KR100963044B1 - A Double Side Polishing Device For Wafer - Google Patents

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KR100963044B1
KR100963044B1 KR1020030071129A KR20030071129A KR100963044B1 KR 100963044 B1 KR100963044 B1 KR 100963044B1 KR 1020030071129 A KR1020030071129 A KR 1020030071129A KR 20030071129 A KR20030071129 A KR 20030071129A KR 100963044 B1 KR100963044 B1 KR 100963044B1
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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 양면 연마장치에 대한 것이다. 본 발명의 양면 연마장치는 여러장의 웨이퍼에 대하여, 그 각각의 양면을 동시에 연마하는 웨이퍼의 양면연마기에 있어서, 경면이 밀착된 상태에서 웨이퍼가 가압 연마되는 제 1연마패드가 상면에 부착되고, 일정방향으로 회전하는 하정반과; 상기 하정반의 상방에 위치하며, 웨이퍼의 배면이 밀착되는 제 2연마패드의 에지가 일부 커팅되어 웨이퍼의 에지부분이 닿지 않게 하면에 부착되고, 웨이퍼를 상측에서 가압 회전하여 웨이퍼의 표면연마를 가능하게 하는 상정반과; 상기 하정반과 상정반의 사이에 설치되며, 상기 상정반 및 하정반과 결합되어 자전과 상기 하정반의 중심을 기준으로 공전하며 움직여서 웨이퍼의 회전을 가능하도록 하는 웨이퍼캐리어를 포함한다.The present invention relates to a double side polishing apparatus for a wafer. In the double-side polishing apparatus of the wafer for polishing multiple wafers simultaneously with respect to a plurality of wafers, the double-side polishing apparatus of the present invention is provided with a first polishing pad on which the wafer is press-polished in a state where the mirror surface is in close contact with the top surface, A lower plate rotating in a direction; Located at the upper side of the lower platen, the edge of the second polishing pad which is in close contact with the back surface of the wafer is partially cut and attached to the bottom surface so that the edge portion of the wafer does not touch, and the wafer is pressed and rotated from above to enable surface polishing of the wafer. An upper class to do; It is installed between the lower plate and the upper plate, and coupled to the upper plate and the lower plate includes a wafer carrier to rotate and move around the rotation and the center of the lower plate to enable the rotation of the wafer.

본 발명은 상기와 같은 구성에 의해 상기 제2 연마패드의 에지커팅에 의해 웨이퍼 에지가 과도하게 연마되는 것을 방지할 수 있게 된다.


According to the present invention, the wafer edge is prevented from being excessively polished by the edge cutting of the second polishing pad.


웨이퍼, 연마, 평탄도, 에지, 연마패드 Wafer, polishing, flatness, edge, polishing pad

Description

웨이퍼의 양면 연마장치{A Double Side Polishing Device For Wafer}A double side polishing device for wafer

도 1은 종래의 일반적인 양면 연마기를 예시한 절개사시도.1 is a cutaway perspective view illustrating a conventional double-sided polishing machine.

도 2는 종래의 양면 연마기의 상정반에 설치되는 연마패드를 예시한 평면도.Figure 2 is a plan view illustrating a polishing pad installed on the top plate of a conventional double-sided polishing machine.

도 3은 종래 양면연마기에 의한 웨이퍼의 연마상태를 예시한 단면도.3 is a cross-sectional view illustrating a polishing state of a wafer by a conventional double-sided polishing machine.

도 4는 종래의 양면연마기에 의해 연마된 웨이퍼의 평탄도를 예시한 사이트맵.4 is a site map illustrating the flatness of a wafer polished by a conventional double-sided polishing machine.

도 5는 본 발명에 의한 웨이퍼의 양면 연마장치의 바람직한 실시예의 구성을 예시한 단면도.5 is a cross-sectional view illustrating the configuration of a preferred embodiment of a double-side polishing apparatus of a wafer according to the present invention.

도 6은 본 발명에 의한 실시예의 상정반에 설치되는 연마패드의 예시 저면도.Figure 6 is an exemplary bottom view of a polishing pad installed on the top plate of the embodiment according to the present invention.

도 7은 웨이퍼와 상정반의 연마패드의 상대 위치를 예시한 분해 평면도.7 is an exploded plan view illustrating the relative positions of the wafer and the polishing pad on the top plate;

도 8은 연마패드의 측단면도.8 is a side cross-sectional view of the polishing pad.

도 9는 본 발명의 실시예의 양면 연마장치에 의해 연마된 웨이퍼 각부분의 평탄도의 분포도.Fig. 9 is a distribution diagram of flatness of each part of the wafer polished by the double-side polishing apparatus of the embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 실시예에 의해 제조된 웨이퍼의 평탄도를 예시한 사이트맵10 is a sitemap illustrating the flatness of a wafer manufactured by an embodiment of the invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Description of the symbols for the main parts of the drawings *                 

30..........양면 연마장치 31..........웨이퍼30 .......... 2-sided polishing machine 31 .......... wafer

33..........상정반 35..........하정반33 ..... top plate 35 .......... top plate

37..........캐리어 39..........제 1 연마패드37 ........ Carrier 39 .......... No. 1 Polishing Pad

40..........제 2 연마패드 40 .......... 2nd polishing pad

본 발명은 웨이퍼의 양면 연마장치에 대한 것으로, 더욱 상세하게는 상정반의 연마패드의 에지부분을 커팅하여 연마과정에서 웨이퍼의 에지의 일부가 연마패드에 닿지 않도록 하여 웨이퍼 에지의 과도한 연마를 방지하는 웨이퍼의 양면 연마장치에 대한 것이다.The present invention relates to a double-side polishing device of the wafer, and more particularly, to cut the edge portion of the polishing pad of the top plate so that a part of the edge of the wafer does not touch the polishing pad in the polishing process to prevent excessive polishing of the wafer edge To a double-sided polishing apparatus.

도 1은 종래의 웨이퍼의 양면연마장치를 예시한 절개 사시도이다. 1 is a cutaway perspective view illustrating a conventional double-side polishing apparatus of a wafer.

도시된 바에 의하면, 종래의 양면연마기(10)는 웨이퍼 경면연마를 위한 연마패드(12)가 상면에 부착된 하정반(14)과, 웨이퍼를 상측에서 회전 가압하며 하면에 연마패드(16)가 부착된 상정반(18)과, 상정반(18)과 하정반(14) 사이에 결합되게 놓여져서 웨이퍼(19)를 위치 이동시키고 회전시키는 캐리어(20)를 포함한다.As shown, the conventional double-sided polishing machine 10 has a lower surface plate 14 having a polishing pad 12 for polishing a wafer mirror, and a polishing pad 16 on the lower surface while rotating and pressing the wafer from above. An attached upper plate 18 and a carrier 20 disposed to be coupled between the upper plate 18 and the lower plate 14 to move and rotate the wafer 19.

종래의 하정반의 외주에는 외주기어(21)가 형성되고, 중심부에는 선기어(sun gear)(23)가 설치되어, 상정반(18) 및 하정반(14)의 반대방향 회전에 따라 각각 서로 반대방향으로 회전한다.The outer peripheral gear 21 is formed on the outer periphery of the conventional lower platen, and a sun gear 23 is installed at the center thereof, and the upper plate 18 and the lower plate 14 are respectively opposite to each other according to opposite rotations. Rotate

캐리어(20)는 대략 원판형상으로 선기어(23)와 외주기어(21) 사이에 맞물리 게 놓여지며, 그 내측에는 웨이퍼(19)의 장착을 위한 장착홀(20a)이 다수개 형성되어 있다. 따라서 웨이퍼(19)는 캐리어(20)에 장착된 상태에서 상정반(18) 및 하정반(14)의 연마패드(12,16)와 그 표면이 밀착되는 것이 가능하게 된다.The carrier 20 is disposed to be engaged between the sun gear 23 and the outer gear 21 in a substantially disk shape, and a plurality of mounting holes 20a for mounting the wafer 19 are formed inside the carrier 20. Accordingly, the wafer 19 can be brought into close contact with the polishing pads 12 and 16 of the upper and lower plates 18 and 14 in a state in which the wafer 19 is mounted on the carrier 20.

연마장치(10)를 작동시키면, 하정반(14)과 상정반(18)은 서로 반대 방향으로 회전하고, 외주기어(21)와 선기어(23)도 이에 연동하여 회전한다. 그리고, 선기어(23) 및 외주기어(21)에 맞물리게 놓여지는 캐리어(20)가 상하정반(14,18) 사이에서 자전과 공전을 하면서 웨이퍼(19)를 정반의 중심과 외곽으로 회전시켜서 웨이퍼(19)의 양면이 연마되어진다.When the polishing apparatus 10 is operated, the lower platen 14 and the upper platen 18 rotate in opposite directions, and the outer gear 21 and the sun gear 23 rotate in conjunction with this. The carrier 20, which is engaged with the sun gear 23 and the outer gear 21, rotates and rotates the wafer 19 to the center and the outside of the table while rotating and revolving between the upper and lower plates 14 and 18. Both sides of 19) are polished.

그러나, 상기와 같은 구성의 종래의 양면 연마장치에는 다음과 같은 문제점이 있어 왔다. However, the conventional double-side polishing apparatus having the above configuration has the following problems.

종래의 웨이퍼(19)의 양면 연마과정에서 웨이퍼의 에지(19a)에는, 다른 부분에 비해 가해지는 연마압력이 커서, 과도하게 연마되는 경향이 있다. In the conventional double-side polishing process of the wafer 19, the polishing pressure applied to the edge 19a of the wafer is larger than that of other portions, and tends to be excessively polished.

따라서, 도 3 또는 4에 기재된 바와 같이, 웨이퍼의 에지부분(19a)은 다른 부분에 비해 평탄도와, 평탄도에 비례하는 SFIR(Site Frontside Indicator Reading), SBIR(Site Backside Indicator Reading), (Site Total Indicator Reading)의 값이 급격하게 높아진다.Thus, as shown in Fig. 3 or 4, the edge portion 19a of the wafer has flatness compared to the other portions, and the front frontside indicator reading (SFIR), the site backside indicator reading (SBIR), and the (Site Total) are proportional to the flatness. Indicator Reading) increases dramatically.

본 발명의 목적은, 다수개 웨이퍼의 양면을 일거에 연마하는 웨이퍼의 양면 연마장치의 상정반에 부착되는 연마패드의 형상을 변형시켜 웨이퍼 에지가 과도하게 연마되는 것을 방지하는 웨이퍼의 양면 연마장치를 구현하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a double-side polishing apparatus for a wafer that deforms the shape of the polishing pad attached to the upper surface of the double-side polishing apparatus for polishing both sides of a plurality of wafers at once, thereby preventing the wafer edges from being excessively polished. Is to implement.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 웨이퍼의 양면 연마장치는, 여러장의 웨이퍼에 대하여, 그 각각의 양면을 동시에 연마하는 웨이퍼의 양면 연마장치에 있어서, 경면이 밀착된 상태에서 웨이퍼가 가압 연마되는 제 1연마패드가 상면에 부착되고, 일방향으로 회전하는 하정반과; 상기 하정반의 상방에 위치하며, 웨이퍼의 배면이 밀착되는 제 2연마패드의 에지가 일부 커팅되어 웨이퍼의 에지부분이 닿지 않게 하면에 부착되고, 웨이퍼를 상측에서 가압 회전시켜 웨이퍼의 표면연마를 가능하게 하는 상정반과; 상기 하정반과 상정반의 사이에 설치되며, 상기 상정반 및 하정반과 결합되어 자전과 상기 상·하정반의 중심을 기준으로 공전하며 움직여서 웨이퍼의 회전을 가능하도록 하는 캐리어를 포함하여, 상기 제2 연마패드의 에지커팅에 의해 웨이퍼 에지가 과도하게 연마되는 것을 방지하는 것이 특징이다.A double-side polishing apparatus for a wafer according to the present invention for achieving the above object is a double-side polishing apparatus for a wafer that simultaneously polishes each of both surfaces with respect to a plurality of wafers, wherein the wafer is pressure-polished in a state where the mirror surfaces are in close contact with each other. A lower surface plate having a first polishing pad attached to an upper surface thereof and rotating in one direction; Located at the upper side of the lower plate, the edge of the second polishing pad, which is closely attached to the back surface of the wafer, is partially cut and attached to the bottom surface of the wafer so that the edge portion of the wafer does not touch, and the wafer is pressed and rotated from above to enable surface polishing of the wafer. An upper class to do; It is installed between the lower plate and the upper plate, including a carrier coupled to the upper plate and the lower plate to rotate and move around the center of the upper plate and the lower plate to enable the rotation of the wafer, the second polishing pad of the It is characterized by preventing the wafer edge from being excessively polished by edge cutting.

제 2 연마패드에 대한 에지커팅은 비대칭이 되도록 하여, 웨이퍼 에지 부분에 표면손상이 발생하지 않도록 하는 것이 특징이다.Edge cutting of the second polishing pad is made asymmetrical so that surface damage does not occur in the wafer edge portion.

제 2 연마패드의 에지커팅 시에는 커팅되는 부분의 패드에 접착제와 비닐을 잔존시켜, 연마액 및 세정수가 상기 상정반 내부로 침투되지 않게 하여 상기 상정반의 마모를 방지하는 것이 특징이다.In the case of edge cutting of the second polishing pad, adhesive and vinyl remain on the pad of the cut portion, thereby preventing the polishing liquid and the washing water from penetrating into the top plate, thereby preventing wear of the top plate.

에지커팅은 제 2 연마패드가 상기 상정반에 마운트 된 상태에서 이루어지는 것이 특징이다.Edge cutting is characterized in that the second polishing pad is mounted on the top plate.

에지커팅은 공심 원판형상의 연마패드의 내외측 에지에 대해 수행되는 것이 특징이다.Edge cutting is characterized in that it is performed on the inner and outer edges of the concentric disk-shaped polishing pad.

본 발명은 상기와 같은 구성에 의해 캐리어에 장착된 상태에서 상하정반의 중심과 외곽 사이에서 회전하는 웨이퍼의 에지부분이 중심부분에 비해 과도하게 연마되는 것을 방지하여 평탄도가 개선된 고품질의 웨이퍼의 제조가 가능하게 된다.The present invention is a high quality wafer with improved flatness by preventing the edge portion of the wafer rotated between the center and the top of the upper and lower plates in the state mounted on the carrier by excessively compared to the center portion Manufacturing becomes possible.

이하 상기와 같은 구성을 가지는 웨이퍼의 양면 연마장치의 바람직한 실시예의 구성을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a configuration of a preferred embodiment of a double-side polishing apparatus for a wafer having the above configuration will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 실시예의 웨이퍼의 양면 연마장치의 바람직한 실시예의 구성을 예시한 부분단면도이고, 도 6은 본 실시예의 상정반에 설치되는 연마패드의 예시 평면도이고, 도 7은 웨이퍼와 상정반의 연마패드의 상대 위치를 예시한 분해 저면도이다. Fig. 5 is a partial cross-sectional view illustrating the configuration of a preferred embodiment of the double-side polishing apparatus of the wafer of this embodiment, Fig. 6 is an exemplary plan view of a polishing pad installed on the top plate of this embodiment, and Fig. 7 is a polishing pad of the wafer and top plate. An exploded bottom view illustrating the relative positions of.

도시된 바에 의하면, 본 실시예의 웨이퍼의 양면 연마장치(30)는, 여러장의 웨이퍼(31)에 대하여, 그 각각의 경면과 배면을 동시에 연마하는 배치 양면 연마기이다. As shown, the double-side polishing apparatus 30 of the wafer of this embodiment is a batch double-side polishing machine which simultaneously polishes the respective mirror surfaces and the back surfaces of several wafers 31.

그리고, 본 실시예의 연마장치(30)는 상하로 서로 대향되게 놓여지며, 각각 웨이퍼(31)에 밀착되어 서로 반대방향으로 회전하여 웨이퍼의 양면을 연마하는 상정반(33)과 하정반(35), 그리고, 상·하정반(33,35) 사이에 결합되게 설치되어 그 내측에 장착된 웨이퍼(31)를 위치이동 및 회전시키는 캐리어(37)를 포함한다. In addition, the polishing apparatus 30 of the present embodiment is placed to face each other up and down, and the upper surface plate 33 and the lower surface plate 35, which are in close contact with the wafer 31 and rotate in opposite directions, respectively, to polish both sides of the wafer. And a carrier 37 provided to be coupled between the upper and lower plates 33 and 35 to move and rotate the wafer 31 mounted therein.

본 실시예의 하정반(35)의 상면 중앙에는 외주면에 톱니가 형성된 선기어(미도시)가 구비되고, 상면 테두리에는 내주면에 톱니가 형성된 외주기어(미도시)가 구비되며, 선기어와 외주기어에는 캐리어(37)가 결합되게 놓여진다. In the center of the upper surface of the lower plate 35 of the present embodiment, a sun gear (not shown) having teeth is formed on the outer circumferential surface thereof, and an outer gear (not shown) having teeth formed on the inner circumferential surface thereof is provided on the upper edge thereof, (37) is placed to be joined.                     

본 실시예의 캐리어(37)는 원판형상으로 외주면에는 선기어와 외주기어에 맞물려서 회전하게 하는 톱니가 형성되어 있다. 캐리어(37)에는 웨이퍼(31)가 관통설치되는 홀(37a)이 1 또는 2 이상 형성되어 있으며, 선기어와 외주기어에 맞물리어 회전과 공전을 하게 된다.The carrier 37 of the present embodiment has a disc shape, and teeth are formed on the outer circumferential surface of the carrier 37 to rotate in engagement with the sun gear and the outer gear. The carrier 37 is provided with one or two or more holes 37a through which the wafer 31 is installed. The carrier 37 meshes with the sun gear and the outer gear to rotate and revolve.

캐리어(37)의 회전과 공전에 의해 웨이퍼는 상·하정반(33,35)의 중심과 외곽사이를 회전하며, 캐리어(37)와 함께 선기어의 주위를 공전하게 된다.The rotation and revolving of the carrier 37 rotate the wafer between the center and the periphery of the upper and lower platen 33 and 35, and revolve around the sun gear together with the carrier 37.

본 실시예의 하정반(35)에는 캐리어(37)에 장착된 웨이퍼(31) 경면과 접촉하여 경면연마가 이루어질 수 있도록 제 1연마패드(39)가 설치된다. 본 실시예에서 제 1연마패드(39)는 공심원판 형상을 이루며, 선기어와 외주기어 사이에 형상과 면적에 상응하는 크기를 가진다. The lower polishing plate 35 of the present embodiment is provided with a first polishing pad 39 to be in contact with the mirror surface of the wafer 31 mounted on the carrier 37 so as to perform mirror polishing. In the present embodiment, the first polishing pad 39 forms a concentric disc shape and has a size corresponding to the shape and area between the sun gear and the outer gear.

본 실시예의 상정반(33)의 하면에는 캐리어(37)에 장착된 웨이퍼(31)의 배면과 접촉하여 표면연마를 가능케하는 제 2 연마패드(40)가 설치되는데, 제 2 연마패드(40)는 전체적으로 공심 원판형상을 이룬다. In the lower surface of the upper surface plate 33 of the present embodiment, a second polishing pad 40 is provided in contact with the back surface of the wafer 31 mounted on the carrier 37 to enable surface polishing. The second polishing pad 40 Forms a concentric disc in its entirety.

그러나, 본 실시예의 제 2 연마패드(40)는 그 에지가 일부 커팅되어 있어서, 상정반(33)과는 면적과 모양이 불일치하며, 캐리어(37)에 장착된 각 웨이퍼의 에지(31a)가 부분적으로 이 제 2 연마패드(40)에 닿지 않도록 하고 있다.However, since the edges of the second polishing pad 40 of the present embodiment are partially cut, the area and the shape of the second polishing pad 40 are inconsistent with the top plate 33, and the edge 31a of each wafer mounted on the carrier 37 is In part, the second polishing pad 40 is not allowed to touch.

제 2 연마패드(40)에 대한 에지커팅은 웨이퍼 에지(31a) 부분이 과도하게 연마되어 웨이퍼(31)의 평탄도를 해하게 되는 것을 방지하기 위한 것이므로, 제 2 연마패드(40)에 대한 에지커팅은 비대칭이 되도록 하여 연마 정도의 편차를 줄여, 웨이퍼 에지(31a)를 따라 선형무늬와 같은 표면손상이 발생하지 않도록 하고 있다. The edge cutting to the second polishing pad 40 is to prevent the portion of the wafer edge 31a from being excessively polished to deteriorate the flatness of the wafer 31, so that the edge to the second polishing pad 40 is cut. The cutting is made asymmetrical so as to reduce the variation in the degree of polishing so that surface damage such as a linear pattern does not occur along the wafer edge 31a.                     

즉, 제 2 연마패드(40)의 에지 부분이 많이 커팅된 부분을 지날 때에는 웨이퍼의 에지(31a)가 그만큼 압력을 덜 받게 되고, 에지부분이 적게 커팅된 부분을 지날 때에는 압력을 상대적으로 많이 받게 되어, 전체적으로 연마 정도의 편차가 사라지게 되어 웨이퍼의 표면에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다.That is, when the edge portion of the second polishing pad 40 passes through the cut portion much, the edge 31a of the wafer is subjected to less pressure, and when the edge portion passes through the portion where the edge portion is cut, the pressure is relatively increased. As a result, the variation in the degree of polishing disappears as a whole, thereby preventing damage to the surface of the wafer.

본 실시예의 에지커팅은 공심원판형의 제 2 연마패드(40)의 외주면과 내주면에 대해, 커팅용 지그를 사용하여 수행하게 되는데, 이 커팅용 지그는 대략 공심원판형상이지만 내주면과 외주면은 원형에서 미소하게 벗어나 타원에 가까운 형상을 이룬다.Edge cutting of this embodiment is performed using a cutting jig for the outer circumferential surface and the inner circumferential surface of the second polishing pad 40 of the concentric disc shape, the cutting jig is roughly a concentric disc shape, but the inner circumferential surface and the outer circumferential surface are circular It escapes finely and forms an ellipse.

그리고, 본 실시예에서는 에지커팅으로 인해 경면의 손상이 생길 우려가 있기 때문에 하정반(35)에 설치되는 연마패드에는 행하지 않고, 상정반(33)에 설치되는 제 2 연마패드(40)에 대해서만 에지커팅을 행하고 있다. 그러나 실시예에 따라서는 상정반(33)과 하정반(35)에 모두 수행하는 것도 가능하고, 둘 중 어느 하나에 대해서 수행할 수도 있다.In this embodiment, since there is a possibility that the mirror surface may be damaged due to the edge cutting, it is not performed on the polishing pad provided on the lower plate 35, but only on the second polishing pad 40 provided on the upper plate 33. Edge cutting is performed. However, depending on the embodiment, it is possible to perform both the upper plate 33 and the lower plate 35, or may be performed for either.

그리고, 본 실시예에서는 공심원판형상의 내주면과 외주면 모두에 대해 에지커팅을 수행하고 있지만, 외주면이나 내주면의 어느 일방에 대해서만 에지커팅을 수행하는 것도 가능하며, 상·하정반(33,35)과 캐리어(37)의 형상과 웨이퍼(31)의 배치등에 의해 다양한 변형이 가해질 수 있다. In this embodiment, edge cutting is performed on both the inner circumferential surface and the outer circumferential surface of the concentric disc shape, but it is also possible to perform edge cutting on only one of the outer circumferential surface and the inner circumferential surface, and the upper and lower platen (33, 35) and Various deformations may be applied by the shape of the carrier 37 and the arrangement of the wafer 31.

또한, 본 실시예에서 에지커팅은 연마패드 설치공정을 용이하게 하기 위하여, 제 2 연마패드(40)가 상기 상정반(33)에 마운트 된 상태에서 이루어지지만, 실시예에 따라서는 에지커팅을 먼저 수행하고 나서 상정반(33)에 설치하는 것도 가능 하다. In addition, in the present embodiment, the edge cutting is performed in a state in which the second polishing pad 40 is mounted on the upper plate 33 in order to facilitate the polishing pad installation process. It is also possible to install in the top plate 33 after performing.

본 실시예의 제 1, 제 2 연마패드(39,40)는 도 8에 도시된 바와 같이 웨이퍼(31)와 접촉되는 부분인 합성수지 시트(41)와, 상기 합성수지 시트를 정반에 접착하기 위하여 일측면에 도포되는 접착제(43)와, 접착제(43)를 감싸서 보호하기 위한 비닐(45) 등을 포함한다.As shown in FIG. 8, the first and second polishing pads 39 and 40 of this embodiment have a synthetic resin sheet 41, which is a part in contact with the wafer 31, and one side surface for adhering the synthetic resin sheet to a surface plate. And an adhesive 43 applied to the cover, and a vinyl 45 for wrapping and protecting the adhesive 43.

그리고, 제 2 연마패드(40)의 에지커팅 시에는 커팅되는 부분의 패드에 접착제(43)(또는 접착제와 비닐)를 잔존시켜, 연마액 및 세정수가 상기 상정반(33) 내부로 침투되지 않게 하여 상기 상정반(33)이 마모되는 것을 방지할 수 있도록 하고 있다.In addition, during edge cutting of the second polishing pad 40, the adhesive 43 (or adhesive and vinyl) remains on the pad of the portion to be cut so that the polishing liquid and the washing water do not penetrate into the upper plate 33. This prevents the top plate 33 from being worn.

다음은 상기와 같은 구성을 가지는 본 실시예의 웨이퍼의 연마장치의 작용을 설명한다.The following describes the operation of the polishing apparatus of the wafer of the present embodiment having the configuration as described above.

상기와 같은 구성을 가지는 웨이퍼 연마장치(30)의 상·하정반(33,35) 사이에 놓여진 캐리어(37)에 웨이퍼(31)를 설치한 상태에서 제 1, 제 2 연마패드(39,40)가 웨이퍼(31) 표면에 탄성적으로 접촉되고, 상정반(33)이 웨이퍼(31)를 상측에서 가압할 수 있도록 위치시킨다. First and second polishing pads 39 and 40 in a state in which the wafer 31 is provided in the carrier 37 placed between the upper and lower plates 33 and 35 of the wafer polishing apparatus 30 having the above configuration. ) Is elastically contacted with the surface of the wafer 31, and the upper surface plate 33 is positioned so as to press the wafer 31 upward.

본 실시예의 웨이퍼 연마장치(30)를 작동시키면, 상정반(33)과 하정반(35)이 서로 반대방향으로 회전하게 되고, 그에 맞물려서 웨이퍼(31)가 장착된 캐리어(37)도 자전과 회전을 하게 된다.When the wafer polishing apparatus 30 of the present embodiment is operated, the upper plate 33 and the lower plate 35 rotate in opposite directions, and the carrier 37 on which the wafer 31 is mounted also rotates and rotates in engagement with the upper plate 33 and the lower plate 35. Will be

캐리어(37)의 자전과 회전에 따라 웨이퍼(31)는 표면이 각 연마패드(39,40)에 탄성접촉한 상태에서 회전하며, 그 경면과 배면에 대한 연마가 이루어진다. As the carrier 37 rotates and rotates, the wafer 31 is rotated while its surface is in elastic contact with the polishing pads 39 and 40, and polishing is performed on the mirror surface and the back surface thereof.                     

이때, 캐리어(37)에 장착된 웨이퍼의 에지(31a)가 제 2 연마패드(40)의 에지커팅된 부분을 통과할 때에는 웨이퍼 에지(31a)가 제 2 연마패드(40)와 접촉하지 않고, 오버행(overhang)되어 웨이퍼 에지(31a)에 가해지는 연마압력이 상대적으로 낮아지게 된다.At this time, when the edge 31a of the wafer mounted on the carrier 37 passes through the edge cut portion of the second polishing pad 40, the wafer edge 31a does not contact the second polishing pad 40. Overhanging results in a relatively low polishing pressure applied to the wafer edge 31a.

따라서, 웨이퍼 에지(31a)가 에지커팅된 부분을 통과할 때에는 웨이퍼(31)의 연마정도가 비교적 적기 때문에, 전체 연마과정을 고려하는 경우에는 에지부분이 다른 부분과 동일한 정도로 연마되게 되고, 결과적으로 웨이퍼의 평탄도가 향상되게 된다.Therefore, when the wafer edge 31a passes through the edge-cut portion, the polishing degree of the wafer 31 is relatively small. Therefore, when the entire polishing process is considered, the edge portion is polished to the same extent as the other portions. The flatness of the wafer is improved.

이는 본 실시예의 연마장치를 사용하여 웨이퍼를 연마한 결과를 도시한 도 9와 도 10에 나타난 바에 의해서도 알 수 있는데, 연마된 웨이퍼(31) 각 부분의 STIR(Site Total Indicator Reading)의 수치값을 살펴보면, 웨이퍼 에지(31a)에서 종전에는 0.3 내지 0.4이었던 것이 0.03 내지 0.06으로 현저하게 낮아져 평탄도의 현저한 개선이 있었음을 알 수 있다.This can also be seen from the results of polishing the wafer using the polishing apparatus of this embodiment as shown in FIGS. 9 and 10. The numerical value of STIR (Site Total Indicator Reading) of each portion of the polished wafer 31 is determined. Looking at it, it can be seen that there was a remarkable improvement in flatness since the former, which was 0.3 to 0.4 at the wafer edge 31a, was significantly lowered to 0.03 to 0.06.

본 발명의 권리범위는 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 정해지며, 특허청구범위에 기재된 사항과 동일성 범위에서 당업자가 행한 다양한 변형과 개작을 포함함은 자명하다.The scope of the present invention is not limited to the above embodiments, but is determined by the matters described in the claims, and it is obvious that the present invention includes various modifications and adaptations made by those skilled in the art in the same range as the matters described in the claims.

본 발명은 상기와 같은 구성에 의하여, 여러 장의 웨이퍼를 동시에 연마하는 양면 연마장치를 사용하면서도 웨이퍼 에지의 과도한 연마를 방지할 수 있어, 고도의 평탄도를 가진 웨이퍼의 제조를 가능하다.The present invention can prevent the excessive polishing of the wafer edge while using a double-side polishing apparatus for simultaneously polishing a plurality of wafers, it is possible to manufacture a wafer having a high flatness.

Claims (5)

여러장의 웨이퍼에 대하여, 그 각각의 양면을 동시에 연마하는 웨이퍼의 양면 연마장치에 있어서,In a wafer double side polishing apparatus for simultaneously polishing a plurality of wafers on both sides thereof, 경면이 밀착된 상태에서 웨이퍼가 가압 연마되는 제 1연마패드가 상면에 부착되고, 일정방향으로 회전하는 하정반과;A lower surface plate to which the first polishing pad on which the wafer is subjected to pressure polishing while the mirror surface is in close contact is attached to the upper surface, and which rotates in a predetermined direction; 상기 하정반의 상방에 위치하며, 웨이퍼의 배면이 밀착되는 제 2연마패드의 에지가 일부 커팅되어 웨이퍼의 에지부분이 닿지 않게 하면에 부착되고, 웨이퍼를 상측에서 가압 회전하여 웨이퍼의 표면연마를 가능하게 하는 상정반과;Located at the upper side of the lower platen, the edge of the second polishing pad which is in close contact with the back surface of the wafer is partially cut and attached to the bottom surface so that the edge portion of the wafer does not touch, and the wafer is pressed and rotated from above to enable surface polishing of the wafer. An upper class to do; 상기 하정반과 상정반의 사이에 설치되며, 상기 상정반 및 하정반과 결합되어 자전과 상기 상·하정반의 중심을 기준으로 공전하며 움직여서 웨이퍼의 회전을 가능하도록 하는 웨이퍼캐리어를 포함하여,A wafer carrier is installed between the lower and upper plates, and includes a wafer carrier coupled to the upper and lower plates to rotate and rotate about the center of the upper and lower plates to enable rotation of the wafer. 상기 제2 연마패드의 에지커팅에 의해 웨이퍼 에지가 과도하게 연마되는 것을 방지하는 것이 특징인 웨이퍼의 양면 연마장치.Double-side polishing apparatus of the wafer, characterized in that to prevent excessive grinding of the wafer edge by the edge cutting of the second polishing pad. 청구항 1에 있어서, 상기 제 2 연마패드에 대한 에지커팅은 비대칭이 되도록 하여, 웨이퍼 에지 부분에 표면손상이 발생하지 않도록 하는 것이 특징인 웨이퍼의 양면 연마장치.The apparatus of claim 1, wherein the edge cutting of the second polishing pad is asymmetrical to prevent surface damage from occurring at the wafer edge portion. 청구항 1에 있어서, 상기 제 2 연마패드의 에지커팅 시에는 커팅되는 부분의 패드에 접착제와 비닐을 잔존시켜, 연마액 및 세정수가 상기 상정반 내부로 침투되지 않게 하여 상기 상정반의 마모를 방지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 양면 연마장치.The method according to claim 1, wherein when the edge cutting of the second polishing pad, the adhesive and vinyl remain on the pad of the cut portion to prevent the polishing liquid and the washing water from penetrating into the upper plate to prevent wear of the upper plate. A wafer double-side polishing apparatus, characterized in that. 청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 청구항에 있어서, 상기 에지커팅은 제 2 연마패드가 상기 상정반에 마운트 된 상태에서 이루어지는 것이 특징인 웨이퍼의 양면 연마장치.The wafer double side polishing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the edge cutting is performed while a second polishing pad is mounted on the upper surface plate. 청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 청구항에 있어서, 상기 에지커팅은 공심 원판형상의 연마패드의 내외측 에지에 대해 수행되는 것이 특징인 웨이퍼의 양면 연마장치.The double side polishing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the edge cutting is performed with respect to the inner and outer edges of the polishing pad of a concentric disc shape.
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