계 수지가 사용될 수 있다. An epoxy resin or an acrylate resin may be used as the thermosetting resin.

상기 에폭시계 수지로는 1분자내에 2개 이상의 글리시딜기를 갖는 다가의 에폭시 수지가 바람직한데, 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 단독 또는 혼합하여 5 ~ 45중량% 사 용할 수 있다. Preferred examples of the epoxy resin include polyvalent epoxy resins having two or more glycidyl groups in one molecule. For example, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, and biphenyls. 5 to 45 weight% can be used individually or in mixture of a type | mold epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, and a naphthalene type epoxy resin.

이때, 상기 경화제로는 에폭시 수지용 경화제가 바람직한데, 특히, 보존 안정성이 우수하고, 경화속도가 빠른 잠재성 경화제로서 이미다졸계 화합물, 아민계 화합물, 산무수물 화합물, 폴리아미드계 화합물 및 이소시아네이트계 화합물로부터 선택된 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 디쿠밀퍼옥사이드(dicumylperoxide), 티-부틸-쿠밀퍼옥사이드, 비스(알파-티-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 2,5-디(티-부틸퍼옥시)-2,5-디메틸헥신-3, 디테르부틸퍼옥사이드(diterbutylperoxide), 1,1-디(테르부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 엔-부틸-4,4-디-(테르부틸퍼옥시)밸러레이트, 1,1-디-테르부틸퍼옥시시클로헥산, 이소프로필큐밀테르부틸퍼옥사이드, 비스(알파-테르아밀퍼옥시이소프로필)벤젠, 이미다졸, 2-에틸 이미다졸, 2-페닐-4-메틸 이미다졸, 2-도데실 이미다졸, 2-페닐 이미다졸, 2-페닐-4-메틸 이미다졸, 4-메틸 이미다졸, 3불화붕소-아민 착체, 설포늄염, 아민이미드, 폴리아민의 염, 디시안디아미드 등으로부터 선택되는 조성물을 단독 또는 혼합하여 0.1 ~ 20중량% 사용할 수 있다. At this time, the curing agent is preferably a curing agent for epoxy resin, in particular, imidazole compound, amine-based as a latent curing agent excellent in storage stability, fast curing speed From compounds, acid anhydride compounds, polyamide compounds and isocyanate compounds Preference is given to using at least one selected. Specifically, dicumyl peroxide, thi-butyl- cumyl peroxide, bis (alpha-thi-butyl peroxyisopropyl) benzene, 2,5-di (thi-butylperoxy) -2,5- Dimethylhexine-3, diterbutylperoxide, 1,1-di (terbutylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, en-butyl-4,4-di- (terbutylperper Oxy) vallate, 1,1-di-terbutylperoxycyclohexane, isopropylcumylterbutylperoxide, bis (alpha-teramylperoxyisopropyl) benzene, imidazole, 2-ethyl imidazole, 2- Phenyl-4-methyl imidazole, 2-dodecyl imidazole, 2-phenyl imidazole, 2-phenyl-4-methyl imidazole, 4-methyl imidazole, boron trifluoride-amine complex, sulfonium salt, amineimide , And a composition selected from salts of polyamines, dicyandiamides and the like can be used alone or in a mixture of 0.1 to 20% by weight.

상기 아크릴레이트계 수지를 구성하는 아크릴레이트계 단량체로는 아크릴계 모노머, 메타크릴계 모노머, 말레이미드 화합물, 불포화폴리에스테르, 아크릴산, 비닐아세테이트, 아크릴로니트릴과 같이 라디칼에 의해 중합하는 관능기를 갖는 라디칼 중합성 수지가 사용되는데, 구체적으로는 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 비스페놀A-에틸렌글리콜 변성디아크릴레이트, 이소시아눌산 에틸렌글리콜 변성디아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리아크릴레이트, 트리메티롤프로판프로필렌글리콜변성트리아크릴레이트, 이소시아눌산에틸렌글리콜변성트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아클릴레이트, 에틸렌이소 아밀 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 부톡시 에틸 아크릴레이트, 에톡시 디에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시 트리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시 디프로필렌 글리콜 아크릴레이트, 페녹시 에틸 아크릴레이트, 페녹시 폴리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트, 2-히드록시 에틸 아크릴레이트, 2-히드록시 프로필 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 이소부틸 메타크릴레이트, 트리데실 메타크릴레이트, 메톡시 디에틸렌 글리콜 메타크릴레이트, 메톡시 폴리에스틸렌 글리콜 메타크릴레이트, 퍼프릴 메타크릴레이트, 퍼프릴 아크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, 이소보닐 메타크릴레이트, 메톡시 트리에틸렌 글리콜 메타크릴레이트 등이 단독 또는 2가지 이상이 혼합되어 사용될 수 있다. 이때, 상기 아크릴레이트계 단량체는 30 ~ 70중량% 함유되는 것이 바람직하다. As the acrylate monomer constituting the acrylate resin, radical polymerization having a functional group polymerized by radicals such as an acrylic monomer, a methacryl monomer, a maleimide compound, an unsaturated polyester, acrylic acid, vinyl acetate, and acrylonitrile The resin is used, specifically methyl acrylate, ethyl acrylate, bisphenol A-ethylene glycol modified diacrylate, isocyanuric acid ethylene glycol modified diacrylate, pentaerythritol triacrylate, trimetholpropane triacrylic Rate, trimetholpropane propylene glycol modified triacrylate, isocyanuric acid ethylene glycol modified triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dicyclopentenyl Acrylate, Tricyclodecanyl acrylate, ethylene iso amyl acrylate, lauryl acrylate, stearyl acrylate, butoxy ethyl acrylate, ethoxy diethylene glycol acrylate, methoxy triethylene glycol acrylate, methoxy polyethylene glycol Acrylates, methoxy dipropylene glycol acrylates, phenoxy ethyl acrylates, phenoxy polyethylene glycol acrylates, isobornyl acrylates, 2-hydroxy ethyl acrylates, 2-hydroxy propyl acrylates, methyl methacrylates, Isobutyl methacrylate, tridecyl methacrylate, methoxy diethylene glycol methacrylate, methoxy polystyrene glycol methacrylate, perryl methacrylate, perryl acrylate, isobutyl acrylate, isobornyl meth Acrylate, methoxy triethylene Glycol methacrylate or the like may be used alone or in combination of two or more thereof. At this time, the acrylate monomer is preferably contained 30 to 70% by weight.

또한, 상기 아크릴레이트계 수지를 위한 경화개시제로는 아조계 화합물, 유기과산화물이 사용 가능한데, 구체적으로는 디카노일퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드, 디큐밀퍼옥사이드(dicumylperoxide), 디부틸퍼옥사이드, 큐멘하이드로퍼옥사이드, 티-부틸-큐밀퍼옥사이드(t-butyl-cumylperoxide), 비스(알파-티-부틸퍼옥시이소프로필)벤젠, 2,5-디(티-부틸퍼옥시)-2,5-디메틸헥산, 2,5-디(티-부틸퍼옥시)-2,5-디메틸헥신-3, 디테르부틸퍼옥사이드(diterbutylperoxide), 1,1-디-테르부틸퍼옥시시클로헥산, 이소프로필큐밀테르부틸퍼옥사이드, 비스(알파-테르아밀퍼옥시이소프로필)벤젠 등으로부터 선택되는 조성물을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 이때, 상기 경화개시제는 0.1 ~ 30중량% 함유되는 것이 바람직하다. In addition, an azo compound and an organic peroxide may be used as the curing initiator for the acrylate resin, specifically, dicanoyl peroxide, benzoyl peroxide, dicumyl peroxide, dibutyl peroxide, cumene hydroper Oxide, t-butyl-cumylperoxide, bis (alpha-thi-butylperoxyisopropyl) benzene, 2,5-di (thi-butylperoxy) -2,5-dimethylhexane , 2,5-di (thi-butylperoxy) -2,5-dimethylhexine-3, diterbutylperoxide, 1,1-di-terbutylperoxycyclohexane, isopropylcumylterbutyl A composition selected from peroxides, bis (alpha-teramylperoxyisopropyl) benzene and the like can be used alone or in combination. At this time, the curing initiator is preferably contained 0.1 to 30% by weight.

상기 도전 입자는, 미세 회로 전극 등 피접속체를 전기적으로 접속하기 위한 것으로서, 융점 및 경도가 높고 도전성이 우수한 입자를 광범위하게 사용할 수 있다. 이러한 도전 입자로서는 금(Au), 은(Ag), 철(Fe), 구리(Cu), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 비스무스(Bi), 인듐(In), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 플라티늄(Pt), 크롬(Cr) 등이 코팅된 폴리스티렌, 폴리메타아크릴레이트, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리비닐아세테이트, 디비닐벤젠, 벤조구아나민 등을 예시할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 도전 입자로는 은 분말이나 니켈 분말을 그대로 사용할 수도 있다. 이때, 도전 입자는 입도 편차가 ±0.1㎛이내의 균일한 입도 분포를 갖고, 직경이 3 ~ 20㎛인 것을 1 ~ 10중량% 사용하는 것이 바람직하다. The said electroconductive particle is for electrically connecting a to-be-connected body, such as a microcircuit electrode, and can use a wide range of particle | grains which are high in melting | fusing point and hardness, and excellent in electroconductivity. Such conductive particles include gold (Au), silver (Ag), iron (Fe), copper (Cu), nickel (Ni), cadmium (Cd), bismuth (Bi), indium (In), aluminum (Al), palladium (Pd), platinum (Pt), chromium (Cr) and the like, polystyrene, polymethacrylate, polymethylmethacrylate, polyvinylacetate, divinylbenzene, benzoguanamine and the like can be exemplified. As the conductive particles of the present invention, silver powder or nickel powder may be used as it is. At this time, it is preferable to use 1-10 weight% of conductive particle which has a uniform particle size distribution within ± 0.1 micrometer, and whose diameter is 3-20 micrometers.

기타, 첨가제로서 커플링제, 접착 부여제 등이 부가적으로 사용될 수 있다. In addition, coupling agents, tackifiers, and the like may additionally be used as additives.

상기와 같은 구성을 갖는 이방도전필름은 열가소성 수지의 종류나 함량, 열경화성 수지의 종류나 함량, 경화제나 경화개시제의 종류나 함량 및 첨가제의 종류 등을 변경하는 것에 의해 아래에서 상세하게 설명하는 유동 파라미터(λ)를 다양하게 조절하는 것이 가능하다. The anisotropic conductive film having the above-described configuration is a flow parameter described in detail below by changing the type or content of the thermoplastic resin, the type or content of the thermosetting resin, the type or content of the curing agent or curing initiator and the type of the additive, etc. It is possible to adjust (λ) in various ways.

이하에서, 이방도전필름의 접속 신뢰성(접착성, 도통 신뢰성)을 나타내는 지표로서의 유동 파라미터(λ)를 상세하게 설명한다. Below, the flow parameter (lambda) as an index which shows the connection reliability (adhesiveness, conduction reliability) of an anisotropic conductive film is demonstrated in detail.

도 2는 이방도전필름의 온도에 따른 점도의 변화를 나타낸 그래프이다. 도면 을 참조하면, 이방도전필름이 열을 받게 되면, 특정 온도까지 점도가 낮아지다가 경화가 시작되면서 점도가 증가한다. 이때, 이방도전필름의 경화시 점도가 특정 점도(η2)를 초과하게 되면, 도전 입자가 충분히 눌릴 정도의 유동성을 보이지 않게 되고, 특정 점도(η1)를 하회하면, 유동성이 지나쳐서 버블 특성 및 접착 특성이 나빠진다. 즉, 도 2의 B영역에서, 이방도전필름은 도전 입자가 열압착에 의해 눌릴 정도의 충분한 유동성을 보이고 있다. 그러나, C영역에서는 유동성이 떨어지게 되어 도전 입자가 충분히 눌리지 않게 되고, A영역에서는 유동성이 지나쳐서 버블 특성 및 접착 특성이 나빠진다. 2 is a graph showing the change in viscosity with temperature of the anisotropic conductive film. Referring to the drawings, when the anisotropic conductive film receives heat, the viscosity is lowered to a certain temperature and then the viscosity increases as curing begins. At this time, when the viscosity at the time of curing of the anisotropic conductive film exceeds a specific viscosity (η 2 ), the fluidity does not show enough that the conductive particles are sufficiently pressed, and when the viscosity is lower than the specific viscosity (η 1 ), the fluidity is excessive and the bubble characteristics and Adhesion properties deteriorate. That is, in the region B of FIG. 2, the anisotropic conductive film shows sufficient fluidity such that the conductive particles are pressed by thermocompression bonding. However, in the region C, the fluidity is lowered, so that the conductive particles are not sufficiently pressed, and in the region A, the fluidity is excessive, and the bubble property and the adhesive property deteriorate.

따라서, 이방도전필름은 도전 입자가 충분히 눌리게 될 때까지 도 2의 B영역에 머물러 있어야 한다. 이를 위해서는 이방도전필름의 유리전이온도(Tg)와 경화개시온도(Tc)가 소망한 값을 가져야 하고, 그 온도차(△T=Tc-Tg)가 적절해야 한다. Therefore, the anisotropic conductive film should remain in region B of FIG. 2 until the conductive particles are sufficiently pressed. For this purpose, the glass transition temperature (Tg) and curing start temperature (Tc) of the anisotropic conductive film should have a desired value, and the temperature difference (ΔT = Tc-Tg) should be appropriate.

도 3은 유리전이온도가 서로 상이한 4가지 이방도전필름의 온도에 따른 점도의 변화를 나타낸 그래프이다. 도면을 참조하면, a,b,c,d는 유리전이온도가 각각 Tga, Tgb, Tgc, Tgd(Tgd<Tga<Tgb<Tgc)인 이방도전필름으로서, a, b는 경화시 점도가 B영역에 머무르게 되고, c는 경화시 점도가 C영역에 머무르게 되며, d는 경화시 점도가 A영역에 머무르게 된다. 3 is a graph showing a change in viscosity with temperature of four anisotropic conductive films having different glass transition temperatures. Referring to the drawings, a, b, c, and d are anisotropic conductive films having glass transition temperatures of Tga, Tgb, Tgc, and Tgd (Tgd <Tga <Tgb <Tgc), respectively, where a and b have a viscosity B region upon curing. In the case of c, the viscosity remains in the region C during curing, and d is the viscosity in the region A during curing.

따라서, 이방도전필름이 우수한 접속신뢰성을 갖기 위해서는 도 3의 a,b와 같이 적절한 유리전이온도를 가져야 한다. 만약, 이방도전필름의 유리전이온도가 d와 같이 너무 낮거나 c와 같이 너무 높게 되면, 충분한 도전볼 눌림 특성이나 접착 성능을 나타내는 유동특성을 가질 수 없다. Therefore, in order for an anisotropic conductive film to have excellent connection reliability, it must have an appropriate glass transition temperature as shown in FIGS. If the glass transition temperature of the anisotropic conductive film is too low, such as d, or too high, such as c, it may not have sufficient conductive ball pressing characteristics or flow characteristics indicating adhesive performance.

도 4는 경화개시온도가 서로 상이한 4가지 이방도전필름의 온도에 따른 점도의 변화를 나타낸 그래프이다. 도면을 참조하면, e, f, g, h는 경화개시온도가 각각 Tce, Tcf, Tcg, Tch(Tcg<Tcf<Tce<Tch)인 이방도전필름으로서, e, f는 경화시 점도가 B영역에 머무르게 되고, g는 경화시 점도가 C영역에 머무르게 되며, h는 경화시 점도가 A영역에 머무르게 된다. Figure 4 is a graph showing the change in viscosity with the temperature of the four anisotropic conductive films different from the curing start temperature. Referring to the drawings, e, f, g, and h are anisotropic conductive films having curing start temperatures Tce, Tcf, Tcg, and Tch (Tcg <Tcf <Tce <Tch), respectively. In the case of g, the viscosity remains in the region C during curing, and the h stays in the region A during curing.

따라서, 이방도전필름이 우수한 접속신뢰성을 갖기 위해서는 도 4의 e,f와 같이 적절한 경화개시온도를 가져야 한다. 만약, 이방도전필름의 경화개시온도가 g와 같이 너무 낮거나 h와 같이 너무 높게 되면, 충분한 도전볼 눌림 특성이나 접착 성능을 나타내는 유동특성을 가질 수 없다. Therefore, in order for an anisotropic conductive film to have excellent connection reliability, it should have an appropriate curing start temperature as shown in FIG. If the curing start temperature of the anisotropic conductive film is too low, such as g, or too high, such as h, it may not have sufficient conductive ball pressing characteristics or flow characteristics indicating adhesive performance.

또한, 이방도전필름은 유리전이온도에 도달하자마자 경화가 시작되거나 유리전이온도에 도달한 상태에서 경화가 너무 늦게 이루어져도 안된다. 만약, 이방도전필름이 유리전이온도에 도달하자마자 경화가 시작되면, 도전 입자가 충분히 눌리지 않게 된다. 따라서, 이방도전필름의 경화개시온도(Tc)[K]는 유리전이온도(Tg)[K] 보다 20[K]이상의 큰 값을 갖는 것이 바람직하다. In addition, the anisotropic conductive film should be cured as soon as the glass transition temperature is reached, or the curing should not be made too late while the glass transition temperature is reached. If curing is started as soon as the anisotropic conductive film reaches the glass transition temperature, the conductive particles are not sufficiently pressed. Therefore, the curing start temperature (Tc) [K] of the anisotropic conductive film preferably has a value of 20 [K] or more larger than the glass transition temperature (Tg) [K].

이와 같이, 이방도전필름은 경화시 점도가 유동특성구간(도 2 내지 도 4의 B영역)내에 존재할 수 있도록 유리전이온도와 경화개시온도가 정의되어야 하고, 경화개시온도와 유리전이온도는 일정한 온도차(△T=Tc-Tg>20[K])를 가져야 한다. As described above, in the anisotropic conductive film, the glass transition temperature and the curing start temperature should be defined so that the viscosity at the time of curing is present in the flow characteristic region (B region of FIGS. 2 to 4), and the curing start temperature and the glass transition temperature have a constant temperature difference. (ΔT = Tc-Tg> 20 [K]).

이러한, 이방도전필름의 유동 특성을 아래의 수학식 2로 표현되는 유동 파라미터(λ)로 표현할 수 있다. Such a flow characteristic of the anisotropic conductive film may be expressed by a flow parameter λ represented by Equation 2 below.

λ = (Tc - Tg)/Tcλ = (Tc-Tg) / Tc

여기서, λ는 유동파라미터를 의미하고, Tc는 이방도전필름의 경화개시온도를 나타내며, Tg는 이방도전필름의 유리전이온도를 나타낸다. Here, λ means a flow parameter, Tc represents the curing start temperature of the anisotropic conductive film, Tg represents the glass transition temperature of the anisotropic conductive film.

본 발명자들은 이러한 이방도전필름의 유동파라미터(λ)의 값을 적절히 조절하는 것에 의해 우수한 접속 신뢰성을 갖는 이방도전필름의 제조가 가능함을 알게 되었다. The present inventors have found that the anisotropic conductive film having excellent connection reliability can be manufactured by appropriately adjusting the value of the flow parameter λ of the anisotropic conductive film.

즉, 우수한 접속 신뢰성을 갖는 이방도전필름은 유동 파라미터(λ)가 0.05 보다 크고, 0.4 보다 작아야 한다.(즉, 0.05 < λ < 0.4) 이때, 이방도전필름의 경화개시온도는 323K ~ 393K를 갖는 것이 바람직하고, 경화개시온도와 유리전이온도의 온도차는 20K 이상인 것이 바람직하다. That is, the anisotropic conductive film having excellent connection reliability should have a flow parameter λ greater than 0.05 and less than 0.4 (that is, 0.05 <λ <0.4). At this time, the curing start temperature of the anisotropic conductive film has 323K to 393K. It is preferable that the temperature difference between the curing start temperature and the glass transition temperature is 20 K or more.

만약, 이방도전필름의 유동 파라미터(λ)가 0.05 보다 작게 되면, 급격한 경화로 인해 도전 입자가 충분히 눌리기 전에 경화가 완료되기 때문에 압흔 불량이 발생하고, 유동파라미터(λ)가 0.4 보다 크게 되면, 과도한 유동성으로 인해 버블 특성 및 접착 특성이 나빠진다. If the flow parameter (λ) of the anisotropic conductive film is less than 0.05, indentation failure occurs because the curing is completed before the conductive particles are sufficiently pressed due to rapid curing, and if the flow parameter (λ) is larger than 0.4, Excessive fluidity leads to poor bubble and adhesion properties.

상기 유동 파라미터(λ)는 이방도전필름을 구성하는 열가소성수지, 열경화성수지(에폭시 수지 또는 아크릴레이트계 수지), 경화제(또는 경화개시제), 첨가제 등의 종류와 양을 변경하는 것에 의해 조절 가능하다.The flow parameter [lambda] can be adjusted by changing the types and amounts of thermoplastic resins, thermosetting resins (epoxy resins or acrylate resins), curing agents (or curing initiators), and additives constituting the anisotropic conductive film.

이방도전필름의 경화개시온도(Tc)는 경화제나 경화개시제의 종류에 따라 달라진다. The curing start temperature (Tc) of the anisotropic conductive film depends on the type of curing agent or curing initiator.

아래의 표 1은 대표적인 경화제들의 반감기 온도(Half-life 온도 : 경화제가 일정 시간동안 절반으로 감소하는 온도를 나타내는 척도로서 경화개시온도와 비례한다)를 예시하고 있다. Table 1 below illustrates the half-life temperature of typical curing agents (half-life temperature: a measure of the temperature at which the curing agent decreases in half for a period of time) and is proportional to the curing start temperature.

경화제Hardener Half-life 온도[K]Half-life temperature [K] Decanoyl PeroxideDecanoyl peroxide 356 K356 K Succinic Acid PeroxideSuccinic Acid Peroxide 363 K363 K Benzoyl PeroxideBenzoyl peroxide 365 K365 K Dicumyl PeroxideDicumyl Peroxide 410 K410 K 2,5-Di(t-butylperoxy)-2,5-dimethylhexane2,5-Di (t-butylperoxy) -2,5-dimethylhexane 413 K413 K Di(t-butyl) PeroxideDi (t-butyl) Peroxide 423 K423 K Cumene HydroperoxideCumene Hydroperoxide 461 K461 K t-Butyl Hydroperoxidet-Butyl Hydroperoxide 474 K474 K

상기 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 경화제들 각각은 반감기 온도가 서로 상이하고, 이로 인해 서로 다른 반감기 온도를 가진 경화제를 사용한 이방도전필름의 경화개시온도(Tc) 역시 달라지게 된다. 즉, 반감기 온도가 낮아 경화속도가 빠른 경화제를 사용한 이방도전필름은 경화개시온도가 낮아짐으로써 유동 파라미터(λ) 역시 낮아지게 된다. 반면에, 반감기 온도가 높아 경화속도가 느린 경화제를 사용한 이방도전필름은 경화개시온도가 높아짐으로써 유동 파라미터(λ) 역시 높아진다. As can be seen from Table 1, each of the curing agents are different from each other half-life temperature, thereby causing the curing start temperature (Tc) of the anisotropic conductive film using a curing agent having a different half-life temperature. That is, the anisotropic conductive film using a curing agent having a low half-life temperature and a fast curing rate also lowers the flow parameter λ by lowering the curing start temperature. On the other hand, the anisotropic conductive film using a curing agent having a high half-life temperature and a slow curing rate also increases the flow parameter λ by increasing the curing start temperature.

따라서, 모든 조건이 동일한 상태에서 반감기 온도가 서로 상이한 경화제(또는 경화개시제)를 사용하는 것만으로도 이방도전필름의 유동파라미터(λ)를 0.05 보다 크고, 0.4 보다 작게 조절하는 것이 가능하다. Therefore, it is possible to adjust the flow parameter (λ) of the anisotropic conductive film to be larger than 0.05 and smaller than 0.4 only by using a curing agent (or curing initiator) having different half-life temperatures under the same conditions.

또한, 반감기 온도가 동일한 경화제를 사용하더라도 그 양을 늘리게 되면, 유동 파라미터(λ)는 낮아지고, 그 양을 줄이게 되면, 유동 파라미터(λ)는 높아진다. In addition, even if a curing agent having the same half-life temperature is used, when the amount is increased, the flow parameter λ is lowered, and when the amount is decreased, the flow parameter λ is increased.

따라서, 모든 조건이 동일한 상태에서 경화제의 함량을 조절하는 것에 의해 이방도전필름의 유동 파라미터(λ)를 0.05 보다 크고, 0.4 보다 작게 조절하는 것이 가능하다. Therefore, it is possible to adjust the flow parameter (λ) of the anisotropic conductive film to be larger than 0.05 and smaller than 0.4 by adjusting the content of the curing agent under all conditions.

또한, 유동파라미터를 정의하는 이방도전필름의 유리전이온도(Tg)는 열경화성 수지의 종류, 열가소성 수지의 종류 또는 이들의 성분비에 의해서 조절되며, 이들의 다양한 조합에 의해 이방도전필름의 우수한 특성을 유지하면서 다양한 유리전이온도의 발현이 가능하다. 특히, 이방도전필름의 유리전이온도는 열가소성 수지의 유리전이온도에 크게 좌우된다. In addition, the glass transition temperature (Tg) of the anisotropic conductive film defining the flow parameter is controlled by the type of thermosetting resin, the type of thermoplastic resin, or the component ratio thereof, and maintains excellent characteristics of the anisotropic conductive film by various combinations thereof. It is possible to express various glass transition temperatures. In particular, the glass transition temperature of the anisotropic conductive film largely depends on the glass transition temperature of the thermoplastic resin.

아래의 표 2는 대표적인 열가소성 수지들의 유리전이온도를 예시하고 있다. Table 2 below illustrates the glass transition temperatures of representative thermoplastic resins.

열가소성 수지Thermoplastic resin 유리전이온도 [K]Glass transition temperature [K] 폴리에틸렌Polyethylene 143 K143 K 폴리디메틸실록산Polydimethylsiloxane 150 K150 K 폴리테트라플루오르에틸렌Polytetrafluoroethylene 160 K160 K 폴리부타디엔Polybutadiene 188 K188 K 폴리우레탄Polyurethane 213 K213 K 폴리메틸아크릴레이트Polymethyl acrylate 282 K282 K 폴리염화비닐Polyvinyl chloride 355 K355 K 폴리메틸메타아크릴레이트Polymethyl methacrylate 378 K378 K

상기 표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 열가소성 수지의 유리전이온도는 각기 상이하고, 이러한 열가소성 수지를 사용한 이방도전필름의 유리전이온도 역시 각각 달라지게 된다. 일반적으로, 유리전이온도가 높은 열가소성수지를 사용한 이방도전필름의 유리전이온도는 높아지고, 유리전이온도가 낮은 열가소성수지를 사용한 이방도전필름의 유리전이온도는 낮아지게 된다. As can be seen from Table 2, the glass transition temperature of the thermoplastic resin is different, and the glass transition temperature of the anisotropic conductive film using the thermoplastic resin is also different. In general, the glass transition temperature of the anisotropic conductive film using a thermoplastic resin having a high glass transition temperature is high, and the glass transition temperature of the anisotropic conductive film using a thermoplastic resin having a low glass transition temperature is low.

따라서, 모든 조건이 동일한 상태에서 유리전이온도가 서로 상이한 열가소성 수지를 사용하는 것만으로도 이방도전필름의 유동파라미터(λ)를 0.05 보다 크고, 0.4 보다 작게 조절하는 것이 가능하다. Therefore, it is possible to adjust the flow parameter? Of the anisotropic conductive film to be larger than 0.05 and smaller than 0.4 even by using thermoplastic resins having different glass transition temperatures under the same conditions.

또한, 라디칼 경화 지연 효과를 가진 열가소성 수지(예를 들어, 메타크릴레이트계, 말레이미드 화합물, 불포화폴리에스테르, 아크릴산, 비닐아세테이트, 아크릴로니트릴 등과 같은 아크릴계 다관능성 단량체)를 사용할 경우, 경화속도의 조절이 가능해져 유동파라미터의 조절이 가능하다. In addition, when a thermoplastic resin having a radical curing retardation effect (for example, an acrylic polyfunctional monomer such as methacrylate, maleimide compound, unsaturated polyester, acrylic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, etc.) is used, It is possible to adjust the flow parameters.

또한, 열경화성 단랑체(즉, 아크릴레이트계 단량체)의 변경을 통해서도 유동 파라미터의 조절이 가능하다. 즉, 열경화성 단량체의 관능기의 수 및 분자량 조절을 통해서 반응 속도 및 경화 밀도를 조절할 수 있고, 결과적으로 유동 파라미터를 조절할 수 있다. 즉, 일반적으로 관능기의 수가 많아지면 반응 속도가 빨라지고, 가교 밀도가 증가하게 되어 유동 파라미터는 낮아진다. 반대로, 관능기의 수가 적어지면, 반응 속도가 느려지고, 가교 밀도가 낮아지게 되어 유동 파라미터는 높아진다. In addition, it is possible to control the flow parameters through the change of the thermosetting monolayer (ie, the acrylate monomer). That is, the reaction rate and the curing density can be controlled by controlling the number and molecular weight of the functional groups of the thermosetting monomer, and consequently, the flow parameters can be controlled. That is, generally, the larger the number of functional groups, the faster the reaction rate, the higher the crosslinking density, and the lower the flow parameter. Conversely, the smaller the number of functional groups, the lower the reaction rate, the lower the crosslinking density, and the higher the flow parameters.

또한, 라디칼 경화 촉진제, 체인트랜스퍼 보조제, 분자량 조절제 등을 사용하여 유동 파라미터를 조절할 수 있으며, 이방도전필름을 구성하는 열가소성 수지, 열경화성 수지(에폭시계 수지 또는 아크릴레이트계 단량체) 및 경화제(또는 경화개시제)의 조성비를 조절하는 것에 의해서도 유동 파라미터(λ)를 0.05 보다 크고, 0.4 보다 작게 조절할 수 있다. In addition, the flow parameters may be controlled using radical curing accelerators, chain transfer aids, molecular weight regulators, etc. The flow parameter λ can also be adjusted to be larger than 0.05 and smaller than 0.4 by adjusting the composition ratio of h).

이하에서, 여러가지 유동 파라미터(λ)를 갖는 다수의 이방도전필름을 제조하고, 이렇게 제조된 이방도전필름에 대하여 접속 저항 특성치를 측정하고, 필름형성성을 관찰한 후 그 결과를 테이블로 정리하였다. Hereinafter, a plurality of anisotropic conductive films having various flow parameters (λ) were prepared, the connection resistance characteristic values of the anisotropic conductive films thus prepared were measured, the film formability was observed, and the results are summarized in a table.

[이방도전필름의 제조][Production of Anisotropic Conductive Film]

필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로서의 에폭시계 열경화성 수지(또는 아크릴레이트계 단량체), 경화제(또는 경화개시제)로 이루어지는 접착제 조성물을 유기용제에 용해 또는 분산하고, 또한 도전 입자를 분산하여 필름 도공용 용액을 제조한다. 이때, 사용되는 유기 용제는 방향족 탄화수소계와 함산소계의 혼합 용제가 재료의 용해성을 향상시키기 때문에 바람직하다. 뒤이어, 이 용액을 편면을 표면 처리한 투명 PET 필름에 도공장치를 이용하여 도포하고, 70℃, 10분의 열풍 건조에 의하여 이방도전필름을 얻는다.A solution for coating a film by dissolving or dispersing an adhesive composition comprising a thermoplastic resin for forming a film, an epoxy thermosetting resin (or an acrylate monomer) as a binder, a curing agent (or a curing initiator) in an organic solvent, and further dispersing conductive particles. To prepare. The organic solvent used at this time is preferable because the mixed solvent of an aromatic hydrocarbon type and an oxygen type improves the solubility of a material. Subsequently, this solution is apply | coated to the transparent PET film which surface-treated the single side | surface using the tapping machine value, and an anisotropic conductive film is obtained by 70 degreeC hot air drying for 10 minutes.

[회로접속 구조체의 제조][Manufacture of circuit connection structure]

도 5는 이방도전필름을 개재하여 COF 또는 TCP를 유리 기판 또는 PCB 기판에 본딩하는 OLB 방식 또는 PCB 방식의 접속 공정을 설명하고 있다. 5 illustrates an OLB method or a PCB method connection process for bonding COF or TCP to a glass substrate or a PCB substrate through an anisotropic conductive film.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 이방도전필름(10)을 유리 기판 또는 PCB 기판(31) 위에 가 압착하고, 이 이방도전필름위에 COF 또는 TCP(22)를 대향 배치한다. 그 후, COF 또는 TCP(22) 위에 0.15T의 테프론 시트로 이루어진 완충재(42)를 개재하고, 히팅바(41)를 이용하여 180℃, 3MPa의 조건에서 7초 동안 가열, 가압하여 회로 접속구조체를 제작한다. As shown in the figure, the anisotropic conductive film 10 according to the present invention is pressed on a glass substrate or a PCB substrate 31, and the COF or TCP 22 is disposed on the anisotropic conductive film. Subsequently, the circuit connection structure was heated and pressurized for 7 seconds at 180 ° C. and 3 MPa using a heating bar 41 through a buffer 42 made of 0.15T Teflon sheet on the COF or TCP 22. To produce.

이때, 상기 회로 접속구조체에 사용되는 이방도전필름은 아래와 같은 유리전이온도(Tg) 및 경화개시온도(Tc)를 갖도록 제작된다. At this time, the anisotropic conductive film used for the circuit connection structure is manufactured to have the following glass transition temperature (Tg) and curing start temperature (Tc).

실시예 1Example 1

유리전이온도(Tg)가 236K이고, 경화개시온도(Tc)가 373K인 이방도전필름(λ=0.29)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로 접속구조체에 적용하였다.An anisotropic conductive film (λ = 0.29) having a glass transition temperature (Tg) of 236K and a curing start temperature (Tc) of 373K was produced, and the anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

실시예 2Example 2

유리전이온도(Tg)가 283K이고, 경화개시온도(Tc)가 373K인 이방도전필름(λ=0.24)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로 접속구조체에 적용하였다.An anisotropic conductive film (λ = 0.24) having a glass transition temperature (Tg) of 283K and a curing start temperature (Tc) of 373K was produced, and the anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

실시예 3Example 3

유리전이온도(Tg)가 273K이고, 경화개시온도(Tc)가 393K인 이방도전필름(λ=0.31)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로 접속구조체에 적용하였다.An anisotropic conductive film (λ = 0.31) having a glass transition temperature (Tg) of 273K and a curing start temperature (Tc) of 393K was produced, and the anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

실시예 4Example 4

유리전이온도(Tg)가 278K이고, 경화개시온도(Tc)가 353K인 이방도전필름(λ=0.21)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로 접속구조체에 적용하였다.An anisotropic conductive film (λ = 0.21) having a glass transition temperature (Tg) of 278K and a curing start temperature (Tc) of 353K was produced, and the anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 1Comparative Example 1

유리전이온도(Tg)가 357K이고, 경화개시온도(Tc)가 373K인 이방도전필름(λ=0.04)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로 접속구조체에 적용하였다.An anisotropic conductive film (λ = 0.04) having a glass transition temperature (Tg) of 357K and a curing start temperature (Tc) of 373K was produced, and the anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 2Comparative Example 2

유리전이온도(Tg)가 213K이고, 경화개시온도(Tc)가 373K인 이방도전필름(λ=0.43)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로 접속구조체에 적용하였다.An anisotropic conductive film (λ = 0.43) having a glass transition temperature (Tg) of 213K and a curing start temperature (Tc) of 373K was produced, and the anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 3Comparative Example 3

유리전이온도(Tg)가 282K이고, 경화개시온도(Tc)가 295K인 이방도전필름(λ=0.04)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로 접속구조체에 적용하였다.An anisotropic conductive film (λ = 0.04) having a glass transition temperature (Tg) of 282K and a curing start temperature (Tc) of 295K was produced, and the anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 4Comparative Example 4

유리전이온도(Tg)가 274K이고, 경화개시온도(Tc)가 472K인 이방도전필름(λ=0.42)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로 접속구조체에 적용하였다.An anisotropic conductive film (λ = 0.42) having a glass transition temperature (Tg) of 274K and a curing start temperature (Tc) of 472K was produced, and the anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

비교예 5Comparative Example 5

유리전이온도(Tg)가 275K이고, 경화개시온도(Tc)가 484K인 이방도전필름(λ=0.43)을 제작하고, 이 이방도전필름을 상기 회로 접속구조체에 적용하였다.An anisotropic conductive film (λ = 0.43) having a glass transition temperature (Tg) of 275K and a curing start temperature (Tc) of 484K was produced, and the anisotropic conductive film was applied to the circuit connection structure.

상기한 실시예 및 비교예를 통해 제작된 이방도전필름에 대하여 하기와 같이 (1) 도통 신뢰성 테스트 및 (2) 필름형성성 테스트를 실시하고, 그 결과를 표 3에 나타내었다. For the anisotropic conductive film produced through the above Examples and Comparative Examples, (1) conduction reliability test and (2) film formability test were performed, and the results are shown in Table 3.

(1) 도통 신뢰성 테스트(1) conduction reliability test

85℃의 온도 및 85% 상대습도에서 500시간 동안 에이징한 후의 저항치(Ωa)를 멀티미터를 이용하여 측정하였다. A resistance value (Ω a) after temperature and 85% in 85 ℃ the aging for 500 hours at a relative humidity was measured using a multimeter.

이때, 에이징한 후의 저항치(Ωa)가 측정되지 않은 경우에는 "OPEN"으로 표시하였다.At this time, when the resistance value Ω a after aging was not measured, "OPEN" was indicated.

(2) 필름형성성 테스트(2) film formability test

본 발명의 제조방법에 따라 믹싱액을 제조하고 이 용액을 편면을 표면 처리한 투명 PET 필름에 도공장치를 이용하여 도포하고, 70℃, 10분의 열풍 건조에 의하여 이방도전필름을 얻는 과정에서 최종필름이 육안관찰시 상분리 및 불균일 혼합이 관찰되지않고, 투명 PET 필름 제거시 무리없이 제거가 가능한 경우에는 O, 그렇지 않고, 필름형성 자체가 안되거나, 상분리 및 불균일 혼합이 관찰되고, 투명 PET 필름이 믹싱액의 점착성으로 인해 제거가 어려운 경우는 X로 표시하였다. According to the preparation method of the present invention, a mixing solution is prepared, and the solution is applied to a transparent PET film having a single surface surface treated using a tapping machine, and finally obtained in the process of obtaining an anisotropic conductive film by hot air drying at 70 ° C. for 10 minutes. When the film is visually observed, phase separation and non-uniform mixing are not observed, and when the transparent PET film can be removed without difficulty, O, otherwise, no film formation itself is observed, or phase separation and non-uniform mixing are observed. In case where the removal is difficult due to the adhesion of the mixing solution, it is indicated by X.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예4Example 4 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 비교예 5Comparative Example 5 λλ 0.290.29 0.240.24 0.310.31 0.210.21 0.040.04 0.430.43 0.040.04 0.420.42 0.430.43 a[Ω]Ω a [Ω] 1.01.0 1.71.7 0.80.8 1.11.1 3.53.5 OPENOPEN 3.43.4 3.23.2 1010 필름형성성Film formability ×× ×× ×× ×× ××

상기 표 3으로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 4의 이방도전필름은 모두 우수한 도통 신뢰성과 필름형성성을 나타내고 있다. 그러나, 비교예 1 내지 비교예 5의 이방도전필름은 에이징 후의 저항치(Ωa)가 모두 2Ω 이상으로서 도통신뢰성이 불량하고, 필름형성성이 나쁘다. As can be seen from Table 3, the anisotropic conductive films of Examples 1 to 4 all exhibit excellent conduction reliability and film formability. However, Comparative Examples 1 to 5, an anisotropic conductive film having a resistance value after aging is poor (Ω a) is the conduction reliability as more than 2Ω and all bad, the film-forming properties.

따라서, 실시예 1 내지 실시예 4와 같이, 0.05 보다 크고, 0.4 보다 작은 유동 파라미터를 갖는 이방도전필름의 접착성과 도통 신뢰성이 우수함을 확인할 수 있다. Therefore, as in Examples 1 to 4, it can be confirmed that the adhesion and conduction reliability of the anisotropic conductive film having a flow parameter larger than 0.05 and smaller than 0.4 are excellent.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 상술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다. The following drawings, which are attached to this specification, illustrate exemplary embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the present invention, serve to further understand the technical spirit of the present invention. It should not be construed as limited to.

도 1은 대향 하는 회로부재 사이에 이방도전필름이 개재된 상태도이다. 1 is a state diagram in which an anisotropic conductive film is interposed between opposing circuit members.

도 2는 이방도전필름의 온도에 따른 점도의 변화를 나타낸 그래프이다.2 is a graph showing the change in viscosity with temperature of the anisotropic conductive film.

도 3은 유리전이온도가 서로 상이한 4가지 이방도전필름의 온도에 따른 점도의 변화를 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing a change in viscosity with temperature of four anisotropic conductive films having different glass transition temperatures.

도 4는 경화개시온도가 서로 상이한 4가지 이방도전필름의 온도에 따른 점도의 변화를 나타낸 그래프이다.Figure 4 is a graph showing the change in viscosity with the temperature of the four anisotropic conductive films different from the curing start temperature.

도 5는 이방도전필름을 개재하여 COF 또는 TCP를 유리 기판 또는 PCB에 본딩하는 접속 공정도이다. 5 is a connection process diagram for bonding COF or TCP to a glass substrate or a PCB via an anisotropic conductive film.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 이방도전필름 31 : 유리 기판 또는 PCB10: anisotropic conductive film 31: glass substrate or PCB

32 : 인쇄회로기판 21 : 반도체 칩32: printed circuit board 21: semiconductor chip

22 : COF 또는 TCP 41 : 히팅바 22: COF or TCP 41: Heating bar

42 : 완충재 42: cushioning material

Claims (8)

피접속부재를 서로 기계적으로 뿐만 아니라 전기적으로 접속시키는 이방도전필름으로서, An anisotropic conductive film that connects members to be connected mechanically as well as electrically, 상기 이방도전필름은, 필름 형성을 위한 열가소성 수지, 바인더로서 열경화성 수지, 경화제, 도전 입자 및 이형 필름으로 이루어지고, The anisotropic conductive film is composed of a thermoplastic resin for forming a film, a thermosetting resin, a curing agent, conductive particles and a release film as a binder, 아래의 수학식으로 표현되는 유동 파라미터(λ)가 0.05 보다 크고, 0.4 보다 작은 값을 갖는 것을 특징으로 하는 이방도전필름.Anisotropic conductive film, characterized in that the flow parameter (λ) represented by the following equation has a value greater than 0.05, less than 0.4. λ = (Tc - Tg)/Tcλ = (Tc-Tg) / Tc (여기서, λ는 유동파라미터를 의미하고, Tc는 이방도전필름의 경화개시온도[K]를 나타내며, Tg는 이방도전필름의 유리전이온도[K]를 나타낸다.) (Where λ represents a flow parameter, Tc represents the curing start temperature [K] of the anisotropic conductive film, and Tg represents the glass transition temperature [K] of the anisotropic conductive film). 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 이방도전필름의 경화개시온도가 323K ~ 393K 사이의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 이방도전필름.Anisotropic conductive film, characterized in that the curing start temperature of the anisotropic conductive film has a value between 323K ~ 393K. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 이방도전필름의 경화개시온도(Tc)와 유리전이온도(Tg) 사이의 온도차가 20K 이상인 것을 특징으로 하는 이방도전필름.Anisotropic conductive film, characterized in that the temperature difference between the curing start temperature (Tc) and the glass transition temperature (Tg) of the anisotropic conductive film is 20K or more. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 열경화성 수지가 에폭시계 수지인 것을 특징으로 하는 이방도전필름. The thermosetting resin is an anisotropic conductive film, characterized in that the epoxy resin. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 열경화성 수지가 아크릴레이트계 수지인 것을 특징으로 하는 이방도전필름. Anisotropic conductive film, characterized in that the thermosetting resin is an acrylate resin. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, The method according to claim 4 or 5, 상기 피접속부재는 제 1 회로부재와 제 2 회로부재로 이루어지고, The connected member is composed of a first circuit member and a second circuit member, 상기 제 1 회로부재는 TCP(TCP : Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip On Film)이고, 상기 제 2 회로부재는 유리 기판 또는 PCB(Printed Circuit Board)인 것을 특징으로 하는 이방도전필름.The first circuit member is a tape carrier package (TCP) or a chip on film (COF), and the second circuit member is a glass substrate or a printed circuit board (PCB). 제 1 회로부재와 제 2 회로부재 사이에 상기 청구항 1 내지 청구항 5중 선택된 어느 한 항에 기재된 이방도전필름을 개재하여 열압착하는 것에 의해 전기적으로 뿐만 아니라 기계적으로 접속된 회로접속구조체. A circuit connection structure electrically and mechanically connected between a first circuit member and a second circuit member by thermocompression bonding through the anisotropic conductive film according to any one of claims 1 to 5. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제 1 회로부재는 TCP(TCP : Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip On Film)이고, 상기 제 2 회로부재는 유리 기판 또는 PCB(Printed Circuit Board)인 것을 특징으로 하는 회로접속구조체.The first circuit member is a Tape Carrier Package (TCP) or a Chip On Film (COF), and the second circuit member is a glass substrate or a printed circuit board (PCB).
KR1020080032666A 2008-04-08 2008-04-08 Anisotropic Conductive Film Having A Good Thermal And Hardening Property And Circuit Board Using The Same KR100986772B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080032666A KR100986772B1 (en) 2008-04-08 2008-04-08 Anisotropic Conductive Film Having A Good Thermal And Hardening Property And Circuit Board Using The Same
JP2009093631A JP2009249634A (en) 2008-04-08 2009-04-08 Anisotropic conductive film with optimized thermal characteristic and curing characteristic, and circuit connection structure using the same
CNA2009101340512A CN101556943A (en) 2008-04-08 2009-04-08 Anisotropic conductive film and circuits interconnection structure using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080032666A KR100986772B1 (en) 2008-04-08 2008-04-08 Anisotropic Conductive Film Having A Good Thermal And Hardening Property And Circuit Board Using The Same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090107258A KR20090107258A (en) 2009-10-13
KR100986772B1 true KR100986772B1 (en) 2010-10-12

Family

ID=41174991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080032666A KR100986772B1 (en) 2008-04-08 2008-04-08 Anisotropic Conductive Film Having A Good Thermal And Hardening Property And Circuit Board Using The Same

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2009249634A (en)
KR (1) KR100986772B1 (en)
CN (1) CN101556943A (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217523A (en) 2001-01-23 2002-08-02 Tdk Corp Method of manufacturing electronic device
JP2002314234A (en) 2001-04-13 2002-10-25 Tdk Corp Electronic device and its manufacturing method
KR100756799B1 (en) 2006-07-12 2007-09-07 제일모직주식회사 Anisotropic conductive adhesive composition including two or more hardeners having different melting point
KR20070103185A (en) * 2006-04-18 2007-10-23 김종민 Anisotropic conductive film, electronic device, and packaging method of electronic parts

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4735606B2 (en) * 2007-06-14 2011-07-27 日本ゼオン株式会社 Anisotropic conductive material

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217523A (en) 2001-01-23 2002-08-02 Tdk Corp Method of manufacturing electronic device
JP2002314234A (en) 2001-04-13 2002-10-25 Tdk Corp Electronic device and its manufacturing method
KR20070103185A (en) * 2006-04-18 2007-10-23 김종민 Anisotropic conductive film, electronic device, and packaging method of electronic parts
KR100756799B1 (en) 2006-07-12 2007-09-07 제일모직주식회사 Anisotropic conductive adhesive composition including two or more hardeners having different melting point

Also Published As

Publication number Publication date
CN101556943A (en) 2009-10-14
JP2009249634A (en) 2009-10-29
KR20090107258A (en) 2009-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101242930B1 (en) Adhesive film for circuit connection, and circuit connection structure
KR102036230B1 (en) Circuit connecting material, connection structure and method for producing connection structure
KR101020469B1 (en) Circuit connecting material and connection structure of circuit member
CN108702845B (en) Method for manufacturing connection structure
KR100622598B1 (en) Anisotropic conductive adhesive having ptc characteristic
KR20190042654A (en) Adhesive composition
CN111512502B (en) Connection structure and method for manufacturing same
JP7020029B2 (en) Conductive adhesive film
KR20100010694A (en) Triple layered anistropic conductive film and manufacturing method thereof
JP5956362B2 (en) Anisotropic conductive film, connection method, and joined body
KR20060013575A (en) Anisotropic-electroconductive adhesive, circuit connection using the same, and circuit connection structure
KR100736890B1 (en) Anisotropic conductive film, and method for preparing the same
JP3877090B2 (en) Circuit connection material and circuit board manufacturing method
KR100986772B1 (en) Anisotropic Conductive Film Having A Good Thermal And Hardening Property And Circuit Board Using The Same
TW201336956A (en) Circuitry connecting material and connecting method and connecting structure using same
JP2001164210A (en) Anisotropic conductive film and electronic equipment using the same
KR100774764B1 (en) Anisotropic conductive film
JP2009252748A (en) Anisotropic conductive film excellent in connection reliability, and circuit connecting structure using the same
KR20110053115A (en) Anisotropic conductive film
KR100979947B1 (en) Anisotropic conductive film having a good adhesive property and circuit board using the same
KR101043973B1 (en) Anisotropic Conductive Film Having A Good Adhesive Property And Circuit Board Using The Same
KR100823390B1 (en) Composition for anisotropic conductive film and method for preparing it
KR100911476B1 (en) Anisotropic conductive film
KR100979723B1 (en) Anisotropic conductive film having a optimum elastic restitution property and circuit board using the same
JP4032345B2 (en) Surface-coated conductive particles, circuit connection member using the same, connection method and connection structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130910

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140925

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150925

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160929

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee