KR100904422B1 - Method for fabricating semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘성 잔류물의 제거공정을 하드마스크막을 스트립하기 위한 스트립장비 내에서 진행하여 공정의 단순화 및 안정화를 꾀하는 반도체 소자 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 피식각층 상에 탄소를 함유하는 제1하드마스크막과 실리콘을 함유하는 제2하드마스크막을 적층하는 단계; 포토레지스트패턴을 사용하여 상기 제2하드마스크막을 식각하므로써 제2하드마스크막패턴을 형성하는 단계; 상기 제2하드마스크막패턴을 식각장벽으로 상기 제1하드마스크막을 식각하여 제1하드마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 제1하드마스크막패턴을 식각장벽으로 상기 피식각층을 식각하는 단계; 산소와 질소를 포함한 혼합가스를 사용하여 상기 제1하드마스크막패턴을 제거하는 단계; 및 상기 산소와 질소를 포함한 혼합가스에 탄소와 불소를 함유하는 가스를 첨가하여, 상기 제1하드마스크막패턴을 제거한 스트립장비에서 인시츄로 실리콘성 잔류물을 제거하는 단계를 포함한다.The present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that proceeds the removal process of the silicon residue in the strip equipment for stripping the hard mask film to simplify and stabilize the process, the first hard containing carbon on the etching layer Stacking a mask film and a second hard mask film containing silicon; Forming a second hard mask layer pattern by etching the second hard mask layer using a photoresist pattern; Etching the first hard mask layer using the second hard mask layer pattern as an etch barrier to form a first hard mask pattern; Etching the etched layer using the first hard mask layer pattern as an etch barrier; Removing the first hard mask film pattern using a mixed gas containing oxygen and nitrogen; And adding a gas containing carbon and fluorine to the mixed gas including oxygen and nitrogen to remove the silicone residue in situ in the strip equipment from which the first hard mask film pattern is removed.

스트립, 하드마스크막, 식각장벽, 안정성, 신뢰성, 스트립장비 Strip, Hard Mask, Etch Barrier, Stability, Reliability, Strip Equipment

Description

반도체 소자 제조 방법{METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE}Semiconductor device manufacturing method {METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 식각후 잔류하는 잔류물을 안정적으로 제거하기 위한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor device for stably removing the residue remaining after etching.

반도체 소자를 대표하는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)소자의 제조 공정은 집적도의 증가에 따라 불화아르곤(ArF) 노광장비를 이용하는 포토레지스트 형성공정을 사용하고 있다. 또한, 식각공정은 2um이상의 깊은콘택홀(deep contact hole)형성기술이 요구되고 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION A manufacturing process of a DRAM (Dynamic Random Access Memory) device representing a semiconductor device uses a photoresist forming process using an argon fluoride (ArF) exposure apparatus with an increase in the degree of integration. In addition, the etching process requires a technology for forming a deep contact hole of 2 μm or more.

이러한 깊은콘택홀을 형성하기 위한 식각공정은 포토레지스트 아래에 하드마스크막(hard mask)을 사용해야 하며, 최근는 인시츄 코팅(in-situ coating)방식의 하드마스크막이 주목받고 있다.In the etching process for forming the deep contact hole, a hard mask must be used under the photoresist. In recent years, an in-situ coating method has attracted attention.

인시츄 코팅방식의 하드마스크막은 실리콘 함유 카본폴리머막과 스핀방식의 코팅막(spin on coating)이 적층된 구조를 갖는데, 기존의 화학기상증착방식(Chemical Vapor Deposition)의 하드마스크막에 비하여 가격(cost) 및 TAT(Turn Around Time) 측면에서 장점이 있다.The in-situ coating type hard mask layer has a structure in which a silicon-containing carbon polymer layer and a spin type coating layer are stacked, compared with a conventional chemical vapor deposition hard mask layer. ) And TAT (Turn Around Time).

그러나 위와 같은 실리콘 함유 카본폴리머막과 스핀방식의 코팅막(spin on coating)이 적층된 구조의 하드마스크막은 실리콘성 잔류물(residue)이 잔존하는 문제점이 있다. 이 실리콘성 잔류물은 하드마스크막 내의 실리콘이다. 이러한 식각잔류물의 제거를 위해서는 하드마스크막의 스트립(strip) 공정 이후에, 추가적인 식각공정, 특히 건식식각공정을 진행해야 하는 복잡함이 있다.However, a hard mask film having a structure in which a silicon-containing carbon polymer film and a spin method of a spin coating layer is laminated there is a problem that a silicone residue remains. This silicone residue is silicon in the hard mask film. In order to remove such etch residues, there is a complexity of performing an additional etching process, particularly a dry etching process after the strip process of the hard mask layer.

즉, 스트립장비에서 하드마스크막을 스트립한 후에, 식각장비에서 잔류물을 제거하기 위한 식각공정을 진행하거나, 불화수소(HF) 용액의 세정공정을 진행해야 하는 것이다.That is, after stripping the hard mask film in the strip equipment, the etching process to remove the residue in the etching equipment or to proceed with the cleaning process of hydrogen fluoride (HF) solution.

이는 비용을 증가시키고, 불화수소용액에 의한 피식각층의 데미지(damage)가 발생하는 문제점을 야기시킨다.This increases the cost and causes a problem of damage of the etching layer by the hydrogen fluoride solution.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 실리콘성 잔류물 - 실리콘 함유 카본폴리머막과 스핀방식의 코팅막(spin on coating)이 적층된 구조의 하드마스크막을 사용하는 식각공정에서 발생 - 의 제거공정을 상술한 하드마스크막을 스트립하기 위한 스트립장비 내에서 진행하여 제거공정의 단순화 및 안정화를 꾀하는 반도체 소자 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, in the etching process using a hard mask film of a silicon residue-silicon-containing carbon polymer film and a spin coating method (spin on coating) is laminated. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the removal process of occurrence-is carried out in the strip equipment for stripping the hard mask film described above to simplify and stabilize the removal process.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자 제조 방법은, 피식각층 상에 탄소를 함유하는 제1하드마스크막과 실리콘을 함유하는 제2하드마스크막을 적층하는 단계; 포토레지스트패턴을 사용하여 상기 제2하드마스크막을 식각하므로써 제2하드마스크막패턴을 형성하는 단계; 상기 제2하드마스크막패턴을 식각장벽으로 상기 제1하드마스크막을 식각하여 제1하드마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 제1하드마스크막패턴을 식각장벽으로 상기 피식각층을 식각하는 단계; 산소와 질소를 포함한 혼합가스를 사용하여 상기 제1하드마스크막패턴을 제거하는 단계; 및 상기 산소와 질소를 포함한 혼합가스에 탄소와 불소를 함유하는 가스를 첨가하여, 상기 제1하드마스크막패턴을 제거한 스트립장비에서 인시츄로 실리콘성 잔류물을 제거하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.The semiconductor device manufacturing method of the present invention for achieving the above object comprises the steps of: laminating a first hard mask film containing carbon and a second hard mask film containing silicon on the etched layer; Forming a second hard mask layer pattern by etching the second hard mask layer using a photoresist pattern; Etching the first hard mask layer using the second hard mask layer pattern as an etch barrier to form a first hard mask pattern; Etching the etched layer using the first hard mask layer pattern as an etch barrier; Removing the first hard mask film pattern using a mixed gas containing oxygen and nitrogen; And adding a gas containing carbon and fluorine to the mixed gas including oxygen and nitrogen to remove the silicone residue in situ in the strip equipment from which the first hard mask film pattern is removed. It is done.

상술한 바와 같은 과제 해결 수단을 바탕으로 하는 본 발명은 식각공정 및 세정공정의 추가 없이 실리콘성 잔류물을 안정적으로 제거하여 시간과 비용 측면에서 우수한 효과를 갖는다. The present invention based on the problem solving means described above has an excellent effect in terms of time and cost by stably removing the silicone residue without the addition of an etching process and a cleaning process.

따라서, 반도체 소자의 신뢰성 및 안정성을 향상시킬 수 있다.Therefore, the reliability and stability of the semiconductor device can be improved.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위해 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.

후술하는 실시예에서는 실리콘성 잔류물을 제거하기 위해 스트립 장비에서 2회에 걸쳐 스트립공정을 진행한다.In the embodiment described below, the strip process is performed twice in strip equipment to remove the silicone residue.

스트립공정과 건식식각공정의 차이점에 대해 살펴보면 다음과 같다.The differences between the strip process and the dry etching process are as follows.

스트립 공정은 건식식각(Dry etch) 공정과 크게 상이하다는 점에 유의하는 것이 중요하다. 두 공정이 플라즈마가 매개일 수 있지만, 건식식각 공정은 플라즈마 화학작용이 포토레지스트 내의 개구들을 통해서 기판 표면의 부분들을 제거함으로써 기판으로 패턴을 영구적으로 전달하도록 선택된다는 점에서 현저하게 상이하다. 플라즈마는 일반적으로, 저온 및 저압(밀리토르 정도)에서 고 에너지로 이온 을 노출시켜 기판의 부분들을 제거한다. 게다가, 이온에 노출된 기판의 부분들은 일반적으로 포토레지스트의 제거 속도와 같거나 큰 속도로 제거된다. 대조적으로, 스트립 공정은 일반적으로, 식각공정 동안 형성된 폴리머 또는 잔류물 및 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 것이다. 이 스트립공정의 플라즈마 화학작용은 건식식 각공정의 화학작용보다 훨씬 덜 침투적이고 일반적으로 하부의 기판의 제거 속도보다 훨씬 큰 속도로 폴리머, 잔류물 및 포토레지스트를 제거하도록 선택된다. 따라서, 건식식각공정과 스트립공정은 크게, 다른 재료를 제거하는 것과 관계되고 완전히 다른 플라즈마 화학작용 및 공정을 필요로 한다.It is important to note that the strip process is very different from the dry etch process. Although both processes may be plasma mediated, the dry etching process is significantly different in that the plasma chemistry is chosen to permanently transfer the pattern to the substrate by removing portions of the substrate surface through openings in the photoresist. Plasma generally removes portions of the substrate by exposing ions with high energy at low temperatures and low pressures (about millitorr). In addition, portions of the substrate exposed to ions are generally removed at a rate equal to or greater than that of the photoresist. In contrast, the strip process is generally the selective removal of polymers or residues and photoresist formed during the etching process. The plasma chemistry of this strip process is chosen to remove polymers, residues and photoresists at rates much less invasive than those of dry angular processes and generally much faster than the removal rate of the underlying substrate. Thus, dry etching and stripping processes are largely involved in removing other materials and require completely different plasma chemistries and processes.

전술한 바와 같은 원리에 의해 본 발명에서는 실리콘성 잔류물을 제거하기 위해 별도의 건식식각장비 또는 세정장비를 사용하지 않고, 스트립 장비내에서 2회에 걸쳐 스트립공정을 진행한다. 이로써, 시간과 비용을 절약을 할 수 있을뿐만 아니라 건식식각장비 또는 세정장비를 적용함에 따라 초래되는 하부층의 손상을 원천적으로 방지할 수 있다.According to the principle as described above, the strip process is performed twice in the strip equipment without using a separate dry etching equipment or a cleaning equipment to remove the silicone residue. This not only saves time and money, but also prevents damage to underlying layers caused by the application of dry etching or cleaning equipment.

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 공정순서도이다.1A to 1C are process flowcharts illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with an embodiment of the present invention.

도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(11) 상에 피식각층(12)을 형성하고, 피식각층(12) 상에 스핀코팅방식을 이용하여 제1하드마스크막(13A)과 제2하드마스크막(13B)을 적층한다. 여기서, 제1하드마스크막(13A)과 제2하드마스크막(13B)을 하드마스크막(13)이라 약식표기한다. 그리고, 제1하드마스크막(13A)은 탄소함유량이 높은 폴리머일 수 있고, 제2하드마스크막(13B)은 MFHM을 사용할 수 있다.As shown in FIG. 1A, the etched layer 12 is formed on the substrate 11, and the first hard mask layer 13A and the second hard mask layer are formed on the etched layer 12 by using a spin coating method. (13B) is laminated. Here, the first hard mask film 13A and the second hard mask film 13B are abbreviated as a hard mask film 13. The first hard mask film 13A may be a polymer having a high carbon content, and the second hard mask film 13B may use MFHM.

먼저, 제1하드마스크막(13A)은 피식각층 식각시 사용되는 하드마스크로서, 플로우(flow) 특성이 우수한 스핀 코팅(spin coating) 방식을 이용하여 형성하므로써 화학기상증착법보다 비용 및 TAT 측면에서 유리하다. 예컨대, 제1하드마스크막(13A)은 2개 내지 10개의 탄소 원소로 구성된 폴리머 용액을 코팅 장비로 도포하 여 형성할 수 있다. First, the first hard mask layer 13A is a hard mask used for etching an etched layer. The first hard mask layer 13A is formed by using a spin coating method having excellent flow characteristics, which is advantageous in terms of cost and TAT than chemical vapor deposition. Do. For example, the first hard mask film 13A may be formed by coating a polymer solution composed of 2 to 10 carbon elements with coating equipment.

제2하드마스크막(13B)으로 사용되는 MFHM이라 함은 하드마스크로서의 역할과 반사방지막으로서의 역할을 동시에 수행하는 막으로서, 예를 들어 BARC(Bottom Anti Coating Layer)막에 실리콘이 함유된 막이다. 따라서, 제1하드마스크막(13A) 상에 스핀코팅 방식의 MFHM을 형성하는 경우, CVD 방식에 비해 저렴한 코팅 방식으로 막을 형성하고 별도의 반사 방지막 코팅 과정을 생략할 수 있어 공정 과정의 단순화가 가능하고, 공정 비용 및 TAT 측면에서 유리하다. MFHM 형성 과정을 좀더 구체적으로 살펴보면, 실리콘을 함유하는 폴리머층을 코팅한 후 이를 베이크(bake)하여 경화시킴으로써 형성될 수 있고, 코팅 후에는 EBR(Edge Bead Removal) 처리를 더 수행할 수도 있다. MFHM의 두께는 제1하드마스크막 두께의 약 1/5 이하로 얇은 것이 바람직하며, 후속 제1하드마스크막의 식각시 제1하드마스크막에 대한 선택비를 확보할 수 있도록 실리콘 함유량은 20∼50% 정도가 됨이 바람직하다.The MFHM used as the second hard mask film 13B is a film which simultaneously serves as a hard mask and an anti-reflection film, for example, a film containing silicon in a BARC (Bottom Anti Coating Layer) film. Therefore, in the case of forming the spin coating MFHM on the first hard mask film 13A, the film can be formed in a cheaper coating method than the CVD method and a separate anti-reflection coating process can be omitted, thereby simplifying the process. It is advantageous in terms of process cost and TAT. Looking at the MFHM formation process in more detail, it may be formed by coating a polymer layer containing silicon and then baking and curing it, and after the coating may be further subjected to Edge Bead Removal (EBR) treatment. The thickness of the MFHM is preferably about 1/5 or less of the thickness of the first hard mask film, and the silicon content is 20 to 50 to ensure the selectivity to the first hard mask film during the etching of the first hard mask film. It is preferable to become about%.

이어서, 제2하드마스크막(13B) 상에 ArF 포토레지스트를 도포한 후 노광 및 현상으로 패터닝하여 포토레지스트패턴(14)을 형성한다.Subsequently, an ArF photoresist is applied on the second hard mask film 13B and then patterned by exposure and development to form a photoresist pattern 14.

도 1b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트패턴(14)을 식각장벽으로 하드마스크막(13)을 식각하여 하드마스크막패턴(13C)을 형성한다.As shown in FIG. 1B, the hard mask layer 13 is etched using the photoresist pattern 14 as an etch barrier to form the hard mask layer pattern 13C.

자세하게는 포토레지스트패턴(14)을 식각장벽으로 제2하드마스크막(13B)을 식각하여 제2하드마스크막패턴(13E)을 형성한 후, 제2하드마스크막패턴(13E)을 식각장벽으로 제1하드마스크막(13A)을 식각하여 제1하드마스크막패턴(13D)을 형성한다.In detail, the second hard mask film 13B is etched using the photoresist pattern 14 as an etch barrier to form the second hard mask film pattern 13E, and then the second hard mask film pattern 13E is used as the etch barrier. The first hard mask film 13A is etched to form a first hard mask film pattern 13D.

여기서, 포토레지스트패턴(14)을 이용하여 제2하드마스크막(13B) 식각시 CxFy(x, y는 1~10) 가스와 Ar 가스를 혼합하여 진행한다. CxFy 가스는 제2하드마스크막(13B)을 식각하기 위한 식각가스이고, Ar 가스는 식각율을 향상하기 위한 식각가스이다. Ar 가스는 원자무게가 크기 때문에 식각율 향상에 용이하게 작용하며, 식각되는 공간(space)이 좁은 부분까지 용이하게 식각할 수 있도록 작용한다.Here, when the second hard mask layer 13B is etched using the photoresist pattern 14, C x F y (x and y are 1 to 10) gas and Ar gas are mixed. C x F y gas is an etching gas for etching the second hard mask film 13B, and Ar gas is an etching gas for improving the etching rate. Ar gas is easy to improve the etch rate because of the large atomic weight, it is possible to easily etch to a narrow space to be etched (space).

그리고, 제2하드마스크막패턴(13E)을 이용하여 제1하드마스크막(13A) 식각시 O2 가스와 N2 가스를 혼합하여 진행한다. 여기서 O2 가스는 제2하드마스크막패턴(13E)의 노출면을 산화시켜 경도를 높인다. 즉, O2 가스와 제2하드마스크막패턴(13E)의 실리콘(Si)이 반응하여 제2하드마스크막패턴(13E)의 노출면에 산화막을 형성하고, 이 산화막을 이용하여 제1하드마스크막(13A)을 식각하는 것이다.Then, when the first hard mask layer 13A is etched using the second hard mask layer pattern 13E, the O 2 gas and the N 2 gas are mixed to proceed. The O 2 gas oxidizes the exposed surface of the second hard mask film pattern 13E to increase the hardness. That is, the O 2 gas reacts with silicon (Si) of the second hard mask film pattern 13E to form an oxide film on the exposed surface of the second hard mask film pattern 13E, and uses the oxide film to form a first hard mask. The film 13A is etched.

이어서, 포토레지스트패턴(14)을 제거한다. 또는 제1하드마스크막(13A) 식각시, 물질 특성이 유사한 포토레지스트패턴(14)은 소모되어 제거될 수 있다.Next, the photoresist pattern 14 is removed. Alternatively, when the first hard mask layer 13A is etched, the photoresist pattern 14 having similar material characteristics may be consumed and removed.

도 1c 및 도 1d에 도시된 바와 같이, 하드마스크막패턴(13C)을 식각장벽으로 피식각층(12)을 식각하여 피식각층패턴(12A)을 형성한 후에 하드마스크막패턴(13C)을 제거한다.As shown in FIGS. 1C and 1D, the etched layer 12 is etched using the hard mask film pattern 13C as an etch barrier to form the etched layer pattern 12A, and then the hard mask film pattern 13C is removed. .

하드마스크막패턴(13C)을 제거하기 위해서는 먼저, 제2하드마스크막패턴(13E)을 제거한다. 또는 제2하드마스크막패턴(13E)이 피식각층(12)과 물질특성이 유사할 경우에는 피식각층(12) 식각시 소모되어 제거될 수 있다. In order to remove the hard mask film pattern 13C, first, the second hard mask film pattern 13E is removed. Alternatively, when the second hard mask layer pattern 13E has a similar material characteristic to that of the etched layer 12, the second hard mask layer pattern 13E may be consumed and removed during etching of the etched layer 12.

이어서, 제1하드마스크막(13A)을 제거하고, 하드마스크막패턴(13C)의 사용으 로 인해 생성된 실리콘성 잔류물을 제거하기 위한 공정을 진행한다.Subsequently, the first hard mask film 13A is removed, and a process for removing the silicon residue generated by the use of the hard mask film pattern 13C is performed.

이는 하기와 같은 두 단계의 제거공정으로 이루어진다.This consists of a two step removal process as follows.

먼저, 1차스트립 공정으로 제1하드마스크막(13A)을 제거하고, 2차스트립 공정으로 실리콘성 잔류물을 제거한다. 그리고, 1차스트립 공정과 2차스트립 공정은 동일 스트립 장비에서 인시츄(in-situ)로 진행한다.First, the first hard mask film 13A is removed by the primary strip process, and the silicon residue is removed by the secondary strip process. The primary strip process and the secondary strip process proceed in-situ in the same strip equipment.

더욱 자세하게 설명하면, 먼저 1000~3000SCCM의 유량을 갖는 O2 가스와 100~500SCCM의 유량을 갖는 N2 가스를 혼합한 혼합가스를 이용하는 1차 스트립 공정을 진행한다.In more detail, first, a first strip process using a mixed gas of O 2 gas having a flow rate of 1000 to 3000 SCCM and N 2 gas having a flow rate of 100 to 500 SCCM is performed.

이어서, 1000~3000SCCM의 유량을 갖는 O2 가스와 100~500SCCM의 유량을 갖는 N2 가스에 탄소와 불소를 함유하는 가스, 즉 CxFy(x, y는 1~10) 계열의 가스를 첨가(add)한 혼합가스를 이용하는 2차 스트립 공정을 진행한다. 여기서 CxFy 가스의 유량은 10~100SCCM으로 진행한다. 그리고, CxFy 가스의 예를 들면 CF4 가스일 수 있다.Subsequently, a gas containing carbon and fluorine in an O 2 gas having a flow rate of 1000 to 3000 SCCM and an N 2 gas having a flow rate of 100 to 500 SCCM, that is, a gas of C x F y (x, y is 1 to 10) series The secondary strip process using the added mixed gas is performed. Here, the flow rate of C x F y gas proceeds from 10 to 100 SCCM. And, for example of the C x F y gas may be CF 4 gas.

그리고, 스트립 장비는 하부층(underlayer)의 식각 데미지(damage)를 방지할 수 있는 극초단파 플라즈마 타입(microwave plasma type)의 스트립 장비일 수 있다.The strip equipment may be a microwave plasma type strip equipment capable of preventing etch damage of an underlayer.

이와 같은 1차 및 2차 스트립 공정을 진행하여 제1하드마스크막(13A)과 실리콘성 잔류물을 제거한다.The first and second strip processes are performed to remove the first hard mask layer 13A and the silicone residue.

전술한 바와 같은 본 발명의 실시예는, 하드마스크패턴(13C)의 사용으로 인해 발생된 실리콘성 잔류물을 제1하드마스크막(13A)의 제거공정을 위한 스트립 장비 내에서 인시츄로 제거한다.The embodiment of the present invention as described above, removes the silicone residue caused by the use of the hard mask pattern 13C in situ in the strip equipment for the process of removing the first hard mask film 13A. .

즉, 별도의 건식식각 장비 또는 세정장비에서 실리콘성 잔류물을 제거하던 종래의 방식과 달리, 제1하드마스크막(13A)의 제거공정을 위한 스트립 장비 내에서 제거한다. 따라서, 웨이퍼의 장비간 이동 없이 실리콘성 잔류물을 제거할 수 있다.That is, unlike the conventional method of removing the silicone residue from the separate dry etching equipment or the cleaning equipment, it is removed in the strip equipment for the removal process of the first hard mask film 13A. Thus, it is possible to remove the silicon residue without moving the wafer between devices.

또한, 불화수소용액을 사용하지 않기 때문에 피식각층의 데미지(damage)를 방지할 수 있다.In addition, since the hydrogen fluoride solution is not used, damage of the etching target layer can be prevented.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those of ordinary knowledge.

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 공정순서도.1A to 1C are process flowcharts illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

11 : 기판 12 : 피식각층11 substrate 12 etched layer

13 : 하드마스크막 14 : 포토레지스트패턴13 hard mask film 14 photoresist pattern

Claims (7)

삭제delete 삭제delete 피식각층 상에 탄소를 함유하는 제1하드마스크막과 실리콘을 함유하는 제2하드마스크막을 적층하는 단계;Stacking a first hard mask film containing carbon and a second hard mask film containing silicon on the etched layer; 포토레지스트패턴을 사용하여 상기 제2하드마스크막을 식각하므로써 제2하드마스크막패턴을 형성하는 단계;Forming a second hard mask layer pattern by etching the second hard mask layer using a photoresist pattern; 상기 제2하드마스크막패턴을 식각장벽으로 상기 제1하드마스크막을 식각하여 제1하드마스크패턴을 형성하는 단계;Etching the first hard mask layer using the second hard mask layer pattern as an etch barrier to form a first hard mask pattern; 상기 제1하드마스크막패턴을 식각장벽으로 상기 피식각층을 식각하는 단계;Etching the etched layer using the first hard mask layer pattern as an etch barrier; 산소와 질소를 포함한 혼합가스를 사용하여 상기 제1하드마스크막패턴을 제거하는 단계; 및Removing the first hard mask film pattern using a mixed gas containing oxygen and nitrogen; And 상기 산소와 질소를 포함한 혼합가스에 탄소와 불소를 함유하는 가스를 첨가하여, 상기 제1하드마스크막패턴을 제거한 스트립장비에서 인시츄로 실리콘성 잔류물을 제거하는 단계를 포함하는 And adding a gas containing carbon and fluorine to the mixed gas including oxygen and nitrogen to remove the silicone residue in situ in the strip equipment from which the first hard mask film pattern is removed. 반도체 소자 제조 방법.Semiconductor device manufacturing method. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 산소는 1000~3000SCCM의 유량으로, 상기 질소는 100~500SCCM의 유량으로 진행하는 반도체 소자 제조 방법.Wherein the oxygen is flow rate of 1000 ~ 3000SCCM, the nitrogen proceeds at a flow rate of 100 ~ 500SCCM. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 탄소와 불소를 함유하는 가스는 CF4 가스인 반도체 소자 제조 방법.The carbon and fluorine-containing gas is CF 4 gas. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 탄소와 불소를 함유하는 가스는 10~100SCCM의 유량으로 진행하는 반도체 소자 제조 방법.The carbon and fluorine-containing gas is a semiconductor device manufacturing method that proceeds at a flow rate of 10 ~ 100SCCM. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 스트립장비는 극초단파 플라즈마 타입(microwave plasma type)의 스트립장비를 사용하여 진행하는 반도체 소자 제조 방법.The strip equipment is a semiconductor device manufacturing method using a microwave plasma type strip equipment (microwave plasma type).
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KR100727439B1 (en) * 2005-03-22 2007-06-13 주식회사 하이닉스반도체 Method for forming interconnection line

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