KR100934825B1 - A transverse electric field mode liquid crystal display element with improved brightness - Google Patents

A transverse electric field mode liquid crystal display element with improved brightness Download PDF

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Abstract

본 발명의 횡전계모드 액정표시소자는 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과, 각 화소에 형성된 구동소자와, 화소내에 실질적으로 평행하게 횡전계를 생성하는 적어도 한쌍의 전극으로 구성되며, 상기 한쌍의 전극 사이에 형성된 광투과영역에는 절연층이 형성되지 않으므로 액정에 인가되는 전압이 증가하게 되고 광투과영역의 투과율이 향상되고 그 결과 휘도가 향상된다.The transverse electric field mode liquid crystal display element of the present invention is constituted by a plurality of gate lines and data lines defining a plurality of pixels, a driving element formed in each pixel, and at least one pair of electrodes generating a transverse electric field substantially parallel to the pixel Since the insulating layer is not formed in the light transmitting region formed between the pair of electrodes, the voltage applied to the liquid crystal is increased and the transmittance of the light transmitting region is improved and the brightness is improved.

횡전계모드, 광투과율, 휘도, 보호층, 게이트절연층A transverse electric field mode, a light transmittance, a luminance, a protective layer, a gate insulating layer

Description

휘도가 향상된 횡전계모드 액정표시소자{IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING IMPROVED BRIGHTNESS}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a transverse electric field mode liquid crystal display (LCD)

도 1은 종래 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면으로, 도 1(a)는 평면되고 도 1(b)는 도 1(a)의 I-I'선 단면도.1 (a) is a plan view, and FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1 (a). FIG. 1 is a view showing the structure of a conventional transverse electric field mode liquid crystal display element.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면.2 is a view showing a structure of a transverse electric field mode liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면.3 is a view illustrating a structure of a transverse electric field mode liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면.4 is a view showing the structure of a transverse electric field mode liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

도 5(a)∼도 5(c)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면.5 (a) to 5 (c) are views showing the structure of a transverse electric field mode liquid crystal display element according to still another embodiment of the present invention.

도 6은 도 5(a)∼도 (c)에 도시된 횡전계모드 액정표시소자의 보상값대 휘도증가율의 관계를 나타내는 그래프.Fig. 6 is a graph showing the relationship of the compensation value band luminance increasing rate of the transverse electric field mode liquid crystal display element shown in Figs. 5 (a) to 5 (c).

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Description of the Related Art [0002]

105,205,305,405 : 공통전극 107,207,307,407 : 화소전극105, 205, 305, 405: common electrodes 107, 207, 307, 407:

111,211,311,411 : 게이트전극 112,212,312,412 : 반도체층 111, 211, 311, 411: gate electrode 112, 212, 312, 412:                 

113,213,313,413 : 소스전극 114,214,314,414 : 드레인전극113, 213, 313, 413: source electrode 114, 214, 314, 414:

122,222,322,422 : 게이트절연층 124,224,324,424 : 보호층122, 222, 322, 422: a gate insulating layer 124, 224, 324, 424:

132,232,332,432 : 블랙매트릭스 134,234,334,434 : 컬러필터층132, 232, 332, 432: Black matrix 134, 234, 334, 434:

140,240,340,440 : 액정층140, 240, 340, 440:

본 발명은 횡전계모드 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 광이 투과되는 영역의 절연층을 제거하여 광투과율을 증가시킴으로써 휘도를 향상시킬 수 있는 횡전계모드 액정표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transverse electric field mode liquid crystal display device, and more particularly, to a transverse electric field mode liquid crystal display device capable of improving luminance by increasing light transmittance by removing an insulating layer in a region through which light is transmitted.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.2. Description of the Related Art Recently, various portable electronic devices such as a mobile phone, a PDA, and a notebook computer have been developed. Accordingly, there is a growing need for a flat panel display device for a light and small size. As such flat panel display devices, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED) and a vacuum fluorescent display (VFD) have been actively studied. However, Because of its implementation, liquid crystal display devices (LCDs) are now spotlighted.

이러한 액정표시소자는 액정분자의 배열에 따라 다양한 표시모드가 존재하지만, 현재에는 흑백표시가 용이하고 응답속도가 빠르며 구동전압이 낮다는 장점때문에 주로 TN모드의 액정표시소자가 사용되고 있다. 이러한 TN모드 액정표시소자에서 는 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직으로 배향된다. 따라서, 액정분자의 굴절율 이방성(refractive anisotropy)에 의해 전압의 인가시 시야각이 좁아진다는 문제가 있었다.Although these liquid crystal display devices have various display modes depending on the arrangement of liquid crystal molecules, liquid crystal display devices of TN mode are mainly used because of their advantages of easy monochrome display, quick response speed and low driving voltage. In such a TN mode liquid crystal display element, liquid crystal molecules aligned horizontally with the substrate are oriented substantially perpendicular to the substrate when a voltage is applied. Therefore, there is a problem that the viewing angle is narrowed when the voltage is applied due to the refractive index anisotropy of the liquid crystal molecules.

이러한 시야각문제를 해결하기 위해, 근래 광시야각특성(wide viewing angle characteristic)을 갖는 각종 모드의 액정표시소자가 제안되고 있지만, 그중에서도 횡전계모드(In Plane Switching Mode)의 액정표시소자가 실제 양산에 적용되어 생산되고 있다. 상기 IPS모드 액정표시소자는 화소내에 평행으로 배열된 적어도 한쌍의 전극을 형성하여 기판과 실질적으로 평행한 횡전계를 형성함으로써 액정분자를 평면상으로 배향시키는 것이다.In order to solve such a viewing angle problem, liquid crystal display devices of various modes having a wide viewing angle characteristic have been proposed. Among them, liquid crystal display devices of a transverse electric field mode (In Plane Switching Mode) . The IPS mode liquid crystal display element forms at least one pair of electrodes arranged in parallel in a pixel to form a transversal electric field substantially parallel to the substrate, thereby aligning the liquid crystal molecules in a plane.

도 1은 종래 IPS모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면으로, 도 1(a)는 평면도이고 도 1(b)는 도 1(a)의 I-I'선 단면도이다. 도 1(a)에 도시된 바와 같이, 액정패널(1)의 화소는 종횡으로 배치된 게이트라인(3) 및 데이터라인(4)에 의해 정의된다. 도면에는 비록 (n,m)번째의 화소만을 도시하고 있지만 실제의 액정패널(1)에는 상기한 게이트라인(3)과 데이터라인(4)이 각각 N(>n)개 및 M(>m)개 배치되어 액정패널(1) 전체에 걸쳐서 N×M개의 화소를 형성한다. 상기 화소내의 게이트라인(3)과 데이터라인(4)의 교차영역에는 박막트랜지스터(10)가 형성되어 있다. 상기 박막트랜지스터(10)는 게이트라인(3)으로부터 주사신호가 인가되는 게이트전극(11)과, 상기 게이트전극(11) 위에 형성되어 주사신호가 인가됨에 따라 활성화되어 채널층을 형성하는 반도체층(12)과, 상기 반도체층(12) 위에 형성되어 데이터라인(4)을 통해 화상신호가 인가되는 소스전극(13) 및 드레인전극(14)으로 구성 되어 외부로부터 입력되는 화상신호를 액정층에 인가한다.FIG. 1 is a plan view of a conventional IPS mode liquid crystal display device. FIG. 1 (a) is a plan view and FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. As shown in Fig. 1 (a), the pixels of the liquid crystal panel 1 are defined by the gate line 3 and the data line 4 arranged vertically and horizontally. Although only the (n, m) -th pixel is shown in the drawing, in the actual liquid crystal panel 1, the gate line 3 and the data line 4 are divided into N (> n) and M (> m) And N × M pixels are formed over the entire liquid crystal panel 1. A thin film transistor 10 is formed in a crossing region of the gate line 3 and the data line 4 in the pixel. The thin film transistor 10 includes a gate electrode 11 to which a scanning signal is applied from a gate line 3 and a semiconductor layer which is formed on the gate electrode 11 and is activated by a scanning signal to form a channel layer And a source electrode 13 and a drain electrode 14 formed on the semiconductor layer 12 and applied with an image signal through the data line 4 to apply an image signal inputted from the outside to the liquid crystal layer do.

화소내에는 데이터라인(4)과 실질적으로 평행하게 배열된 복수의 공통전극(5)과 화소전극(7)이 배치되어 있다. 또한, 화소의 중간에는 상기 공통전극(5)과 접속되는 공통라인(16)이 배치되어 있으며, 상기 공통라인(16) 위에는 화소전극(7)과 접속되는 화소전극라인(18)이 배치되어 상기 공통라인(16)과 오버랩되어 있다. 상기 공통라인(16)과 화소전극라인(18)의 오버랩에 의해 횡전계모드 액정표시소자에는 축적용량(storage capacitance)이 형성된다.In the pixel, a plurality of common electrodes 5 and pixel electrodes 7 arranged substantially in parallel with the data lines 4 are arranged. A common line 16 connected to the common electrode 5 is disposed in the middle of the pixel and a pixel electrode line 18 connected to the pixel electrode 7 is disposed on the common line 16, And overlaps with the common line 16. A storage capacitance is formed in the transverse electric field mode liquid crystal display element by overlapping the common line 16 and the pixel electrode line 18. [

상기와 같이, 구성된 IPS모드 액정표시소자에서 액정분자는 공통전극(5) 및 화소전극(7)과 실질적으로 평행하게 배향되어 있다. 박막트랜지스터(10)가 작동하여 화소전극(7)에 신호가 인가되면, 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에는 액정패널(1)과 실질적으로 평행한 횡전계가 발생하게 된다. 액정분자는 상기 횡전계를 따라 동일 평면상에서 회전하게 되므로, 액정분자의 굴절율 이방성에 의한 계조반전을 방지할 수 있게 된다.As described above, in the configured IPS mode liquid crystal display element, the liquid crystal molecules are oriented substantially parallel to the common electrode 5 and the pixel electrode 7. A horizontal electric field substantially parallel to the liquid crystal panel 1 is generated between the common electrode 5 and the pixel electrode 7 when the thin film transistor 10 is operated and a signal is applied to the pixel electrode 7. [ Since the liquid crystal molecules rotate on the same plane along the transverse electric field, the grayscale inversion due to the refractive index anisotropy of the liquid crystal molecules can be prevented.

상기한 구조의 종래 IPS모드 액정표시소자를 도 1(b)의 단면도를 참조하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.A conventional IPS mode liquid crystal display device having the above structure will be described in more detail with reference to the sectional view of FIG. 1 (b).

도 1(b)에 도시된 바와 같이, 제1기판(20) 위에는 게이트전극(11)이 형성되어 있으며, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 게이트절연층(22)이 적층되어 있다. 상기 게이트절연층(22) 위에는 반도체층(12)이 형성되어 있으며, 그 위에 소스전극(13) 및 드레인전극(14)이 형성되어 있다. 또한, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 보호층(passivation layer;24)이 형성되어 있다. 1 (b), a gate electrode 11 is formed on the first substrate 20, and a gate insulating layer 22 is laminated over the entire first substrate 20. A semiconductor layer 12 is formed on the gate insulating layer 22 and a source electrode 13 and a drain electrode 14 are formed thereon. In addition, a passivation layer 24 is formed over the entire surface of the first substrate 20.                         

또한, 상기 제1기판(20) 위에는 복수의 공통전극(5)이 형성되어 있고 게이트절연층(22) 위에는 화소전극(7) 및 데이터라인(4)이 형성되어, 상기 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에 횡전계가 발생한다.A plurality of common electrodes 5 are formed on the first substrate 20 and a pixel electrode 7 and a data line 4 are formed on the gate insulating layer 22. The common electrode 5, A transverse electric field is generated between the pixel electrodes 7.

제2기판(30)에는 블랙매트릭스(32)와 컬러필터층(34)이 형성되어 있다. 상기 블랙매트릭스(32)는 액정분자가 동작하지 않는 영역으로 광이 누설되는 것을 방지하기 위한 것으로, 도면에 도시한 바와 같이 박막트랜지스터(10) 영역 및 화소와 화소 사이(즉, 게이트라인 및 데이터라인 영역)에 주로 형성된다. 컬러필터층(34)은 R(Red), B(Blue), G(Green)로 구성되어 실제 컬러를 구현하기 위한 것이다.On the second substrate 30, a black matrix 32 and a color filter layer 34 are formed. The black matrix 32 serves to prevent light from leaking into a region where the liquid crystal molecules do not operate. As shown in the figure, the black matrix 32 is formed between the pixel region and the pixel (that is, the gate line and the data line Region). The color filter layer 34 is formed of R (Red), B (Blue), and G (Green) to realize actual colors.

상기 제1기판(20) 및 제2기판(30) 사이에는 액정층(40)이 형성되어 액정패널(1)이 완성된다.A liquid crystal layer 40 is formed between the first substrate 20 and the second substrate 30 to complete the liquid crystal panel 1.

상기한 바와 같이, 종래의 IPS모드 액정표시소자에서는 제1기판(20) 전체에 걸쳐서 게이트절연층(22)과 보호층(24)이 형성되어 있다. 이러한 게이트절연층(22)과 보호층(24)은 결국 광이 투과하는 영역(즉, 횡전계가 인가되는 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이)에 존재하게 된다. 그런데, 이와 같은 게이트절연층(22)과 보호층(24)은 광을 흡수하여 광투과율을 저하시키기 때문에, IPS모드 액정표시소자의 휘도가 저하되는 원인이 된다.As described above, in the conventional IPS mode liquid crystal display element, the gate insulating layer 22 and the protective layer 24 are formed over the entire first substrate 20. The gate insulating layer 22 and the protective layer 24 are ultimately present in a region through which light passes (i.e., between the common electrode 5 and the pixel electrode 7 to which a transverse electric field is applied). However, since the gate insulating layer 22 and the protective layer 24 absorb light to lower the light transmittance, the luminance of the IPS mode liquid crystal display element is lowered.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 화소내의 광투과영역의 절연층을 제거하여 액정층에 인가되는 전압을 증가시켜 광투과율을 향상시킴으로써 휘도를 향상되는 횡전계모드 액정표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a transverse electric field mode liquid crystal display element in which brightness is improved by removing an insulating layer in a light transmitting region in a pixel to increase a voltage applied to the liquid crystal layer to improve light transmittance .                         

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 횡전계모드 액정표시소자는 화상 비표시영역과 화상표시영역으로 이루어진 복수의 화소를 포함하는 기판과, 상기 화소의 비표시영역에 형성되며, 게이트전극, 상기 기판 전체에 걸쳐서 적층된 게이트절연층, 상기 게이트절연층 위에 형성된 반도체층 및 상기 반도체층 위에 형성된 소스/드레인전극이로 이루어진 박막트랜지스터와, 상기 화상표시영역내에 실질적으로 평행하게 배치되어 횡전계를 생성하는 적어도 한쌍의 전극과, 상기 화상비표시영역에 적층된 보호층으로 구성된다.In order to achieve the above object, a transverse electric field mode liquid crystal display element according to the present invention includes a substrate including a plurality of pixels each composed of an image non-display region and an image display region, A thin film transistor having a gate insulating layer stacked over the entire substrate, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer, and source / drain electrodes formed on the semiconductor layer; and a thin film transistor arranged substantially parallel to the image display region, At least a pair of electrodes which generate the image non-display area, and a protective layer laminated on the image non-display area.

상기 전극은 공통전극 및 화소전극으로서 모두 기판 또는 게이트절연층 위에 형성될 수도 있으며, 공통전극은 기판에 형성되고 화소전극은 게이트절연층 위에 형성될 수도 있다. 또한, 공통전극이 게이트절연층 위에 형성되고 화소전극이 기판 위에 형성될 수도 있다.The electrode may be formed as a common electrode and a pixel electrode on the substrate or the gate insulating layer, the common electrode may be formed on the substrate, and the pixel electrode may be formed on the gate insulating layer. Further, a common electrode may be formed on the gate insulating layer and a pixel electrode may be formed on the substrate.

본 발명에서는 휘도가 향상된 IPS모드 액정표시소자를 제공한다. 휘도를 향상시키기 위해서는 액정표시소자를 투과하는 광의 투과율을 상승시켜야만 한다. 일반적으로 IPS모드의 액정표시소자에서는 공통전극과 화소전극 사이의 영역으로 광이 투과된다. 이러한 투과영역은 공통전극과 화소전극의 형성 갯수에 따라 달라지는데, 통상적으로 이 투과영역은 블럭으로 표현된다. 예를 들어, 도 1(a)에 도시된 IPS모드 액정표시소자에는 각각 3개의 공통전극과 2개의 화소전극이 형성되어 있으며, 광이 투과되는 광투과영역은 4개로 이루어져 있다. 이와 같이, 광투과영역이 4개 형성된 IPS모드 액정표시소자를 통상적으로 4블럭 액정표시소자라 칭한다. The present invention provides an IPS mode liquid crystal display device having improved brightness. In order to improve the luminance, the transmittance of light passing through the liquid crystal display element must be increased. Generally, in a liquid crystal display element of the IPS mode, light is transmitted to a region between the common electrode and the pixel electrode. Such a transmissive region differs depending on the number of common electrodes and the number of pixel electrodes to be formed. Normally, this transmissive region is represented by a block. For example, three common electrodes and two pixel electrodes are formed in the IPS mode liquid crystal display element shown in FIG. 1 (a), and four light transmission regions through which light is transmitted are formed. Thus, an IPS mode liquid crystal display element having four light transmitting regions is generally referred to as a 4-block liquid crystal display element.                     

따라서, 본 발명에서는 상기 블럭의 광투과율을 증가시킴으로써 IPS모드 액정표시소자의 휘도를 향상시키는 것이다. 이를 위해, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 보호층이나 게이트절연층과 같이 광투과시 광을 흡수하는 절연층(특히, 블럭에 형성된 절연층)을 제거하여 액정층에 인가되는 전압을 증가시킴으로써 광투과율을 향상시킨다.Accordingly, in the present invention, the brightness of the IPS mode liquid crystal display device is improved by increasing the light transmittance of the block. For this purpose, in the IPS mode liquid crystal display of the present invention, by removing the insulating layer (particularly, the insulating layer formed on the block) that absorbs light when transmitting light, such as a protective layer or a gate insulating layer, Thereby improving light transmittance.

한편, 본 발명이 상기한 4블럭 구조의 IPS모드 액정표시소자에만 한정되는 것은 아니다. 상기와 같은 특정 구조의 IPS모드 액정표시소자는 단지 설명의 편의를 위한 것으로, 본 발명을 특정 구조로 한정하기 위한 것은 아니다. 실질적으로 본 발명의 IPS모드 액정표시소자는 2블럭이나 6블럭 혹은 8블럭 IPS모드 액정표시소자 뿐만 아니라 모든 블럭의 액정표시소자에 적용될 수 있을 것이다. 따라서, 이하의 설명에서는 특정 블럭의 IPS모드 액정표시소자에 대해 설명하고 있지만, 이것은 본 발명의 한 예에 불과한 것이다.On the other hand, the present invention is not limited to the IPS mode liquid crystal display element having the above-described four-block structure. The IPS mode liquid crystal display element having the above-described specific structure is merely for convenience of description, and is not intended to limit the present invention to a specific structure. The IPS mode liquid crystal display device of the present invention can be applied not only to 2-block, 6-block, or 8-block IPS mode liquid crystal display devices but also to all block liquid crystal display devices. Therefore, although the IPS mode liquid crystal display element of a specific block is described in the following description, this is only an example of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 IPS모드 액정표시소자에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the IPS mode liquid crystal display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 IPS모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 물질로 이루어진 제1기판(120)에는 박막트랜지스터와 복수의 공통전극(105) 및 화소전극(107)이 배치되어 있다. 박막트랜지스터는 제1기판(120) 위에 형성된 게이트전극(111)과, 상기 게이트전극 위에 형성된 게이트절연층(122)과, 상기 게이트절연층(122) 위에 형성된 반도체층(112)과, 상기 반도체층(112) 위에 형성된 소스전극(113) 및 드레인전극(114)으로 구성되어 있으며, 박막트랜지스터 위에는 보호층(124)이 형성되어 있다.2 is a view illustrating a structure of an IPS mode liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. As shown in the figure, a thin film transistor, a plurality of common electrodes 105 and a pixel electrode 107 are disposed on a first substrate 120 made of a transparent material such as glass. The thin film transistor includes a gate electrode 111 formed on a first substrate 120, a gate insulating layer 122 formed on the gate electrode, a semiconductor layer 112 formed on the gate insulating layer 122, And a source electrode 113 and a drain electrode 114 formed on the substrate 112. A protective layer 124 is formed on the thin film transistor.

공통전극(105)은 제1기판(120) 위에 형성되어 있으며, 화소전극(107)은 게이트절연층(122) 위에 형성되어 있다. 상기 공통전극(105)은 Cu, Mo, Ta, Cr, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering)방법에 의해 적층한 후 에천트(etchant)를 이용하여 에칭한 단일층 또는 복수의 층으로 이루어진다. 이때, 상기 공통전극(105)은 박막트랜지스터의 게이트전극(111)과 다른 공정에 의해 형성할 수도 있지만 공정의 단순화를 위해서는 게이트전극(111)과 동일한 공정에 의해 형성하는 것이 바람직할 것이다.The common electrode 105 is formed on the first substrate 120 and the pixel electrode 107 is formed on the gate insulating layer 122. The common electrode 105 may be formed by depositing a metal such as Cu, Mo, Ta, Cr, Ti, Al, or Al alloy by evaporation or sputtering method and then etching it using an etchant Single layer or a plurality of layers. At this time, although the common electrode 105 may be formed by a different process from the gate electrode 111 of the thin film transistor, it is preferable to form the common electrode 105 by the same process as the gate electrode 111 in order to simplify the process.

또한, 화소전극(107)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속을 적층하고 에칭하여 형성하는 것으로, 박막트랜지스터의 소스전극(113) 및 드레인전극(114), 데이터라인(104)과 동일한 공정에 의해 형성하는 것이 바람직할 것이다.The pixel electrode 107 is formed by laminating and etching a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or an Al alloy. The source electrode 113 and the drain electrode 114 of the thin film transistor, It may be preferable to form it by the same process as that of the line 104.

도면에 도시된 바와 같이, 보호층(124)은 박막트랜지스터와 화소전극(107) 위에만 형성되어 있다. 즉, 광이 투과되는 영역인 각 블럭(또는 공통전극(105) 상부를 포함하여)에는 보호층(124)이 적층되지 않는다.As shown in the figure, the protective layer 124 is formed only on the thin film transistor and the pixel electrode 107. [ That is, the protective layer 124 is not laminated on each block (including the upper portion of the common electrode 105), which is a region through which light is transmitted.

한편, 제2기판(130)에는 비표시영역으로 광이 누설되는 것을 방지하는 블랙매트릭스(132)와 실제 화면상에 화상을 구현하기 위한 컬러필터층(134)이 형성되어 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 컬러필터층(134)위에는 제2기판(130)의 평탄성을 향상시키기 위한 오버코트층(overcoat layer)이 형성될 수도 있다.On the other hand, a black matrix 132 for preventing light from leaking to the non-display area and a color filter layer 134 for realizing an image on the actual screen are formed on the second substrate 130. Although not shown, an overcoat layer may be formed on the color filter layer 134 to improve the flatness of the second substrate 130.

상기와 같이 구성된 제1기판(120)과 제2기판(130) 사이에 액정층(140)이 형 성되어 IPS모드 액정표시소자가 완성된다. 액정층(140)의 형성은 진공상태에서 합착된 제1기판(120)과 제2기판(140) 사이에 액정을 주입하는 진공액정주입법에 의해 형성될 수 있으며 근래 각광받고 있는 액정적하방식(liquid crystal dispensing method), 즉 제1기판(120) 또는 제2기판(130) 상에 직접 액정을 적하한 후 상기 제1기판(120) 및 제2기판(130)의 합착에 의해 기판(120,130) 전체에 걸쳐서 균일하게 퍼지게 하는 방식에 의해 형성될 수도 있다.A liquid crystal layer 140 is formed between the first substrate 120 and the second substrate 130 and the IPS mode liquid crystal display device is completed. The liquid crystal layer 140 may be formed by a vacuum liquid crystal injection method in which a liquid crystal is injected between a first substrate 120 and a second substrate 140 bonded in a vacuum state. the liquid crystal is directly dropped on the first substrate 120 or the second substrate 130 and then the first and second substrates 120 and 130 are bonded together to form the entire substrate 120 In a uniform manner over the entire surface of the substrate.

상술한 바와 같이, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 광투과영역인 블럭영역에 투과되는 광을 흡수하는 보호층(124)이 적층되어 있지 않기 때문에, 종래의 IPS모드 액정표시소자에 비해 광투과효율이 향상된다. 따라서, 종래 IPS모드 액정표시소자에 비해 휘도가 향상된다.As described above, in the IPS mode liquid crystal display device of the present invention, since the protective layer 124 for absorbing the light transmitted through the block region, which is the light transmitting region, is not laminated, compared with the conventional IPS mode liquid crystal display device, The efficiency is improved. Thus, the brightness is improved as compared with the IPS mode liquid crystal display device of the related art.

도 3 및 도 4는 본 발명의 제2 및 제3실시예에 따른 IPS모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 도면이다. 이때, 상기 제2 및 제3실시예의 IPS모드 액정표시소자는 도 2에 도시된 IPS모드 액정표시소자와는 공통전극 및 화소전극의 형성위치만을 제외하고는 동일한 구조로 이루어져 있다. 따라서, 도 2에 도시된 IPS모드 액정표시소자와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하고 단지 공통전극 및 화소전극에 대해서만 설명한다.FIGS. 3 and 4 are views showing the structure of the IPS mode liquid crystal display device according to the second and third embodiments of the present invention. In this case, the IPS mode liquid crystal display elements of the second and third embodiments have the same structure as that of the IPS mode liquid crystal display element shown in FIG. 2 except for the formation positions of the common electrode and the pixel electrode. Therefore, description of the same configuration as the IPS mode liquid crystal display element shown in Fig. 2 will be omitted, and only the common electrode and the pixel electrode will be described.

우선, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 IPS모드 액정표시소자에서는 공통전극(205)과 화소전극(207)이 모두 게이트절연층(222) 위에 형성되어 있다. 또한, 보호층(224)은 박막트랜지스터와 공통전극(205) 및 화소전극(207) 위에만 형성되어 있고 블럭영역에는 제거되어 있다. 이때, 상기 공 통전극(205)과 화소전극(207)은 서로 다른 공정에 의해 다른 금속으로 이루어질 수도 있지만, 공정의 단순화를 위해 박막트랜지스터의 소스전극(213) 및 드레인전극(214)과 동일한 공정에 의해 이루어지는 것이 바람직할 것이다.3, in the IPS mode liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, the common electrode 205 and the pixel electrode 207 are all formed on the gate insulating layer 222. [ Further, the protective layer 224 is formed only on the thin film transistor, the common electrode 205 and the pixel electrode 207, and is removed in the block region. In this case, the common electrode 205 and the pixel electrode 207 may be made of different metals by different processes. However, in order to simplify the process, the same process as the source electrode 213 and the drain electrode 214 of the thin film transistor As shown in FIG.

또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 IPS모드 액정표시소자에서는 공통전극(305)이 게이트절연층(322) 위에 형성되어 있고 화소전극(307)은 제1기판(320) 위에 형성되어 있으며, 보호층(324)은 박막트랜지스터와 공통전극(305) 위에만 적층되어 있다. 이때, 상기 공통전극(305)은 박막트랜지스터의 소스전극(313) 및 드레인전극(314)과 동일한 공정에 의해 형성하는 것이 바람직하며 화소전극(307)은 박막트랜지스터의 게이트전극(311)과 동일한 공정에 의해 형성하는 것이 바람직할 것이다.4, in the IPS mode liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention, the common electrode 305 is formed on the gate insulating layer 322 and the pixel electrode 307 is formed on the first substrate 300. [ And the protective layer 324 is laminated only on the thin film transistor and the common electrode 305. [ The common electrode 305 is preferably formed by the same process as the source electrode 313 and the drain electrode 314 of the thin film transistor and the pixel electrode 307 is formed in the same process as the gate electrode 311 of the thin film transistor As shown in Fig.

상기한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예 및 제3실시예에서는 각각 공통전극 및 화소전극이 다른 위치에 형성된다. 그러나, 이러한 구조의 IPS모드 액정표시소자도 도 2에 도시된 IPS모드 액정표시소자와 마찬가지로 블럭영역에는 보호층이 형성되어 있지 않기 때문에, 투과율이 증가하여 휘도가 증가하게 된다.As described above, in the second embodiment and the third embodiment of the present invention, the common electrode and the pixel electrode are formed at different positions, respectively. However, since the IPS mode liquid crystal display element having such a structure does not have a protective layer formed in the block region as in the IPS mode liquid crystal display element shown in FIG. 2, the transmittance increases and the brightness increases.

표 1에 종래 IPS모드 액정표시소자의 휘도와 본 발명에 따른 IPS모드 액정표시소자의 휘도가 개시되어 있다.Table 1 shows the brightness of the conventional IPS mode liquid crystal display device and the brightness of the IPS mode liquid crystal display device according to the present invention.

전압Voltage 종래 IPS LCDConventional IPS LCD 제1IPS LCD1st IPS LCD 제2IPS LCD2nd IPS LCD 제3IPS LCD3rd IPS LCD 휘도Luminance 휘도Luminance 휘도증가율Luminance increase rate 휘도Luminance 휘도증가율Luminance increase rate 휘도Luminance 휘도증가율Luminance increase rate 4V4V 67.90％67.90% 76.08％76.08% 12.00％12.00% 74.50％74.50% 9.67％9.67% 71.62％71.62% 5.43％5.43% 5V5V 89.94％89.94% 93.67％93.67% 4.15％4.15% 93.31％93.31% 3.75％3.75% 92.66％92.66% 3.02％3.02%

상기 표1에서 제1IPS모드 액정표시소자는 공통전극은 제1기판에 형성되고 화 소전극은 게이트절연층에 형성된 구조의 IPS모드 액정표시소자를 나타내고 제2IPS모드 액정표시소자는 공통전극과 화소전극이 동일층(즉, 게이트절연층)에 형성된 구조의 IPS모드 액정표시소자를 나타내며, 제3IPS모드 액정표시소자는 공통전극은 게이트절연층 위에 형성되고 화소전극은 제1기판 위에 형성된 구조의 IPS모드 액정표시소자를 나타낸다.In Table 1, the first IPS mode liquid crystal display element shows the IPS mode liquid crystal display element having the common electrode formed on the first substrate and the pixel electrode formed on the gate insulating layer, and the second IPS mode liquid crystal display element has the common electrode and the pixel electrode The IPS mode liquid crystal display element having the structure formed on the same layer (that is, the gate insulating layer), the IPS mode liquid crystal display element having the structure in which the common electrode is formed on the gate insulating layer and the pixel electrode is formed on the first substrate A liquid crystal display element is shown.

상기 표 1에 도시된 바와 같이, 화소전압에 4V의 전압이 인가되는 경우 본 발명에 따른 IPS모드 액정표시소자의 휘도는 종래 IPS모드 액정표시소자의 휘도에 비해 약 5.5∼12％ 증가하는 것을 알 수 있다. 또한, 화소전압에 5V의 전압이 인가되는 경우 본 발명에 따른 IPS모드 액정표시소자의 휘도는 종래 IPS모드 액정표시소자의 휘도에 비해 약 3.0∼4.2％ 증가하는 것을 알 수 있다. 상기한 점을 감안하면, 비록 휘도 증가율의 차이는 있지만 블럭영역의 보호층을 제거함으로써 종래 IPS모드 액정표시소자에 비해 본 발명에 따른 IPS모드 액정표시소자의 휘도가 증가함을 알 수 있다.As shown in Table 1, when the voltage of 4 V is applied to the pixel voltage, the brightness of the IPS mode liquid crystal display according to the present invention is increased by about 5.5 to 12% . In addition, when a voltage of 5V is applied to the pixel voltage, the brightness of the IPS mode liquid crystal display device according to the present invention is increased by about 3.0 to 4.2% as compared with that of the conventional IPS mode liquid crystal display device. In view of the above, it can be seen that the brightness of the IPS mode liquid crystal display device according to the present invention is increased compared to the conventional IPS mode liquid crystal display device by removing the protective layer in the block region although there is a difference in the luminance increase rate.

한편, 도 2∼도 4에 도시된 IPS모드 액정표시소자에서는 블럭영역에 보호층은 제거되어 있지만, 절연층인 게이트절연층이 남아 있다. 따라서, 상기 게이트절연층이 투과되는 광을 흡수함으로써 광투과율을 저하시키는 요인이 된다.Meanwhile, in the IPS mode liquid crystal display device shown in Figs. 2 to 4, the protective layer is removed in the block region, but a gate insulating layer, which is an insulating layer, remains. Therefore, the light is transmitted through the gate insulating layer to absorb the light, thereby lowering the light transmittance.

도 5(a)∼도 5(c)는 상기한 바와 같은 광투과 저하요인을 제거함으로써 더욱 휘도가 향상된 IPS모드 액정표시소자를 나타내는 도면이다. 도면에 도시된 IPS모드 액정표시소자의 구조는 도 2∼4에 도시된 구조의 IPS모드 액정표시소자와는 게이트절연층의 존재 여부를 제외하고는 모두 동일하다. 즉, 도 5(a)∼도 5(d)에 도시된 IPS모드 액정표시소자에서는 블럭영역의 보호층(424)과 게이트절연층(422)을 제거하여 광투과율이 저하되는 것을 방지하는 것이다.5 (a) to 5 (c) are diagrams showing an IPS mode liquid crystal display device with improved brightness by eliminating the above factors of light transmission degradation. The structure of the IPS mode liquid crystal display element shown in the figure is the same as that of the IPS mode liquid crystal display element having the structure shown in Figs. 2 to 4, except for the presence of the gate insulating layer. That is, in the IPS mode liquid crystal display device shown in Figs. 5 (a) to 5 (d), the protective layer 424 and the gate insulating layer 422 in the block region are removed to prevent the light transmittance from being lowered.

이때, 도 5(a)에 도시된 IPS모드 액정표시소자에서는 공통전극(405)과 화소전극(407)이 모두 제1기판(420) 위에 형성되어 있으며, 도 5(b)에 도시된 IPS모드 액정표시소자에서는 공통전극(405)은 제1기판(420) 위에 형성되어 있고 화소전극(407)은 게이트절연층(422) 위에 형성되어 있다. 또한, 도 5(b)에 도시된 IPS모드 액정표시소자에서는 공통전극(405)과 화소전극(407)이 모두 게이트절연층(422)에 형성되어 있으며, 도 5(c)에 도시된 IPS모드 액정표시소자에서는 공통전극(405)이 게이트절연층(422) 위에 형성되어 있고 화소전극(407)이 제1기판(420) 위에 형성되어 있다.5 (a), the common electrode 405 and the pixel electrode 407 are all formed on the first substrate 420, and the IPS mode liquid crystal display device shown in FIG. 5 (a) In the liquid crystal display device, the common electrode 405 is formed on the first substrate 420 and the pixel electrode 407 is formed on the gate insulating layer 422. 5 (b), the common electrode 405 and the pixel electrode 407 are both formed in the gate insulating layer 422. In the IPS mode liquid crystal display device shown in Fig. 5 (b) In the liquid crystal display device, the common electrode 405 is formed on the gate insulating layer 422 and the pixel electrode 407 is formed on the first substrate 420.

상기와 같이, 블럭영역에 게이트절연층(422) 및 보호층(424)을 제거한 구조의 IPS모드 액정표시소자는 도 2∼도 4에 도시된 바와 같이 블럭영역의 보호층(424)만을 제거한 IPS모드 액정표시소자에 비해 광투과율이 향상되며, 따라서 휘도가 대폭 향상된다.As described above, the IPS mode liquid crystal display device having a structure in which the gate insulating layer 422 and the protective layer 424 are removed from the block region is formed by the IPS (IPS) liquid crystal display device in which only the protective layer 424 in the block region is removed The light transmittance is improved as compared with the mode liquid crystal display element, and therefore the brightness is greatly improved.

한편, IPS모드 액정표시소자는 보상값(Δnd)에 따라 휘도가 변하는데, 도 6에 도 5(a)∼도 5(d)에 도시된 IPS모드 액정표시소자의 보상값과 종래 IPS모드 액정표시소자의 휘도에 대한 휘도증가율의 관계를 나타내는 그래프가 도시되어 있다.On the other hand, in the IPS mode liquid crystal display device, the brightness varies depending on the compensation value? Nd. The compensation value of the IPS mode liquid crystal display device shown in Figs. 5 (a) to 5 A graph showing the relationship of the luminance increasing rate to the luminance of the display device is shown.

도면에서 제1구조는 공통전극(405)과 화소전극(407)이 모두 제1기판(420) 위에 형성된 IPS모드 액정표시소자를 나타내며 제2구조는 공통전극(405)과 화소전극(407)이 각각 제1기판(420)과 게이트절연층(422) 위에 형성된 IPS모드 액 정표시소자를 나타낸다. 또한, 제3구조는 공통전극(405)과 화소전극(407)이 각각 게이트절연층(422)과 제1기판(420) 위에 형성된 IPS모드 액정표시소자를 나타내며, 제4구조는 공통전극(405)과 화소전극(407)이 모두 게이트절연층(422) 위에 형성된 IPS모드 액정표시소자를 나타낸다.In the first structure, a common electrode 405 and a pixel electrode 407 are both formed on a first substrate 420, and a second structure is an IPS mode liquid crystal display device in which a common electrode 405 and a pixel electrode 407 And an IPS mode liquid crystal display element formed on the first substrate 420 and the gate insulating layer 422, respectively. The third structure is an IPS mode liquid crystal display element in which the common electrode 405 and the pixel electrode 407 are formed on the gate insulating layer 422 and the first substrate 420 respectively and the fourth structure is the common electrode 405 And the pixel electrode 407 are both formed on the gate insulating layer 422. The IPS mode liquid crystal display device shown in Fig.

도면에 도시된 바와 같이, 화소전극에 4V와 5V의 전압을 인가할 때, 액정층의 보상값(Δnd)이 0.33㎛ 이하인 경우 휘도가 종래 IPS모드 액정표시소자 보다 작아짐을 알 수 있다. 따라서, 블럭영역에 게이트절연층(422)과 보호층(424)이 형성되지 않은 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 보상값(Δnd)이 0.33㎛ 이상이 되어야만 한다. 또한, 도면에 도시된 바와 같이 같이 보상값(Δnd)이 증가함에 따라 증가하던 휘도증가율은 보상값(Δnd)이 0.39㎛를 초과함에 따라 점차 감소하게 된다. 더욱이, 보상값(Δnd)이 0.39㎛를 초과하는 경우 흰색상태의 색특성이 저하되기 때문에, 보상값(Δnd)은 0.39㎛ 이하로 설정되는 것이 바람직하다.As shown in the figure, when the voltage of 4 V and 5 V is applied to the pixel electrode, the luminance is smaller than that of the conventional IPS mode liquid crystal display element when the compensation value? Nd of the liquid crystal layer is 0.33 탆 or less. Therefore, in the IPS mode liquid crystal display device of the present invention in which the gate insulating layer 422 and the protective layer 424 are not formed in the block region, the compensation value? D must be 0.33 占 퐉 or more. Also, as shown in the figure, the luminance increase rate that increases as the compensation value Δnd increases gradually decreases as the compensation value Δnd exceeds 0.39 μm. Moreover, since the color characteristic of the white state is lowered when the compensation value? Nd is larger than 0.39 mu m, the compensation value? D is preferably set to 0.39 mu m or less.

이러한 결과를 종합해 보면, 도 5(a)∼도 5(d)에 도시된 IPS모드 액정표시소자, 즉 광투과영역의 게이트절연층과 보호층이 모두 제거된 액정표시소자에서는 액정층의 보상값(Δnd)을 0.33∼0.39㎛로 설정하는 것이 바람직하다.5 (a) to 5 (d), that is, in the liquid crystal display element in which both the gate insulating layer and the protective layer in the light transmission region are removed, the compensation of the liquid crystal layer It is preferable to set the value [Delta] d to 0.33 to 0.39 [mu] m.

상술한 바와 같이, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 광투과영역의 보호층 또는 게이트절연층/보호층을 제거하여 액정층에 인가되는 전압을 증가시키고 이로 인해 광투과율을 향상시킬 수 있게 되며, 그 결과 액정표시소자의 휘도를 대폭 향상시킬 수 있게 된다.As described above, in the IPS mode liquid crystal display device of the present invention, the protective layer or the gate insulating layer / the protective layer in the light transmission region is removed to increase the voltage applied to the liquid crystal layer, thereby improving the light transmittance, As a result, the luminance of the liquid crystal display element can be remarkably improved.

Claims (14)

제1기판 및 제2기판;A first substrate and a second substrate; 상기 제1기판에 형성되어 화상비표시영역과 화상표시영역으로 이루어진 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인;A plurality of gate lines and data lines formed on the first substrate and defining a plurality of pixels each consisting of an image non-display region and an image display region; 상기 화소의 화상비표시영역에 형성된, 게이트전극, 상기 화상비표시영역 및 화상표시영역의 일부에 형성된 게이트절연층, 상기 화상비표시영역의 게이트절연층 상면에 형성된 반도체층 및 상기 반도체층 위에 형성된 소스/드레인전극으로 이루어진 박막트랜지스터;A gate insulating layer formed in a part of the gate electrode, the image non-display region and the image display region formed in the image non-display region of the pixel, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer in the image non- A thin film transistor composed of source / drain electrodes; 상기 화상표시영역내에 실질적으로 평행하게 배치되어 횡전계를 생성하는 적어도 한쌍의 공통전극 및 화소전극;At least a pair of common electrodes and pixel electrodes arranged substantially parallel to the image display region to generate a transverse electric field; 상기 화상비표시영역의 박막트랜지스터 상면 및 화상표시영역의 일부 영역에 형성된 보호층;A protective layer formed on the upper surface of the thin film transistor of the image non-display area and a part of the image display area; 상기 제2기판에 형성된 컬러필터층; 및A color filter layer formed on the second substrate; And 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 구성되며,And a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate, 상기 공통전극은 제1기판에 박막트랜지스터의 게이트전극과 동일한 금속으로 형성되고 상기 공통전극의 상면에는 게이트절연층 및 보호층이 형성되고 화소전극의 상면에는 보호층의 단일층 또는 게이트절연층 및 보호층의 이중층이 형성되며, 상기 액정층의 보상값(Δnd)이 0.33∼0.39㎛인 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.The common electrode is formed of the same metal as the gate electrode of the thin film transistor on the first substrate, a gate insulating layer and a protective layer are formed on the upper surface of the common electrode, a single layer or a gate insulating layer of the protective layer, Layer, and the compensation value? Nd of the liquid crystal layer is 0.33 to 0.39 占 퐉. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 화소전극은 제1기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.The transverse electric field mode liquid crystal display element according to claim 1, wherein the pixel electrode is formed on a first substrate. 제1항에 있어서, 상기 화소전극은 화상표시영역에 형성된 게이트절연층 상면에 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.The transverse electric field mode liquid crystal display element according to claim 1, wherein the pixel electrode is formed on an upper surface of a gate insulating layer formed in an image display region. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1기판 및 제2기판;A first substrate and a second substrate; 상기 제1기판에 형성되어 화상 비표시영역과 화상표시영역으로 이루어진 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인;A plurality of gate lines and data lines formed on the first substrate and defining a plurality of pixels each consisting of an image non-display region and an image display region; 상기 화소의 화상비표시영역에 형성된, 게이트전극, 상기 화상비표시영역 및 화상표시영역의 일부에 형성된 게이트절연층, 상기 화상비표시영역의 게이트절연층 상면에 형성된 반도체층 및 상기 반도체층 위에 형성된 소스/드레인전극으로 이루어진 박막트랜지스터;A gate insulating layer formed in a part of the gate electrode, the image non-display region and the image display region formed in the image non-display region of the pixel, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer in the image non- A thin film transistor composed of source / drain electrodes; 제1기판의 화상표시영역의 게이트절연층 위에 실질적으로 평행하게 박막트랜지스터의 소스전극과 동일한 금속으로 형성되어 화소내에 실질적으로 평행하게 횡전계를 생성하는 적어도 한쌍의 공통전극 및 화소전극;At least a pair of common electrodes and pixel electrodes formed of the same metal as the source electrode of the thin film transistor substantially parallel to the gate insulating layer of the image display region of the first substrate and generating a transverse electric field substantially parallel to the pixel; 상기 화상비표시영역의 박막트랜지스터 상면 및 화상표시영역의 공통전극 및 화소전극 상면에 형성된 보호층;A protective layer formed on the upper surface of the thin film transistor in the image non-display area and on the common electrode and the pixel electrode in the image display area; 상기 제2기판에 형성된 컬러필터층; 및A color filter layer formed on the second substrate; And 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 구성되며And a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate 상기 액정층의 보상값(Δnd)이 0.33∼0.39㎛인 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.Wherein a compensation value? Nd of the liquid crystal layer is 0.33 to 0.39 占 퐉. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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