KR20050065816A - Shift register and shift register with built-in level shifter - Google Patents

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KR20050065816A KR1020030096709A KR20030096709A KR20050065816A KR 20050065816 A KR20050065816 A KR 20050065816A KR 1020030096709 A KR1020030096709 A KR 1020030096709A KR 20030096709 A KR20030096709 A KR 20030096709A KR 20050065816 A KR20050065816 A KR 20050065816A
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Abstract

본 발명은 화질 저하를 방지할 수 있도록 한 쉬프트 레지스터 및 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register incorporating a shift register and a level shifter capable of preventing deterioration in image quality.

본 발명의 쉬프트 레지스터는 제1 및 제2 공급 전압과 위상 지연된 제어 신호들에 의해 입력 신호를 쉬프트시켜 각각의 출력 신호와 다음단의 입력 신호로 공급하는 다수개의 스테이지들로 이루어지고, 그 스테이지들 각각은 입력 신호 공급 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로를 갖는 제1 내지 제3 트랜지스터를 이용하여 그들 사이의 제1 노드에 상기 입력 신호 및 제1 공급 전압을 선택적으로 공급하는 제1 제어부와; 상기 제2 공급 전압 입력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로를 갖는 제4 및 제5 트랜지스터를 이용하여 그들 사이의 제2 노드에 상기 제2 및 제1 공급 전압을 선택적으로 공급하는 제2 제어부와; 상기 제1 내지 제4 제어 신호들 중 어느 하나의 제어 신호의 입력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로를 갖는 제6 및 제7 트랜지스터를 이용하여 그들 사이의 상기 스테이지의 출력 라인에 상기 특정 제어 신호와 상기 제1 공급 전압을 상기 출력 신호로 선택적으로 공급하는 출력 버퍼부와; 상기 제1 내지 제4 제어 신호들과 듀티비가 상이한 제5 제어 신호에 따라 상기 스테이지의 출력 라인에서 출력되는 출력 신호의 특정 전압 상태를 지연시키기 위한 제8 트랜지스터를 구비한다.The shift register of the present invention is composed of a plurality of stages for shifting an input signal with first and second supply voltages and phase delayed control signals to supply the respective output signals and the next stage input signals. Each using first to third transistors having conductive paths between an input signal supply line and the first supply voltage input line to selectively supply the input signal and the first supply voltage to a first node therebetween. 1 control unit; Selectively supplying the second and first supply voltages to a second node therebetween using fourth and fifth transistors having conductive paths between the second supply voltage input line and the first supply voltage input line. A second control unit; To the output line of the stage between them using sixth and seventh transistors having a conductive path between the input line of any one of the first to fourth control signals and the first supply voltage input line. An output buffer unit for selectively supplying the specific control signal and the first supply voltage to the output signal; And an eighth transistor configured to delay a specific voltage state of an output signal output from the output line of the stage according to a fifth control signal having a different duty ratio from the first to fourth control signals.

Description

쉬프트 레지스터 및 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터{SHIFT REGISTER AND SHIFT REGISTER WITH BUILT-IN LEVEL SHIFTER} Shift register with built-in shift register and level shifter {SHIFT REGISTER AND SHIFT REGISTER WITH BUILT-IN LEVEL SHIFTER}

본 발명은 쉬프트 레지스터 및 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 특히 화질 저하를 방지할 수 있도록 한 쉬프트 레지스터 및 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register incorporating a shift register and a level shifter, and more particularly, to a shift register incorporating a shift register and a level shifter capable of preventing image degradation.

텔레비젼(Television) 및 컴퓨터(Computer)의 표시 장치로 사용되는 액정 표시 장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여, 액정 표시 장치는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정 패널과 이 액정 패널을 구동하기 위한 구동 회로를 구비한다. A liquid crystal display device used as a display device of a television and a computer displays an image by adjusting the light transmittance of the liquid crystal using an electric field. To this end, the liquid crystal display includes a liquid crystal panel in which liquid crystal cells are arranged in a matrix and a driving circuit for driving the liquid crystal panel.

액정 패널에는 게이트 라인들과 데이터 라인들이 교차하게 배열되고 그 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차로 마련되는 영역에 액정셀들이 위치하게 된다. 이 액정 패널에는 액정셀들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소 전극들과 공통 전극이 마련된다. 화소 전극들 각각은 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)의 소스 및 드레인 단자들을 경유하여 데이터 라인들 중 어느 하나에 접속된다. 박막 트랜지스터의 게이트 단자는 게이트 라인들 중 어느 하나에 접속된다.In the liquid crystal panel, the gate lines and the data lines are arranged to cross each other, and the liquid crystal cells are positioned in an area where the gate lines and the data lines cross each other. The liquid crystal panel is provided with pixel electrodes and a common electrode for applying an electric field to each of the liquid crystal cells. Each of the pixel electrodes is connected to any one of the data lines via source and drain terminals of a thin film transistor which is a switching element. The gate terminal of the thin film transistor is connected to any one of the gate lines.

구동 회로는 게이트 라인들을 구동하기 위한 게이트 드라이버와, 데이터 라인들을 구동하기 위한 데이터 드라이버를 구비한다. 게이트 드라이버는 스캔 신호를 게이트 라인들에 순차적으로 공급하여 액정 패널 상의 액정셀들을 순차적으로 구동한다. 데이터 드라이버는 게이트 라인들 중 어느 하나에 스캔 신호가 공급될 때마다 데이터 라인들 각각에 비디오 신호를 공급한다. 이에 따라, 액정 표시 장치는 액정셀 별로 비디오 신호에 따라 화소 전극과 공통 전극 사이에 인가되는 전계에 의해 광투과율을 조절하여 화상을 표시한다.The driving circuit includes a gate driver for driving the gate lines and a data driver for driving the data lines. The gate driver sequentially supplies scan signals to the gate lines to sequentially drive the liquid crystal cells on the liquid crystal panel. The data driver supplies a video signal to each of the data lines whenever a scan signal is supplied to any one of the gate lines. Accordingly, the liquid crystal display displays an image by adjusting light transmittance by an electric field applied between the pixel electrode and the common electrode according to the video signal for each liquid crystal cell.

이러한 구동 회로에서 게이트 드라이버는 쉬프트 레지스터를 이용하여 게이트 라인들을 순차적으로 구동시키기 위한 스캔 신호를 발생한다. 그리고, 데이터 드라이버는 쉬프트 레지스터를 이용하여 외부로부터 입력되는 비디오 신호를 일정 단위씩 순차적으로 샘플링할 수 있도록 하는 샘플링 신호를 발생한다. 이렇게 쉬프트 레지스터를 포함하는 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버는 폴리 실리콘을 이용하는 경우 액정 매트릭스와 함께 액정 패널에 내장된다. In this driving circuit, the gate driver generates a scan signal for sequentially driving the gate lines using the shift register. The data driver generates a sampling signal for sequentially sampling the video signal input from the outside by a predetermined unit using the shift register. The gate driver and the data driver including the shift register are embedded in the liquid crystal panel together with the liquid crystal matrix when using polysilicon.

도 1은 일반적인 쉬프트 레지스터를 도시한 것이고, 도 2는 도 1에 도시된 쉬프트 레지스터의 입출력 파형을 도시한 것이다.1 illustrates a general shift register, and FIG. 2 illustrates input and output waveforms of the shift register illustrated in FIG. 1.

도 1에 도시된 쉬프트 레지스터는 스타트 펄스(SP) 입력 라인에 종속적으로 접속되고 4개의 클럭 신호(C1 내지 C4) 중 3개의 클럭 신호를 공급받는 n개의 스테이지들(ST1 내지 STn)을 구비한다. 도 2를 참조하면, 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)는 각각의 공급 라인을 통하여 C4, C1, C2, C3의 순서로 한 클럭씩 위상 지연된 형태로 공급된다. 그리고, 한 프레임 또는 한 수평 주기 단위로 공급되는 스타트 펄스(SP)는 제4 클럭 신호(C4)와 동기하도록 공급된다.The shift register shown in FIG. 1 has n stages ST1 to STn connected to the start pulse SP input line and supplied with three clock signals among the four clock signals C1 to C4. Referring to FIG. 2, the first to fourth clock signals C1 to C4 are supplied in phase-delayed form by one clock in the order of C4, C1, C2, and C3 through respective supply lines. The start pulse SP, which is supplied in one frame or one horizontal period, is supplied in synchronization with the fourth clock signal C4.

제1 스테이지(ST1)는 스타트 펄스(SP)와 4개의 클럭 신호(C1 내지 C3) 중 3개의 클럭 신호를 이용하여 도 2에 도시된 바와 같이 제1 출력 신호(SO1)를 출력한다. 제2 내지 제n 스테이지들(ST2 내지 STn)은 전단의 출력 신호(S01 내지 S0n-1)와 4개의 클럭 신호(C1 내지 C3) 중 3개의 클럭 신호를 이용하여 도 2에 도시된 바와 같이 제2 내지 제n 출력 신호(SO2 내지 SOn)를 출력한다. 다시 말하여, 쉬프트 레지스터를 구성하는 제1 내지 제n 스테이지(ST1 내지 STn)는 도 2와 같이 순차적으로 위상이 쉬프된 형태를 갖는 제1 내지 제n 출력 신호(SO1 내지 SOn)를 출력한다. 이러한 제1 내지 제n 출력 신호(SO1 내지 SOn)는 액정 패널의 게이트 라인들을 순차적으로 구동하기 위한 스캔 신호로 공급되거나, 데이터 드라이버내에서 비디오 신호를 순차적으로 샘플링하기 위한 샘플링 신호로 공급된다.  The first stage ST1 outputs the first output signal SO1 as shown in FIG. 2 using the start pulse SP and three clock signals among the four clock signals C1 to C3. The second to nth stages ST2 to STn are formed as shown in FIG. 2 using the output signals S01 to S0n−1 and three clock signals among the four clock signals C1 to C3. The second to nth output signals SO2 to SOn are output. In other words, the first to nth stages ST1 to STn constituting the shift register output the first to nth output signals SO1 to SOn having a form shifted in phase as shown in FIG. 2. The first to n th output signals SO1 to SOn are supplied as scan signals for sequentially driving the gate lines of the liquid crystal panel or as sampling signals for sequentially sampling the video signals in the data driver.

도 3은 도 1에 도시된 제1 스테이지(ST1)의 상세 회로 구성을 도시한 것이다.FIG. 3 illustrates a detailed circuit configuration of the first stage ST1 shown in FIG. 1.

도 3에 도시된 제1 스테이지(ST1)는 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭 신호(C4)에 따라 Q노드를 제어하는 제1 제어부(32)와, 제3 클럭 신호(C3) 및 스타트 펄스(SP)에 따라 QB노드를 제어하는 제2 제어부(34)와, Q노드 및 QB노드의 전압에 따라 제1 클럭신호(C1) 및 제1 공급 전압(VSS) 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 버퍼부(36)를 구비한다.The first stage ST1 illustrated in FIG. 3 includes a first control unit 32 that controls the Q node according to the start pulse SP and the fourth clock signal C4, and the third clock signal C3 and the start pulse. Selecting and outputting one of the first clock signal C1 and the first supply voltage VSS according to the voltage of the Q node and the QB node, and the second control unit 34 that controls the QB node according to (SP). A buffer unit 36 is provided.

제1 제어부(32)는 스타트 펄스(SP) 입력 라인에 다이오드형으로 접속된 제1 PMOS 트랜지스터(T1)와, 제1 PMOS 트랜지스터(T1)와 제4 클럭 신호(C4) 입력 라인 및 Q노드 사이에 접속된 제2 PMOS 트랜지스터(T2)를 구비한다. 그리고, 제1 제어부(32)는 Q노드 및 QB노드와 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속되어 제7 PMOS 트랜지스터(T7)와 듀얼 동작으로 Q노드를 제어하는 제3 PMOS 트랜지스터(T3)를 더 구비한다. The first control unit 32 includes a first PMOS transistor T1 diode-connected to the start pulse SP input line, between the first PMOS transistor T1, the fourth clock signal C4 input line, and the Q node. And a second PMOS transistor T2 connected to it. The first controller 32 is connected between the Q node and the QB node and the first supply voltage VSS input line to control the Q node in dual operation with the seventh PMOS transistor T7. ) Is further provided.

제2 제어부(34)는 제2 공급 전압(VDD) 입력 라인과 제3 클럭 신호(C3) 입력 라인 및 QB노드 사이에 접속된 제4 PMOS 트랜지스터(T4)와, 제4 PMOS 트랜지스터(T4)와 스타트 펄스(SP) 입력 라인 및 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된 제5 PMOS 트랜지스터(T5)를 구비한다.The second control unit 34 may include a fourth PMOS transistor T4 and a fourth PMOS transistor T4 connected between the second supply voltage VDD input line, the third clock signal C3 input line, and the QB node. And a fifth PMOS transistor T5 connected between the start pulse SP input line and the first supply voltage VSS input line.

버퍼부(36)는 Q노드의 전압에 따라 제1 클럭 신호(C1)를 선택하여 출력 라인으로 공급하는 제6 PMOS 트랜지스터(T6)와, QB노드의 전압에 따라 제1 공급 전압(VSS)을 선택하여 출력 라인으로 공급하는 제7 PMOS 트랜지스터(T7)를 구비한다.The buffer unit 36 selects the first clock signal C1 according to the voltage of the Q node and supplies the sixth PMOS transistor T6 to the output line and the first supply voltage VSS according to the voltage of the QB node. And a seventh PMOS transistor T7 that selects and supplies the output line.

그리고, 제1 스테이지(ST1)는 제6 PMOS 트랜지스터(T6)의 게이트 단자와 소스 단자 사이, 즉 Q노드와 출력 라인 사이에 접속된 제1 캐패시터(CB)를 더 구비한다. The first stage ST1 further includes a first capacitor CB connected between the gate terminal and the source terminal of the sixth PMOS transistor T6, that is, between the Q node and the output line.

이러한 제1 스테이지(ST1)에는 도 2에 도시된 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4) 중 C1, C3, C4가 공급된다. 도 2에 있어서, 스타트 펄스(SP)를 포함하여 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)는 10V 이상의 스윙 전압을 가지는 부극성 타입으로 공급된다. 그리고, 설명상의 편의를 위하여 10V의 전위를 로우 상태로, 0V의 전위를 하이 상태로 가정하여 설명하기로 한다. 또한, 제1 스테이지(ST1)에 공급되는 제1 공급 전압(VSS)으로 공급되는 약 10V를 로우 상태로, 제2 공급 전압(VDD)으로 공급되는 약 0V를 하이 상태로 가정하기로 한다. 이러한 구동 파형을 참조하여 제1 스테이지(ST1)의 구체적인 동작을 살펴보면 다음과 같다.C1, C3, and C4 of the first to fourth clock signals C1 to C4 shown in FIG. 2 are supplied to the first stage ST1. In FIG. 2, the first to fourth clock signals C1 to C4 including the start pulse SP are supplied in a negative type having a swing voltage of 10 V or more. For convenience of explanation, a description will be given on the assumption that the potential of 10V is low and the potential of 0V is high. In addition, it is assumed that about 10V supplied to the first supply voltage VSS supplied to the first stage ST1 is low and about 0V supplied to the second supply voltage VDD is high. A detailed operation of the first stage ST1 will be described with reference to the driving waveform as follows.

t1 기간에서 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭 신호(C4)가 동시에 하이 상태가 되면 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터(T1, T2)가 턴-온되어 Q노드는 제1 하이 상태가 된다. 이에 따라, Q노드에 게이트 단자가 접속된 제6 PMOS 트랜지스터(T6)는 서서히 턴-온된다. 이 때, 하이 상태의 스타트 펄스(SP)에 의해 제5 PMOS 트랜지스터(T5)가 턴-온되어 QB노드는 제1 공급 전압(VSS)에 의해 로우 상태되므로 그 QB노드에 게이트 단자가 접속된 제3 및 제7 PMOS 트랜지스터(T3, T7)는 턴-오프된다. 이 결과, 턴-온된 제6 PMOS 트랜지스터(T6)를 통해 제1 클럭 신호(C1)의 로우 상태 전압(약 17V)이 제1 스테이지(ST1)의 출력 신호(SO1)로 출력된다.In the t1 period, when the start pulse SP and the fourth clock signal C4 become high at the same time, the first and second PMOS transistors T1 and T2 are turned on so that the Q node is in the first high state. As a result, the sixth PMOS transistor T6 having the gate terminal connected to the Q node is gradually turned on. At this time, since the fifth PMOS transistor T5 is turned on by the high start pulse SP and the QB node is turned low by the first supply voltage VSS, the gate terminal is connected to the QB node. The third and seventh PMOS transistors T3 and T7 are turned off. As a result, the low state voltage (about 17 V) of the first clock signal C1 is output as the output signal SO1 of the first stage ST1 through the turned-on sixth PMOS transistor T6.

t2 기간에서 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭 신호(C4)가 로우 상태가 되고 제1 클럭 신호(C1)가 하이 상태가 됨으로써 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터(T1, T2)는 턴-오프되고 제6 PMOS 트랜지스터(T6)는 확실한 턴-온 상태가 된다. 이는 플로팅 상태가 된 Q노드가 제6 PMOS 트랜지스터(T6)의 게이트와 소오스 사이에 형성된 내부 캐패시터(Cgs)와 제1 캐패시터(CB)의 영향으로 제1 클럭 신호(C1)의 하이 상태 전압에 따라 부트스트래핑(Bootstrapping)되어 상기 제1 하이 상태 보다 높은 제2 하이 상태가 되기 때문이다. 이렇게 제6 PMOS 트랜지스터(T6)가 확실하게 턴-온됨으로써 제1 클럭 신호(C1)의 하이 상태의 전압(약 0V)이 스테이지(ST1)의 출력 라인에 빠르게 공급된다. 이 결과, 제1 스테이지(ST1)는 하이 상태의 출력 신호(SO1)를 출력하게 된다.During the t2 period, the start pulse SP and the fourth clock signal C4 go low and the first clock signal C1 goes high to turn off the first and second PMOS transistors T1 and T2. The sixth PMOS transistor T6 is in a certain turn-on state. This is due to the influence of the internal capacitor Cgs and the first capacitor CB formed between the gate and the source of the sixth PMOS transistor T6 in the floating Q node according to the high state voltage of the first clock signal C1. This is because the bootstrapping is a second high state higher than the first high state. Thus, the sixth PMOS transistor T6 is reliably turned on so that the high state voltage (about 0 V) of the first clock signal C1 is rapidly supplied to the output line of the stage ST1. As a result, the first stage ST1 outputs the output signal SO1 in the high state.

t3 기간에서 제1 클럭 신호(C1)가 로우 상태가 되고 제2 클럭 신호(C2)가 하이 상태가 됨으로써 플로팅 상태의 Q노드의 전압은 다시 제1 하이 상태로 천이되고 제6 PMOS 트랜지스터(T6)는 턴-온 상태를 유지한다. 이에 따라, 턴-온된 제6 PMOS 트랜지스터(T6)를 통해 제1 클럭 신호(C1)의 로우 상태 전압(약 17V)이 제1 스테이지(ST1)는 출력 신호(SO1)로 출력된다.In the t3 period, the first clock signal C1 goes low and the second clock signal C2 goes high, whereby the voltage of the Q node in the floating state transitions back to the first high state and the sixth PMOS transistor T6. Remains turned on. Accordingly, the low state voltage (about 17 V) of the first clock signal C1 is output as the output signal SO1 through the turned-on sixth PMOS transistor T6.

t4 기간에서 제3 클럭 신호(C3)가 하이 상태가 되어 제4 PMOS 트랜지스터(T4)가 턴-온됨으로써 QL노드엔 제2 공급 전압(VDD)인 하이 상태의 전압(약 0V)이 공급된다. 이에 따라, 제3 및 제7 PMOS 트랜지스터(T3, T7)가 동시에 턴-온된다. 턴-온된 제3 PMOS 트랜지스터(T3)를 경유하여 로우 상태의 제1 공급 전압(VSS)이 Q노드에 공급되므로 제6 PMOS 트랜지스터(T6)는 턴-오프된다. 그리고, 턴-온된 제7 PMOS 트랜지스터(T7)를 경유하여 로우 상태의 제1 공급 전압(VSS)이 제1 스테이지(ST1)의 출력 신호(SO1)로 출력된다.In the t4 period, the third clock signal C3 becomes high and the fourth PMOS transistor T4 is turned on so that the QL node is supplied with a high state voltage (about 0 V), which is the second supply voltage VDD. Accordingly, the third and seventh PMOS transistors T3 and T7 are turned on at the same time. The sixth PMOS transistor T6 is turned off because the first supply voltage VSS in a low state is supplied to the Q node through the turned-on third PMOS transistor T3. The first supply voltage VSS in the low state is output as the output signal SO1 of the first stage ST1 via the turned-on seventh PMOS transistor T7.

t5 기간에서 제4 클럭 신호(C4)만 하이 상태가 됨으로써 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온되고 제1, 제4 및 제5 PMOS 트랜지스터(T1, T4, T5)는 턴-오프 상태를 유지하므로 QB노드는 이전의 하이 상태를 유지한다. 이에 따라, 전술한 t4 기간과 같이 제3 및 제7 PMOS 트랜지스터(T3, T7)는 턴-온 상태를 유지하므로 제1 스테이지(ST1)의 출력 신호(SO1)는 로우 상태를 유지하게 된다.In the t5 period, only the fourth clock signal C4 becomes high to turn on the second transistor T2, and the first, fourth and fifth PMOS transistors T1, T4, and T5 remain turned off. As a result, the QB node remains at its previous high state. Accordingly, since the third and seventh PMOS transistors T3 and T7 maintain the turn-on state as in the t4 period described above, the output signal SO1 of the first stage ST1 remains low.

이와 같은 종래의 쉬프트 레지스터에 의해 도 2에 도시된 바와 같은 출력 신호들(SO1,SO2,SO3…)이 출력된다. 그런데, 이와 같은 출력 신호들(SO1,SO2,SO3…)은 서로 오버랩(Overlap) 될 가능성이 크다. 이에 따라, 화질이 저하되는 단점이 있다. 다시말해서, 도 2에 도시된 "A" 부분을 상세히 나타내는 도 4a 내지 도 4c와 같이 전단 스테이지(ST)에서 하이 상태의 출력 신호가 로우 상태의 출력 신호로 바뀔 때 다음단 스테이지(ST)에서는 로우 상태의 출력 신호가 하이 상태의 출력으로 바뀌게 된다. 이 시점에 전단 스테이지(ST)에서 하이 상태의 출력 신호가 로우 상태의 출력 신호로 바뀌기 전에 다음단 스테이지(ST)에서는 로우 상태의 출력 신호가 하이 상태의 출력 신호로 바뀌게 된다. 이에 따라, 두 출력 신호는 서로 오버랩(Overlap)이 되어 화질이 저하되는 단점이 있다.The conventional shift register outputs the output signals SO1, SO2, SO3 ... as shown in FIG. However, such output signals SO1, SO2, SO3... Are likely to overlap each other. Accordingly, there is a disadvantage that the image quality is lowered. In other words, when the output signal of the high state is changed to the output signal of the low state in the front stage ST as shown in Figs. 4A to 4C detailing the portion "A" shown in Fig. 2, the next stage ST is low. The output signal of the state changes to the output of the high state. At this point in time, the output signal in the low state is changed to the output signal in the high state before the output signal in the high state is changed to the low state output signal in the front stage ST. Accordingly, the two output signals are overlapped with each other, and thus the image quality is deteriorated.

따라서, 본 발명의 목적은 화질 저하를 방지할 수 있도록 한 쉬프트 레지스터 및 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터를 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a shift register incorporating a shift register and a level shifter capable of preventing deterioration in image quality.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 쉬프트 레지스터는 제1 및 제2 공급 전압과 위상 지연된 제어 신호들에 의해 입력 신호를 쉬프트시켜 각각의 출력 신호와 다음단의 입력 신호로 공급하는 다수개의 스테이지들로 이루어지고, 그 스테이지들 각각은 입력 신호 공급 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로를 갖는 제1 내지 제3 트랜지스터를 이용하여 그들 사이의 제1 노드에 상기 입력 신호 및 제1 공급 전압을 선택적으로 공급하는 제1 제어부와; 상기 제2 공급 전압 입력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로를 갖는 제4 및 제5 트랜지스터를 이용하여 그들 사이의 제2 노드에 상기 제2 및 제1 공급 전압을 선택적으로 공급하는 제2 제어부와; 상기 제1 내지 제4 제어 신호들 중 어느 하나의 제어 신호의 입력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로를 갖는 제6 및 제7 트랜지스터를 이용하여 그들 사이의 상기 스테이지의 출력 라인에 상기 특정 제어 신호와 상기 제1 공급 전압을 상기 출력 신호로 선택적으로 공급하는 출력 버퍼부와; 상기 제1 내지 제4 제어 신호들과 듀티비가 상이한 제5 제어 신호에 따라 상기 스테이지의 출력 라인에서 출력되는 출력 신호의 특정 전압 상태를 지연시키기 위한 제8 트랜지스터를 구비한다.In order to achieve the above object, the shift register of the present invention includes a plurality of stages for shifting an input signal by the first and second supply voltages and phase delayed control signals to supply the respective output signals and the next stage input signals. Wherein each of the stages uses the first to third transistors having conductive paths between an input signal supply line and the first supply voltage input line to supply the input signal and first supply to a first node therebetween. A first controller selectively supplying a voltage; Selectively supplying the second and first supply voltages to a second node therebetween using fourth and fifth transistors having conductive paths between the second supply voltage input line and the first supply voltage input line. A second control unit; To the output line of the stage between them using sixth and seventh transistors having a conductive path between the input line of any one of the first to fourth control signals and the first supply voltage input line. An output buffer unit for selectively supplying the specific control signal and the first supply voltage to the output signal; And an eighth transistor configured to delay a specific voltage state of an output signal output from the output line of the stage according to a fifth control signal having a different duty ratio from the first to fourth control signals.

상기 제1 및 제2 트랜지스터는 상기 입력 신호 공급 라인과 상기 제1 노드 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 입력 신호와 제1 제어 신호 각각에 따라 제어하는 제어 전극을 각각 갖고, 상기 제3 트랜지스터는 제1 노드와 제1 공급 전압 입력 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 것을 특징으로 한다.The first and second transistors each have a conductive path between the input signal supply line and the first node, and a control electrode for controlling the conductive path according to the input signal and the first control signal, respectively, and the third The transistor is characterized by having a conductive path between the first node and the first supply voltage input and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node.

상기 제4 트랜지스터는 상기 제2 공급 전압 입력 라인과 상기 제2 노드 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 제2 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 갖고, 상기 제5 트랜지스터는 상기 제2 노드와 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 제1 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 것을 특징으로 한다.The fourth transistor has a conductive path between the second supply voltage input line and the second node and a control electrode for controlling the conductive path according to a second control signal, wherein the fifth transistor is connected to the second node. And a control electrode for controlling the conductive path between the first supply voltage input line and the conductive path according to the first control signal.

상기 제6 트랜지스터는 제3 제어 신호 입력 라인과 상기 스테이지의 출력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 갖고, 제7 트랜지스터는 상기 스테이지의 출력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 것을 특징으로 한다.The sixth transistor has a conductive path between a third control signal input line and an output line of the stage, and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the first node, and the seventh transistor has an output of the stage. And a control electrode for controlling the conductive path between the line and the first supply voltage input line according to the voltage of the second node.

상기 제6 트랜지스터는 그의 게이트 전극의 부트스트래핑을 위하여 그 게이트 전극과 상기 스테이지의 출력 라인 사이에 접속된 캐패시터를 추가로 구비한다.The sixth transistor further includes a capacitor connected between the gate electrode and the output line of the stage for bootstrapping the gate electrode thereof.

상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 노드에 게이트 전극이 공통으로 접속된 듀얼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The third transistor may include a dual gate transistor in which a gate electrode is commonly connected to the second node.

상기 제5 트랜지스터는 상기 제1 제어 신호에 게이트 전극이 공통으로 접속된 듀얼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The fifth transistor may include a dual gate transistor in which a gate electrode is commonly connected to the first control signal.

상기 제8 트랜지스터는 상기 제5 제어신호의 제어에 의해 상기 스테이지의 출력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로가 형성되는 것을 특징으로 한다.In the eighth transistor, a conductive path is formed between the output line of the stage and the first supply voltage input line by the control of the fifth control signal.

상기 제5 제어신호는 상기 제1 내지 제4 제어신호보다 듀티폭이 작은 것을 특징으로 한다.The fifth control signal may have a smaller duty width than the first to fourth control signals.

상기 스테이지는 동일 채널 타입의 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 한다.The stage is characterized by consisting of transistors of the same channel type.

상기 스테이지는 PMOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 한다.The stage is characterized by consisting of a PMOS transistor.

상기 제1 공급 전압 보다 상기 제2 공급 전압이 큰 것을 특징으로 한다.The second supply voltage is greater than the first supply voltage.

상기 제1 공급 전압은 부극성 전압인 것을 특징으로 한다.The first supply voltage is characterized in that the negative voltage.

상기 제1 내지 제3 제어 신호로는 서로 위상이 다르면서 동일한 주기로 특정 전압 상태를 갖는 제1 내지 제4 클럭 신호들 중 3개의 클럭 신호가 공급되는 것을 특징으로 한다.Three clock signals of the first to fourth clock signals having a specific voltage state at different phases and at the same period may be supplied to the first to third control signals.

상기 제3 제어 신호는 상기 제1 제어 신호보다 한 클럭만큼 위상 지연된 형태를 갖고, 상기 제2 제어 신호는 상기 제3 제어 신호보다 두 클럭만큼 위상 지연된 형태를 갖는 것을 특징으로 한다.The third control signal may have a phase delayed form by one clock than the first control signal, and the second control signal may have a phase delayed by two clocks than the third control signal.

상기 입력 신호는 상기 제1 제어 신호와 동위상을 갖는 부분을 포함하는 것을 특징으로 한다.The input signal may include a portion having an in phase with the first control signal.

상기 쉬프트 레지스터는 표시 장치의 스캔 라인들을 구동하는 스캔 드라이버와 표시 장치의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버 중 적어도 하나의 드라이버에 적용되는 것을 특징으로 한다.The shift register may be applied to at least one of a scan driver driving scan lines of a display device and a data driver driving data lines of a display device.

본 발명의 실시예에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터는 종속적으로 접속되고 입력 단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지들과, 상기 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압 레벨을 레벨 쉬프팅시켜 출력하는 다수의 레벨 쉬프터들을 구비하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에 있어서, 상기 스테이지 각각은 제1 및 제2 노드의 전압에 따라 제1 제어 신호와 제1 공급 전압을 이용하여 상기 쉬프트 펄스를 출력하는 버퍼부와; 상기 스타트 펄스와 상기 제2 노드의 전압에 따라 상기 제1 노드의 전압을 제어하는 제1 제어부와; 상기 스타트 펄스 및 제2 제어 신호에 따라 상기 제1 및 제2 공급 전압을 이용하여 상기 제2 노드의 전압을 제어하는 제2 제어부를 구비하고, 상기 레벨 쉬프터들 각각은 상기 제1 노드의 전압과 제3 제어 신호에 따라 제3 공급 전압과 상기 제1 공급 전압을 이용하여 제3 노드의 전압을 제어하는 제3 제어부와; 상기 제3 노드 전압이 적어도 1단계로 부트스트래핑되게 하고, 상기 적어도 1단계로 부트스트래핑된 제3 노드의 전압과 제4 제어 신호에 따라 상기 제1 및 제3 공급 전압을 선택적으로 출력하는 출력 버퍼부와, 상기 제1 내지 제4 제어 신호들과 듀티비가 상이한 제5 제어 신호에 따라 제3 노드 및 상기 출력 버퍼부의 출력라인에서 출력되는 출력 신호의 특정 전압 상태를 지연시키기 위한 제4 제어부를 구비한다.The shift register with a built-in level shifter according to an embodiment of the present invention is provided with a plurality of stages that are cascade-connected and sequentially output a shift pulse by shifting a start pulse input through an input terminal. A shift register having a level shifter having a plurality of level shifters for level shifting and outputting a voltage level of a shift pulse, wherein the stages each include a first control signal and a first supply according to voltages of the first and second nodes. A buffer unit for outputting the shift pulse using a voltage; A first control unit controlling the voltage of the first node according to the start pulse and the voltage of the second node; And a second controller configured to control the voltage of the second node by using the first and second supply voltages according to the start pulse and the second control signal, wherein each of the level shifters corresponds to a voltage of the first node. A third controller configured to control a voltage of a third node using a third supply voltage and the first supply voltage according to a third control signal; An output buffer which causes the third node voltage to be bootstraped in at least one step and selectively outputs the first and third supply voltages according to a voltage and a fourth control signal of the third node bootstrapped in the at least one step And a fourth controller for delaying a specific voltage state of an output signal output from an output line of the third node and the output buffer unit according to a fifth control signal having a different duty ratio from the first to fourth control signals. do.

상기 제1 제어부는 상기 스타트 펄스 및 상기 제1 노드 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제1 트랜지스터와, 상기 제1 트랜지스터의 출력 단자와 상기 제1 노드 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 제3 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제2 트랜지스터와, 상기 제1 노드와 상기 제1 공급 전압의 입력라인 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제3 트랜지스터를 구비한다.The first control unit includes a first transistor having a conductive passage between the start pulse and the first node, a control electrode controlling the conductive passage according to the start pulse, an output terminal of the first transistor, and the first transistor. A second transistor having a conductive passage between nodes and a control electrode for controlling the conductive passage according to a third control signal, a conductive passage between the first node and an input line of the first supply voltage, and a conductive passage thereof And a third transistor having a control electrode controlling the voltage according to the voltage of the second node.

상기 제2 제어부는 상기 제2 공급 전압 입력 라인과 상기 제2 노드 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 제2 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제4 트랜지스터와; 상기 제2 노드와 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제5 트랜지스터를 구비한다.The second control unit includes: a fourth transistor having a conductive passage between the second supply voltage input line and the second node and a control electrode controlling the conductive passage according to the second control signal; And a fifth transistor having a conductive passage between the second node and the first supply voltage input line and a control electrode controlling the conductive passage according to the start pulse.

상기 버퍼부는 상기 제1 제어 신호 입력 라인과 상기 스테이지의 출력 라인 사이의 도전통로와, 그 도전 통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제6 트랜지스터와; 상기 스테이지의 출력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제7 트랜지스터를 구비한다.The buffer unit includes a sixth transistor having a conductive path between the first control signal input line and an output line of the stage, and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; And a seventh transistor having a conductive passage between the output line of the stage and the first supply voltage input line, and a control electrode for controlling the conductive passage according to the voltage of the second node.

상기 버퍼부는 상기 제6 트랜지스터의 제어 전극과 상기 스테이지의 출력 라인 사이에 접속되어 그 제어 전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 캐패시터를 추가로 구비한다.The buffer unit further includes a capacitor connected between the control electrode of the sixth transistor and the output line of the stage to bootstrap the voltage of the control electrode.

상기 스테이지는 상기 제5 트랜지스터의 누설 전류로 인하여 상기 제2 노드의 전압왜곡을 방지하기 위한 캐패시터를 추가로 구비한다.The stage further includes a capacitor for preventing voltage distortion of the second node due to leakage current of the fifth transistor.

상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 노드에 게이트 전극이 공통으로 접속된 듀얼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The third transistor may include a dual gate transistor in which a gate electrode is commonly connected to the second node.

상기 제5 트랜지스터는 상기 제3 노드에 게이트 전극이 공통으로 접속된 듀얼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The fifth transistor may include a dual gate transistor in which a gate electrode is commonly connected to the third node.

상기 제3 제어부는 상기 제3 공급 전압의 입력 라인과 상기 제3 노드 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 스테이지의 출력 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 제8 트랜지스터와; 상기 제3 노드와 제1 공급 전압의 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제3 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 제9 및 제10 트랜지스터를 구비한다.The third controller includes: an eighth transistor having a conductive path between the input line of the third supply voltage and the third node and a control electrode controlling the conductive path according to an output signal of the stage; And a ninth and tenth transistor having a conductive path between the third node and an input line of the first supply voltage and a control electrode for controlling the conductive path according to the third control signal.

상기 출력 버퍼부는 상기 제3 공급 전압 입력 라인과 상기 제3 노드 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 제11 트랜지스터와; 상기 레벨 쉬프터의 출력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제4 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 제어 전극을 갖는 제12 트랜지스터를 구비한다.The output buffer unit includes an eleventh transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; And a twelfth transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the fourth control signal.

상기 레벨 쉬프터는 상기 제3 노드 및 레벨 쉬프터의 출력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제4 제어 신호에 따라 제어하는 제13 트랜지스터와; 상기 레벨 쉬프터의 출력 라인 및 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제3 제어 신호에 따라 제어하는 제14 트랜지스터와; 상기 제3 및 레벨 쉬프터의 출력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제15 트랜지스터와; 상기 레벨 쉬프터의 출력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제16 트랜지스터를 추가로 구비한다.The level shifter may include a conductive path between the third node and an output line of the level shifter, and a thirteenth transistor configured to control the conductive path according to the fourth control signal; A fourteenth transistor configured to control a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and the conductive path according to the third control signal; A fifteenth transistor for controlling a conductive path between the output lines of the third and level shifters and the conductive path according to the voltage of the second node; And a sixteenth transistor configured to control the conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and the conductive path according to the voltage of the second node.

상기 레벨 쉬프터는 상기 제3 공급 전압의 입력 라인과 상기 제8 트랜지스터 사이에 다이오드형으로 접속된 제17 트랜지스터를 추가로 구비한다.The level shifter further includes a seventeenth transistor diode-connected between the input line of the third supply voltage and the eighth transistor.

상기 출력 버퍼부는 상기 1단 부트스트래핑을 위하여 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력 라인 사이에 직렬로 연결된 캐패시터를 구비한다.The output buffer unit includes a capacitor connected in series between the third node and an output line of the level shifter for the first stage bootstrapping.

상기 제8 트랜지스터는 상기 제1 노드에 게이트 전극이 공통으로 접속된 듀얼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The eighth transistor may include a dual gate transistor having a gate electrode commonly connected to the first node.

상기 제4 제어부는 상기 제1 공급 전압 입력 라인과 상기 제3 노드 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 제5 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제17 트랜지스터와; 상기 제1 공급 전압 입력 라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력 라인 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 제5 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제18 트랜지스터를 구비한다.The fourth controller includes: a seventeenth transistor having a conductive passage between the first supply voltage input line and the third node and a control electrode controlling the conductive passage according to the fifth control signal; And an eighteenth transistor having a conductive passage between the first supply voltage input line and an output line of the level shifter and a control electrode for controlling the conductive passage in accordance with the fifth control signal.

상기 제5 제어신호는 상기 제1 내지 제4 제어신호보다 듀티폭이 작은 것을 특징으로 한다.The fifth control signal may have a smaller duty width than the first to fourth control signals.

상기 스테이지들과 레벨 쉬프터들은 동일타입 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 한다.The stages and level shifters may be constituted only by thin film transistors of the same type channel.

상기 제1 내지 제3 공급전압은 제3 < 제2 < 제1의 크기 관계를 갖는 특징으로 한다.The first to third supply voltages are characterized by having a third <second <first magnitude relationship.

상기 제3 공급 전압은 부극성 전압인 것을 특징으로 한다.The third supply voltage may be a negative voltage.

상기 제1 내지 제4 제어 신호는 제1, 제4, 제2, 제3 순으로 위상 지연된 특정 전압 상태를 갖고, 상기 제3 제어 신호는 상기 스타트 펄스와 동위상을 갖는 것을 특징으로 한다.The first to fourth control signals may have a specific voltage state which is phase-delayed in order of first, fourth, second, and third, and the third control signal may have an in phase with the start pulse.

상기 스테이지들과 레벨 쉬프터들은 P 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 한다. The stages and level shifters may be composed of only P-channel thin film transistors.

상기 레벨 쉬프터는 상기 쉬프트 펄스의 최저 전압 레벨을 상기 제3 공급 전압으로 다운시켜 출력하는 것을 특징으로 한다.The level shifter may be configured to lower the lowest voltage level of the shift pulse to the third supply voltage to output the shifted voltage.

상기 쉬프트 레지스터는 표시 장치의 스캔 라인들을 구동하는 스캔 드라이버와 표시 장치의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버 중 적어도 하나의 드라이버에 적용되는 것을 특징으로 한다.The shift register may be applied to at least one of a scan driver driving scan lines of a display device and a data driver driving data lines of a display device.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부한 도면들을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and advantages of the present invention in addition to the above object will become apparent from the description of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 5 내지 도 10를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 10.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 구성하는 한 스테이지의 상세 회로를 도시한 것이고, 도 6은 도 5에 도시된 스테이지의 입출력 파형을 도시한 것이다.FIG. 5 shows a detailed circuit of one stage constituting the shift register according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 6 shows input / output waveforms of the stage shown in FIG.

도 5에 도시된 스테이지(ST)는 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭 신호(C4)에 따라 Q노드를 제어하는 제1 제어부(142)와, 제3 클럭 신호(C3) 및 스타트 펄스(SP)에 따라 QB노드를 제어하는 제2 제어부(144)와, Q노드 및 QB노드의 전압에 따라 제1 클럭신호(C1) 및 제1 공급 전압(VSS) 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 버퍼부(146)와, 인터 클럭(Inter_CLK)에 따라 출력 신호의 특정 전압 상태를 지연시키기 위한 제3 제어부(148)를 구비한다.The stage ST shown in FIG. 5 includes a first control unit 142 for controlling the Q node according to the start pulse SP and the fourth clock signal C4, and a third clock signal C3 and the start pulse SP. A second control unit 144 for controlling the QB node and a buffer for selecting and outputting any one of the first clock signal C1 and the first supply voltage VSS according to the voltages of the Q node and the QB node. And a third controller 148 for delaying a specific voltage state of the output signal according to the inter clock Inter_CLK.

제1 제어부(142)는 스타트 펄스(SP) 입력 라인에 다이오드형으로 접속된 제11 PMOS 트랜지스터(T11)와, 제11 PMOS 트랜지스터(T11)와 제4 클럭 신호(C4) 입력 라인 및 Q 노드 사이에 접속된 제12 PMOS 트랜지스터(T12)를 구비한다. 그리고, 제1 제어부(142)는 Q노드 및 QB노드와 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속되어 제17 PMOS 트랜지스터(T17)와 듀얼 동작으로 Q노드를 제어하는 제13A 및 제13B PMOS 트랜지스터(T13A, T13B)를 더 구비한다. 여기서, 제13A 및 제13B PMOS 트랜지스터(T13A, T13B)는 듀얼 게이트 구조를 가짐으로써 문턱 전압(Vth)이 높아지게 하여 누설 전류를 최소화한다.The first control unit 142 may include an eleventh PMOS transistor T11 diode-connected to the start pulse SP input line, between the eleventh PMOS transistor T11, the fourth clock signal C4 input line, and the Q node. And a twelfth PMOS transistor T12 connected to it. The first controller 142 is connected between the Q node and the QB node and the first supply voltage VSS input line to control the Q node in dual operation with the seventeenth PMOS transistor T17. The transistors T13A and T13B are further provided. Here, the thirteenth and thirteenth PMOS transistors T13A and T13B have a dual gate structure, thereby increasing the threshold voltage Vth to minimize leakage current.

제2 제어부(144)는 제2 공급 전압(VDD) 입력 라인과 제3 클럭 신호(C3) 입력 라인 및 QB노드 사이에 접속된 제14 PMOS 트랜지스터(T14)와, 제14 PMOS 트랜지스터(T14)와 스타트 펄스(SP) 입력 라인 및 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된 제15A 및 제15B PMOS 트랜지스터(T15A, T15B)를 구비한다. 여기서, 제15A 및 제15B PMOS 트랜지스터(T15A, T15B)는 듀얼 게이트 구조를 가짐으로써 문턱 전압(Vth)이 높아지게 하여 누설 전류를 최소화한다.The second controller 144 may include a fourteenth PMOS transistor T14 connected between a second supply voltage VDD input line, a third clock signal C3 input line, and a QB node, and a fourteenth PMOS transistor T14. 15A and 15B PMOS transistors T15A and T15B connected between the start pulse SP input line and the first supply voltage VSS input line. Here, the 15A and 15B PMOS transistors T15A and T15B have a dual gate structure, thereby increasing the threshold voltage Vth to minimize leakage current.

버퍼부(146)는 Q노드의 전압에 따라 제1 클럭 신호(C1)를 선택하여 출력 라인으로 공급하는 제16 PMOS 트랜지스터(T16)와, QB노드의 전압에 따라 제1 공급 전압(VSS)을 선택하여 출력 라인으로 공급하는 제17 PMOS 트랜지스터(T17)를 구비한다.The buffer unit 146 selects the first clock signal C1 according to the voltage of the Q node and supplies the sixteenth PMOS transistor T16 to the output line and the first supply voltage VSS according to the voltage of the QB node. And a seventeenth PMOS transistor (T17) for selection and supply to an output line.

제3 제어부(148)는 출력신호의 특정 전압 상태를 지연시키기 위해 인터 클럭(Inter_CLK) 신호에 따라 제1 공급전압(VSS)을 출력 라인으로 공급하는 제18 PMOS 트랜지스터(T18)를 구비한다. 여기서, 인터 클럭(Inter_CLL)은 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)보다 듀티비가 작게 설정된다.The third controller 148 includes an eighteenth PMOS transistor T18 for supplying the first supply voltage VSS to the output line according to the inter clock Inter_CLK signal to delay a specific voltage state of the output signal. Here, the inter clock Inter_CLL is set to have a smaller duty ratio than the first to fourth clock signals C1 to C4.

그리고, 스테이지(ST)는 제16 PMOS 트랜지스터(T16)의 게이트 단자와 소스 단자 사이, 즉 Q노드와 출력 라인 사이에 접속된 제11 캐패시터(CB)와, Q노드와 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된 제12 캐패시터(CQ)와, 제17 PMOS 트랜지스터(T17)의 게이트 단자와 소스 단자 사이, 즉 QB노드와 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된 제13 캐패시터(CQB)를 더 구비한다. 여기서, 제11 캐패시터(CB)는 특정 기간에서 Q노드의 전압이 부트스트래핑(Bootstrapping)되어 상승되게 하고, 제12 및 제13 캐패시터(CQ, CQB) 각각은 Q노드 및 QB노드의 잡음 성분을 바이패스시키게 된다.The stage ST includes an eleventh capacitor CB connected between the gate terminal and the source terminal of the sixteenth PMOS transistor T16, that is, between the Q node and the output line, and the Q node and the first supply voltage VSS. A thirteenth capacitor CQ connected between the input lines and a thirteenth capacitor CQ connected between the gate terminal and the source terminal of the seventeenth PMOS transistor T17, that is, between the QB node and the first supply voltage VSS input line CQB) is further provided. Herein, the eleventh capacitor CB causes the voltage of the Q node to be bootstrapping and rises in a specific period, and each of the twelfth and thirteenth capacitors CQ and CQB shares the noise components of the Q node and the QB node. Passed.

이러한 스테이지를 구성하는 제11 내지 제18 트랜지스터(T11 내지 T18)로는 PMOS 또는 NMOS 트랜지스터를 이용한다. 이하에서는 설명의 편의상 PMOS 트랜지스터가 적용된 경우만을 예로 들어 설명하기로 한다. As the eleventh to eighteenth transistors T11 to T18 constituting such a stage, a PMOS or NMOS transistor is used. Hereinafter, for convenience of description, only the case where the PMOS transistor is applied will be described as an example.

그리고, 도 5에 도시된 스테이지는 도 6에 도시된 바와 같이 C4, C1, C2, C3 순으로 위상 지연된 형태를 갖는 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4) 중 C1, C3, C4를 제어 신호로 입력받는다. 도 6에 있어서, 스타트 펄스(SP)를 포함하여 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)는 10V 이상의 스윙 전압을 가지는 부극성 타입으로 공급된다. 그리고, 설명상의 편의를 위하여 10V의 전위를 로우 상태로, 0V의 전위를 하이 상태로 가정하여 설명하기로 한다. 또한, 스테이지에 공급되는 제1 공급 전압(VSS)으로 공급되는 약 10V를 로우 상태로, 제2 공급 전압(VDD)으로 공급되는 약 0V를 하이 상태로 가정하기로 한다. 이러한 구동 파형을 참조하여 스테이지의 구체적인 동작을 살펴보면 다음과 같다.The stage shown in FIG. 5 controls C1, C3, and C4 of the first to fourth clock signals C1 to C4 having a phase delayed form in order of C4, C1, C2, and C3 as shown in FIG. It is input as a signal. In FIG. 6, the first to fourth clock signals C1 to C4 including the start pulse SP are supplied in a negative polarity type having a swing voltage of 10 V or more. For convenience of explanation, a description will be given on the assumption that the potential of 10V is low and the potential of 0V is high. In addition, it is assumed that about 10V supplied to the first supply voltage VSS supplied to the stage is low and about 0V supplied to the second supply voltage VDD is high. Referring to these driving waveforms, the specific operation of the stage is as follows.

t1 기간에서 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭 신호(C4)가 동시에 하이 상태가 되면 제11 및 제12 PMOS 트랜지스터(T11, T12)가 턴-온되어 Q노드는 제1 하이 상태(H1)가 된다. 이에 따라, Q노드에 게이트 단자가 접속된 제16 PMOS 트랜지스터(T16)는 서서히 턴-온된다. 이 때, 스타트 펄스(SP)가 하이 상태이므로 제15A 및 제15B PMOS 트랜지스터(T15A, T15B)가 턴-온되고, QB노드는 제1 공급 전압(VSS)에 의해 로우 상태가 되므로 그 QB노드에 게이트 단자가 접속된 제13A 및 제13B PMOS 트랜지스터(T13A, T13B)와 제17 PMOS 트랜지스터(1T7)는 턴-오프된다. 이 결과, 턴-온된 제16 PMOS 트랜지스터(T16)를 통해 제1 클럭 신호(C1)의 로우 상태 전압(약 17V)이 제1 스테이지(ST1)의 출력 신호(SO1)로 출력된다.When the start pulse SP and the fourth clock signal C4 become high at the same time in the t1 period, the eleventh and twelfth PMOS transistors T11 and T12 are turned on so that the Q node has the first high state H1. do. As a result, the sixteenth PMOS transistor T16 having the gate terminal connected to the Q node is gradually turned on. At this time, since the start pulse SP is in a high state, the 15A and 15B PMOS transistors T15A and T15B are turned on, and the QB node is turned low by the first supply voltage VSS. The thirteenth and thirteenth PMOS transistors T13A and T13B and the seventeenth PMOS transistor 1T7 to which the gate terminals are connected are turned off. As a result, the low state voltage (about 17 V) of the first clock signal C1 is output as the output signal SO1 of the first stage ST1 through the turned-on sixteenth PMOS transistor T16.

t2 기간에서 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭 신호(C4)가 로우 상태가 되고 제1 클럭 신호(C1)가 하이 상태가 됨으로써 제11 및 제12 PMOS 트랜지스터(T11, T12)는 턴-오프되고 제16 PMOS 트랜지스터(T16)는 확실한 턴-온 상태가 된다. 이는 플로팅 상태가 된 Q노드가 제16 PMOS 트랜지스터(T16)의 게이트와 소오스 사이에 형성된 내부 캐패시터(Cgs)와 제1 캐패시터(CB)의 영향으로 제1 클럭 신호(C1)의 하이 상태 전압에 따라 부트스트래핑(Bootstrapping)되어 상기 제1 하이 상태(H1) 보다 높은 제2 하이 상태(H2)가 되기 때문이다. 이렇게 제16 PMOS 트랜지스터(T16)가 확실하게 턴-온됨으로써 제1 클럭 신호(C1)의 하이 상태의 전압(약 0V)이 스테이지(ST1)의 출력 라인에 빠르게 공급된다. 이 때, 인터 클럭(Inter_CKL) 신호는 제1 클럭 신호(C1)가 하이 상태가 될 때 동시에 일정 기간 동안 하이 상태가 된다. 이에 따라, 제18 PMOS 트랜지스터(T18)가 턴-온된다. 이 결과, 턴-온된 제18 PMOS 트랜지스터(T18)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 인터 클럭(Inter_CLK) 신호가 하이 상태인 동안 제1 스테이지(ST1)의 출력 라인에 공급된다. 이러한 제1 공급 전압(VSS)은 제1 클럭 신호(C1)가 하이 상태가 되더라도 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 제1 스테이지(ST1)의 출력 라인에 공급된다. 이에 따라, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 제1 스테이지(ST1)의 출력 라인은 로우 전압을 계속 유지하게 된다. 이 후, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 로우 상태가 되면 제1 클럭 신호(C1)의 하이 상태의 전압(약 0V)이 제1 스테이지(ST1)의 출력 라인에 빠르게 공급되어 제1 스테이지(ST1)는 제1 출력 신호(SO1)를 출력하게 된다. 이 결과, 제1 스테이지(ST1)는 하이 상태의 출력 신호(SO1)를 출력하게 된다.During the t2 period, the start pulse SP and the fourth clock signal C4 go low and the first clock signal C1 goes high, thereby turning the eleventh and twelfth PMOS transistors T11 and T12 off. The sixteenth PMOS transistor T16 is turned on. The Q node in the floating state is influenced by the high state voltage of the first clock signal C1 due to the influence of the internal capacitor Cgs and the first capacitor CB formed between the gate and the source of the sixteenth PMOS transistor T16. This is because the bootstrapping is performed so that the second high state H2 is higher than the first high state H1. Thus, the sixteenth PMOS transistor T16 is reliably turned on so that the high voltage (about 0 V) of the first clock signal C1 is rapidly supplied to the output line of the stage ST1. At this time, the inter clock Inter_CKL signal becomes high for a predetermined period at the same time when the first clock signal C1 becomes high. Accordingly, the eighteenth PMOS transistor T18 is turned on. As a result, the first supply voltage VSS is supplied to the output line of the first stage ST1 while the inter clock Inter_CLK signal is high through the turned-on eighteenth PMOS transistor T18. The first supply voltage VSS is supplied to an output line of the first stage ST1 while the inter clock signal Inter_CLK is in a high state even when the first clock signal C1 is in a high state. Accordingly, the output line of the first stage ST1 maintains the low voltage while the inter clock signal Inter_CLK is high. Subsequently, when the inter clock signal Inter_CLK becomes low, the high voltage (about 0 V) of the first clock signal C1 is rapidly supplied to the output line of the first stage ST1, and thus the first stage ST1. Outputs the first output signal SO1. As a result, the first stage ST1 outputs the output signal SO1 in the high state.

t3 기간에서 제1 클럭 신호(C1)가 로우 상태가 되고 제2 클럭 신호(C2)가 하이 상태가 됨으로써 플로팅 상태의 Q노드의 전압은 다시 제1 하이 상태로 천이되고 제16 PMOS 트랜지스터(T16)는 턴-온 상태를 유지한다. 이에 따라, 턴-온된 제16 PMOS 트랜지스터(T16)를 통해 제1 클럭 신호(C1)의 로우 상태 전압(약 17V)을 제1 스테이지(ST1)는 출력 신호(SO1)로 출력된다. 한편, t3 기간에 제2 스테이지(ST2)는 t2 기간에 이루어지는 제1 스테이지(ST1)의 동작을 하게 된다. 이에 따라, 제2 클럭 신호(C2)가 하이 상태가 될 때 인터 클럭 신호(Inter_CLK)도 동시에 일정 기간 동안 하이 상태가 됨으로써 제18 PMOS 트랜지스터(T18)가 턴-온된다. 이 결과, 턴-온된 제18 PMOS 트랜지스터(T18)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 인터 클럭(Inter_CLK) 신호가 하이 상태인 동안 제2 스테이지(ST2)의 출력 라인에 공급된다. 이러한 제1 공급 전압(VSS)은 제2 클럭 신호(C2)가 하이 상태가 되더라도 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 제2 스테이지(ST2)의 출력 라인에 공급된다. 이에 따라, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 제2 스테이지(ST2)의 출력 라인은 로우 전압을 계속 유지하게 된다. 이 후, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 로우 상태가 되면 제2 클럭 신호(C2)의 하이 상태의 전압(약 0V)이 제2 스테이지(ST2)의 출력 라인에 빠르게 공급되어 제2 스테이지(ST2)는 제2 출력 신호(SO2)를 출력하게 된다. 이러한 제2 출력 신호(SO2)는 제1 출력 신호(SO1)가 출력된 후 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안만큼 이격되어 출력된다.In the t3 period, the first clock signal C1 goes low and the second clock signal C2 goes high, whereby the voltage of the Q node in the floating state transitions back to the first high state and the sixteenth PMOS transistor T16. Remains turned on. Accordingly, the low state voltage (about 17V) of the first clock signal C1 is output as the output signal SO1 through the turned-on sixteenth PMOS transistor T16. On the other hand, in the t3 period, the second stage ST2 operates the first stage ST1 in the t2 period. Accordingly, when the second clock signal C2 is in the high state, the inter clock signal Inter_CLK is also in the high state for a predetermined period of time, thereby turning on the eighteenth PMOS transistor T18. As a result, the first supply voltage VSS is supplied to the output line of the second stage ST2 while the inter clock Inter_CLK signal is high through the turned-on eighteenth PMOS transistor T18. The first supply voltage VSS is supplied to the output line of the second stage ST2 while the inter clock signal Inter_CLK is in a high state even when the second clock signal C2 is in a high state. Accordingly, the output line of the second stage ST2 maintains the low voltage while the inter clock signal Inter_CLK is high. Subsequently, when the inter clock signal Inter_CLK becomes low, the high voltage (about 0 V) of the second clock signal C2 is rapidly supplied to the output line of the second stage ST2, and the second stage ST2 Outputs the second output signal SO2. The second output signal SO2 is output by being spaced apart as long as the inter clock signal Inter_CLK is high after the first output signal SO1 is output.

t4 기간에서 제3 클럭 신호(C3)가 하이 상태가 되어 제14 PMOS 트랜지스터(T14)가 턴-온됨으로써 QB노드엔 제2 공급 전압(VDD)인 하이 상태의 전압(약 0V)이 공급된다. 이에 따라, 제13A 및 제13B PMOS 트랜지스터(T13A,T13B)와 제17 PMOS 트랜지스터(T17)가 동시에 턴-온된다. 턴-온된 제13A 및 제13B PMOS 트랜지스터(T13A,T13B)를 경유하여 로우 상태의 제1 공급 전압(VSS)이 Q노드에 공급되므로 제16 PMOS 트랜지스터(T16)는 턴-오프된다. 그리고, 턴-온된 제17 PMOS 트랜지스터(T17)를 경유하여 로우 상태의 제1 공급 전압(VSS)이 제1 스테이지(ST1)의 출력 신호(SO1)로 출력된다. 한편, t4 기간에 제3 스테이지(ST3)는 t3 기간에 이루어지는 제2 스테이지(ST2)의 동작을 하게 된다. 이에 따라, 제3 클럭 신호(C3)가 하이 상태가 될 때 인터 클럭 신호(Inter_CLK)도 동시에 일정 기간 동안 하이 상태가 됨으로써 제18 PMOS 트랜지스터(T18)가 턴-온된다. 이 결과, 턴-온된 제18 PMOS 트랜지스터(T18)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 인터 클럭(Inter_CLK) 신호가 하이 상태인 동안 제3 스테이지(ST3)의 출력 라인에 공급된다. 이러한 제1 공급 전압(VSS)은 제3 클럭 신호(C3)가 하이 상태가 되더라도 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 제3 스테이지(ST3)의 출력 라인에 공급된다. 이에 따라, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 제3 스테이지(ST3)의 출력 라인은 로우 전압을 계속 유지하게 된다. 이 후, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 로우 상태가 되면 제3 클럭 신호(C3)의 하이 상태의 전압(약 0V)이 제3 스테이지(ST3)의 출력 라인에 빠르게 공급되어 제3 스테이지(ST3)는 제3 출력 신호(SO3)를 출력하게 된다. 이러한 제3 출력 신호(SO3)는 제2 출력 신호(SO2)가 출력된 후 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안만큼 이격되어 출력된다.In the t4 period, the third clock signal C3 is turned high and the fourteenth PMOS transistor T14 is turned on so that the QB node is supplied with a high voltage (about 0 V), which is the second supply voltage VDD. Accordingly, the thirteenth and thirteenth PMOS transistors T13A and T13B and the seventeenth PMOS transistor T17 are simultaneously turned on. The sixteenth PMOS transistor T16 is turned off because the first supply voltage VSS in a low state is supplied to the Q node via the turned-on 13A and 13B PMOS transistors T13A and T13B. The first supply voltage VSS in the low state is output as the output signal SO1 of the first stage ST1 via the turned-on seventeenth PMOS transistor T17. On the other hand, in the t4 period, the third stage ST3 performs the operation of the second stage ST2 performed in the t3 period. Accordingly, when the third clock signal C3 becomes high, the inter clock signal Inter_CLK also becomes high for a predetermined period of time, thereby turning on the eighteenth PMOS transistor T18. As a result, the first supply voltage VSS is supplied to the output line of the third stage ST3 while the inter clock Inter_CLK signal is high through the turned-on eighteenth PMOS transistor T18. The first supply voltage VSS is supplied to the output line of the third stage ST3 while the inter clock signal Inter_CLK is in a high state even when the third clock signal C3 is in a high state. Accordingly, the output line of the third stage ST3 maintains the low voltage while the inter clock signal Inter_CLK is high. Subsequently, when the inter clock signal Inter_CLK becomes low, the high voltage (about 0 V) of the third clock signal C3 is rapidly supplied to the output line of the third stage ST3, and thus the third stage ST3. Outputs a third output signal SO3. The third output signal SO3 is output by being spaced apart as long as the inter clock signal Inter_CLK is high after the second output signal SO2 is output.

t5 기간에서 제4 클럭 신호(C4)만 하이 상태가 됨으로써 제12 트랜지스터(T12)가 턴-온되고 제11, 제14, 제15A 및 제15B PMOS 트랜지스터(T11, T14, T15A, T15B)는 턴-오프 상태를 유지하므로 QB노드는 플로팅되어 이전의 하이 상태를 유지한다. 이에 따라, 전술한 t4 기간과 같이 제13 및 제17 PMOS 트랜지스터(T13, T17)는 턴-온 상태를 유지하므로 제1 스테이지(ST1)의 출력 신호(SO1)는 로우 상태를 유지하게 된다. 한편, t5 기간에 제4 스테이지(ST4)는 t4 기간에 이루어지는 제3 스테이지(ST3)의 동작을 하게 된다. 이에 따라, 제4 클럭 신호(C4)가 하이 상태가 될 때 인터 클럭 신호(Inter_CLK)도 동시에 일정 기간 동안 하이 상태가 됨으로써 제18 PMOS 트랜지스터(T18)가 턴-온된다. 이 결과, 턴-온된 제18 PMOS 트랜지스터(T18)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 인터 클럭(Inter_CLK) 신호가 하이 상태인 동안 제4 스테이지(ST4)의 출력 라인에 공급된다. 이러한 제1 공급 전압(VSS)은 제4 클럭 신호(C4)가 하이 상태가 되더라도 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 제4 스테이지(ST4)의 출력 라인에 공급된다. 이에 따라, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 제4 스테이지(ST4)의 출력 라인은 로우 전압을 계속 유지하게 된다. 이 후, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 로우 상태가 되면 제4 클럭 신호(C4)의 하이 상태의 전압(약 0V)이 제4 스테이지(ST4)의 출력 라인에 빠르게 공급되어 제4 스테이지(ST4)는 제4 출력 신호(SO4)를 출력하게 된다. 이러한 제4 출력 신호(SO4)는 제3 출력 신호(SO3)가 출력된 후 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안만큼 이격되어 출력된다.In the t5 period, only the fourth clock signal C4 becomes high, thereby turning on the twelfth transistor T12 and turning on the eleventh, fourteenth, fifteenA, and fifteenth PMOS transistors T11, T14, T15A, and T15B. Because it remains off, the QB node floats to maintain the previous high state. Accordingly, since the thirteenth and seventeenth PMOS transistors T13 and T17 maintain the turn-on state as in the t4 period, the output signal SO1 of the first stage ST1 remains low. On the other hand, in the t5 period, the fourth stage ST4 operates the third stage ST3 performed in the t4 period. Accordingly, when the fourth clock signal C4 is in the high state, the inter clock signal Inter_CLK is also in the high state for a predetermined period of time, thereby turning on the eighteenth PMOS transistor T18. As a result, the first supply voltage VSS is supplied to the output line of the fourth stage ST4 while the inter clock Inter_CLK signal is high through the turned-on eighteenth PMOS transistor T18. The first supply voltage VSS is supplied to the output line of the fourth stage ST4 while the inter clock signal Inter_CLK is in a high state even when the fourth clock signal C4 is in a high state. Accordingly, the output line of the fourth stage ST4 maintains the low voltage while the inter clock signal Inter_CLK is high. Subsequently, when the inter clock signal Inter_CLK becomes low, the high voltage (about 0 V) of the fourth clock signal C4 is rapidly supplied to the output line of the fourth stage ST4, and thus the fourth stage ST4. Outputs a fourth output signal SO4. The fourth output signal SO4 is output by being spaced apart as long as the inter clock signal Inter_CLK is high after the third output signal SO3 is output.

이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 구성하는 스테이지들은 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)가 로우 상태에서 하이 상태로 바뀔 때 동시에 인턴 클럭 신호(Inter_CLK)를 일정기간동안 공급하여 제18 PMOS 트랜지스터(T18)을 턴-온 시킴으로써 인턴 클럭 신호(Inter_CLK)가 공급되는 일정기간동안 출력 신호들을 이격시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 출력 신호들의 오버랩(Overlap)을 방지하여 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, the stages constituting the shift register according to the first embodiment of the present invention simultaneously receive the intern clock signal Inter_CLK when the first to fourth clock signals C1 to C4 change from a low state to a high state. By turning on the eighteenth PMOS transistor T18, the output signals may be spaced apart for a predetermined period of time when the intern clock signal Inter_CLK is supplied. Accordingly, overlapping of output signals may be prevented to prevent deterioration of image quality.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터의 상세 회로 구성을 도시한 것으로, 쉬프트 레지스터 회로 중 하나의 스테이지(ST)와 레벨 쉬프터(LS)를 도시한 것이다. FIG. 7 shows a detailed circuit configuration of a shift register incorporating a level shifter according to a second embodiment of the present invention, and shows one stage ST and level shifter LS of the shift register circuit.

도 7에 도시된 스테이지(ST)는 스타트 펄스(SP) 입력 라인에 다이오드형으로 제21 PMOS 트랜지스터(T21)와, 제21 PMOS 트랜지스터(T21)와 제4 클럭 신호(C4) 입력 라인 및 Q노드 사이에 접속된 제22 PMOS 트랜지스터(T22)와, Q노드 및 QB노드와 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된 제23A 및 제23B PMOS 트랜지스터(T23A, T23B)를 구비하는 제1 제어부(242)와; 제2 공급 전압(VDD) 입력 라인과 제3 클럭 신호(C3) 입력 라인 및 QB노드 사이에 접속된 제24 PMOS 트랜지스터(T24)와, 제24 PMOS 트랜지스터(T24)와 스타트 펄스(SP) 입력라인 및 제1 공급전압(VSS) 입력라인 사이에 접속된 제25A 및 제25B PMOS 트랜지스터(T25A, T25B)를 구비하는 제2 제어부(244)와; Q노드의 전압에 따라 제1 클럭 신호(C1)를 선택하여 출력 라인으로 공급하는 제26 PMOS 트랜지스터(T26)와, QB노드의 전압에 따라 제1 공급 전압(VSS)을 선택하여 출력 라인으로 공급하는 제27 PMOS 트랜지스터(T27)를 구비하는 버퍼부(246)로 구성된다. 그리고, 스테이지(ST)는 제26 PMOS 트랜지스터(T26)의 게이트단자와 소스단자 사이, 즉 Q노드와 스테이지(ST)의 출력 라인(SO) 사이에 접속된 제21 캐패시터(CB)와, Q노드와 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된 제22 캐패시터(CQ)와, 제27 PMOS 트랜지스터(T27)의 게이트 단자와 소스 단자 사이, 즉 QB노드와 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된 제23 캐패시터(CQB)를 더 구비한다.The stage ST shown in FIG. 7 is a diode type in the start pulse SP input line, and the 21st PMOS transistor T21, the 21st PMOS transistor T21, the fourth clock signal C4 input line, and the Q node. First control section including a twenty-second PMOS transistor T22 connected therebetween, and a twenty-third and twenty-third BMOS transistors T23A and T23B connected between a Q node and a QB node and a first supply voltage VSS input line. 242; 24 th PMOS transistor T24, 24 th PMOS transistor T24, and start pulse SP input line connected between the second supply voltage VDD input line, the third clock signal C3 input line, and the QB node. And a second control unit 244 including 25A and 25B PMOS transistors T25A and T25B connected between a first supply voltage VSS input line; The 26th PMOS transistor T26 selects and supplies the first clock signal C1 to the output line according to the voltage of the Q node, and the first supply voltage VSS is selected and supplied to the output line according to the voltage of the QB node. And a buffer unit 246 having a twenty-seventh PMOS transistor T27. The stage ST includes a twenty-first capacitor CB connected between a gate terminal and a source terminal of the twenty-sixth PMOS transistor T26, that is, a Q node and an output line SO of the stage ST, and a Q node. And a twenty-second capacitor CQ connected between the first and second supply voltage VSS input lines, and a gate terminal and a source terminal of the twenty-seventh PMOS transistor T27, that is, a QB node and a first supply voltage VSS input line. A twenty-third capacitor CQB is further provided.

레벨 쉬프터(LS)는 스테이지(ST) Q 노드와 스타트 펄스(SP)(또는 전단 스테이지의 출력 신호)에 따라 QL 노드를 제어하는 제3 제어부(252)와, QL 노드의 전압 및 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음 스테이지의 출력 신호)에 따라 부극성 전압(VNEG) 및 제1 공급 전압(VSS) 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 출력 버퍼부(256)를 구비한다.The level shifter LS includes a third control unit 252 for controlling the QL node according to the stage ST node Q and the start pulse SP (or an output signal of the preceding stage), the voltage of the QL node and the second clock signal. And an output buffer unit 256 for selecting and outputting any one of the negative voltage VNEG and the first supply voltage VSS according to (C2) (or the output signal of the next stage).

제3 제어부(252)는 스테이지(ST) Q 노드의 전압과 스타트 펄스(SP)(또는 전단 스테이지의 출력 신호)에 따라 QL노드를 충방전시킴으로써 출력 버퍼부(256)가 부극성 전압(VNEG) 또는 제1 공급 전압(VSS)을 출력하게 한다. 이를 위하여, 제3 제어부(252)는 부극성 전압(VNEG) 공급 라인과 스테이지(ST)의 Q 노드 및 QL노드 사이에 접속된 제28A 및 제28B PMOS 트랜지스터(T28A, T28B)와, QL노드와 스타트 펄스(SP)(또는 전단 스테이지의 출력 신호) 입력 라인 사이에 접속된 제29 PMOS 트랜지스터(T29)와, 스타트 펄스(SP)(또는 전단 스테이지의 출력 신호) 입력 라인 및 제1 공급 전압(VSS) 사이에 접속된 제30 PMOS 트랜지스터(T30)를 구비한다. 여기서, 제28A 및 제28B PMOS 트랜지스터(T28A, T28B)는 듀얼 게이트 구조를 가짐으로써 문턱 전압(Vth)이 높아지게 하여 누설 전류를 최소화한다.The third controller 252 charges and discharges the QL node according to the voltage of the stage ST node Q and the start pulse SP (or an output signal of the preceding stage), thereby outputting the output buffer unit 256 to the negative voltage VNEG. Or outputting the first supply voltage VSS. To this end, the third control unit 252 is connected to the 28th and 28B PMOS transistors T28A and T28B connected between the negative voltage VNEG supply line and the Q node and the QL node of the stage ST, and the QL node. The 29th PMOS transistor T29 connected between the start pulse SP (or output signal of the preceding stage) input line, the start pulse SP (or output signal of the preceding stage) input line and the first supply voltage VSS. ) Is provided with a thirtieth PMOS transistor (T30). Here, the 28th and 28B PMOS transistors T28A and T28B have a dual gate structure, thereby increasing the threshold voltage Vth to minimize leakage current.

출력 버퍼부(256)는 QL 노드의 전압에 따라 부트스트래핑을 이용하여 부극성 공급 전압(VNEG)을 레벨 쉬프터(LS) 출력 라인으로 공급하는 제31 PMOS 트랜지스터(T31)와, 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음단 스테이지의 출력 신호)에 따라 제1 공급 전압(VSS)을 레벨 쉬프터(LS)의 출력 라인으로 제32 PMOS 트랜지스터(T32)를 구비한다. 특히, 출력 버퍼부(256)는 부트스트래핑을 이용하기 위하여 제31 PMOS 트랜지스터(T31)의 게이트 단자와 소스 단자 사이에 접속된 제24 캐패시터(CL)를 구비한다. The output buffer unit 256 uses a bootstrapping according to the voltage of the QL node to supply the negative supply voltage VNEG to the level shifter LS output line, and the second clock signal T31. According to C2) (or the output signal of the next stage), the first supply voltage VSS is provided as the output line of the level shifter LS, and the thirty-second PMOS transistor T32 is provided. In particular, the output buffer unit 256 includes a twenty-fourth capacitor CL connected between the gate terminal and the source terminal of the thirty-first PMOS transistor T31 to use bootstrapping.

그리고, 레벨 쉬프터(LS)는 출력 신호(LO)의 왜곡을 방지하기 위하여 제33 내지 제37 PMOS 트랜지스터(T33 내지 T37)를 더 구비한다.The level shifter LS further includes thirty-third to thirty-seventh PMOS transistors T33 to T37 to prevent distortion of the output signal LO.

구체적으로, 제33 PMOS 트랜지스터(T33)는 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음단 스테이지의 출력 신호)에 응답하여 QL 노드를 제어한다. 이를 위하여, 제33 PMOS 트랜지스터(T33)는 QL 노드와 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음단 스테이지의 출력 신호) 입력 라인 사이에 접속된다.Specifically, the 33rd PMOS transistor T33 controls the QL node in response to the second clock signal C2 (or an output signal of the next stage). For this purpose, the thirty-third PMOS transistor T33 is connected between the QL node and the second clock signal C2 (or the output signal of the next stage).

제34 PMOS 트랜지스터(T34)는 레벨 쉬프터(LS) 출력 라인과 스타트 펄스(SP) 및 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된다.The thirty-fourth PMOS transistor T34 is connected between a level shifter LS output line and a start pulse SP and a first supply voltage VSS input line.

제35 PMOS 트랜지스터(T35)는 QB 노드의 전압에 응답하여 QL 노드를 제어한다. 이를 위하여, 제35 PMOS 트랜지스터(T35)는 QL 노드와 QB 노드 사이에 접속된다.The 35 th PMOS transistor T35 controls the QL node in response to the voltage of the QB node. For this purpose, the 35 th PMOS transistor T35 is connected between the QL node and the QB node.

제36 PMOS 트랜지스터(T36)는 레벨 쉬프터(LS) 출력 라인을 방전을 위하여 그 출력 라인과 QB 노드 및 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된다.The 36th PMOS transistor T36 is connected between the output line and the QB node and the first supply voltage VSS input line to discharge the level shifter LS output line.

또한, 제37 PMOS 트랜지스터(T37)는 제28A 및 제28B 트랜지스터(T28A, T28B)의 누설 전류를 방지하기 위하여 부극성 전압(VNEG) 입력라인과 제28A PMOS 트랜지스터(T28A)의 소스단자와 사이에 다이오드형으로 접속된다.In addition, the 37th PMOS transistor T37 is disposed between the negative voltage VNEG input line and the source terminal of the 28th PMOS transistor T28A to prevent leakage currents of the 28th and 28B transistors T28A and T28B. It is connected in a diode type.

이러한 구성을 가지는 스테이지(ST)와 레벨 쉬프터(LS)에는 도 8에 도시된 바와 같이 순차적으로 한 클럭 만큼씩 위상지연되는 형태를 가지는 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)가 공급된다. 여기서, 제4 클럭 신호(C4)는 스타트 펄스(SP)와 동기된 위상을 갖는다. 스타트 펄스(SP)를 포함하여 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)는 10V 이하의 스윙 전압을 가지는 부극성 타입으로 공급된다. 특히, 여기서는 10V의 전위를 로우 상태로, 0V의 전위를 하이 상태로 가정한다. 이러한 구동파형을 참조하여 스테이지(ST)와 레벨 쉬프터(LS)의 동작을 살펴보면 다음과 같다.As illustrated in FIG. 8, the stages ST and the level shifters LS having the above configuration are supplied with the first to fourth clock signals C1 to C4 having a phase delayed by one clock. Here, the fourth clock signal C4 has a phase synchronized with the start pulse SP. The first to fourth clock signals C1 to C4 including the start pulse SP are supplied in a negative type having a swing voltage of 10 V or less. In particular, it is assumed here that the potential of 10 V is low and the potential of 0 V is high. The operation of the stage ST and the level shifter LS with reference to the driving waveform is as follows.

t1 기간에서 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭 신호(C4)가 동시에 하이 상태가 되면 스테이지(ST)의 제21 및 제22 PMOS 트랜지스터(T21, T22)가 턴-온되어 Q노드에는 제1 하이 상태(H1)의 전압이 충전된다. 이에 따라, Q노드에 게이트 단자가 접속된 제26 PMOS 트랜지스터(T26)는 서서히 턴-온된다. 그리고, 하이 상태의 스타트 펄스(SP)에 의해 제25A 및 제25B PMOS 트랜지스터(T25A, T25B)가 턴-온되어 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인으로부터의 로우 상태(10V) 전압이 QB노드에 충전된다. 이에 따라, QB노드에 게이트 단자가 접속된 제23A 및 제23B PMOS 트랜지스터(T23A, T23B)와 제27 PMOS 트랜지스터(T27)는 턴-오프된다. 이 결과, 턴-온된 제26 PMOS 트랜지스터(T26)를 통해 제1 클럭 신호(C1)의 로우 상태 전압(10V)이 스테이지(ST)의 출력 라인에 충전되므로 스테이지(ST)는 로우 상태의 출력 신호(SO)를 출력하게 된다. When the start pulse SP and the fourth clock signal C4 become high at the same time in the t1 period, the twenty-first and twenty-second PMOS transistors T21 and T22 of the stage ST are turned on, so that the first node has a high first. The voltage of state H1 is charged. Accordingly, the 26th PMOS transistor T26 having the gate terminal connected to the Q node is gradually turned on. Then, the 25A and 25B PMOS transistors T25A and T25B are turned on by the high start pulse SP so that the low state (10V) voltage from the first supply voltage VSS input line is applied to the QB node. Is charged. Accordingly, the 23rd and 23rd PMOS transistors T23A and T23B and the twenty-seventh PMOS transistor T27 having the gate terminal connected to the QB node are turned off. As a result, since the low state voltage 10V of the first clock signal C1 is charged to the output line of the stage ST through the twenty-sixth PMOS transistor T26, the stage ST is output signal of the low state. Will output (SO).

그리고, 제1 하이상태(1H)인 스테이지(ST)의 Q 노드에 의해 제28A 및 제28B PMOS 트랜지스터(T28A, T28B)가 턴-온 되어 QL 노드는 하이상태가 되므로 제31 PMOS 트랜지스터(T31)가 턴-온 되어 하이 상태의 부극성 전압(VNEG)이 서서히 충전되더라도 하이 상태의 스타트 펄스(SP)(또는 전단 스테이지의 출력 신호)에 의해 제29 및 제30 PMOS 트랜지스터(T29, T30)가 턴-온되어 QL 노드에는 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인으로부터의 로우 상태(10V)의 전압이 충전된다. 이에 따라, 제31 PMOS 트랜지스터(T31)가 턴-오프되므로 레벨 쉬프터(LS)의 출력 신호는 이전 상태(즉, 로우 상태)를 유지하게 된다.Since the QA node is turned on by the Q node of the stage ST in the first high state 1H, the QL node is turned high and the 31st PMOS transistor T31 is turned on. Even if the negative voltage VNEG in the high state is turned on gradually, the 29th and 30th PMOS transistors T29 and T30 are turned on by the high state start pulse SP (or the output signal of the previous stage). On, the QL node is charged with a low state (10V) voltage from the first supply voltage VSS input line. Accordingly, since the thirty-first PMOS transistor T31 is turned off, the output signal of the level shifter LS maintains the previous state (ie, the low state).

t2 기간에서 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭 신호(C4)가 로우 상태가 되고 제1 클럭 신호(C1)가 하이 상태가 되면 제21 및 제22 PMOS 트랜지스터(T21, T22)는 턴-오프되어 Q 노드는 플로팅 상태가 되고, 제26 PMOS 트랜지스터(T26)는 턴-온 상태를 유지한다. 이 경우, 플로팅 상태인 Q노드는 제26 PMOS 트랜지스터(T26)의 게이트와 소스 사이에 형성된 내부 캐패시터(Cgs)와 제22 캐패시터(CB)의 영향으로 제1 클럭 신호(C1)의 하이 상태의 전압에 의한 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상이 발생하여 상기 제1 하이 상태(H1) 보다 높은 제2 하이 상태(H2)가 된다. 이 결과, 제26 PMOS트랜지스터(T26)가 확실하게 턴-온되어 제1 클럭 신호(C1)의 하이 상태 전압(0V)이 스테이지(ST)의 출력 라인에 빠르게 충전되므로 스테이지(ST)는 양호한 하이 상태의 출력 신호(SO)를 출력하게 된다. In the t2 period, when the start pulse SP and the fourth clock signal C4 go low and the first clock signal C1 goes high, the twenty-first and twenty-second PMOS transistors T21 and T22 are turned off. The Q node is in a floating state, and the 26th PMOS transistor T26 is maintained in the turned-on state. In this case, the Q node in the floating state is the voltage of the high state of the first clock signal C1 due to the influence of the internal capacitor Cgs and the twenty-second capacitor CB formed between the gate and the source of the 26th PMOS transistor T26. Bootstrapping occurs due to the second high state H2 that is higher than the first high state H1. As a result, the 26th PMOS transistor T26 is reliably turned on so that the high state voltage 0V of the first clock signal C1 is quickly charged to the output line of the stage ST so that the stage ST is in a good high state. The output signal SO of the state is output.

그리고, 제2 하이 상태(H2)가 된 스테이지(ST)의 Q 노드에 의해 제28A 및 제28B PMOS 트랜지스터(T28A, T28B)가 턴-온된다. 이에 따라, 하이 상태의 부극성 전압(VNEG)에 의해 턴-온된 제37 PMOS 트랜지스터(T37)와 제2 하이 상태(H2)가 된 스테이지(ST)의 Q 노드에 의해 턴-온된 제28A 및 제28B PMOS 트랜지스터(T28A, T28B)를 경유하여 QL 노드에 하이 상태의 부극성 전압(VNEG)이 충전되므로 제31 PMOS 트랜지스터(T31)가 턴-온된다. 이 경우, QL 노드는 턴-오프된 제29, 제30, 제34 PMOS 트랜지스터(T29, T30, T34)에 의해 플로팅 상태가 되고, 제24 캐패시터(CL)에 의한 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상으로 보다 높은 하이 상태가 된다.Then, the 28th and 28B PMOS transistors T28A and T28B are turned on by the Q node of the stage ST which is in the second high state H2. Accordingly, the twenty-eighth and the twenty-eighth P-th transistors T37 turned on by the negative voltage VNEG in the high state and the twenty-eighth turned-on by the Q node of the stage ST which became the second high state H2 The 31st PMOS transistor T31 is turned on because the negative voltage VNEG of the high state is charged to the QL node via the 28B PMOS transistors T28A and T28B. In this case, the QL node is in a floating state by the twenty-ninth, thirty, and thirty-fourth PMOS transistors T29, T30, and T34 that are turned off, and are more likely to be caused by bootstrapping by the twenty-fourth capacitor CL. It becomes high high state.

구체적으로, QL 노드에는 제31 PMOS 트랜지스터(T31)의 게이트 및 소스 사이에 형성된 내부 캐패시터(Cgs)와 제24 캐패시터(CL)의 영향으로 부극성 전압(VNEG)에 의한 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상이 발생하므로 제31 PMOS 트랜지스터(T31)는 확실하게 턴-온 상태가 된다. 그리고, 확실히 턴-온된 제31 PMOS 트랜지스터(T31)를 통해 부극성 전압(VNEG)이 빠르게 레벨 쉬프터(LS)의 출력 라인에 충전된다. 따라서, 레벨 쉬프터(LS)의 출력 신호(LO)는 하이 상태의 신호 파형을 갖게 된다. In detail, the bootstrapping phenomenon due to the negative voltage VNEG is affected by the internal capacitor Cgs and the twenty-fourth capacitor CL formed between the gate and the source of the thirty-first PMOS transistor T31. As a result, the 31st PMOS transistor T31 is reliably turned on. Then, the negative voltage VNEG is quickly charged to the output line of the level shifter LS through the 31st PMOS transistor T31 which is certainly turned on. Therefore, the output signal LO of the level shifter LS has a signal waveform in a high state.

t3 기간에서 제2 클럭 신호(C2)가 하이 상태가 되고, 제1 클럭 신호(C1)가 로우 상태가 된다. 로우 상태의 제1 클럭 신호(C1)에 의해 플로팅 상태인 Q노드의 전압은 제1 하이 상태(H1)로 떨어지고 제26 PMOS 트랜지스터(T26)은 턴-온 상태를 유지한다. 이에 따라, 턴-온된 제26 PMOS 트랜지스터(T26)를 경유하여 로우 상태의 제1 클럭 신호(C1)가 스테이지(ST)의 출력 라인에 충전되므로 스테이지(ST)는 로우 상태의 출력 신호(SO)를 출력하게 된다. In the t3 period, the second clock signal C2 becomes high and the first clock signal C1 becomes low. The voltage of the Q node in the floating state is dropped to the first high state H1 by the first clock signal C1 in the low state and the twenty-six PMOS transistor T26 maintains the turn-on state. Accordingly, since the first clock signal C1 in the low state is charged to the output line of the stage ST via the turned-on 26th PMOS transistor T26, the stage ST is output signal SO in the low state. Will print

그리고, 제1 하이상태(1H)인 스테이지(ST)의 Q 노드에 의해 제28A 및 제28B PMOS 트랜지스터(T28A, T28B)가 턴-온 되어 QL 노드는 하이상태가 된다. 이 경우, 하이 상태의 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음단 스테이지의 출력 신호)에 의해 턴-온된 제33 PMOS 트랜지스터(T33)를 통해 QL 노드의 전압이 방전되므로 제31 PMOS 트랜지스터(T31)는 턴-오프된다. 또한, 하이 상태의 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음단 스테이지의 출력 신호)에 의해 턴-온된 제32 PMOS 트랜지스터(T32)를 통해 레벨 쉬프터(LS)의 출력 라인에는 로우 상태인 제1 공급 전압(VSS)이 충전되므로 레벨 쉬프터(LS)는 로우 상태의 출력 신호(LO)를 출력하게 된다.Then, the Q-node of the stage ST which is the first high state 1H turns on the 28th and 28th PMOS transistors T28A and T28B so that the QL node is turned high. In this case, the voltage of the QL node is discharged through the thirty-third PMOS transistor T33 turned on by the second clock signal C2 (or the output signal of the next stage) in the high state, and thus, the thirty-first PMOS transistor T31 is discharged. Is turned off. In addition, a first supply in a low state to the output line of the level shifter LS through the 32nd PMOS transistor T32 turned on by the high state second clock signal C2 (or the output signal of the next stage). Since the voltage VSS is charged, the level shifter LS outputs the output signal LO in a low state.

t4 기간에서 제3 클럭 신호(C3)가 하이 상태가 되면 제24 PMOS 트랜지스터(T24)가 턴-온되어 제2 공급 전압(VDD)인 하이 상태의 전압(0V)가 QB노드에 충전된다. 이에 따라, 제23A 및 제24B PMOS 트랜지스터(T23A, T23B)가 턴-온되어 상기 t3기간에서 제1 하이 상태(H1)인 Q노드 전압을 로우 상태로 방전시킴으로써 제26 PMOS 트랜지스터(T26)는 턴-오프된다. 그리고, 하이 상태인 QB노드에 의해 턴-온된 제27 PMOS 트랜지스터(T27)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 스테이지(ST)의 출력라인에 충전되므로 스테이지(ST)는 로우 상태의 출력 신호(SO)를 출력하게 된다. 그리고, 로우 상태인 Q 노드에 의해 제28A 및 제28B PMOS 트랜지스터(T28A, T28)는 턴-오프된다. 이 경우, 하이 상태의 QB 노드의 전압에 의해 턴-온된 제35 PMOS 트랜지스터(T35)를 통해 공급된 제1 공급 전압(VSS)에 의해 QL 노드는 로우 상태를 유지하게 되므로 제31 PMOS 트랜지스터(T311)는 턴-오프된다. 또한, 하이 상태의 QB 노드의 전압에 의해 턴-온된 제36 PMOS 트랜지스터(T36)를 통해 레벨 쉬프터(LS)의 출력 라인에는 로우 상태인 제1 공급 전압(VSS)이 충전되므로 레벨 쉬프터(LS)는 로우 상태의 출력 신호(LO)를 출력하게 된다.When the third clock signal C3 becomes high in the t4 period, the twenty-fourth PMOS transistor T24 is turned on to charge the QB node with the high voltage 0V, which is the second supply voltage VDD. Accordingly, the twenty-sixth PMOS transistor T26 is turned on by turning on the twenty-third A and twenty-fourth PMOS transistors T23A and T23B, thereby discharging the Q node voltage having the first high state H1 to a low state in the period t3. -Off. Since the first supply voltage VSS is charged to the output line of the stage ST through the twenty-seventh PMOS transistor T27 turned on by the high QB node, the stage ST outputs a low output signal ( SO) will be output. The 28th and 28B PMOS transistors T28A and T28 are turned off by the Q node in the low state. In this case, since the QL node is kept low by the first supply voltage VSS supplied through the 35 th PMOS transistor T35 turned on by the voltage of the QB node in the high state, the 31st PMOS transistor T311 is used. ) Is turned off. In addition, since the output line of the level shifter LS is charged to the low level of the first supply voltage VSS through the 36th PMOS transistor T36 turned on by the voltage of the QB node in the high state, the level shifter LS is charged. Outputs the output signal LO in a low state.

t5 기간에서 제4 클럭 신호(C4)가 하이 상태가 되면 제24 PMOS 트랜지스터(T24)가 턴-오프되고 QB 노드는 상기 t4 기간에서의 하이 상태를 유지한다. 이에 따라, 턴-온된 제23A 및 제23B PMOS 트랜지스터(T23A, T23B)에 의해 Q노드는 로우 상태를 유지하므로 제26 PMOS 트랜지스터(T26)는 계속 턴-오프되고, 턴-온된 제27 PMOS 트랜지스터(T27)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 스테이지(ST)의 출력라인에 충전되므로 스테이지(ST)는 로우 상태의 출력 신호(SO)를 출력하게 된다. 그리고, 로우 상태인 Q 노드에 의해 제28A 및 제28B PMOS 트랜지스터(T28A, T28B)는 턴-오프된다. 이 경우, 하이 상태의 제4 클럭 신호(C4)(또는 전단 스테이지의 출력 신호)에 의해 제29 및 제30 PMOS 트랜지스터(T29, T30)가 턴-온되므로 제1 공급 전압(VSS)에 의해 QL 노드는 로우 상태를 유지하게 되므로 제31 PMOS 트랜지스터(T311)는 턴-오프된다. 또한, 하이 상태의 QB 노드의 전압에 의해 턴-온된 제36 PMOS 트랜지스터(T36)를 통해 레벨 쉬프터(LS)의 출력 라인에는 로우 상태인 제1 공급 전압(VSS)이 충전되므로 레벨 쉬프터(LS)는 로우 상태의 출력 신호(LO)를 출력하게 된다.When the fourth clock signal C4 becomes high in the t5 period, the 24 th PMOS transistor T24 is turned off and the QB node maintains the high state in the t4 period. Accordingly, since the Q node remains low by the turned-on 23A and 23B PMOS transistors T23A and T23B, the twenty-sixth PMOS transistor T26 is continuously turned off, and the twenty-seventh PMOS transistor ( Since the first supply voltage VSS is charged to the output line of the stage ST through the T27, the stage ST outputs the output signal SO in a low state. The 28A and 28B PMOS transistors T28A and T28B are turned off by the Q node in the low state. In this case, since the twenty-ninth and thirtieth PMOS transistors T29 and T30 are turned on by the fourth clock signal C4 (or an output signal of the previous stage) in the high state, the QL is applied by the first supply voltage VSS. Since the node remains low, the thirty-first PMOS transistor T311 is turned off. In addition, since the output line of the level shifter LS is charged to the low level of the first supply voltage VSS through the 36th PMOS transistor T36 turned on by the voltage of the QB node in the high state, the level shifter LS is charged. Outputs the output signal LO in a low state.

이와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터에서 발생된 동일한 문제점이 발생된다.As described above, in the shift register having the level shifter according to the second embodiment of the present invention, the same problem occurs in the shift register according to the first embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터의 상세 회로 구성을 도시한 것으로, 쉬프트 레지스터 회로 중 하나의 스테이지(ST)와 레벨 쉬프터(LS)를 도시한 것이다. FIG. 9 shows a detailed circuit configuration of a shift register incorporating a level shifter according to a third embodiment of the present invention, and shows one stage ST and level shifter LS of the shift register circuit.

도 9에 도시된 스테이지(ST)는 스타트 펄스(SP) 입력 라인에 다이오드형으로 제41 PMOS 트랜지스터(T41)와, 제41 PMOS 트랜지스터(T41)와 제4 클럭 신호(C4) 입력 라인 및 Q노드 사이에 접속된 제42 PMOS 트랜지스터(T42)와, Q노드 및 QB노드와 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된 제43A 및 제43B PMOS 트랜지스터(T43A, T43B)를 구비하는 제1 제어부(342)와; 제2 공급 전압(VDD) 입력 라인과 제3 클럭 신호(C3) 입력 라인 및 QB노드 사이에 접속된 제44 PMOS 트랜지스터(T44)와, 제44 PMOS 트랜지스터(T44)와 스타트 펄스(SP) 입력라인 및 제1 공급전압(VSS) 입력라인 사이에 접속된 제45A 및 제45B PMOS 트랜지스터(T45A, T45B)를 구비하는 제2 제어부(344)와; Q노드의 전압에 따라 제1 클럭 신호(C1)를 선택하여 출력 라인으로 공급하는 제46 PMOS 트랜지스터(T46)와, QB노드의 전압에 따라 제1 공급 전압(VSS)을 선택하여 출력 라인으로 공급하는 제47 PMOS 트랜지스터(427)를 구비하는 버퍼부(346)로 구성된다. 그리고, 스테이지(ST)는 제46 PMOS 트랜지스터(T46)의 게이트단자와 소스단자 사이, 즉 Q노드와 스테이지(ST)의 출력 라인(P) 사이에 접속된 제41 캐패시터(CB)와, Q노드와 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된 제42 캐패시터(CQ)와, 제47 PMOS 트랜지스터(T47)의 게이트 단자와 소스 단자 사이, 즉 QB노드와 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된 제43 캐패시터(CQB)를 더 구비한다.The stage ST shown in FIG. 9 is a diode type to the start pulse SP input line, and the forty-first PMOS transistor T41, the forty-first PMOS transistor T41, the fourth clock signal C4 input line, and the Q node. A first control section including a forty-second PMOS transistor T42 connected between the first and fourth BMOS transistors T43A and 43B connected between the Q node and the QB node and the first supply voltage VSS input line; 342; 44 th PMOS transistor T44, 44 th PMOS transistor T44, and start pulse SP input line connected between the second supply voltage VDD input line, the third clock signal C3 input line, and the QB node. And a second control section 344 including 45A and 45B PMOS transistors T45A and T45B connected between the first supply voltage VSS input line; The 46th PMOS transistor T46 selects and supplies the first clock signal C1 to the output line according to the voltage of the Q node, and the first supply voltage VSS is selected and supplied to the output line according to the voltage of the QB node. And a buffer unit 346 having a forty-seventh PMOS transistor 427. The stage ST includes the forty-first capacitor CB connected between the gate terminal and the source terminal of the 46th PMOS transistor T46, that is, between the Q node and the output line P of the stage ST, and the Q node. And 42 th capacitor CQ connected between the first and second supply voltage VSS input lines and between the gate terminal and the source terminal of the forty-first PMOS transistor T47, that is, the QB node and the first supply voltage VSS input line. And a 43rd capacitor CQB connected therebetween.

레벨 쉬프터(LS)는 스테이지(ST) Q 노드와 스타트 펄스(SP)(또는 전단 스테이지의 출력 신호)에 따라 QL 노드를 제어하는 제3 제어부(352)와, 인터 클럭(Inter_CLK)에 따라 출력 신호의 특정 전압 상태를 지연시키기 위한 제4 제어부(354), QL 노드의 전압 및 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음 스테이지의 출력 신호)에 따라 부극성 전압(VNEG) 및 제1 공급 전압(VSS) 중 어느 하나를 선택하여 출력하기 위한 출력 버퍼부(356)를 구비한다.The level shifter LS is an output signal according to the third control unit 352 for controlling the QL node according to the stage ST node Q and the start pulse SP (or an output signal of the preceding stage) and the inter clock Inter_CLK. The fourth control unit 354 for delaying a specific voltage state of the negative voltage VNEG and the first supply voltage VSS according to the voltage of the QL node and the second clock signal C2 (or the output signal of the next stage). ) Is provided with an output buffer unit 356 for selecting and outputting any one.

제3 제어부(352)는 스테이지(ST) Q 노드의 전압과 스타트 펄스(SP)(또는 전단 스테이지의 출력 신호)에 따라 QL노드를 충방전시킴으로써 출력 버퍼부(356)가 부극성 전압(VNEG) 또는 제1 공급 전압(VSS)을 출력하게 한다. 이를 위하여, 제3 제어부(352)는 부극성 전압(VNEG) 공급 라인과 스테이지(ST)의 Q 노드 및 QL노드 사이에 접속된 제48A 및 제48B PMOS 트랜지스터(T48A, T48B)와, QL노드와 스타트 펄스(SP)(또는 전단 스테이지의 출력 신호) 입력 라인 사이에 접속된 제49 PMOS 트랜지스터(T49)와, 스타트 펄스(SP)(또는 전단 스테이지의 출력 신호) 입력 라인 및 제1 공급 전압(VSS) 사이에 접속된 제50 PMOS 트랜지스터(T50)를 구비한다. 여기서, 제48A 및 제48B PMOS 트랜지스터(T48A, T48B)는 듀얼 게이트 구조를 가짐으로써 문턱 전압(Vth)이 높아지게 하여 누설 전류를 최소화한다.The third control unit 352 charges and discharges the QL node according to the voltage of the stage ST node Q and the start pulse SP (or the output signal of the previous stage), thereby outputting the negative buffer voltage VNEG. Or outputting the first supply voltage VSS. To this end, the third controller 352 is connected to the 48th and 48B PMOS transistors T48A and T48B connected between the negative voltage VNEG supply line and the Q node and the QL node of the stage ST, and the QL node. The 49th PMOS transistor T49 connected between the start pulse SP (or output signal of the preceding stage) input line, the start pulse SP (or output signal of the preceding stage) input line and the first supply voltage VSS. ) Is provided with a fifty PMOS transistor T50. Here, the 48A and 48B PMOS transistors T48A and T48B have a dual gate structure, thereby increasing the threshold voltage Vth to minimize leakage current.

제4 제어부(354)는 출력신호의 특정 전압 상태를 지연시키기 위해 인터 클럭(Inter_CLK) 신호에 따라 제1 공급전압(VSS)을 QL 노드 및 출력 라인으로 공급하는 제60 및 제61 PMOS 트랜지스터(T60, T61)를 구비한다. 여기서, 인터 클럭(Inter_CLL)은 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)보다 듀티비가 작게 설정된다.The fourth controller 354 is configured to supply the first supply voltage VSS to the QL node and the output line according to the inter clock signal Inter_CLK to delay the specific voltage state of the output signal. T61). Here, the inter clock Inter_CLL is set to have a smaller duty ratio than the first to fourth clock signals C1 to C4.

출력 버퍼부(356)는 QL 노드의 전압에 따라 부트스트래핑을 이용하여 부극성 공급 전압(VNEG)을 레벨 쉬프터(LS) 출력 라인으로 공급하는 제51 PMOS 트랜지스터(T51)와, 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음단 스테이지의 출력 신호)에 따라 제1 공급 전압(VSS)을 레벨 쉬프터(LS)의 출력 라인으로 제52 PMOS 트랜지스터(T52)를 구비한다. 특히, 출력 버퍼부(356)는 부트스트래핑을 이용하기 위하여 제51 PMOS 트랜지스터(T51)의 게이트 단자와 소스 단자 사이에 접속된 제44 캐패시터(CL)를 구비한다. The output buffer unit 356 supplies a 51 th PMOS transistor T51 for supplying the negative supply voltage VNEG to the level shifter LS output line using bootstrapping according to the voltage of the QL node, and the second clock signal ( According to C2) (or an output signal of the next stage), the 52nd PMOS transistor T52 is provided as the output line of the level shifter LS. In particular, the output buffer unit 356 includes a 44 th capacitor CL connected between the gate terminal and the source terminal of the 51st PMOS transistor T51 in order to use bootstrapping.

그리고, 레벨 쉬프터(LS)는 출력 신호(LO)의 왜곡을 방지하기 위하여 제53 내지 제57 PMOS 트랜지스터(T53 내지 T57)를 더 구비한다.The level shifter LS further includes 53rd to 57th PMOS transistors T53 to T57 to prevent distortion of the output signal LO.

구체적으로, 제53 PMOS 트랜지스터(T53)는 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음단 스테이지의 출력 신호)에 응답하여 QL 노드를 제어한다. 이를 위하여, 제53 PMOS 트랜지스터(T53)는 QL 노드와 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음단 스테이지의 출력 신호) 입력 라인 사이에 접속된다.In detail, the 53 th PMOS transistor T53 controls the QL node in response to the second clock signal C2 (or an output signal of a next stage). For this purpose, the 53 th PMOS transistor T53 is connected between the QL node and the second clock signal C2 (or the output signal of the next stage).

제54 PMOS 트랜지스터(T54)는 레벨 쉬프터(LS) 출력 라인과 스타트 펄스(SP) 및 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된다.The 54th PMOS transistor T54 is connected between the level shifter LS output line and the start pulse SP and the first supply voltage VSS input line.

제55 PMOS 트랜지스터(T55)는 QB 노드의 전압에 응답하여 QL 노드를 제어한다. 이를 위하여, 제55 PMOS 트랜지스터(T55)는 QL 노드와 QB 노드 사이에 접속된다.The 55 th PMOS transistor T55 controls the QL node in response to the voltage of the QB node. For this purpose, the 55th PMOS transistor T55 is connected between the QL node and the QB node.

제56 PMOS 트랜지스터(T56)는 레벨 쉬프터(LS) 출력 라인을 방전을 위하여 그 출력 라인과 QB 노드 및 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인 사이에 접속된다.The 56 th PMOS transistor T56 is connected between the output line, the QB node, and the first supply voltage VSS input line to discharge the level shifter LS output line.

또한, 제57 PMOS 트랜지스터(T57)는 제48A 및 제48B 트랜지스터(T48A, T48B)의 누설 전류를 방지하기 위하여 부극성 전압(VNEG) 입력라인과 제48A PMOS 트랜지스터(T48A)의 소스단자와 사이에 다이오드형으로 접속된다.In addition, the 57 th PMOS transistor T57 is disposed between the negative voltage VNEG input line and the source terminal of the 48 th PMOS transistor T48A to prevent leakage currents of the 48 A and 48 B transistors T48A and T48B. It is connected in a diode type.

이러한 구성을 가지는 스테이지(ST)와 레벨 쉬프터(LS)에는 도 10에 도시된 바와 같이 순차적으로 한 클럭 만큼씩 위상지연되는 형태를 가지는 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)가 공급된다. 여기서, 제4 클럭 신호(C4)는 스타트 펄스(SP)와 동기된 위상을 갖는다. 스타트 펄스(SP)를 포함하여 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)는 10V 이하의 스윙 전압을 가지는 부극성 타입으로 공급된다. 특히, 여기서는 10V의 전위를 로우 상태로, 0V의 전위를 하이 상태로 가정한다. 이러한 구동파형을 참조하여 스테이지(ST)와 레벨 쉬프터(LS)의 동작을 살펴보면 다음과 같다.As shown in FIG. 10, the stages ST and the level shifters LS having such a configuration are supplied with the first to fourth clock signals C1 to C4 having a phase delayed by one clock. Here, the fourth clock signal C4 has a phase synchronized with the start pulse SP. The first to fourth clock signals C1 to C4 including the start pulse SP are supplied in a negative type having a swing voltage of 10 V or less. In particular, it is assumed here that the potential of 10 V is low and the potential of 0 V is high. The operation of the stage ST and the level shifter LS with reference to the driving waveform is as follows.

t1 기간에서 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭 신호(C4)가 동시에 하이 상태가 되면 스테이지(ST)의 제41 및 제42 PMOS 트랜지스터(T41, T42)가 턴-온되어 Q노드에는 제1 하이 상태(H1)의 전압이 충전된다. 이에 따라, Q노드에 게이트 단자가 접속된 제46 PMOS 트랜지스터(T46)는 서서히 턴-온된다. 그리고, 하이 상태의 스타트 펄스(SP)에 의해 제45A 및 제45B PMOS 트랜지스터(T45A, T45B)가 턴-온되어 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인으로부터의 로우 상태(10V) 전압이 QB노드에 충전된다. 이에 따라, QB노드에 게이트 단자가 접속된 제43A 및 제43B PMOS 트랜지스터(T43A, T43B)와 제47 PMOS 트랜지스터(T47)는 턴-오프된다. 이 결과, 턴-온된 제46 PMOS 트랜지스터(T46)를 통해 제1 클럭 신호(C1)의 로우 상태 전압(10V)이 스테이지(ST)의 출력 라인에 충전되므로 스테이지(ST)는 로우 상태의 출력 신호(SO)를 출력하게 된다. When the start pulse SP and the fourth clock signal C4 become high at the same time in the t1 period, the forty-first and forty-second PMOS transistors T41 and T42 of the stage ST are turned on so that the first node has a first high state. The voltage of state H1 is charged. As a result, the 46th PMOS transistor T46 having the gate terminal connected to the Q node is gradually turned on. The 45A and 45B PMOS transistors T45A and T45B are turned on by the high start pulse SP, and the low state (10V) voltage from the first supply voltage VSS input line is applied to the QB node. Is charged. Accordingly, the 43rd and 43rd PMOS transistors T43A and T43B and the 47th PMOS transistor T47 having the gate terminal connected to the QB node are turned off. As a result, since the low state voltage 10V of the first clock signal C1 is charged to the output line of the stage ST through the turned-on 46th PMOS transistor T46, the stage ST is output signal of the low state. Will output (SO).

그리고, 제1 하이상태(1H)인 스테이지(ST)의 Q 노드에 의해 제48A 및 제48B PMOS 트랜지스터(T48A, T48B)가 턴-온 되어 QL 노드는 하이상태가 되므로 제51 PMOS 트랜지스터(T51)가 턴-온 되어 하이 상태의 부극성 전압(VNEG)이 서서히 충전되더라도 하이 상태의 스타트 펄스(SP)(또는 전단 스테이지의 출력 신호)에 의해 제49 및 제50 PMOS 트랜지스터(T49, T50)가 턴-온되어 QL 노드에는 제1 공급 전압(VSS) 입력 라인으로부터의 로우 상태(10V)의 전압이 충전된다. 이에 따라, 제51 PMOS 트랜지스터(T51)가 턴-오프되므로 레벨 쉬프터(LS)의 출력 신호는 이전 상태(즉, 로우 상태)를 유지하게 된다.The 48th and 48B PMOS transistors T48A and T48B are turned on by the Q node of the stage ST, which is the first high state 1H, and the QL node is turned to the high state, thereby the 51st PMOS transistor T51. The 49th and 50th PMOS transistors T49 and T50 are turned on by the start pulse SP (or the output signal of the preceding stage) even when the negative voltage VNEG in the high state is slowly turned on. On, the QL node is charged with a low state (10V) voltage from the first supply voltage VSS input line. Accordingly, since the 51st PMOS transistor T51 is turned off, the output signal of the level shifter LS maintains the previous state (ie, the low state).

t2 기간에서 스타트 펄스(SP)와 제4 클럭 신호(C4)가 로우 상태가 되고 제1 클럭 신호(C1)가 하이 상태가 되면 제41 및 제42 PMOS 트랜지스터(T41, T42)는 턴-오프되어 Q 노드는 플로팅 상태가 되고, 제46 PMOS 트랜지스터(T46)는 턴-온 상태를 유지한다. 이 경우, 플로팅 상태인 Q노드는 제46 PMOS 트랜지스터(T46)의 게이트와 소스 사이에 형성된 내부 캐패시터(Cgs)와 제42 캐패시터(CB)의 영향으로 제1 클럭 신호(C1)의 하이 상태의 전압에 의한 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상이 발생하여 상기 제1 하이 상태(H1) 보다 높은 제2 하이 상태(H2)가 된다. 이 결과, 제46 PMOS트랜지스터(T46)가 확실하게 턴-온되어 제1 클럭 신호(C1)의 하이 상태 전압(0V)이 스테이지(ST)의 출력 라인에 빠르게 충전되므로 스테이지(ST)는 양호한 하이 상태의 출력 신호(SO)를 출력하게 된다. In the t2 period, when the start pulse SP and the fourth clock signal C4 go low and the first clock signal C1 goes high, the forty-first and forty-second PMOS transistors T41 and T42 are turned off. The Q node is in a floating state, and the forty-fifth PMOS transistor T46 remains turned on. In this case, the Q node in the floating state is the voltage of the high state of the first clock signal C1 due to the influence of the internal capacitor Cgs and the 42nd capacitor CB formed between the gate and the source of the 46th PMOS transistor T46. Bootstrapping occurs due to the second high state H2 that is higher than the first high state H1. As a result, the 46th PMOS transistor T46 is reliably turned on so that the high state voltage 0V of the first clock signal C1 is quickly charged to the output line of the stage ST, so that the stage ST is in a good high state. The output signal SO of the state is output.

그리고, 제2 하이 상태(H2)가 된 스테이지(ST)의 Q 노드에 의해 제48A 및 제48B PMOS 트랜지스터(T48A, T48B)가 턴-온된다. 이에 따라, 하이 상태의 부극성 전압(VNEG)에 의해 턴-온된 제57 PMOS 트랜지스터(T57)와 제2 하이 상태(H2)가 된 스테이지(ST)의 Q 노드에 의해 턴-온된 제48A 및 제48B PMOS 트랜지스터(T48A, T48B)를 경유하여 QL 노드에 하이 상태의 부극성 전압(VNEG)이 충전되므로 제51 PMOS 트랜지스터(T51)가 턴-온된다. 이 경우, QL 노드는 턴-오프된 제49, 제50, 제54 PMOS 트랜지스터(T49, T50, T54)에 의해 플로팅 상태가 되고, 제44 캐패시터(CL)에 의한 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상으로 보다 높은 하이 상태가 된다. Then, the 48th and 48B PMOS transistors T48A and T48B are turned on by the Q node of the stage ST which is in the second high state H2. Accordingly, the 48 th PA transistor T57 turned on by the negative voltage VNEG in the high state and the 48 A and th turn turned on by the Q node of the stage ST which is in the second high state H2. The 51st PMOS transistor T51 is turned on because the negative voltage VNEG of the high state is charged to the QL node via the 48B PMOS transistors T48A and T48B. In this case, the QL node is in a floating state by the turned-off 49th, 50th, and 54th PMOS transistors T49, T50, and T54, and is more likely to be Bootstrapping due to the 44th capacitor CL. It becomes high high state.

구체적으로, QL 노드에는 제51 PMOS 트랜지스터(T51)의 게이트 및 소스 사이에 형성된 내부 캐패시터(Cgs)와 제44 캐패시터(CL)의 영향으로 부극성 전압(VNEG)에 의한 부트스트래핑(Bootstrapping) 현상이 발생하므로 제51 PMOS 트랜지스터(T51)는 확실하게 턴-온 상태가 된다. 그리고, 확실히 턴-온된 제51 PMOS 트랜지스터(T51)를 통해 부극성 전압(VNEG)이 빠르게 레벨 쉬프터(LS)의 출력 라인에 충전된다. 이 때, 인터 클럭(Inter_CKL) 신호는 제1 클럭 신호(C1)가 하이 상태가 될 때 동시에 일정 기간 동안 하이 상태가 된다. 이에 따라, 제60 및 제61 PMOS 트랜지스터(T60, T61)가 턴-온된다. 이 결과, 턴-온된 제60 및 제61 PMOS 트랜지스터(T60, T61)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 인터 클럭(Inter_CLK) 신호가 하이 상태인 동안 QL 노드 및 출력 라인으로 공급된다. 이러한 제1 공급 전압(VSS)은 제1 클럭 신호(C1)가 하이 상태가 되더라도 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 QL 노드 및 출력 라인으로 공급된다. 이에 따라, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 QL 노드 및 출력 라인은 로우 상태를 계속 유지하게 된다. 이 후, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 로우 상태가 되면 레벨 쉬프터(LS)의 출력 신호(LO1)는 하이 상태의 신호 파형을 갖게 된다.In detail, the bootstrapping phenomenon due to the negative voltage VNEG is affected by the internal capacitor Cgs and the 44 th capacitor CL formed between the gate and the source of the 51st PMOS transistor T51. As a result, the 51st PMOS transistor T51 is reliably turned on. The negative voltage VNEG is quickly charged to the output line of the level shifter LS through the 51 th PMOS transistor T51 that is turned on. At this time, the inter clock Inter_CKL signal becomes high for a predetermined period at the same time when the first clock signal C1 becomes high. Accordingly, the 60th and 61st PMOS transistors T60 and T61 are turned on. As a result, the first supply voltage VSS is supplied to the QL node and the output line while the inter clock Inter_CLK signal is high through the turned-on 60th and 61st PMOS transistors T60 and T61. The first supply voltage VSS is supplied to the QL node and the output line while the inter clock signal Inter_CLK is in a high state even when the first clock signal C1 is in a high state. Accordingly, the QL node and the output line remain low while the inter clock signal Inter_CLK is high. Subsequently, when the inter clock signal Inter_CLK goes low, the output signal LO1 of the level shifter LS has a high signal waveform.

t3 기간에서 제2 클럭 신호(C2)가 하이 상태가 되고, 제1 클럭 신호(C1)가 로우 상태가 된다. 로우 상태의 제1 클럭 신호(C1)에 의해 플로팅 상태인 Q노드의 전압은 제1 하이 상태(H1)로 떨어지고 제46 PMOS 트랜지스터(T46)은 턴-온 상태를 유지한다. 이에 따라, 턴-온된 제46 PMOS 트랜지스터(T26)를 경유하여 로우 상태의 제1 클럭 신호(C1)가 스테이지(ST)의 출력 라인에 충전되므로 스테이지(ST)는 로우 상태의 출력 신호(SO)를 출력하게 된다. In the t3 period, the second clock signal C2 becomes high and the first clock signal C1 becomes low. The voltage of the Q node in the floating state is dropped to the first high state H1 by the first clock signal C1 in the low state, and the forty-six PMOS transistor T46 maintains the turn-on state. Accordingly, since the first clock signal C1 in the low state is charged to the output line of the stage ST via the turned-on 46th PMOS transistor T26, the stage ST is output signal SO in the low state. Will print

그리고, 제1 하이상태(1H)인 스테이지(ST)의 Q 노드에 의해 제48A 및 제48B PMOS 트랜지스터(T48A, T48B)가 턴-온 되어 QL 노드는 하이상태가 된다. 이 경우, 하이 상태의 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음단 스테이지의 출력 신호)에 의해 턴-온된 제53 PMOS 트랜지스터(T53)를 통해 QL 노드의 전압이 방전되므로 제51 PMOS 트랜지스터(T51)는 턴-오프된다. 또한, 하이 상태의 제2 클럭 신호(C2)(또는 다음단 스테이지의 출력 신호)에 의해 턴-온된 제52 PMOS 트랜지스터(T52)를 통해 레벨 쉬프터(LS)의 출력 라인에는 로우 상태인 제1 공급 전압(VSS)이 충전되므로 레벨 쉬프터(LS)는 로우 상태의 출력 신호(LO1)를 출력하게 된다. 한편, t3 기간에 제2 스테이지(ST2) 및 제2 레벨 쉬프터(LS2)는 t2 기간에 이루어지는 제1 스테이지(ST1) 및 제1 레벨 쉬프터(LS1)의 동작을 하게 된다. 이에 따라, 제2 클럭 신호(C2)가 하이 상태가 될 때 인터 클럭 신호(Inter_CLK)도 동시에 일정 기간 동안 하이 상태가 됨으로써 제60 및 제61 PMOS 트랜지스터(T60, T61)가 턴-온된다. 이 결과, 턴-온된 제60 및 제61 PMOS 트랜지스터(T60, T61)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 인터 클럭(Inter_CLK) 신호가 하이 상태인 동안 QL 노드 및 출력 라인으로 공급된다. 이러한 제1 공급 전압(VSS)은 제2 클럭 신호(C2)가 하이 상태가 되더라도 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 QL 노드 및 출력 라인으로 공급된다. 이에 따라, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 QL 노드 및 출력 라인은 로우 상태를 계속 유지하게 된다. 이 후, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 로우 상태가 되면 레벨 쉬프터(LS)의 출력 신호(LO2)는 하이 상태의 신호 파형을 갖게 된다. 이러한 제2 출력 신호(LO2)는 제1 출력 신호(LO1)가 출력된 후 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안만큼 이격되어 출력된다.The 48th and 48B PMOS transistors T48A and T48B are turned on by the Q node of the stage ST which is the first high state 1H, and the QL node is turned high. In this case, since the voltage of the QL node is discharged through the 53 th PMOS transistor T53 turned on by the second clock signal C2 (or the output signal of the next stage), the 51 th PMOS transistor T51. Is turned off. In addition, a first supply in a low state to the output line of the level shifter LS through the 52nd PMOS transistor T52 turned on by the second clock signal C2 in the high state (or an output signal of the next stage). Since the voltage VSS is charged, the level shifter LS outputs the low level output signal LO1. Meanwhile, in the t3 period, the second stage ST2 and the second level shifter LS2 operate the first stage ST1 and the first level shifter LS1 which are performed in the t2 period. Accordingly, when the second clock signal C2 is in the high state, the inter clock signal Inter_CLK is also in the high state for a predetermined period of time, thereby turning on the 60th and 61st PMOS transistors T60 and T61. As a result, the first supply voltage VSS is supplied to the QL node and the output line while the inter clock Inter_CLK signal is high through the turned-on 60th and 61st PMOS transistors T60 and T61. The first supply voltage VSS is supplied to the QL node and the output line while the inter clock signal Inter_CLK is in a high state even when the second clock signal C2 is in a high state. Accordingly, the QL node and the output line remain low while the inter clock signal Inter_CLK is high. Thereafter, when the inter clock signal Inter_CLK goes low, the output signal LO2 of the level shifter LS has a high signal waveform. The second output signal LO2 is output after being spaced apart as long as the inter clock signal Inter_CLK is high after the first output signal LO1 is output.

t4 기간에서 제3 클럭 신호(C3)가 하이 상태가 되면 제44 PMOS 트랜지스터(T44)가 턴-온되어 제2 공급 전압(VDD)인 하이 상태의 전압(0V)가 QB노드에 충전된다. 이에 따라, 제43A 및 제44B PMOS 트랜지스터(T43A, T43B)가 턴-온되어 상기 t3기간에서 제1 하이 상태(H1)인 Q노드 전압을 로우 상태로 방전시킴으로써 제46 PMOS 트랜지스터(T46)는 턴-오프된다. 그리고, 하이 상태인 QB노드에 의해 턴-온된 제47 PMOS 트랜지스터(T47)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 스테이지(ST)의 출력라인에 충전되므로 스테이지(ST)는 로우 상태의 출력 신호(SO)를 출력하게 된다. 그리고, 로우 상태인 Q 노드에 의해 제48A 및 제48B PMOS 트랜지스터(T48A, T48)는 턴-오프된다. 이 경우, 하이 상태의 QB 노드의 전압에 의해 턴-온된 제55 PMOS 트랜지스터(T55)를 통해 공급된 제1 공급 전압(VSS)에 의해 QL 노드는 로우 상태를 유지하게 되므로 제51 PMOS 트랜지스터(T51)는 턴-오프된다. 또한, 하이 상태의 QB 노드의 전압에 의해 턴-온된 제56 PMOS 트랜지스터(T56)를 통해 레벨 쉬프터(LS)의 출력 라인에는 로우 상태인 제1 공급 전압(VSS)이 충전되므로 레벨 쉬프터(LS)는 로우 상태의 출력 신호(LO1)를 출력하게 된다. 한편, t4 기간에 제3 스테이지(ST3) 및 제3 레벨 쉬프터(LS3)는 t3 기간에 이루어지는 제2 스테이지(ST2) 및 제2 레벨 쉬프터(LS2)의 동작을 하게 된다. 이에 따라, 제4 클럭 신호(C4)가 하이 상태가 될 때 인터 클럭 신호(Inter_CLK)도 동시에 일정 기간 동안 하이 상태가 됨으로써 제60 및 제61 PMOS 트랜지스터(T60, T61)가 턴-온된다. 이 결과, 턴-온된 제60 및 제61 PMOS 트랜지스터(T60, T61)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 인터 클럭(Inter_CLK) 신호가 하이 상태인 동안 QL 노드 및 출력 라인으로 공급된다. 이러한 제1 공급 전압(VSS)은 제4 클럭 신호(C4)가 하이 상태가 되더라도 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 QL 노드 및 출력 라인으로 공급된다. 이에 따라, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 QL 노드 및 출력 라인은 로우 상태를 계속 유지하게 된다. 이 후, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 로우 상태가 되면 레벨 쉬프터(LS)의 출력 신호(LO3)는 하이 상태의 신호 파형을 갖게 된다. 이러한 제3 출력 신호(LO3)는 제2 출력 신호(LO2)가 출력된 후 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안만큼 이격되어 출력된다.When the third clock signal C3 becomes high in the t4 period, the 44 th PMOS transistor T44 is turned on to charge the QB node with the high voltage 0V, which is the second supply voltage VDD. Accordingly, the forty-fifth PMOS transistor T46 is turned on by discharging the Q-node voltage, which is the first high state H1, to the low state during the t3 period. -Off. In addition, since the first supply voltage VSS is charged to the output line of the stage ST through the 47th PMOS transistor T47 turned on by the QB node in the high state, the stage ST outputs a low output signal ( SO) will be output. The 48A and 48B PMOS transistors T48A and T48 are turned off by the Q node in the low state. In this case, since the QL node is kept low by the first supply voltage VSS supplied through the 55th PMOS transistor T55 turned on by the voltage of the QB node in the high state, the 51st PMOS transistor T51 is maintained. ) Is turned off. In addition, since the output line of the level shifter LS is charged to the low level of the first supply voltage VSS through the 56th PMOS transistor T56 turned on by the voltage of the QB node in the high state, the level shifter LS is charged. Outputs a low state output signal LO1. Meanwhile, in the t4 period, the third stage ST3 and the third level shifter LS3 operate the second stage ST2 and the second level shifter LS2 in the t3 period. Accordingly, when the fourth clock signal C4 becomes high, the inter clock signal Inter_CLK also becomes high for a predetermined period of time, thereby turning on the 60th and 61st PMOS transistors T60 and T61. As a result, the first supply voltage VSS is supplied to the QL node and the output line while the inter clock Inter_CLK signal is high through the turned-on 60th and 61st PMOS transistors T60 and T61. The first supply voltage VSS is supplied to the QL node and the output line while the inter clock signal Inter_CLK is in the high state even when the fourth clock signal C4 is in the high state. Accordingly, the QL node and the output line remain low while the inter clock signal Inter_CLK is high. Subsequently, when the inter clock signal Inter_CLK goes low, the output signal LO3 of the level shifter LS has a high signal waveform. The third output signal LO3 is output by being spaced apart as long as the inter clock signal Inter_CLK is high after the second output signal LO2 is output.

t5 기간에서 제4 클럭 신호(C4)가 하이 상태가 되면 제44 PMOS 트랜지스터(T44)가 턴-오프되고 QB 노드는 상기 t4 기간에서의 하이 상태를 유지한다. 이에 따라, 턴-온된 제43A 및 제43B PMOS 트랜지스터(T43A, T43B)에 의해 Q노드는 로우 상태를 유지하므로 제46 PMOS 트랜지스터(T46)는 계속 턴-오프되고, 턴-온된 제47 PMOS 트랜지스터(T47)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 스테이지(ST)의 출력라인에 충전되므로 스테이지(ST)는 로우 상태의 출력 신호(SO)를 출력하게 된다. 그리고, 로우 상태인 Q 노드에 의해 제48A 및 제48B PMOS 트랜지스터(T48A, T48B)는 턴-오프된다. 이 경우, 하이 상태의 제4 클럭 신호(C4)(또는 전단 스테이지의 출력 신호)에 의해 제49 및 제50 PMOS 트랜지스터(T49, T50)가 턴-온되므로 제1 공급 전압(VSS)에 의해 QL 노드는 로우 상태를 유지하게 되므로 제51 PMOS 트랜지스터(T51)는 턴-오프된다. 또한, 하이 상태의 QB 노드의 전압에 의해 턴-온된 제56 PMOS 트랜지스터(T56)를 통해 레벨 쉬프터(LS)의 출력 라인에는 로우 상태인 제1 공급 전압(VSS)이 충전되므로 레벨 쉬프터(LS)는 로우 상태의 출력 신호(LO)를 출력하게 된다. 한편, t5 기간에 제4 스테이지(ST4) 및 제4 레벨 쉬프터(LS4)는 t4 기간에 이루어지는 제3 스테이지(ST3) 및 제3 레벨 쉬프터(LS3)의 동작을 하게 된다. 이에 따라, 제5 클럭 신호(C5)가 하이 상태가 될 때 인터 클럭 신호(Inter_CLK)도 동시에 일정 기간 동안 하이 상태가 됨으로써 제60 및 제61 PMOS 트랜지스터(T60, T61)가 턴-온된다. 이 결과, 턴-온된 제60 및 제61 PMOS 트랜지스터(T60, T61)를 통해 제1 공급 전압(VSS)이 인터 클럭(Inter_CLK) 신호가 하이 상태인 동안 QL 노드 및 출력 라인으로 공급된다. 이러한 제1 공급 전압(VSS)은 제5 클럭 신호(C5)가 하이 상태가 되더라도 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 QL 노드 및 출력 라인으로 공급된다. 이에 따라, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안에는 QL 노드 및 출력 라인은 로우 상태를 계속 유지하게 된다. 이 후, 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 로우 상태가 되면 레벨 쉬프터(LS)의 출력 신호(LO4)는 하이 상태의 신호 파형을 갖게 된다. 이러한 제4 출력 신호(LO4)는 제3 출력 신호(LO3)가 출력된 후 인터 클럭 신호(Inter_CLK)가 하이 상태인 동안만큼 이격되어 출력된다.When the fourth clock signal C4 becomes high in the t5 period, the forty-fourth PMOS transistor T44 is turned off and the QB node maintains the high state in the t4 period. Accordingly, since the Q node is kept low by the turned-on 43A and 43B PMOS transistors T43A and T43B, the forty-seventh PMOS transistor T46 is continuously turned off, and the forty-seventh PMOS transistor ( Since the first supply voltage VSS is charged to the output line of the stage ST through T47, the stage ST outputs the output signal SO in a low state. The 48th and 48B PMOS transistors T48A and T48B are turned off by the Q node in the low state. In this case, since the 49th and 50th PMOS transistors T49 and T50 are turned on by the fourth clock signal C4 (or an output signal of the previous stage) in the high state, the QL is applied by the first supply voltage VSS. Since the node remains low, the 51st PMOS transistor T51 is turned off. In addition, since the output line of the level shifter LS is charged to the low level of the first supply voltage VSS through the 56th PMOS transistor T56 turned on by the voltage of the QB node in the high state, the level shifter LS is charged. Outputs the output signal LO in a low state. In the t5 period, the fourth stage ST4 and the fourth level shifter LS4 operate the third stage ST3 and the third level shifter LS3 which are performed in the t4 period. Accordingly, when the fifth clock signal C5 is in the high state, the inter clock signal Inter_CLK is also in the high state for a predetermined period of time, thereby turning on the sixty and sixty-first PMOS transistors T60 and T61. As a result, the first supply voltage VSS is supplied to the QL node and the output line while the inter clock Inter_CLK signal is high through the turned-on 60th and 61st PMOS transistors T60 and T61. The first supply voltage VSS is supplied to the QL node and the output line while the inter clock signal Inter_CLK is in the high state even when the fifth clock signal C5 is in the high state. Accordingly, the QL node and the output line remain low while the inter clock signal Inter_CLK is high. Thereafter, when the inter clock signal Inter_CLK becomes low, the output signal LO4 of the level shifter LS has a signal waveform in a high state. The fourth output signal LO4 is output by being spaced apart as long as the inter clock signal Inter_CLK is high after the third output signal LO3 is output.

이와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터들은 제1 내지 제4 클럭 신호(C1 내지 C4)가 로우 상태에서 하이 상태로 바뀔 때 동시에 인턴 클럭 신호(Inter_CLK)를 일정기간동안 공급하여 제60 및 제61 PMOS 트랜지스터(T60, T61)을 턴-온 시킴으로써 인턴 클럭 신호(Inter_CLK)가 공급되는 일정기간동안 출력 신호들을 이격시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 출력 신호들의 오버랩(Overlap)을 방지하여 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, the shift registers including the level shifter according to the third embodiment of the present invention simultaneously set the intern clock signal Inter_CLK when the first to fourth clock signals C1 to C4 change from a low state to a high state. By supplying for a period of time to turn on the sixty and sixty-first PMOS transistors (T60, T61) it is possible to space the output signals for a period of time that the intern clock signal Inter_CLK is supplied. Accordingly, overlapping of output signals may be prevented to prevent deterioration of image quality.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터 및 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터들은 제1 내지 제4 클럭 신호가 로우 상태에서 하이 상태로 바뀔 때 동시에 인터 클럭 신호를 일정기간동안 공급하여 출력 시점을 지연시킴으로써 출력 신호들의 오버랩을 방지하여 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, the shift registers incorporating the shift register and the level shifter according to the present invention simultaneously supply the inter-clock signal for a predetermined period of time when the first to fourth clock signals are changed from the low state to the high state to delay the output time. By doing so, the overlap of the output signals can be prevented to prevent deterioration of the image quality.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 종래의 쉬프트 레지스터를 개략적으로 나타내는 도면.1 schematically illustrates a conventional shift register.

도 2는 도 1에 도시된 쉬프트 레지스터의 입출력 파형도. FIG. 2 is an input / output waveform diagram of the shift register shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 도 1에 도시된 한 스테이지의 상세 회로도.3 is a detailed circuit diagram of one stage shown in FIG.

도 4a 내지 도 4c는 도 2에 도시된 입출력 파형도에서 "A" 부분을 상세히 나타내는 도면.4A to 4C are detailed views of part “A” in the input / output waveform diagram shown in FIG. 2;

도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 쉬프트 레지스터의 한 스테이지에 대한 상세 회로도.5 is a detailed circuit diagram of one stage of the shift register according to the first embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 도시된 스테이지의 입출력 파형도.6 is an input / output waveform diagram of the stage shown in FIG. 5;

도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에 대한 상세 회로도.7 is a detailed circuit diagram of a shift register incorporating a level shifter according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 도 7에 도시된 스테이지의 입출력 파형도.8 is an input / output waveform diagram of the stage shown in FIG. 7.

도 9는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에 대한 상세 회로도.9 is a detailed circuit diagram of a shift register incorporating a level shifter according to a third embodiment of the present invention.

도 10은 도 9에 도시된 스테이지의 입출력 파형도.10 is an input / output waveform diagram of the stage shown in FIG. 9;

< 도면의 주요부분에 대한 설명><Description of Main Parts of Drawing>

ST1 내지 STn : 스테이지 32,142,242,342 : 제1 제어부ST1 to STn: stage 32, 142, 242, 342: first control unit

34,144,244,344 : 제2 제어부 36,146,246,346 : 버퍼부34,144,244,344: second control unit 36,146,246,346: buffer unit

252,352 : 제3 제어부 256,356 : 출력 버퍼부252,352: third control unit 256,356: output buffer unit

354 : 제4 제어부354: fourth controller

Claims (40)

제1 및 제2 공급 전압과 위상 지연된 제1 내지 제4 제어 신호들에 의해 입력 신호를 쉬프트시켜 각각의 출력 신호와 다음단의 입력 신호로 공급하는 다수개의 스테이지들로 이루어진 쉬프트 레지스터에 있어서, A shift register comprising a plurality of stages for shifting an input signal with first and second supply voltages and phase delayed first through fourth control signals to supply the respective output signals and the next stage input signals. 상기 스테이지들 각각은,Each of the stages, 입력 신호 공급 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로를 갖는 제1 내지 제3 트랜지스터를 이용하여 그들 사이의 제1 노드에 상기 입력 신호 및 제1 공급 전압을 선택적으로 공급하는 제1 제어부와;A first control section for selectively supplying the input signal and the first supply voltage to a first node between them using first to third transistors having conductive paths between an input signal supply line and the first supply voltage input line Wow; 상기 제2 공급 전압 입력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로를 갖는 제4 및 제5 트랜지스터를 이용하여 그들 사이의 제2 노드에 상기 제2 및 제1 공급 전압을 선택적으로 공급하는 제2 제어부와;Selectively supplying the second and first supply voltages to a second node therebetween using fourth and fifth transistors having conductive paths between the second supply voltage input line and the first supply voltage input line. A second control unit; 상기 제1 내지 제4 제어 신호들 중 어느 하나의 제어 신호의 입력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로를 갖는 제6 및 제7 트랜지스터를 이용하여 그들 사이의 상기 스테이지의 출력 라인에 상기 특정 제어 신호와 상기 제1 공급 전압을 상기 출력 신호로 선택적으로 공급하는 출력 버퍼부와;To the output line of the stage between them using sixth and seventh transistors having a conductive path between the input line of any one of the first to fourth control signals and the first supply voltage input line. An output buffer unit for selectively supplying the specific control signal and the first supply voltage to the output signal; 상기 제1 내지 제4 제어 신호들과 듀티비가 상이한 제5 제어 신호에 따라 상기 스테이지의 출력 라인에서 출력되는 출력 신호의 특정 전압 상태를 지연시키기 위한 제8 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And an eighth transistor configured to delay a specific voltage state of an output signal output from the output line of the stage according to a fifth control signal having a different duty ratio from the first to fourth control signals. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 및 제2 트랜지스터는 상기 입력 신호 공급 라인과 상기 제1 노드 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 입력 신호와 제1 제어 신호 각각에 따라 제어하는 제어 전극을 각각 갖고,The first and second transistors each have a conductive path between the input signal supply line and the first node, and a control electrode for controlling the conductive path according to each of the input signal and the first control signal, 상기 제3 트랜지스터는 제1 노드와 제1 공급 전압 입력 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the third transistor has a conductive path between the first node and the first supply voltage input and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제4 트랜지스터는 상기 제2 공급 전압 입력 라인과 상기 제2 노드 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 제2 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 갖고,The fourth transistor has a conductive path between the second supply voltage input line and the second node and a control electrode controlling the conductive path according to a second control signal, 상기 제5 트랜지스터는 상기 제2 노드와 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 제1 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the fifth transistor has a conductive path between the second node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to a first control signal. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제6 트랜지스터는 제3 제어 신호 입력 라인과 상기 스테이지의 출력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 갖고,The sixth transistor has a conductive path between a third control signal input line and an output line of the stage, and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the first node, 제7 트랜지스터는 상기 스테이지의 출력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the seventh transistor has a conductive path between an output line of the stage and the first supply voltage input line, and a control electrode for controlling the conductive path according to the voltage of the second node. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제6 트랜지스터는 그의 게이트 전극의 부트스트래핑을 위하여 그 게이트 전극과 상기 스테이지의 출력 라인 사이에 접속된 캐패시터를 추가로 구비하는 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the sixth transistor further comprises a capacitor connected between the gate electrode and an output line of the stage for bootstrapping the gate electrode thereof. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 노드에 게이트 전극이 공통으로 접속된 듀얼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the third transistor includes a dual gate transistor having a gate electrode connected to the second node in common. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제5 트랜지스터는 상기 제1 제어 신호에 게이트 전극이 공통으로 접속된 듀얼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the fifth transistor includes a dual gate transistor having a gate electrode connected to the first control signal in common. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제8 트랜지스터는 상기 제5 제어신호의 제어에 의해 상기 스테이지의 출력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로가 형성되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the eighth transistor is configured to form a conductive path between an output line of the stage and the first supply voltage input line under control of the fifth control signal. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제5 제어신호는 상기 제1 내지 제4 제어신호보다 듀티폭이 작은 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the fifth control signal has a smaller duty width than the first to fourth control signals. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스테이지는 동일 채널 타입의 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the stage comprises a transistor of the same channel type. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스테이지는 PMOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And said stage comprises a PMOS transistor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 공급 전압 보다 상기 제2 공급 전압이 큰 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the second supply voltage is greater than the first supply voltage. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제1 공급 전압은 부극성 전압인 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the first supply voltage is a negative voltage. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 내지 제3 제어 신호로는 서로 위상이 다르면서 동일한 주기로 특정 전압 상태를 갖는 제1 내지 제4 클럭 신호들 중 3개의 클럭 신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.3. The shift register of claim 1, wherein the first to third control signals are supplied with three clock signals among the first to fourth clock signals having different voltages and having a specific voltage state at the same period. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제3 제어 신호는 상기 제1 제어 신호보다 한 클럭만큼 위상 지연된 형태를 갖고, 상기 제2 제어 신호는 상기 제3 제어 신호보다 두 클럭만큼 위상 지연된 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the third control signal has a phase delayed form by one clock than the first control signal, and the second control signal has a phase delayed form by two clocks than the third control signal. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 입력 신호는 상기 제1 제어 신호와 동위상을 갖는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the input signal comprises a portion in phase with the first control signal. 제 1 항 내지 제16 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 16, 상기 쉬프트 레지스터는 표시 장치의 스캔 라인들을 구동하는 스캔 드라이버와 표시 장치의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버 중 적어도 하나의 드라이버에 적용되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.And the shift register is applied to at least one of a scan driver for driving scan lines of a display device and a data driver for driving data lines of a display device. 종속적으로 접속되고 입력 단자를 통해 입력되는 스타트 펄스를 쉬프트시켜 순차적으로 쉬프트 펄스를 출력하는 다수의 스테이지들과, 상기 스테이지들 각각으로부터 공급되는 쉬프트 펄스의 전압 레벨을 레벨 쉬프팅시켜 출력하는 다수의 레벨 쉬프터들을 구비하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터에 있어서,A plurality of stages that are cascade-connected and shift the start pulses input through the input terminal to sequentially output the shift pulses, and a plurality of level shifters that level shift the voltage levels of the shift pulses supplied from each of the stages. In the shift register with a built-in level shifter, 상기 스테이지 각각은,Each of the stages, 제1 및 제2 노드의 전압에 따라 제1 제어 신호와 제1 공급 전압을 이용하여 상기 쉬프트 펄스를 출력하는 버퍼부와;A buffer unit configured to output the shift pulse using a first control signal and a first supply voltage according to voltages of first and second nodes; 상기 스타트 펄스와 상기 제2 노드의 전압에 따라 상기 제1 노드의 전압을 제어하는 제1 제어부와;A first control unit controlling the voltage of the first node according to the start pulse and the voltage of the second node; 상기 스타트 펄스 및 제2 제어 신호에 따라 상기 제1 및 제2 공급 전압을 이용하여 상기 제2 노드의 전압을 제어하는 제2 제어부를 구비하고,And a second controller configured to control the voltage of the second node using the first and second supply voltages according to the start pulse and the second control signal. 상기 레벨 쉬프터들 각각은,Each of the level shifters 상기 제1 노드의 전압과 제3 제어 신호에 따라 제3 공급 전압과 상기 제1 공급 전압을 이용하여 제3 노드의 전압을 제어하는 제3 제어부와;A third controller configured to control a voltage of a third node using a third supply voltage and the first supply voltage according to the voltage of the first node and a third control signal; 상기 제3 노드 전압이 적어도 1단계로 부트스트래핑되게 하고, 상기 적어도 1단계로 부트스트래핑된 제3 노드의 전압과 제4 제어 신호에 따라 상기 제1 및 제3 공급 전압을 선택적으로 출력하는 출력 버퍼부와,An output buffer which causes the third node voltage to be bootstraped in at least one step and selectively outputs the first and third supply voltages according to a voltage and a fourth control signal of the third node bootstrapped in the at least one step Wealth, 상기 제1 내지 제4 제어 신호들과 듀티비가 상이한 제5 제어 신호에 따라 제3 노드 및 상기 출력 버퍼부의 출력라인에서 출력되는 출력 신호의 특정 전압 상태를 지연시키기 위한 제4 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a fourth controller for delaying a specific voltage state of an output signal output from an output line of the third node and the output buffer unit according to a fifth control signal having a different duty ratio from the first to fourth control signals. Shift register with built-in level shifter. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제1 제어부는The first control unit 상기 스타트 펄스 및 상기 제1 노드 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제1 트랜지스터와,A first transistor having a conductive passage between the start pulse and the first node, and a control electrode controlling the conductive passage according to the start pulse; 상기 제1 트랜지스터의 출력 단자와 상기 제1 노드 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 제3 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제2 트랜지스터와,A second transistor having a conductive passage between an output terminal of the first transistor and the first node, and a control electrode controlling the conductive passage according to a third control signal; 상기 제1 노드와 상기 제1 공급 전압의 입력라인 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제3 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a third transistor having a conductive passage between the first node and the input line of the first supply voltage and a control electrode for controlling the conductive passage according to the voltage of the second node. Built-in shift register. 제 19 항에 있어서, The method of claim 19, 상기 제2 제어부는The second control unit 상기 제2 공급 전압 입력 라인과 상기 제2 노드 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 제2 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제4 트랜지스터와;A fourth transistor having a conductive passage between the second supply voltage input line and the second node and a control electrode controlling the conductive passage according to the second control signal; 상기 제2 노드와 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 스타트 펄스에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제5 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a fifth transistor having a conductive passage between the second node and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive passage according to the start pulse. . 제 20 항에 있어서, The method of claim 20, 상기 버퍼부는The buffer unit 상기 제1 제어 신호 입력 라인과 상기 스테이지의 출력 라인 사이의 도전통로와, 그 도전 통로를 상기 제1 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제6 트랜지스터와;A sixth transistor having a conductive path between the first control signal input line and an output line of the stage, and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the first node; 상기 스테이지의 출력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제7 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a seventh transistor having a conductive passage between the output line of the stage and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive passage according to the voltage of the second node. Built-in shift register. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 버퍼부는The buffer unit 상기 제6 트랜지스터의 제어 전극과 상기 스테이지의 출력 라인 사이에 접속되어 그 제어 전극의 전압을 부트스트래핑시키기 위한 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a capacitor connected between the control electrode of the sixth transistor and the output line of the stage, for further bootstrapping the voltage of the control electrode. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 스테이지는The stage is 상기 제5 트랜지스터의 누설 전류로 인하여 상기 제2 노드의 전압왜곡을 방지하기 위한 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a capacitor for preventing a voltage distortion of the second node due to the leakage current of the fifth transistor. 제 19 항에 있어서, The method of claim 19, 상기 제3 트랜지스터는 상기 제2 노드에 게이트 전극이 공통으로 접속된 듀얼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And the third transistor includes a dual gate transistor having a gate electrode connected to the second node in common. 제 20 항에 있어서, The method of claim 20, 상기 제5 트랜지스터는 상기 제3 노드에 게이트 전극이 공통으로 접속된 듀얼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And the fifth transistor comprises a dual gate transistor having a gate electrode connected to the third node in common. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제3 제어부는The third control unit 상기 제3 공급 전압의 입력 라인과 상기 제3 노드 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 스테이지의 출력 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 제8 트랜지스터와;An eighth transistor having a conductive path between the input line of the third supply voltage and the third node and a control electrode controlling the conductive path according to an output signal of the stage; 상기 제3 노드와 제1 공급 전압의 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제3 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 제9 및 제10 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a ninth and tenth transistor having a conductive path between the third node and an input line of the first supply voltage and a control electrode for controlling the conductive path according to the third control signal. Shift register with built-in. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 출력 버퍼부는The output buffer unit 상기 제3 공급 전압 입력 라인과 상기 제3 노드 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제3 노드의 전압에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 제11 트랜지스터와;An eleventh transistor having a conductive path between the third supply voltage input line and the third node and a control electrode controlling the conductive path according to the voltage of the third node; 상기 레벨 쉬프터의 출력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제4 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 갖는 제어 전극을 갖는 제12 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a twelfth transistor having a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and a control electrode for controlling the conductive path according to the fourth control signal. Shift register with built-in level shifter. 제 27 항에 있어서, The method of claim 27, 상기 레벨 쉬프터는 The level shifter 상기 제3 노드 및 레벨 쉬프터의 출력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제4 제어 신호에 따라 제어하는 제13 트랜지스터와;A thirteenth transistor configured to control a conductive path between the third node and an output line of the level shifter and the conductive path according to the fourth control signal; 상기 레벨 쉬프터의 출력 라인 및 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제3 제어 신호에 따라 제어하는 제14 트랜지스터와;A fourteenth transistor configured to control a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and the conductive path according to the third control signal; 상기 제3 및 레벨 쉬프터의 출력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제15 트랜지스터와;A fifteenth transistor for controlling a conductive path between the output lines of the third and level shifters and the conductive path according to the voltage of the second node; 상기 레벨 쉬프터의 출력 라인과 상기 제1 공급 전압 입력 라인 사이의 도전 경로와, 그 도전 경로를 상기 제2 노드의 전압에 따라 제어하는 제16 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a sixteenth transistor configured to control a conductive path between the output line of the level shifter and the first supply voltage input line and the conductive path according to the voltage of the second node. One shift register. 제 28 항에 있어서,The method of claim 28, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 제3 공급 전압의 입력 라인과 상기 제8 트랜지스터 사이에 다이오드형으로 접속된 제17 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a seventeenth transistor diode-connected between the input line of the third supply voltage and the eighth transistor, wherein the shift register has a level shifter. 제 27 항에 있어서,The method of claim 27, 상기 출력 버퍼부는The output buffer unit 상기 1단 부트스트래핑을 위하여 상기 제3 노드와 상기 레벨 쉬프터의 출력 라인 사이에 직렬로 연결된 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And a capacitor connected in series between the third node and the output line of the level shifter for the first stage bootstrapping. 제 26 항에 있어서,The method of claim 26, 상기 제8 트랜지스터는 상기 제1 노드에 게이트 전극이 공통으로 접속된 듀얼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And the eighth transistor includes a dual gate transistor having a gate electrode connected to the first node in common. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제4 제어부는,The fourth control unit, 상기 제1 공급 전압 입력 라인과 상기 제3 노드 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 제5 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제17 트랜지스터와;A seventeenth transistor having a conductive passage between the first supply voltage input line and the third node and a control electrode controlling the conductive passage according to the fifth control signal; 상기 제1 공급 전압 입력 라인과 상기 레벨 쉬프터의 출력 라인 사이의 도전 통로와, 그 도전 통로를 상기 제5 제어 신호에 따라 제어하는 제어 전극을 가지는 제18 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And an eighteenth transistor having a conductive passage between the first supply voltage input line and an output line of the level shifter and a control electrode for controlling the conductive passage according to the fifth control signal. Built-in shift register. 제 32 항에 있어서,The method of claim 32, 상기 제5 제어신호는 상기 제1 내지 제4 제어신호보다 듀티폭이 작은 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And the fifth control signal has a smaller duty width than the first to fourth control signals. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 스테이지들과 레벨 쉬프터들은 동일타입 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And said stages and level shifters comprise only thin film transistors of the same type channel. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1 내지 제3 공급전압은 제3 < 제2 < 제1의 크기 관계를 갖는 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And the first to third supply voltages have a third < second < first magnitude relationship. 제 35 항에 있어서,36. The method of claim 35 wherein 상기 제3 공급 전압은 부극성 전압인 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And the third supply voltage is a negative voltage. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제1 내지 제4 제어 신호는 제1, 제4, 제2, 제3 순으로 위상 지연된 특정 전압 상태를 갖고,The first to fourth control signals have specific voltage states that are phase delayed in the order of first, fourth, second, and third, 상기 제3 제어 신호는 상기 스타트 펄스와 동위상을 갖는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And the third control signal has a phase in phase with the start pulse. 제 18 항에 있어서, The method of claim 18, 상기 스테이지들과 레벨 쉬프터들은 P 채널의 박막트랜지스터들로만 구성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And said stages and level shifters comprise only a thin film transistor of a P channel. 제 18 항에 있어서, The method of claim 18, 상기 레벨 쉬프터는The level shifter 상기 쉬프트 펄스의 최저 전압 레벨을 상기 제3 공급 전압으로 다운시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And shifting the lowest voltage level of the shift pulse to the third supply voltage to output the shifted voltage. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 쉬프트 레지스터는 표시 장치의 스캔 라인들을 구동하는 스캔 드라이버와 표시 장치의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버 중 적어도 하나의 드라이버에 적용되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프터를 내장한 쉬프트 레지스터.And the shift register is applied to at least one of a scan driver for driving the scan lines of the display device and a data driver for driving the data lines of the display device.
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