KR100919964B1 - 투명 기판 상의 컬러 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

투명 기판 상의 컬러 이미지 센서 및 그 제조 방법

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Abstract

본 발명은 소형 카메라를 제조하는데 사용될 수 있는 컬러 이미지 센서 및 이 센서를 제조하는 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 컬러 필터들의 모자이크 (18), 감광 존들을 구비하는 매우 얇은 실리콘 층 (30), 및 투명 기판을 통한 감광 존들의 조명에 의해 생성되는 전기 전하들의 수집을 가능하게 하는 이미지 검출 회로들을 정의하는 도전층 (14) 과 절연층 (16) 의 스택이 그 상부에 연속적으로 중첩되는 투명 기판 (40) 을 구비한다. 제조 방법은 실리콘 웨이퍼 상에 감광 회로들을 생성하는 단계, 상기 웨이퍼를 임시 기판으로 이송하는 단계, 남아있는 실리콘 층 표면상에 컬러 필터들을 증착하는 단계, 및 그 구조물을 투명한 영구 기판으로 이송하고 임시 기판을 제거하는 단계를 포함한다.

Description

투명 기판 상의 컬러 이미지 센서 및 그 제조 방법{COLOR IMAGE SENSOR ON TRANSPARENT SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING SAME}
본 발명은 전자 이미지 센서에 관한 것으로, 좀더 자세하게는, 휴대 전화기에 포함될 수 있는 소형 카메라의 제조를 가능하게 하는 치수의 초소형 센서에 관한 것이다.
매우 큰 조밀성 (compactness) 과는 별개로, 이미지 센서는 약한 빛에도 고감도를 가져야 하며, 고성능의 색채계 (colorimetrical) 를 가져야 한다.
또한, 모든 카메라는 가능하면 가장 경제적인 방법으로 제조하여, 그 장치가 터무니없이 고가가 되지 않도록 하는 것이 요구된다.
이러한 결과를 달성하기 위하여, 첫째, 가능하면 이미지 센서와 전자 처리 회로들을 동일한 실리콘 기판상에 제조하는 것이 요구되며, 둘째, 상이한 층들의 증착, 에칭 동작, 열 처리 동작 등을, 다수의 동일한 센서들을 구비하는 실리콘 웨이퍼 상에서 가능한 한 일괄적으로 수행한 후, 웨이퍼를 개별 센서들로 다이싱 (dicing) 하는 것이 요구된다.
그러나, 지금까지 제안된 컬러 이미지 센서 제조 방법들 및 이들 센서의 구조는 이러한 점에서 완전히 만족스럽지 않았다. 그 제조 방법들은 산업적으로 비효율적인데, 즉, 그 제조 방법들은 여전히 너무 고가이며, 그 효율성은 대규모 제조 애플리케이션들에 대하여 너무 낮거나, 그렇지 않으면, 그 이미지 센서의 성능이 충분히 높지 않았다.
본 발명은, 우수한 품질, 특히, 조밀성, 고감도 및 고성능의 색채계를 제공함과 동시에 제조 비용을 최소화하는 제조 방법과 그에 대응하는 이미지 센서를 제안한다.
이러한 목적에 따라, 본 발명은,
- 반도체 웨이퍼의 전면에, 각각의 이미지 센서에 각각 대응하는 이미지 검출 회로들을 구비하는 일련의 액티브 존들 (active zones) 을 형성하는 단계로서, 각각의 액티브 존은 입력/출력 패드들에 의해 둘러싸여 있는, 상기 형성 단계,
- 웨이퍼의 전면을 임시 기판의 전면에 대하여 이송 (transfer) 하는 단계,
- 반도체 웨이퍼 두께의 대부분을 제거하여 반도체 웨이퍼 상에 매우 얇은 반도체 층을 남기는 단계로서, 이 매우 얇은 반도체 층은 이미지 검출 회로들을 포함하는, 상기 매우 얇은 반도체 층을 남기는 단계를 포함하는, 이미지 센서의 제조 방법으로서,
- 첫째, 이와 같이 박형화된 반도체 층 상에 컬러 필터들을 증착시킨 후 에칭하며,
- 둘째, 컬러 필터들을 에칭한 후, 그 컬러 필터들을 갖는 임시 기판의 측면상에 접촉되는 투명한 영구 기판으로 전체 임시 기판 및 웨이퍼를 이송하며,
- 그 후, 임시 기판의 적어도 대부분을 제거하여, 입력/출력 패드들에 쉽게 액세스하게 하고, 그리고,
- 마지막으로, 투명한 영구 기판을 개별 센서들로 다이싱하는 것을 특징으로 한다.
박형화된 층의 반도체 재료는, 바람직하게는, 단결정 (monocrystalline) 재료이며, 특히, 가시광선에서의 애플리케이션용으로는 실리콘이 가장 일반적이다.
임시 기판은 완전히 제거되어, 이후에 센서의 외부 접속부들을 접속시킬 수도 있는 입력/출력 패드들이 노출될 수도 있다. 그러나, 반도체 웨이퍼를 보호하는 얇은 층을 남기고 부분적으로만 제거할 수도 있다. 이 경우에는, 입력/출력 패드들에 액세스하도록 이 매우 얇은 층내에 개구들이 형성되어야 한다.
바람직하게는, 액티브 존은 감광 소자들의 매트릭스 뿐만 아니라 그 매트릭스의 제어 회로들 및 그 액티브 영역의 감광 소자들로부터 나오는 신호를 수신하는 관련 이미지 처리 회로들을 포함한다. 따라서, 매트릭스만이 빛에 노출되도록, 그 매트릭스와 관련된 회로는 알루미늄 층에 의해 빛에 대하여 마스킹되는 것이 바람직하다. 이 알루미늄 층은 투명 기판상에 형성된다.
반도체 웨이퍼를 임시 기판으로 이송하는 것은 접착 (gluing), 표준적인 납땜 (classic soldering), 애노딕 본딩 (anodic bonding) 에 의해 또는 간단한 분자 점착에 의해 (즉, 우수한 평탄도를 갖는 2 개의 표면 사이의 매우 큰 접촉력을 통하여) 수행될 수 있다. 임시 기판으로부터 영구 기판으로의 이송은 본딩에 의해 또는 분자 점착에 의해 수행되는 것이 바람직할 것이다.
영구 기판으로 이송한 후 및 필터들을 증착시키기 전의 반도체 웨이퍼의 박형화 (thinning) 는 래핑 (lapping) 에 의한 박형화, 화학적 박형화, 이들 2 타입의 박형화의 조합 (먼저, 기계적인 박형화를 한 후, 화학적인 마무리를 수행하거나, 그렇지 않으면 화학물질이 존재할 때는 기계적인 머시닝 (machining) 을 수행함) 등의 다수의 상이한 방식으로 수행할 수 있다. 또한, 박형화는 원하는 다이싱 (dicing) 레벨에서 웨이퍼를 예비적 취성 (embrittlement) 에 의해, 특히, 원하는 다이싱 평면에서 깊이 방향 (in-depth) 의 수소 주입에 의해 수행될 수도 있다. 이 경우, 웨이퍼를 영구 기판으로 이송하기 전에, 반도체 웨이퍼 내의 얕은 깊이로 수소 주입이 수행된다. 그 후, 박형화는 기판과 접촉하는 얇은 반도체 층을 남기고, 주입된 다이싱 평면의 레벨에서 그 웨이퍼를 분리하는 열 처리에 의해 수행된다.
웨이퍼의 매우 큰 박형화는 자신의 두께를, 기판으로 이송하기 전에는 수백 마이크로미터로부터 기판으로 이송한 후에는 3 내지 20 마이크로미터로 감소시킨다. 박형화는 색채계의 성능 및 감도를 향상시키므로, 센서의 품질에 있어서 중요한 요소이다. 이미지 검출 회로들을 정의하도록 작용되는 다수의 절연층 및 도전층이 형성되어 있는 측면에 의해 조명되는 비-박형화 센서의 경우, 컬러 필터를 교차한 빛은 상이한 컬러들에 대응하는 감광 도트들 (dots) 상으로 산란되어, 색채계의 성능을 저하시킨다. 또한, 광자들 (photons) 이 비-박형화 센서들의 경우에서보다는 더 넓은 실리콘 영역에 도달하기 때문에, 얇은 센서의 감도가 개선되는데, 이는 광자들이 불투명하고 각각의 감광 도트에 대응하는 표면 영역의 넓은 부분을 점유하는 금속층들에 의해 중지되지 않기 때문이다.
그러나, 박형화 이후, 실리콘은 자신의 강성 (rigidity) 을 상실하고 매우 쉽게 부서지기 때문에, 박형화는 제조상의 문제점을 악화시키며, 더욱이, 이미지 검출 회로들의 외부와의 접속상의 문제점이 발생하는 것을 알 수 있다. 본 발명의 해법은 이러한 어려움을 완화시키며, 이미지 센서를 매우 효율적으로 제조하도록 한다.
영구 센서 (permanent sensor) 에서는, 빛은 투명한 영구 기판을 통하여 수용되며 또 다른 측면에 접속 패드들이 위치하기 때문에, 센서들을 플립-칩 (flip-chip) 기술 (칩은 인쇄 회로 기판에 대하여 접속 패드들과 함께 뒤집힘) 에 의해 탑재시킬 수 있다. 투명 기판 (유리 또는 플라스틱으로 제조됨) 을 통한 빛의 손실은 작다.
영구 기판 및 실리콘 층은 밀접하게 접촉하고 있으므로, 웨이퍼의 액티브 회로 소자들은 잘 보호된다.
예를 들어, 15 내지 20 센티미터를 갖는 기판에 대하여 영구 기판의 두께는 약 500 마이크로미터이고; (15 내지 30 센티미터의 직경을 갖는) 실리콘 웨이퍼의 두께는, 박형화 전에는 500 내지 1000 마이크로미터이며, 박형화 후에는 3 내지 20 마이크로미터이다.
예를 들어, 폴리이미드로 제조되는 평탄화 층은, 임시 기판으로 이송하기 전 및 임시 기판을 영구 기판으로 이송하기 전에, 실리콘 웨이퍼 상에 증착될 수도 있다.
어떤 경우에, 임시 기판은 하나의 제조된 배치 (batch) 로부터 또 다른 배치까지 재사용될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 컬러 필터들의 모자이크, 감광 존들의 매트릭스 어레이가 형성되어 있는 매우 얇은 (수십 마이크로미터의 최대 두께를 갖는) 단결정 반도체 층 (30), 및 투명 기판을 통한 감광 존들의 조명에 의해 생성되는 전기 전하들의 수집을 가능하게 하는 절연층과 도전층의 스택이 상부에 연속적으로 중첩되는 투명 기판을 구비하여, 빛이, 감광 존들의 어레이에 도달하기 전에 도전층들의 시스템과 조우함이 없이, 투명 기판, 컬러 필터들, 감광 반도체 존들, 및 절연층과 도전층의 스택의 순으로 연속적으로 통과한다.
투명 기판은, 바람직하게는, 유리 또는 플라스틱으로 제조되지만, 또한, 세라믹 또는 결정 (crystalline) 재료로 제조될 수도 있다.
이하, 본 발명의 또 다른 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조하여 다음의 상세한 설명으로부터 명백할 것이다.
도 1 은 컬러 필터들을 위치지정하기 전, 웨이퍼 상에 생성되는 이미지 센서의 구조를 도시한 것이다.
도 2 는 실리콘 웨이퍼의 전면을 임시 기판에 대하여 이송하는 동작을 도시한 것이다.
도 3 은 웨이퍼를 박형화한 후의 실리콘 기판을 갖는 임시 기판을 도시한 것이다.
도 4 는 그 위에 컬러 필터들의 모자이크를 증착시킨 박형화된 실리콘 층을 갖는 임시 기판을 도시한 것이다.
도 5 는 임시 기판이 컬러 필터들을 갖는 자신의 전면에 대해 영구 기판으로 이송된 것을 도시한 것이다.
도 6 은 임시 기판의 두께를 완전히 제거한 후의 영구 기판을 도시한 것이다.
도 7 은 콘택들에 대한 액세스 개구들이 형성되며, 임시 기판의 전체가 아닌 대부분을 제거한 또 다른 실시형태를 도시한 것이다.
도 1 은 다수의 이미지 센서들의 이미지 검출 회로들을 제조하는데 전형적인 기술을 이용하는 실리콘 웨이퍼의 일반적인 구조를 도시한 것이다.
실리콘 웨이퍼 (10) 는 150 내지 300 밀리미터의 직경에 대하여 수백 마이크로미터의 두께를 가진다.
이미지 검출 회로들 (감광 도트들, 트랜지스터들 및 배선들의 매트릭스) 은, 도 1 에서의 상부면이며 전면 (front face) 이라고도 칭할 수 있는, 실리콘 웨이퍼의 한 면상에 제조된다. 먼저, 제조는 웨이퍼의 상부면으로부터 실리콘 내로의 다양한 확산 및 주입 동작을 포함하여, 특히, 감광 존 (photosensitive zones; 12) 을 형성하며, 그 후, 그 감광 존 (12) 의 최상부 상에 스택을 형성하는 도전층들 (14) 및 절연층들 (16) 을 증착 및 에칭하는 연속적인 동작을 포함한다. 절연층 및 도전층은 이미지 검출 회로들의 일부를 형성하며, 센서 상에 투영되는 이미지에 의해 감광 존내에 생성되는 전기 전하들의 수집을 가능하게 한다.
대체로 마지막으로 증착되는 층인, 도전층들 (14) 중 하나의 도전층은 감광 도트들의 매트릭스를 구비하는 액티브 존 주위에, 각각의 개별 센서의 입력/출력 패드들 (그 패드들은 도 1 에 도시하지 않음) 을 형성하도록 작용한다.
만약 센서가 전형적인 기술에 의해 제조되면, 컬러 필터들의 모자이크는 웨이퍼 표면 상에 증착된다.
본 발명에 의하면, 이 단계에서 컬러 필터들은 증착되지 않지만, 웨이퍼의 전면은 임시 기판 (20) 에 대하여 이송된다 (도 2). 임시 기판 (20) 은 제조 시에 구조의 강성을 보장하기 위하여, 웨이퍼 (10) 와 동일한 직경 및 동일한 두께를 갖는 웨이퍼이다. 또한, 또 다른 실리콘 웨이퍼로 구성될 수도 있다. 도전층 및 절연층의 스택의 증착 및 에칭 동작에 의해 실리콘 웨이퍼의 전면상에 생성되는 릴리프 피쳐 (relief features) 를 충전하도록 작용하는 평탄화 층을 증착시킨 후에, 이송이 수행될 수 있다. 이 평탄화 층은 투명할 필요는 없다.
도 2 는 액티브 존 (ZA) 및 그 액티브 존 (ZA) 주변의 접속 패드들 (22) 을 구비하는 전체적인 개별 센서를 도시하기 위하여 도 1 보다 더 작은 스케일로 그 구조를 도시한 것이다. 도전층 (14) 과 접촉하거나 도전층 (14) 의 일부를 형성하는 패드들 (22) 은, 바람직하게는, 2 개의 웨이퍼들 (10 및 20) 사이의 인터페이스와 동일 평면에 있으며, 평탄화 층이 증착될 경우에는, 그 평탄화 층이 패드들 (22) 을 덮지 않음을 보장하는 것이 바람직하다. 그러나, 만약 그 패드들이 평탄화 층에 의해 덮여지면, 어떠한 경우에도, 제조 프로세스의 마지막에서는 이들 패드들에 액세스하게 하기 위해 개구들이 형성될 수 있음을 이후에 알 수 있다.
실리콘 웨이퍼를 지지 웨이퍼 (20) 로 이송하는 것은 여러 방법으로 수행할 수 있다. 접촉 시 표면의 매우 큰 평탄도가 매우 높은 접촉력을 발생시키므로, 가장 간단한 방법은 분자 점착에 의해 웨이퍼를 홀딩 (holding) 하는 것과 같이 매우 간단한 것일 수 있다. 또한, 접착 (gluing) 도 가능하다.
실리콘 웨이퍼의 전면을 지지 웨이퍼에 대하여 이송한 후, 층들의 스택 두께를 포함하여 약 8 내지 30 마이크로미터의 두께만 남기기 위하여, 실리콘 웨이퍼 두께의 대부분을 제거한다. 실리콘 웨이퍼의 남겨진 부분은, 감광 영역 (12) 을 포함하여, 층들 (14, 16) 의 스택에 대하여 수 마이크로미터 (예를 들어, 5 내지 10 마이크로미터) 와 남아있는 실리콘 두께에 대하여 약 3 내지 20 마이크로미터의 중첩부 뿐이다. 남아있는 두께는 도 1 의 감광 존 (12) 을 포함한 도 3 의 층 (30) 의 두께이다.
박형화 동작은 화학적 머시닝 (machining) 에 의해 종료되는 기계적 머시닝 (래핑) 에 의해, 또는 기계적/화학적 머시닝에 의해, 또는 화학적 머시닝 단독으로, 또는 박형화된 실리콘 층을 구분할 평면에 부서지기 쉬운 불순물의 예비적인 주입을 요구하는 특별한 분리 방법에 의해서 수행될 수 있다.
불순물의 주입에 의한 이러한 분리의 경우에, 그 주입은 실리콘 웨이퍼를 지지 웨이퍼에 이송하기 전에 수행되어야 한다. 실제로, 그 주입은 실리콘 웨이퍼의 전면에 대해, 웨이퍼 표면의 도처에 다이싱 평면을 정의할 깊이로 수행된다. 바람직하게는, 예비적인 주입은 수소 주입이다. 그것은 웨이퍼 제조상의 다양한 단계에서 수행될 수 있지만, 불순물 주입된 다이싱 평면을 따르는 웨이퍼 두께의 분리는 실리콘 웨이퍼가 지지 웨이퍼에 부착될 때에만 수행될 수 있다.
컬러 필터들을 증착 및 에칭한 후에 표면 결함들을 제거하기 위하여, 박형화된 실리콘 층 (30) 의 상부 표면이 처리 (정밀 래핑, 화학적 세정, 기계적/화학적 연마 (polishing) 등) 되어, 도 2 의 구조인 일반적인 구조를 가진 다중-센서 웨이퍼를 유도할 수도 있다.
그 후, 컬러 필터들의 모자이크 (18) 가 층 (30) 의 표면 상에 증착된다 (도 4). 원할 경우, 컬러 필터들이 증착되기 전에, 하나 이상의 추가적인 층들, 특히, 패시베이션 (passivation) 층들, 반사 방지층들, 및 기타 층들, 예를 들어, 도핑된 실리콘 층들의 전기적인 활성화에 요구되는 층들 (전기적인 편광층들) 이 증착될 수도 있다.
필요할 경우, 평탄화 층 (24) 은 필터들의 모자이크 상에 증착된다. 평탄화 층이 필터를 덮을 경우에는 그 평탄화 층은 투명해야 한다. 그 후, 임시 기판 (20) 의 전면은, 컬러 필터를 갖는 자신의 전면에 대해, 임시 기판 및 초기 실리콘 웨이퍼와 동일한 직경을 갖는 웨이퍼의 형태로, 투명한 영구 기판 (40; 유리 또는 플라스틱으로 제조됨) 에 대하여 이송된다. 영구 기판의 두께는 제조 동안 구조의 강성을 보장할 수 있도록 적어도 수백 마이크로미터이다 (도 5).
임시 기판을 영구 기판으로 이송하는 것은 접착 (투명한 접착제를 이용) 에 의해 또는 분자 점착에 의해 수행된다.
임시 기판 (20) 의 대부분, 또는 심지어는 전체가 기계적 수단 및/또는 화학적 수단에 의해, 또는, 예를 들어, 전술한 수소 주입에 의한 취성에 의해 제거된다. 이 경우, 임시 기판 (20) 을 부분적으로 제거하기 위하여, 지지 웨이퍼 (20) 내로의 수소 주입은 실리콘 웨이퍼를 지지 웨이퍼 (20) 로 맨 처음 이송하기 전에 수행되어야 한다. 이것은, 지지 웨이퍼 (20) 로의 이송과 영구 기판 (40) 으로의 이송 사이에, 수소 주입 평면에서의 파손을 초래하기 쉬운 온도에서는 동작을 수행하지 않음을 의미한다.
도 6 에 도시된 경우에, 임시 기판 (20) 은 접속 패드들 (22) 이 그 구조물 표면과 동일 평면에 있게 될 때까지 완전히 제거된다.
도 7 에 도시된 경우에, 임시 기판 (20) 은 부분적으로만 제거된다. 접속 패드들 (22) 에 액세스하는 영역을 개방하도록 개구들 (70) 을 형성하는데 화학적 부식 또는 다른 수단이 사용되는 작은 두께 (가능할 경우, 많아야 수 마이크로미터임) 가 잔존한다.
도 7 의 경우에서의 접속 패드들은 인쇄 회로 기판과의 "와이어-본딩 (wire-bonding)" 타입의 접속용으로 사용될 수도 있다. 빛이 투명한 영구 기판 (40) 의 측면으로부터 관통해야 하기 때문에, 인쇄 회로 기판은 센서의 감광 액티브 존과 대면하도록 개방되어야 한다.
도 6 의 경우에, 접속 패드들 (22) 은 이미지 센서의 상부 표면의 레벨과 동일 평면에 있다. 그 접속 패드들 (22) 은 "와이어-본딩" 타입 접속용 또는 "플립-칩" 타입 접속용 (칩은 인쇄 회로 기판의 대응하는 패드들에 대하여 접속 패드들과 함께 뒤집혀 위치함) 중 하나로 사용될 수도 있다. 이 경우, 센서는 인쇄 회로 기판의 최상부를 통하여 조명된다.
만약 접속 패드들 (22) 을 개구들 (70) 에 삽입하는 도 7 에 도시된 센서용으로 플립-칩 타입의 조립체를 모두 동일하게 사용하기를 원하면, 다음의 절차, 즉, 추가적인 금속배선 (metallization) 을 증착 및 에칭하는 절차를 이용할 수도 있는데, 이 금속배선은 구조물의 외부 표면 상에 (즉, 개구들 (70) 이 형성되는 임시 기판 (20) 의 남아있는 부분의 상부 표면 상에) 및 개구들 (70) 의 저부 (bottom) 에 존재한다. 그 후, 구조물의 외부 접속 패드들은 개구들 (70) 의 외측에 형성된다.
이러한 상이한 실시형태들에서, 영구 기판 (40) 상에 형성되는 구조물은 접속 패드들에 의해 웨이퍼 상에서 테스팅될 수도 있다. 테스트는 빛, 이미지 패턴 등이 존재할 때에 수행될 수도 있다.
구조물은 이러한 제조 프로세스의 마지막에만 패키징용으로 개별 센서들로 다이싱된다.
컬러 필터들을 갖는 박형화된 실리콘 층에 대하여 밀접하게 접착되는 영구 기판은 그 필터들과 실리콘 모두를 보호한다.

Claims (8)

  1. - 반도체 웨이퍼의 전면 상에, 각각의 이미지 센서에 각각 대응하는 이미지 검출 회로들을 구비하는 일련의 액티브 존들 (ZA) 을 형성하는 단계로서, 상기 각각의 액티브 존은 입력/출력 패드들 (22) 에 의해 둘러싸여 있는, 상기 형성 단계,
    - 상기 반도체 웨이퍼의 전면 상에 평탄화 층을 형성하는 단계,
    - 상기 웨이퍼 (10) 의 전면을 임시 지지 기판 (20) 의 전면에 분자 점착에 의해 부착하는 단계,
    - 상기 반도체 웨이퍼를 박형화하여, 상기 임시 지지 기판 상에 얇은 반도체 층을 남기는 단계로서, 상기 얇은 반도체 층은 상기 이미지 검출 회로를 구비하는, 상기 얇은 반도체 층을 남기는 단계,
    - 이와 같이 박형화된 반도체 층 상에 컬러 필터들 (18) 의 층들을 증착하고 에칭하는 단계,
    - 상기 박형화된 반도체 층 상에 평탄화 층을 증착하는 단계,
    - 상기 임시 지지 기판의 상기 컬러 필터들을 갖는 측면 상에 접촉되는 투명한 영구 기판 (40) 에 상기 임시 지지 기판을 분자 점착에 의해 부착하는 단계,
    - 입력/출력 패드들 (22) 에 쉽게 액세스하게 하기 위해, 상기 임시 지지 기판 (20) 의 두께의 적어도 일 부분을 제거하는 단계, 및
    - 상기 투명한 영구 기판을 개별 센서들로 다이싱하는 단계를 포함하는, 이미지 센서의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 임시 지지 기판은 완전히 제거되어, 상기 입력/출력 패드들 (22) 을 노출시키는, 이미지 센서의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 임시 지지 기판의 두께의 적어도 일 부분을 제거하는 단계는, 상기 반도체 웨이퍼를 보호하는 얇은 층을 남기고, 상기 입력/출력 패드들 (22) 에 액세스하도록 이 얇은 층에 개구들 (70) 이 형성되는, 이미지 센서의 제조 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    박형화 후의 상기 반도체 층 (30) 은 약 3 내지 20 마이크로미터의 두께를 가지는, 이미지 센서의 제조 방법.
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