KR100941688B1 - Substrate delivery apparatus, substrate processing apparatus, substrate delivery method - Google Patents

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Abstract

반송아암을 사용하지 않고 기판 인도 장치만으로 기판의 수평 방향의 위치 어긋남을 보정한다.Position shift of the horizontal direction of a board | substrate is corrected only by a board | substrate delivery apparatus, without using a carrier arm.

재치대(112)의 지지축(114) 둘레로 떨어져 배치되어, 기판 예를 들면 웨이퍼(W)를 그 하면에서 지지하는 복수의 지지핀(132A∼132C)과, 지지핀이 부착되는 베이스대(134)와, 지지핀을 베이스대를 통하여 상하 구동시켜, 웨이퍼(W)의 올리고 내림을 행하는 상하 구동 수단(Z방향 구동 수단(138Z))과, 지지핀을 베이스대를 통하여 수평 구동시켜, 웨이퍼의 수평 방향(X, Y방향)의 위치를 조정하는 수평 구동 수단(X방향 구동 수단(138X), Y방향 구동 수단(138Y))을 설치했다.A plurality of support pins 132A to 132C which are disposed around the support shaft 114 of the mounting table 112 to support the substrate, for example, the wafer W at its lower surface, and a base to which the support pins are attached ( 134, the support pin is driven up and down through the base stand, and the vertical drive means (Z direction drive means 138Z) for raising and lowering the wafer W and the support pin are driven horizontally through the base stand, Horizontal drive means (X direction drive means 138X, Y direction drive means 138Y) which adjusts the position of the horizontal direction (X, Y direction) of this was provided.

반송아암, 재치대, 베이스대 Carrier arm, mounting base, base

Description

기판 인도 장치, 기판 처리 장치, 기판 인도 방법{SUBSTRATE DELIVERY APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE DELIVERY METHOD}Substrate delivery apparatus, substrate processing apparatus, substrate delivery method {SUBSTRATE DELIVERY APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE DELIVERY METHOD}

본 발명은, 기판 인도 장치, 기판 처리 장치, 기판 인도 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate delivery device, a substrate processing apparatus, and a substrate delivery method.

일반적으로, 반도체 집적 회로의 제조 공정에 있어서는, 피처리 기판, 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고도 칭함)에 성막 처리, 에칭 처리, 열처리 등의 각종의 프로세스 처리를 반복하여 행함으로써 웨이퍼 상에 집적 회로를 형성해 간다. 또한, 상기 각 프로세스 처리가 시행된 웨이퍼에는, 소정의 후처리가 행해지는 경우도 있다. 후처리로서는, 예를 들면 웨이퍼의 세정을 위한 처리(예를 들면 웨이퍼에 부착한 부착물의 제거 처리 등), 프로세스 처리의 결과를 측정하는 처리(예를 들면 막두께 측정 처리, 파티클 측정 처리 등)를 들 수 있다.Generally, in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit, various process processes, such as a film-forming process, an etching process, and heat processing, are performed repeatedly on a to-be-processed board | substrate, for example, a semiconductor wafer (henceforth simply called a "wafer"). Integrated circuits are formed on the wafer. In addition, predetermined post-processing may be performed to the wafer which each said process process was performed. As post-processing, for example, a process for cleaning the wafer (e.g., removing a deposit adhered to the wafer, etc.), a process for measuring the result of the process (e.g., a film thickness measurement process, a particle measurement process, etc.) Can be mentioned.

이러한 웨이퍼의 처리는, 예를 들면 플라즈마 처리, 측정 처리 등 소정의 처리를 실행 가능하게 구성된 처리실을 구비하는 기판 처리 장치에 의해 행해진다. 기판 처리 장치는, 예를 들면 웨이퍼를 반송하는 반송아암(arm)을 선회, 후퇴가 자유롭게 마련한 반송 로봇을 구비하고, 이 반송아암에 의해 웨이퍼가 처리실로 반송된다. 일반적으로, 처리실 내에는 웨이퍼를 올려놓는 재치대(裁置臺)가 형성되어, 이 재치대와 상기 반송아암과의 사이에서 웨이퍼의 인도가 행해진다.Such wafer processing is performed by a substrate processing apparatus having a processing chamber configured to be able to execute predetermined processing such as, for example, plasma processing and measurement processing. The substrate processing apparatus includes, for example, a transfer robot that is free to pivot and retreat a transfer arm for transferring the wafer, and the wafer is transferred to the processing chamber by the transfer arm. In general, a mounting table on which a wafer is placed is formed in the processing chamber, and the wafer is guided between the mounting table and the transfer arm.

상기와 같은 웨이퍼의 인도는, 종래부터 재치대를 관통하는 복수의 지지핀을 상하 운동시킴으로써, 반송아암 상의 웨이퍼를 지지핀으로 수취하여, 재치대에 올려놓는 것이 알려져 있다(예를 들면 특허 문헌 1 참조). 또한, 반송 로봇과 재치대와의 사이에 회전팔을 형성하고, 이 회전팔에 의해 반송 로봇의 핀 세트 상의 웨이퍼를 재치대로 이동하여 올려놓는 것도 있다(특허 문헌 2 참조).The delivery of such a wafer is conventionally known by receiving a wafer on a carrier arm with a support pin and placing it on a mounting table by vertically moving a plurality of support pins penetrating the mounting table (for example, Patent Document 1). Reference). In addition, a rotating arm may be formed between the transfer robot and the mounting table, and the rotating arm may move the wafer on the set of pins of the transfer robot to the mounting table and place it (see Patent Document 2).

[특허 문헌 1] 일본공개특허공보 평6-97269호[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 6-97269

[특허 문헌 2] 일본공개특허공보 평5-343500호[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-343500

[특허 문헌 3] 일본공개특허공보 평8-8328호[Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-8328

[특허 문헌 4] 일본공개특허공보 2002-280287호[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-280287

(발명의 개시)(Initiation of invention)

(발명이 해결하고자 하는 과제)(Tasks to be solved by the invention)

그런데, 재치대 상의 웨이퍼에 대하여 적절한 처리를 시행하기 위해서는, 웨이퍼를 수평 방향의 위치 어긋남이 없도록 정확히 재치대 상에 올려놓을 필요가 있다. 이 때문에, 종래는 웨이퍼에 수평 방향의 위치 어긋남이 있으면, 재치대 위의 웨이퍼를 반송아암으로 취출하여, 반송아암이나 반송 로봇으로 위치 어긋남을 보정하고 나서, 다시 한번 재치대에 웨이퍼를 다시 놓도록 하고 있었다.By the way, in order to perform an appropriate process with respect to the wafer on a mounting base, it is necessary to place a wafer on a mounting base correctly so that there exists no positional shift of a horizontal direction. For this reason, conventionally, if there is a positional displacement in the horizontal direction on the wafer, the wafer on the mounting table is taken out by the transfer arm, the positional displacement is corrected by the transfer arm or the transfer robot, and then the wafer is placed again on the mounting stage. Was doing.

구체적으로는, 예를 들면 특허 문헌 1에 나타내는 바와 같은 지지핀을 상하 운동시켜 웨이퍼의 인도를 행하는 것에 있어서는, 웨이퍼에 위치 어긋남이 있으면, 재치대 상의 웨이퍼를 지지핀으로 들어올려, 반송아암을 끼워 넣어 웨이퍼를 수취하여 취출한다. 그리고, 반송아암을 움직여 웨이퍼의 위치를 조정한 후에, 재차 재치대에 웨이퍼를 다시 놓도록 하고 있었다.Specifically, for example, in carrying out a wafer by vertically moving a support pin as shown in Patent Literature 1, if there is a misalignment in the wafer, the wafer on the mounting table is lifted by the support pin, and a carrier arm is inserted. The wafer is received and taken out. After the carrier arm was moved to adjust the position of the wafer, the wafer was placed again on the mounting table.

또한, 특허 문헌 2에 나타내는 바와 같은 반송 로봇 자체에 웨이퍼의 위치 맞춤 장치를 마련한 것에 있어서는, 반송 로봇의 핀 세트 상에서 웨이퍼의 위치를 보정한 후에, 회전팔에 의해 웨이퍼를 재치대에 이동하여 올려놓는다(특허 문헌 2의 도2, 도3 참조).In the case where the wafer alignment device is provided in the transfer robot itself as shown in Patent Document 2, after the position of the wafer is corrected on the pin set of the transfer robot, the wafer is moved and placed on the mounting table by the rotating arm. (See FIGS. 2 and 3 of Patent Document 2).

그러나, 상기와 같이 반송아암이나 반송 로봇으로 위치 어긋남을 보정하는 것에 있어서는, 그 보정 동작을 위해 반송아암이나 반송 로봇은 다른 작업(예를 들면 다른 웨이퍼의 반송 작업)을 행할 수 없게 된다. 이 때문에, 웨이퍼 처리의 스루풋이 저하한다는 문제가 있었다.However, in correcting the position shift with the transfer arm or the transfer robot as described above, the transfer arm and the transfer robot cannot perform other operations (for example, transfer operations of different wafers) for the correction operation. For this reason, there exists a problem that the throughput of a wafer process falls.

이 점, 반송아암을 이용하지 않고, 재치대를 XY 방향으로 이동시킴으로써 웨이퍼의 수평 방향의 위치 어긋남을 보정하는 것도 알려져 있다. 예를 들면 특허 문헌 3에는, 웨이퍼를 재치대에 올려놓은 채 회전시켜, CCD 리니어 센서로 웨이퍼 외연(外緣) 전체 둘레를 검출함으로써 웨이퍼의 위치 어긋남을 검출하여, 그 위치 어긋남을 재치대를 XY 방향으로 이동시킴으로써 보정하는 것이 기재되어 있다.It is also known to correct the positional shift in the horizontal direction of the wafer by moving the mounting table in the XY direction without using this point and the carrier arm. For example, Patent Document 3 rotates a wafer while placing the wafer on a mounting table, and detects the positional shift of the wafer by detecting the entire periphery of the wafer with a CCD linear sensor. Correction by moving in the direction is described.

또한, 예를 들면 특허 문헌 4에는, 처리실내에 매달아 내려진 회전 지지체(반입아암)로 웨이퍼를 지지한 채, 복수의 CCD 카메라로 웨이퍼의 외연을 촬영하고, 그 촬영 결과에 기초하여 웨이퍼의 위치를 검출하고, 그 위치 어긋남을 재치대를 XY 방향으로 이동시킴으로써 보정하는 것이 기재되어 있다.For example, in Patent Document 4, a plurality of CCD cameras photograph the outer edges of the wafer while supporting the wafer with a rotating support (load arm) hung in the processing chamber, and the position of the wafer is determined based on the photographing result. It detects and corrects the position shift by moving a mounting base to XY direction.

그런데, 특허 문헌 3에 기재된 것에서는, 웨이퍼의 위치 어긋남을 검출하기 위해, 웨이퍼 리프트로 웨이퍼를 재치대에 내려놓지 않으면 안되고, 또한 웨이퍼에 위치 어긋남이 있었던 경우에 그것을 보정하기 위해, 웨이퍼 리프트로 웨이퍼를 들어올리고 나서 재치대를 XY 방향으로 이동한 후에 재차 웨이퍼를 재치대에 내려놓지 않으면 안된다. 이와 같이, 몇번이나 웨이퍼를 올리고 내려놓지 않으면 안되기 때문에, 위치 어긋남 보정에 시간이 걸려, 그만큼 웨이퍼 처리의 스루풋이 저하해 버린다.By the way, in patent document 3, in order to detect the position shift of a wafer, a wafer must be put down on a mounting table by a wafer lift, and a wafer is lifted by a wafer lift in order to correct it when there exists a position shift in a wafer. After the lifting, the mounting table must be moved in the XY direction, and then the wafer must be lowered again on the mounting table. In this way, since the wafer must be raised and lowered many times, the misalignment correction takes time, and the throughput of the wafer processing decreases by that much.

또한, 특허 문헌 4에 기재된 것에서는, 예를 들면 CCD 카메라로 웨이퍼의 외연을 검출할 수 없을 만큼 웨이퍼의 위치 어긋남이 큰 경우에는, 웨이퍼의 위치 어긋남을 검출할 수 없어, 그 위치 어긋남을 재치대의 XY 구동에 의해 보정할 수 없다. 또한, 웨이퍼를 지지하는 회전 지지체(반입아암) 자체는 XY 방향으로 이동하지 않기 때문에, 회전 지지체(반입아암)로 XY 방향의 보정을 할 수도 없다.In addition, in the patent document 4, when the position shift of a wafer is large so that the outer edge of a wafer cannot be detected by a CCD camera, for example, a position shift of a wafer cannot be detected and the position shift will be carried out. It cannot be corrected by the XY drive. In addition, since the rotational support (carrying arm) itself which supports the wafer does not move in the XY direction, the rotational support (carrying arm) cannot correct the XY direction.

따라서, 이러한 경우에는, 반송 로봇이나 반송아암으로 웨이퍼를 취출하여, 회전 지지체(반입아암)에 다시 올려놓지 않으면 안된다. 그 동안, 상기와 같이 반송아암이나 반송 로봇은 다른 작업(예를 들면 다른 웨이퍼의 반송 작업)을 행할 수 없게 되기 때문에, 웨이퍼 처리의 스루풋이 저하해 버린다.Therefore, in such a case, the wafer must be taken out by the transfer robot or the transfer arm and placed on the rotating support (loading arm) again. In the meantime, as described above, the transfer arm and the transfer robot cannot perform other operations (for example, transfer operations of different wafers), so the throughput of the wafer processing decreases.

그래서, 본 발명은, 이와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 반송아암으로부터 기판을 지지핀으로 수취한 후는, 반송아암이나 반송 로봇을 사용하지 않고, 지지핀으로 기판을 수평 방향으로 구동시킴으로써, 기판의 위치 어긋남을 재빠르게 보정할 수 있어, 결과로서 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 인도 장치 등을 제공하는 것에 있다.Therefore, this invention is made | formed in view of such a problem, and the objective is, after receiving a board | substrate with a support pin from a carrier arm, and carrying out a board | substrate in a horizontal direction with a support pin without using a carrier arm or a carrier robot. By driving, the position shift of a board | substrate can be corrected quickly, As a result, it is providing the board | substrate delivery apparatus etc. which can improve the throughput of a wafer process.

(과제를 해결하기 위한 수단)(Means to solve the task)

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 어느 관점에 의하면, 기판을 반송하는 반송아암과 상기 기판을 올려놓는 재치대와의 사이에서 기판의 인도를 행하는 기판 인도 장치로서, 상기 재치대의 지지축 둘레로 떨어져 설치되어, 상기 기판을 그 하면에서 지지하는 복수의 지지핀과, 상기 지지핀이 부착되는 베이스대(基台)와, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 상하 구동시키고, 상기 기판의 올리고 내림을 행하는 상하 구동 수단과, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 수평 구동시키고, 상기 기판의 수평 방향의 위치를 조정하는 수평 구동 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 인도 장치가 제공된다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, according to one aspect of this invention, the board | substrate delivery apparatus which guides a board | substrate between the conveyance arm which conveys a board | substrate, and the mounting table which mounts the said board | substrate, Around the support shaft of the mounting table A plurality of support pins provided apart from each other to support the substrate from the bottom surface thereof, a base stand to which the support pins are attached, and the support pins driven up and down through the base stand to raise and lower the substrate. And a horizontal drive means for horizontally driving the support pin through the base stand and adjusting the position in the horizontal direction of the substrate.

이러한 발명에 의하면, 지지핀을 수평 방향(XY 방향)으로 이동 가능하게 구성함으로써, 예를 들면 반송아암으로부터 기판을 지지핀으로 수취한 후는, 반송아암을 사용하지 않고, 지지핀으로 기판을 지지한 채 수평 방향으로 구동시킬 수 있다. 이에 따라, 기판의 위치 어긋남을 재빠르게 보정할 수 있다. 또한, 반송아암은 지지핀에 기판을 건넨 후는 곧바로 다른 작업을 행할 수 있다. 따라서, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to this invention, by supporting the support pin to be movable in the horizontal direction (XY direction), for example, after receiving the substrate with the support pin from the carrier arm, the substrate is supported by the support pin without using the carrier arm. It can be driven horizontally. Thereby, position shift of a board | substrate can be corrected quickly. In addition, the carrier arm can perform another operation immediately after passing a board | substrate to the support pin. Therefore, the throughput of the substrate processing can be improved.

또한, 상기 재치대의 근방에, 지지핀으로 지지한 상기 기판의 수평 방향의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 수단을 설치하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 지지핀으로 기판을 지지한 채, 기판의 수평 방향의 위치를 검출하여, 위치가 어긋나 있는지 아닌지를 검출할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 재치대를 수평 방향으로 구동시키는 것이 아니라, 지지핀을 수평 방향으로 구동시키도록 했기 때문에, 예를 들면 기판의 위치 어긋남이 커서 기판 위치 검출 수단으로 검출할 수 없는 경우라도, 지지핀으로 기판을 들어올린 채, 기판 위치 검출 수단으로 검출할 수 있는 위치까지 지지핀으로 기판을 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 기판이 크게 위치가 어긋나 있는 경우라도, 기판의 위치를 검출하여 위치 어긋남을 재빠르게 보정할 수 있다.Moreover, it is preferable to provide the board | substrate position detection means which detects the position of the said horizontal board | substrate supported by the support pin in the vicinity of the said mounting base. Thereby, while supporting a board | substrate with a support pin, it can detect the position of the board | substrate in the horizontal direction, and can detect whether the position shifted. In addition, according to the present invention, the mounting table is not driven in the horizontal direction, but the support pin is driven in the horizontal direction. For example, even if the position shift of the substrate is large, the substrate position detecting means cannot detect it. The substrate can be moved in the horizontal direction by the support pin to a position that can be detected by the substrate position detecting means while the substrate is lifted by the support pin. As a result, even when the substrate is largely shifted in position, the position of the substrate can be detected and the position shift can be corrected quickly.

또한, 상기 기판 위치 검출 수단은, 예를 들면 상기 기판의 원주 둘레부(周緣部)의 적어도 2개소 이상의 위치를 검출할 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다. 기판의 원주 둘레부의 적어도 2개소의 위치를 검출할 수 있으면, 예를 들면 반도체 웨이퍼와 같은 원판 형상의 기판이라면 그 기판의 중심 위치를 검출할 수 있다.Moreover, it is preferable to comprise so that the said board | substrate position detection means can detect the position of at least 2 or more places of the circumference | surroundings part of the said board | substrate, for example. If at least two positions of the circumference of a board | substrate can be detected, the center position of the board | substrate can be detected, for example, if it is a disk-shaped board | substrate like a semiconductor wafer.

또한, 기판의 인도 처리를 행하는 제어부를 마련하여, 예를 들면 상하 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 상승시켜 상기 반송아암으로부터 상기 기판을 수취하면, 상기 지지핀으로 상기 기판을 지지한 상태에서, 상기 기판 위치 검출 수단에 의해 상기 기판의 수평 방향의 위치를 검출하여, 상기 기판의 위치 어긋남이 있으면 상기 수평 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 수평 방향으로 구동시켜 상기 기판의 위치 어긋남을 보정한 후에, 상기 상하 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 하강시켜 상기 기판을 상기 재치대 위에 올려놓게 하는 인도 처리를 실행시키도록 해도 좋다.Moreover, when the control part which performs a delivery process of a board | substrate, and raises the said support pin by a vertical drive means, and receives the said board | substrate from the said transfer arm, in the state which supported the said board | substrate with the said support pin, The substrate position detecting means detects the position in the horizontal direction of the substrate, and if there is a positional deviation of the substrate, the horizontal driving means drives the support pin in the horizontal direction to correct the positional misalignment of the substrate. An up-and-down driving means may cause the support pin to be lowered so as to perform a delivery process for placing the substrate on the mounting table.

이것에 의하면, 지지핀으로 상기 기판을 지지한 채로, 기판 위치를 검출하여 위치 어긋남 보정을 재빠르게 행할 수 있다. 이 때문에, 종래와 같이 예를 들면 기판 위치의 검출이나 기판의 위치 어긋남 보정을 위해 반송아암이나 지지핀으로 재치대에 기판을 다시 놓는 경우에 비하여, 보다 고속으로 위치 어긋남 보정을 행할 수 있다. 이에 따라, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to this, the position of a board | substrate can be detected and position shift correction can be performed quickly, holding the said board | substrate with the support pin. For this reason, the position shift correction can be performed at a higher speed as compared with the case where the substrate is placed on the mounting table with the carrier arm or the support pin for detecting the position of the substrate or correcting the position shift of the substrate as in the prior art. Thereby, the throughput of substrate processing can be improved.

또한, 상기 반송아암으로부터 상기 기판을 수취할 때, 상기 지지핀을 상승시킨 상태에서, 상기 반송아암을 하강시켜 상기 기판을 수취하도록 해도 좋다. 이것에 의하면, 지지핀을 상승시킨 채 기판을 수취할 수 있다.Further, when receiving the substrate from the carrier arm, the carrier arm may be lowered to receive the substrate while the support pin is raised. According to this, a board | substrate can be received with a support pin raised.

또한, 상기 복수의 지지핀을, 예를 들면 상기 재치대의 지지축 둘레로 상기 재치대의 지름보다도 내측으로 떨어져 설치하고, 상기 재치대에 형성된 관통공을 통하여 상기 재치대의 기판 재치면으로부터 상기 각 지지핀의 선단(先端)이 출몰(突沒) 가능하게 구성한다. 이와 같은 구성에 의하면, 기판의 중심쪽의 포인트를 각 지지핀으로 지지할 수 있기 때문에, 예를 들면 재치대상의 기판의 단부(端部)에 처리(예를 들면 기판 단부에 부착한 부착물의 제거 처리)를 시행하는 경우에, 그 처리의 대상이 되는 부위로부터 가능한 한 떨어진 포인트로 기판을 지지할 수 있다.Further, the plurality of support pins are provided apart from the diameter of the mounting table, for example, around the support shaft of the mounting table, and each of the supporting pins is provided from the substrate placing surface of the mounting table through a through hole formed in the mounting table. The leading edge of the head is made possible to stand. According to such a structure, since the point of the center side of a board | substrate can be supported by each support pin, the process (for example, removal of the adhering substance attached to the board | substrate edge) to the edge part of the board | substrate to be mounted, for example In the case of performing a process), the substrate can be supported at a point as far as possible from the site of the process.

또한, 상기 재치대를 지지축 둘레로 회전 자유롭게 구성한 경우에는, 예를 들면 상기 재치대를 회전시킬 때에는, 상기 지지핀의 선단이 상기 재치대의 저면보다도 하측이 되도록 상기 지지핀을 하강시킨다. 이에 따라, 재치대를 회전할 때에 관통공과 지지핀이 충돌하지 않도록 할 수 있다.In the case where the mounting table is configured to rotate freely around the support shaft, for example, when the mounting table is rotated, the supporting pin is lowered so that the tip of the supporting pin is lower than the bottom of the mounting table. As a result, it is possible to prevent the through hole and the support pin from colliding when the mounting table is rotated.

또한, 상기 기판 인도 장치에 있어서, 상기 복수의 지지핀을 상기 재치대의 지지축 둘레로 상기 재치대의 지름보다도 외측으로 떨어져 설치하도록 해도 좋다. 이 구성에 의하면, 재치대에 관통공을 형성하는 일 없이 기판을 지지핀으로 지지할 수 있다. 또한, 지지핀의 수평 방향으로의 이동량이 관통공에 제한되지 않기 때문에, 보다 크게 기판을 수평 이동시킬 수 있다. 따라서, 한번에 기판을 수평 방향으로 이동시키는 이동량을 크게 취할 수 있다.Further, in the substrate delivery device, the plurality of support pins may be provided away from the diameter of the mounting table around the support shaft of the mounting table. According to this structure, a board | substrate can be supported by a support pin, without forming a through hole in a mounting base. In addition, since the movement amount of the support pin in the horizontal direction is not limited to the through hole, the substrate can be moved horizontally larger. Therefore, the movement amount which moves a board | substrate in a horizontal direction at once can be taken large.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 처리실 내에 설치된 재치대 위에 기판을 올려놓아 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 상기 처리실 내로 상기 기판을 반출입하는 반송아암과 상기 재치대와의 사이에서 기판의 인도를 행하는 기판 인도 장치를 상기 재치대 근방에 배치하고, 상기 기판 인도 장치는, 상기 재치대의 지지축 둘레로 떨어져 설치되어, 상기 기판을 그 하면에서 지지하는 복수의 지지핀과, 상기 지지핀이 부착되는 베이스대와, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 상하 구동시켜, 상기 기판의 올리고 내림을 행하는 상하 구동 수단과, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 수평 구동시켜, 상기 기판의 수평 방향의 위치를 조정하는 수평 구동 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다.In order to solve the above problems, according to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for placing a substrate on a mounting table provided in a processing chamber to perform a predetermined treatment, the carrier arm carrying the substrate in and out of the processing chamber; A plurality of support pins arranged in the vicinity of the mounting table for guiding the substrate between the plurality of support pins, wherein the plurality of supporting pins are provided to be spaced around the support shaft of the mounting table to support the substrate from the bottom surface thereof. And a base stand to which the support pin is attached, a vertical drive means for driving the support pin up and down through the base stand, and a vertical drive to raise and lower the substrate, and horizontally drive the support pin through the base stand, Provided with a substrate processing apparatus comprising a horizontal drive means for adjusting the position of the substrate in the horizontal direction All.

이러한 발명에 의하면, 반송아암을 사용하지 않고, 지지핀으로 기판을 수평 방향으로 이동시켜 위치 어긋남을 재빠르게 보정할 수 있다. 이 때문에, 반송아암은, 기판 인도 장치에 기판을 건넨 후는 곧바로 다른 작업을 행할 수 있다. 따라서, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판을 위치 어긋남이 없이 재치대에 올려놓을 있기 때문에, 기판에 대하여 안정적으로 소정의 처리를 시행할 수 있다.According to this invention, a position shift can be corrected quickly by moving a board | substrate to a horizontal direction with a support pin, without using a conveyance arm. For this reason, the carrier arm can perform another operation immediately after passing a board | substrate to a board | substrate delivery apparatus. Therefore, the throughput of the substrate processing can be improved. In addition, since the substrate is placed on the mounting table without shifting the position, it is possible to stably perform a predetermined process on the substrate.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 기판에 소정의 처리를 행하는 복수의 처리실을 구비하고, 상기 기판을 반송아암에 의해 각 처리실을 차례로 반송하면서 기판에 연속하여 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 상기 처리실의 적어도 1개는, 다른 처리실에서 프로세스 처리를 행한 기판을 반송하여 후처리를 행하는 후처리실로 하고, 상기 후처리실은, 그 내부에 설치된 재치대와 상기 반송아암과의 사이에서 기판의 인도를 행하는 기판 인도 장치를 구비하고, 상기 기판 인도 장치는, 상기 기판을 그 하면에서 지지하는 복수의 지지핀과, 상기 지지핀이 부착되는 베이스대와, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 상하 구동시켜, 상기 기판의 올리고 내림을 행하는 상하 구동 수단과, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 수평 구동시켜, 상기 기판의 수평 방향의 위치를 조정하는 수평 구동 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다.In order to solve the said subject, according to another viewpoint of this invention, the board | substrate is provided with the several process chamber which performs predetermined | prescribed process to a board | substrate, and carries out the process continuously to a board | substrate, conveying each said process chamber by a conveyance arm in turn. As the processing apparatus, at least one of the processing chambers is a post-processing chamber for carrying out post-processing by carrying a substrate subjected to process processing in another processing chamber, and the post-processing chamber is disposed between the mounting table and the transfer arm provided therein. And a substrate guiding device for guiding the substrate, wherein the substrate guiding device includes: a plurality of support pins for supporting the substrate at its lower surface; a base base to which the support pins are attached; Up and down driving means for driving up and down through the substrate to raise and lower the substrate, and the support pin is horizontal through the base It is provided with the substrate processing apparatus characterized by including the horizontal drive means which drives and adjusts the position of the said board | substrate in the horizontal direction.

이러한 후처리실에 반송되는 기판은, 다른 처리실을 경유하여 반송아암에 의한 반출입이 반복되고 있기 때문에, 크게 위치가 어긋나 있을 개연성이 높다. 이 점, 본 발명에 따른 기판 인도 장치에 의하면, 기판의 위치 어긋남이 큰 경우여도, 종래와 같이 기판을 취출하여 다시 넣거나, 또한 재치대에 다시 놓거나 하는 일 없이, 지지핀으로 기판을 지지한 채 수평 방향으로 구동함으로써 그 위치 어긋남을 재빠르게 정확히 보정할 수 있다. 따라서, 이와 같은 후처리실에 본 발명에 따른 기판 인도 장치를 적용하는 효과는 크다.Since the carrying in / out of the board | substrate conveyed by such a post-processing chamber is repeated through the other process chamber by a conveyance arm, it is highly likely that a position will shift | deviate largely. In this regard, according to the substrate delivery device according to the present invention, even when the positional displacement of the substrate is large, the substrate is supported by the support pin without taking out and reinserting the substrate or placing it back on the mounting table as in the prior art. By driving in the horizontal direction, the position shift can be corrected quickly and accurately. Therefore, the effect of applying the board | substrate delivery apparatus which concerns on this invention to such a post-processing chamber is large.

또한, 상기 후처리실은, 상기 기판의 원주 둘레부에 부착한 부착물을 제거하는 세정 처리실이어도 좋다. 또한 이 경우, 상기 기판 인도 장치의 복수의 지지핀을, 상기 재치대의 지지축 둘레로 상기 재치대의 지름보다도 내측으로 떨어져 배치하여, 상기 재치대에 형성된 관통공을 통하여 상기 재치대의 기판 재치면으로부터 상기 지지핀의 선단이 출몰 가능하게 하는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 기판 이면에 있어서 중심쪽의 포인트를 각 지지핀으로 지지할 수 있다. 이 때문에, 각 지지핀에 방해되는 일 없이 기판의 원주 둘레부에 부착한 부착물을 제거할 수 있다.The post-treatment chamber may be a cleaning process chamber for removing deposits adhering to the circumference of the substrate. In this case, the plurality of support pins of the substrate delivery device are arranged inward from the diameter of the mounting table around the support axis of the mounting table, and the substrate mounting surface of the mounting table is placed from the substrate mounting surface through the through holes formed in the mounting table. It is preferable that the tip of the support pin is sunk. According to this, the center point on the back surface of a board | substrate can be supported by each support pin. For this reason, the deposit | attachment adhering to the circumference | surroundings of a board | substrate can be removed, without interrupting each support pin.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 기판을 반송하는 반송아암과 상기 기판을 올려놓는 재치대와의 사이에서 기판의 인도를 행하는 기판 인도 장치에 의한 인도 방법으로서, 상기 기판 인도 장치는, 상기 재치대의 지지축 둘레로 떨어져 배치되어, 상기 기판을 그 하면에서 지지하는 복수의 지지핀과, 상기 지지핀이 부착되는 베이스대와, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 상하 구동시키는 상하 구동 수단과, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 수평 구동시키는 수평 구동 수단과, 상기 기판의 수평 방향의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 수단을 구비하여, 상기 상하 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 상승시켜, 상기 반송아암으로부터 상기 기판을 수취하는 공정과, 수취한 상기 기판의 수평 방향의 위치를, 상기 지지핀으로 상기 기판을 지지한 채로의 상태로, 상기 기판 위치 검출 수단에 의해 검출하는 공정과, 상기 기판 위치 검출 수단에 의해 검출된 기판의 위치에 기초하여, 그 기판이 소정의 기준 위치로부터 위치가 어긋나 있는지 아닌지를 판단하는 공정과, 상기 판단 공정에 있어서 상기 기판이 위치가 어긋나 있지 않다고 판단한 경우는, 상기 상하 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 하강시켜 상기 재치대 위에 올려놓게 하는 공정과, 상기 판단 공정에 있어서 상기 기판의 위치가 어긋나 있다고 판단한 경우는, 상기 지지핀을 상기 수평 구동 수단에 의해 수평 방향으로 구동시켜 상기 기판의 위치 어긋남을 보정한 후에, 상기 상하 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 하강시켜 상기 재치대 위에 올려놓게 하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 인도 방법이 제공된다.In order to solve the said subject, according to the other viewpoint of this invention, the board | substrate delivery method by the board | substrate delivery apparatus which guides a board | substrate between the conveyance arm which conveys a board | substrate, and the mounting base on which the board | substrate is mounted, The apparatus is arranged to be spaced around the support shaft of the mounting table, a plurality of support pins for supporting the substrate from the lower surface, the base base to which the support pin is attached, and the support pin to drive up and down through the base base. A vertical drive means, horizontal drive means for horizontally driving the support pins through the base base, and substrate position detection means for detecting a position in the horizontal direction of the substrate, and the support pins are driven by the vertical drive means. The support pin is raised to a step of receiving the substrate from the transfer arm and a horizontal position of the substrate received. The substrate is shifted from a predetermined reference position on the basis of the step detected by the substrate position detecting means and the position of the substrate detected by the substrate position detecting means while the substrate is supported. A step of judging whether or not the substrate is not misaligned in the judging step, and causing the support pin to be lowered and placed on the mounting table by the vertical drive means; and the judging step In the case where it is determined that the position of the substrate is shifted, the support pin is driven in the horizontal direction by the horizontal driving means to correct the positional shift of the substrate, and then the support pin is lowered by the vertical driving means. Provided is a substrate delivery method having a step of placing it on the mounting table The.

이러한 발명에 의하면, 반송아암으로부터 기판을 지지핀으로 수취한 후는, 기판에 위치 어긋남이 있었다고 해도, 반송아암을 사용하지 않고, 지지핀으로 기판을 지지한 채 수평 방향으로 구동시킴으로써, 기판의 위치 어긋남을 재빠르게 보정할 수 있다. 또한, 반송아암은 지지핀에 기판을 건넨 후는 곧바로 다른 작업을 행할 수 있다. 따라서, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to this invention, after receiving a board | substrate with a support pin from a conveyance arm, even if there exists a position shift in a board | substrate, the position of a board | substrate is driven by driving in a horizontal direction, without supporting a board | substrate and supporting a board | substrate with a support pin. The deviation can be corrected quickly. In addition, the carrier arm can perform another operation immediately after passing a board | substrate to the support pin. Therefore, the throughput of the substrate processing can be improved.

또한, 상기 반송아암으로부터 상기 기판을 수취하는 공정에서는, 상기 지지핀을 상승시킨 상태에서, 상기 반송아암을 하강시켜 상기 기판을 수취하도록 해도 좋다. 이것에 의하면, 지지핀을 상승시킨 채 기판을 수취할 수 있다.In the step of receiving the substrate from the carrier arm, the carrier arm may be lowered to receive the substrate while the support pin is raised. According to this, a board | substrate can be received with a support pin raised.

또한, 상기 기판의 위치를 검출하는 공정은, 상기 기판 위치 검출 수단으로 기판을 검출할 수 없는 경우에는, 상기 지지핀을 수평 방향으로 구동시킴으로써, 상기 기판을 상기 기판 위치 검출 수단으로 검출할 수 있기까지 이동시키도록 해도 좋다. 이것에 의하면, 지지핀으로 수취했을 때의 기판의 위치 어긋남이 크기 때문에, 기판 위치 검출 수단으로 기판을 검출할 수 없어도, 지지핀으로 그대로 기판을 이동시킬 수 있기 때문에, 기판 위치 검출 수단으로 기판의 위치를 검출할 수 있도록 할 수 있다. 이에 따라, 기판을 재치대에 다시 놓는 일 없이, 위치 어긋남을 보정할 수 있다.In the step of detecting the position of the substrate, when the substrate cannot be detected by the substrate position detecting means, the substrate can be detected by the substrate position detecting means by driving the support pin in a horizontal direction. It may be moved to. According to this, since the position shift of the board | substrate at the time of receiving by a support pin is large, even if a board | substrate cannot be detected by a board | substrate position detection means, since a board | substrate can be moved as it is with a support pin, the board | substrate position detection means of a board | substrate The position can be detected. Thereby, position shift can be corrected without putting a board | substrate again on a mounting table.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면, 반송아암을 사용하지 않고, 기판 인도 장치에서 기판을 수평 방향으로 이동시켜 위치 어긋남을 보정할 수 있기 때문에, 반송아암은 기판 인도 장치에 기판을 건넨 후는 곧바로 다른 작업(예를 들면 다른 기판의 반송 작업)을 행할 수 있다. 게다가, 기판을 재치대에 올려놓게 하기 전에 위치 어긋남을 보정할 수 있기 때문에, 기판의 위치 어긋남을 재빠르게 보정할 수 있다. 이 때문에, 기판 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, since the position shift can be corrected by moving the substrate in the horizontal direction in the substrate delivery apparatus without using the transfer arm, the transfer arm immediately transfers the substrate to the substrate delivery apparatus. For example, the conveyance operation | work of another board | substrate can be performed. In addition, since the position shift can be corrected before the substrate is placed on the mounting table, the position shift of the substrate can be corrected quickly. For this reason, the throughput of substrate processing can be improved.

도1 은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 인도 장치, 기판 위치 검출 유닛 및, 재치대 유닛을 설명하기 위한 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a perspective view for demonstrating the board | substrate guide apparatus, board | substrate position detection unit, and mounting base unit which concerns on embodiment of this invention.

도2 는 도1 에 나타내는 각 장치의 측면을 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a view showing the side of each device shown in FIG.

도3 은 도1 에 나타내는 기판 인도 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of the substrate delivery device shown in FIG. 1. FIG.

도4 는 동 실시 형태에 따른 기판 위치 검출 유닛이 구비하는 기판 위치 검출 수단의 구성을 설명하기 위한 사시도이다.4 is a perspective view for explaining the configuration of the substrate position detecting means included in the substrate position detecting unit according to the embodiment;

도5A 는 각 측정 시야의 상태와 웨이퍼(W)의 위치와의 관계를 설명하기 위한 도면으로서, 측정 시야의 모두가 화이트 상태(밝은 상태)로 측정된 경우의 예이다.FIG. 5A is a diagram for explaining the relationship between the state of each measurement visual field and the position of the wafer W, and is an example where all of the measurement visual fields are measured in a white state (bright state).

도5B 는 도5A 의 위치 어긋남을 보정했을 때의 지지핀과 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 도면이다.FIG. 5B is a diagram showing the positional relationship between the support pin and the wafer when the positional shift in FIG. 5A is corrected.

도6A 는 각 측정 시야의 상태와 웨이퍼(W)의 위치와의 관계를 설명하기 위한 도면으로서, 측정 시야의 1개가 (그레이 상태)로 판정되고, 그 외가 화이트 상태(밝은 상태)로 판정된 경우의 예이다.Fig. 6A is a diagram for explaining the relationship between the state of each measurement field and the position of the wafer W, where one of the measurement fields is determined to be (gray state) and the other state is determined to be white state (bright state). Is an example.

도6B 는 도6A 의 위치 어긋남을 보정했을 때의 지지핀과 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 도면이다.FIG. 6B is a diagram showing the positional relationship between the support pin and the wafer when the positional shift in FIG. 6A is corrected.

도7A 는 각 측정 시야의 상태와 웨이퍼(W)의 위치와의 관계를 설명하기 위한 도면으로서, 측정 시야의 1개가 (그레이 상태)로 판정되고, 그 외가 각각 블랙 상태(어두운 상태)와 화이트 상태(밝은 상태)로 판정된 경우의 예이다.Fig. 7A is a diagram for explaining the relationship between the state of each measurement field and the position of the wafer W. One of the measurement fields is determined to be (gray state), and the others are black state (dark state) and white state, respectively. This is an example when it is determined as (bright state).

도7B 는 도7A 의 위치 어긋남을 보정했을 때의 지지핀과 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 도면이다.FIG. 7B is a diagram showing the positional relationship between the support pin and the wafer when the positional shift in FIG. 7A is corrected.

도8 은 동 실시 형태에 따른 웨이퍼의 인도 처리의 구체예를 나타내는 플로우 차트이다.8 is a flowchart showing a specific example of the delivery process of the wafer according to the embodiment.

도9A 는 기판 인도 장치의 동작예를 설명하기 위한 도면이다.9A is a diagram for explaining an example of the operation of the substrate delivery apparatus.

도9B 는 기판 인도 장치의 동작예를 설명하기 위한 도면이다.9B is a diagram for explaining an example of the operation of the substrate delivery device.

도9C 는 기판 인도 장치의 동작예를 설명하기 위한 도면이다.9C is a diagram for explaining an example of the operation of the substrate delivery device.

도9D 는 기판 인도 장치의 동작예를 설명하기 위한 도면이다.9D is a diagram for explaining an example of the operation of the substrate delivery device.

도9E 는 기판 인도 장치의 동작예를 설명하기 위한 도면이다.9E is a diagram for explaining an example of the operation of the substrate delivery apparatus.

도10 은 동 실시 형태에 따른 기판 인도 장치의 다른 구성예를 나타내는 사시도이다.10 is a perspective view showing another example of the configuration of the substrate delivery apparatus according to the embodiment;

도11 은 동 실시 형태에 따른 기판 인도 장치를 적용 가능한 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도이다.11 is a cross-sectional view showing a configuration example of a substrate processing apparatus to which the substrate guide apparatus according to the embodiment is applicable.

도12 는 본 실시 형태에 따른 기판 인도 장치를 적용한 세정 처리실의 내부 구성예를 나타내는 측면도이다.12 is a side view illustrating an internal configuration example of a cleaning processing chamber to which the substrate delivery apparatus according to the present embodiment is applied.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

110 : 재치대(裁置臺) 유닛110: mounting table unit

112 : 재치대112: wit

113A∼113C : 관통공(貫通孔)113A-113C: through hole

114 : 지지축114: support shaft

116 : 재치대116: wit

130 : 기판 인도 장치130: substrate delivery device

132A∼132C : 지지핀132A ~ 132C: support pin

134 : 베이스대134: base stand

135 : 부착판135: mounting plate

136 : 지지판136: support plate

138 : 지지핀 구동 기구138: support pin drive mechanism

138X : X방향 구동 수단138X: X direction drive means

138Y : Y방향 구동 수단138Y: Y direction drive means

138Z : Z방향 구동 수단138Z: Z direction drive means

150 : 기판 위치 검출 유닛150: substrate position detection unit

152A∼152C : 촬상 수단152A to 152C: imaging means

153A∼153C : 측정 시야153A to 153C: measurement field of view

154A∼154C : 조명용 광원154A-154C: light source for illumination

156 : 부착대156: mounting table

157, 158 : 브래킷(bracket)157, 158: bracket

200 : 제어부200: control unit

300 : 기판 처리 장치300: substrate processing apparatus

310 : 프로세스 처리 유닛310: process processing unit

320 : 반송 유닛320: conveying unit

330 : 반송실330: return room

331A∼331C : 카세트대(臺)331A to 331C: cassette holder

332A∼332C : 카세트 용기332A to 332C: cassette container

333A∼333C : 게이트 밸브333A ~ 333C: Gate Valve

336 : 프리얼라이먼트(prealignment) 처리실336: prealignment processing chamber

338 : 재치대338: wit

339 : 광학 센서339: optical sensor

340A∼340F : 프로세스 처리실340A-340F: Process Processing Room

342 : 재치대342: wit

344A∼344F : 게이트 밸브344A ~ 344F: Gate Valve

350 : 공통 반송실350: common transport room

354M, 354N : 게이트 밸브354M, 354N: Gate Valve

360M, 362N : 로드 록(load lock)실360M, 362N: Load lock room

362M, 362N : 게이트 밸브362M, 362N: Gate Valve

364M, 364N : 인도대364M, 364N: Indian University

370, 380 : 반송 로봇370, 380: conveying robot

373A, 373B : 반송아암(arm)373A, 373B: carrier arm

383A, 383B : 반송아암383A, 383B: Return Arm

384 : 안내 레일384: guide rail

400 : 세정 처리실400: cleaning process chamber

402 : 용기402: container

404 : 반입출구404: carry-in and out

410 : 세정 수단410 cleaning means

412 : 레이저 유닛412 laser unit

414 : 오존 발생기414: Ozone Generator

500 : 제어부 500: control unit

W : 웨이퍼W: Wafer

(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)(The best form to carry out invention)

이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 매우 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Very preferred embodiment of this invention is described in detail, referring an accompanying drawing below. In addition, in this specification and drawing, duplication description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol about the component which has substantially the same functional structure.

(기판 인도 장치)(Substrate delivery device)

먼저, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 인도 장치에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도1 은 각 장치의 설치예를 설명하기 위한 사시도이며, 도2 는 도1 에 나타내는 각 장치의 측면을 나타내는 도면이다. 본 실시 형태에서는, 도시하지 않은 반송아암과 재치대(112)와의 사이에서 기판 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고도 칭함)(W)를 인도하는 기판 인도 장치(130)에 대해서의 실시 형태에 대하여 설명한다.First, the board | substrate delivery apparatus which concerns on embodiment of this invention is demonstrated, referring drawings. FIG. 1 is a perspective view illustrating an installation example of each device, and FIG. 2 is a view showing the side surface of each device shown in FIG. In the present embodiment, the substrate delivery device 130 for guiding a substrate, for example, a semiconductor wafer (hereinafter also referred to simply as a "wafer") W between a carrier arm (not shown) and the mounting table 112, An embodiment is described.

도1, 도2 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 올려놓는 재치대(112)를 구비하는 재치대 유닛(110)의 근방에, 본 실시 형태에 따른 기판 인도 장치(리프터 유닛)(130)가 설치된다. 또한, 재치대 유닛(110)의 근방에는 웨이퍼(W)의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 유닛(150)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 1, FIG. 2, the board | substrate delivery apparatus (lifter unit) 130 which concerns on this base unit in the vicinity of the mounting base unit 110 provided with the mounting base 112 on which the wafer W is mounted. Is installed. In addition, the substrate position detection unit 150 for detecting the position of the wafer W is provided in the vicinity of the mounting table unit 110.

재치대(112)는, 예를 들면 도1 에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 지름보다도 작은 원판 형상으로 형성되어 있다. 웨이퍼(W)는 재치대(112)의 상측의 재치면에 올려놓여진다. 재치대(112)는, 지지축(114)에 의해 예를 들면 처리 실내의 저면(底面)에 볼트 등의 체결 부재로 부착되어 있다. 또한, 재치대(112)는 회전하도록 구성해도 좋다. 재치대(112)를 회전하도록 구성하는 경우에는, 예를 들면 지지축(114)의 내부에 예를 들면 스테핑 모터를 마련하여, 이 스테핑 모터의 구동에 의해 재치대(112)를 회전시킨다. 또한, 재치대(112)에는, 그 재치면 상의 웨이퍼(W)를 예를 들면 버큐엄 척(vacuum chuck) 기능에 의해 흡착 유지하도록 해도 좋다. 이에 따라, 재치대(112)가 고속 회전해도, 재치대(112)로부터의 웨이퍼(W)의 탈락 을 방지할 수 있다. 재치대 유닛(110)은, 도2 에 나타내는 바와 같이 제어부(200)에 접속되어 있고, 이 제어부(200)로부터의 제어 신호에 기초하여 재치대(112)가 회전 제어되도록 되어 있다.For example, the mounting table 112 is formed in a disk shape smaller than the diameter of the wafer W as shown in FIG. The wafer W is placed on the mounting surface on the upper side of the mounting table 112. The mounting table 112 is attached to the bottom surface of the processing chamber by a support shaft 114 with fastening members such as bolts, for example. In addition, the mounting table 112 may be configured to rotate. In the case where the mounting table 112 is configured to rotate, for example, a stepping motor is provided inside the support shaft 114, for example, and the mounting table 112 is rotated by driving of the stepping motor. In addition, you may make it adsorb | suck and hold the wafer W on the mounting surface 112, for example by the function of a vacuum chuck. Thereby, even if the mounting base 112 rotates at high speed, the fall of the wafer W from the mounting base 112 can be prevented. The mounting table unit 110 is connected to the control unit 200 as shown in FIG. 2, and the mounting table 112 is rotationally controlled based on the control signal from the control unit 200.

여기서, 기판 인도 장치(130)의 구성에 대하여 도1, 도3 을 참조하면서 상세하게 설명한다. 도3 은, 도1 로부터 기판 인도 장치만을 취출하여 도시한 것이다. 또한, 도3 에서는 기판 인도 장치의 구성을 알기 쉽게 하기 위해, 재치대(112)를 생략하여 재치대(112)의 지지축(114)만을 2점 쇄선으로 나타내고 있다.Here, the structure of the board | substrate delivery apparatus 130 is demonstrated in detail, referring FIG. 1, FIG. FIG. 3 shows only the substrate delivery device taken out from FIG. In addition, in FIG. 3, in order to make the structure of a board | substrate delivery apparatus easy to understand, the mounting stand 112 is abbreviate | omitted and only the support shaft 114 of the mounting stand 112 is shown by the dashed-dotted line.

도3 에 나타내는 바와 같이, 기판 인도 장치(130)는, 도시하지 않은 반송아암과 재치대(112)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 인도할 때에, 웨이퍼(W)를 지지하는 복수(예를 들면 3개)의 지지핀(리프터 핀)(132A∼132C)을 구비한다. 이들의 지지핀(132A∼132C)은 도3 에 나타내는 바와 같이 재치대(112)의 지지축(114) 둘레로 떨어져 배치된다. 지지핀(132A∼132C)은 예를 들면 웨이퍼(W)를 안정되게 지지할 수 있도록 지지축(114) 둘레에 등 간격으로 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 지지핀의 수는, 3개로 한정되는 것은 아니지만, 웨이퍼를 안정되게 지지할 수 있도록 적어도 3개 이상인 것이 바람직하다.As shown in FIG. 3, the substrate delivery device 130 supports a plurality of wafers W (for example, when the wafers W are guided between the carrier arm and the mounting table 112 not shown). Three) support pins (lifter pins) 132A to 132C. These support pins 132A-132C are arrange | positioned apart around the support shaft 114 of the mounting base 112, as shown in FIG. The support pins 132A to 132C are preferably arranged at equal intervals around the support shaft 114 so as to stably support the wafer W, for example. In addition, the number of the support pins is not limited to three, but it is preferable that they are at least three or more so that the wafer can be stably supported.

지지핀(132A∼132C)은, 베이스대(리프터 베이스)(134)에 입설되고, 이 베이스대(134)를 통하여 모든 지지핀(132A∼132C)을 일제히 상하 방향 또는 수평 방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 베이스대(134)는, 예를 들면 도3 에 나타내는 바와 같이 대략 링 형상으로 형성된 부착판(135)과, 부착판(135)을 지지하는 지지판(136)에 의해 구성된다. 부착판(135)에는 그 상부에 링 형상을 따라 소정의 간 격(예를 들면 등 간격)으로 각 지지핀(132A∼132C)이 부착되고, 지지판(136)은 후술하는 지지핀 구동 기구(138)의 X방향 구동 수단(138X)을 구성하는 스테이지에 부착되어 있다.The support pins 132A to 132C are installed in the base stand (lifter base) 134, and through this base stand 134, all the support pins 132A to 132C can be moved simultaneously in the vertical direction or the horizontal direction. have. The base stand 134 is comprised by the attachment plate 135 formed in substantially ring shape as shown in FIG. 3, and the support plate 136 which supports the attachment plate 135, for example. The support plate 132A to 132C is attached to the attachment plate 135 at predetermined intervals (for example, at equal intervals) along the ring shape, and the support plate 136 is a support pin drive mechanism 138 described later. Is attached to the stage constituting the X-direction driving means (138X).

또한, 부착판(135)의 링 형상의 일부에는, 지지축(114)의 측면으로부터 부착판(135)을 삽입할 수 있을 정도의 개구부가 마련되어 있다. 이에 따라, 지지축(114)이 처리실의 저면에 고정한 후에도, 부착판(135)을 그 개구부로부터 지지축(114)에 삽입시켜 지지축(114) 둘레에 지지핀(132A∼132C)이 배치하도록 기판 인도 장치(130)를 설치할 수 있다.Moreover, the opening part of the ring shape of the attachment plate 135 which can insert the attachment plate 135 from the side surface of the support shaft 114 is provided. Accordingly, even after the support shaft 114 is fixed to the bottom of the processing chamber, the attachment plate 135 is inserted into the support shaft 114 from the opening so that the support pins 132A to 132C are disposed around the support shaft 114. The board | substrate delivery apparatus 130 can be provided.

베이스대(134)는, 지지핀(132A∼132C)을 상하 방향뿐만 아니라, 수평 방향으로도 구동 가능한 지지핀 구동 기구(138)에 부착되어 있다. 구체적으로는 예를 들면 지지핀 구동 기구(138)는, 베이스대(134)를 통하여 지지핀(132A∼132C)을 X방향으로 구동시킬 수 있는 X방향 구동 수단(138X)과, Y방향으로 구동시킬 수 있는 Y방향 구동 수단(138Y)을 구비한다. X방향 구동 수단(138X)은 예를 들면 X방향에 리니어 구동 가능한 스테이지로 구성하고, Y방향 구동 수단(138Y)은 예를 들면 X방향과는 수직의 Y방향으로 X방향 구동 수단을 리니어 구동 가능한 스테이지로 구성하도록 해도 좋다. 또한, 이들 X방향 구동 수단(138X) 및 Y 방향 구동 수단(138Y)은, 수평 방향(XY 방향) 구동 수단을 구성한다.The base stand 134 is attached to the support pin drive mechanism 138 which can drive the support pins 132A-132C not only in a vertical direction but also in a horizontal direction. Specifically, for example, the support pin drive mechanism 138 is driven in the Y direction and the X direction drive means 138X capable of driving the support pins 132A to 132C in the X direction through the base stand 134. Y-direction drive means 138Y is provided. The X-direction driving means 138X is composed of, for example, a stage capable of linear driving in the X direction, and the Y-direction driving means 138Y is capable of linearly driving the X-direction driving means in the Y-direction perpendicular to the X-direction, for example. It may be configured as a stage. In addition, these X direction drive means 138X and Y direction drive means 138Y comprise a horizontal direction (XY direction) drive means.

또한, 지지핀 구동 기구(138)는, 베이스대(134)를 통하여 지지핀(132A∼132C)을 Z방향(상하 방향)으로 구동 가능한 상하 방향 구동 수단으로서의 Z방향 구동 수단(138Z)을 구비한다. Z방향 구동 수단(138Z)은 X방향 구동 수단(138X) 및 Y 방향 구동 수단(138Y)을 예를 들면 리니어 구동 가능한 스테이지로 상하 구동시키도록 구성해도 좋다.Moreover, the support pin drive mechanism 138 is equipped with the Z direction drive means 138Z as an up-down direction drive means which can drive the support pins 132A-132C to Z direction (up-down direction) via the base stand 134. As shown in FIG. . The Z-direction driving means 138Z may be configured to vertically drive the X-direction driving means 138X and the Y-direction driving means 138Y in a stage capable of linear driving, for example.

이들 각 구동 수단(138X, 138Y, 138Z)의 액츄에이터로서는, 예를 들면 리니어 액츄에이터를 이용하는 것이 바람직하다. 리니어 액츄에이터를 채용하면, 수 ㎛ 또는 그 이하의 반복 위치 결정 정밀도가 얻어지고, 그리고 고속으로 각 스테이지를 추진할 수 있다. 또한, 리니어 액츄에이터 이외에도, 예를 들면 볼 나사와 스테핑 모터의 조합 기구에 의해 각 스테이지를 구동하도록 구성해도 좋다. 또한, 기판 인도 장치(130)는, 도2 에 나타내는 바와 같이 제어부(200)에 접속되어 있고, 이 제어부(200)로부터의 제어 신호에 기초하여 각 구동 수단(138X, 138Y, 138Z)이 구동 제어되도록 되어 있다.As an actuator of each of these drive means 138X, 138Y, and 138Z, it is preferable to use a linear actuator, for example. By employing the linear actuator, repeat positioning accuracy of several micrometers or less is obtained, and each stage can be pushed at high speed. In addition to the linear actuator, for example, each stage may be driven by a combination mechanism of a ball screw and a stepping motor. In addition, the board | substrate delivery apparatus 130 is connected to the control part 200, as shown in FIG. 2, and each drive means 138X, 138Y, 138Z controls drive based on the control signal from this control part 200. As shown in FIG. It is supposed to be.

이와 같은 지지핀 구동 기구(138)에 의하면, Z방향 구동 수단(138Z)으로 지지핀(132A∼132C)을 베이스대(134)를 통하여 상하 구동시킴으로써, 반송아암 또는 재치대(112)에 대한 웨이퍼(W)의 올리고 내림을 행할 수 있다. 또한, X방향 구동 수단(138X) 및 Y방향 구동 수단(138Y)에 의해, 지지핀(132A∼132C)을 베이스대(134)를 통하여 수평 방향(XY 방향)으로 구동시켜, 지지핀(132A∼132C)의 위에 웨이퍼(W)를 올린 채, 수평 방향의 위치를 조정할 수 있다.According to such a support pin drive mechanism 138, the support pins 132A are driven up and down by the support pins 132A to 132C through the base stand 134, so that the wafer to the carrier arm or the mounting table 112 can be moved. Raise and lower of (W) can be performed. In addition, the support pins 132A to 132C are driven in the horizontal direction (XY direction) via the base stand 134 by the X direction drive means 138X and the Y direction drive means 138Y, and the support pins 132A to 132A. The position in the horizontal direction can be adjusted while raising the wafer W on 132C).

이에 따라, 반송아암으로부터 웨이퍼(W)를 지지핀(132A∼132C)으로 수취한 후는, 반송아암이나 반송 로봇을 사용하지 않고, 지지핀(132A∼132C)의 위에 웨이퍼(W)를 올린 채 수평 방향으로 움직이는 것만으로 웨이퍼의 위치 어긋남을 보정할 수 있고, 결과로서 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.Accordingly, after receiving the wafer W from the transfer arm with the support pins 132A to 132C, the wafer W is placed on the support pins 132A to 132C without using the transfer arm or the transfer robot. Only by moving in the horizontal direction, the positional shift of the wafer can be corrected, and as a result, the throughput of the wafer process can be improved.

그런데, 도1 에 나타내는 바와 같은 비교적 큰 지름의 재치대(112)로 웨이퍼의 인도를 행할 경우에는, 각 지지핀(132A∼132C)을 재치대(112)의 지름보다도 내측으로 설치한다. 그리고, 재치대(112)에 형성된 관통공을 지나게 하여 재치대(112)의 재치면으로부터 각 지지핀(132A∼132C)의 선단이 출몰하도록 구성한다. 예를 들면 도1 에 나타내는 바와 같이 재치대(112)에 지지핀(132A∼132C)을 각각 지나게 하는 관통공(113A∼113C)을 형성한다.By the way, when the wafer is guided by the relatively large diameter mounting base 112 as shown in Fig. 1, the supporting pins 132A to 132C are provided inward of the diameter of the mounting base 112. Then, the end of each support pin 132A to 132C emerges from the placing surface of the placing table 112 through the through hole formed in the placing table 112. For example, as shown in FIG. 1, through-holes 113A-113C which pass through support pins 132A-132C, respectively, are formed in the mounting base 112. As shown in FIG.

이것에 의하면, Z방향 구동 수단(138Z)에 의해 지지핀(132A∼132C)을 상하 구동함으로써, 각 지지핀(132A∼132C)의 선단이 관통공(113A∼113C)을 출몰 가능하게 승강시킬 수 있다. 또한 X방향 구동 수단(138X) 및 Y방향 구동 수단(138Y)에 의해 지지핀(132A∼132C)을 수평 구동(XY 구동)함으로써, 각 지지핀(132A∼132C)의 선단이 각 관통공(113A∼113C) 내를 지나게 하여 재치대(112)의 재치면으로부터 돌출한 채, 각 관통공(113A∼113C) 내를 수평 이동(XY 이동)시킬 수 있다.According to this, the support pins 132A to 132C are driven up and down by the Z-direction drive means 138Z, so that the tips of the support pins 132A to 132C can rise and lower the through holes 113A to 113C. have. Further, by horizontally driving (XY driving) the support pins 132A to 132C by the X-direction driving means 138X and the Y-direction driving means 138Y, the front end of each of the support pins 132A to 132C passes through each through hole 113A. The inside of each through hole 113A-113C can be horizontally moved (XY movement), protruding from the mounting surface of the mounting base 112, passing through the inside of -113C).

이러한 구성에 의하면 웨이퍼의 중심쪽의 포인트를 각 지지핀(132A∼132C)으로 지지할 수 있기 때문에, 예를 들면 재치대(112) 상의 웨이퍼의 단부에 처리(예를 들면 후술하는 세정 처리)를 시행하는 경우에, 그 처리의 대상이 되는 부위로부터 가능한 한 떨어진 포인트에서 웨이퍼를 지지할 수 있다.According to such a structure, since the point of the center side of a wafer can be supported by each support pin 132A-132C, the process (for example, the cleaning process mentioned later) is applied to the edge part of the wafer on the mounting base 112, for example. In the case of implementation, the wafer can be supported at a point as far as possible from the site to be subjected to the processing.

또한, 이러한 각 관통공(113A∼113C)의 개구경은, 예를 들면 지지핀(132A∼132C)의 지름과 수평 방향으로의 이동량(예를 들면 수평 방향의 위치 결정 가능 범위)에 따라 설정하는 것이 바람직하다. 각 관통공(113A∼113C)은, 예를 들면 직경 10∼20mm으로 형성된다.The opening diameter of each of the through holes 113A to 113C is set depending on, for example, the diameter of the support pins 132A to 132C and the amount of movement in the horizontal direction (for example, the horizontal positioning position). It is preferable. Each through hole 113A-113C is formed, for example with a diameter of 10-20 mm.

또한, 재치대(112)가 회전 가능하게 구성되는 경우, 재치대(112)를 회전시킬 때에는, 지지핀(132A∼132C)의 선단이 재치대(112)의 저면보다도 하측이 되도록 지지핀(132A∼132C)을 하강함으로써, 재치대(112)를 회전할 때에 관통공(113A∼113C)과 지지핀(132A∼132C)이 충돌하지 않도록 할 수 있다.In addition, when the mounting base 112 is rotatably comprised, when rotating the mounting base 112, the support pin 132A so that the front-end | tip of support pins 132A-132C may be lower than the bottom face of the mounting base 112. By lowering 132 C), it is possible to prevent the through holes 113A to 113C and the support pins 132A to 132C from colliding when the mounting table 112 is rotated.

또한, 본 실시 형태에서는, 재치대의 각 관통공에 지지핀을 1개씩 삽입하도록 한 경우에 대하여 설명했지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 지지핀의 수를 많게 하는 경우에는, 재치대의 복수의 관통공에 복수의 지지핀을 각각 삽입하도록 해도 좋다.In addition, in this embodiment, although the case where one support pin was inserted into each through-hole of a mounting base was demonstrated, it is not necessarily limited to this, In the case of increasing the number of support pins, the some through-hole of a mounting base is included. A plurality of support pins may be inserted into each.

(기판 위치 검출 수단)(Substrate position detecting means)

여기서, 기판 위치 검출 수단을 구비하는 기판 위치 검출 유닛에 대하여 도1, 도4 를 참조하면서 설명한다. 도4 는 기판 위치 검출 수단의 구성을 설명하기 위한 사시도이다. 도4 에서는, 기판 위치 검출 수단의 구성을 설명하기 쉽게 하기 위해, 도1 에 나타내는 부착대(156)나 재치대(112)를 생략하고 있다.Here, the board | substrate position detection unit provided with a board | substrate position detection means is demonstrated, referring FIGS. 4 is a perspective view for explaining the configuration of the substrate position detecting means. In FIG. 4, in order to make it easy to demonstrate the structure of a board | substrate position detection means, the mounting table 156 and the mounting table 112 shown in FIG. 1 are abbreviate | omitted.

기판 위치 검출 유닛(150)은, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 검출하기 위한 기판 위치 검출 수단을 구비한다. 기판 위치 검출 수단은, 예를 들면 도4 에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출하는 복수(여기에서는 3개)의 촬상 수단(152A∼152C)과, 이들 촬상 수단(152A∼152C)에 각각 대향하여 배치되는 조명용 광원(154A∼154C)에 의해 구성된다.The board | substrate position detection unit 150 is equipped with the board | substrate position detection means for detecting the position of the wafer W in the horizontal direction. For example, as shown in Fig. 4, the substrate position detecting means includes a plurality of imaging means 152A to 152C for detecting the circumference of the wafer W and three imaging means 152A to 152C. The light sources 154A to 154C are disposed to face each other.

촬상 수단(152A∼152C)으로서는, 예를 들면 CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서, 초점 조정용의 렌즈 등을 마련한 CCD 카메라에 의해 구성된다. 또한, 조명용 광원(154A∼154C)으로서는, 예를 들면 LED 유닛에 의해 구성된다. 또한, 조명용 광원(154A∼154C)은, 빛의 방출면에 확산판을 구비하고 있고, 이에 따라 빛의 방출면 전체에 걸쳐 빛의 강도를 균일화할 수 있도록 되어 있다.As imaging means 152A-152C, it is comprised by the CCD camera which provided the CCD (Charge Coupled Device) image sensor, the lens for focus adjustment, etc., for example. In addition, as illumination light sources 154A-154C, it is comprised by an LED unit, for example. Moreover, the illumination light sources 154A-154C are equipped with the diffuser plate in the light emission surface, and can make uniform the light intensity over the whole light emission surface.

기판 위치 검출 수단을 구성하는 촬상 수단(152A∼152C) 및 조명용 광원(154A∼154C)은 예를 들면 도1 에 나타내는 바와 같은 기립한 부착대(156)에 부착된다. 부착대(156)에는, 그 상부로부터 수평으로 튀어나온 브래킷(157)과, 이 브래킷(157)의 하방에 수평으로 튀어나온 브래킷(158)을 구비한다. 상방의 브래킷(157)에는 촬상 수단(152A∼152C)이 부착되고, 하방의 브래킷(157)에는 조명용 광원(154A∼154C)이 부착된다. 이렇게 하여, 촬상 수단(152A∼152C)과 조명용 광원(154A∼154C)은, 웨이퍼(W)의 상하에 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 끼우도록 설치된다.The imaging means 152A-152C and illumination light sources 154A-154C which comprise a board | substrate position detection means are attached to the upright mounting stand 156 as shown, for example in FIG. The mounting table 156 is provided with the bracket 157 which protruded horizontally from the upper part, and the bracket 158 which protrudes horizontally below this bracket 157. Imaging means 152A-152C are attached to the upper bracket 157, and illumination light sources 154A-154C are attached to the lower bracket 157. As shown in FIG. In this way, the imaging means 152A-152C and the illumination light sources 154A-154C are provided so that the circumference | surroundings part of the wafer W may be pinched above and below the wafer W. As shown in FIG.

도4 에 나타내는 바와 같이, 각 조명용 광원(154A∼154C)의 광축은 각각, 각 촬상 수단(152A∼152C)의 수광면을 향하도록 조정된다. 또한, 지지핀(132A∼132C)을 재치대(112)의 재치면보다도 상측으로 상승시켜, 반송아암으로부터 웨이퍼(W)를 수취했을 때의 웨이퍼(W)의 높이를 수취 높이로 하고, 웨이퍼(W)의 중심과 재치대의 중심이 일치할 때의 웨이퍼(W)의 위치(도4 에 나타내는 2점 쇄선으로 나타내는 웨이퍼의 위치)를 수평 방향의 기준 위치(Wst)으로 하면, 각 촬상 수단(152A∼152C)은 각각, 수취 높이에 있는 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 원주 둘레부에 초점이 맞도록 조정된다. 또한 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 원주 둘레부를 검출할 수 있는 부위가 각 촬상 수단(152A∼152C)의 측정 시야(153A∼153C)가 되도록 조정된다.As shown in FIG. 4, the optical axis of each illumination light source 154A-154C is adjusted so that it may face the light receiving surface of each imaging means 152A-152C, respectively. Further, the support pins 132A to 132C are raised above the mounting surface of the mounting table 112, and the height of the wafer W at the time of receiving the wafer W from the carrier arm is set to the receiving height, and the wafer ( When the position of the wafer W (the position of the wafer indicated by the dashed-dotted and dashed lines shown in FIG. 4) when the center of the wafer W and the center of the mounting table coincide with each other, the imaging means 152A 152 C) are each adjusted to focus on the circumference of the circumference of the wafer at the reference position Wst at the receiving height. Moreover, the site | part which can detect the circumference | surroundings part of the wafer of the reference position Wst is adjusted so that it may become the measurement visual field 153A-153C of each imaging means 152A-152C.

구체적으로는, 각 촬상 수단(152A∼152C)의 측정 시야(153A∼153C)는, 예를 들면 후술하는 도5A 에 나타내는 바와 같이 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 원주 둘레부를 따라 등 간격으로 늘어서도록 되어 있다. 예를 들면 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심으로부터 본 각도를 생각하면, 여기에서는 측정 시야(153A)에서 측정 시야(153B)까지의 각도와 측정 시야(153B)에서 측정 시야(153C)까지의 각도를 각각 45도(deg)로 하고, 측정 시야(153A)에서 측정 시야(153C)까지의 각도를 90도(deg)가 되도록 하고 있다. 이러한 측정 시야(153A∼153C)의 각도는, 상기한 것에 한정되는 것이 아니라, 각 촬상 수단(152A∼152C)의 부착 위치를 조정함으로써 자유롭게 바꿀 수 있다.Specifically, the measurement visual fields 153A to 153C of the imaging means 152A to 152C are arranged at equal intervals along the circumference of the wafer at the reference position Wst, for example, as shown in FIG. 5A to be described later. It is. For example, considering the angle viewed from the center of the wafer at the reference position Wst, the angle from the measurement field 153A to the measurement field 153B and the angle from the measurement field 153B to the measurement field 153C are here. Are respectively 45 degrees (deg), and the angle from the measurement visual field 153A to the measurement visual field 153C is set to 90 degrees (deg). The angle of such measurement visual field 153A-153C is not limited to what was mentioned above, It can change freely by adjusting the attachment position of each imaging means 152A-152C.

각 촬상 수단(152A∼152C)은, 도2 에 나타내는 바와 같이 제어부(200)에 접속되어 있고, 각 촬상 수단(152A∼152C)으로 촬상된 화상의 데이터는, 기판 인도 장치(130) 등의 각부를 제어하는 제어부(200)로 송신된다. 제어부(200)는, 각 촬상 수단(152A∼152C)으로 촬상된 측정 시야(153A∼153C)의 출력 화상 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출하도록 되어 있다.Each imaging means 152A-152C is connected to the control part 200, as shown in FIG. 2, and the data of the image image | photographed with each imaging means 152A-152C is each part of the board | substrate delivery apparatus 130, etc. The control unit 200 is transmitted to the control unit 200. The control part 200 detects the circumference | surroundings of the wafer W based on the output image data of the measurement visual field 153A-153C picked up by each imaging means 152A-152C.

예를 들면 측정 시야(153A)에 웨이퍼(W)의 원주 둘레부가 들어오면, 측정 시야(153A) 중, 웨이퍼(W)가 존재하는 영역은, 조명용 광원(154A)로부터의 빛이 차단되어 어두워지고, 그 이외의 부분은 밝아진다. 이에 따라, 측정 시야(153A)로 웨이퍼(W)의 원주 둘레부의 유무를 검출할 수 있다. 따라서, 이 상태를 원주 둘레부 있음 상태(그레이 상태)로서, 후술하는 측정 시야의 모두가 밝은 상태(화이트 상태), 측정 시야의 모두가 어두운 상태(블랙 상태)로 구별한다.For example, when the circumferential circumference of the wafer W enters the measurement field of view 153A, the area in which the wafer W exists in the measurement field of view 153A is darkened by blocking light from the illumination light source 154A. , Other parts become brighter. Thereby, the presence or absence of the circumference | surroundings of the wafer W can be detected by the measurement visual field 153A. Therefore, this state is divided into a circumferential perimeter state (gray state), in which all of the measurement fields described later are in a bright state (white state) and all of the measurement fields are in a dark state (black state).

또한, 전술한 예에서 측정 시야(153A)에 있어서의 밝은 영역과 어두운 영역의 경계가 웨이퍼(W)의 원주 둘레부의 형상(예를 들면 실시 형태와 같은 원판 형상의 웨이퍼의 경우에는 원호 형상)이 되기 때문에, 측정 시야(153A)의 출력 화상으로부터 웨이퍼(W)의 원주 둘레부의 형상을 검출할 수 있다.In addition, in the above-mentioned example, the boundary between the bright area and the dark area in the measurement field of view 153A is the shape of the circumferential circumference of the wafer W (for example, in the case of a disk-shaped wafer as in the embodiment, an arc shape). Therefore, the shape of the circumference of the wafer W can be detected from the output image of the measurement field of view 153A.

이렇게 하여 검출된 웨이퍼(W)의 원주 둘레부의 형상에 기초하여, 제어부(200)는 웨이퍼(W)의 중심 위치를 산출한다. 그리고, 재치대(112)의 중심(재치대(112)가 회전하는 경우는 회전 중심)으로부터의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남량 및 위치 어긋남 방향을 구한다. 이 위치 어긋남량 및 위치 어긋남 방향에 따라 X방향 구동 수단(138X) 및 Y방향 구동 수단(138Y)을 구동하여 지지핀(132A∼132C)을 수평 방향으로 구동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 조정할 수 있다.Based on the detected shape of the circumferential circumference of the wafer W, the control unit 200 calculates the center position of the wafer W. FIG. Then, the positional shift amount and the position shift direction in the horizontal direction of the wafer W from the center of the mounting table 112 (the rotation center when the mounting table 112 is rotated) are obtained. The horizontal direction of the wafer W is driven by driving the support pins 132A to 132C in the horizontal direction by driving the X-direction driving means 138X and the Y-direction driving means 138Y in accordance with this position shift amount and the position shift direction. You can adjust the position.

또한, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남은, 상기 외에, 웨이퍼(W)가 상기의 기준 위치(Wst)에 있을 때의 측정 시야(153A∼153C)의 출력 화상 데이터를 기준 화상 데이터로서 미리 기억해 두고, 웨이퍼 위치를 검출하기 위해 얻어진 측정 시야(153A∼153C)의 출력 화상 데이터를 기준 화상 데이터와 비교하여 판단하도록 해도 좋다. 예를 들면 웨이퍼(W)가 기준 위치(Wst)로부터 어긋나 있어 측정 시야(153A)의 출력 화상 데이터에 있어서의 웨이퍼(W)의 원주 둘레부의 위치가 어긋나 있다고 한다. 이 때, 예를 들면 측정 시야(153A)의 출력 화상 데이터의 밝은 영역과 어두운 영역의 비율(명암 비율)은, 웨이퍼(W)가 기준 위치(Wst)로부터 어긋나 있는 경우와, 웨이퍼(W)가 기준 위치(Wst)에 있는 경우에서는 상위하다. 따라 서, 대상이 되는 웨이퍼(W)에 대해서의 명암 비율을, 기준 위치(Wst)에 있는 웨이퍼에 대해서의 명암 비율과 비교함으로써 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 검출할 수 있어, 명암 비율에 따라 위치 어긋남량과 위치 어긋남 방향을 구할 수 있다.In addition, in addition to the above, in the horizontal position shift of the wafer W, the output image data of the measurement visual fields 153A to 153C when the wafer W is at the reference position Wst is previously used as the reference image data. In this case, the output image data of the measurement fields 153A to 153C obtained in order to detect the wafer position may be judged by comparing with the reference image data. For example, it is assumed that the wafer W is shifted from the reference position Wst and the position of the circumference of the circumference of the wafer W in the output image data of the measurement field of view 153A is shifted. At this time, for example, the ratio (contrast ratio) between the light region and the dark region of the output image data of the measurement visual field 153A is different from the case where the wafer W is shifted from the reference position Wst. The difference is the case at the reference position Wst. Therefore, the positional shift of the wafer W can be detected by comparing the contrast ratio with respect to the wafer W to be compared with the contrast ratio with respect to the wafer at the reference position Wst, and according to the contrast ratio The amount of position shift and the direction of position shift can be obtained.

이 경우, 측정 시야(153A)의 명암 비율이 기준 위치(Wst)의 경우의 비율과 동일하게 되도록, 위치 어긋남량과 위치 어긋남 방향에 따라 지지핀(132A∼132C)을 수평 방향으로 구동하여, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 조정할 수 있다.In this case, the support pins 132A to 132C are driven in the horizontal direction in accordance with the position shift amount and the position shift direction so that the contrast ratio of the measurement field of view 153A is the same as the ratio in the case of the reference position Wst. The horizontal position of (W) can be adjusted.

또한, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남은, 상기 외에, 미리 웨이퍼(W)가 위치가 어긋나 있지 않은 경우의 웨이퍼(W)의 주연 형상의 패턴(기준 패턴)을 기억 수단에 기억해 두고, 실제로 검출된 웨이퍼(W)의 주연 형상의 패턴과 상기 기준 패턴을 비교함으로써, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남의 유무를 판단하고, 웨이퍼(W)의 주연 형상의 패턴과 상기 기준 패턴과의 상위에 기초하여 위치 어긋남 방향 및 그 양을 산출하도록 해도 좋다.In addition, in the horizontal position shift of the wafer W, in addition to the above, the peripheral pattern (reference pattern) of the wafer W when the wafer W is not shifted in position is stored in the storage means. By comparing the pattern of the peripheral shape of the wafer W actually detected with the reference pattern, it is judged whether or not there is a positional shift of the wafer W, and the difference between the pattern of the peripheral shape of the wafer W and the reference pattern differs. You may calculate a position shift direction and its quantity based on this.

그런데, 본 실시 형태에 따른 기판 인도 장치(130)와 같이 웨이퍼(W)를 지지핀을 상승시켜 수취하는 경우에는, 상방으로부터 웨이퍼(W)의 단부를 걸어 매달아 올리는 인도아암과 같이 아암 상에서 웨이퍼(W)의 위치가 규제되는 인도 부재로 수취하는 경우에 비하여, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남이 큰 경우가 있다.By the way, in the case of receiving the wafer W by raising the support pin as in the substrate delivery device 130 according to the present embodiment, the wafer is placed on the arm such as the guide arm that hangs the end of the wafer W from above. As compared with the case where the position of W) is received by the guide member whose regulation is restricted, the positional deviation of the wafer W may be large.

예를 들면 모든 측정 시야(153A∼153C)의 출력 화상 데이터에도 웨이퍼(W)의 원주 둘레부가 존재하지 않을 정도로 크게 위치가 어긋나는 경우도 있다. 구체적으로는 측정 시야에 의해서는, 전부가 밝은 영역이 되거나(이 경우는 측정 시야가 화이트 상태(또는 밝은 상태)로 판정), 전부가 어두운 영역이 되거나(이 경우는 측 정 시야가 블랙 상태(또는 어두운 상태)로 판정)하여, 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출할 수 없다. 이것으로는, 웨이퍼(W)의 위치를 검출할 수 없기 때문에 위치 어긋남의 정도도 몰라서, 웨이퍼의 위치 어긋남을 보정할 수 없다.For example, the position may shift large enough so that the circumference | surroundings of the wafer W do not exist also in the output image data of all the measurement visual fields 153A-153C. Specifically, the measurement field of view is a whole bright area (in this case, the measurement field is determined to be a white state (or bright state)), or the whole is a dark area (in this case, the measurement field is a black state ( Or a dark state), and the circumference of the wafer W cannot be detected. Since the position of the wafer W cannot be detected by this, the degree of position shift is not known, and a position shift of a wafer cannot be corrected.

여기서, 이와 같은 측정 시야의 화이트 블랙 판정(명암 판정)과 웨이퍼 위치와의 관계에 대하여 설명한다. 예를 들면 어느 측정 시야가 화이트 상태로 판정된 경우(측정 시야 전부가 밝은 영역의 경우)에는, 그 측정 시야에는 웨이퍼(W)가 존재하지 않게 된다. 이 때 지지핀(132A∼132C)상에 웨이퍼(W)가 존재하는 경우에는, 웨이퍼(W)의 중심은 그 측정 시야로부터 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심(기준이 되는 중심)으로 향하여 크게 위치가 어긋나 있을 개연성이 높다. 또한, 어느 측정 시야가 블랙 상태로 판정된 경우(측정 시야 전체가 어두운 영역의 경우)에는, 그 측정 시야에는 웨이퍼(W)가 존재하기는 하지만, 웨이퍼(W)의 중심은 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심으로부터 그 측정 시야로 향하여 크게 위치가 어긋나 있을 개연성이 높다.Here, the relationship between the white black determination (contrast determination) of a measurement visual field and a wafer position is demonstrated. For example, when a measurement visual field is determined to be a white state (when the entire measurement visual field is a bright region), the wafer W does not exist in the measurement visual field. At this time, when the wafer W is present on the support pins 132A to 132C, the center of the wafer W is largely directed from the measurement field of view toward the center of the wafer (the center of reference) of the reference position Wst. Possibility of misaligned position is high. When a measurement field of view is determined to be black (when the entire field of view is dark), although the wafer W exists in the measurement field, the center of the wafer W is the reference position Wst. There is a high probability that the position is greatly shifted from the center of the wafer toward the measurement field of view.

따라서, 어느 측정 시야가 화이트 상태로 판정된 경우에는, 그 판정 시야로부터 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심으로 향하여 가까워지도록 지지핀(132A∼132C)을 수평 이동시켜 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 보정할 수 있다. 또한, 어느 측정 시야가 블랙 상태로 판정된 경우에는, 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심으로부터 그 측정 시야로 향하여 멀어지도록 지지핀(132A∼132C)을 수평 이동시켜 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 보정할 수 있다. 또한, 복수의 측정 시야에서 화이트 블랙 판정이 있던 경우에는, 그들의 조합에 의해 위치가 어긋나 있는 방향을 추측할 수 있다. 따라서, 이들의 화이트 블랙 판정의 조합에 따라 위치 어긋남 조정 방향을 결정함으로써, 웨이퍼의 위치 어긋남을 조정할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼의 위치를 검출할 수 없어도, 대략 위치 어긋남이 보정되는 방향으로 웨이퍼의 위치를 조정할 수 있다.Therefore, when a measurement field of view is determined to be in a white state, the support pins 132A to 132C are horizontally moved to move toward the center of the wafer at the reference position Wst from the determination field of view so as to shift the position of the wafer W. You can correct it. In addition, in the case where a measurement field of view is determined to be in a black state, the support pins 132A to 132C are horizontally moved so as to move away from the center of the wafer at the reference position Wst toward the measurement field, thereby shifting the position of the wafer W. You can correct it. In addition, when there existed white black determination in several measurement visual fields, the direction which a position shifts can be estimated by these combination. Therefore, the position shift of a wafer can be adjusted by determining a position shift adjustment direction according to the combination of these white black determinations. Thereby, even if the position of a wafer cannot be detected, the position of the wafer can be adjusted in the direction in which the positional shift is approximately corrected.

예를 들면 도5A 에 나타내는 바와 같이, 측정 시야(153A∼153C)의 모두가 화이트 상태로 판정된 경우에는, 웨이퍼(W)의 중심은 모든 측정 시야(153A∼153C)로부터 멀어지는 방향(여기에서는 Y축의 플러스 방향)으로 크게 위치가 어긋나 있다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 중심이 모든 측정 시야(153A∼153C)에 가까워지는 방향, 즉 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심으로부터 각 측정 시야(153A∼153C)까지의 각각의 방향(방향 벡터)을 합성한 방향(여기에서는 Y축의 마이너스 방향)으로 지지핀(132A∼132C)을 수평 이동시킴으로써, 도5B 에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 보정할 수 있다. 또한, 도시는 하지 않지만, 측정 시야(153A∼153C)의 모두가 블랙 상태로 판정된 경우에는, 웨이퍼(W)의 중심이 모든 측정 시야(153A∼153C)로부터 멀어지는 방향, 즉 각 측정 시야(153A∼153C)로부터 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심까지의 각각의 방향을 합성한 방향(여기에서는 Y축의 플러스 방향)으로 지지핀(132A∼132C)을 수평 이동시킴으로써, 웨이퍼의 위치 어긋남을 보정할 수 있다.For example, as shown in FIG. 5A, when all of the measurement fields 153A to 153C are determined to be in a white state, the center of the wafer W is moved away from all the measurement fields 153A to 153C (here, Y The position is largely shifted in the positive direction of the axis). In this case, the directions (directions) in which the center of the wafer W is close to all the measurement visual fields 153A to 153C, that is, from the center of the wafer at the reference position Wst to the respective measurement visual fields 153A to 153C. By shifting the support pins 132A to 132C horizontally in the combined direction (here, the negative direction of the Y axis), the position shift of the wafer W can be corrected as shown in FIG. 5B. Although not shown, in the case where all of the measurement visual fields 153A to 153C are determined to be in a black state, the direction of the center of the wafer W is away from all the measurement visual fields 153A to 153C, that is, each measurement visual field 153A. By shifting the support pins 132A to 132C horizontally in the combined direction (here, the positive direction of the Y-axis) from the direction of the wafer to the center of the wafer at the reference position Wst, the position shift of the wafer can be corrected. Can be.

예를 들면 도6A 에 나타내는 바와 같이, 측정 시야(153A)에서는 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출할 수는 있지만, 측정 시야(153B, 153C)에서는 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출할 수 없고, 화이트 상태로 판정된 경우에는, 웨이퍼(W)의 중심은 측정 시야(153B 및 153C)로부터 멀어지는 방향으로 크게 위치가 어긋나 있다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 중심은 측정 시야(153B, 153C)로부터 멀어지는 방향, 즉 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심으로부터 각 측정 시야(153B, 153C)까지의 각각의 방향을 합성한 방향으로 지지핀(132A∼132C)을 수평 이동시킴으로써, 도6(B) 에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 보정할 수 있다.For example, as shown in Fig. 6A, the circumferential circumference of the wafer W can be detected in the measurement field 153A, but the circumferential circumference of the wafer W cannot be detected in the measurement fields 153B and 153C. When it is determined in the white state, the center of the wafer W is greatly displaced in the direction away from the measurement visual fields 153B and 153C. In this case, the center of the wafer W is a direction away from the measurement fields 153B and 153C, that is, the direction in which the respective directions from the center of the wafer at the reference position Wst to the respective measurement fields 153B and 153C are synthesized. By shifting the support pins 132A to 132C horizontally, the position shift of the wafer W can be corrected as shown in Fig. 6B.

예를 들면 도7A 에 나타내는 바와 같이, 측정 시야(153B)에서는 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출할 수는 있지만, 측정 시야(153A, 153C)에 대해서는 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출할 수 없고, 측정 시야(153A)에서는 블랙 상태로 판정됨과 함께, 측정 시야(153C)에서는 화이트 상태로 판정된 경우에는, 웨이퍼(W)의 중심은 측정 시야(153A)에 가까워지는 방향으로서 측정 시야(153C)로부터 멀어지는 방향(여기에서는 X축의 마이너스 방향)으로 크게 위치가 어긋나 있다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 중심은 측정 시야(153A)로부터 멀어지는 방향으로서 측정 시야(153C)에 가까워지는 방향, 즉 측정 시야(153A)로부터 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심까지의 방향과, 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심으로부터 측정 시야(153C)까지의 방향을 각각 합성한 방향(여기에서는 X축의 플러스 방향)으로 지지핀(132A∼132C)을 수평 이동시킴으로써, 도7B 에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 보정할 수 있다.For example, as shown in FIG. 7A, the circumferential circumference of the wafer W can be detected in the measurement field 153B, but the circumferential circumference of the wafer W can be detected with respect to the measurement fields 153A and 153C. If it is determined that the state is black in the measurement field of view 153A and is determined to be the white state in the field of view 153C, the center of the wafer W is in a direction closer to the field of view 153A. ), The position is shifted greatly in the direction away from (in this case, the negative direction of the X axis). In this case, the center of the wafer W is a direction away from the measurement field 153A, which is closer to the measurement field 153C, that is, the direction from the measurement field 153A to the center of the wafer at the reference position Wst. As shown in Fig. 7B, the support pins 132A to 132C are horizontally moved in a direction in which the directions from the center of the wafer at the reference position Wst to the measurement field of view 153C are combined (here, the positive direction of the X axis). Similarly, the positional shift of the wafer W can be corrected.

이와 같이, 측정 시야의 화이트 블랙 판정에 따라 웨이퍼의 위치 어긋남을 검출하여 그 보정을 행함으로써, 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출할 수 없을 정도로 크게 위치가 어긋나 있었던 경우여도, 웨이퍼의 위치 어긋남을 보정할 수 있다. 또한, 화이트 블랙 판정에 의해 얻어지는 위치 어긋남 보정 방향으로 웨이퍼(W)를 소정량씩 이동시켜, 측정 시야(153A∼153C)의 모두에 웨이퍼(W)의 원주 둘레부가 들어간 시점에서, 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출하여 웨이퍼의 중심 위치를 구하여, 웨이퍼 위치를 검출하도록 해도 좋다. 이에 따라, 웨이퍼(W)가 크게 위치가 어긋나 있었던 경우여도, 웨이퍼(W)의 위치를 보다 정확하게 검출할 수 있다.Thus, by detecting and correcting the positional shift of the wafer in accordance with the white black determination of the measurement field of view, the positional shift of the wafer is achieved even if the positional shift is so large that the circumferential circumference of the wafer W cannot be detected. You can correct it. In addition, the wafer W is moved by a predetermined amount in the position shift correction direction obtained by the white black determination, and at the time when the circumference of the wafer W enters all of the measurement fields 153A to 153C, the wafer W The peripheral position of the wafer may be detected to determine the center position of the wafer to detect the wafer position. As a result, even when the wafer W is largely displaced, the position of the wafer W can be detected more accurately.

전술한 바와 같이 재치대 유닛(110), 기판 인도 장치(130), 기판 위치 검출 유닛(150)의 각부는 제어부(200)에 의해 제어된다. 제어부(200)는, 예를 들면 제어부 본체를 구성하는 CPU(Central Processing Unit), CPU가 처리를 행하기 위해 필요한 데이터를 기억하는 ROM(Read Only Memory), CPU가 행하는 각종 데이터 처리를 위해서 사용되는 메모리 에리어 등을 마련한 RAM(Random Access Memory), CPU가 각부를 제어하기 위한 프로그램이나 각종 데이터를 기억하는 하드디스크(HDD) 또는 메모리 등의 기억 수단 등에 의해 구성된다.As mentioned above, each part of the mounting base unit 110, the board | substrate delivery apparatus 130, and the board | substrate position detection unit 150 is controlled by the control part 200. FIG. The control unit 200 is, for example, a CPU (Central Processing Unit) constituting the control unit main body, a ROM (Read Only Memory) for storing data necessary for the CPU to perform the processing, and used for various data processing performed by the CPU. RAM (Random Access Memory) having a memory area and the like, a program for the CPU to control each unit, a hard disk (HDD) for storing various data, or storage means such as a memory.

(웨이퍼 인도 처리)(Wafer delivery processing)

다음으로, 전술한 기판 인도 장치에 의해 행해지는 웨이퍼의 인도 처리의 구체예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 제어부(200)는 기억 수단으로부터 판독한 소정의 프로그램에 기초하여 기판 인도 장치(130), 기판 위치 검출 유닛(150)의 각부를 제어하여 인도 처리를 실행한다. 도8 은, 반송아암 상의 웨이퍼를 수취하여 재치대에 올려놓게 할 때의 인도 처리의 구체예를 나타내는 플로우 차트이다. 또한, 도9A∼도9E 는, 웨이퍼의 인도 처리에 있어서의 기판 인도 장치(130)의 동작예를 설명하기 위한 작용 설명도이다. 또한, 도9A∼도9E 에 있어서, Cw는 웨이 퍼(W)의 중심을 나타내고, Ct는 전술한 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심을 나타낸다.Next, the specific example of the delivery process of the wafer performed by the board | substrate delivery apparatus mentioned above is demonstrated, referring drawings. The control part 200 controls each part of the board | substrate delivery apparatus 130 and the board | substrate position detection unit 150 based on the predetermined program read from the memory | storage means, and performs a delivery process. Fig. 8 is a flowchart showing a specific example of the delivery process when the wafer on the transfer arm is received and placed on the mounting table. 9A to 9E are operational explanatory diagrams for explaining an operation example of the substrate delivery device 130 in the wafer delivery process. 9A to 9E, Cw represents the center of the wafer W, and Ct represents the center of the wafer at the reference position Wst described above.

반송아암(TA) 상의 웨이퍼(W)를 재치대(112)로 인도할 때에는, 도8 에 나타내는 바와 같이, 먼저 스텝 S110에서 지지핀(132A∼132C)을 상승시켜 반송아암(TA) 상의 웨이퍼(W)를 수취한다. 구체적으로는 도9A 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 올린 반송아암(TA)이 재치대(112)의 상측에 끼워 넣어지면, Z방향 구동 수단(138Z)을 구동시켜 지지핀(132A∼132C)을 소정의 웨이퍼(W)의 수취 높이까지 Z(연직)방향으로 상승시킨다. 그러면, 각 지지핀(132A∼132C)의 선단은, 각각 각 관통공(113A∼113C)을 지나서 재치대(112)의 재치면으로부터 상방으로 돌출하고, 더욱 상승하여 도9B 에 나타내는 바와 같이 반송아암(TA)상의 웨이퍼(W)를 들어올린다. 이렇게 하여, 지지핀(132A∼132C)의 선단에서 웨이퍼(W)를 수취하면, 반송아암(TA)은, 도9B 에 나타내는 바와 같이 재치대(112)의 상측으로부터 인발되어 도9C 에 나타내는 바와 같이 된다.When guiding the wafer W on the transfer arm TA to the mounting table 112, as shown in FIG. 8, first, the support pins 132A to 132C are raised in step S110 to make the wafer ( Receive W) Specifically, as shown in Fig. 9A, when the carrier arm TA on which the wafer W is raised is inserted above the mounting table 112, the Z-direction driving means 138Z is driven to support the pins 132A to 132C. ) Is raised in the Z (vertical) direction to the receiving height of the predetermined wafer W. Then, the tip of each of the support pins 132A to 132C projects upward from the mounting surface of the mounting table 112 through the through holes 113A to 113C, respectively, and ascends further, as shown in Fig. 9B. The wafer W on the TA is lifted. In this way, when the wafer W is received at the tips of the support pins 132A to 132C, the carrier arm TA is drawn from the upper side of the mounting table 112 as shown in Fig. 9B, and as shown in Fig. 9C. do.

이와 같이, 본 실시 형태에서는 지지핀(132A∼132C)으로 반송아암(TA)으로부터 웨이퍼(W)를 수취할 때, 지지핀(132A∼132C) 쪽을 상승시켜 수취하도록 하고 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 반송아암(TA)이 승강 가능하게 구성되어 있는 경우에는, 반송아암(TA)쪽을 하강시켜 지지핀(132A∼132C)의 선단에 웨이퍼(W)를 내려놓도록 해도 좋다. 이 경우에는, 먼저 Z방향 구동 수단(138Z)을 구동시켜 지지핀(132A∼132C)을 Z축 방향으로 상승시킨 상태로, 웨이퍼(W)를 올린 반송아암(TA)을 재치대(112)의 상측에 끼워 넣는다. 그리고, 반송아 암(TA) 쪽을 하강시켜 지지핀(132A∼132C)으로 수취한다. 이것에 의하면, 지지핀(132A∼132C)을 상승시킨 채 웨이퍼(W)를 수취할 수 있다.As described above, in the present embodiment, when the wafer W is received from the transfer arm TA by the support pins 132A to 132C, the support pins 132A to 132C are raised to be received. It is not. For example, when the carrier arm TA is configured to be liftable, the carrier arm TA may be lowered so that the wafer W is placed at the tip of the support pins 132A to 132C. In this case, the carrier arm TA on which the wafer W is raised is placed on the mounting table 112 in a state where the Z-direction driving means 138Z is first driven to raise the support pins 132A to 132C in the Z-axis direction. Insert it on the upper side. Then, the carrier arm TA is lowered and received by the support pins 132A to 132C. According to this, the wafer W can be received with the support pins 132A to 132C raised.

또한, 도9A 에 나타내는 바와 같이 재치대(112)의 상측에 반송아암(TA)으로 끼워 넣어졌을 때에, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남(여기에서는 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심(기준이 되는 중심)(Ct)에 대한 웨이퍼(W)의 중심(Cw)의 위치 어긋남)이 생겨 있으면, 그대로 웨이퍼(W)를 지지핀(132A∼132C)으로 상방으로 들어올리게 된다.In addition, as shown in Fig. 9A, when the upper side of the mounting table 112 is inserted into the carrier arm TA, the position shift in the horizontal direction of the wafer W (here, the center of the wafer at the reference position Wst) If the position shift of the center Cw of the wafer W with respect to the center (Ct) used as a reference | standard exists, the wafer W is lifted upward with the support pins 132A-132C as it is.

이러한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남은, 이후의 웨이퍼의 위치 결정 처리(스텝 S120∼스텝 S140)에 의해 지지핀(132A∼132C)으로 웨이퍼(W)를 지지한 채, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남을 검출하고, 지지핀(132A∼132C)을 수평 방향으로 이동시킴으로써 보정한다. 이에 따라, 반송아암(TA)은, 웨이퍼를 지지핀에 건넨 후는, 곧바로 다음 작업(예를 들면 다른 웨이퍼를 반송하는 작업)을 개시할 수 있기 때문에, 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.This positional shift of the wafer W is the horizontal direction of the wafer W while supporting the wafer W with the support pins 132A to 132C by the subsequent wafer positioning process (steps S120 to S140). The positional deviation of is detected and corrected by moving the support pins 132A to 132C in the horizontal direction. Thereby, since the transfer arm TA can start the next operation (for example, the operation of conveying another wafer) immediately after passing the wafer to the support pin, the throughput of the wafer processing can be improved.

이러한 웨이퍼의 위치 결정 처리에서는, 먼저 스텝 S120에서 기판 위치 검출 유닛(150)에 의해 웨이퍼(W)의 위치를 검출한다. 여기에서는, 웨이퍼(W)를 각 지지핀(132A∼132C)으로 지지한 채 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치를 검출한다. 구체적으로는 전술한 바와 같이, 조명용 광원(154A∼154C)을 발광시켜 촬상 수단(152A∼152C)으로 촬상하여 얻어진 측정 시야(153A∼153C)의 출력 화상 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)의 위치를 검출한다. 예를 들면 출력 화상 데이터에 의해 검출된 웨이퍼(W)의 원주 둘레부의 형상으로부터 웨이퍼(W)의 중심을 웨이퍼(W)의 위치로서 검출한다.In this wafer positioning process, the position of the wafer W is first detected by the substrate position detection unit 150 in step S120. Here, the position in the horizontal direction of the wafer W is detected while supporting the wafer W with the respective support pins 132A to 132C. Specifically, as described above, the position of the wafer W is based on the output image data of the measurement visual fields 153A to 153C obtained by emitting the light sources 154A to 154C for illumination and imaging with the imaging means 152A to 152C. Detect. For example, the center of the wafer W is detected as the position of the wafer W from the shape of the peripheral portion of the wafer W detected by the output image data.

다음으로 스텝 S130에서 웨이퍼(W)에 위치 어긋남이 있는지 없는지를 판단한다. 구체적으로는, 검출된 웨이퍼(W)의 위치에 기초하여, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남량을 구하여, 위치 어긋남량이 소정의 허용 위치 어긋남 범위 내에 있는 경우에는 위치 어긋남 없음으로 판단하고, 위치 어긋남량이 소정의 허용 위치 어긋남 범위를 초과하는 경우에는 위치 어긋남 있음으로 판단한다.Next, in step S130, it is determined whether or not there is a positional shift in the wafer W. FIG. Specifically, based on the detected position of the wafer W, the positional displacement amount in the horizontal direction of the wafer W is obtained, and when the positional deviation amount is within a predetermined allowable positional deviation range, it is determined that there is no positional deviation. When the position shift amount exceeds the predetermined allowable position shift range, it is determined that there is a position shift.

예를 들면 웨이퍼(W)의 중심을 웨이퍼(W)의 위치로서 검출하는 경우에는, 그 웨이퍼(W)의 중심과 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심(기준이 되는 중심)과의 어긋남량을 웨이퍼(W)의 위치 어긋남량으로서 산출한다. 또한, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남량의 산출은 이에 한정되는 것이 아니라, 예를 들면 전술한 바와 같이 밝은 영역과 어두운 영역과의 비율(명암 비율)을, 웨이퍼(W)가 기준 위치(Wst)에 있는 경우의 명암 비율과 비교하여 위치 어긋남량을 산출해도 좋고, 또한 웨이퍼 원주 둘레부 형상의 패턴을 기준 위치(Wst)의 패턴과 비교하여 위치 어긋남량을 산출해도 좋다.For example, when detecting the center of the wafer W as the position of the wafer W, the shift amount between the center of the wafer W and the center of the wafer (the center serving as a reference) of the reference position Wst is determined. It calculates as a position shift amount of the wafer W. As shown in FIG. In addition, calculation of the position shift amount of the wafer W is not limited to this, For example, as mentioned above, the ratio (contrast ratio) of a light region and a dark region is set, and the wafer W is the reference position Wst. The positional shift amount may be calculated by comparing with the contrast ratio in the case of, and the position shift amount may be calculated by comparing the pattern of the wafer circumferential shape with the pattern of the reference position Wst.

스텝 S130에서 웨이퍼(W)에 위치 어긋남이 없다고 판단한 경우에는, 스텝 S150에서 그대로 지지핀(132A∼132C)을 하강시켜 웨이퍼(W)를 재치대(112)에 올려놓게 한다. 이에 대하여, 웨이퍼(W)에 위치 어긋남이 있다고 판단한 경우에는, 스텝 S140에서, X방향 구동 수단(138X) 및 Y방향 구동 수단(138Y)을 구동시킴으로써 지지핀(132A∼132C)을 수평 방향으로 이동시켜 웨이퍼(W)의 위치를 보정한다. 예를 들면 도9C 에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)가 X축의 마이너스 방향으로 어긋나 있는 경우에는, X방향 구동 수단(138X)만을 구동하여 지지핀(132A∼132C)을 X축의 플러스 방향으로 이동시킨다. 이에 따라, 도9D 에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심(Cw)과 기준 위치(Wst)의 웨이퍼의 중심(Ct)이 일치하도록 웨이퍼(W)를 위치 결정할 수 있다.When it is determined in step S130 that there is no positional shift in the wafer W, the support pins 132A to 132C are lowered as they are in step S150 so that the wafer W is placed on the mounting table 112. On the other hand, when it is determined that there is a positional shift in the wafer W, in step S140, the support pins 132A to 132C are moved in the horizontal direction by driving the X-direction driving means 138X and the Y-direction driving means 138Y. The position of the wafer W is corrected. For example, as shown in Fig. 9C, when the wafer W is shifted in the negative direction of the X axis, only the X direction drive means 138X is driven to move the support pins 132A to 132C in the positive direction of the X axis. Thereby, as shown in FIG. 9D, the wafer W can be positioned so that the center Cw of the wafer W and the center Ct of the wafer at the reference position Wst coincide with each other.

또한, 웨이퍼(W)의 위치를 보정하는 경우에는, 미리 웨이퍼(W)의 위치 어긋남량 및 위치 어긋남 방향을 산출하고 나서, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남량 및 위치 어긋남 방향에 따라 지지핀(132A∼132C)의 수평 방향으로의 이동시키도록 해도 좋고, 또한 지지핀(132A∼132C)을 수평 방향으로 소정량씩 이동시켜, 그때마다 촬상 수단(152A∼152C)에 의해 웨이퍼(W)의 위치를 검출하여 확인하면서, 웨이퍼(W)를 기준 위치까지 이동시키도록 해도 좋다.In addition, when correcting the position of the wafer W, after calculating the position shift amount and the position shift direction of the wafer W in advance, the support pins 132A according to the position shift amount and the position shift direction of the wafer W; The support pins 132A to 132C may be moved by a predetermined amount in the horizontal direction, and the position of the wafer W may be moved by the imaging means 152A to 152C at each time. You may make it move the wafer W to a reference position, detecting and confirming.

이렇게 하여, 웨이퍼(W)의 위치 결정 처리(스텝 S120∼스텝 S140)가 종료되면, 스텝 S150에서 지지핀(132A∼132C)을 하강시켜 웨이퍼(W)를 재치대(112)상에 올려놓게 한다. 구체적으로는 도9D 에 나타내는 바와 같이, Z방향 구동 수단(138Z)을 구동시켜 지지핀(132A∼132C)을 하강시켜, 웨이퍼(W)를 재치대(112)상에 내려놓는다. 이에 따라, 도9E 에 나타내는 바와 같이, 수평 방향의 위치가 보정된 웨이퍼(W)가 재치대(112)상에 올려 놓여진다. 이렇게 하여 웨이퍼(W)의 인도 처리가 종료된다.In this way, when the positioning process (step S120-step S140) of the wafer W is complete | finished, the support pins 132A-132C are lowered in step S150, and the wafer W is placed on the mounting base 112. FIG. . Specifically, as shown in FIG. 9D, the Z-direction driving means 138Z is driven to lower the support pins 132A to 132C, and the wafer W is placed on the mounting table 112. As a result, as shown in Fig. 9E, the wafer W on which the horizontal position is corrected is placed on the mounting table 112. As shown in Figs. In this way, the delivery process of the wafer W is complete | finished.

또한, 지지핀(132A∼132C)을 하강시키는 경우에는, 그 선단을 관통공(113A∼113C)을 통하여 재치대(112)의 하면보다도 하측까지 대피시키는 것이 바람직하다. 이에 따라, 예를 들면 재치대(112)가 회전하는 경우에 지지핀(132A∼132C)이 간섭 하는 것을 방지할 수 있다.In addition, when lowering | supporting pins 132A-132C, it is preferable to evacuate the front end below the lower surface of the mounting base 112 through the through-holes 113A-113C. Thus, for example, when the mounting table 112 rotates, the support pins 132A to 132C can be prevented from interfering.

또한, 도8 에 나타내는 스텝 S120에 있어서, 측정 시야(153A∼153C)의 출력 화상 데이터로부터 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출할 수 없을 정도로 웨이퍼(W)가 위치가 어긋나 있는 경우에는, 스텝 S140에서, 전술한 바와 같은 각 측정 시야(153A∼153C)의 화이트 블랙 판정의 조합에 따라 위치 어긋남 보정 방향을 결정하여, 웨이퍼의 위치 어긋남을 보정하도록 해도 좋다. 이것에 의하면, 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출할 수 없는 정도로 크게 위치가 어긋나 있던 경우여도, 웨이퍼의 위치 어긋남을 보정할 수 있다. 또한, 이에 한정되지 않고, 예를 들면 스텝 S120에서 화이트 블랙 판정에 의한 위치 어긋남 보정 방향으로 측정 시야(153A∼153C)의 모두에 웨이퍼(W)의 원주 둘레부가 들어가기까지 소정량씩 웨이퍼(W)를 이동시킨 후에, 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 검출하여 이후의 처리를 행하도록 해도 좋다.In addition, in step S120 shown in FIG. 8, when the position of the wafer W is shift | deviated so that the circumference of the wafer W cannot be detected from the output image data of the measurement visual fields 153A-153C, step S140. In this case, the position shift correction direction may be determined in accordance with the combination of the white black determination of each of the measurement fields 153A to 153C as described above, and the position shift of the wafer may be corrected. According to this, even if the position shifted so much that the circumference of the wafer W cannot be detected, the position shift of a wafer can be corrected. In addition, it is not limited to this, For example, in step S120, the wafer W is predetermined by a predetermined amount until the circumference of the wafer W enters all of the measurement visual fields 153A to 153C in the position shift correction direction by the white black determination. After moving, the peripheral circumference of the wafer W may be detected to perform subsequent processing.

또한, 도8 에 나타내는 처리에서는, 본 실시 형태에 따른 기판 인도 장치(130)를 이용하여 웨이퍼(W)를 반송아암(TA)으로부터 재치대(112)로 인도하는 경우에 대하여 설명했지만, 기판 인도 장치(130)를 이용하여 웨이퍼(W)를 재치대(112)로부터 반송아암(TA)으로 인도하는 경우에 있어서도, 재치대(112)상의 웨이퍼(W)를 지지핀(132A∼132C)으로 들어올려 수취하면, 그대로 웨이퍼(W)의 위치를 검출하여, 웨이퍼(W)의 위치를 보정하고 나서 반송아암(TA)으로 건네도록 해도 좋다. 이렇게 함으로써, 예를 들면 웨이퍼(W)가 지지핀(132A∼132C)의 수평 방향으로 이동시켜도 보정할 수 없을 정도로 크게 어긋나 있는 경우에, 적어도 반송아 암(TA)으로 웨이퍼(W)를 취출하여 가능한 위치까지 웨이퍼(W)를 이동시킬 수 있다.In addition, in the process shown in FIG. 8, although the case where the wafer W was guide | induced from the carrier arm TA to the mounting base 112 using the board | substrate delivery apparatus 130 which concerns on this embodiment was demonstrated, board | substrate delivery Even when the wafer W is guided from the mounting table 112 to the carrier arm TA using the apparatus 130, the wafer W on the mounting table 112 is lifted by the support pins 132A to 132C. If it is picked up and received, the position of the wafer W may be detected as it is, the position of the wafer W may be corrected, and then passed to the transfer arm TA. By doing so, for example, when the wafer W is deviated so much that it cannot be corrected even if it moves in the horizontal direction of the support pins 132A to 132C, the wafer W is taken out at least by the carrier arm TA. The wafer W can be moved to a possible position.

이상과 같이, 본 실시 형태에 의하면, 지지핀(132A∼132C)을 수평 방향(XY 방향)으로 이동 가능하게 구성함으로써, 예를 들면 반송아암(TA)으로부터 웨이퍼(W)를 지지핀(132A∼132C)으로 수취한 후는, 반송아암(TA)을 사용하지 않고, 지지핀(132A∼132C)으로 웨이퍼(W)를 지지한 채 수평 방향으로 구동시킬 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 재빠르게 보정할 수 있다. 또한, 반송아암(TA)은 지지핀(132A∼132C)에 웨이퍼를 건넨 후는 곧바로 다른 작업(예를 들면 다른 웨이퍼의 반송 작업)을 행할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the present embodiment, by configuring the support pins 132A to 132C to be movable in the horizontal direction (XY direction), for example, the wafer W is supported from the carrier arm TA by the support pins 132A to A. After receiving by 132C), it can drive in a horizontal direction, holding the wafer W with support pins 132A-132C, without using carrier arm TA. Thereby, position shift of the wafer W can be correct | amended quickly. In addition, the transfer arm TA can perform another operation (for example, the transfer operation of another wafer) immediately after passing the wafer to the support pins 132A to 132C. Therefore, the throughput of wafer processing can be improved.

또한, 웨이퍼(W)의 수평 방향으로의 위치 결정은, 고분해능을 갖고 고속 동작 가능한 X방향 구동 수단(138X)과 Y방향 구동 수단(138Y)에 의해 행해지기 때문에, 단시간 중에, 웨이퍼(W)를 재치대(112)의 재치면의 정확한 위치(기준 위치)에 올려놓을 수 있다. 따라서, 더욱 웨이퍼 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있음과 함께, 재치대(112)의 웨이퍼 재치면에 올려놓여진 웨이퍼(W)에 대한 처리를 확실히 정밀도 좋게 행할 수 있다.In addition, since the positioning of the wafer W in the horizontal direction is performed by the X-direction driving means 138X and the Y-direction driving means 138Y having high resolution and capable of high speed operation, the wafer W is held in a short time. It can be mounted in the exact position (reference position) of the mounting surface of the mounting base 112. As shown in FIG. Therefore, the throughput of the wafer process can be further improved, and the wafer W placed on the wafer placing surface of the mounting table 112 can be reliably processed with high accuracy.

또한, 본 실시 형태에 따른 기판 인도 장치(130)는, 재치대 유닛(110)과는 별체로 구성하고 있기 때문에, 간단한 구성으로 할 수 있다. 또한, 처리실 내로의 설치의 자유도도 높아지기 때문에, 여러 가지 처리실에 적용 가능해진다. 또한, 재치대(112)가 회전하는 경우에는, 재치대 유닛(110)과 기판 인도 장치(130)를 별체로 함으로써, 재치대(112)를 고속 회전시킬 수 있다. 또한, 기판 인도 장 치(130)에 대해서도, X방향 구동 수단(138X)과 Y방향 구동 수단(138Y)으로 지지핀(132A∼132C)을 수평 방향으로 구동하는 구성을 취할 수 있기 때문에, 고(高)정밀도로 웨이퍼(W)의 위치 보정을 행할 수 있다.In addition, since the board | substrate delivery apparatus 130 which concerns on this embodiment is comprised separately from the mounting base unit 110, it can be set as a simple structure. Moreover, since the freedom degree of installation in a process chamber also becomes high, it can apply to various process chambers. In addition, when the mounting base 112 rotates, the mounting base unit 112 and the board | substrate delivery apparatus 130 are separated, and the mounting base 112 can be rotated at high speed. In addition, the substrate delivery device 130 also has a configuration in which the support pins 132A to 132C are driven in the horizontal direction by the X-direction driving means 138X and the Y-direction driving means 138Y. The position of the wafer W can be corrected with high accuracy.

또한, 본 실시 형태에 따른 기판 인도 장치(130)는, 재치대를 수평 방향으로 구동시켜 위치 어긋남을 보정하는 것이 아니라, 지지핀(132A∼132C)을 수평 방향으로 구동시켜 위치 어긋남을 보정하도록 했기 때문에, 예를 들면 웨이퍼(W)의 위치 어긋남이 커서 기판 위치 검출 유닛(150)으로 검출할 수 없는 경우라도, 지지핀(132A∼132C)으로 웨이퍼(W)를 들어올린 채, 기판 위치 검출 유닛(150)으로 검출할 수 있는 위치까지 지지핀(132A∼132C)으로 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)가 크게 위치가 어긋나 있는 경우라도, 웨이퍼(W)의 위치를 검출하여 위치 어긋남을 재빠르게 보정할 수 있다.In addition, the board | substrate guide apparatus 130 which concerns on this embodiment did not drive a mounting table horizontally and correct | amends a position shift, but drives the support pins 132A-132C to a horizontal direction, and correct | amends a position shift. Therefore, even if the position shift of the wafer W is large and cannot be detected by the substrate position detection unit 150, for example, the substrate position detection unit is carried out with the wafer W being lifted by the support pins 132A to 132C. The wafer W can be moved in the horizontal direction by the support pins 132A to 132C to a position that can be detected by 150. Thereby, even when the position of the wafer W is largely shifted, the position of the wafer W can be detected and the position shift can be corrected quickly.

그런데, 웨이퍼(W)의 위치 맞춤에는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등을 검출하는 방법을 이용하는 경우가 있다. 이 방법에 의하면, 웨이퍼(W)를 적어도 1회전시킬 필요가 있다. 이에 대하여, 본 실시 형태에 의하면, 촬상 수단(152A∼152C)을 이용하여 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남을 검출하기 때문에, 웨이퍼(W)를 회전시킬 필요가 없다. 따라서, 위치 어긋남 검출의 소요 시간은 매우 짧아진다. 이 결과, 웨이퍼 처리의 스루풋이 향상한다.By the way, the positioning of the wafer W may use the method of detecting the orientation flat, notch, etc. of the wafer W, for example. According to this method, it is necessary to rotate the wafer W at least one time. On the other hand, according to this embodiment, since the position shift of the horizontal direction of the wafer W is detected using imaging means 152A-152C, it is not necessary to rotate the wafer W. As shown in FIG. Therefore, the time required for position shift detection becomes very short. As a result, the throughput of the wafer process is improved.

또한, 본 실시 형태에 의하면, 반송아암(TA)으로부터 지지핀(132A∼132C)에 웨이퍼(W)가 건네진 후, 웨이퍼(W)를 재치대(112)의 웨이퍼 재치면에 올려놓기 전에 곧바로 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 결정 처리를 행할 수 있기 때문에, 위치 결정 처리가 종료하기까지에 걸리는 시간이 짧아진다. 그 결과, 웨이퍼 처리의 스루풋이 향상한다.In addition, according to this embodiment, after the wafer W is passed from the transfer arm TA to the support pins 132A to 132C, the wafer is immediately placed on the wafer placing surface of the mounting table 112. Since the positioning processing in the horizontal direction of (W) can be performed, the time taken until the positioning processing ends is shortened. As a result, the throughput of the wafer process is improved.

또한, 본 실시 형태에 따른 기판 인도 장치(130)에서는, 지지핀(132A∼132C)은, Z방향 구동 수단(138Z)에 의해 관통공(113A∼113C)을 각 지지핀(132A∼132C)의 선단이 출몰 가능하게 상하 구동시킬 수 있고, 또한 각 관통공(113A∼113C)을 지나게 하여 재치대(112)의 재치면으로부터 각 지지핀(132A∼132C)의 선단이 돌출한 채, 각 관통공(113A∼113C) 안을 X방향 구동 수단(138X) 및 Y방향 구동 수단(138Y)에 의해 수평 구동시킬 수 있도록 구성되어 있지만, 본 발명은, 이와 같은 구성에 한정되는 것은 아니다.In addition, in the board | substrate delivery apparatus 130 which concerns on this embodiment, the support pins 132A-132C make through-holes 113A-113C of the support pins 132A-132C by the Z direction drive means 138Z. Each of the through holes can be driven up and down so that the tip can be projected, and each of the support pins 132A to 132C protrudes from the mounting surface of the mounting table 112 through the through holes 113A to 113C. Although the inside of 113A-113C is comprised so that a horizontal drive can be performed by X direction drive means 138X and Y direction drive means 138Y, this invention is not limited to such a structure.

예를 들면 도10 에 나타내는 기판 인도 장치(130)와 같이, 각 지지핀(132A∼132C)을 재치대(116)의 지지축(114) 둘레에 재치대(116)의 지름보다도 외측으로 떨어져 설치하도록 해도 좋다. 이것에 의하면, 재치대(116)에 각 지지핀(132A∼132C)을 지나게 하기 위한 관통공(113A∼113C)을 형성할 필요가 없어진다. 또한, 관통공(113A∼113C)의 지름에 제한되는 일 없이 지지핀(132A∼132C)을 크게 수평 이동시키는 것이 가능해진다. 따라서, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남 보정이나 위치 조정을 행할 때에, 웨이퍼(W)의 1회분의 이동량을 크게 취할 수 있다.For example, like the board | substrate guide apparatus 130 shown in FIG. 10, each support pin 132A-132C is installed in the circumference | surroundings of the support shaft 114 of the mounting base 116 outside the diameter of the mounting base 116. You may do so. According to this, it becomes unnecessary to form the through-holes 113A-113C for passing each support pin 132A-132C in the mounting base 116. As shown in FIG. Further, the support pins 132A to 132C can be horizontally moved largely without being limited to the diameters of the through holes 113A to 113C. Therefore, when performing position shift correction and position adjustment of the wafer W, the movement amount for one time of the wafer W can be taken large.

또한, 도10 에 나타내는 바와 같이 재치대(116)보다도 외측으로 지지핀(132A∼132C)을 배치하는 구성에서는, 각 지지핀은 재치대의 지름이 클수록 웨이퍼(W)의 단부 근방에 배치되게 된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 단부에 처리를 행하는 처리실(예를 들면 세정 처리실(400))에 적용하는 경우에는, 도1 에 나타내는 재치대보 다도 내측으로 지지핀(132A∼132C)을 배치하는 구성을 취하는 것이 바람직하다.In addition, as shown in FIG. 10, in the structure which arrange | positions support pins 132A-132C outward from the mounting base 116, each support pin is arrange | positioned near the edge part of the wafer W as the diameter of a mounting base is large. For this reason, when applying to the process chamber (for example, the cleaning process chamber 400) which performs a process to the edge part of the wafer W, the structure which arrange | positions the support pin 132A-132C inward rather than the mounting base shown in FIG. It is desirable to take

또한, 본 실시 형태에서는, 3개의 촬상 수단(152A∼152C)을 이용하여 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남을 검출하는 경우에 대하여 설명했지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 1개 또는 2개의 촬상 수단으로 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남을 검출하도록 해도 좋다. 또한, 촬상 수단(152A∼152C)으로서, CCD 이미지 센서나 CCD 카메라 이외에도, 각종의 광전 센서, 초음파 센서 등을 이용할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 도3 에 나타내는 바와 같이 지지핀(132A∼132C)은, 대략 링 형상으로 형성된 부착판(135)에 떨어져 부착되기 때문에, 웨이퍼(W)가 어긋나 있으면 부착판(135)이 기울어져 지지판(136)의 모멘트가 변화한다. 따라서, 지지판(136)에 모멘트 센서를 부착하여, 그 모멘트의 변화에 의해 웨이퍼(W)의 위치나, 위치 어긋남을 검출할 수 있다.In addition, in this embodiment, although the case where the position shift of the horizontal direction of the wafer W is detected using three imaging means 152A-152C was demonstrated, it is not necessarily limited to this, One or two The image pickup means may detect the positional shift of the wafer W in the horizontal direction. As the imaging means 152A to 152C, various photoelectric sensors, ultrasonic sensors and the like can be used in addition to the CCD image sensor and the CCD camera. In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 3, since the support pins 132A-132C are attached to the attachment plate 135 formed in substantially ring shape, when the wafer W is shift | deviated, the attachment plate 135 is carried out. This inclination changes the moment of the support plate 136. Therefore, a moment sensor is attached to the support plate 136, and the position and position shift of the wafer W can be detected by the change of the moment.

(기판 인도 장치의 적용예)(Application example of substrate delivery device)

다음으로, 상기의 기판 인도 장치를 적용 가능한 기판 처리 장치의 일 예를 도면을 참조하면서 설명한다. 도11 은 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.Next, an example of the substrate processing apparatus which can apply the said substrate delivery apparatus is demonstrated, referring drawings. 11 is a sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

기판 처리 장치(300)는, 웨이퍼(W)에 대하여 진공압 분위기 중에서 성막 처리, 에칭 처리 등의 각종의 프로세스 처리를 행하는 복수의 프로세스 처리실을 구비하는 프로세스 처리 유닛(310)과, 이 프로세스 처리 유닛(310)에 대하여 웨이퍼(W)를 반출입시키는 반송 유닛(320)을 구비한다.The substrate processing apparatus 300 includes a process processing unit 310 including a plurality of process processing chambers for performing various kinds of processing such as a film forming process, an etching process, and the like on a wafer W in a vacuum atmosphere, and the process processing unit. The conveying unit 320 which carries in and out the wafer W with respect to 310 is provided.

먼저, 반송 유닛(320)의 구성예에 대하여 설명한다. 카세트 용기(332)에 수 용된 복수매(예를 들면 25매)의 웨이퍼(W)를 기판 처리 장치(300)에 출납하기 위한 반송실(330)을 구비한다. 반송실(330)에는 예를 들면 3개의 카세트대(331A∼331C)가 각각 게이트 밸브(333A∼333C)를 통하여 마련되어 있고, 이들의 각 카세트대(331A∼331C)에는 각각 카세트 용기(332A∼332C)가 세트할 수 있도록 되어 있다.First, the structural example of the conveying unit 320 is demonstrated. A conveyance chamber 330 is provided for dispensing a plurality of wafers W (for example, 25 sheets) accommodated in the cassette container 332 to the substrate processing apparatus 300. For example, three cassette racks 331A to 331C are provided in the transfer chamber 330 via gate valves 333A to 333C, respectively, and cassette containers 332A to 332C are respectively provided in these cassette racks 331A to 331C. ) Can be set.

또한, 반송실(330)에는, 프로세스 처리전에 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행하는 프리얼라이먼트 처리실(오리엔터)(336)과, 프로세스 처리 후에 웨이퍼(W)에 부착한 부착물의 제거 처리를 행하는 후처리실의 1예로서의 세정 처리실(400)이 마련되어 있다.In addition, the transfer chamber 330 performs a pre-alignment processing chamber (orientator) 336 which performs alignment of the wafer W before the process treatment, and after removing the adhered matter attached to the wafer W after the process treatment. The washing process chamber 400 as an example of a process chamber is provided.

프리얼라이먼트 처리실(336)은, 예를 들면 그 처리실 내에 회전 가능하게 설치된 재치대(338)와 재치대(338)상의 웨이퍼(W)의 원주 둘레부를 광학적으로 검출하는 광학 센서(339)를 구비하고, 재치대(338)에서 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 원주 둘레부에 형성되는 오리엔테이션 플랫이나 노치 등을 광학 센서(339)로 검출하여 웨이퍼(W)의 위치 맞춤을 행한다. 또한, 세정 처리실(400)의 구체적 구성예에 대해서는 후술한다.The prealignment processing chamber 336 includes, for example, a mounting table 338 rotatably provided in the processing chamber and an optical sensor 339 for optically detecting the circumference of the wafer W on the mounting table 338. The wafer W is rotated on the mounting table 338 to detect an orientation flat, notch, etc. formed on the circumference of the wafer W with the optical sensor 339 to perform the alignment of the wafer W. FIG. In addition, the specific structural example of the washing process chamber 400 is mentioned later.

반송실(330) 내에는, 그 길이 방향(도11 에 나타내는 화살표 방향)을 따라 슬라이드가 자유롭게 구성된 반송 로봇(370)이 마련되어 있다. 반송 로봇(370)에는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 올려 반송하기 위한 반송아암(373A, 373B)이 마련되어 있다. 반송아암(373A∼373B)은, 굴신(屈伸)·승강·선회 가능하게 구성되어 있고, 상기 카세트 용기(332A∼332C), 프리얼라이먼트 처리실(336), 세정 처리실(400), 후술하는 로드 록실(360M, 360N)에 대하여 웨이퍼(W)의 출납을 행하도록 되어 있 다. 또한, 반송 로봇(370)은 2개의 반송아암(373A, 373B)을 구비하기 때문에, 이들을 이용하여 예를 들면 로드 록실(360M, 360N), 프리얼라이먼트 처리실(336), 세정 처리실(400) 등에 대하여, 처리 완료의 웨이퍼(W)와 처리전의 웨이퍼(W)를 교환하도록, 웨이퍼(W)의 출납을 할 수 있었다.In the conveyance chamber 330, the conveyance robot 370 comprised with the slide freely along the longitudinal direction (the arrow direction shown in FIG. 11) is provided. The transfer robot 370 is provided with transfer arms 373A and 373B for lifting and transporting the wafer W, for example. The transfer arms 373A to 373B are configured to be able to flex, lift and pivot, and the cassette containers 332A to 332C, the pre-alignment processing chamber 336, the cleaning processing chamber 400, and the load lock chamber (to be described later) The wafer W is withdrawn from the 360M and 360N. In addition, since the transfer robot 370 includes two transfer arms 373A and 373B, the transfer robot 370 can be used, for example, with respect to the load lock chambers 360M and 360N, the pre-alignment processing chamber 336, the cleaning processing chamber 400, and the like. The wafer W could be fed in and out so as to exchange the processed wafer W and the wafer W before processing.

다음으로, 프로세스 처리 유닛(310)의 구성예에 대하여 설명한다. 프로세스 처리 유닛(310)은 예를 들면 도11 에 나타내는 바와 같은 클러스터 툴형으로 구성된다. 즉, 프로세스 처리 유닛(310)은, 다각형(예를 들면 육각형)으로 형성된 공통 반송실(350)을 구비하고, 이 공통 반송실(350)의 주위에는, 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 프로세스 처리를 시행하는 복수(예를 들면 6개)의 프로세스 처리실(340A∼340F)이 각각 게이트 밸브(344A∼344F)를 통하여 접속된다.Next, a configuration example of the process processing unit 310 will be described. The process processing unit 310 is configured, for example, in a cluster tool type as shown in FIG. That is, the process processing unit 310 is provided with the common conveyance chamber 350 formed in polygonal shape (for example, hexagon), and the predetermined process process with respect to the wafer W around this common conveyance chamber 350. A plurality (for example, six) of process processing chambers 340A to 340F which are configured to be connected to each other are connected via gate valves 344A to 344F, respectively.

각 프로세스 처리실(340A∼340F)은, 웨이퍼(W)를 올려놓기 위한 재치대(342(342A∼342F))가 각각 마련되고, 미리 제어부(500)의 기억 매체 등에 기억된 프로세스·레시피 등에 기초하여, 재치대(342) 상의 웨이퍼(W)에 대하여 예를 들면 성막 처리나 에칭 처리 등의 처리를 시행하도록 되어 있다. 또한, 프로세스 처리실(340)의 수는, 도11 에 나타내는 경우에 한정되는 것은 아니다.Each of the process chambers 340A to 340F is provided with mounting tables 342 (342A to 342F) for placing the wafers W on the basis of processes and recipes previously stored in a storage medium of the control unit 500 or the like. The wafer W on the mounting table 342 is subjected to, for example, a film forming process or an etching process. In addition, the number of the process process chambers 340 is not limited to the case shown in FIG.

또한, 공통 반송실(350)의 주위에는, 상기 반송실(330)과의 사이에서 웨이퍼를 주고 받는 로드 록실(360M, 360N)이 마련되어 있다. 제1, 제2 로드 록실(360M, 360N)은, 그 내부에 설치된 인도대(364M, 364N)를 통하여 웨이퍼(W)를 일시적으로 유지하고, 압력 조정 후에 진공압측의 공통 반송실(350)과 대기압측의 반송실(330)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 패스시키는 것이다. 따라서, 기밀 유지를 위해, 로드 록실(360M, 360N)은, 공통 반송실(350)과는 게이트 밸브(354M, 354N)를 통하여 접속되고, 반송실(330)과는 게이트 밸브(362M, 362N)를 통하여 접속된다.In addition, load lock chambers 360M and 360N that exchange wafers with the transfer chamber 330 are provided around the common transfer chamber 350. The first and second load lock chambers 360M and 360N temporarily hold the wafer W through the delivery stands 364M and 364N provided therein, and after the pressure adjustment, the common transfer chamber 350 on the vacuum pressure side. And the wafer W are passed between the transfer chamber 330 on the atmospheric pressure side. Therefore, for airtightness, the load lock chambers 360M and 360N are connected to the common transfer chamber 350 via the gate valves 354M and 354N, and the transfer chamber 330 and the gate valves 362M and 362N. Connected via

공통 반송실(350)내에는, 그 길이 방향을 따라 마련된 안내 레일(384)을 따라 슬라이드 자유롭게 구성된 반송 로봇(380)이 마련되어 있다. 반송 로봇(380)에는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 올려 반송하기 위한 반송아암(383A, 383B)이 마련되어 있다. 반송아암(383A, 383B)은, 굴신·승강·선회 가능하게 구성되어 있고, 각 프로세스 처리실(340A∼340F), 로드 록실(360M, 360N)에 대하여 웨이퍼(W)의 출납을 행하도록 되어 있다.In the common conveyance chamber 350, the conveyance robot 380 comprised freely along the guide rail 384 provided along the longitudinal direction is provided. The transfer robot 380 is provided with transfer arms 383A and 383B for lifting and transporting the wafer W, for example. The transfer arms 383A and 383B are configured to be able to extend, lift and turn, and to take out and take out the wafer W to each of the process chambers 340A to 340F and the load lock chambers 360M and 360N.

예를 들면 반송 로봇(380)을 공통 반송실(350)의 기단측쪽으로 슬라이드시켜, 각 로드 록실(360M, 360N)과 프로세스 처리실(340A, 340F)에 대하여 웨이퍼(W)의 출납을 행하고, 또한 공통 반송실(350)의 선단측쪽으로 슬라이드시켜, 4개의 프로세스 처리실(340B∼340E)에 대하여 웨이퍼(W)의 출납을 행한다. 또한, 반송 로봇(380)은, 2개의 반송아암(383A, 383B)을 구비하기 때문에, 이들을 이용하여 예를 들면 프로세스 처리실(340A∼340F), 로드 록실(360M, 360N)에 대하여 처리 완료의 웨이퍼(W)와 처리전의 웨이퍼(W)를 교환하도록, 웨이퍼(W)의 출납을 할 수 있다.For example, the transfer robot 380 is slid to the proximal end side of the common transfer chamber 350, and the wafer W is withdrawn to and from each of the load lock chambers 360M and 360N and the process processing chambers 340A and 340F. It slides toward the front end side of the common conveyance chamber 350, and the wafer W is withdrawn from the four process process chambers 340B-340E. In addition, since the transfer robot 380 is provided with two transfer arms 383A and 383B, for example, the transfer robot 380 is used to process the processed wafers with respect to the process processing chambers 340A to 340F and the load lock chambers 360M and 360N. The wafer W can be fed in and out so as to replace the wafer W before the processing.

또한, 기판 처리 장치(300)에는, 반송 로봇(370, 380), 각 게이트 밸브(333, 344, 354, 362), 프리얼라이먼트 처리실(336), 세정 처리실(400) 등의 제어를 포함하여, 기판 처리 장치 전체의 동작을 제어하는 제어부(500)가 마련되어 있다. 제어부(500)는, 예를 들면 제어부 본체를 구성하는 CPU, CPU가 처리를 행하기 위해 필요한 데이터를 기억하는 ROM, CPU가 행하는 각종 데이터 처리를 위해 사용되는 메모리 에리어 등을 마련한 RAM, CPU가 각부를 제어하기 위한 프로그램이나 각종 데이터를 기억하는 하드디스크(HDD) 또는 메모리 등의 기억 수단 외에, 조작 화면이나 선택 화면 등을 표시하는 액정 디스플레이, 오퍼레이터에 의한 프로세스·레시피의 입력이나 편집 등 각종의 데이터의 입력 및 소정의 기억 매체로의 프로세스·레시피나 프로세스·로그의 출력 등 각종 데이터의 출력 등을 행할 수 있는 입출력 수단, 기판 처리 장치(300)의 각부를 제어하기 위한 각종 콘트롤러 등을 구비한다.In addition, the substrate processing apparatus 300 includes control of the transfer robots 370 and 380, the gate valves 333, 344, 354 and 362, the prealignment processing chamber 336, the cleaning processing chamber 400, and the like. The control part 500 which controls the operation | movement of the whole substrate processing apparatus is provided. The control unit 500 includes, for example, a CPU constituting the control unit main body, a ROM storing data necessary for the CPU to perform processing, a RAM providing a memory area used for various data processing performed by the CPU, and a CPU. In addition to storage means such as a hard disk (HDD) or a memory for storing a program or various data for controlling the data, a liquid crystal display for displaying an operation screen, a selection screen, etc., various data such as input or editing of a process / recipe by an operator. And input / output means capable of outputting various data such as processes, recipes, output of process logs, and the like to a predetermined storage medium, various controllers for controlling the respective parts of the substrate processing apparatus 300, and the like.

이와 같은 기판 처리 장치(300)에 있어서, 본 실시 형태에 따른 기판 인도 장치가 적용되는 처리실에 대하여 설명한다. 기판 처리 장치(300)에 있어서 반송아암과 재치대와의 사이에서 웨이퍼(W)의 인도를 행하는 처리실로서는, 프로세스 처리실(340A∼340F), 프리얼라이먼트 처리실(336), 세정 처리실(400)이 마련되어 있기 때문에, 이들 모든 처리실에 본 실시 형태에 따른 기판 인도 장치(130)를 적용 가능하다. 그 외에, 도시하지 않지만, 기판 처리 장치(300)의 반송실(330)에 웨이퍼(W)에 대한 프로세스 처리의 결과를 측정하는 측정 처리실(예를 들면 막두께 측정 처리실, 파티클 측정 처리실 등)을 마련할 수 있기 때문에, 그 경우에는 이 측정 처리실에도 상기의 기판 인도 장치(130)를 적용할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 이들의 처리실 중 세정 처리실(400)에 기판 인도 장치(130)를 적용한 경우에 대하여 구체적인 구성예를 후술한다.In such a substrate processing apparatus 300, the process chamber to which the board | substrate delivery apparatus which concerns on this embodiment is applied is demonstrated. In the substrate processing apparatus 300, process chambers 340A to 340F, prealignment chambers 336, and cleaning chambers 400 are provided as the process chambers that guide the wafers W between the transfer arm and the mounting table. Therefore, the board | substrate delivery apparatus 130 which concerns on this embodiment is applicable to all these process chambers. In addition, although not shown, a measurement processing chamber (for example, a film thickness measurement processing chamber, a particle measurement processing chamber, etc.) for measuring the result of the process processing for the wafer W is provided in the transfer chamber 330 of the substrate processing apparatus 300. In this case, the substrate delivery device 130 can be applied to the measurement processing chamber in that case. In this embodiment, the specific structural example is demonstrated later about the case where the board | substrate delivery apparatus 130 is applied to the washing process chamber 400 among these process chambers.

(기판 처리 장치의 동작)(Operation of Substrate Processing Unit)

다음으로, 기판 처리 장치(300)의 동작에 대하여 설명한다. 기판 처리 장 치(300)는 제어부(500)에 의해 소정의 프로그램에 기초하여 가동한다. 예를 들면 반송 로봇(370)에 의해 카세트 용기(332A∼332C) 중 어느 하나로부터 반출된 웨이퍼(W)는, 프리얼라이먼트 처리실(336)로 반입되어 위치 결정 처리가 이루어진다. 위치 결정 처리된 웨이퍼(W)는, 프리얼라이먼트 처리실(336)로부터 반출되어 로드 록실(360M 또는 360N) 내로 반입된다. 이 때, 필요한 모든 프로세스 처리가 완료된 웨이퍼(W)가 로드 록실(360M 또는 360N)에 있으면, 그 웨이퍼(W)를 반출하여 미처리의 웨이퍼(W)를 반입한다.Next, operation | movement of the substrate processing apparatus 300 is demonstrated. The substrate processing apparatus 300 is operated by the controller 500 based on a predetermined program. For example, the wafer W carried out from any one of the cassette containers 332A to 332C by the transfer robot 370 is carried into the prealignment processing chamber 336 to perform a positioning process. The positioning wafer W is carried out from the prealignment processing chamber 336 and carried into the load lock chamber 360M or 360N. At this time, if the wafer W in which all necessary process processing is completed exists in the load lock room 360M or 360N, the wafer W is carried out and the unprocessed wafer W is carried in.

로드 록실(360M 또는 360N)로 반입된 웨이퍼(W)는, 반송 로봇(380)에 의해 로드 록실(360M 또는 360N)로부터 반출되어, 프로세스 처리실(340A∼340F) 중의 소정의 처리실로 반입되어 소정의 프로세스 처리가 실행된다. 예를 들면 웨이퍼(W)가 프로세스 처리실로 반입되어 하부 전극을 구성하는 재치대상으로 인도되면, 예를 들면 상부 전극을 구성하는 샤워 헤드로부터 소정의 프로세스 처리 가스를 도입하고, 상기 각 전극에 소정의 고주파 전력을 인가하여 처리 가스를 플라즈마화하여, 그 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)상에 에칭, 성막 등의 소정의 프로세스 처리를 시행한다. 그리고, 프로세스 처리가 완료된 웨이퍼(W)는, 반송 로봇(380)에 의해 프로세스 처리실(340)로부터 반출되어, 처리가 남아 있으면 다음의 프로세스 처리실(340)로 반송된다.The wafer W carried into the load lock chamber 360M or 360N is carried out from the load lock chamber 360M or 360N by the transfer robot 380, is carried in the predetermined process chambers of the process processing chambers 340A to 340F, and is predetermined. Process processing is executed. For example, when the wafer W is brought into the process processing chamber and guided to a mounting target constituting the lower electrode, for example, a predetermined process processing gas is introduced from the shower head constituting the upper electrode, and the predetermined process is applied to each of the electrodes. The high frequency power is applied to convert the processing gas into plasma, and predetermined plasma processing such as etching and film formation is performed on the wafer W by the plasma. And the wafer W in which the process process was completed is carried out from the process process chamber 340 by the transfer robot 380, and is conveyed to the next process process chamber 340 when a process remains.

이와 같이, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 가스의 플라즈마를 이용한 프로세스 처리를 시행하면, 재치대(342)상의 웨이퍼(W)의 원주 둘레부의 하측으로 돌아 들어가서, 소망하지 않은 부착물이 부착하는 경우가 있다. 예를 들면 처리 가스로서 플 로로카본계(CF계) 가스를 플라즈마화하여 웨이퍼(W)의 표면에 플라즈마 에칭 처리를 행하는 경우에는, 경쟁 반응(중합 반응)에 의해 플로로카본계 폴리머(CF계 폴리머)로 이루어지는 부생성물(데포)이 생성하여, 웨이퍼(W)의 단부(예를 들면 베벨부를 포함하는 단부의 이면측)에 부착한다.Thus, when the process process using the plasma of a process gas is performed with respect to the wafer W, it may return to the lower part of the circumference of the wafer W on the mounting base 342, and unwanted adhesion may adhere. . For example, when a fluorocarbon gas (CF system) is plasma-processed and plasma etching is performed on the surface of the wafer W, a fluorocarbon polymer (CF system) is produced by a competition reaction (polymerization reaction). The by-product (depot) which consists of a polymer is produced | generated, and adheres to the edge part (for example, the back surface side of the edge part containing a bevel part) of the wafer W. As shown in FIG.

이러한 부착물이 부착하고 있는 웨이퍼(W)가, 예를 들면 카세트 용기(332A∼332C) 중 어느 하나에 되돌려졌을 때에, 웨이퍼(W)의 단부가 카세트 용기 내의 유지부에 접촉하여 부착물이 박리하고, 그 웨이퍼(W)의 아래에 수용되는 다른 웨이퍼(W)의 표면에 낙하할 가능성이 있다. 이것이 경우에 따라서는 웨이퍼(W) 상에 형성되는 반도체 디바이스의 문제점의 원인이 된다. 따라서, 이와 같은 웨이퍼(W)의 단부의 부착물은 세정에 의해 제거할 필요가 있다.When the wafer W to which such deposit adheres is returned to any one of the cassette containers 332A to 332C, for example, the end portion of the wafer W contacts the holding portion in the cassette container, and the deposit is peeled off. There is a possibility of falling on the surface of another wafer W accommodated below the wafer W. In some cases, this causes a problem of the semiconductor device formed on the wafer W. Therefore, it is necessary to remove the deposit at the end of such a wafer W by cleaning.

그래서, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(300)에서는, 각 프로세스 처리실(340)에서의 처리가 완료된 웨이퍼(W)를, 로드 록실(360M 또는 360N)을 통하여 세정 처리실(400)로 반송하고, 세정 처리실(400)에서 웨이퍼(W)의 단부의 세정 처리를 행한 후에, 원래의 카세트 용기(332A∼332C)로 되돌리도록 하고 있다. 이 세정 처리에 의해 웨이퍼(W)의 단부의 부착물이 제거되기 때문에, 그러한 웨이퍼(W)를 예를 들면 카세트 용기(332A)로 되돌렸을 때에, 이 웨이퍼(W)로부터 부착물이 낙하하는 일 없이, 다른 웨이퍼(W)의 표면을 청정하게 유지할 수 있다.Therefore, in the substrate processing apparatus 300 according to the present embodiment, the wafer W on which the processing in each process processing chamber 340 is completed is conveyed to the cleaning processing chamber 400 through the load lock chamber 360M or 360N, After performing the cleaning process of the edge part of the wafer W in the cleaning process chamber 400, it returns to original cassette containers 332A-332C. Since the deposit of the edge part of the wafer W is removed by this washing | cleaning process, when such a wafer W is returned, for example to the cassette container 332A, without depositing the deposit from this wafer W, The surface of the other wafer W can be kept clean.

(세정 처리실의 구성예)(Configuration example of washing processing room)

여기에서, 세정 처리실(400)의 구성예에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 따른 세정 처리실(400)은, 회전 자유롭게 마련된 재치대(112)상에 웨이퍼(W)를 올 려놓아 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 단부에 부분적으로 소정의 빛을 조사하여 부착물을 제거하도록 구성된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 위치 어긋남이 없도록 정확히 재치대(112) 상에 올려놓게 할 필요가 있기 때문에, 이러한 세정 처리실(400)에 기판 인도 장치(130)를 적용하는 경우를 예로 들어 설명한다.Here, the structural example of the washing process chamber 400 is demonstrated. In the cleaning processing chamber 400 according to the present embodiment, a predetermined light is partially provided at an end portion of the wafer W while the wafer W is placed on the mounting table 112 that is freely provided to rotate. Irradiate to remove the deposit. For this reason, since it is necessary to make it place on the mounting base 112 exactly so that there exists no position shift of the wafer W in the horizontal direction, the case where the board | substrate delivery apparatus 130 is applied to such a cleaning process chamber 400 is taken as an example. Listen and explain.

세정 처리실(400)은, 구체적으로는 예를 들면 도12 에 나타내는 바와 같이 구성된다. 도12 에 나타내는 바와 같이, 세정 처리실(400)은, 용기(402)내에, 재치대 유닛(110), 기판 인도 장치(130), 기판 위치 검출 유닛(150) 및, 세정 수단(410)을 구비하고 있다.The washing process chamber 400 is specifically comprised as shown in FIG. 12, for example. As shown in FIG. 12, the cleaning processing chamber 400 includes the mounting table unit 110, the substrate delivery device 130, the substrate position detecting unit 150, and the cleaning means 410 in the container 402. Doing.

세정 수단(410)은, 레이저 유닛(412)과 오존 발생기(414)를 구비하고 있다. 레이저 유닛(412)을 구성하는 레이저 광원(도시하지 않음)으로서는, 예를 들면 반도체 레이저, 기체 레이저, 고체 레이저 등 각종 레이저를 이용할 수 있다. 레이저 유닛(412)의 광축은, 재치대(112)에 올려놓여져 있는 웨이퍼(W)의 단부 이면에 부착하고 있는 부착물(P)에 레이저광이 조사되도록 조정된다. 오존 발생기(414)는, 웨이퍼(W)의 단부 이면에 부착하고 있는 부착물(P)을 분해하기 위한 산소계 반응성 가스로서 오존(O3)을 발생시키고, 이것을 재치대(112)에 올려놓여져 있는 웨이퍼(W)의 단부 이면을 향하여 토출한다. 이들 레이저 유닛(412)과 오존 발생기(414)는, 제어부(200)에 의해 그 동작이 제어된다. 또한, 오존(O3)이나 부착물(P)이 분해되어 생성된 이산화탄소(CO2)와 불소(F2)를 흡인 배기하는 배기 수단 (도시하지 않음)을 오존 발생기(414)에 대향하는 위치에 구비하도록 해도 좋다.The cleaning means 410 includes a laser unit 412 and an ozone generator 414. As a laser light source (not shown) which comprises the laser unit 412, various lasers, such as a semiconductor laser, a gas laser, and a solid state laser, can be used, for example. The optical axis of the laser unit 412 is adjusted so that a laser beam may be irradiated to the deposit P which adheres to the back surface of the edge part of the wafer W mounted on the mounting base 112. The ozone generator 414 generates ozone (O 3 ) as an oxygen-based reactive gas for decomposing deposits (P) attached to the back surface of the end of the wafer (W), and places the wafer on the mounting table 112. Discharge toward the rear surface of the end portion (W). The operation of the laser unit 412 and the ozone generator 414 is controlled by the control unit 200. In addition, exhaust means (not shown) for sucking and evacuating carbon dioxide (CO 2 ) and fluorine (F 2 ) generated by decomposition of ozone (O 3 ) or deposit (P) at a position facing the ozone generator (414). You may provide it.

다음으로, 세정 처리실(400)에서 실행되는 웨이퍼(W)의 세정 처리에 대하여 설명한다. 이 세정 처리실(400)에는, 상기의 기판 인도 장치(130) 및 기판 위치 검출 유닛(150)이 구비되어 있기 때문에, 반송 로봇(370)의 반송아암(373)에 의해 반입출구(404)를 통하여 용기(402)내로 반입된 웨이퍼(W)를 위치 어긋남이 없이 재치대(112)의 웨이퍼 장치면에 올려놓을 수 있다. 또한, 만약 반송 로봇(370)으로부터 지지핀(132A∼132C)에 웨이퍼(W)가 건네졌을 때에 웨이퍼(W)에 위치 어긋남이 있어도, 반송 로봇(370)을 이용하는 일 없이, 지지핀(132A∼132C)을 수평 이동시켜 이 위치 어긋남을 보정할 수 있기 때문에, 반송 로봇(370)은 다른 웨이퍼(W)의 반송 처리를 행할 수 있다.Next, the cleaning process of the wafer W to be performed in the cleaning processing chamber 400 will be described. Since the said washing | cleaning process chamber 400 is equipped with the said board | substrate delivery apparatus 130 and the board | substrate position detection unit 150, it is carried out through the carry-in / out port 404 by the transfer arm 373 of the transfer robot 370. The wafer W carried into the container 402 can be placed on the wafer device surface of the mounting table 112 without dislocation. If the wafer W is shifted from the carrier robot 370 to the support pins 132A to 132C, the support pins 132A to 132 may be used without using the transfer robot 370. Since the position shift can be corrected by horizontally moving 132C, the transfer robot 370 can perform the transfer process of another wafer W. FIG.

다음으로, 세정 수단(410)을 이용하여 웨이퍼(W)의 단부 이면의 세정 처리를 행한다. 예를 들면 웨이퍼(W)의 단부에 부착물로서 예를 들면 CF계 폴리머(P)가 부착하고 있는 경우, CF계 폴리머(P)에 산소계 반응성 가스를 접촉시키면서, 빛을 조사하여 분해 반응을 일으키면, 이것을 제거할 수 있다. 또한, 이하와 같이 빛과 가스의 종류를 나누어 사용할 수 있다.Next, the cleaning process of the back surface of the end part of the wafer W is performed using the cleaning means 410. For example, in the case where the CF-based polymer P is attached to the end of the wafer W, for example, when the CF-based polymer P is contacted with the oxygen-based reactive gas while causing the decomposition reaction by irradiation with light, You can remove this. Moreover, the kind of light and gas can be used separately, as follows.

예를 들면, 웨이퍼(W)의 단부를 예를 들면 소정의 온도(예를 들면 200℃ 정도)로 가열하면서, CF계 폴리머(P)에 자외선을 조사(照射)함과 함께, CF계 폴리머(P)의 표면 부근에 산소계 반응 가스(예를 들면 산소(O2))의 흐름을 형성하는 방법이 있다. 이에 따라, CF계 폴리머(P)가 이산화 탄소(CO2)와 불소(F2)로 분해되어 제거된다.For example, while irradiating the CF-based polymer P with ultraviolet rays while heating the end portion of the wafer W to a predetermined temperature (for example, about 200 ° C.), the CF-based polymer ( There is a method of forming a flow of an oxygen-based reaction gas (for example, oxygen (O 2 )) near the surface of P). Accordingly, CF-based polymer (P) is decomposed into carbon dioxide (CO 2 ) and fluorine (F 2 ) to be removed.

이 외에, CF계 폴리머(P)에 산소계 반응성 가스로서 오존(O3)을 접촉시키면서, CF계 폴리머(P)에 레이저광을 조사하는 방법을 채용하도록 해도 좋다. 이 방법에 의하면, CF계 폴리머(P)에 대하여 국소적으로 높은 에너지가 공급되기 때문에, 분해 반응이 촉진되어, 효율 좋게 CF계 폴리머(P)를 제거할 수 있다.In addition, while in contact with ozone (O 3) as an oxygen-based reactive gas to the CF-based polymer (P), it may be to employ a method of irradiating laser light to the CF-based polymer (P). According to this method, since locally high energy is supplied to CF polymer P, decomposition reaction is accelerated | stimulated and CF CF polymer P can be removed efficiently.

이들의 방법을 채용하면, 웨이퍼(W)의 단부를 연마하는 일 없이, 웨이퍼(W)의 단부에 부착하는 부착물(P)을 제거할 수 있기 때문에, 연마에 의해 생기는 분진의 처리에 수고를 덜 수 있음과 함께, 그러한 분진에 의한 오염의 문제도 없다. 또한, 플라즈마를 발생시키는 일 없이 웨이퍼(W)의 단부에 부착하는 부착물(P)을 제거할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 막(예를 들면 Low-K막)이 대미지(손상)를 받는 일도 없다. 본 실시 형태에서는, 세정 처리실(400)에 있어서 레이저광을 이용한 세정 처리가 행해진다.By adopting these methods, it is possible to remove the deposit P adhering to the end of the wafer W without polishing the end of the wafer W, thereby reducing the labor of the dust generated by polishing. In addition, there is no problem of contamination by such dust. In addition, since the deposit P attached to the end of the wafer W can be removed without generating a plasma, a film (for example, a Low-K film) formed on the surface of the wafer W is damaged ( No damage). In this embodiment, the cleaning process using a laser beam is performed in the cleaning process chamber 400.

구체적으로는, 웨이퍼(W)를 올려놓은 상태에서 재치대(112)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 단부 이면을 향하여 레이저 유닛(412)으로부터 레이저광을 출사함과 함께, 오존 발생기(414)로부터 오존(O3)을 토출한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 단부 이면에 부착물(P)이 부착하고 있어도, 그 부착물(P)을 화학 분해하여 제거할 수 있다. 또한, 부착물(P)의 부착 면적이 레이저광의 스폿 지름에 대하여 넓은 경우에는, 예를 들면 레이저광의 스폿 위치가 웨이퍼(W)의 지름 방향으로 이동하도록 레이저 유닛(412)을 구성하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 넓은 면적에 부착 한 부착물(P)을 완전히 제거할 수 있다.Specifically, the mounting table 112 is rotated in a state where the wafer W is placed, and the laser beam is emitted from the laser unit 412 toward the rear surface of the end portion of the wafer W, and the ozone generator 414 is provided. Ozone (O 3 ) is discharged from the. Thereby, even if the deposit P adheres to the back surface of the end part of the wafer W, the deposit P can be chemically decomposed and removed. In addition, when the adhesion area of the deposit P is large with respect to the spot diameter of a laser beam, it is preferable to comprise the laser unit 412 so that the spot position of a laser beam may move to the radial direction of the wafer W, for example. In this way, the deposit P which adhered to a large area can be removed completely.

세정 처리가 완료된 웨이퍼(W)는, 재차 지지핀(132A∼132C)에 의해 연직 방향으로 들어올려져, 용기(402)의 반입출구(404)로부터 진입해 오는 반송 로봇(370)에 건네진다. 반송 로봇(370)은, 세정 처리 완료의 웨이퍼(W)를, 반송실(330)을 경유하여 원래의 카세트 용기(332A∼332C)로 되돌린다. 이 세정 처리 완료의 웨이퍼(W)로부터 부착물(P)이 낙하하는 일이 없어, 이 때문에 다른 웨이퍼(W)의 표면을 청정하게 유지할 수 있다.The wafer W on which the cleaning process has been completed is again lifted in the vertical direction by the support pins 132A to 132C, and is passed to the transfer robot 370 that enters from the inlet / outlet 404 of the container 402. The transfer robot 370 returns the wafer W of the cleaning process completed to the original cassette containers 332A to 332C via the transfer chamber 330. The deposit P does not fall from the wafer W of this cleaning process completion, and therefore the surface of the other wafer W can be kept clean.

그런데, 재치대(112)에 올려놓여져 있는 웨이퍼(W)의 중심과 재치대(112)의 회전 중심이 어긋난 상태인 채로 웨이퍼(W)를 회전시키면, 웨이퍼(W)는 편심한 상태로 회전하게 된다. 레이저광을 이용하여 웨이퍼(W)의 단부 이면에 부착물(P)을 제거하는 세정 처리실(400)의 경우, 웨이퍼(W)가 편심되어 있으면, 레이저광의 스폿 지름이 좁은 경우도 있어, 부착물(P)을 완전히 제거할 수 없을 가능성도 있다. 이 점, 세정 처리실(400)에 구비된 기판 인도 장치(130)에 의하면, 높은 정밀도(예를 들면, 수 ㎛ 이하의 정밀도)로 웨이퍼(W)의 위치 결정을 행할 수 있다. 따라서, 세정 처리를 정확히 행할 수 있다.However, when the wafer W is rotated while the center of the wafer W placed on the mounting table 112 and the rotation center of the mounting table 112 are shifted, the wafer W may rotate in an eccentric state. do. In the case of the cleaning processing chamber 400 in which the deposit P is removed from the end surface of the wafer W using the laser light, if the wafer W is eccentric, the spot diameter of the laser light may be narrow, and the deposit P ) May not be able to be removed completely. In this regard, according to the substrate delivery device 130 provided in the cleaning processing chamber 400, the wafer W can be positioned with high accuracy (for example, precision of several μm or less). Therefore, the washing process can be performed accurately.

또한, 기판 처리 장치(300)에 있어서, 카세트 용기(332A∼332C)로부터 취출된 웨이퍼(W)는, 프리얼라이먼트 처리실(336), 프로세스 처리실(340A∼340F) 등을 순회하여 소정의 처리가 시행된 후에, 세정 처리실(400)이나 측정 처리실 등의 후처리실로 반입된다. 이 때문에, 후처리실로 반입되는 웨이퍼(W)는, 복수의 처리실에 의해 반송아암에 의한 반출입이 반복되고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 위치 어긋 남이 커져 있을 개연성이 높다. 이 점, 본 실시 형태에 따른 기판 인도 장치(130)에 의하면, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남이 큰 경우여도, 종래와 같이 웨이퍼(W)를 취출하여 다시 넣거나, 또한 재치대에 다시 놓거나 하는 일 없이, 지지핀(132A∼132C)으로 웨이퍼(W)를 지지한 채 수평 방향으로 구동함으로써 그 위치 어긋남을 재빠르게 정확히 보정할 수 있다. 따라서, 이와 같은 후처리실에 기판 인도 장치(130)를 적용하는 효과는 크다.In the substrate processing apparatus 300, the wafer W taken out from the cassette containers 332A to 332C is circulated through the prealignment processing chamber 336, the process processing chambers 340A to 340F, and the predetermined processing is performed. After that, it is carried into post-processing chambers, such as the washing process chamber 400 and a measurement process chamber. For this reason, since the carrying in / out of the conveyance arm is repeated by the some process chamber in the wafer W carried in to a post-processing chamber, there exists a high possibility that the position shift of the wafer W becomes large. In this regard, according to the substrate delivery device 130 according to the present embodiment, even when the position shift of the wafer W is large, the wafer W is taken out and put back in the conventional manner or placed back on the mounting table. Without this, the position shift can be corrected quickly and accurately by driving in the horizontal direction while supporting the wafer W with the support pins 132A to 132C. Therefore, the effect of applying the board | substrate delivery apparatus 130 to such a post-processing chamber is large.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 매우 적합한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없다. 당업자이라면, 특허 청구의 범위에 기재된 범주 내에 있어서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명확하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.As mentioned above, although the preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to this example. Those skilled in the art will appreciate that various modifications or modifications can be made within the scope described in the claims, and they are naturally understood to belong to the technical scope of the present invention.

본 발명은, 기판 인도 장치, 기판 처리 장치, 기판 인도 방법에 적용 가능하다.The present invention is applicable to a substrate delivery device, a substrate processing device, and a substrate delivery method.

Claims (14)

기판을 반송하는 반송아암(arm)과 상기 기판을 올려놓는 재치대(裁置臺)와의 사이에서 기판의 인도를 행하는 기판 인도 장치로서, A board | substrate delivery apparatus which guides a board | substrate between the conveyance arm which conveys a board | substrate, and the mounting base which mounts the said board | substrate, 상기 재치대의 지지축 둘레로 떨어져 설치되어, 상기 기판을 그 하면에서 지지하는 복수의 지지핀과, A plurality of support pins spaced apart around a support shaft of the mounting table to support the substrate at its lower surface; 상기 지지핀이 부착되는 베이스대(基台)와, A base stand to which the support pin is attached; 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 상하 구동시켜, 상기 기판의 올리고 내림을 행하는 상하 구동 수단과, Vertical driving means for driving the support pin up and down through the base to raise and lower the substrate; 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 수평 구동시켜, 상기 기판의 수평 방향의 위치를 조정하는 수평 구동 수단Horizontal driving means for horizontally driving the support pin through the base to adjust the position of the substrate in the horizontal direction 을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 인도 장치.Substrate delivery device comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 재치대의 근방에, 상기 지지핀으로 지지한 상기 기판의 수평 방향의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 수단을 설치한 것을 특징으로 하는 기판 인도 장치. And a substrate position detecting means for detecting a position in the horizontal direction of the substrate supported by the support pin, in the vicinity of the mounting table. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기판은, 원판 형상의 반도체 웨이퍼이며,The substrate is a disk-shaped semiconductor wafer, 상기 기판 위치 검출 수단은, 상기 기판의 원주 둘레부의 적어도 2개소 이상 의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 인도 장치.The said board | substrate position detection means detects the position of at least 2 or more places of the circumference | surroundings of the said board | substrate, The board | substrate delivery apparatus characterized by the above-mentioned. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 상하 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 상승시켜 상기 반송아암으로부터 상기 기판을 수취하면, 상기 지지핀으로 상기 기판을 지지한 상태에서, 상기 기판 위치 검출 수단에 의해 상기 기판의 수평 방향의 위치를 검출하여, 상기 기판의 위치가 어긋나 있으면 상기 수평 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 수평 방향으로 구동시켜 상기 기판의 위치 어긋남을 보정한 후에, 상기 상하 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 하강시켜 상기 기판을 상기 재치대 위에 올려놓게 하는 인도 처리를 행하는 제어부를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 인도 장치.When the support pin is raised by the vertical drive means to receive the substrate from the carrier arm, the substrate position detection means detects the horizontal position of the substrate in the state where the substrate is supported by the support pin. If the position of the substrate is shifted, the support pin is driven in the horizontal direction by the horizontal driving means to correct the positional misalignment of the substrate, and then the support pin is lowered by the vertical driving means to lower the substrate. A board | substrate delivery apparatus provided with the control part which performs the delivery process which puts on a mounting base. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 반송아암으로부터 상기 기판을 수취할 때, 상기 지지핀을 상승시킨 상태에서, 상기 반송아암을 하강시켜 상기 기판을 수취하는 것을 특징으로 하는 기판 인도 장치.When receiving the substrate from the transfer arm, the substrate delivery device receives the substrate by lowering the carrier arm while the support pin is raised. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 지지핀을 상기 재치대의 지지축 둘레로 상기 재치대의 지름보다도 내측으로 떨어져 설치하고, 상기 재치대에 형성된 관통공을 통하여 상기 재치대의 기판 재치면으로부터 상기 각 지지핀의 선단(先端)이 출몰 가능하게 한 것을 특 징으로 하는 기판 인도 장치. The plurality of support pins are disposed apart from the diameter of the mounting table around the support shaft of the mounting table, and the tip of each supporting pin is formed from the substrate placing surface of the mounting table through a through hole formed in the mounting table. A board | substrate delivery apparatus characterized by making it possible to come and go. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 재치대는, 상기 지지축 둘레로 회전 자유롭게 구성되고,The mounting table is configured to rotate freely around the support shaft, 상기 재치대를 회전시킬 때에는, 상기 지지핀의 선단이 상기 재치대의 저면보다도 하측이 되도록 상기 지지핀을 하강시키는 것을 특징으로 하는 기판 인도 장치.And the support pin is lowered so that the tip of the support pin is lower than the bottom of the support table when the mounting table is rotated. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 지지핀을 상기 재치대의 지지축 둘레로 상기 재치대의 지름보다도 외측으로 떨어져 설치한 것을 특징으로 하는 기판 인도 장치. And the plurality of support pins are disposed outside the diameter of the mounting table around the support shaft of the mounting table. 처리실 내에 설치된 재치대 위에 기판을 올려놓고 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, A substrate processing apparatus for placing a substrate on a mounting table provided in a processing chamber and performing a predetermined process, 상기 처리실 내로 상기 기판을 반출입하는 반송아암과 상기 재치대와의 사이에서 기판의 인도를 행하는 기판 인도 장치를 상기 재치대 근방에 배치하고, A substrate delivery device for guiding the substrate between the carrier arm for carrying in and out of the substrate into the processing chamber and the placement table is disposed near the placement table, 상기 기판 인도 장치는, 상기 재치대의 지지축 둘레로 떨어져 설치되어, 상기 기판을 그 하면에서 지지하는 복수의 지지핀과, 상기 지지핀이 부착되는 베이스대와, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 상하 구동시켜, 상기 기판의 올리고 내림을 행하는 상하 구동 수단과, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 수평 구 동시켜, 상기 기판의 수평 방향의 위치를 조정하는 수평 구동 수단The board | substrate delivery apparatus is provided so that it may be spaced around the support shaft of the said mounting base, and the support pin which supports the said board | substrate from the lower surface, the base stand to which the said support pin is attached, and the said support pin through the said base stand Vertical drive means for vertically driving the substrate by raising and lowering and raising and lowering the substrate, and horizontally driving the support pin through the base to adjust the position in the horizontal direction of the substrate. 을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus comprising a. 기판에 소정의 처리를 행하는 복수의 처리실을 구비하여, 상기 기판을 반송아암에 의해 각 처리실을 차례로 반송하면서 기판에 연속하여 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, A substrate processing apparatus comprising a plurality of processing chambers for performing a predetermined processing on a substrate, and continuously processing the substrate while conveying the processing chambers sequentially by the transfer arm, 상기 처리실의 적어도 하나는, 다른 처리실에서 프로세스 처리를 행한 기판을 반송하여 후처리를 행하는 후처리실로 하고, At least one of the processing chambers is a post-processing chamber for carrying out post-processing by transporting a substrate subjected to process processing in another processing chamber, 상기 후처리실은, 그 내부에 설치된 재치대와 상기 반송아암과의 사이에서 기판의 인도를 행하는 기판 인도 장치를 구비하고, The post-processing chamber is provided with a substrate delivery device for guiding the substrate between the mounting table and the transfer arm provided therein, 상기 기판 인도 장치는, 상기 기판을 그 하면에서 지지하는 복수의 지지핀과, 상기 지지핀이 부착되는 베이스대와, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 상하 구동시켜, 상기 기판의 올리고 내림을 행하는 상하 구동 수단과, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 수평 구동시켜, 상기 기판의 수평 방향의 위치를 조정하는 수평 구동 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate delivery device includes a plurality of support pins for supporting the substrate on its lower surface, a base stage to which the support pins are attached, and the support pins to be driven up and down through the base stage to raise and lower the substrate. And a vertical drive means and a horizontal drive means for horizontally driving the support pin through the base to adjust a position in the horizontal direction of the substrate. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 후처리실은, 상기 기판의 원주 둘레부에 부착한 부착물을 제거하는 세정 처리실이며, The post-treatment chamber is a cleaning process chamber for removing deposits adhering to the circumference of the substrate, 상기 기판 인도 장치의 복수의 지지핀을, 상기 재치대의 지지축 둘레로 상기 재치대의 지름보다도 내측으로 떨어져 배치하여, 상기 재치대에 형성된 관통공을 통하여 상기 재치대의 기판 재치면으로부터 상기 지지핀의 선단이 출몰 가능하게 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The support pin of the said board | substrate guide apparatus is arrange | positioned apart from the diameter of the said mounting base about the support shaft of the said mounting base, and the front-end | tip of the said support pin from the board | substrate mounting surface of the mounting base through the through hole formed in the said mounting base. The substrate processing apparatus characterized in that this can be mounted. 기판을 반송하는 반송아암과 상기 기판을 올려놓는 재치대와의 사이에서 기판의 인도를 행하는 기판 인도 장치에 의한 인도 방법으로서, As a delivery method by a board | substrate delivery apparatus which guides a board | substrate between the conveyance arm which conveys a board | substrate, and the mounting table which mounts the said board | substrate, 상기 기판 인도 장치는, 상기 재치대의 지지축 주위에 떨어져 배치되어, 상기 기판을 그 하면에서 지지하는 복수의 지지핀과, 상기 지지핀이 부착되는 베이스대와, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 상하 구동시키는 상하 구동 수단과, 상기 지지핀을 상기 베이스대를 통하여 수평 구동시키는 수평 구동 수단과, 상기 기판의 수평 방향의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 수단을 구비하여, The substrate delivery device is disposed apart around a support shaft of the mounting table, the support pins supporting the substrate from the lower surface thereof, a base stand to which the support pins are attached, and the support pins through the base stand. A vertical drive means for driving up and down, horizontal drive means for horizontally driving the support pin through the base base, and a substrate position detection means for detecting a position in the horizontal direction of the substrate, 상기 상하 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 상승시켜, 상기 반송아암으로부터 상기 기판을 수취하는 공정과, Raising the support pin by the vertical drive means to receive the substrate from the carrier arm; 수취한 상기 기판을 상기 지지핀으로 지지한 채, 상기 기판 위치 검출 수단에 의해 기판의 위치를 검출하는 공정과,Detecting the position of the substrate by the substrate position detecting means while supporting the received substrate with the support pins; 상기 기판 위치 검출 수단에 의해 검출된 기판의 위치에 기초하여, 그 기판이 소정의 기준 위치로부터 위치가 어긋나 있는지 아닌지를 판단하는 공정과, Determining whether or not the substrate is shifted from a predetermined reference position based on the position of the substrate detected by the substrate position detecting means; 상기 판단 공정에 있어서 상기 기판이 위치가 어긋나 있지 않다고 판단한 경우는, 상기 상하 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 하강시켜 상기 재치대 위에 올려놓게 하는 공정과, If it is determined in the judgment step that the substrate is not misaligned, the step of lowering the support pin by the vertical drive means and placing it on the mounting table; 상기 판단 공정에 있어서 상기 기판의 위치가 어긋나 있다고 판단한 경우는, 상기 지지핀을 상기 수평 구동 수단에 의해 수평 방향으로 구동시켜 상기 기판의 위치 어긋남을 보정한 후에, 상기 상하 구동 수단에 의해 상기 지지핀을 하강시켜 상기 재치대 위에 올려놓게 하는 공정In the determination step, when it is determined that the position of the substrate is shifted, the support pin is driven in the horizontal direction by the horizontal driving means to correct the positional shift of the substrate, and then the support pin is moved by the vertical drive means. Lowering and placing on the mounting table 을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 인도 방법.Substrate delivery method characterized by having a. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 반송아암으로부터 상기 기판을 수취하는 공정에서는, 상기 지지핀을 상승시킨 상태에서, 상기 반송아암을 하강시켜 상기 기판을 수취하는 것을 특징으로 하는 기판 인도 방법.In the step of receiving the substrate from the carrier arm, the substrate delivery method receives the substrate by lowering the carrier arm while the support pin is raised. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 기판의 위치를 검출하는 공정은, 상기 기판 위치 검출 수단으로 기판을 검출할 수 없는 경우에는, 상기 지지핀을 수평 방향으로 구동시킴으로써, 상기 기판을 상기 기판 위치 검출 수단으로 검출할 수 있기까지 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 인도 방법.In the step of detecting the position of the substrate, when the substrate cannot be detected by the substrate position detecting means, the substrate is moved until the substrate can be detected by the substrate position detecting means by driving the support pin in a horizontal direction. Substrate delivery method characterized in that.
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