KR100940999B1 - Shift register for display device - Google Patents

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배병성
정남현
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호서대학교 산학협력단
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Abstract

PURPOSE: A shift register for display is provided to perform an individual operation without mutual interwork between registers by comprising a shift register of a decoder type using an amorphous silicon thin film transistor. CONSTITUTION: An input unit(111) outputs a high voltage switched according to a plurality of input signals from the outside. A first bootstrap(112) performs a bootstrapping function by charging the high voltage supplied from the input unit. A buffer(113) buffers a first input signal inputted by being opened or closed according to the charge voltage from the first bootstrap. A second bootstrap(114) performs the bootstrapping function by charging the high voltage supplied through the buffer. An output unit(115) outputs the high voltage supplied by being opened or closed according to the voltage charged in the second bootstrap. A reset circuit(116) discharges the voltage charged in the second bootstrap and pulls down the high voltage of an output terminal to the low potential according to a reset signal inputted from the outside.

Description

디스플레이용 시프트 레지스터{SHIFT REGISTER FOR DISPLAY DEVICE}Shift register for display {SHIFT REGISTER FOR DISPLAY DEVICE}

본 발명은 아모포스-실리콘 박막 트랜지스터(amorphous-silicon Thin Film Transistor)를 이용한 디코더 타입의 디스플레이용 시프트 레지스터에 관한 것이다.The present invention relates to a shift type for display of a decoder type using an amorphous-silicon thin film transistor.

시프트 레지스터는 디스플레이의 드라이버 회로로서 사용이 되며, LCD(Liquid Crystal Display)나 OLED(Organic Light Emitting Display) 기판에 집적이 되어 활용되고 있다. The shift register is used as a driver circuit of a display, and is utilized by being integrated in a liquid crystal display (LCD) or organic light emitting display (OLED) substrate.

예를 들면, 컴퓨터의 표시장치 및 텔레비전에 사용되고 있는 액티브 매트릭스형의 액정 표시장치에 있어서는, 영상 신호선(소스라인)과 주사 구동신호선(게이트라인)이 매트릭스 형상으로 설치되어 있고, 이들 배선의 교점에 각 화소의 액정을 구동하는 박막 트랜지스터 등의 스위칭소자가 설치되어 있다.For example, in an active matrix liquid crystal display device used for a computer display device and a television, a video signal line (source line) and a scan drive signal line (gate line) are provided in a matrix shape, and are provided at the intersections of these wirings. Switching elements, such as a thin film transistor, which drive the liquid crystal of each pixel are provided.

그리고 복수의 주사구동 신호선에, 이들 신호선을 차례로 주사하여 하나의 주사구동 신호선 상의 모든 스위칭소자를 일시적으로 도통상태(온상태)로 하는 주 사구동 신호가 주어지고, 영상 신호선에 대해서는 주사구동 신호에 동기하여 영상신호가 공급된다.Then, a plurality of scan drive signal lines are subjected to a main scan drive signal in which these signal lines are sequentially scanned to turn all switching elements on one scan drive signal line into a conducting state (on state) temporarily. Video signals are supplied in synchronization.

여기서 복수의 주사구동 신호선에 대하여 차례로 공급하는 동작을 행하는 것이 시프트 레지스터이다. The shift register performs an operation of sequentially supplying the plurality of scan drive signal lines.

이러한 시프트 레지스터는 사용 도중에 사용하는 트랜지스터의 특성변화가 생기고 이러한 특성변화에 기인하여 시프트 레지스터의 동작 열화가 일어나는 문제가 있다.Such a shift register has a problem that a change in characteristics of a transistor used during use occurs, and an operation deterioration of the shift register occurs due to such a change in characteristics.

도 1 및 도 2는 종래의 게이트 드라이버를 구성하는 시프트 레지스터를 나타낸 도면으로서, 특허공개 제2003-95854호에서 제시되고 있는 회로를 도시한 것이다.1 and 2 are diagrams illustrating a shift register constituting a conventional gate driver, and show a circuit proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-95854.

도 1을 참조하면, 게이트 드라이버는 복수의 스테이지(시프트 레지스터들; SR1, SR2, ...)들이 종속 연결된다.Referring to FIG. 1, a gate driver is cascaded with a plurality of stages (shift registers SR1, SR2,...).

즉, 각 스테이지의 출력단자(OUT)는 다음 스테이지의 입력단자(IN)와 연결된다. 예를 들어 게이트라인수가 192개인 경우 스테이지들은 게이트라인들에 대응하는 192개의 스테이지들(SR1~SR192)과 하나의 더미 스테이지(SR193)로 구성될 수 있다. That is, the output terminal OUT of each stage is connected to the input terminal IN of the next stage. For example, when the number of gate lines is 192, the stages may include 192 stages SR1 to SR192 and one dummy stage SR193 corresponding to the gate lines.

각 스테이지는 입력단자(IN)와 출력단자(OUT), 제어단자(CT), 클록입력단자(CKV, CKVB), 고전위단자(Von), 및 저전위단자(Voff)를 갖는다.Each stage has an input terminal IN, an output terminal OUT, a control terminal CT, clock input terminals CKV and CKVB, a high potential terminal Von, and a low potential terminal Voff.

첫 번째 스테이지(SR1)의 입력단자(IN)에는 개시신호인 STV(start voltage)가 입력된다. 여기서 개시신호(STV)는 수직 동기신호에 동기된 펄스신호이다.A start voltage STV, which is a start signal, is input to the input terminal IN of the first stage SR1. The start signal STV is a pulse signal synchronized with the vertical synchronizing signal.

각 스테이지의 출력신호인 Gout(1), Gout(2), Gout(3), Gout(4), ...는 각 게이트라인을 구동하기 위한 게이트라인 구동 신호로서, 대응되는 각 게이트라인에 연결된다. 홀수번째 스테이지들(SR1, SR3, ...)에는 제1 클록신호(CKV)가 제공되고, 짝수번째 스테이지들(SR2, SR4, ...)에는 제2 클록신호(CKVB)가 제공된다. 제1 클록신호(CKV)와 제2 클록신호(CKVB)는 서로 반대되는 위상을 가진다.The output signals of each stage, Gout (1), Gout (2), Gout (3), Gout (4), ... are gate line driving signals for driving the respective gate lines, and are connected to the corresponding gate lines. do. The odd clock stages SR1, SR3, ... are provided with the first clock signal CKV, and the even stages SR2, SR4, ... are provided with the second clock signal CKVB. The first clock signal CKV and the second clock signal CKVB have phases opposite to each other.

스테이지 SR1, SR2, SR3, ...의 각각의 제어단자(CT)에는 다음 스테이지 SR2, SR3, SR4,...의 출력신호인 Gout(2), Gout(3), Gout(4),...가 각각 제어신호로 입력된다. 즉, 제어단자(CT)에 입력되는 제어신호는 자신의 출력신호의 듀티 기간만큼 지연된 신호가 된다.Each control terminal CT of the stages SR1, SR2, SR3, ... has output signals Gout (2), Gout (3), Gout (4), which are output signals of the next stage SR2, SR3, SR4, ...; Are input as control signals respectively. That is, the control signal input to the control terminal CT becomes a signal delayed by the duty period of its output signal.

따라서 각 스테이지의 출력신호들이 순차적으로 액티브 구간(하이상태)을 가지고 발생되므로, 각 출력신호의 액티브 구간에서 대응되는 게이트라인(수평라인)이 선택되게 된다.Therefore, since output signals of each stage are sequentially generated with an active period (high state), corresponding gate lines (horizontal lines) are selected in the active period of each output signal.

도 2의 회로도를 참조하면, 각 스테이지(시프트 레지스터)는 풀업 트랜지스터(1, 3, 5), 풀다운 트랜지스터(7), 게이트출력구동부(9)를 포함한다.Referring to the circuit diagram of FIG. 2, each stage (shift register) includes pull-up transistors 1, 3, and 5, a pull-down transistor 7, and a gate output driver 9.

게이트출력구동부(9)에서 트랜지스터(NT2)는 드레인이 클록입력단자(CKV)에 연결되고 게이트가 제1 노드(N1)에 연결되며 소스는 출력단자(OUT)에 연결되는 풀업 NMOS 트랜지스터이다.In the gate output driver 9, the transistor NT2 is a pull-up NMOS transistor having a drain connected to the clock input terminal CKV, a gate connected to the first node N1, and a source connected to the output terminal OUT.

그리고 트랜지스터(NT3)는 드레인이 출력단자(OUT)에 연결되고 게이트가 제2 노드(N2)에 연결되며 소스는 저전위단자(Voff)가 연결된 풀다운 NMOS 트랜지스터이다.The transistor NT3 is a pull-down NMOS transistor having a drain connected to the output terminal OUT, a gate connected to the second node N2, and a source connected to the low potential terminal Voff.

상기 트랜지스터(NT2)는 커패시터(C1)와 NMOS 트랜지스터(NT1, NT4, NT7)에 의해 구동된다. The transistor NT2 is driven by the capacitor C1 and the NMOS transistors NT1, NT4, and NT7.

커패시터(C1)는 제1 노드(N1)와 출력단자(OUT)간에 연결된다. 트랜지스터(NT1)는 드레인이 고전위단자(Von)에 연결되고 게이트가 전단의 출력 신호인 Gout(N-1)을 입력받는 입력단자(IN)에 연결되며 소스는 제1 노드(N1)에 연결된다. 트랜지스터(NT4)는 드레인이 제1 노드(N1)에 연결되고 게이트가 다음단의 출력 신호인 Gout(N+1)을 입력받는 제어단자(CT)에 연결되며 소스는 저전위단자(Voff)에 연결된다. 트랜지스터(NT7)는 드레인이 제1 노드(N1)에 연결되고 게이트가 제2 노드(N2)에 연결되며 소스는 저전위단자(Voff)에 연결된다.The capacitor C1 is connected between the first node N1 and the output terminal OUT. The transistor NT1 is connected to an input terminal IN of which a drain is connected to the high potential terminal Von, and a gate thereof receives the output signal Gout (N-1) of the front end, and a source is connected to the first node N1. do. The transistor NT4 is connected to a control terminal CT having a drain connected to the first node N1 and a gate thereof receiving the next output signal Gout (N + 1), and a source connected to the low potential terminal Voff. Connected. The transistor NT7 has a drain connected to the first node N1, a gate connected to the second node N2, and a source connected to the low potential terminal Voff.

풀다운 트랜지스터(7)는 게이트출력구동부(9)의 풀다운 NMOS 트랜지스터(NT3)를 구동하며, 바람직하게는 두 개의 NMOS 트랜지스터들(NT5, NT6)로 구성된 인버터(inverter)의 기능을 가진다. 즉, 풀다운 트랜지스터(7)는 풀업 트랜지스터(NT2)가 턴온된 경우 풀다운 트랜지스터(NT3)가 턴오프되도록 제어하고, 풀업 트랜지스터(NT2)가 턴오프된 경우 풀다운 트랜지스터(NT3)가 턴온되도록 제어하는 인버터의 기능을 한다. 트랜지스터(NT5)는 드레인과 게이트가 고전위단자(Von)에 공통으로 결합되고 소스는 제2 노드(N2)에 연결된다. 트랜지스터(NT6)는 드레인이 제2 노드(N2)에 연결되고 게이트가 제1 노드(N1)에 연결되며 소스는 저전위단자(Voff)에 연결된다. The pull-down transistor 7 drives the pull-down NMOS transistor NT3 of the gate output driver 9, and preferably has the function of an inverter composed of two NMOS transistors NT5 and NT6. That is, the pull-down transistor 7 controls the pull-down transistor NT3 to be turned off when the pull-up transistor NT2 is turned on, and the pull-down transistor NT3 to control the pull-down transistor NT3 to be turned on when the pull-up transistor NT2 is turned off. Function of. In the transistor NT5, a drain and a gate are commonly coupled to the high potential terminal Von, and a source thereof is connected to the second node N2. The transistor NT6 has a drain connected to the second node N2, a gate connected to the first node N1, and a source connected to the low potential terminal Voff.

이와 같이 구성된 다단의 시프트 레지스터들은 클록신호(CKV, CKVB)와 개시신호(STV)에 의해 순차적인 출력을 내도록 되어 있으나, 이러한 경우는 첫 단부터 순차적으로 출력이 진행될 수밖에 없어 임의의 위치에서 출력을 내거나 순서를 바꾸어서 출력을 내거나 하는 것이 불가능하다. The multi-stage shift registers configured as described above are outputted sequentially by the clock signals CKV and CKVB and the start signal STV. It is not possible to produce output by outputting or reordering.

또한, 다단의 시프트 레지스터들은 상호 간에 연관관계가 있어서 어느 하나의 시프트 레지스터에 문제가 발생하게 되면 전체적으로 심각한 문제를 일으키는 문제점이 있었다.In addition, the multi-stage shift registers are related to each other, so that if a problem occurs in any one of the shift registers, there is a problem that causes a serious problem as a whole.

본 발명의 목적은 아모포스-실리콘 박막 트랜지스터(amorphous-silicon Thin Film Transistor)를 이용하여 디코더 타입의 시프트 레지스터를 구성함으로써, 레지스터들 간에 상호 연동없이 개별 동작이 가능하도록 한 디스플레이용 시프트 레지스터를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a shift register for a display in which a decoder-type shift register is formed by using an amorphous-silicon thin film transistor, thereby enabling individual operations without interworking between the registers. There is.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술적 수단은, 외부로부터 입력된 복수의 입력신호에 따라 각각 스위칭되어 공급된 고전압을 출력하는 입력부; 상기 입력부를 통해 공급된 고전압을 충전하여 부트스트래핑(bootstrapping) 기능을 제공하는 제1 부트스트랩; 상기 제1 부트스트랩으로부터 공급된 충전전압에 따라 개폐되어 입력된 제1 입력신호를 버퍼링하여 출력하는 버퍼부; 상기 버퍼부를 통해 공급된 고전압을 충전하여 부트스트래핑 기능을 제공하는 제2 부트스트랩; 상기 제2 부트스트랩에 충전된 전압에 따라 개폐되어 공급된 고전압을 출력단으로 출력하는 출력부; 및 외부로부터 입력된 리셋신호에 따라 상기 제2 부트스트랩에 충전된 전압을 방전시키거나 출력단의 고전압을 저전위로 풀다운시키는 리셋회로부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Technical means of the present invention for achieving the above object, the input unit for outputting a high voltage is switched and supplied in accordance with a plurality of input signals input from the outside; A first bootstrap that charges the high voltage supplied through the input unit and provides a bootstrapping function; A buffer unit for buffering and outputting the first input signal which is opened and closed according to the charging voltage supplied from the first bootstrap; A second bootstrap for charging the high voltage supplied through the buffer unit to provide a bootstrapping function; An output unit configured to output a high voltage, which is opened and closed according to the voltage charged in the second bootstrap, to an output terminal; And a reset circuit unit for discharging the voltage charged in the second bootstrap or pulling down the high voltage of the output terminal to a low potential according to a reset signal input from the outside.

구체적으로, 상기 입력부는, 복수의 입력신호에 따라 선택적으로 동작하는 디코더 방식인 것을 특징으로 한다.In detail, the input unit may be a decoder method that selectively operates according to a plurality of input signals.

상기 입력부는, 고전위와 제1 노드 사이에 전류통로가 직렬로 연결되되 각기 다른 입력신호를 제공받아 스위칭되는 복수의 트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 한다.The input unit may include a plurality of transistors in which current paths are connected in series between the high potential and the first node, and are switched by receiving different input signals.

상기 입력부는 고전위와 제2 트랜지스터의 드레인 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제1 입력신호에 따라 개폐되어 공급된 고전압을 출력하는 제1 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터의 소스와 제3 트랜지스터의 드레인 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제2 입력신호에 따라 개폐되어 공급된 고전압을 출력하는 제2 트랜지스터; 및 상기 제2 트랜지스터의 소스와 가상(virtual) 고전위인 제1 노드 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제3 입력신호에 따라 개폐되어 공급된 고전압을 출력하는 제3 트랜지스터;로 이루어진 것을 특징으로 한다.The input unit includes: a first transistor connected to a current path between a high potential and a drain of the second transistor to output a high voltage that is opened and closed according to a first input signal input from the outside; A second transistor connected with a current path between a source of the first transistor and a drain of the third transistor to output a high voltage that is opened and closed according to a second input signal input from the outside; And a third transistor connected between a source of the second transistor and a first node having a virtual high potential, and outputting a high voltage that is opened and closed according to a third input signal input from the outside. It is done.

상기 제1 부트스트랩은 가상 고전위인 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되어 공급된 고전압을 충전하는 커패시터로 구성된 것을 특징으로 한다.The first bootstrap is composed of a capacitor that charges the high voltage supplied between the first node and the second node of the virtual high potential.

상기 버퍼부는, 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 제2 노드 사이에 전류통로 가 연결되어 제1 커패시터의 충전전압을 포함한 제1 노드에 공급된 고전압에 따라 개폐되어 입력된 제1 입력신호를 출력하는 제4 트랜지스터; 및 상기 제2 노드와 가상 저전위인 제3 노드 사이에 전류통로가 연결되어 제2 노드에 공급된 신호에 따라 개폐되어 제4 트랜지스터를 통해 공급된 제1 입력신호를 출력하는 제5 트랜지스터;로 이루어진 것을 특징으로 한다.The buffer unit may include a current path connected between a gate of the first transistor and a second node to output a first input signal that is opened and closed according to a high voltage supplied to a first node including a charging voltage of a first capacitor. 4 transistors; And a fifth transistor connected between the second node and the third node, which is a virtual low potential, to open and close according to a signal supplied to the second node, and output a first input signal supplied through a fourth transistor. It is characterized by.

상기 출력부로 공급되는 고전압은 입력부로 입력되는 제1 입력신호의 다음 주기에 해당하는 펄스신호인 것을 특징으로 한다.The high voltage supplied to the output unit may be a pulse signal corresponding to a next period of the first input signal input to the input unit.

상기 시프트 레지스터는 외부로부터 입력된 복수의 입력신호에 따라 스위칭되어 버퍼부를 통해 출력된 누설전류를 저전압으로 풀다운시키는 누설전류방지부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The shift register may further include a leakage current prevention unit configured to switch according to a plurality of input signals input from the outside to pull down the leakage current output through the buffer unit to a low voltage.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 아모포스-실리콘 박막 트랜지스터를 이용하여 디코더 타입의 시프트 레지스터를 구성함으로써, 레지스터들 간에 상호 연동이 필요없어 개별 동작이 가능함으로서, 전체 화면 중 원하는 부분 화면만 선택적으로 켤 수 있음과 아울러 PIP 화면 구현이 용이한 이점이 있다.As described above, the present invention configures a decoder-type shift register using an amorphous-silicon thin film transistor, so that individual operations can be performed without requiring mutual interworking between registers, thereby selectively turning on only a desired part of the entire screen. In addition, the PIP screen can be easily implemented.

또한, 시프트 레지스터들 간에 상호 연동이 없어 어느 하나의 시프트 레지스터에 에러가 발생하여도 전체적인 동작에는 전혀 문제가 없어 구동동작의 신뢰성을 확보할 수 있는 이점이 있다.In addition, even if an error occurs in any one of the shift registers because there is no mutual interaction between the shift registers, there is no problem in the overall operation, thereby ensuring the reliability of the driving operation.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명이 적용된 액정 디스플레이의 구성을 나타낸 개념도로서, 액정픽셀 어레이와, 외부로부터 입력된 신호를 각 게이트라인에 순차적 또는 비순차적으로 분배하여 공급하기 위한 게이트 드라이버와, 입력된 디지털 비디오신호를 아날로그 비디오신호(픽셀 전압)로 변환하여 소스라인들에 공급하기 위한 소스 드라이버, 및 상기 게이트 드라이버와 소스 드라이버를 제어함과 아울러 디지털 비디오신호를 클록신호에 맞춰 소스 드라이버에 공급하는 타이밍 컨트롤러를 포함하여 이루어져 있다.3 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a liquid crystal display to which the present invention is applied, a liquid crystal pixel array, a gate driver for distributing and sequentially supplying signals input from the outside to each gate line, and an input digital video signal. Source driver for converting the signal into an analog video signal (pixel voltage) and supplying it to the source lines, and a timing controller for controlling the gate driver and the source driver and supplying the digital video signal to the source driver in accordance with a clock signal. It consists of

그리고 상기 액정픽셀 어레이는 게이트라인 및 소스라인이 매트릭스 형태로 다수개 설치되어 있고, 상기 게이트라인 및 소스라인의 교차부에 액정으로 공급되는 전압을 제어하는 스위칭소자(TFT)와, 상기 스위칭소자를 통해 공급되는 전압에 따라 액정 배열이 조절되는 액정소자가 배치된 액티브 매트릭스회로로 이루어져 있다.The liquid crystal pixel array includes a plurality of gate lines and source lines in a matrix form, and includes a switching element (TFT) for controlling a voltage supplied to the liquid crystal at an intersection of the gate line and the source line, and the switching element. It consists of an active matrix circuit in which a liquid crystal element whose liquid crystal array is adjusted in accordance with the voltage supplied through it is arranged.

게이트 드라이버(시프트 레지스터)가 게이트라인(주사선)을 시계열로 소정의 전압을 공급시켜 온상태로 하고, 소스 드라이버가 이 타이밍에 동기되어 소스라인에 소정의 전압을 공급함으로써, 액정의 광학상태를 변경시켜 액정 표시장치를 구동하게 된다.The gate driver (shift register) turns on the gate line (scan line) by supplying a predetermined voltage in time series, and the source driver changes the optical state of the liquid crystal by supplying the predetermined voltage to the source line in synchronization with this timing. To drive the liquid crystal display.

이때 게이트라인에 전압을 공급하는 게이트 드라이버를 고속으로 동작시키 고, 또한 충분한 전류량을 게이트라인에 공급시키는 것이 필요하게 된다.At this time, it is necessary to operate the gate driver for supplying the voltage to the gate line at high speed and to supply a sufficient amount of current to the gate line.

여기서 게이트 드라이버는 도 4에 나타내는 바와 같이 다단의 시프트 레지스터를 포함하여 구성되어 있다. As shown in Fig. 4, the gate driver includes a multi-stage shift register.

도 3에서는 LCD 패널에 대해서 도시하였지만, 본 발명에 의한 시프트 레지스터는 LCD(Liquid Crystal Display) 방식뿐만 아니라 OLED(Organic Light Emitting Display) 등의 디스플레이에도 적용이 가능함은 당연하다.Although FIG. 3 illustrates the LCD panel, the shift register according to the present invention can be applied not only to a liquid crystal display (LCD) type but also to a display such as an organic light emitting display (OLED).

아울러, 상기 시프트 레지스터는 액정패널의 기판상에 직접 실장될 수 있으며, 상기 시프트 레지스터 등을 구성하는 박막 트랜지스터(TFT)는 아모포스-실리콘 타입이다.In addition, the shift register may be directly mounted on a substrate of the liquid crystal panel, and the thin film transistor (TFT) constituting the shift register may be of an amorphous-silicon type.

현재, 모든 TFT LCD 공정은 아모포스-실리콘 타입으로 되어있기 때문에 투자비 및 공정에 들어가는 추가 비용이 없어 패널 업체에서는 아모포스-실리콘 방식을 선호하고 있다.At present, since all TFT LCD processes are of the amorphous-silicon type, panel makers prefer the amorphous-silicon method because there is no investment cost and no additional cost for the process.

아모포스-실리콘 타입은 공정이 간단하고 공정 조건이 잘 잡혀져 있어 TFT 제작 단가가 폴리-실리콘 방식에 비하여 상당히 낮다. TFT-LCD는 아모포스-실리콘으로 만들기 때문에 게이트 드라이버 등의 회로들도 동일한 아모포스-실리콘 타입으로 만들어야 공정 및 단가를 줄일 수 있다.The amorphous-silicon type has a simple process and well-processed conditions, and the TFT manufacturing cost is considerably lower than that of the poly-silicon method. TFT-LCDs are made of amorphous silicon, so circuits such as gate drivers must be made of the same amorphous silicon type to reduce process and cost.

도 4는 본 발명에 의한 게이트 드라이버의 다단의 시프트 레지스터들을 나타낸 도면으로서, 복수의 신호라인(I1∼I7)과 다단의 시프트 레지스터(SR1∼SRn)로 이루어져 있다.4 is a diagram illustrating multiple stage shift registers of a gate driver according to the present invention, and includes a plurality of signal lines I1 to I7 and multiple stage shift registers SR1 to SRn.

상기 복수의 신호라인(I1∼I7)으로 공급되는 신호는 도 3의 타이밍 컨트롤러 로부터 전달된 신호이며, 신호라인을 통해 입력되는 신호에 따라 특정 시프트 레지스터가 선택되어 동작되는 디코더 타입의 구성이다. 즉, 시프트 레지스터들(SR1∼SRn)은 서로간에 종속되지 않고 독립적으로 동작되는 구조이다. The signals supplied to the plurality of signal lines I1 to I7 are signals transmitted from the timing controller of FIG. 3, and are configured of a decoder type in which a specific shift register is selected and operated according to a signal input through the signal line. That is, the shift registers SR1 to SRn are structures that operate independently without being dependent on each other.

예컨대, 도 1의 다단의 시프트 레지스터는 캐스케이드 접속되어 차례로 각 시프트 레지스터가 게이트라인에 구동펄스로서 전압을 공급하고, 액정소자의 박막 트랜지스터(T)의 게이트에 소정의 전압을 공급하는 게이트 드라이버로서의 기능을 하고 있다. For example, the multi-stage shift register of FIG. 1 is cascade-connected so that each shift register in turn supplies a voltage as a driving pulse to the gate line, and supplies a predetermined voltage to the gate of the thin film transistor T of the liquid crystal element. Doing

이와 같이 구성된 시프트 레지스터의 회로는 클록신호(CKV, CKVB)와 개시신호(STV)에 의해 순차적인 출력을 내도록 되어 있으나, 이러한 경우는 첫 단부터 순차적으로 출력이 진행될 수밖에 없어 임의의 위치에서 출력을 내거나 순서를 바꾸어서 출력을 내거나 하는 것이 불가능하다. The shift register circuit is configured to output sequentially by the clock signals CKV and CKVB and the start signal STV. However, in this case, the output can be sequentially processed from the first stage. It is not possible to produce output by outputting or reordering.

하지만, 본 발명의 경우 도 4에서 보듯이 각 시프트 레지스터들(SR1∼SRn)은 이웃하는 시프트 레지스터와 연관 관계없이 독립적으로 설치되어 있으므로, 복수의 입력신호(I1∼I7)를 통해 특정 시프트 레지스터를 선택할 수 있으며, 선택된 시프트 레지스터만 게이트라인을 구동하도록 하는 것이 가능하다. 즉, 디스플레이 패널에서 전체 화면을 모두 온시키는 것이 아니라 필요한 일부 화면만 온시키는 것이 가능하며, 또한 PIP(Picture in Picture) 구현과 그 제어도 용이하게 된다.However, in the case of the present invention, as shown in FIG. 4, each of the shift registers SR1 to SRn is independently provided regardless of the neighboring shift registers. It is possible to select, and to allow only the selected shift register to drive the gate line. That is, it is possible to turn on only a part of the necessary screens instead of turning on the entire screen in the display panel, and also facilitates the implementation of the PIP (Picture in Picture) and its control.

또한, 도 1과 같은 기존의 시프트 레지스터들은 상호간에 연관관계가 있어 어느 하나의 시프트 레지스터에 문제가 발생하게 되면 연속적으로 다음 레지스터들에게도 문제가 발생하게 되어 심각한 오류를 야기하게 된다. 하지만, 본 발명에 의 한 시프트 레지스터들(SR1∼SRn)은 서로 별개로 동작함에 따라 특정 시프트 레지스터에 문제가 발생되어도 전체적으로는 별이상없이 동작하게 된다.In addition, the existing shift registers as shown in FIG. 1 are related to each other, and when a problem occurs in any one of the shift registers, a problem occurs in the subsequent registers in succession, causing a serious error. However, since the shift registers SR1 to SRn according to the present invention operate independently of each other, even if a problem occurs in a specific shift register, the shift registers SR1 to SRn operate without any problem.

도 4의 실시예에서는 신호라인이 7개로 구성되어 있는데, 이는 제1 입력신호(IN1)가 공급되는 3개 라인(I1, I2, I3)과, 제2 입력신호(IN2)가 공급되는 2개 라인(I4, I5), 및 제3 입력신호(IN3)가 공급되는 2개 라인(I6, I7)으로 구성되어 있다. 즉, 다단의 시프트 레지스터들(SR1∼SRn)은 적어도 어느 하나의 입력 신호라인이 다른 시프트 레지스터와는 다르게 구성되어 있다.In the embodiment of FIG. 4, there are seven signal lines, that is, three lines I1, I2 and I3 to which the first input signal IN1 is supplied, and two to which the second input signal IN2 is supplied. It consists of the lines I4 and I5 and the two lines I6 and I7 to which the third input signal IN3 is supplied. That is, the multi-stage shift registers SR1 to SRn have at least one input signal line configured differently from other shift registers.

이 경우 3*2*2에 의해 12개의 시프트 레지스터를 구성할 수 있다. 이는 실시예에 불과하며, 제1 내지 제3 입력신호(IN1∼IN3)가 공급되는 신호라인을 증가시키면 더 많은 시프트 레지스터를 구성할 수 있음은 당연하다. 만약 QVGA픽셀을 구동해야 하는 경우 8*8*5=320개가 되므로 총 21개의 라인으로 320개의 게이트 라인을 구동할 수 있다.In this case, 12 shift registers can be configured by 3 * 2 * 2. This is only an embodiment, and it is natural that more shift registers can be configured by increasing the signal lines to which the first to third input signals IN1 to IN3 are supplied. If you need to drive a QVGA pixel, 8 * 8 * 5 = 320, so you can drive 320 gate lines with a total of 21 lines.

이와 같이 각 신호라인으로 공급되는 신호의 파형을 보면 도 5와 같다.As such, the waveform of the signal supplied to each signal line is shown in FIG. 5.

도 5와 같이 제1 입력신호(IN1)에 해당하는 펄스 I1, I2, I3과, 제2 입력신호(IN2)에 해당하는 펄스 I4, I5와, 제3 입력신호(IN3)에 해당하는 펄스 I6, I7로 이루어져 있다. As shown in FIG. 5, pulses I1, I2, and I3 corresponding to the first input signal IN1, pulses I4 and I5 corresponding to the second input signal IN2, and pulse I6 corresponding to the third input signal IN3. It consists of I7.

상기 복수의 제1 입력신호들(I1, I2, I3)은 입력 파형이 주기적으로 움직이고, 복수의 제2 입력신호들(I4, I5)도 주기적으로 움직이며, 복수의 제3 입력신호들(I6, I7)도 주기적으로 움직인다. 상기에서 제2 입력신호(I4 또는 I5)의 펄스폭은 제1 입력신호들(I1, I2, I3)의 펄스폭을 모두 합한 것과 동일하며, 제3 입력신 호(I6 또는 I7)의 펄스폭은 제2 입력신호들(I4, I5)의 펄스폭을 모두 합한 것과 동일하게 설정된다.Input waveforms of the plurality of first input signals I1, I2, and I3 periodically move, a plurality of second input signals I4 and I5 also periodically move, and a plurality of third input signals I6. , I7) also moves periodically. The pulse width of the second input signal I4 or I5 is equal to the sum of the pulse widths of the first input signals I1, I2, and I3, and the pulse width of the third input signal I6 or I7. Is set equal to the sum of the pulse widths of the second input signals I4 and I5.

이와 같이 입력 펄스의 개수에 따라 시프트 레지스터의 개수가 정해지게 된다.In this way, the number of shift registers is determined according to the number of input pulses.

도 6은 본 발명의 실시예에 의한 시프트 레지스터의 단위 구성을 나타낸 회로도로서, 시프트 레지스터(110)는 입력부(111)와 제1 부트스트랩(112), 버퍼부(113), 제2 부트스트랩(114), 출력부(115), 리셋회로부(116) 및 누설전류방지부(117)를 포함하여 이루어져 있다. 6 is a circuit diagram illustrating a unit configuration of a shift register according to an exemplary embodiment of the present invention. The shift register 110 includes an input unit 111, a first bootstrap 112, a buffer unit 113, and a second bootstrap ( 114, an output unit 115, a reset circuit unit 116 and a leakage current prevention unit 117.

상기 입력부(111)는 외부로부터 입력된 복수의 입력신호에 따라 각각 스위칭되어 공급된 고전압을 출력하는 상호 직렬 연결된 복수의 트랜지스터(T1∼T3)로 이루어져 있다.The input unit 111 includes a plurality of transistors T1 to T3 connected in series to output high voltages that are switched and supplied according to a plurality of input signals input from the outside.

예컨대, 입력부(111)는 제1, 제2 및 제3 트랜지스터 (T1∼T3)로 구성되어 있는데, 입력부(111)에 입력되는 입력라인의 수에 따라 시프트 레지스터의 개수가 증감될 수 있다. 즉, 시프트 레지스터의 개수가 증가되면 입력부(111)에 입력되는 입력전원의 수도 늘어난다. 아울러, 상기 입력부(111)는 복수의 입력신호에 따라 선택적으로 동작하는 디코더 타입으로, 예컨대 타이밍 컨트롤러로부터 입력되는 복수의 입력신호에 따라 선택적으로 동작되게 된다.For example, the input unit 111 includes first, second and third transistors T1 to T3, and the number of shift registers may be increased or decreased according to the number of input lines input to the input unit 111. That is, as the number of shift registers increases, the number of input power sources input to the input unit 111 increases. In addition, the input unit 111 is a decoder type that selectively operates according to a plurality of input signals. For example, the input unit 111 may be selectively operated according to a plurality of input signals input from a timing controller.

상기 제1 트랜지스터(T1)는 고전위(Vdd)와 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제1 입력신호(IN1)에 따라 개폐되어 공급된 고전압(Vdd)을 출력하도록 구성되어 있고, 제2 트랜지스터(T2)는 제1 트랜 지스터(T1)의 소스와 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제2 입력신호(IN2)에 따라 개폐되어 공급된 고전압(Vdd)을 출력하도록 구성되어 있으며, 제3 트랜지스터(T3)는 제2 트랜지스터(T2)의 소스와 가상(virtual) 고전위인 제1 노드(Nd1) 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제3 입력신호(IN3)에 따라 개폐되어 공급된 고전압(Vdd)을 출력하도록 구성되어 있다.The high voltage Vdd of the first transistor T1 is connected to a current path between the high potential Vdd and the drain of the second transistor T2, and is opened and closed according to the first input signal IN1 input from the outside. The second transistor T2 is configured to output a current, and a current path is connected between the source of the first transistor T1 and the drain of the third transistor T3 to input the second input signal IN2 input from the outside. Is configured to output a high voltage Vdd that is opened and closed according to the current, and the third transistor T3 has a current path between the source of the second transistor T2 and the first node Nd1 having a virtual high potential. The high voltage Vdd connected to the third input signal IN3 input from the outside and supplied is output.

제1 부트스트랩(112)은 상기 입력부(111)를 통해 공급된 고전압을 충전하여 입력된 신호를 보다 신속하고 안정되게 출력하는 부트스트래핑(bootstrapping) 기능의 제1 커패시터(C1)로 이루어져 있다. 상기 제1 커패시터(C1)는 가상 고전위인 제1 노드(Nd1)와 제2 노드(Nd2) 사이에 연결되어 공급된 고전압(Vdd)을 충전하게 된다.The first bootstrap 112 is configured of a first capacitor C1 having a bootstrapping function to more quickly and stably output an input signal by charging a high voltage supplied through the input unit 111. The first capacitor C1 is connected between the first node Nd1 and the second node Nd2 which are virtual high potentials to charge the supplied high voltage Vdd.

버퍼부(113)는 상기 제1 부트스트랩(112)으로부터 공급된 충전전압에 따라 개폐되어 입력된 제1 입력신호(IN1)를 버퍼링하여 출력하는 제4 및 제5 트랜지스터(T4, T5)로 이루어져 있다. 즉, 제4 트랜지스터(T4)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트와 제2 노드(Nd2) 사이에 전류통로가 연결되어 제1 커패시터(C1)의 충전전압을 포함한 제1 노드(Nd1)에 공급된 고전압에 따라 개폐되어 입력된 제1 입력신호(IN1)를 출력하도록 구성되어 있고, 제5 트랜지스터(T5)는 제2 노드(Nd2)와 가상 저전위인 제3 노드(Nd3) 사이에 전류통로가 연결되어 제2 노드(Nd2)에 공급된 신호에 따라 개폐되어 제4 트랜지스터(T4)를 통해 공급된 제1 입력신호(IN1)를 출력하는 드레인과 게이트가 상호 연결된 트랜지스터이다.The buffer unit 113 includes fourth and fifth transistors T4 and T5 that buffer and output the first input signal IN1 that is opened and closed according to the charging voltage supplied from the first bootstrap 112. have. That is, the fourth transistor T4 is connected to a current path between the gate of the first transistor T1 and the second node Nd2 and supplied to the first node Nd1 including the charging voltage of the first capacitor C1. The first input signal IN1 that is opened and closed according to the high voltage is output, and the fifth transistor T5 has a current path between the second node Nd2 and the third node Nd3 which is a virtual low potential. A drain and a gate which are connected to each other and are opened and closed according to a signal supplied to the second node Nd2 to output the first input signal IN1 supplied through the fourth transistor T4 are connected to each other.

제2 부트스트랩(114)은 상기 버퍼부(113)를 통해 공급된 고전압을 충전하여 입력된 신호를 보다 신속하고 안정되게 출력하는 부트스트래핑(bootstrapping) 기능의 제2 커패시터(C2)로 이루어져 있다. 상기 제2 커패시터(C2)는 제3 노드(Nd3)와 출력단(Output) 사이에 연결되어 공급된 고전압의 제1 입력신호(IN1)를 충전하게 된다.The second bootstrap 114 includes a second capacitor C2 having a bootstrapping function to more quickly and stably output an input signal by charging the high voltage supplied through the buffer unit 113. The second capacitor C2 is connected between the third node Nd3 and the output terminal to charge the first input signal IN1 of the high voltage supplied.

출력부(115)는 상기 제2 부트스트랩(114)에 충전된 전압에 따라 개폐되어 외부로부터 공급된 고전압의 펄스(V_in)를 출력단(Output)으로 출력하는 제6 트랜지스터(T6)로 이루어져 있다. 상기 제6 트랜지스터(T6)는 제2 입력신호(IN2)와 출력단 사이에 전류통로가 연결되어 제2 커패시터(C2)의 충전전압을 포함한 제3 노드(Nd3)에 공급된 고전압에 따라 개폐되어 외부로부터 공급된 고전압의 펄스신호(V_in)를 출력하도록 구성되어 있다.The output unit 115 includes a sixth transistor T6 that opens and closes according to the voltage charged in the second bootstrap 114 and outputs a high voltage pulse V_in supplied to the output terminal to the output terminal. The sixth transistor T6 is connected to a current path between the second input signal IN2 and the output terminal, and is opened and closed according to the high voltage supplied to the third node Nd3 including the charging voltage of the second capacitor C2. It is configured to output the high voltage pulse signal V_in supplied from the circuit.

리셋회로부(116)는 외부로부터 입력된 리셋신호(Reset)에 따라 상기 제2 부트스트랩(114)에 충전된 전압을 방전시키거나 출력단의 고전압을 풀다운시키는 제7 및 제8 트랜지스터(T7, T8)로 이루어져 있다. 즉, 제7 트랜지스터(T7)는 제3 노드(Nd3)와 저전위(Vss) 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 리셋신호에 따라 개폐되어 제2 부트스트랩(114)에 충전된 전압을 방전시키도록 구성되어 있고, 제8 트랜지스터(T8)는 출력단과 저전위 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 리셋신호에 따라 개폐되어 출력단의 전압을 저전압으로 풀다운시키도록 구성되어 있다.The reset circuit unit 116 discharges the voltage charged in the second bootstrap 114 or pulls down the high voltage of the output terminal according to a reset signal Reset input from the outside. Consists of That is, the seventh transistor T7 connects a current path between the third node Nd3 and the low potential Vss, opens and closes according to a reset signal input from the outside, and receives the voltage charged in the second bootstrap 114. The eighth transistor T8 is configured to discharge a current path between the output terminal and the low potential, open and close according to a reset signal input from the outside, and pull down the voltage at the output terminal to a low voltage.

누설전류방지부(117)는 외부로부터 입력된 복수의 입력신호에 따라 각각 스 위칭되어 버퍼부(113)를 통해 출력된 제1 입력신호(IN1)를 저전위(Vss)로 풀다운시키는 복수의 트랜지스터(T9, T10, T11)로 이루어져 있다.The leakage current preventing unit 117 is switched in accordance with a plurality of input signals input from the outside, and pulls down the first input signal IN1 output through the buffer unit 113 to the low potential Vss. (T9, T10, T11).

예컨대, 누설전류방지부(117)는 제9, 제10 및 제11 트랜지스터(T9∼T11)로 구성되어 있는데, 상기 제9 트랜지스터(T9)는 제1 입력신호단(IN1)과 제4 노드(Nd4) 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제1 입력신호(IN1)에 따라 개폐되어 입력된 제1 입력신호(IN1)를 출력하도록 구성되어 있고, 제10 트랜지스터(T10)는 제3 노드(Nd3)와 저전위(Vss) 사이에 전류통로가 연결되어 제4 노드(Nd4)에 공급되는 신호에 따라 개폐되어 누설된 제3 노드(Nd3)의 신호를 저전위로 풀다운시키도록 구성되어 있으며, 제11 트랜지스터(T11)는 제4 노드(Nd4)와 저전위(Vss) 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제2 입력신호(IN2)에 따라 개폐되어 버퍼부(113)를 통해 출력된 제1 입력신호(IN1)를 저전위(Vss)로 풀다운시키도록 구성되어 있다.For example, the leakage current preventing unit 117 is composed of ninth, tenth, and eleventh transistors T9 to T11, and the ninth transistor T9 includes a first input signal terminal IN1 and a fourth node ( A current path is connected between Nd4 and configured to output a first input signal IN1 that is opened and closed according to a first input signal IN1 input from the outside, and the tenth transistor T10 is a third node. The current path is connected between the Nd3 and the low potential Vss, and is configured to pull down the signal of the leaked third node Nd3 to the low potential by opening and closing according to the signal supplied to the fourth node Nd4. The eleventh transistor T11 is connected to a current path between the fourth node Nd4 and the low potential Vss, opened and closed according to the second input signal IN2 input from the outside, and is output through the buffer unit 113. The first input signal IN1 is configured to pull down to the low potential Vss.

상기에서 제1 내지 제11 트랜지스터들(T1∼T11)은 아모포스-실리콘 박막 트랜지스터로서 문턱전압이 대략 3V 정도로 상당히 높다. 그리고, 아모포스-실리콘 박막 트랜지스터는 전위에 따라 어느 쪽으로도 전류가 흐르는 양방향의 특성을 갖고 있으므로 드레인과 소스에 대한 명칭은 설명의 편의상 명명한 것으로 별의미가 없다.The first to eleventh transistors T1 to T11 are amorphous-silicon thin film transistors and have a threshold voltage of about 3V. In addition, since the amorphous-silicon thin film transistor has a bidirectional characteristic in which current flows in either direction depending on the potential, the names of the drain and the source are named for convenience of description and are not significant.

이와 같이 구성된 시프트 레지스터의 전반적인 동작을 살펴보면 아래와 같다.The overall operation of the shift register configured as described above is as follows.

제1 내지 제3 트랜지스터(T1∼T3)에서 제1 입력신호(IN1)와 제2 입력신 호(IN2) 및 제3 입력신호(IN3)가 모두 고전압의 클록신호가 입력되면, 제1 내지 제3 트랜지스터(T1∼T3)가 모두 턴온되어 외부로부터 공급된 대략 25V 이상의 고전압이 제1 커패시터(C1)에 충전되면서 제4 트랜지스터(T4)를 턴온시킨다. 여기서, 제4 트랜지스터(T4)는 제1 커패시터(C1)에 의한 부트스트랩핑(bootstrapping)으로 구동 능력이 향상된다. 아울러, 상기 각 트랜지스터의 문턱전압이 3V라고 가정했을 때 제1 커패시터(C1)에는 각 트랜지스터(T1∼T3)의 문턱전압을 뺀 대략 16V의 전압이 충전되게 된다.When the first input signal IN1, the second input signal IN2, and the third input signal IN3 of the first to third transistors T1 to T3 are all input with a clock signal having a high voltage, the first to third transistors are input. All of the three transistors T1 to T3 are turned on to turn on the fourth transistor T4 while the high voltage of about 25 V or more supplied from the outside is charged in the first capacitor C1. Here, the fourth transistor T4 is improved in driving ability by bootstrapping by the first capacitor C1. In addition, when the threshold voltage of each transistor is assumed to be 3V, the first capacitor C1 is charged with a voltage of approximately 16V minus the threshold voltage of each of the transistors T1 to T3.

이에 따라 대략 20V 이상의 고전압인 제1 입력신호(IN1)는 제5 트랜지스터(T5)를 턴온시키면서 통과되어 제2 커패시터(C2)에 충전되게 된다. 물론, 여기서도 제2 커패시터(C2)에 충전되는 전압은 제1 입력신호(IN1)의 전압에서 제4 및 제5 트랜지스터(T4, T5)의 문턱전압을 뺀 전압이 충전되게 된다.Accordingly, the first input signal IN1 having a high voltage of about 20 V or more passes through the fifth transistor T5 while being turned on to charge the second capacitor C2. Of course, the voltage charged in the second capacitor C2 may be charged by subtracting the threshold voltages of the fourth and fifth transistors T4 and T5 from the voltage of the first input signal IN1.

이때, 제6 트랜지스터(T6)는 제2 커패시터(C2)에 충전된 전압에 따라 턴온되고 외부로부터 공급된 고전압의 클록신호(V_in)는 제6 트랜지스터(T6)를 통해서 출력단(Output)으로 출력되게 된다. 상기 고전압의 클록신호(V_in)는 복수의 제1 입력신호(I1, I2, I3) 중 제1 트랜지스터(T1)의 게이트로 입력되는 펄스의 다음 주기에 해당하는 펄스 신호이다.At this time, the sixth transistor T6 is turned on according to the voltage charged in the second capacitor C2 and the clock signal V_in of the high voltage supplied from the outside is outputted to the output terminal through the sixth transistor T6. do. The high voltage clock signal V_in is a pulse signal corresponding to a next period of a pulse input to the gate of the first transistor T1 among the plurality of first input signals I1, I2, and I3.

상기 출력이 된 후에는 외부로부터 리셋신호가 공급되게 되는 데, 리셋신호(Reset)는 복수의 제1 입력신호(I1, I2, I3) 중 제6 트랜지스터(T6)로 공급되는 펄스의 다음 주기에 해당하는 펄스 신호이다.After the output, the reset signal is supplied from the outside. The reset signal Reset is reset at the next period of the pulse supplied to the sixth transistor T6 among the plurality of first input signals I1, I2, and I3. Corresponding pulse signal.

즉, 제7 트랜지스터(T7)는 입력되는 리셋신호에 따라 턴온되어 제2 커패시 터(C2)에 충전된 전압을 저전위로 방전시키고, 제8 트랜지스터(T8)도 리셋신호에 따라 턴온되어 출력단의 전위를 저전압으로 풀다운시키게 된다.That is, the seventh transistor T7 is turned on in response to the input reset signal to discharge the voltage charged in the second capacitor C2 at low potential, and the eighth transistor T8 is also turned on in response to the reset signal to provide the output terminal. The potential is pulled down to a low voltage.

또한, 출력이 나가야 하지 않아야 할 때, 예를 들어 제1 트랜지스터(T1)에 고전압의 제1 입력신호(IN1)가 입력되고, 제2 트랜지스터(T2)에 저전압의 제2 입력신호(IN2)가 입력되며, 제3 트랜지스터(T3)에 고전압의 제3 입력신호(IN3)가 입력될 때 시프트 레지스터는 출력 펄스를 내보내지 않아야 한다. 하지만, 제1 입력신호(IN1)에 연결된 제4 트랜지스터(T4)가 누설 전류를 내보내 출력이 나타날 수 있다. In addition, when the output should not go out, for example, the first input signal IN1 having a high voltage is input to the first transistor T1, and the second input signal IN2 having a low voltage is input to the second transistor T2. When the high voltage third input signal IN3 is input to the third transistor T3, the shift register should not emit an output pulse. However, the fourth transistor T4 connected to the first input signal IN1 emits a leakage current and thus an output may appear.

이를 방지하기 위하여, 제9, 제10 및 제11 트랜지스터(T9, T10, T11)를 이용하여 출력이 나가야 하지 않을 때, 즉 제1 입력신호(IN1)가 고전압이고 제2 입력신호(IN2)가 저전압일 때 제9 트랜지스터(T9)가 동작을 하여 제10 트랜지스터(T10)를 턴온시키게 된다. 이로 인해 제5 트랜지스터(T5)를 통해 누설전류가 입력되면 제10 트랜지스터(T10)의 턴온에 따라 제3 노드(Nd3)가 가상 저전위로 풀다운됨에 따라 출력이 발생하는 것을 방지하게 된다.To prevent this, when the output does not need to go out using the ninth, tenth and eleventh transistors T9, T10, and T11, that is, the first input signal IN1 is a high voltage and the second input signal IN2 is When the voltage is low, the ninth transistor T9 operates to turn on the tenth transistor T10. Accordingly, when the leakage current is input through the fifth transistor T5, the output is prevented as the third node Nd3 is pulled down to the virtual low potential according to the turn-on of the tenth transistor T10.

하지만 제1 및 제2 입력신호(IN1, IN2)가 모두 고전압일 경우에는 제11 트랜지스터(T11)가 턴온이 되어 제10 트랜지스터(T10)는 턴오프 상태가 된다. 그러면, 제1 입력신호(IN1)의 고전압 펄스가 제6 트랜지스터(T6)를 동작시켜 원하는 출력을 내보낼 수 있게 된다.However, when the first and second input signals IN1 and IN2 are both high voltages, the eleventh transistor T11 is turned on and the tenth transistor T10 is turned off. Then, the high voltage pulse of the first input signal IN1 may operate the sixth transistor T6 to output a desired output.

결국, 원하는 출력 타이밍에 출력만 내보내게 된다.As a result, only the output is sent at the desired output timing.

따라서, 본 발명에서는 아모포스-실리콘 박막 트랜지스터에 의한 디코더 타 입의 시프트 레지스터를 구현하여 다단의 시프트 레지스터를 순차적으로 또는 비순차적으로 구동하는 것이 가능하여 원하는 임의의 시프트 레지스터만 선택하여 구동하는 것이 가능해진다.Therefore, in the present invention, it is possible to drive a shift register of a multi-stage sequence sequentially or non-sequentially by implementing a decoder type shift register by an amorphous-silicon thin film transistor, so that it is possible to select and drive only any desired shift register. Become.

상기의 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 다양한 수정, 변경 및 부가가 가능할 것이다. 그러므로, 이러한 수정, 변경 및 부가는 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Preferred embodiments of the present invention are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art will be able to make various modifications, changes, and additions within the spirit of the present invention. Therefore, such modifications, changes and additions should be determined not only by the claims below, but also by equivalents to those claims.

도 1은 종래의 게이트 드라이버를 구성하는 시프트 레지스터를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a shift register constituting a conventional gate driver.

도 2는 도 1의 시프트 레지스터의 세부 구성을 나타낸 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a detailed configuration of the shift register of FIG. 1.

도 3은 본 발명이 적용된 액정 디스플레이의 구성을 나타낸 개념도이다.3 is a conceptual diagram showing the configuration of a liquid crystal display to which the present invention is applied.

도 4는 본 발명에 의한 게이트 드라이버를 구성하는 시프트 레지스터를 나타낸 도면이다.4 is a diagram showing a shift register constituting a gate driver according to the present invention.

도 5는 도 4의 각 신호라인으로 공급되는 입력 파형을 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating an input waveform supplied to each signal line of FIG. 4.

도 6은 본 발명의 실시예에 의한 시프트 레지스터의 세부 구성을 나타낸 회로도이다.6 is a circuit diagram showing a detailed configuration of a shift register according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

110: 시프트 레지스터 111: 입력부110: shift register 111: input unit

112: 제1 부트스트랩 113: 버퍼부112: first bootstrap 113: buffer unit

114: 제2 부트스트랩 115: 출력부114: second bootstrap 115: output unit

116: 리셋회로부 117: 누설전류방지부116: reset circuit portion 117: leakage current prevention portion

Claims (7)

외부로부터 입력된 복수의 입력신호에 따라 각각 스위칭되어 공급된 고전압을 출력하는 입력부;An input unit which outputs a high voltage which is switched and supplied according to a plurality of input signals input from the outside; 상기 입력부를 통해 공급된 고전압을 충전하여 부트스트래핑(bootstrapping) 기능을 제공하는 제1 부트스트랩;A first bootstrap that charges the high voltage supplied through the input unit and provides a bootstrapping function; 상기 제1 부트스트랩으로부터 공급된 충전전압에 따라 개폐되어 입력된 제1 입력신호를 버퍼링하여 출력하는 버퍼부;A buffer unit for buffering and outputting the first input signal which is opened and closed according to the charging voltage supplied from the first bootstrap; 상기 버퍼부를 통해 공급된 고전압을 충전하여 부트스트래핑 기능을 제공하는 제2 부트스트랩;A second bootstrap for charging the high voltage supplied through the buffer unit to provide a bootstrapping function; 상기 제2 부트스트랩에 충전된 전압에 따라 개폐되어 공급된 고전압을 출력단으로 출력하는 출력부; 및An output unit configured to output a high voltage, which is opened and closed according to the voltage charged in the second bootstrap, to an output terminal; And 외부로부터 입력된 리셋신호에 따라 상기 제2 부트스트랩에 충전된 전압을 방전시키거나 출력단의 고전압을 저전위로 풀다운시키는 리셋회로부;를 포함하는 디스플레이용 시프트 레지스터.And a reset circuit unit configured to discharge a voltage charged in the second bootstrap or pull down a high voltage of an output terminal to a low potential according to a reset signal input from an external device. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 입력부는, 복수의 입력신호에 따라 선택적으로 동작하는 디코더 방식인 것을 특징으로 하는 디스플레이용 시프트 레지스터.And the input unit is a decoder system that selectively operates according to a plurality of input signals. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 입력부는, 고전위와 제1 노드 사이에 전류통로가 직렬로 연결되되 각기 다른 입력신호를 제공받아 스위칭되는 복수의 트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이용 시프트 레지스터.The input unit is a shift register for a display, characterized in that the current path is connected in series between the high potential and the first node, a plurality of transistors are switched to receive different input signals. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 고전위와 제2 트랜지스터의 드레인 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제1 입력신호에 따라 개폐되어 공급된 고전압을 출력하는 제1 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터의 소스와 제3 트랜지스터의 드레인 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제2 입력신호에 따라 개폐되어 공급된 고전압을 출력하는 제2 트랜지스터; 및 상기 제2 트랜지스터의 소스와 가상(virtual) 고전위인 제1 노드 사이에 전류통로가 연결되어 외부로부터 입력된 제3 입력신호에 따라 개폐되어 공급된 고전압을 출력하는 제3 트랜지스터;로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이용 시프트 레지스터.A first transistor connected between a high potential and a drain of the second transistor to output a high voltage that is opened and closed according to a first input signal input from the outside; A second transistor connected with a current path between a source of the first transistor and a drain of the third transistor to output a high voltage that is opened and closed according to a second input signal input from the outside; And a third transistor connected between a source of the second transistor and a first node having a virtual high potential, and outputting a high voltage that is opened and closed according to a third input signal input from the outside. Shift register for display. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 제1 부트스트랩은 가상 고전위인 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결되어 공급된 고전압을 충전하는 커패시터로 구성된 것을 특징으로 하는 디스플레이용 시프트 레지스터.And the first bootstrap comprises a capacitor connected between the first node and the second node having a virtual high potential to charge the supplied high voltage. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 버퍼부는, 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 제2 노드 사이에 전류통로가 연결되어 제1 커패시터의 충전전압을 포함한 제1 노드에 공급된 고전압에 따라 개폐되어 입력된 제1 입력신호를 출력하는 제4 트랜지스터; 및 상기 제2 노드와 가상 저전위인 제3 노드 사이에 전류통로가 연결되어 제2 노드에 공급된 신호에 따라 개폐되어 제4 트랜지스터를 통해 공급된 제1 입력신호를 출력하는 제5 트랜지스터;로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이용 시프트 레지스터.The buffer unit may include a current path connected between a gate of the first transistor and a second node to output a first input signal that is opened and closed according to a high voltage supplied to a first node including a charging voltage of a first capacitor. 4 transistors; And a fifth transistor connected between the second node and the third node, which is a virtual low potential, to open and close according to a signal supplied to the second node, and output a first input signal supplied through a fourth transistor. A shift register for display, characterized in that. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 외부로부터 입력된 복수의 입력신호에 따라 스위칭되어 버퍼부를 통해 출력된 누설전류를 저전압으로 풀다운시키는 누설전류방지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 시프트 레지스터.And a leakage current prevention unit which is switched according to a plurality of input signals input from the outside and pulls down the leakage current output through the buffer unit to a low voltage.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014012308A1 (en) * 2012-07-20 2014-01-23 北京京东方光电科技有限公司 Gate driver on array reset circuit, array substrate and display
WO2014153872A1 (en) * 2013-03-29 2014-10-02 北京京东方光电科技有限公司 Shift register unit, shift register, display panel, and display
CN104485079A (en) * 2014-12-31 2015-04-01 深圳市华星光电技术有限公司 GOA (Gate Driver On Array) circuit for liquid crystal display device
US9626928B2 (en) 2014-12-31 2017-04-18 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising gate driver on array circuit
WO2017080103A1 (en) * 2015-11-09 2017-05-18 武汉华星光电技术有限公司 Goa drive circuit, tft display panel and display device
KR20170116298A (en) * 2016-04-08 2017-10-19 삼성디스플레이 주식회사 Gate driver and display device having the same
KR20180136684A (en) * 2017-06-15 2018-12-26 엘지디스플레이 주식회사 Shift register and display apparatus comprising the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050065816A (en) * 2003-12-24 2005-06-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Shift register and shift register with built-in level shifter
JP2007078717A (en) 2005-09-09 2007-03-29 Koninkl Philips Electronics Nv Liquid crystal driving circuit, and liquid crystal display apparatus provided with the same
KR20080030795A (en) * 2006-10-02 2008-04-07 삼성전자주식회사 Display device capable of displaying partial picture and driving method of the same
JP2008537275A (en) * 2005-03-22 2008-09-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Shift register circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050065816A (en) * 2003-12-24 2005-06-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Shift register and shift register with built-in level shifter
JP2008537275A (en) * 2005-03-22 2008-09-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Shift register circuit
JP2007078717A (en) 2005-09-09 2007-03-29 Koninkl Philips Electronics Nv Liquid crystal driving circuit, and liquid crystal display apparatus provided with the same
KR20080030795A (en) * 2006-10-02 2008-04-07 삼성전자주식회사 Display device capable of displaying partial picture and driving method of the same

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014012308A1 (en) * 2012-07-20 2014-01-23 北京京东方光电科技有限公司 Gate driver on array reset circuit, array substrate and display
US8983021B2 (en) 2012-07-20 2015-03-17 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Reset circuit for gate driver on array, array substrate, and display
WO2014153872A1 (en) * 2013-03-29 2014-10-02 北京京东方光电科技有限公司 Shift register unit, shift register, display panel, and display
CN104485079A (en) * 2014-12-31 2015-04-01 深圳市华星光电技术有限公司 GOA (Gate Driver On Array) circuit for liquid crystal display device
US9626928B2 (en) 2014-12-31 2017-04-18 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising gate driver on array circuit
WO2017080103A1 (en) * 2015-11-09 2017-05-18 武汉华星光电技术有限公司 Goa drive circuit, tft display panel and display device
US9905182B2 (en) 2015-11-09 2018-02-27 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. GOA driving circuits, TFT display panels and display devices
GB2593115A (en) * 2015-11-09 2021-09-22 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd GOA drive circuit,TFT display panel and display device
KR20170116298A (en) * 2016-04-08 2017-10-19 삼성디스플레이 주식회사 Gate driver and display device having the same
KR102573847B1 (en) 2016-04-08 2023-09-04 삼성디스플레이 주식회사 Gate driver and display device having the same
KR20180136684A (en) * 2017-06-15 2018-12-26 엘지디스플레이 주식회사 Shift register and display apparatus comprising the same
KR102348667B1 (en) 2017-06-15 2022-01-06 엘지디스플레이 주식회사 Shift register and display apparatus comprising the same

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