KR100960011B1 - Method for manufcturing phase change memory device - Google Patents
Method for manufcturing phase change memory device Download PDFInfo
- Publication number
- KR100960011B1 KR100960011B1 KR1020070063483A KR20070063483A KR100960011B1 KR 100960011 B1 KR100960011 B1 KR 100960011B1 KR 1020070063483 A KR1020070063483 A KR 1020070063483A KR 20070063483 A KR20070063483 A KR 20070063483A KR 100960011 B1 KR100960011 B1 KR 100960011B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- phase change
- hard mask
- material layer
- change material
- etching
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 69
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- UUXZFMKOCRKVDG-UHFFFAOYSA-N methane;hydrofluoride Chemical compound C.F UUXZFMKOCRKVDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- -1 chalcogenide compound Chemical class 0.000 description 2
- YUCFVHQCAFKDQG-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound F[CH] YUCFVHQCAFKDQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQRNKLRIQBVZHK-UHFFFAOYSA-N selanylideneantimony Chemical compound [Sb]=[Se] OQRNKLRIQBVZHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 상변화메모리장치(Phase Change Memory evice)의 상변화물질층을 식각하는 방법에 관한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판상에 상변화물질층을 형성하는 단계; 상기 상변화물질층 상에 하드마스크층을 형성하는 단계; 상기 하드마스크층 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 식각장벽으로 불화메탄가스를 이용하여 상기 하드마스크층을 식각하는 단계 및 상기 식각된 하드마스크층을 식각장벽으로 불화탄소가스를 이용하여 상기 상변화물질층을 식각하는 단계를 포함하며, 상술한 본 발며에 따르면, 상변화물질층에 대한 높은 식각선택비를 갖는 하드마스크층을 제공하여 상변화물질층 식각시, 탑어택 또는 보잉과 같은 패턴변형을 방지할 수 있다.The present invention relates to a method of etching a phase change material layer of a phase change memory device, and the present invention provides a method for forming a phase change material layer on a substrate; Forming a hard mask layer on the phase change material layer; Forming a photoresist pattern on the hard mask layer; Etching the hard mask layer using methane fluoride gas as the etch barrier and etching the phase change material layer using carbon fluoride gas as the etch barrier. According to the present invention described above, by providing a hard mask layer having a high etching selectivity with respect to the phase change material layer, it is possible to prevent pattern deformation such as top attack or boeing when the phase change material layer is etched.
상변화, GST, 상변화메모리장치 Phase change, GST, phase change memory device
Description
도 1a 내지 도 1b는 종래기술에 따른 상변화물질층 식각방법을 도시한 공정단면도.1a to 1b is a cross-sectional view showing a phase change material layer etching method according to the prior art.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상변화물질층 식각방법을 도시한 공정단면도.2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of etching a phase change material layer according to a preferred embodiment of the present invention.
*도면 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *
21 : 기판 22 : 상변화물질층21
23 : 하드마스크층 24 : 포토레지스트 패턴23
본 발명은 상변화메모리장치(Phase Change Memory device)의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상변화물질층을 식각하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a phase change memory device, and more particularly, to a method of etching a phase change material layer.
최근에 차세대 비휘발성 메모리 장치로서, 상변화메모리장치가 제안되었다. 상변화메모리장치는 재료가 갖는 결정상태에 따라 그 저항값이 바뀌는 상변화 물질(phase change material)을 사용하여 적절한 조건의 전류 또는 전압의 인가방법을 통하여 재료가 갖는 결정 상태를 제어하는 방법으로 정보를 저장하고 재료의 결정상태에 따른 저항값의 변화로부터 저장된 정보의 종류를 판독하는 방식을 취한다.Recently, a phase change memory device has been proposed as a next generation nonvolatile memory device. A phase change memory device is a method of controlling a crystal state of a material through a method of applying a current or voltage under an appropriate condition using a phase change material whose resistance value changes according to the crystal state of the material. It stores the data and reads the type of stored information from the change of the resistance value according to the crystal state of the material.
이러한 상변화메모리장치의 제조공정에 있어서, 상변화물질층은 절연막 또는 전극재료와 인접하는 경우가 많다. 이에 따라, 상변화메모리장치 제조공정의 신뢰성을 확보하기 위해서는 상변화물질층 식각공정시, 인접재료와의 높은 식각선택비를 확보하지 않으면 안된다. In the manufacturing process of such a phase change memory device, the phase change material layer is often adjacent to an insulating film or an electrode material. Accordingly, in order to secure the reliability of the phase change memory device manufacturing process, a high etching selectivity with adjacent materials must be secured during the phase change material layer etching process.
도 1a 내지 도1b는 종래기술에 따른 상변화물질층 식각방법을 도시한 공정단면도이다.1A to 1B are cross-sectional views illustrating a method of etching a phase change material layer according to the related art.
도 1a에 도시된 바와 같이, 소정의 구조물이 형성된 반도체 기판(11)상에 상변화물질층(12) 및 하드마스크층(13)을 차례로 형성한다. 이때, 상변화물질층(12)은 칼코겐 화합물(chalcogenide) 예컨대, 게르마늄-안티몬-텔루늄(Ge-Sb-Te, GST)으로 형성한다. As shown in FIG. 1A, the phase
다음으로, 하드마스크층(13) 상에 포토레지스트 패턴(14)을 형성한 후, 포토레지스트 패턴(14)을 식각장벽(etch barrier)으로 하드마스크층(13)을 식각한다. 이때, 식각방법은 건식식각방법 예컨대, 플라즈마 식각법(plasma etch)을 사용한 다.Next, after the
다음으로, 도 1b에 도시된 바와 같이, 식각된 하드마스크층(13A)을 식각장벽으로 상변화물질층(12)을 식각하여 상변화물질층 패턴(12A)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 1B, the phase
상술한 종래기술에서는 하드마스크층(13)을 식각하기 위한 식각가스로 Ar/Cl2 혼합가스를 사용한다. 이때, 하드마스크층(13)에 대한 Ar/Cl2 혼합가스의 식각선택비 부족으로 인하여 하드마스크층 식각시 탑어택(top attack)을 발생시키는 문제점이 있다.In the above-mentioned prior art, Ar / Cl 2 mixed gas is used as an etching gas for etching the
또한, 상술한 종래기술에서는 하드마스크층(13)으로 산화막계열 예컨대, 실리콘산화막(SiO2)을 사용하고, 식각가스로 Ar/Cl2 혼합가스를 사용한다. 하지만, Ar/Cl2 혼합가스에 대한 실리콘산화막과 상변화물질층(12) 사이의 식각선택비 부족으로 인하여 상변화물질층 패턴(12A)의 탑어택이 발생하여 패턴 변형(pattern deformation)이 발생한다.In addition, in the above-described prior art, an oxide film series, for example, silicon oxide film (SiO 2 ) is used as the
이를 해결하기 위하여, 상변화물질층 패턴(12A)을 형성하기 위한 식각가스로 Ar/CF4 혼합가스를 사용하는 상변화물질층 식각방법이 제안되었다. In order to solve this problem, a phase change material layer etching method using Ar / CF 4 mixed gas as an etching gas for forming the phase change material layer pattern 12A has been proposed.
하지만, 식각가스로 사용된 CF4가 상변화물질층에 대한 측면(lateral) 식각특성이 강하여 도 1b에 도시된 것처럼 보잉(Bowing)과 같은 패턴 변형을 발생시키는 문제점이 있다. However, CF 4 used as an etching gas has a strong lateral etching characteristic of the phase change material layer, thereby causing a pattern deformation such as bowing as illustrated in FIG. 1B.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 상변화물질층에 대한 높은 식각선택비를 갖는 하드마스크층을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and an object thereof is to provide a hard mask layer having a high etching selectivity with respect to the phase change material layer.
또한, 본 발명은 포토레지스트와 하드마스크층에 대한 높은 식각선택비를 제공할 수 있는 식각가스를 제공하는데 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide an etching gas capable of providing a high etching selectivity for the photoresist and the hard mask layer.
또한, 본 발명은 상변화물질층 패턴형성시, 상변화물질층의 패턴 변형을 방지할 수 있는 식각가스를 제공하는데 또 다른 목적이 있다. In addition, the present invention has another object to provide an etching gas that can prevent the pattern deformation of the phase change material layer when forming the phase change material layer pattern.
상기 목적을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명의 상변화 메모리 장치 제조방법은 기판상에 상변화물질층을 형성하는 단계; 상기 상변화물질층 상에 하드마스크층을 형성하는 단계; 상기 하드마스크층 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 식각장벽으로 불화메탄가스를 이용하여 상기 하드마스크층을 식각하는 단계 및 상기 식각된 하드마스크층을 식각장벽으로 불화탄소가스를 이용하여 상기 상변화물질층을 식각하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a phase change memory device, the method including: forming a phase change material layer on a substrate; Forming a hard mask layer on the phase change material layer; Forming a photoresist pattern on the hard mask layer; Etching the hard mask layer using methane fluoride gas as the etch barrier and etching the phase change material layer using carbon fluoride gas as the etch barrier. .
본 발명의 하드마스크층은 상변화물질층에 대한 높은 식각선택비를 제공하는 텅스텐막 또는 티타늄질화막으로 형성할 수 있다.The hard mask layer of the present invention may be formed of a tungsten film or a titanium nitride film that provides a high etching selectivity with respect to the phase change material layer.
본 발명의 상변화물질층을 식각하기 위한 식각가스는 비활성가스와 CF3I 또는 C2F4 또는 C6F6와 같이, 탄소(C)에 대한 플루오르(F)의 비(F/C)가 CF4보다 작은 불화탄소가스중 어느 하나 또는 이들이 조합된 혼합가스를 사용할 수 있다.The etching gas for etching the phase change material layer of the present invention is an inert gas and a ratio of fluorine (F) to carbon (F / C), such as CF 3 I or C 2 F 4 or C 6 F 6 . Either one of the fluorinated carbon gases smaller than CF 4 or a mixed gas thereof may be used.
본 발명의 하드마스크층 예컨대, 텅스텐막 또는 티타늄질화막을 식각하기 위한 식각가스는 비활성가스와 CHF3, C2H3F 또는 CH2F2와 같은 불화메탄가스중 어느 하나와 조합된 혼합가스를 사용할 수 있다. The etching gas for etching a hard mask layer, such as a tungsten film or a titanium nitride film, of the present invention may be a mixture of an inert gas and a mixed gas combined with any one of methane fluoride gas such as CHF 3 , C 2 H 3 F or CH 2 F 2 . Can be used.
이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상변화물질층의 식각방법을 도시한 공정단면도이다.2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of etching a phase change material layer according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2a에 도시된 바와 같이, 소정의 구조물 예컨대, 트랜지스터, 워드라인 및 비트라인 등이 형성된 반도체 기판(21)상에 상변화물질층(22)을 형성한다. 이때, 상변화물질층(22)은 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리기상증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)을 사용하여 칼코겐 화합물로 형성할 수 있다. 여기서, 상변화물질층(22)으로 사용가능한 칼코켄 화합물은 게르마늄-안티몬-텔루늄, 비소-안티몬-텔루늄, 주석-안티몬-텔루늄, 주석-인듐-안티몬-텔루늄, 비소-게르마늄-안티몬-텔루늄, 탄탈륨, 니오브 내지 바나듐 등과 같은 5A족 원소-안티몬-텔루늄, 텅스텐, 몰리브덴, 내지 크롬 등과 같은 6A족 원소-안티몬-텔루늄, 5A족 원소-안티몬-셀렌, 또는 6A족 원소-안티몬-셀렌 등을 포함한다. 바람직하게는, 상변화물질층(22)으로 게르마늄-안티몬-텔루늄(Ge-Sb-Te, GST)을 사용한다.As shown in FIG. 2A, the phase
다음으로, 상변화물질층(22) 상에 하드마스크층(23)을 형성한다. 이때, 하드마스크층(23)은 텅스텐막 또는 티타늄질화막으로 형성한다. 여기서, 텅스텐막 및 티타늄질화막은 산화막계열 예컨대, 실리콘산화막으로 형성된 하드마스크층에 비하여 상변화물질층(22)에 대한 높은 식각선택비를 제공한다.Next, a
다음으로, 하드마스크층(23) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 노광 및 현상공정을 통하여 포토레지스트 패턴(24)을 형성한다. Next, after the photoresist is applied on the
한편, 하드마스크층(23)을 형성하기 전에 상변화물질층(22)이 후속 상변화메모리장치를 형성하기 위한 식각 및 세정공정시 발생할 수 있는 상변화물질층(22)의 손상을 방지하기 위하여 상변화물질층(22) 상에 장벽금속막을 더 형성할 수도 있다. Meanwhile, before the
도 2b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(24)을 식각장벽으로 하드마스크층(23)을 식각한다. 이때, 식각방법은 건식식각법 예컨대, 플라즈마 식각법을 사용할 수 있으며, 식각가스로는 비활성가스(inert gas) 예컨대, He, Ne, Ar 및 Xe으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나와 CHF3, C2H3F 또는 CH2F2 와 같은 불화메탄가스(fluoromethane)가 일정비율로 혼합된 가스를 사용할 수 있다. 그리고, 식각과정에서 패턴변형을 방지하기 위하여 반응챔버의 압력은 5mT ~ 30mT 범위로 제어할 수 있으며, 플라즈마 소스 파워(plasma source power)는 100W ~ 500W 범위로 제어할 수 있다.As shown in FIG. 2B, the
여기서, 비활성가스와 불화메탄가스가 혼합된 식각가스를 사용하여 하드마스크층(23) 식각함으로써, Ar/Cl2 혼합가스를 사용하여 하드마스크층(23)을 식각하는 것에 비하여 보다 향상된 하드마스크층(23)에 대한 식각선택비를 제공할 수 있다. 이를 통하여 하드마스크층(23)을 산화막계열 예컨대, 실리콘산화막으로 형성하는 것이 비하여 보다 얇은 두께로 형성할 수 있다. Here, the
도 2c에 도시된 바와 같이, 식각된 하드마스크층(23A)을 식각장벽으로 상변화물질층(22)을 식각하여 상변화물질층 패턴(22A)을 형성한다. 이때, 식각방법은 건식식각법 예컨대, 플라즈마 식각법을 사용할 수 있으며, 식각가스로는 비활성가스 예컨대, He, Ne, Ar 및 Xe으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나와 CF3I 또는 C2F4 또는 C6F6 와 같은 탄소(C)에 대한 플루오르(F)의 비(F/C)가 CF4보다 작은 불화탄소가스로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상이 일정비율로 혼합된 가스를 사용할 수 있다. 즉, Ar/CF3I 또는 Ar/CF3I/C2F4 와 같은 조합을 갖는 혼합가스를 이용하여 상변화물질층(22)을 식각할 수 있다.그리고, 식각과정에 상변화물질층 패턴(22A)이 변형되는 것을 방지하기 위하여 반응챔버에 인가되는 플라즈마 소스 파워를 100W ~ 500W 범위로 제어할 수 있다.As illustrated in FIG. 2C, the phase
여기서, 상변화물질층(22)을 식각하기 위한 식각가스로 Ar/Cl2 혼합가스 또는 Ar/CF4 혼합가스를 사용할 경우, 탑어택 또는 보잉과 같은 패턴변형이 발생하였 다. 하지만, 본 발명의 상변화물질층(22) 식각가스는 상변화물질층(22)에 대한 높은 식각선택비를 제공함으로써, 탑어택 또는 보잉과 같은 패턴변형을 방지할 수 있다.Here, Ar / Cl 2 as an etching gas for etching the phase
이와 같이, 본 발명은 상변화물질층에 대한 높은 식각선택비를 갖는 하드마스크층 및 식각가스를 제공함으로써, 상변화물질층 식각시, 탑어택 또는 보잉과 같은 패턴변형을 방지할 수 있다.As described above, the present invention provides a hard mask layer and an etching gas having a high etching selectivity with respect to the phase change material layer, thereby preventing pattern deformation such as top attack or boeing when the phase change material layer is etched.
또한, 본 발명은 하드마스크층에 대한 높은 식각선택비를 갖는 식각가스를 제공함으로써, 하드마스크층 식각시, 하드마스크층이 손상되는 것을 방지할 수 있다. In addition, the present invention by providing an etching gas having a high etching selectivity to the hard mask layer, it is possible to prevent the hard mask layer from being damaged during the hard mask layer etching.
또한, 하드마스크층에 대한 높은 식각선택비를 갖는 식각가스를 제공함으로써, 하드마스크층을 보다 얇은 두께로 형성할 수 있는 장점이 있다.In addition, by providing an etching gas having a high etching selectivity with respect to the hard mask layer, there is an advantage that the hard mask layer can be formed to a thinner thickness.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내의 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will appreciate that various embodiments within the scope of the technical idea of the present invention are possible.
상술한 바와 같이, 본 발명은 상변화물질층에 대한 높은 식각선택비를 갖는 하드마스크층 및 식각가스를 제공함으로써, 상변화물질층 식각시, 탑어택 또는 보 잉과 같은 패턴변형을 방지할 수 있는 효과가 있다As described above, the present invention provides a hard mask layer and an etching gas having a high etching selectivity with respect to the phase change material layer, thereby preventing pattern deformation such as top attack or boeing when the phase change material layer is etched. Have an effect
또한, 본 발명은 하드마스크층에 대한 높은 식각선택비를 갖는 식각가스를 제공함으로써, 하드마스크층 식각시, 하드마스크층이 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention provides an etching gas having a high etching selectivity to the hard mask layer, there is an effect that can be prevented from damaging the hard mask layer during the hard mask layer etching.
또한, 하드마스크층에 대한 높은 식각선택비를 갖는 식각가스를 제공함으로써, 하드마스크층을 보다 얇은 두께로 형성할 수 있는 효과가 있다.In addition, by providing an etching gas having a high etching selectivity with respect to the hard mask layer, there is an effect that the hard mask layer can be formed to a thinner thickness.
Claims (15)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070063483A KR100960011B1 (en) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | Method for manufcturing phase change memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070063483A KR100960011B1 (en) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | Method for manufcturing phase change memory device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080114167A KR20080114167A (en) | 2008-12-31 |
| KR100960011B1 true KR100960011B1 (en) | 2010-05-28 |
Family
ID=40371311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070063483A KR100960011B1 (en) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | Method for manufcturing phase change memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100960011B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101212775B1 (en) | 2011-02-25 | 2013-01-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Fabrication Method Of Phase Change Random Access Memory Apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112599669A (en) * | 2020-12-17 | 2021-04-02 | 华中科技大学 | Phase change material etching method and three-dimensional stacked phase change memory |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060148125A1 (en) | 2003-03-21 | 2006-07-06 | Hideki Horii | Phase changable memory device structures |
| KR100598100B1 (en) | 2004-03-19 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | Method of fabricating a phase changeable memory device |
| KR100670782B1 (en) | 2004-11-09 | 2007-01-17 | 한국전자통신연구원 | Fabrication method of phase-change memory device |
| KR100779099B1 (en) | 2006-08-29 | 2007-11-27 | 한국전자통신연구원 | Fabrication method for phase-change memory device having gst chalcogenide pattern |
-
2007
- 2007-06-27 KR KR1020070063483A patent/KR100960011B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060148125A1 (en) | 2003-03-21 | 2006-07-06 | Hideki Horii | Phase changable memory device structures |
| KR100598100B1 (en) | 2004-03-19 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | Method of fabricating a phase changeable memory device |
| KR100670782B1 (en) | 2004-11-09 | 2007-01-17 | 한국전자통신연구원 | Fabrication method of phase-change memory device |
| KR100779099B1 (en) | 2006-08-29 | 2007-11-27 | 한국전자통신연구원 | Fabrication method for phase-change memory device having gst chalcogenide pattern |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101212775B1 (en) | 2011-02-25 | 2013-01-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Fabrication Method Of Phase Change Random Access Memory Apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080114167A (en) | 2008-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109119330B (en) | Method for forming semiconductor device | |
| US7901869B2 (en) | Double patterning with a double layer cap on carbonaceous hardmask | |
| US10224213B2 (en) | Method for forming patterns of a semiconductor device | |
| US20080160765A1 (en) | Method for forming pattern in semiconductor device | |
| US20150004802A1 (en) | Methods and Structures for Protecting One Area While Processing Another Area on a Chip | |
| US20090117742A1 (en) | Method for fabricating fine pattern in semiconductor device | |
| US20090029555A1 (en) | Multi-Step selective etching for cross-point memory | |
| KR100960011B1 (en) | Method for manufcturing phase change memory device | |
| JP2006108268A (en) | Ferroelectric capacitor structure and its manufacturing method | |
| KR20050075872A (en) | A method forming a nano-sized mtj cell without contact hole | |
| US20080251498A1 (en) | Phase change memory device and fabrications thereof | |
| WO2008106222A1 (en) | Method of plasma etching transition metal oxides | |
| JP5164446B2 (en) | Method for forming fine pattern of semiconductor element | |
| JP2023550907A (en) | In-situ drift mitigation liner for pillar cell PCM | |
| US6716760B2 (en) | Method for forming a gate of a high integration semiconductor device including forming an etching prevention or etch stop layer and anti-reflection layer | |
| KR100931966B1 (en) | Phase change structure and its formation method | |
| KR100942966B1 (en) | Method for fabricating semiconductor device with tungsten contained pattern | |
| JP4795817B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| US20220173163A1 (en) | Method for increasing the surface roughness of a metal layer | |
| KR100641548B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR20070096600A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| KR20050001104A (en) | Method for fabrication of semiconductor device | |
| KR100904422B1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| JP2008016852A (en) | Manufacturing method for flash memory element | |
| JP4864491B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |