KR100922496B1 - Substrate supporter having a embossed pattern and method of manufacturing thereof - Google Patents

Substrate supporter having a embossed pattern and method of manufacturing thereof Download PDF

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Abstract

엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 기판 지지대는 표면으로부터 일체로 돌출된 돌기들을 포함하는 몸체 및 돌기들을 덮는 코팅층을 포함한다. 돌기들이 일체로 형성된 기판 지지대의 제조 방법은 기판 지지대 상에 반구형상 또는 원추형상을 갖는 복수개의 돌기들을 형성하고 기판 지지대 상에 돌기들을 덮는 코팅층을 형성한다.

Figure R1020050093050

A substrate support having an embossed pattern and a method of manufacturing the same are disclosed. The substrate support includes a body including protrusions integrally protruding from the surface and a coating layer covering the protrusions. The method of manufacturing a substrate support on which protrusions are formed integrally forms a plurality of protrusions having a hemispherical shape or a conical shape on the substrate support, and forms a coating layer covering the protrusions on the substrate support.

Figure R1020050093050

Description

엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대 및 이의 제조 방법{SUBSTRATE SUPPORTER HAVING A EMBOSSED PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}SUBSTRATE SUPPORTER HAVING A EMBOSSED PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 기판 지지대의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate support according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 'A' 부분 확대도이다.FIG. 2 is an enlarged view of a portion 'A' of FIG. 1.

도 3은 도 1의 'B' 부분 확대도이다.3 is an enlarged view of a portion 'B' of FIG. 1.

도 4 내지 도 8들은 본 실시예에 의한 기판 지지대의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.4 to 8 are cross-sectional views showing the manufacturing method of the substrate support according to the present embodiment.

본 발명은 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 웨이퍼 또는 LCD 기판과 같은 작업물(work peace)을 지지하기 위한 돌기(또는 엠보싱 패턴)들을 갖는 기판 지지대 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support having an embossed pattern and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a substrate support having a projection (or embossing pattern) for supporting a work peace, such as a wafer or LCD substrate, and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 반도체 소자(semiconductor device) 또는 평판표시패널(flat display panel) 등은 상대적으로 높은 파워를 갖는 고밀도 플라즈마(high density plasma)를 이용하는 공정을 통해 제조된다. 따라서, 반도체 소자 또는 평판표시패 널을 제조하기 위한 제조 설비들은 플라즈마에 대한 높은 내식성이 요구되고 있다.In general, a semiconductor device or a flat display panel is manufactured through a process using a high density plasma having a relatively high power. Therefore, manufacturing facilities for manufacturing semiconductor devices or flat panel display panels are required to have high corrosion resistance to plasma.

따라서, 플라즈마를 통해 반도체 소자 또는 평판표시패널을 제조하는 제조 설비들 중 플라즈마에 노출되는 파트, 예를 들면, 웨이퍼 척(wafer chuck) 또는 전극(electrode)들에는 플라즈마에 강한 내식성을 갖는 코팅층(coating layer)이 형성된다.Accordingly, a coating layer having strong corrosion resistance to plasma may be applied to a part exposed to the plasma, for example, a wafer chuck or electrodes, among manufacturing facilities for manufacturing a semiconductor device or a flat panel display panel through plasma. layer) is formed.

그러나, 웨이퍼 척 또는 전극 상에 코팅층을 형성할 때, 코팅층의 평탄도 불량이 발생할 수 있고, 이로 인해 웨이퍼 척 및 웨이퍼, 전극 및 기판 지지대의 사이에 갭(gap)이 발생될 수 있다.However, when forming the coating layer on the wafer chuck or the electrode, poor flatness of the coating layer may occur, which may cause a gap between the wafer chuck and the wafer, the electrode, and the substrate support.

상기 갭이 웨이퍼 척 및 웨이퍼, 전극 및 기판 지지대 사이에 형성될 경우, 치명적인 공정 불량이 발생될 수 있다.When the gap is formed between the wafer chuck and the wafer, the electrode and the substrate support, fatal process failure may occur.

본 발명의 실시예들은 작업물을 안정적으로 지지할 수 있는 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a substrate support having an embossing pattern capable of stably supporting a workpiece.

본 발명의 실시예들은 상기 기판 지지대의 제조 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a method of manufacturing the substrate support.

이와 같은 본 발명의 하나의 목적을 구현하기 위한 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대에는 기판 지지대의 표면에 일체로 형성된 반구형 또는 원추형 돌기가 형성된다. 기판 지지대의 표면에 일체로 형성된 돌기는 플라즈마 용사에 의해서만 세라믹 돌기를 형성하는 방식에 비하여 용이하게 형성할 수 있고, 균일한 지름과 높이를 갖고, 돌기 표면의 곡선이 균일하여 반도체 또는 LCD공정에서 안정된 역할을 수 행함으로써 제품의 품질향상과 수율을 향상시킨다.Such a substrate support having an embossed pattern for realizing one object of the present invention is formed with a hemispherical or conical projection formed integrally on the surface of the substrate support. The protrusions integrally formed on the surface of the substrate support can be easily formed as compared to the method of forming ceramic protrusions only by plasma spraying, have a uniform diameter and height, and have a uniform curve on the surface of the protrusions, which is stable in semiconductor or LCD processes. Play a role in improving product quality and yield.

또한, 본 발명의 다른 목적을 구현하기 위한 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대의 제조 방법은 기판 지지대 상에 반구형상 또는 원추형상을 갖는 복수개의 돌기부들을 일체로 형성하고, 기판 지지대 상에 돌기부들을 덮는 코팅층을 형성하여, 세라믹을 플라즈마 용사 방식으로 기판 지지대에 형성하는 방식보다 형성이 용이하며, 균일한 지름과 높이, 곡선의 균일한 형태의 돌기를 형성시킬 수 있고, 따라서 이러한 방법으로 형성된 돌기부는 반도체 또는 LCD공정에서 안정된 역할을 수행함으로써 제품의 품질향상과 수율을 향상시킨다.In addition, the manufacturing method of the substrate support having an embossed pattern for realizing another object of the present invention is integrally formed with a plurality of protrusions having a hemispherical or conical shape on the substrate support, and a coating layer covering the protrusions on the substrate support It is easier to form than the method of forming ceramic on the substrate support by plasma spraying method, and it is possible to form a uniform shape of uniform diameter, height, and curve, and thus the protrusion formed by this method is a semiconductor or LCD A stable role in the process improves product quality and yields.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대 및 이의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막), 영역, 패드, 패턴들 또는 구조물들 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패드, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 영역, 패드, 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 패드, 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다. 또한, 각 층(막), 영역, 패 드, 전극, 패턴 또는 구조물들이 "제1", "제2"," 제3" 및/또는 "제4"로 언급되는 경우, 이러한 부재들을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 각 층(막), 영역, 패드, 패턴 또는 구조물들을 구분하기 위한 것이다. 따라서, "제1", "제2", "제3" 및/또는 "제4"는 각 층(막), 영역, 전극, 패드, 패턴 또는 구조물들에 대하여 각기 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있다.Hereinafter, a substrate support having an embossing pattern and a method of manufacturing the same according to preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments. Those skilled in the art will be able to implement the present invention in various other forms without departing from the spirit of the present invention. In the accompanying drawings, the dimensions of the substrates, layers (films), regions, pads, patterns or structures are shown in greater detail than actual for clarity of the invention. In the present invention, each layer (film), region, pad, pattern or structures is formed to be "on", "top" or "bottom" of the substrate, each layer (film), region, pad or patterns. When mentioned, each layer (film), region, pad, pattern or structure is meant to be directly formed over or below the substrate, each layer (film), region, pad or patterns, or other layers (film), Other regions, different pads, different patterns or other structures may be additionally formed on the substrate. Also, where each layer (film), region, pad, electrode, pattern or structure is referred to as "first," "second," "third," and / or "fourth," defining such members. It is not intended to distinguish each layer (film), region, pad, pattern or structure. Thus, "first", "second", "third" and / or "fourth" may be used selectively or interchangeably for each layer (film), region, electrode, pad, pattern or structure, respectively. Can be.

엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대Substrate support with embossed pattern

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대의 단면도이다. 도 2는 도 1의 'A' 부분 확대도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate support having an embossed pattern according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged view of a portion 'A' of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 지지대(substrate supporter;10)은 돌기(3)들이 일체로 형성된 몸체(body;1) 및 코팅층(coating layer;5)을 갖는다.1 and 2, the substrate supporter 10 has a body 1 and a coating layer 5 in which protrusions 3 are integrally formed.

기판 지지대(10)의 몸체(1)는 금속을 포함한다. 몸체(1)를 이루는 금속의 예로서는 도전성을 갖고 기계적 가공성이 우수한 알루미늄, 알루미늄 합금 등을 들 수 있다.The body 1 of the substrate support 10 comprises a metal. As an example of the metal which comprises the body 1, aluminum, aluminum alloy, etc. which have electroconductivity and are excellent in mechanical workability are mentioned.

몸체(1)는, 예를 들어, 플레이트 형상을 갖는다. 바람직하게, 몸체(1)는 원판 형상 또는 사각 플레이트 형상을 가질 수 있다. 사각 플레이트 형상을 갖는 몸체(1)는, 제1 면(1a), 제1 면(1a)과 대향하는 제2 면(1b) 및 측면(1c)을 포함한다.The body 1 has a plate shape, for example. Preferably, the body 1 may have a disc shape or a square plate shape. The body 1 having a rectangular plate shape includes a first face 1a, a second face 1b and a side face 1c that face the first face 1a.

돌기(3)들은, 예를 들어, 몸체(1)의 제1 면(1a)상에 복수개가 형성된다. 바람직하게, 돌기(3)들은 몸체(1)의 제1 면(1a)상에 상호 동일한 간격으로 배치될 수 있다.The protrusions 3 are formed in plural, for example, on the first surface 1a of the body 1. Preferably, the protrusions 3 may be arranged at equal intervals on the first face 1a of the body 1.

돌기(3)들은 몸체(1)에 일체로 형성된다. 바람직하게, 돌기(3)들은 몸체(1)로부터 소정 높이로 돌출 된다. 본 실시예에서, 돌기(3)들은, 예를 들어, 기계적 가공, 예를 들면, 머시닝 센터(Machining Center Tooling system, MCT)등에 의하여 몸체(1)의 제 1 면(1a)상에 형성될 수 있다. 머시닝 센터에 의하여 몸체(1)의 제1 면(1a) 상에는 반구 형상 및 원추 형상을 갖는 돌기(3)들이 형성된다.The protrusions 3 are formed integrally with the body 1. Preferably, the protrusions 3 protrude from the body 1 to a predetermined height. In this embodiment, the projections 3 can be formed on the first side 1a of the body 1 by, for example, mechanical machining, for example, a machining center tooling system (MCT) or the like. have. The machining centers form projections 3 having a hemispherical shape and a conical shape on the first surface 1a of the body 1.

몸체(1)로부터 소정 높이로 돌출된 반구 형상 또는 원추 형상의 돌기(3)들의 표면은 미세한 요철이 형성될 수 있고, 돌기(3)들의 표면에 형성된 미세한 요철들은 후술될 코팅층(5)과의 부착력을 크게 증가시킨다.The surface of the hemispherical or conical protrusions 3 protruding from the body 1 to a predetermined height may be formed with minute irregularities, and the minute irregularities formed on the surfaces of the protrusions 3 may be formed with the coating layer 5 to be described later. Significantly increase the adhesion.

코팅층(5)은 몸체(1)의 제1 면(1a) 상에 형성되어, 몸체(1)의 제1 면(1a) 상에 형성된 돌기(3)들은 코팅층(5)에 의하여 덮인다. 본 실시예에서, 코팅층(5)은 플라즈마에 대하여 높은 내식성(corrosion-resistant)을 갖는 세라믹 물질을 포함할 수 있다. 이와 다르게, 코팅층(5)은 플라즈마에 대하여 높은 내식성을 갖는 어떠한 물질을 사용하여도 무방하다. 본 실시예에서, 몸체(1)의 제1 면(1a)상에 형성된 코팅층(5)은, 바람직하게, 균일한 두께를 갖는다.The coating layer 5 is formed on the first face 1a of the body 1, and the protrusions 3 formed on the first face 1a of the body 1 are covered by the coating layer 5. In the present embodiment, the coating layer 5 may comprise a ceramic material having high corrosion-resistant to plasma. Alternatively, the coating layer 5 may use any material having high corrosion resistance to the plasma. In this embodiment, the coating layer 5 formed on the first side 1a of the body 1 preferably has a uniform thickness.

본 실시예에 의한 돌기(3)들 및 코팅층(5)을 갖는 기판 지지대(10)는, 예를 들어, 액정표시패널(liquid crystal panel)을 제작하기 위한 각종 박막들을 패터닝 하기 위한 플라즈마 식각 장비의 하부 전극(lower electrode) 으로 사용될 수 있다.The substrate support 10 having the protrusions 3 and the coating layer 5 according to the present embodiment is, for example, a plasma etching apparatus for patterning various thin films for manufacturing a liquid crystal panel. It can be used as a lower electrode.

또한, 본 실시예에 의한 돌기(3)들 및 코팅층(5)을 갖는 기판 지지대(10)는, 예를 들어, 웨이퍼, 글래스, 웨이퍼상에 형성된 박막들, 글래스 상에 형성된 박막 들을 패터닝하기 위한 웨이퍼 척 또는 글래스 척으로 사용될 수 있다.In addition, the substrate support 10 having the protrusions 3 and the coating layer 5 according to the present embodiment is, for example, a wafer, glass, thin films formed on the wafer, thin film formed on the glass for patterning It can be used as wafer chuck or glass chuck.

이외에도, 본 실시예에 의한 돌기(3)들 및 코팅층(5)을 갖는 기판 지지대(10)는, 예를 들어, 플라즈마를 사용하는 플라즈마 장비 중 플라즈마와 직접적으로 노출되는 다양한 부품(part)에 적용될 수 있다.In addition, the substrate support 10 having the protrusions 3 and the coating layer 5 according to the present embodiment may be applied to various parts directly exposed to the plasma, for example, in plasma equipment using the plasma. Can be.

엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대의 제조 방법Method of manufacturing a substrate support having an embossed pattern

도 3 내지 도 7들은 본 실시예에 의한 엠보싱 패턴들을 갖는 기판 지지대의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.3 to 7 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a substrate support having embossing patterns according to the present embodiment.

도 3을 참조하면, 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대(10)를 제조하기 위해, 먼저, 몸체(1)가 마련된다. 본 실시예에서, 몸체(1)는 금속을 포함하는 플레이트 형상을 갖는다.사각 플레이트 형상을 갖는 몸체(1)는 제1 면(1a), 제1 면(1a)과 대향하는 제2 면(1b) 및 측면(1c)을 갖는다. 본 실시예에서, 몸체(1)는 전도성 및 기계적 가공성이 우수한 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함할 수 있다. 이와 다르게, 몸체(1)는 전도성 및 기계적 가공성이 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 유사한 어떠한 금속을 사용하여도 무방하다.Referring to FIG. 3, in order to manufacture the substrate support 10 having the embossing pattern, first, a body 1 is provided. In this embodiment, the body 1 has a plate shape comprising a metal. The body 1 having a square plate shape has a first face 1a and a second face 1b facing the first face 1a. ) And side 1c. In the present embodiment, the body 1 may include aluminum or an aluminum alloy having excellent conductivity and machinability. Alternatively, the body 1 may use any metal whose conductivity and machinability are similar to aluminum or an aluminum alloy.

도 4를 참조하면, 몸체(1)의 제1 면(1a)은 머시닝 센터(MCT)와 같은 가공 기계(미도시)에 의하여 기계적으로 가공되어, 몸체(1)의 제1 면(1a)에는 몸체(1)의 제1 면(1a)으로부터 돌출된 복수개의 돌기(3b)들이 형성된다. 본 실시예에서, 몸체(1) 및 돌기(3b)들은 일체로 형성되며, 돌기(3b)들은 제1 면(1a) 상에 복수개가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 4, the first face 1a of the body 1 is mechanically processed by a processing machine (not shown) such as a machining center MCT, so that the first face 1a of the body 1 A plurality of protrusions 3b protruding from the first surface 1a of the body 1 are formed. In the present embodiment, the body 1 and the protrusions 3b are integrally formed, and a plurality of the protrusions 3b may be disposed on the first surface 1a.

본 실시예에서, 돌기(3b)들은 머시닝 센터(MCT) 등에 의하여 몸체(1)의 제 1면(1a) 상에 일체로 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 머시닝 센터에 의하여 반구 형상 또는 원추 형상으로 가공된 돌기(3b)들의 지름은 약 0.5mm 내지 약 1.0mm 이다. 예를 들어, 돌기(3b)들의 지름이 약 0.5mm 이하일 경우, 반구 형상을 갖는 돌기(3b)들을 가공한 후 돌기(3b)들을 덮는 코팅층을 형성할 경우, 돌기(3b)의 강도가 저하되어 돌기(3b)가 파손될 수 있고, 돌기(3b)의 역할을 충분히 할 수 없다. 한편, 반구 형상을 갖는 돌기(3b)의 직경이 약 1mm 이상일 경우, 오염물이 돌기(3b)에도 퇴적되어 기판 지지대(10)에 오염물이 부착 및 기판 지지대(10)의 온도 분포가 불균일해질 수 있다.In the present embodiment, the projections 3b may be integrally formed on the first surface 1a of the body 1 by a machining center MCT or the like. In this embodiment, the diameters of the projections 3b processed into the hemispherical or conical shape by the machining center are about 0.5 mm to about 1.0 mm. For example, when the diameters of the projections 3b are about 0.5 mm or less, when the projections 3b having hemispherical shapes are formed and then the coating layer covering the projections 3b is formed, the strength of the projections 3b is lowered. The projection 3b may be broken, and the projection 3b may not be able to function sufficiently. On the other hand, when the diameter of the protrusions 3b having a hemispherical shape is about 1 mm or more, contaminants may be deposited on the protrusions 3b, and contaminants may adhere to the substrate support 10 and the temperature distribution of the substrate support 10 may be uneven. .

한편, 돌기(3b)들의 높이는 약 0.05mm 내지 약 0.1mm 일 수 있다. 본 실시예에서, 돌기(3b)들의 높이가 약 0.05mm 이하일 경우, 역시 돌기(3b)들의 역할을 충분히 하기 어렵고, 돌기(3b)가 형성되지 않은 기판 지지대(10)의 상면 및 기판 지지대(10)상에 배치되는 작업대상물의 하면 사이의 간격이 좁아져 기판 지지대(10)의 상면에 퇴적된 오염물에 의하여 작업 대상물이 오염될 수 있다. 또한, 돌기(3b)들의 높이가 약 0.1mm 보다 클 경우, 돌기(3b)들의 강도가 저하되어 돌기(3b)들의 파손이 발생 및 기판 지지대(10)의 온도 균일도가 감소될 수 있다. 본 실시예에서, 돌기(3b)들의 지름 및 높이는 다양하게 변경될 수 있다.On the other hand, the height of the projections (3b) may be about 0.05mm to about 0.1mm. In the present embodiment, when the height of the projections 3b is about 0.05 mm or less, it is also difficult to sufficiently serve as the projections 3b, and the upper surface and the substrate support 10 of the substrate support 10 on which the projections 3b are not formed. The gap between the lower surfaces of the workpieces disposed on the N) becomes narrow so that the workpieces may be contaminated by contaminants deposited on the upper surface of the substrate support 10. In addition, when the height of the protrusions 3b is greater than about 0.1 mm, the strength of the protrusions 3b may be lowered to cause breakage of the protrusions 3b and the temperature uniformity of the substrate support 10 may be reduced. In this embodiment, the diameter and height of the protrusions 3b may be variously changed.

이와 다르게, 도 5를 참조하면, 머시닝 센터와 같은 가공 기계에 의하여 몸체(1)의 제1 면(1a) 상에, 예를 들어, 원기둥 형상을 갖는 돌기(3d)들을 형성한 후, 몸체(1)의 상면에 형성된 돌기(3d)들을 샌딩 가공하여, 몸체(1)의 제1 면(1a) 상 에 반구형상 또는 원추형상을 갖는 돌기(3)들을 형성할 수 있다.Alternatively, referring to FIG. 5, after forming the projections 3d having, for example, a cylindrical shape on the first surface 1a of the body 1 by a processing machine such as a machining center, the body ( The protrusions 3d formed on the upper surface of 1) may be sanded to form protrusions 3 having a hemispherical shape or a cone shape on the first surface 1a of the body 1.

머시닝 센터에 의하여 기둥 형상을 갖는 돌기(3d)들을 형성한 후, 기둥 형상을 갖는 돌기(3d)들을 반구형 또는 원추형으로 가공하기 위하여, 몸체(1)의 제1 면(1a)의 상부에는 모래(sand)와 같은 세라믹 파티클(310)을 분사하는 세라믹 분사 유닛(300)이 배치되고, 세라믹 분사 유닛(300)은 몸체(1)의 제1 면(1a)에 형성된 기둥 형상의 돌기(3d)들에 세라믹 파티클(310)을 고속으로 분사하여, 몸체(1)의 제1 면(1a)상에 기둥 형상의 돌기(3d)들을 반구형상 또는 원추 형상을 갖는 돌기(3)들을 형성한다. 이 과정에서, 반구형상 또는 원추형상을 갖는 돌기(3)들의 표면 조도가 크게 증가되어 몸체(1) 및 후술될 코팅층의 부착력은 향상된다.After forming the columnar protrusions 3d by the machining center, sand (top) of the first surface 1a of the body 1 is formed in order to process the columnar protrusions 3d into hemispherical or conical shape. The ceramic spray unit 300 for spraying the ceramic particles 310 such as sand is disposed, and the ceramic spray unit 300 includes columnar protrusions 3d formed on the first surface 1a of the body 1. The ceramic particles 310 are sprayed at a high speed to form columnar projections 3d on the first surface 1a of the body 1 to form projections 3 having a hemispherical or conical shape. In this process, the surface roughness of the projections 3 having a hemispherical or conical shape is greatly increased so that the adhesion of the body 1 and the coating layer to be described later is improved.

반구 형상을 갖는 돌기(3)의 직경이 약 1mm 이상일 경우, 오염물이 돌기(3)에도 퇴적되어 기판 지지대(10)에 오염물이 부착 및 기판 지지대(10)의 온도 분포가 불균일해질 수 있다.When the diameter of the protrusions 3 having a hemispherical shape is about 1 mm or more, contaminants may be deposited on the protrusions 3 so that the contaminants adhere to the substrate support 10 and the temperature distribution of the substrate support 10 may be uneven.

한편, 기둥 형상을 갖는 돌기(3d) 들로부터 샌딩 가공된 반구형상 또는 원추형상을 갖는 돌기(3)들의 높이는 약 0.05mm 내지 약 0.1mm 일 수 있다. 본 실시예에서, 돌기(3)들의 높이가 약 0.05mm 이하일 경우, 역시 돌기(3)들의 역할을 충분히 하기 어렵고, 돌기(3)가 형성되지 않은 기판 지지대(10)의 상면 및 기판 지지대(10)상에 배치되는 작업대상물의 하면 사이의 간격이 좁아져 기판 지지대(10)의 상면에 퇴적된 오염물에 의하여 작업 대상물이 오염될 수 있다. 또한, 돌기(3)들의 높이가 약 0.1mm 보다 클 경우, 돌기(3)들의 강도가 저하되어 돌기(3)들의 파손이 발생 및 기판 지지대(10)의 온도 균일도가 감소될 수 있다.On the other hand, the height of the projections (3) having a hemispherical or conical shape sanded from the projections (3d) having a columnar shape may be about 0.05mm to about 0.1mm. In the present embodiment, when the height of the projections 3 is about 0.05 mm or less, it is also difficult to fully play the role of the projections 3, and the upper surface of the substrate support 10 on which the projections 3 are not formed and the substrate support 10 The gap between the lower surfaces of the workpieces disposed on the N) becomes narrow so that the workpieces may be contaminated by contaminants deposited on the upper surface of the substrate support 10. In addition, when the height of the protrusions 3 is greater than about 0.1 mm, the strength of the protrusions 3 may be lowered to cause breakage of the protrusions 3 and the temperature uniformity of the substrate support 10 may be reduced.

구체적으로, 도 6을 참조하면, 세라믹 파티클(310)에 의하여 몸체(1) 상에 일체로 형성된 반구형상 또는 원추형상을 갖는 돌기(3)들의 표면에는 세라믹 파티클(310)에 의하여 미세한 요철(3e)들이 형성될 수 있다. 이때, 세라믹 파티클(310)에 의하여 형성된 요철(3e)들은 후술될 코팅층 및 몸체(1)의 부착력을 크게 증가시켜, 코팅층(5)이 몸체(1)로부터 분리되는 것을 방지한다.Specifically, referring to FIG. 6, the surface of the protrusions 3 having a hemispherical shape or a cone shape integrally formed on the body 1 by the ceramic particle 310 is minute unevenness 3e by the ceramic particle 310. ) May be formed. At this time, the unevenness (3e) formed by the ceramic particles 310 greatly increases the adhesion of the coating layer and the body 1 to be described later, to prevent the coating layer 5 from being separated from the body (1).

도 7을 참조하면, 세라믹 파티클(310)에 의하여 몸체(1)의 제1 면(1a)상에 반구형상 또는 원추형상을 갖는 돌기(3)들이 형성된 후, 몸체(1)의 제1 면(1a) 상에는 코팅층(5)이 형성된다.Referring to FIG. 7, after the protrusions 3 having a hemispherical or conical shape are formed on the first surface 1a of the body 1 by the ceramic particles 310, the first surface of the body 1 may be formed. The coating layer 5 is formed on 1a).

코팅층(5)을 형성하기 위해서는, 먼저, 플라즈마 발생장치(410)의 내부에서 플라즈마를 발생시킨 후, 플라즈마 발생장치(410)의 내부에 세라믹 공급 장치(420)로부터 제공된 미세 세라믹을 공급하여 세라믹을 플라즈마에 의하여 용융시킨다.In order to form the coating layer 5, first, the plasma is generated inside the plasma generator 410, and then the fine ceramic provided from the ceramic supply device 420 is supplied to the interior of the plasma generator 410 to supply ceramic. By plasma.

본 실시예에서, 세라믹의 예로서는 Y2O3, Al2O3, Y2O3 및 Al2O3의 혼합물, YAG, TiO2, ZrO2 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용될 수 있으며, Y2O3 및 Al2O3의 혼합물과 등과 같이 혼합하여 사용할 수 있다.In this embodiment, examples of ceramics include Y 2 O 3 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3, and a mixture of Al 2 O 3 , YAG, TiO 2 , ZrO 2 , and the like. These may be used alone and may be used in combination, such as a mixture of Y 2 O 3 and Al 2 O 3 .

용융된 세라믹은 몸체(1)의 제1 면(1a) 상에 분사되어 몸체(1)의 제1 면(1a)의 상면에는 돌기(3)들을 덮는 코팅층(5)이 형성되어, 반구형상 또는 원추 형상을 갖는 돌기(3)들이 일체로 형성된 기판 지지대(10)가 제작된다. 본 실시예에서, 플라즈마 용사 방식에 의하여 제작된 코팅층(5)은 동일한 두께를 갖는다. The molten ceramic is sprayed on the first surface 1a of the body 1 so that a coating layer 5 covering the protrusions 3 is formed on the upper surface of the first surface 1a of the body 1, thereby forming a hemispherical shape or The substrate support 10 is formed integrally with the projections (3) having a conical shape. In this embodiment, the coating layer 5 produced by the plasma spray method has the same thickness.

본 실시예에 의하여 반구형상 또는 원추 형상을 갖는 돌기(3) 및 코팅층(5) 을 갖는 기판 지지대(10)는, 예를 들어, 액정표시패널(liquid crystal panel)을 제작하기 위한 각종 박막들을 패터닝 하기 위한 플라즈마 식각 장비의 하부 전극(lower electrode) 으로 사용될 수 있다.According to the present embodiment, the substrate support 10 having the projections 3 and the coating layer 5 having a hemispherical shape or a cone shape is, for example, patterning various thin films for manufacturing a liquid crystal panel. It can be used as a lower electrode (lower electrode) of the plasma etching equipment for.

또한, 본 실시예에 의한 돌기(3) 및 코팅층(5)을 갖는 기판 지지대(10)는, 예를 들어, 웨이퍼, 글래스, 웨이퍼상에 형성된 박막들, 글래스 상에 형성된 박막들을 패터닝하기 위한 웨이퍼 척 또는 글래스 척으로 사용될 수 있다.In addition, the substrate support 10 having the protrusion 3 and the coating layer 5 according to the present embodiment may be, for example, a wafer, a glass, thin films formed on the wafer, a wafer for patterning thin films formed on the glass. It can be used as a chuck or glass chuck.

이외에도, 본 실시예에 의한 돌기(3) 및 코팅층(5)을 갖는 기판 지지대(10)는, 예를 들어, 플라즈마를 사용하는 플라즈마 장비 중 플라즈마와 직접적으로 노출되는 다양한 부품(part)에 적용될 수 있다.In addition, the substrate support 10 having the protrusions 3 and the coating layer 5 according to the present embodiment may be applied to various parts directly exposed to the plasma, for example, in plasma equipment using the plasma. have.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 금속을 포함하는 몸체에 일체로 형성된 반구형상 또는 원추형상의 돌기를 형성 및 반구형상 또는 원추형상을 갖는 돌기의 표면에 플라즈마 용사 방식으로 코팅층을 형성하여 기존의 방식보다 용이하며, 균일한 지름과 높이, 곡선의 균일한 형태의 돌기를 기판 지지대상에 일체로 형성할 수 있다. 따라서 이러한 방법으로 형성된 돌기를 갖는 기판 지지대는 반도체 또는 LCD공정에서 안정된 역할을 수행함으로써 제품의 품질향상과 수율을 향상시킬 수 있다.As described in detail above, it is easier than the conventional method by forming a hemispherical or conical protrusion formed integrally with the body including the metal and forming a coating layer on the surface of the protrusion having a hemispherical or conical shape by plasma spraying. In addition, a uniform protrusion of a uniform diameter, height, and curve may be integrally formed on the substrate support object. Therefore, the substrate support having protrusions formed in this manner can improve the product quality and yield by playing a stable role in the semiconductor or LCD process.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영 역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary knowledge in the scope of the invention described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

Claims (16)

제1 면, 상기 제1 면과 대향하는 제2 면 및 측면을 포함하고, 상기 제1 면으로부터 일체로 돌출되며 0.5㎜ 내지 1.0㎜의 지름과 0.05㎜ 내지 0.1㎜의 높이를 갖는 돌기들을 포함하는 몸체; 및A first surface, a second surface and a side facing the first surface, the projections integrally protruding from the first surface and having protrusions having a diameter of 0.5 mm to 1.0 mm and a height of 0.05 mm to 0.1 mm Body; And 상기 몸체에 일체로 형성된 돌기들을 덮도록 플라즈마 용사 방법에 의해 형성된 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대.And a coating layer formed by a plasma spraying method to cover the protrusions integrally formed on the body. 제1항에 있어서, 상기 몸체는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대.The substrate support of claim 1, wherein the body comprises a metal. 제1항에 있어서, 상기 돌기들은 반구 형상 또는 원추 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대.The substrate support of claim 1, wherein the protrusions have a hemispherical shape or a conical shape. 제1항에 있어서, 상기 코팅층은 균일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대.The substrate support having an embossed pattern according to claim 1, wherein the coating layer has a uniform thickness. 제1항에 있어서, 상기 코팅층은 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는 엠보싱 패턴을 갖는 기판 지지대.The support of claim 1, wherein the coating layer comprises a ceramic. 제5 항에 있어서, 상기 세라믹은 Y2O3, Al2O3, Y2O3 및 Al2O3의 혼합물, YAG, TiO2, ZrO2으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대.The method of claim 5, wherein the ceramic comprises at least one selected from the group consisting of Y 2 O 3 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 and Al 2 O 3 , YAG, TiO 2 , ZrO 2 . A substrate support characterized by the above-mentioned. 제1 항에 있어서, 상기 돌기가 형성된 부위에는 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지대.The substrate support of claim 1, wherein irregularities are formed in a portion where the protrusion is formed. 제1 면, 상기 제1 면과 대향하는 제2 면 및 측면을 갖는 몸체를 마련하는 단계;Providing a body having a first side, a second side and a side facing the first side; 상기 몸체의 제1 면으로부터 일체로 돌출되며 0.5㎜ 내지 1.0㎜의 지름과 0.05㎜ 내지 0.1㎜의 높이를 갖는 반구형 또는 원추형 돌기들을 형성하는 단계; 및Forming hemispherical or conical protrusions integrally protruding from the first surface of the body and having a diameter of 0.5 mm to 1.0 mm and a height of 0.05 mm to 0.1 mm; And 상기 몸체에 일체로 형성된 돌기들을 덮도록 플라즈마 용사 방법을 이용하여 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.And forming a coating layer by using a plasma spray method to cover the protrusions integrally formed on the body. 제8항에 있어서, 상기 돌기들을 형성하는 단계에서, 상기 기계적 가공에 의하여 반구형 돌기들이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.The method of claim 8, wherein in the forming of the protrusions, hemispherical protrusions are formed by the mechanical processing. 제8항에 있어서, 상기 돌기들을 형성하는 단계에서, 상기 돌기들은 기둥 형상으로 형성되고, 상기 기둥 형상을 갖는 상기 돌기들은 샌딩 가공에 의하여 반구형상으로 가공되는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.The method of claim 8, wherein in the forming of the protrusions, the protrusions are formed in a columnar shape, and the protrusions having the columnar shape are processed in a hemispherical shape by sanding. 제10항 있어서, 상기 샌딩 가공하는 단계는 모래를 적어도 두 방향 이상에서 상기 돌기들을 향해 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.The method of claim 10, wherein the sanding process sprays sand toward the protrusions in at least two directions. 제8항에 있어서, 상기 몸체는 금속판이고, 상기 돌기들은 머시닝 센터 툴(MCT) 기계 가공에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.9. A method according to claim 8, wherein the body is a metal plate and the protrusions are formed by machining center tool (MCT) machining. 삭제delete 제8항에 있어서, 상기 돌기들을 형성하는 단계에서, 상기 돌기들의 표면에는 상기 코팅층과의 접착력을 증가시키기 위한 미세한 요철부들이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.The method of claim 8, wherein in the forming of the protrusions, fine protrusions and protrusions are formed on surfaces of the protrusions to increase adhesion to the coating layer. 제8항에 있어서, 상기 코팅층을 형성하는 단계는The method of claim 8, wherein the forming of the coating layer 플라즈마에 세라믹 물질을 용융시키는 단계; 및Melting the ceramic material in the plasma; And 용융된 세라믹 물질을 상기 몸체에 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.Injecting a molten ceramic material into the body. 제8항에 있어서, 상기 코팅층은 균일한 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지대 제조 방법.The method of claim 8, wherein the coating layer is formed to have a uniform thickness.
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