KR100936415B1 - 가요성 어레이 기판의 제조 방법 및 기판 모듈 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 184
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 10
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
- H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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Abstract
가요성 어레이 기판의 제조 방법을 개시하는 것으로, 본 제조 방법은 우선 가요성 기판을 경질 기판에 접착시키고, 경질 기판 위에 접착된 가요성 기판을 복수개의 가요성 조각으로 잘라 기판 모듈을 만든다. 그 후에, 가요성 조각 상에서 박막형성공정을 진행한다. 본 제조 방법을 통해 가요성 어레이 기판의 공정수율을 높일 수 있다.
가요성, 기판, 모듈, 콜로이드
Description
본 발명은 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 설명하면, 가요성 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 디스플레이가 가요성을 가지는 지의 여부는 사용된 기판의 재질에 의해 결정된다. 평판 디스플레이에 사용된 기판이 경질 기판(유리기판 등)인 경우, 평판 디스플레이는 가요성을 가지지 않지만, 평판 디스플레이에 사용된 기판이 가요성 기판(플라스틱기판 등)인 경우에는 평판 디스플레이가 양호한 가요성을 가지게 된다. 현재 경질 기판 상에 박막 트랜지스터를 제조하는 기술은 점차 성숙 단계로 접어들고 있지만, 가요성 기판 위에서 박막 트랜지스터를 제조하는 기술은 좀더 개발되어야 할 필요가 있다. 일반적으로 말해서 가요성 기판 상에 박막 트랜지스터를 제조할 경우, 먼저 가요성 기판을 경질 기판 위에 접착시킨 후, 박막형성공정을 진행해야 한다. 가요성 기판과 경질 기판의 열팽창계수차(thermal expansion coefficient mis-match)가 크기 때문에, 가요성 기판 위에서 각기 다른 박막형성공정(고온공정)과 리소그래피(lithography)공정, 식각공정을 진행할 경우, 대부분 조 작 온도 상승으로 인해 가요성 기판이 휘어지게 된다. 특히 심하게 휘어진 가요성 기판 상에서 여러 가지 박막형성공정을 진행할 경우, 박막층과 박막층 사이에 심각한 오정렬(mis-alignment)이 발생하여, 공정의 실패를 초래할 수 있기 때문에, 가요성 어레이 기판의 공정수율을 높이기 어렵다.
본 발명의 목적은 가요성 어레이 기판의 공정수율을 높이는 가요성 어레이 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 별도로 기판 모듈을 제공하여 가요성 기판 위의 박막층과 박막층 사이의 오정렬 문제를 개선할 수 있다.
본 발명은 가요성 기판을 경질 기판에 접착시키고, 경질 기판 위에 접착된 가요성 기판을 복수개의 가요성 조각으로 절단한 이후에, 가요성 조각 상에서 박막형성공정을 진행하는 단계를 포함하는 가요성 어레이 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 가요성 기판을 복수개의 가요성 조각으로 절단한 이후에, 가요성 조각을 경질 기판 위에 접착시키고, 가요성 조각 상에서 박막형성공정을 진행하는 단계를 포함하는 다른 가요성 어레이 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 가요성 기판을 복수개의 가요성 조각으로 절단한 이후에, 가요성 조각 상에서 박막형성공정을 진행하는 단계를 포함하는 또 다른 가요성 어레이 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에서, 전술한 박막형성공정에는 능동부품(Active Component) 어레이공정과 컬러필터공정, 혹은 이 두 공정의 조합된 공정이 포함된다. 이 가운데 능동부품 어레이공정에는 비결정성 실리콘(Amorphous Silicon) 박 막 트랜지스터 어레이공정과 다결정성 실리콘 박막 트랜지스터 어레이공정, 혹은 유기박막트랜지스터 (Organic Thin Film Transistor) 어레이공정 등이 있다.
본 발명의 실시예에서, 박막형성공정이 완료되면, 가요성 어레이 기판의 제조 방법으로 인해 가요성 조각과 경질 기판의 분리가 촉진될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 가요성 기판과 경질 기판은 각각 플라스틱 기판과 유리기판을 예로 들 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 가요성 기판을 가요성 조각으로 절단하는 방법으로 레이저커팅(Laser Cutting) 혹은 기계커팅(Mechanical Cutting)을 이용할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 가요성 기판을 경질 기판에 접착시키는 방법으로 우선 경질 기판 위에 콜로이드(Colloid)를 형성시킨 후, 콜로이드를 이용해 가요성 기판과 경질 기판을 접착시키는 방법을 이용할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 가요성 기판을 경질 기판에 접착시키는 방법으로 우선 가요성 기판 위에 콜로이드를 형성시킨 후, 콜로이드를 이용해 가요성 기판과 경질 기판을 접착시키는 방법을 이용할 수 있다.
본 발명이 제공하는 기판 모듈에는 경질 기판과 경질 기판 위에 접착된 가요성 기판이 포함된다. 이 중에서, 가요성 기판에는 복수개의 가요성 조각이 포함되는데, 각 가요성 조각의 크기는 경질 기판의 크기보다 작다.
본 발명의 실시예에서, 가요성 조각은 경질 기판 위에 어레이방식, 혹은 비어레이방식으로 배열된다.
본 발명의 가요성 어레이 기판의 제조 방법에서는 가요성 기판이 복수개의 작은 가요성 조각으로 절단되는데, 작은 가요성 조각들은 박막형성공정에서 약하게 휘어지기 때문에, 본 발명을 통해 휘어짐으로 인한 오정렬 문제를 개선하고, 더 나아가 가요성 어레이 기판의 공정수율을 높일 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 가요성 어레이 기판 제조 방법에서는 가요성 조각이 열을 받은 이후에 휘어짐이 적고, 박막형성공정에서 각 박막층 사이의 오정렬이 적다. 다시 말해, 본 발명의 가요성 기판의 제조 방법을 통해 공정수율을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명에서 제시하는 기판 모듈은 각종 방식의 박막형성공정에 응용되어, 각 박막층 사이의 오정렬을 줄일 수 있다. 종합적으로 볼 때, 본 발명의 가요성 어레이 기판의 제조 방법 및 기판 모듈은 가요성 어레이 기판의 공정수율과 완제품의 품질을 높이는 효과가 있다.
본 발명의 전술한 내용 및 기타 목적, 특징, 장점 등의 이해를 돕기 위해 다음에서 실시예와 함께 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
가요성 기판이 각종 박막형성공정에서 열로 인해 크게 휘어짐으로 인하여 가요성 어레이 기판의 공정수율이 매우 낮다. 따라서 본 발명에서는 우선 가요성 기판을 복수개의 가요성 조각으로 절단한 이후에 각 가요성 조각 상에서 박막형성공정을 진행하여, 열에 의해 크게 휘어지는 문제를 개선하였다. 다음에서 몇 가지 실시예를 들어 설명하기로 한다. 이들 실시예는 본 발명의 실시방식을 설명하기 위한 것이며, 본 발명이 이러한 방식에 제한적으로 사용되지는 않는다.
도1a 내지 도1d는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 어레이 기판의 제조 방법을 도시한 것이다. 우선 도 1a를 참조하면, 가요성 기판(110)을 경질 기판(120) 상에 접착시킨다. 가요성 기판(110)을 경질 기판(120)에 접착시킬 때에는 먼저 경질 기판(120) 위에 콜로이드(130)를 형성시키고, 콜로이드(130)를 이용하여 가요성 기판(110)과 경질 기판(120)을 접착시키는 방법을 이용할 수 있다. 물론 가요성 기판(110)을 경질 기판(120)에 접착시킬 때에도, 우선 가요성 기판(110) 상에 콜로이드(130)를 형성한 이후에, 콜로이드(130)를 이용하여 가요성 기판(110)과 경질 기판(120)을 접착시킬 수 있다. 본 실시예에서 가요성 기판(110)은 플라스틱 기판(폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone; PES), 폴리이미드(Polyimide; PI) 등 플라스틱 재질로 만들어진 기판)을 사용할 수 있으며, 경질 기판(120)은 유리기판을 사용할 수 있다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 경질 기판(120) 상에 접착된 가요성 기판(110)을 복수개의 가요성 조각(110a)으로 절단한다. 여기에서 가요성 기판(110)을 가요성 조각(110a)으로 절단하는 방법으로는 레이저 커팅 혹은 기계 커팅이 이용될 수 있다. 이 때, 가요성 기판(110)은 2개 이상의 가요성 조각(110a)으로 나뉘며, 각 가요성 조각(110a)의 크기는 모두 본래의 가요성 기판(110)보다 작다. 본 실시예에서 가요성 조각(110a)의 크기는 디스플레이 패널 1개, 혹은 여러 개의 디스플레이 패널의 크기에 맞출 수 있으며, 가요성 조각(110a)은 경질 기판(120) 위에 어레이방식, 혹은 비어레이방식으로 배열된다.
도 1c는 가요성 조각(110a) 상에서 박막형성공정(140)을 진행하는 과정을 도 시한다. 본 실시예에서, 박막형성공정(140)에는 능동부품어레이공정, 컬러필터공정，혹은 두 가지가 조합된 공정을 이용할 수 있으며, 이 가운데 능동부품어레이공정에는 비결정성 실리콘 박막 트랜지스터 어레이공정과 다결정성 실리콘 박막 트랜지스터 어레이공정, 혹은 유기박막트랜지스터 어레이공정 등이 있다. 도 1c에 알 수 있는 바와 같이, 가요성 기판(110)이 이미 2개 이상의 가요성 조각(110a)으로 분할되어 있기 때문에, 가요성 조각(110a)의 크기가 가요성 기판(110)보다 작다. 따라서 가요성 조각(110a)은 가요성 기판(110)보다 열을 받았을 때 적게 휘어진다. 휘어짐이 효과적으로 억제될 경우에, 가요성 조각(110a) 상부에서 각 박막층 사이의 오정렬 문제도 어느 정도 개선될 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 가요성 어레이 기판의 제조 방법을 통해 가요성 어레이 기판의 제조수율을 향상시킬 수 있다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 전술한 박막형성공정(140)이 완료된 이후에, 본 발명의 가요성 어레이 기판의 제조 방법이 가요성 조각(110a)과 경질 기판(120)의 분리를 촉진시켜 가요성 어레이 기판(100)을 얻을 수 있다. 가요성 조각(110a)과 경질 기판(120)을 분리할 때에는 가열을 통해 가요성 조각(110a)과 경질 기판(120) 사이의 콜로이드(130)의 점성을 떨어뜨리는 방법을 사용할 수 있다. 물론 기타 방식을 이용해 가요성 조각(110a)과 경질 기판(120)을 분리할 수도 있다. 본 발명이 상기 방법에만 특별히 국한되는 것은 아니다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 다른 실시예의 가요성 어레이 기판의 제조 방법을 도시한다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 우선 가요성 기판(210)을 복수개의 가요성 조각(210a)으로 절단한다. 본 실시예에서, 가요성 기판(210)을 가요성 조 각(210a)으로 절단할 때에는 레이저 커팅 혹은 기계 커팅 방식을 사용할 수 있으며, 가요성 기판(210)으로는 플라스틱기판(폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone; PES), 폴리이미드(Polyimide; PI) 등 플라스틱 재질로 제조된 기판)을 사용할 수 있다.
도 2b는 경질 기판(220)을 도시하는 것으로, 경질 기판(220)으로는 유리기판이 사용될 수 있다. 1개 혹은 1개 이상의 가요성 조각(210a)을 경질 기판(220) 상에 접착시킨다. 도 2b에서도 알 수 있는 바와 같이, 경질 기판(220) 위에 접착된 가요성 조각(210a)은 크기가 경질 기판(220)보다 작고, 1개 이상의 가요성 조각(210a)은 어레이방식, 혹은 비어레이방식으로 경질 기판(220) 상에 배열될 수 있다. 본 실시예에서, 가요성 조각(210a)을 경질 기판(220)에 접착시킬 때에는 우선 경질 기판(220) 상에 콜로이드(230)를 형성시킨 이후에, 콜로이드(230)를 이용하여 가요성 조각(210a)과 경질 기판(220)(도 2b 참조)을 접착시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한 가요성 조각(210a)을 경질 기판(220)에 접착시킬 때에도 우선 가요성 조각(210a) 상에 콜로이드(230)를 형성시킨 이후에, 콜로이드(230)를 이용하여 가요성 조각(210a)과 경질 기판(220)을 접착시킬 수 있다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 가요성 조각(210a)과 경질 기판(220)을 접착시킨 이후에, 가요성 조각(210a) 상에서 박막형성공정(240)을 진행한다. 전술한 실시예와 유사하게, 상기 박막형성공정(240)에는 능동부품어레이공정, 컬러필터공정，혹은 두 가지 공정의 조합이 사용될 수 있다. 이 가운데 능동부품어레이공정에는 비결정성 실리콘 박막 트랜지스터 어레이공정과 다결정성 실리콘 박막 트랜지스터 어 레이공정, 혹은 유기박막트랜지스터 어레이공정 등이 있다. 도 2c에서도 알 수 있는 바와 같이, 가요성 조각(210a)의 크기가 가요성 기판(210)보다 작기 때문에, 가요성 조각(210a)은 가요성 기판(210)보다 열을 받았을 때 적게 휘어진다. 휘어짐이 효과적으로 억제될 경우, 가요성 조각(210a) 상부에서 각 박막층 사이의 오정렬 문제도 어느 정도 개선될 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 가요성 어레이 기판의 제조 방법을 통해 가요성 어레이 기판의 제조수율을 향상시킬 수 있다.
도 2d는 박막형성공정(240)이 완료된 후, 본 발명의 가요성 어레이 기판의 제조 방법이 가요성 조각(210a)과 경질 기판(220)의 분리를 촉진시켜 가요성 어레이 기판(200)을 얻는 것을 도시한다. 가요성 조각(210a)과 경질 기판(220)을 분리할 때에는 가열을 통해 가요성 조각(210a)과 경질 기판(220) 사이의 콜로이드(230)의 점성을 떨어뜨리는 방법을 사용할 수 있다. 물론 다른 방식을 이용하여 가요성 조각(210a)과 경질 기판(220)을 분리할 수도 있다. 본 발명이 이 방법에만 특별히 국한되는 것은 아니다.
전술한 각종 가요성 어레이 기판 제조 방법에 따라，본 발명은 별도로 기판 모듈를 제시하며, 상기 기판 모듈의 사시도가 도 3에 도시되어 있다. 기판 모듈(300)에는 경질 기판(310)과 가요성 기판(320)이 포함되며, 가요성 기판(320)은 경질 기판(310) 위에 접착되어 있다. 이 가운데 가요성 기판(320)으로는 플라스틱기판(폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate; PET), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone; PES), 폴리이미드(Polyimide; PI) 등 플라스틱 재질로 제조된 기판)을 사용할 수 있고, 경질 기판(310)에는 유리기판이 포함된다. 또한, 가 요성 기판(320)에는 1개, 혹은 1개 이상의 가요성 조각(320a)이 포함되며, 각 가요성 조각(320a)의 크기는 경질 기판(310)보다 작다. 본 실시예에서, 가요성 조각(320a)은 어레이방식, 혹은 비어레이방식으로 경질 기판(310) 위에 배열될 수 있다.
앞에서 본 발명의 실시예를 제시하였지만, 상기 방식이 본 발명에만 국한되는 것은 아니며, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 사람이라면 누구나 본 발명의 범위 내에서 더 융통성 있게 응용할 수 있다. 따라서 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위를 기준으로 정한다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 어레이 기판의 제조 방법을 도시한 도면.
도2a 내지 도 2d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가요성 어레이 기판의 제조 방법을 도시한 도면.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 모듈의 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 기호의 설명>
100, 200：가요성 어레이 기판
110, 210, 320：가요성 기판
110a, 210a, 320a：가요성 조각
120, 220, 310：경질 기판
130, 230：콜로이드
140, 240：박막형성공정
300：기판 모듈
Claims (10)
- 가요성 어레이 기판의 제조 방법에 있어서,가요성 기판을 복수개의 가요성 조각으로 절단하는 단계와,상기 가요성 조각을 형성한 이후, 상기 가요성 조각 중에서 적어도 하나를 경질 기판에 부착하는 단계와,상기 가요성 조각 중에서 적어도 하나를 상기 경질 기판에 부착한 이후, 상기 적어도 하나의 가요성 조각 상에서 박막형성공정을 진행하는 단계와,상기 박막형성공정이 완료된 이후에, 가열을 통해 상기 적어도 하나의 가요성 조각과 상기 경질 기판을 분리하는 단계를 포함하며,상기 각각의 가요성 조각의 크기는 평판 디스플레이 패널 1개 또는 다수개의 크기에 상응하는 가요성 어레이 기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가요성 조각을 상기 경질 기판에 부착하는 단계는,상기 경질 기판 상에 콜로이드를 형성하는 단계와,상기 콜로이드를 이용하여 상기 적어도 하나의 가요성 조각과 상기 경질 기판을 접착하는 단계를 포함하는 가요성 어레이 기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가요성 조각을 상기 경질 기판에 부착하는 단계는,상기 적어도 하나의 가요성 조각 상에 콜로이드를 형성하는 단계와,상기 콜로이드를 이용하여 상기 적어도 하나의 가요성 조각과 상기 경질 기판을 접착하는 단계를 포함하는 가요성 어레이 기판의 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 가요성 기판은 플라스틱 기판을 포함하는 가요성 어레이 기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 경질 기판은 유리 기판을 포함하는 가요성 어레이 기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 가요성 기판을 복수개의 가요성 조각으로 절단하는 방법에는 레이저 커팅 혹은 기계 커팅이 사용되는 가요성 어레이 기판의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 박막형성공정에는 능동부품 어레이공정 및 컬러필터공정 중 적어도 어느 하나의 공정이 사용되는 가요성 어레이 기판의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 능동부품어레이공정에는 비결정성 실리콘 박막 트랜지 스터 어레이공정과 다결정성 실리콘 박막 트랜지스터 어레이공정, 혹은 유기박막트랜지스터 어레이공정이 포함되는 가요성 어레이 기판의 제조 방법.
- 가요성 어레이 기판의 제조 방법에 있어서,가요성 기판을 복수개의 가요성 조각으로 절단하는 단계와,상기 가요성 조각을 형성한 이후, 상기 가요성 조각 중에서 적어도 하나를 경질 기판에 부착하는 단계와,상기 가요성 조각 중에서 적어도 하나를 상기 경질 기판에 부착한 이후, 상기 적어도 하나의 가요성 조각 상에서 박막형성공정을 진행하는 단계를 포함하되,상기 각각의 가요성 조각의 크기는 평판 디스플레이 패널 1개 또는 다수개의 크기에 상응하고,상기 가요성 기판은 플라스틱 기판이고, 상기 각 가요성 조각이 열을 받은 후의 휘어짐이 상기 가요성 기판이 열을 받은 후의 휘어짐보다 적고, 상기 경질 기판은 유리 기판인 가요성 어레이 기판의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW095144443 | 2006-11-30 | ||
| TW095144443A TWI337057B (en) | 2006-11-30 | 2006-11-30 | Fabricating method of flexible array substrate and substrate module |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070012230A Division KR20080049579A (ko) | 2006-11-30 | 2007-02-06 | 가요성 어레이 기판의 제조 방법 및 기판 모듈 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080103480A KR20080103480A (ko) | 2008-11-27 |
| KR100936415B1 true KR100936415B1 (ko) | 2010-01-12 |
Family
ID=39805341
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070012230A KR20080049579A (ko) | 2006-11-30 | 2007-02-06 | 가요성 어레이 기판의 제조 방법 및 기판 모듈 |
| KR1020080098221A KR100936415B1 (ko) | 2006-11-30 | 2008-10-07 | 가요성 어레이 기판의 제조 방법 및 기판 모듈 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070012230A KR20080049579A (ko) | 2006-11-30 | 2007-02-06 | 가요성 어레이 기판의 제조 방법 및 기판 모듈 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (2) | KR20080049579A (ko) |
| TW (1) | TWI337057B (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101097344B1 (ko) | 2010-03-09 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| TWI418274B (zh) * | 2011-04-06 | 2013-12-01 | Au Optronics Corp | 可撓性電子元件及其製造方法 |
| TWI449007B (zh) * | 2011-09-16 | 2014-08-11 | E Ink Holdings Inc | 可撓性顯示裝置的製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060042303A (ko) * | 2004-11-09 | 2006-05-12 | 삼성전자주식회사 | 가요성 액정 표시 장치의 제조 방법 |
-
2006
- 2006-11-30 TW TW095144443A patent/TWI337057B/zh active
-
2007
- 2007-02-06 KR KR1020070012230A patent/KR20080049579A/ko active Application Filing
-
2008
- 2008-10-07 KR KR1020080098221A patent/KR100936415B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060042303A (ko) * | 2004-11-09 | 2006-05-12 | 삼성전자주식회사 | 가요성 액정 표시 장치의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080049579A (ko) | 2008-06-04 |
| KR20080103480A (ko) | 2008-11-27 |
| TW200824527A (en) | 2008-06-01 |
| TWI337057B (en) | 2011-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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