KR100942351B1 - 노광 장치 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (2)
- 마스크에 형성된 패턴을 워크에 투영하여 노광하는 노광 장치에 있어서,패턴이 형성된 마스크와,노광되는 워크가 유지되는 워크 스테이지와,상기 워크 스테이지에 유지된 워크에, 상기 마스크의 패턴을 투영하는 투영 렌즈와, 투영 배율 변경 기구를 구비하고,상기 투영 배율 변경 기구는, 상기 마스크와 상기 워크 스테이지의 사이에 삽입되어, 제1 방향에 대해서 곡률을 갖지 않고, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 대해서 곡률을 가지며, 상기 제2 방향으로 투영상을 확대 또는 축소하는 투명한, 모두 아래로 볼록 또는 위로 볼록하게 배치된 2장의 평행 평판과,상기 2장의 평행 평판을, 상기 투영 렌즈의 광축을 회전축으로 하여, 상기 광축을 중심으로, 상기 패턴 또는 워크의 세로 또는 가로방향의 변에 평행한 직선에 대해서, 상기 2장의 평행 평판의 골짜기 또는 산을 따르는 직선인 능선이 항상 선대칭이 되도록 좌우 역방향으로 같은 각도만큼 회전시켜, 종횡 방향의 확대 축소 배율을 연속적으로 변화시키는 평행 평판 회전 기구로 구성되고, 상기 2장의 평행 평판은, 같은 두께로 같은 곡률을 갖는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
- 마스크에 형성된 패턴을 워크에 투영하여 노광하는 노광 장치에 있어서,패턴이 형성된 마스크와,노광되는 워크가 유지되는 워크 스테이지와,상기 워크 스테이지에 유지된 워크에, 상기 마스크의 패턴을 투영하는 투영 렌즈와, 투영 배율 변경 기구를 구비하고,상기 투영 배율 변경 기구는, 상기 마스크와 상기 워크 스테이지의 사이에 삽입되어, 제1 방향에 대해서 곡률을 갖지 않고, 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향에 대해서 곡률을 가지며, 상기 제2 방향으로 투영상을 확대 또는 축소하는 투명한, 한 쪽이 아래로 볼록 다른 쪽이 위로 볼록하게 배치된 2장의 평행 평판과,상기 2장의 평행 평판을, 상기 투영 렌즈의 광축을 회전축으로 하여, 상기 광축을 중심으로, 상기 패턴 또는 워크의 세로 또는 가로방향의 변에 대해서 45°기운 직선에 대해서, 상기 2장의 평행 평판의 골짜기 또는 산을 따르는 직선인 능선이 항상 선대칭이 되도록 좌우 역방향으로 같은 각도만큼 회전시켜, 종횡 방향의 확대 축소 배율을 연속적으로 변화시키는 평행 평판 회전 기구로 구성되고, 상기 2장의 평행 평판은, 같은 두께로 같은 곡률을 갖는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
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