KR100965218B1 - 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 및 씨모스 이미지 센서 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 픽셀 영역과 인접한 주변 회로 영역의 층간 절연층 내부에 픽셀 경계영역의 과잉식각을 방지하는 수소 저장 영역을 포함하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은 소자 패턴의 절연성 보호층 및 복수의 층간 절연층을 포함하는 픽셀 영역과 주변 회로 영역을 포함하는 씨모스 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 픽셀 경계 영역과 인접한 주변 회로 영역의 상기 층간 절연층 내부를 포토 마스크로 식각하여 일정 너비를 갖는 수소 저장 영역을 형성하는 단계와, 수소 저장 영역의 상부에 절연막을 형성하고, 수소 저장 영역을 상기 절연막으로 매립하는 단계 및 절연막 및 수소 저장 영역에 열처리 공정에 의하여 수소를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
씨모스 이미지 센서, 수소 저장 영역, 주변 회로 영역.
Description
본 발명은 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 및 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 픽셀 경계 영역의 과잉식각을 방지하는 수소 저장 영역을 갖는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 장치에 관한 것이다.
최근들어 디지털 카메라(digital camera)는 인터넷을 이용한 영상통신의 발전과 더불어 그 수요가 폭발적으로 증가하고 있다. 또한, 카메라가 장착된 이동통신 단말기의 보급이 증가됨에 따라 소형 카메라 모듈의 수요가 증가하고 있다.
카메라 모듈로는 기본적인 구성요소인 CCD(Charge Coupled Device)나 씨모스(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서를 이용한 이미지 센서 모듈이 널리 보급되어 사용되고 있다. 이미지 센서는 칼라 이미지를 구현하기 위하여 외부로부터 빛을 받아 광전자를 생성 및 축적하는 광감지부 상부에 칼라필터가 정렬되어 있다. 이러한 칼라필터 어레이(Color Filter Array, CFA)는 레드(Red;R), 그린(Green;G), 및 블루(Blue;B) 또는 옐로우(Yellow), 마젠 타(Magenta) 및 시안(Cyan) 의 3가지 칼라로 이루어진다. 통상적으로, 씨모스 이미지 센서의 칼라필터 어레이에는 RGB 의 3가지 칼라가 많이 이용된다.
이러한 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 상기 CCD 와 씨모스 이미지 센서가 개발되어 널리 상용화되어 있다. CCD 는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이다. 반면, 씨모스 이미지 센서는 제어회로(control circuit), 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 씨모스 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS 트랜지스터를 만들고, 이것을 이용하여 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용한 소자이다.
그러나, CCD는 구동방식이 복잡하고 전력소모가 많으며, 마스크 공정 수가 많이 필요하여 공정이 복잡하고, 신호처리회로를 CCD 칩 내에 구현할 수 없어 원칩(one chip)화가 곤란하다는 여러 단점이 있는 바, 최근에는 이러한 CCD의 단점을 극복하기 위하여 서브 마이크론(sub-micron) 씨모스 제조기술을 이용한 씨모스 이미지 센서의 개발에 대한 연구가 열정적으로 이루어지고 있다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소(pixel) 내에 포토 다이오드(photo diode)와 MOS 트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는데, 씨모스 제조기술을 이용하므로 전력 소모도 적고, 마스크 수도 대략 20개 정도로 30~40 개의 마스크가 필요한 CCD 공정에 비해 공정이 매우 단순하며, 여러 신호 처리 회로와 원칩화가 가능하여 차세대 이미지 센서로 각광을 받 고 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 픽셀 영역과 인접한 주변회로 영역에 수소 저장 영역을 형성함으로써, 픽셀 영역 및 주변 회로 영역의 전면에 대하여 식각 공정을 수행하는 경우, 픽셀 영역의 식각액이 인접한 주변 회로 영역으로 흘러가려는 현상이 발생함으로 인하여 픽셀의 경계 영역 부근에서 발생하는 과잉 식각 및 불량 암화소를 방지하는 씨모스 이미지 센서를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 방법은, 소자 패턴의 절연성 보호층 및 복수의 층간 절연층을 포함하는 픽셀 영역과 주변 회로 영역을 포함하는 씨모스 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 픽셀 경계 영역과 인접한 주변 회로 영역의 상기 층간 절연층 내부를 포토 마스크로 식각하여 일정 너비를 갖는 수소 저장 영역을 형성하는 단계와, 수소 저장 영역의 상부에 절연막을 형성하고, 수소 저장 영역을 상기 절연막으로 매립하는 단계 및 절연막 및 수소 저장 영역에 열처리 공정에 의하여 수소를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 씨모스 이미지 센서는 소자 패턴 구조를 갖는 픽셀 영역과 주변 회로 영역을 포함하는 반도체 기판과, 소자 패턴 구조를 감싸는 절연성 보호층과, 픽셀 영역과 주변 회로 영역의 절연성 보호층 상부에 위치하며 다수의 비아 및 콘택을 포함하는 층간 절연층과, 층간 절연층 상부에 형성된 절연막 및 픽셀 경계 영역과 인접한 주변 회로 영역의 층간 절연층 내부에 절연막을 이루는 절연 물질로 매립되어 형성된 수소 저장 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 방법의 이루고자 하는 기술적 과제는, 픽셀 영역과 인접한 주변회로 영역에 수소 저장 영역을 형성함으로써, 픽셀 영역 및 주변 회로 영역의 전면에 대하여 식각 공정을 수행하는 경우, 픽셀 영역의 식각액이 인접한 주변 회로 영역으로 흘러가려는 현상이 발생함으로 인하여 픽셀의 경계 영역 부근에서 발생하는 과잉 식각 및 불량 암화소를 방지한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
이하의 설명에서 어떤 층이 다른 층의 위에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 층의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형성들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1a 내지 1d는 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 순서대로 도시하는 단면도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 서로 인접한 복수의 배선들을 포함하는 전자회로가 형성된 반도체 기판(10)을 준비한다. 상기 반도체 기판(10)은 배선들과 전기적으로 연결되는 다양한 트랜지스터의 소오스/드레인, 캐패시터, 다이오드 및 층간 절연막 등의 다양한 전자회로 부재들(미도시)이 배치될 수 있으며, 도 1a에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(10) 상에 게이트 전극을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극은 게이트 절연막(21) 및 게이트 도전층(22)을 포함할 수 있고, 양쪽 측면에 스페이서(30)를 포함할 수 있다.
본 발명의 씨모스 이미지 센서는 픽셀 영역 및 주변 회로 영역의 전면에 상기 게이트 전극 및 미도시된 하부 전극을 덮는 절연성 보호층(40) 을 형성한다. 상기 절연성 보호층(40)은 픽셀 영역 및 주변 회로 영역의 게이트 전극을 보호하기 위한 것으로, 절연성을 갖는 물질로 이루어지며, PMD층(Pre-Metal Dielectric layer)으로서 BPSG(BoroPhosphorSilicate Glass layer)일 수 있다.
이어, 상기 절연성 보호층(40) 상에 복수의 층간 절연층(100)을 형성할 수 있다. 상기 층간 절연층(100)은 하나 이상의 픽셀 영역의 게이트 전극에 대한 콘택(22) 및 금속 배선(70, 80, 90) 과 주변 회로 영역의 하부 구조에 대한 비아(60) 및 금속 배선(70,80,90)을 포함한다.
최근 픽셀 영역에 위치하는 단위 픽셀의 크기가 작아짐에 따라, 픽셀 영역에 존재하는 픽셀의 수가 급격히 증가하고 있다. 반면, 주변 회로 영역에서 필요로 하는 구성요소는 픽셀의 수에 비하여 크게 증가하지 아니한다. 이러한 픽셀 영역 및 주변 회로 영역의 전면에 대하여 식각공정을 수행하는 경우, 픽셀 영역의 식각액이 주변 회로 영역으로 흘러가려는 현상이 발생함으로써, 픽셀의 경계영역에서 과잉 식각이 발생하고, 불량 암화소(Dark Bad Pixel)가 발생하게 된다.
따라서, 도 1b 내지 1d에 나타낸 바와 같이, 픽셀 경계영역에 인접한 주변 회로 영역의 층간 절연층 (100) 내부에 수소 저장 영역(125)을 형성함으로써, 저장된 수소가 픽셀 경계영역으로 확산되어 불량 암화소의 문제를 개선할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 복수의 층간 절연층(100) 상에 포토 마스크(110)를이용하여 픽셀 경계영역에 인접한 주변 회로 영역을 상기 절연성 보호층(40)이 노출될 때까지 식각하여 수소 저장 영역으로 이용될 트렌치(115)를 형성한다. 상기 식각 공정은 습식 또는 건식 식각 공정을 이용할 수 있고, 상세하게는 포토그래피 식각 공정(Photo-lithography Etching Process, PEP)일 수 있다.
이어, 도 1c에 나타낸 바와 같이, 상기 포토 마스크를 제거한 상기 복수의 층간 절연층(100) 상에 상기 트렌치(115)가 매립되도록 절연막(120)을 형성한다. 상기 절연막(120)은 절연성을 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 실리콘 질화물로 이루어질 수 있다.
도 1d에 나타낸 바와 같이, 상기 절연막(120) 상부에 열처리 공정에 의하여 수소를 주입한다. 이 때, 수소 플라즈마 처리를 함으로써 상기 절연막(120)에 효과적으로 수소를 주입할 수 있다. 특히, 픽셀 어레이 영역과 인접한 주변 회로 영역에 위치한 수소 저장 영역(125)에 주입된 수소는 픽셀 경계영역으로 확산됨으로써 암전류를 감소시키고, 암화소의 불량을 개선하는 효과를 갖는다.
도 2는 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 상부 투시도이다. 도 2 에 나타난 바와 같이, 본 발명의 씨모스 이미지 센서는 크게 픽셀 영역(A) 및 주변 회로 영역(B)로 구성되며, 주변 회로 영역(B) 내부이며, 픽셀 영역(A)의 경계에 가까운 위치에 상기 수소 저장 영역(125)을 갖는다. 또한, 도 1a 내지 1d에서 도시된 단면도는 도 2 의 O-O' 영역에 해당하는 단면도를 나타낸다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 일실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 상부 투시도이다.
Claims (4)
- 소자 패턴의 절연성 보호층 및 복수의 층간 절연층을 포함하는 픽셀 영역과 주변 회로 영역을 포함하는 씨모스 반도체 소자의 제조 방법에 있어서,상기 픽셀 경계 영역과 인접한 주변 회로 영역의 상기 층간 절연층 내부를 포토 마스크로 식각하여 일정 너비를 갖는 수소 저장 영역을 형성하는 단계;상기 수소 저장 영역의 상부에 절연막을 형성하고, 상기 수소 저장 영역을 상기 절연막으로 매립하는 단계; 및상기 절연막 및 수소 저장 영역에 열처리 공정에 의하여 수소를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 수소 저장 영역을 형성하는 단계는 상기 픽셀 영역과 인접한 주변 회로 영역을 상기 절연성 보호층이 노출될때까지 식각하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 수소를 주입하는 단계는 수소 플라즈마 처리를 실시하는 것을 특징으로하는 것인 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 소자 패턴 구조를 갖는 픽셀 영역과 주변 회로 영역을 포함하는 반도체 기판;상기 소자 패턴 구조를 감싸는 절연성 보호층;상기 픽셀 영역과 주변 회로 영역의 절연성 보호층 상부에 위치하며 다수의 비아 및 콘택을 포함하는 층간 절연층;상기 층간 절연층 상부에 형성된 절연막; 및상기 픽셀 경계 영역과 인접한 주변 회로 영역의 상기 층간 절연층 내부에 상기 절연막을 이루는 절연 물질로 매립되어 형성된 수소 저장 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020058465A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-12 | 박종섭 | 소자의 보호막으로서 질화막을 구비하는 이미지 센서 제조방법 |
| JP2004207433A (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| KR20070035066A (ko) * | 2004-07-08 | 2007-03-29 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 이미지 센서용 중수소화 구조 및 그 형성 방법 |
| JP2007258361A (ja) | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
-
2007
- 2007-12-27 KR KR1020070138442A patent/KR100965218B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020058465A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-12 | 박종섭 | 소자의 보호막으로서 질화막을 구비하는 이미지 센서 제조방법 |
| JP2004207433A (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| KR20070035066A (ko) * | 2004-07-08 | 2007-03-29 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 이미지 센서용 중수소화 구조 및 그 형성 방법 |
| JP2007258361A (ja) | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
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| KR20090070429A (ko) | 2009-07-01 |
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