KR100960764B1 - Laser emitting diode, and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 이종 기판 상부에 질화물을 증착한 다음, 증착한 질화물부터 상기 이종 기판의 일부까지 마스크 패턴에 따라 식각하고 그 질화물을 측면 성장시켜 형성한 질화물층 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층을 순차적으로 형성하고, 이렇게 형성한 p-질화물층 상부 영역 중에서 마스크 패턴 형성 영역의 상부에 전류 차단층을 형성함으로써, 소자 구동시, 결정성 결함이 높은 고저항 영역으로 통하는 전류의 흐름을 차단하여 그 소자의 성능 및 발광 효율의 향상시키도록 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser light emitting diode and a method of manufacturing the same, wherein a nitride layer is formed by depositing nitride on a dissimilar substrate and then etching the nitride to a part of the dissimilar substrate according to a mask pattern and laterally growing the nitride. The n-nitride layer, the active layer, and the p-nitride layer are sequentially formed on the upper portion, and the current blocking layer is formed on the mask pattern formation region in the upper region of the p-nitride layer thus formed, thereby driving a crystalline defect. The flow of current through the high high resistance region is interrupted to improve the device performance and luminous efficiency.

레이저, 발광, 다이오드, 결함, 전류, 차단층Laser, light emitting, diode, defect, current, blocking layer

Description

레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법{Laser emitting diode, and method for manufacturing the same}Laser light emitting diode, and method for manufacturing the same

도 1은 일반적인 레이저 발광 다이오드를 도시한 도면이고,1 is a view showing a general laser light emitting diode,

도 2a 내지 도 2g는 본 발명에 따른 레이저 발광 다이오드의 제조 방법을 도시한 공정 순서도이다.2A to 2G are process flowcharts illustrating a method of manufacturing a laser light emitting diode according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

20 : 이종 기판 21 : 질화물층20: dissimilar substrate 21: nitride layer

22 : n-질화물층 23 : 활성층22: n-nitride layer 23: active layer

24 : p-질화물층 25 : 전류차단층24: p-nitride layer 25: current blocking layer

26 : 투명 전극 27 : p-패드전극26 transparent electrode 27 p-pad electrode

28 : n-패드전극28 n-pad electrode

본 발명은 사파이어와 질화물층 간의 열팽창 계수나 격자 상수 차이로 인해 발생되는 결정성 결함을 소자 제조시 최소한으로 줄이도록 하여 그 성능이나 발광 효율을 증대시키도록 하는 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a laser light emitting diode and a method of manufacturing the same to reduce the crystalline defects caused by thermal expansion coefficient or lattice constant difference between the sapphire and the nitride layer to minimize the device manufacturing to increase the performance or luminous efficiency .                         

최근, 고 효율의 단파장 광소자에 대한 수요가 늘어남에 따라 이러한 용도에 적합한 것으로 알려져 있는 질화물 반도체에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는데,특히, 청자색 계열의 단파장 광소자 이외에 포스퍼(Phosphor)를 첨가하여 백색광을 만들 수 있게 되면서, 이 분야에 대한 관심이 날로 증대되어지고 있다.Recently, as the demand for high efficiency short wavelength optical devices increases, research into nitride semiconductors that are known to be suitable for such applications is being actively conducted. In particular, by adding phosphors in addition to the blue violet short wavelength optical devices, With the ability to produce white light, interest in this field is growing day by day.

한편, 이러한 질화물 계열의 레이저 발광 다이오드와 같은 발광 소자에서는 기판으로 사파이어를 주로 사용하고 있는데, 질화물과 사파이어는 격자 상수 및 열 팽창 계수의 차이로 인해, 사파이어 기판에 질화물층을 형성하면, 고 밀도의 결정성 결함이 발생하는데, 도 1은 사파이어 기판을 이용한 일반적인 레이저 발광 다이오드를 도시한 도면이다. On the other hand, light emitting devices such as nitride-based laser light emitting diodes mainly use sapphire as a substrate, and nitride and sapphire have a high density when a nitride layer is formed on the sapphire substrate due to a difference in lattice constant and thermal expansion coefficient. Crystal defects occur, and FIG. 1 illustrates a general laser light emitting diode using a sapphire substrate.

이에 도시한 바와 같이, 통상의 레이저 발광 다이오드는, 사파이어 기판(10) 상면에 MOCVD방법을 이용하여 n형으로 도핑된 질화물층(11)(이하, "n-질화물층"으로 약칭함)과 활성층(12), p형으로 도핑된 질화물층(13)(이하, "p-질화물층"으로 약칭함)을 순차적으로 적층된 다음, p-질화물층(13) 상면에 투명 전극(14)이 형성되고, 그 투명전극(14)의 상부와 n-질화물층(11)의 상부에 각기 p-패드 전극(15)과 n-패드 전극(16)이 형성되는데, 이렇게 형성된 p패드 전극과 n패드 전극을 통하여 각기 전류가 인가되면, 활성층에서 광이 발생되고, 이 광은 투명전극을 통하여 외부로 방출된다.As shown in the drawing, a conventional laser light emitting diode includes a nitride layer 11 (hereinafter, abbreviated as " n-nitride layer ") and an active layer doped n-type on the top surface of the sapphire substrate 10 by MOCVD method. (12), a p-type doped nitride layer 13 (hereinafter, abbreviated as " p-nitride layer ") is sequentially stacked, and then a transparent electrode 14 is formed on the top surface of the p-nitride layer 13. The p-pad electrode 15 and the n-pad electrode 16 are formed on the transparent electrode 14 and the n-nitride layer 11, respectively. When current is applied through the light, light is generated in the active layer, and the light is emitted to the outside through the transparent electrode.

이러한, 통상의 레이저 발광 다이오드는 기판으로 사파이어 등을 이용한 이종 기판을 사용하기 때문에, 사파이어와 질화물간의 격자 상수 및 열 팽창 계수의 차이로 인한 관통 전위(dislocation)이나 크랙(crack)과 같은 결정성 결함이, 레이 저 발광 다이오드 제조시에 그대로 n-질화물층, 활성층, p-질화물층 등에 전달되고, 이렇게 전달된 결함들은 소자 구동시 누설전류의 통로가 되거나, 비발광 부위로 작용하여 소자의 성능이나 그 발광 효율을 저하시키게 되는 문제점을 발생시킨다.Since the conventional laser light emitting diode uses a heterogeneous substrate using sapphire or the like as a substrate, crystalline defects such as penetration dislocations or cracks due to differences in lattice constants and thermal expansion coefficients between sapphire and nitride When the laser light emitting diode is manufactured, it is transferred to the n-nitride layer, the active layer, and the p-nitride layer as it is, and the defects thus delivered become a path of leakage current when the device is driven, or act as a non-light emitting portion, There arises a problem that the luminous efficiency is lowered.

이에 본 발명은 상기한 문제점을 해소시키기 위하여 개발된 것으로, 소자 구동시, 사파이어와 질화물층 간의 열팽창 계수나 격자 상수 차이로 인해 발생된 결정성 결함 영역 중에서 특히, 그 결정성 결함 밀도가 높은 영역으로 인가되는 전류의 흐름을 차단하여 그 소자의 성능 및 발광 효율을 향상시키도록 하는 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다. Accordingly, the present invention was developed to solve the above-mentioned problems. Among the crystalline defect regions generated by the thermal expansion coefficient or the lattice constant difference between the sapphire and the nitride layer during driving, the crystalline defect density is particularly high. It is an object of the present invention to provide a laser light emitting diode and a method of manufacturing the same, which block the flow of applied current to improve the performance and luminous efficiency of the device.

이를 위해 본 발명은, 이종 기판 상부에 질화물을 증착하고, 증착한 질화물부터 상기 이종 기판의 일부까지 마스크 패턴에 따라 식각하여 그 질화물을 측면 성장시켜 형성한 질화물층 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층을 순차적으로 형성하고, 이렇게 형성한 p-질화물층 상부 영역 중에서 마스크 패턴 형성 영역, 특히, 그 마스크 패턴의 중앙 영역에 전류 차단층을 형성하도록 한다.To this end, the present invention, the nitride is deposited on top of the dissimilar substrate, the nitride to n- nitride layer, the active layer, formed on the nitride layer formed by etching the side of the nitride substrate from the deposited nitride to a part of the dissimilar substrate side growth; The p-nitride layer is sequentially formed, and a current blocking layer is formed in the mask pattern forming region, particularly the central region of the mask pattern, among the p-nitride layer upper regions thus formed.

이하, 첨부된 도 2a 내지 도 2g를 참조하여 본 발명을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying Figures 2a to 2g look at the present invention.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 이종 기판(20) 상부 전면에 질화물을 증착하고 성장시켜 질화물층(21)을 형성하는데, 상기 이종 기판(20)은 사파이어 기판이 나 실리콘 카바이드(SiC) 기판 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.First, as shown in FIG. 2A, a nitride layer 21 is formed by depositing and growing nitride on the entire upper surface of the dissimilar substrate 20. The dissimilar substrate 20 is a sapphire substrate or a silicon carbide (SiC) substrate. It is preferable to use any one selected from among them.

다음, 상기 질화물층(21) 상면에 실리콘 산화물(SiO2)과 같은 마스크 재료를 도포하고 스트라이프(stripe)형태로 패터닝시켜 마스크 패턴을 형성한 후, 형성한 마스크 패턴을 마스크(mask)로 하여 상기 질화물층(21)부터 이종 기판(20)의 일부까지 식각하여 상기 이종 기판(20)의 일부를 노출시킨다(도 2b).Next, a mask material such as silicon oxide (SiO 2 ) is coated on the upper surface of the nitride layer 21 and patterned in a stripe form to form a mask pattern, and then the mask pattern is formed as a mask. A portion of the hetero substrate 20 is exposed by etching from the nitride layer 21 to a portion of the hetero substrate 20 (FIG. 2B).

그런 다음, 상기 마스크 패턴을 제거하고 펜디오 에피택시 방법 등으로 상기 질화물층(21)을 측면 성장시킨다(도 2c). Then, the mask pattern is removed and the nitride layer 21 is laterally grown by a pendio epitaxy method (FIG. 2C).

이 때, 이 측면 성장시킨 질화물들의 결정은, 노출된 이종 기판(20)의 상부 영역뿐만 아니라, 상기 질화물층(21)의 상부 영역, 즉, 상기 마스크 패턴이 형성되었던 영역에도 질화물 결정들간의 합체(Coalescence)가 이루어져 성장되는데, 측면 성장의 모재가 되는 부분(Island)인 상기 질화물층(21)의 상부 영역은 상기 노출된 이종 기판의 상부 영역보다 결함밀도가 상대적으로 높게 되는데, 특히, 상기 질화물층(21)의 상부 영역 중에서 중앙 영역, 즉, 상기 형성되었다 제거된 마스크 패턴 의 중앙영역은 타 영역보다 상대적으로 결함밀도가 높게 된다.At this time, the crystals of nitrides grown laterally are not only merged between nitride crystals in the upper region of the exposed heterogeneous substrate 20 but also in the upper region of the nitride layer 21, that is, the region where the mask pattern is formed. (Coalescence) is formed, the upper region of the nitride layer 21, which is a portion (Island) that is the base material for lateral growth, the defect density is relatively higher than the upper region of the exposed heterogeneous substrate, in particular, the nitride The central region of the upper region of the layer 21, that is, the central region of the mask pattern that has been formed and removed has a relatively higher density of defects than the other regions.

한편, 상기 질화물층(21)을 측면 성장시키고 나면, 상기 측면 성장시킨 질화물층(21) 상부에 n형으로 도핑된 질화물을 증착하고 소정 두께만큼 얇게 성장시켜 n-질화물층(22)을 형성한 다음, 상기 n-질화물층(22) 상부 전면에 발광 물질을 증착하여 활성층(23)을 형성하고, 형성한 활성층(23) 상부 전면에 p형으로 도핑된 질 화물을 증착하고 성장시켜 p-질화물층(24)을 형성하는데(도 2d), 상기 활성층(23)은 단일 양자 우물 구조나 다층 양자 우물 구조 모두 가능하나, 특히, 다층 양자 우물 구조로 형성하는 것이 바람직하다.Meanwhile, after the nitride layer 21 is laterally grown, an n-type doped nitride is deposited on the laterally grown nitride layer 21 and grown thinly by a predetermined thickness to form the n-nitride layer 22. Next, an active layer 23 is formed by depositing a light emitting material on the entire upper surface of the n-nitride layer 22, and a p-nitride is deposited and grown on the entire upper surface of the formed active layer 23 by p-nitride. In forming the layer 24 (FIG. 2D), the active layer 23 may be a single quantum well structure or a multilayer quantum well structure, but is preferably formed of a multilayer quantum well structure.

상기 질화물층(21) 상부에 n-질화물층(22), 활성층(23), p-질화물층(24)이 순차적으로 형성되고 나면, 상기 p-질화물층(24)의 상부 영역 중에서, 특히, 결함 밀도가 높은 영역에 전류 차단층(25)을 형성한다(도 2e).After the n-nitride layer 22, the active layer 23, and the p-nitride layer 24 are sequentially formed on the nitride layer 21, among the upper regions of the p-nitride layer 24, in particular, The current blocking layer 25 is formed in the region of high defect density (FIG. 2E).

상기 결함 밀도는 질화물층(21) 성장시 그대로 같이 성장되기 때문에, 전술한 바에서 알 수 있듯이, 상기 결함 밀도가 높은 영역은 상기 마스크 패턴이 형성되었던 영역이 되며, 특히, 상기 마스크 패턴의 영역 중에서, 그 중심점을 기준으로 일정 영역의 중앙 영역이 된다.Since the defect density grows as it is when the nitride layer 21 grows, as described above, the region having a high defect density becomes a region where the mask pattern is formed, and in particular, among the regions of the mask pattern. In other words, the center point of the predetermined area is based on the center point.

따라서, 상기 전류 차단층(25)은 마스크 패턴이 형성되었던 그 영역에 형성되도록 하되, 특히, 상기 마스크 패턴의 중앙 영역에 형성되도록 하는 것이 가장 바람직하다.Therefore, the current blocking layer 25 is preferably formed in the region where the mask pattern was formed, and particularly preferably in the center region of the mask pattern.

그리고, 상기 전류 차단층(25)은 이온 주입 공정(Implantation)을 통해 형성하는데, 그 이온 주입 영역과 형태는 SAG(Selective Area Growth)기판의 종류나, 구조, 패턴의 형태에 따라 결정되나, 100keV ~ 500keV 범위 내에서 Ti, O2 , Fe, Cr 등 중에서 선택된 어느 하나의 원소에 대응되는 이온을 사용하는 것이 바람직한데, 상기 SAG 기판은 이종 기판 상부에 질화물층을 측면 성장시켜 형성된 것을 일컫는다. In addition, the current blocking layer 25 is formed through an ion implantation process, and the ion implantation region and the shape thereof are determined according to the type, structure, or pattern of the selective area growth (SAG) substrate, but 100 keV. It is preferable to use ions corresponding to any one element selected from among Ti, O 2 , Fe, Cr, etc. within a range of ˜500 keV. The SAG substrate refers to one formed by laterally growing a nitride layer on a heterogeneous substrate.

상기와 같이, p-질화물층(24)의 상부 영역 중에서 결함밀도가 높은 영역에 전류 차단층(25)을 형성하게 되면, 소자 구동시, 결함밀도가 높아 고저항 영역이 되는 곳에는 전류 통로(current path)가 잘 형성되지 않아 그 만큼 소자의 성능이나 발광 효율을 증대시킬 수 있게 되는 것이다.As described above, when the current blocking layer 25 is formed in a region having a high defect density among the upper regions of the p-nitride layer 24, a current path is formed where the defect density is high and becomes a high resistance region during driving of the device. Since the current path is not well formed, the device's performance and luminous efficiency can be increased.

한편, 상기 p-질화물층(24)의 상부 일부에 결함 밀도가 높은 영역에 전류 차단 층이 형성되고 나면, 상기 전류 차단 층(25)이 형성된 p-질화물층(24)의 상부 전면에 투명 전극(26)을 형성한다(도 2f).On the other hand, after the current blocking layer is formed in a region having a high defect density on the upper portion of the p-nitride layer 24, the transparent electrode on the upper front surface of the p- nitride layer 24 on which the current blocking layer 25 is formed. (26) is formed (FIG. 2F).

그런 다음, 마지막으로 상기 투명 전극(26)의 상부에 금속(metal)을 증착하고 패터닝하여 와이어 본딩시 패드로 사용될 p패드 전극(27)을 형성하고, 상기 p패드 전극 형성(27)과 동시에 또는 각기, 상기 투명 전극(26)부터 상기 n-질화물층 (22)의 일부까지 수직 방향으로 메사(mesa) 식각하여 노출된 n-질화물층(22)의 상면에 금속(metal)을 증착하고 패터닝하여 n패드전극(28)을 형성하는데, 상기 금속은 Cr, Ni, Au, Al, Ti, Pt 중에서 선택된 어느 하나를 사용하거나, 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 사용하는 것이 바람직하다.Finally, metal is deposited and patterned on top of the transparent electrode 26 to form a p-pad electrode 27 to be used as a pad for wire bonding, simultaneously with the p-pad electrode formation 27 or Each metal is deposited and patterned on the upper surface of the exposed n-nitride layer 22 by mesa etching from the transparent electrode 26 to a part of the n-nitride layer 22 in the vertical direction. To form the n-pad electrode 28, the metal is preferably any one selected from Cr, Ni, Au, Al, Ti, Pt, or a combination thereof.

이러한 본 발명의 레이저 발광 다이오드 제조 방법에 따라 제조된 레이저 발광 다이오드는, 도 2g에 도시된 바와 같이, 이종 기판(20)과, 상기 이종 기판(20) 상부에 질화물을 증착하고, 증착한 질화물부터 상기 이종 기판(20)의 일부까지 마스크 패턴에 따라 식각하여 상기 질화물을 측면 성장시켜 형성된 질화물층(21)과, 상기 질화물층(21) 상부에 순차적으로 형성된 n-질화물층(22), 활성층(23), p-질화물층(24), 상기 p-질화물층(24)의 상부 일부에 결함 밀도에 따라 형성된 전류 차단 층(25)과, 상기 전류 차단 층(25)이 형성된 p-질화물층(24) 상부에 형성된 투명 전극(26)과, 상기 투명 전극(26)의 상부에 형성된 p패드 전극(27)과, 상기 투명 전극(26)부터 상기 n-질화물층(22)의 일부까지 수직 방향으로 메사 식각하여 노출된 n-질화물층(22)의 상면에 형성된 n패드전극(28)으로 이루어진다.The laser light emitting diode manufactured according to the method of manufacturing the laser light emitting diode of the present invention, as shown in FIG. 2G, deposits nitride on the hetero substrate 20 and the hetero substrate 20, and deposits nitride from the nitride. Nitride layer 21 formed by etching the nitride layer 21 laterally by etching a portion of the dissimilar substrate 20 according to a mask pattern, and an n-nitride layer 22 and an active layer sequentially formed on the nitride layer 21. 23), a p-nitride layer 24, a current blocking layer 25 formed on the upper portion of the p-nitride layer 24 according to the defect density, and a p- nitride layer having the current blocking layer 25 ( 24 a vertical direction from the transparent electrode 26 formed on the upper portion, the p pad electrode 27 formed on the transparent electrode 26 to the portion of the n-nitride layer 22 from the transparent electrode 26. The n-pad electrode 28 formed on the upper surface of the n-nitride layer 22 exposed by mesa etching. .

그리고, 상기 이종 기판(20)은 사파이어 기판 또는 실리콘 카바이드 기판 중에서 어느 하나가 사용되며, 또한, 상기 전류 차단 층(25)은 결함밀도가 높은 마스크 패턴 형성 영역의 상부에 형성되는 것이 바람직하며, 가장 바람직하게는 상기 마스크 패턴의 상부 영역 중에서 그 중앙점을 기준으로 일정 영역에 대응되는 중앙 영역의 상부에 형성되도록 한다.In addition, any one of the sapphire substrate and the silicon carbide substrate may be used as the hetero substrate 20, and the current blocking layer 25 may be formed on the mask pattern formation region having a high defect density. Preferably, the mask is formed on an upper portion of the central region corresponding to the predetermined region based on the center point of the upper region of the mask pattern.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 레이저 발광 다이오드 및 그 제조 방법은, 이종 기판 상부에 질화물을 증착하고, 증착한 질화물부터 상기 이종 기판의 일부까지 마스크 패턴에 따라 식각하여 그 질화물을 측면 성장시켜 형성한 질화물층 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층을 순차적으로 형성하고, 이렇게 형성한 p-질화물층 상부 영역 중에서 마스크 패턴 형성 영역의 상부에 전류 차단층을 형성함으로써, 소자 구동시, 사파이어와 질화물층 간의 열팽창 계수나 격자 상수 차이로 인해 발생된 결정성 결함 영역 중에서 특히, 그 결정성 결함 밀도가 높은 영역으로 인가되는 전류의 흐름을 차단하여 그 소자의 성능 및 발광 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the laser light emitting diode and the method of manufacturing the same of the present invention, nitride is deposited on the dissimilar substrate, and the nitride is etched from the deposited nitride to a part of the dissimilar substrate according to a mask pattern to laterally grow the nitride. The n-nitride layer, the active layer, and the p-nitride layer are sequentially formed on the formed nitride layer, and the current blocking layer is formed on the mask pattern formation region in the upper region of the p-nitride layer thus formed, thereby driving the device. To improve the device's performance and luminous efficiency by blocking the flow of current applied to crystalline defect regions, especially those with high crystalline defect density, caused by thermal expansion coefficients or lattice constant differences between the sapphire and nitride layers. It can be effective.

본 발명은 기재된 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to the specific examples described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.

Claims (7)

이종 기판 상부에 질화물층과 스트라이프 형태의 마스크 패턴을 순차적으로 형성하는 제 1 단계;      A first step of sequentially forming a nitride layer and a stripe-shaped mask pattern on the hetero substrate; 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 질화물층부터 이종 기판의 일부까지 식각하고, 마스크 패턴을 제거하여 상기 질화물층을 측면 성장시키는 제 2 단계;       Etching the nitride layer from the nitride layer to a part of the dissimilar substrate using the mask pattern as a mask, and removing the mask pattern to laterally grow the nitride layer; 상기 측면 성장된 질화물층 상부에 n-질화물층, 활성층, p-질화물층을 순차적으로 형성하는 제 3 단계;A third step of sequentially forming an n-nitride layer, an active layer, and a p-nitride layer on the side grown nitride layer; 상기 p-질화물층의 상부 일부에 결함 밀도에 따라 전류 차단 층을 형성하는 제 4 단계;Forming a current blocking layer on a top portion of the p-nitride layer according to a defect density; 상기 전류 차단 층이 형성된 p-질화물층 상부에 투명 전극을 형성하는 제 5 단계;Forming a transparent electrode on the p-nitride layer on which the current blocking layer is formed; 상기 투명 전극의 상부에 p패드 전극을 형성하고, 상기 투명 전극부터 상기 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 메사 식각하여 노출된 n-질화물층의 상면에 n패드전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어지는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법.Forming a p-pad electrode on the transparent electrode, and forming an n-pad electrode on an upper surface of the exposed n-nitride layer by mesa etching vertically from the transparent electrode to a part of the n-nitride layer Laser light emitting diode manufacturing method. 제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계의 전류 차단 층은; The method of claim 1, wherein the current blocking layer of the fourth step; 상기 제 1 단계의 마스크 패턴 형성 영역의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법.A method of manufacturing a laser light emitting diode, characterized in that formed on the mask pattern forming region of the first step. 제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계는;The method of claim 1, wherein the fourth step; 이온 주입 공정(Implantation)을 통해 전류 차단층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법.A method of manufacturing a laser light emitting diode, characterized in that to form a current blocking layer through an ion implantation (Implantation). 제 3 항에 있어서, 상기 이온은;The method of claim 3, wherein the ion; Ti, O2 , Fe, Cr 중에서 선택된 어느 하나의 원소에 대응되는 이온인 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법.Ti, O 2, Fe, characterized in that the ion corresponding to any one of the elements selected from Cr, a laser light emitting diode manufacturing method. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이종 기판은;The method of any one of claims 1 to 4, wherein the heterogeneous substrate; 사파이어 기판 또는 실리콘 카바이드 기판 인 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드 제조 방법.A sapphire substrate or a silicon carbide substrate, characterized in that the laser light emitting diode manufacturing method. 이종 기판;Heterogeneous substrates; 상기 이종 기판 상부에 질화물을 증착하고, 증착한 질화물부터 상기 이종 기판의 일부까지 마스크 패턴에 따라 식각하여 상기 질화물을 측면 성장시켜 형성된 질화물층;A nitride layer formed by depositing nitride on the dissimilar substrate and etching the nitride from the deposited nitride to a part of the dissimilar substrate according to a mask pattern to laterally grow the nitride; 상기 질화물층 상부에 순차적으로 형성된 n-질화물층, 활성층, p-질화물층;An n-nitride layer, an active layer, and a p-nitride layer sequentially formed on the nitride layer; 상기 p-질화물층의 상부 일부에 형성된 전류 차단 층;A current blocking layer formed on an upper portion of the p-nitride layer; 상기 전류 차단 층을 포함한 p-질화물층 전면에 형성된 투명 전극;A transparent electrode formed on the entire surface of the p-nitride layer including the current blocking layer; 상기 투명 전극의 상부에 형성된 p패드 전극과, 상기 투명 전극부터 상기 n-질화물층의 일부까지 수직 방향으로 메사 식각하여 노출된 n-질화물층의 상면에 형성된 n패드전극으로 이루어지는, 레이저 발광 다이오드.And a p-pad electrode formed on the transparent electrode and an n-pad electrode formed on an upper surface of the n-nitride layer exposed by mesa etching in a vertical direction from the transparent electrode to a part of the n-nitride layer. 제 6 항에 있어서, 상기 전류 차단 층은; The method of claim 6, wherein the current blocking layer; 상기 마스크 패턴 형성 영역의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는, 레이저 발광 다이오드.And an upper portion of the mask pattern formation region.
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