KR100940268B1 - Temperature sensor circuit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다이오드 접속된 제1바이폴라 트랜지스터를 이용하여 바이어스 인가 시 제1전압신호를 출력하고, 다이오드 접속된 제2바이폴라 트랜지스터를 이용하여 바이어스 인가 시 상기 제1전압신호에 응답하여 온도에 따라 선형적으로 변화하는 제2전압신호를 출력하는 온도 센싱부와; 상기 온도 센싱부로부터 출력되는 상기 제2전압신호를 증폭하여 제3전압신호를 출력하는 전압신호 출력부를 포함하는 온도 센서 회로를 제공한다.The present invention outputs a first voltage signal when a bias is applied using a diode-connected first bipolar transistor, and linearly with temperature in response to the first voltage signal when a bias is applied using a diode-connected second bipolar transistor. A temperature sensing unit configured to output a second voltage signal to be changed; It provides a temperature sensor circuit comprising a voltage signal output unit for amplifying the second voltage signal output from the temperature sensing unit to output a third voltage signal.

온도, 센서, 바이어스, 전압 Temperature, sensor, bias, voltage

Description

온도 센서 회로{TEMPERATURE SENSOR CIRCUIT}TEMPERATURE SENSOR CIRCUIT {TEMPERATURE SENSOR CIRCUIT}

본 발명은 반도체 메모리에 관한 것으로, 더 상세하게는 온도 센서 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor memory, and more particularly to a temperature sensor circuit.

온도센서 회로는 일반적으로 밴드 갭 기준 전압 발생 장치를 이용하는데, 이러한 밴드 갭 기준 전압 발생 장치는 온도나 외부 전압 변동에도 안정적으로 일정한 전압을 공급해 주는 장치로 반도체 메모리 장치나 온-다이(On-Die) 온도계의 열 센서 등과 같은 기준 전압을 필요로 하는 모든 어플리케이션 장치에 사용된다.The temperature sensor circuit generally uses a bandgap reference voltage generator. The bandgap reference voltage generator is a device that stably supplies a constant voltage even when the temperature or external voltage fluctuates, and is a semiconductor memory device or an on-die. ) Used in all application devices that require a reference voltage, such as a thermometer's thermal sensor.

도 1 은 종래 기술에 의한 온도 센서 회로도이고, 도 2 는 도 1 의 온도 변화에 따른 출력 전압 레벨을 도시한 도면이다.1 is a circuit diagram of a temperature sensor according to the prior art, and FIG. 2 is a diagram illustrating an output voltage level according to a temperature change of FIG. 1.

도 1 에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 의한 온도 센서 회로의 온도 센싱전압(Vtemp)의 레벨은 저항 R1,R2의 비와 VBE1에 의해 결정되며, 온도 센싱전압(Vtemp)은 다음과 같은 식으로 나타낼 수 있다.As shown in FIG. 1, the level of the temperature sensing voltage Vtemp of the temperature sensor circuit according to the related art is determined by the ratio of the resistors R1 and R2 and VBE1, and the temperature sensing voltage Vtemp is as follows. Can be represented.

Vtemp = VBE1*(R1+R2)/R2Vtemp = VBE1 * (R1 + R2) / R2

이때, VBE1 전압은 온도에 따라서 전압이 하강하게 되고 여기에 (R1+R2)/R2의 비율로 온도 센싱전압(Vtemp)이 결정된다.At this time, the voltage of the VBE1 voltage decreases according to the temperature, and the temperature sensing voltage Vtemp is determined at a ratio of (R1 + R2) / R2.

이러한 온도 센싱전압(Vtemp)의 변화의 폭을 증가시키기 위해서 (R1+R2)/R2 의 값을 크게 가져 가야하는데 이는 온도 센싱전압(Vtemp)의 레벨 상승으로 인한 모스 트랜지스터(M2)의 포화 마진(Saturation margin)을 없게 하고, 또한 이러한 저항비의 상승은 도 2 에 도시한 바와 같이 온도 센싱전압(Vtemp)의 동작 영역의 전체적인 상승으로 인하여 전원전압(VDD) 이상인 영역에서 사용할 수가 없게 되므로 (R1+R2)/R2 의 값의 상승은 제한적이다.In order to increase the width of the change in the temperature sensing voltage Vtemp, the value of (R1 + R2) / R2 needs to be large, which means that the saturation margin of the MOS transistor M2 due to the level rise of the temperature sensing voltage Vtemp ( Since there is no saturation margin, and this increase in the resistance ratio cannot be used in an area above the power supply voltage VDD due to the overall increase in the operating region of the temperature sensing voltage Vtemp as shown in FIG. 2 (R1 + The increase in the value of R2) / R2 is limited.

그러므로 저레벨 전원전압(Low VDD) 마진을 확보하면서 온도 변화에 대한 충분한 출력 전압변화를 만들 수 있는 새로운 기술이 필요하다.Therefore, there is a need for a new technology that can produce a sufficient output voltage change over temperature changes while ensuring a low VDD margin.

따라서, 본 발명은 온도 센서의 일정 공급 전압 내에서 동작 영역을 최대한 확보함과 동시에 온도 변화에 따른 전압의 변화 폭을 크게 가져갈 수 있는 온도 센서 회로를 제시한다.Accordingly, the present invention proposes a temperature sensor circuit that can secure the maximum operating area within a constant supply voltage of the temperature sensor and at the same time bring about a large change in voltage according to temperature change.

또한, 본 발명은 낮은 전원전압에서도 온도 변화에 따른 출력전압의 변화 폭을 크게 가져갈 수 있도록 하여 정확한 온도정보를 출력할 수 있도록 하는 온도 센서 회로를 제시한다.In addition, the present invention proposes a temperature sensor circuit for outputting accurate temperature information by making a large change in the output voltage according to the temperature change even at a low power supply voltage.

본 발명은 다이오드 접속된 제1바이폴라 트랜지스터를 이용하여 바이어스 인가 시 제1전압신호를 출력하고, 다이오드 접속된 제2바이폴라 트랜지스터를 이용하여 바이어스 인가 시 상기 제1전압신호에 응답하여 온도에 따라 선형적으로 변화하는 제2전압신호를 출력하는 온도 센싱부와; 상기 온도 센싱부로부터 출력되는 상기 제2전압신호를 증폭하여 제3전압신호를 출력하는 전압신호 출력부를 포함하는 온도 센서 회로를 제공한다.The present invention outputs a first voltage signal when a bias is applied using a diode-connected first bipolar transistor, and linearly with temperature in response to the first voltage signal when a bias is applied using a diode-connected second bipolar transistor. A temperature sensing unit configured to output a second voltage signal to be changed; It provides a temperature sensor circuit comprising a voltage signal output unit for amplifying the second voltage signal output from the temperature sensing unit to output a third voltage signal.

또한, 본 발명은 바이어스 신호에 응답하되, 다이오드 접속된 제1바이폴라 트랜지스터를 이용하여 온도에 반비례하는 제1전압신호를 출력하는 제1센싱부와; 상기 제1전압신호와 상기 바이어스 신호에 응답하되, 다이오드 접속된 제2바이폴라 트랜지스터를 이용하여 온도에 비례하는 제2전압신호를 출력하는 제2센싱부와; 상기 제2전압신호와 분배전압 신호를 비교하여 증폭신호를 생성하고, 상기 증폭신호에 응답하여 온도에 선형적으로 변하는 제3 전압신호를 출력하는 전압신호 출력부를 포함하는 온도 센서 회로를 제공한다.In addition, the present invention includes a first sensing unit in response to the bias signal, for outputting a first voltage signal inversely proportional to temperature using a diode-connected first bipolar transistor; A second sensing unit responding to the first voltage signal and the bias signal and outputting a second voltage signal proportional to a temperature by using a diode-connected second bipolar transistor; A voltage sensor circuit including a voltage signal output unit configured to generate an amplified signal by comparing the second voltage signal and the divided voltage signal, and output a third voltage signal linearly changed in temperature in response to the amplified signal.

또한, 본 발명은 온도에 따라 변화되는 저항값을 갖는 제1바이폴라 트랜지스터의 특성에 따라 선형적으로 변화되는 레벨을 갖는 제1전압신호 및 온도에 따라 변화되는 저항값을 갖는 제2바이폴라 트랜지스터의 특성 및 상기 제1전압신호에 따라 선형적으로 변화되는 레벨을 갖는 제2전압신호를 생성하는 온도 센싱부와; 상기 제2전압신호와 분배전압신호를 비교하여 증폭신호를 생성하고, 상기 증폭신호에 응답하여 선형적으로 변화되는 레벨을 갖는 제3전압신호를 출력하는 전압신호 출력부
를 포함하는 온도 센서 회로를 제공한다.In addition, the present invention provides a characteristic of a first voltage signal having a level that changes linearly according to a characteristic of a first bipolar transistor having a resistance value that varies with temperature and a characteristic of a second bipolar transistor having a resistance value that varies with temperature. And a temperature sensing unit configured to generate a second voltage signal having a level linearly changed according to the first voltage signal. A voltage signal output unit configured to generate an amplified signal by comparing the second voltage signal with a divided voltage signal, and output a third voltage signal having a level that varies linearly in response to the amplified signal
It provides a temperature sensor circuit comprising a.

이러한 본 발명은 낮은 전원전압에서도 온도변화에 따른 출력전압의 변화 폭을 최대화할 수 있도록 함으로써 보다 정확한 온도정보를 출력할 수 있도록 한다.The present invention enables to output more accurate temperature information by maximizing the range of change of the output voltage according to the temperature change even at a low power supply voltage.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. These examples are only for illustrating the present invention, and the scope of protection of the present invention is not limited by these examples.

도 3 은 본 발명에 의한 온도 센서 회로도이고, 도 4 는 도 3 의 온도 변화에 따른 출력 전압 레벨을 도시한 도면이다.3 is a circuit diagram illustrating a temperature sensor according to the present invention, and FIG. 4 is a diagram illustrating an output voltage level according to a temperature change of FIG. 3.

도 3 에 도시한 바와 같이, 본 발명의 온도센서 회로는 바이어스 신호(Bias)에 응답하되, 다이오드 접속된 제1바이폴라 트랜지스터(Q1)를 이용하여 온도에 반비례하는 제1전압신호(Vct)를 출력하는 제1센싱부(11)와, 상기 제1전압신호(Vct)와 상기 바이어스 신호(Bias)에 응답하되, 다이오드 접속된 제2바이폴라 트랜지스터(Q2)를 이용하여 온도에 비례하는 제2전압신호(Vpt)를 출력하는 제2센싱부(12)를 포함하는 온도 센싱부(10)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the temperature sensor circuit of the present invention responds to a bias signal, but outputs a first voltage signal Vct in inverse proportion to temperature using a diode-connected first bipolar transistor Q1. The second voltage signal proportional to the temperature using the second bipolar transistor Q2 connected to the first sensing unit 11, the first voltage signal Vct and the bias signal Bis, and diode-connected. And a temperature sensing unit 10 including a second sensing unit 12 for outputting Vpt.

그리고, 상기 제2전압신호(Vpt)와 온도센싱전압(Vtemp)의 분배전압 신호(Vt)를 비교하여 증폭하는 증폭기(22)를 포함하고, 상기 증폭기(22)의 출력신호에 응답하여 온도에 선형적으로 변하는 온도 센싱전압(Vtemp)을 출력하는 제4드라이버(M4)를 포함하고, 제5 및 제6드라이버(M5,M6)를 이용하여 상기 온도 센싱전압(Vtemp)을 전압 분배하는 전압 분배부(21)를 포함하는 전압신호 출력부(20)를 포함한다.And an amplifier 22 for comparing and amplifying the distribution voltage signal Vt of the second voltage signal Vpt and the temperature sensing voltage Vtemp, and in response to an output signal of the amplifier 22. A voltage driver for voltage-dividing the temperature sensing voltage Vtemp by using a fifth driver M4 that outputs a linearly changing temperature sensing voltage Vtemp, and using fifth and sixth drivers M5 and M6. And a voltage signal output unit 20 including a distribution unit 21.

상기 온도 센싱부(10)는 상기 바이어스 신호(Bias)에 응답하여 제1전압신호(Vct)를 출력하는 제1드라이버(M1)와, 상기 제1드라이버(M1)와 연결되고 다이오드 접속된 제1바이폴라 트랜지스터(Q1)로 이루어진 제1센싱부(11)와, 상기 바이어스 신호(Bias)에 응답하여 구동하는 제2드라이버(M2)와, 상기 제2드라이버(M2)와 연결되고 다이오드 접속된 제2바이폴라 트랜지스터(Q2)와, 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q2)와 연결되고, 상기 제1전압신호(Vct)에 응답하여 제2전압신호(Vpt)를 출력하는 제3드라이버(M3)로 이루어진 제2센싱부(12)를 포함한다.The temperature sensing unit 10 may include a first driver M1 that outputs a first voltage signal Vct in response to the bias signal Bias, and a first diode connected to the first driver M1 and diode-connected. A first sensing unit 11 formed of a bipolar transistor Q1, a second driver M2 driven in response to the bias signal Bis, and a second diode connected to the second driver M2 A second driver including a bipolar transistor Q2 and a third driver M3 connected to the second bipolar transistor Q2 and outputting a second voltage signal Vpt in response to the first voltage signal Vct. The sensing unit 12 is included.

여기서, 상기 제1전압신호(Vct)는 다이오드 온도 특성에 따라 변화하는 베이스-이미터 고유전압 신호이다. 또한, 제1 내지 제6드라이버(M1~M6)는 모스(MOS) 트랜지스터이다.Here, the first voltage signal Vct is a base-emitter high voltage signal that varies according to diode temperature characteristics. In addition, the first to sixth drivers M1 to M6 are MOS transistors.

상기 전압신호 출력부(20)는 상기 제2전압신호(Vpt)와 상기 온도 센싱전압(Vtemp)의 분배전압신호(Vt)를 비교하여 증폭하는 증폭기(22)와, 상기 증폭기(22)의 출력신호에 응답하여 상기 온도 센싱전압(Vtemp)을 출력하는 제4드라이버(M4)와, 상기 온도 센싱전압(Vtemp)을 전압 분배하여 분배전압신호(Vt)를 상기 증폭기(22)로 출력하는 전압 분배부(21)를 포함한다.The voltage signal output unit 20 is an amplifier 22 for comparing and amplifying the distribution voltage signal Vt of the second voltage signal Vpt and the temperature sensing voltage Vtemp, and an output of the amplifier 22. The fourth driver M4 outputs the temperature sensing voltage Vtemp in response to the signal, and the voltage divider outputs the divided voltage signal Vt to the amplifier 22 by voltage-dividing the temperature sensing voltage Vtemp. Allocation 21 is included.

여기서, 상기 전압 분배부(21)는 게이트와 드레인이 접속된 제5드라이버(M5) 및 제6드라이버(M6)로 구성된다. 또한, 상기 전압 분배부(21)는 복수의 저항소자를 직렬 연결하여 구성할 수도 있다.Here, the voltage divider 21 includes a fifth driver M5 and a sixth driver M6 to which a gate and a drain are connected. In addition, the voltage divider 21 may be configured by connecting a plurality of resistor elements in series.

또한, 본 발명의 온도 센서 회로는 도면에 도시는 하지 않았지만 온도에 선형적으로 변하는 상기 온도 센싱전압(Vtemp)를 디지털 코드로 출력하는 아날로그 디지털 컨버터와 연결된다.In addition, the temperature sensor circuit of the present invention is connected to an analog-to-digital converter that outputs the temperature sensing voltage Vtemp, which is linearly changed in temperature, although not shown in the drawings.

이와 같이 구성된 본 발명의 동작을 도 3과 도 4를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The operation of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4 as follows.

먼저, 도 3 에 도시한 바와 같이 제1드라이버(M1)는 일정한 전압레벨을 갖는 바이어스 신호(Bias)를 인가받으므로, 온도가 증가하게 되면 제1바이폴라 트랜지스터(Q1)의 베이스-이미터 전압(VBE)의 레벨은 낮아지고, 이에 따라 제1전압신호(Vct)의 레벨도 낮아진다. 즉, 제1바이폴라 트랜지스터(Q1)의 저항 값은 온도가 증가할수록 작아진다. 이러한 제1바이폴라 트랜지스터(Q1)의 온도 특성에 따라 제1전압신호(Vct)의 레벨은 온도가 상승할수록 낮아진다.First, as shown in FIG. 3, since the first driver M1 receives the bias signal Bis having a constant voltage level, when the temperature increases, the base-emitter voltage of the first bipolar transistor Q1 ( The level of the VBE is lowered, and thus the level of the first voltage signal Vct is lowered. That is, the resistance value of the first bipolar transistor Q1 decreases as the temperature increases. According to the temperature characteristic of the first bipolar transistor Q1, the level of the first voltage signal Vct decreases as the temperature increases.

제1전압신호(Vct) 레벨이 낮아지면, 제3드라이버(M3)의 게이트-소스 전압(Vgs)의 레벨이 낮아져 제3드라이버(M3)의 저항이 상승한다. 따라서, 제2전압신호(Vpt)의 레벨은 상승하고, 제2바이폴라 트랜지스터(Q2)의 저항 값은 작아진다.When the level of the first voltage signal Vct is lowered, the level of the gate-source voltage Vgs of the third driver M3 is lowered to increase the resistance of the third driver M3. Therefore, the level of the second voltage signal Vpt rises and the resistance value of the second bipolar transistor Q2 decreases.

그러므로, 도 4 에 도시한 바와 같이 제2전압신호(Vpt)는 제3드라이버(M3)와 제2바이폴라 트랜지스터(Q2)의 저항비에 의해 더 상승하게 된다.Therefore, as shown in FIG. 4, the second voltage signal Vpt is further increased by the resistance ratio between the third driver M3 and the second bipolar transistor Q2.

그러면, 증폭기(22)는 상승된 상기 제2전압신호(Vpt)와 전압 분배부(21)의 분배전압신호(Vt)를 비교 증폭하고, 증폭기(22)의 출력신호는 제4드라이버(M4)를 구동시켜 온도 센싱전압(Vtemp)의 레벨을 결정한다. 즉, 상기 제2전압신호(Vpt)와 전압 분배부(21)의 제5드라이버(M5) 및 제6드라이버(M6)의 비에 따라 온도 센싱전압(Vtemp)의 레벨이 결정된다.Then, the amplifier 22 compares and amplifies the elevated second voltage signal Vpt and the divided voltage signal Vt of the voltage divider 21, and the output signal of the amplifier 22 is the fourth driver M4. Drive to determine the level of the temperature sensing voltage (Vtemp). That is, the level of the temperature sensing voltage Vtemp is determined according to the ratio of the second voltage signal Vpt and the fifth driver M5 and the sixth driver M6 of the voltage divider 21.

한편, 제1드라이버(M1)와 제2드라이버(M2)는 온도가 상승하게 되면 전류 구동 능력이 떨어져서 제1전압신호(Vct)와 제2전압신호(Vpt)의 선형성에 영향을 줄 수 있는데 이를 제1바이폴라 트랜지스터(Q1)와 제2바이폴라 트랜지스터(Q2)에 의한 베이스-이미터 전압(VBE) 전압강하로 제1드라이버(M1)와 제2드라이버(M2)의 게이트-소스 전압(Vgs) 상승으로 보상한다.On the other hand, when the temperature of the first driver M1 and the second driver M2 increases, the current driving ability decreases, which may affect the linearity of the first voltage signal Vct and the second voltage signal Vpt. The gate-source voltage Vgs of the first driver M1 and the second driver M2 increases due to the voltage drop of the base-emitter voltage VBE caused by the first bipolar transistor Q1 and the second bipolar transistor Q2. To compensate.

이와 같이 본 발명은 낮은 전원전압에서도 온도변화에 따른 출력 전압의 변화를 최대화할 수 있게 한다. 따라서 본 발명을 이용하면 정밀한 온도 정보를 추출할 수 있는 온도 센서 회로를 구성할 수 있다. 그 이유는 낮은 전원전압에서도 종래 기술에 비해 두 배 이상의 온도 변화에 따른 출력 전압의 획득이 가능하기 때문이다.As described above, the present invention can maximize the change of the output voltage according to the temperature change even at a low power supply voltage. Therefore, by using the present invention, it is possible to construct a temperature sensor circuit capable of extracting precise temperature information. The reason is that even at low power supply voltage, the output voltage can be obtained by more than twice the temperature change compared with the prior art.

본 발명의 온도 센싱전압(Vtemp)을 아날로그 디지털 컨버터(ADC)로 전달하여 이를 디지털 코드로 출력하는 것이 온도 센서의 구성인데, 온도에 따른 전압 변동폭이 크면 클수록 ADC의 정밀도를 높일 수 있다.The temperature sensor voltage Vtemp of the present invention is transmitted to an analog-to-digital converter (ADC) and outputted as a digital code, which is a configuration of a temperature sensor. The larger the voltage fluctuation according to temperature, the higher the accuracy of the ADC.

도 1 은 종래 기술에 의한 온도 센서 회로.1 is a temperature sensor circuit according to the prior art.

도 2 는 도 1 의 온도 변화에 따른 출력 전압 레벨을 도시한 도면.2 is a diagram illustrating an output voltage level according to the temperature change of FIG. 1.

도 3 은 본 발명에 의한 온도 센서 회로.3 is a temperature sensor circuit according to the present invention.

도 4 는 도 3 의 온도 변화에 따른 출력 전압 레벨을 도시한 도면.4 is a diagram illustrating an output voltage level according to the temperature change of FIG. 3.

Claims (21)

다이오드 접속된 제1바이폴라 트랜지스터를 이용하여 바이어스 인가 시 온도에 반비례하는 레벨을 갖는 제1전압신호를 출력하고, 다이오드 접속된 제2바이폴라 트랜지스터를 이용하여 바이어스 인가 시 상기 제1전압신호에 응답하여 온도에 비례하는 레벨을 갖는 제2전압신호를 출력하는 온도 센싱부와;A diode-connected first bipolar transistor is used to output a first voltage signal having a level inversely proportional to temperature when bias is applied, and a diode is connected in response to the first voltage signal when bias is applied using a second diode-connected bipolar transistor. A temperature sensing unit configured to output a second voltage signal having a level proportional to the temperature sensor; 상기 온도 센싱부로부터 출력되는 상기 제2전압신호를 증폭하여 제3전압신호를 출력하는 전압신호 출력부;A voltage signal output unit configured to output a third voltage signal by amplifying the second voltage signal output from the temperature sensing unit; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 온도 센싱부는 바이어스 신호에 응답하되, 상기 제1바이폴라 트랜지스터를 이용하여 온도에 반비례하는 제1전압신호를 출력하는 제1센싱부와;A first sensing unit responsive to a bias signal but outputting a first voltage signal inversely proportional to temperature using the first bipolar transistor; 상기 제1전압신호와 상기 바이어스 신호에 응답하되, 상기 제2바이폴라 트랜지스터를 이용하여 온도에 비례하는 제2전압신호를 출력하는 제2센싱부;A second sensing unit responsive to the first voltage signal and the bias signal, and outputting a second voltage signal proportional to a temperature by using the second bipolar transistor; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1센싱부는 상기 바이어스 신호에 응답하여 상기 제1 전압신호를 출력하는 제1드라이버와;The first sensing unit includes a first driver for outputting the first voltage signal in response to the bias signal; 상기 제1드라이버와 연결되는, 다이오드 접속된 제1바이폴라 트랜지스터;A diode-connected first bipolar transistor coupled with the first driver; 를 포함하고,Including, 상기 제2센싱부는 상기 바이어스 신호에 응답하여 구동하는 제2드라이버와;A second driver configured to drive in response to the bias signal; 상기 제2드라이버와 연결되는, 다이오드 접속된 제2바이폴라 트랜지스터와;A diode-connected second bipolar transistor coupled with the second driver; 상기 제2바이폴라 트랜지스터와 연결되고, 상기 제1 전압신호에 응답하여 상기 제2 전압신호를 출력하는 제3드라이버;A third driver connected to the second bipolar transistor and outputting the second voltage signal in response to the first voltage signal; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전압신호 출력부는The voltage signal output unit 상기 제2 전압신호와 분배전압신호를 비교하여 증폭하는 증폭기와;An amplifier for comparing and amplifying the second voltage signal and the divided voltage signal; 상기 증폭기의 출력신호에 응답하여 상기 제3 전압신호를 구동하는 제4드라이버와;A fourth driver for driving the third voltage signal in response to an output signal of the amplifier; 상기 제3 전압신호를 전압 분배하여 상기 분배전압신호를 상기 증폭기로 출력하는 전압 분배부;A voltage divider configured to voltage divide the third voltage signal and output the divided voltage signal to the amplifier; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 전압 분배부는 게이트와 드레인이 접속된 복수의 모스 트랜지스터를 포함하는 온도 센서 회로.And the voltage divider includes a plurality of MOS transistors connected with a gate and a drain. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 전압 분배부는 직렬 연결된 복수의 저항소자를 포함하는 온도 센서 회로.And the voltage divider includes a plurality of resistors connected in series. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 온도 센서 회로는 온도에 선형적으로 변하는 상기 제3 전압신호를 디지털 코드로 변환하여 출력하는 아날로그 디지털 컨버터;The temperature sensor circuit includes an analog-digital converter for converting the third voltage signal linearly changed in temperature into a digital code and outputting the digital code; 를 더 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit further comprising. 바이어스 신호에 응답하되, 다이오드 접속된 제1바이폴라 트랜지스터를 이용하여 온도에 반비례하는 제1전압신호를 출력하는 제1센싱부와;A first sensing unit responsive to the bias signal but outputting a first voltage signal inversely proportional to temperature using the diode-connected first bipolar transistor; 상기 제1전압신호와 상기 바이어스 신호에 응답하되, 다이오드 접속된 제2바이폴라 트랜지스터를 이용하여 온도에 비례하는 제2전압신호를 출력하는 제2센싱부와;A second sensing unit responding to the first voltage signal and the bias signal and outputting a second voltage signal proportional to a temperature by using a diode-connected second bipolar transistor; 상기 제2전압신호와 분배전압 신호를 비교하여 증폭신호를 생성하고, 상기 증폭신호에 응답하여 온도에 선형적으로 변하는 제3 전압신호를 출력하는 전압신호 출력부;A voltage signal output unit configured to generate an amplified signal by comparing the second voltage signal and the divided voltage signal, and output a third voltage signal linearly changed in temperature in response to the amplified signal; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제1센싱부는 상기 바이어스 신호에 응답하여 상기 제1전압신호를 출력하는 제1드라이버와;The first sensing unit includes a first driver for outputting the first voltage signal in response to the bias signal; 상기 제1드라이버와 연결되고, 다이오드 접속된 제1바이폴라 트랜지스터;A first bipolar transistor connected to the first driver and diode-connected; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제2센싱부는 상기 바이어스 신호에 응답하여 구동하는 제2드라이버와;A second driver configured to drive in response to the bias signal; 상기 제2드라이버와 연결되고, 다이오드 접속된 제2바이폴라 트랜지스터와;A second bipolar transistor connected to the second driver and diode-connected; 상기 제2바이폴라 트랜지스터와 연결되고, 상기 제1전압신호에 응답하여 제2전압신호를 출력하는 제3드라이버;A third driver connected to the second bipolar transistor and outputting a second voltage signal in response to the first voltage signal; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 전압신호 출력부는 상기 제2전압신호와 상기 분배전압신호를 비교하여 증폭하는 증폭기와;The voltage signal output unit includes an amplifier for comparing and amplifying the second voltage signal and the divided voltage signal; 상기 증폭기의 출력신호에 응답하여 상기 제3 전압신호를 구동하는 제4드라이버와;A fourth driver for driving the third voltage signal in response to an output signal of the amplifier; 상기 제3 전압신호를 전압 분배하여 상기 분배전압신호를 상기 증폭기로 출력하는 전압 분배부;A voltage divider configured to voltage divide the third voltage signal and output the divided voltage signal to the amplifier; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 전압 분배부는 게이트와 드레인이 접속된 복수의 모스 트랜지스터를 포함하는 온도 센서 회로.And the voltage divider includes a plurality of MOS transistors connected with a gate and a drain. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 전압 분배부는 직렬 연결된 복수의 저항소자를 포함하는 온도 센서 회로.And the voltage divider includes a plurality of resistors connected in series. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 온도 센서 회로는 온도에 따라 선형적으로 변화되는 상기 제3 전압신호를 디지털 코드로 출력하는 아날로그 디지털 컨버터;The temperature sensor circuit includes an analog-digital converter for outputting the third voltage signal that is linearly changed in accordance with temperature as a digital code; 를 더 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit further comprising. 온도에 따라 변화되는 저항값을 갖는 제1바이폴라 트랜지스터의 특성에 따라 온도에 반비례하는 레벨을 갖는 제1전압신호 및 온도에 따라 변화되는 저항값을 갖는 제2바이폴라 트랜지스터의 특성 및 상기 제1전압신호에 따라 온도에 비례하는 레벨을 갖는 제2전압신호를 생성하는 온도 센싱부와;The first voltage signal having a level inversely proportional to the temperature according to the property of the first bipolar transistor having a resistance value that varies with temperature and the characteristics of the second bipolar transistor having a resistance value that varies with temperature and the first voltage signal A temperature sensing unit configured to generate a second voltage signal having a level proportional to temperature; 상기 제2전압신호와 분배전압신호를 비교하여 증폭신호를 생성하고, 상기 증폭신호에 응답하여 선형적으로 변화되는 레벨을 갖는 제3전압신호를 출력하는 전압신호 출력부;A voltage signal output unit configured to generate an amplified signal by comparing the second voltage signal with a divided voltage signal, and output a third voltage signal having a linearly varying level in response to the amplified signal; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 삭제delete 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 온도 센싱부는 바이어스 신호에 응답하여 제1전압신호를 출력하는 제1드라이버와;The temperature sensing unit includes a first driver for outputting a first voltage signal in response to a bias signal; 상기 제1드라이버와 연결되는 제1바이폴라 트랜지스터와;A first bipolar transistor connected to the first driver; 상기 바이어스 신호에 응답하여 구동하는 제2드라이버와;A second driver driving in response to the bias signal; 상기 제2드라이버와 연결되는 제2바이폴라 트랜지스터와;A second bipolar transistor connected to the second driver; 상기 제2바이폴라 트랜지스터와 연결되고, 상기 제1전압신호에 응답하여 제2전압신호를 출력하는 제3드라이버;A third driver connected to the second bipolar transistor and outputting a second voltage signal in response to the first voltage signal; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 전압신호 출력부는The voltage signal output unit 상기 제2전압신호와 상기 분배전압신호를 비교하여 상기 증폭신호를 생성하는 증폭기와;An amplifier configured to generate the amplified signal by comparing the second voltage signal with the divided voltage signal; 상기 증폭신호에 응답하여 상기 제3 전압신호를 구동하는 제4드라이버와;A fourth driver for driving the third voltage signal in response to the amplified signal; 상기 제3 전압신호를 전압 분배하여 상기 분배전압신호를 상기 증폭기로 출력하는 전압 분배부;A voltage divider configured to voltage divide the third voltage signal and output the divided voltage signal to the amplifier; 를 포함하는 온도 센서 회로.Temperature sensor circuit comprising a. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 전압 분배부는 게이트와 드레인이 접속된 복수의 모스 트랜지스터를 포함하는 온도 센서 회로.And the voltage divider includes a plurality of MOS transistors connected with a gate and a drain. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 전압 분배부는 직렬 연결된 복수의 저항소자를 포함하는 온도 센서 회로.And the voltage divider includes a plurality of resistors connected in series. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 온도 센서 회로는The temperature sensor circuit is 온도에 따라 선형적으로 변화되는 상기 제3 전압신호를 디지털 코드로 변환하여 출력하는 아날로그 디지털 컨버터;An analog-digital converter for converting and outputting the third voltage signal linearly changed according to temperature to a digital code; 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