KR100919781B1 - Manufacturing Method of Porous Substrate for Thin Film - Google Patents

Manufacturing Method of Porous Substrate for Thin Film

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Abstract

본 발명은 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 필름형 박막 형성 산화물이 증착되는 기판의 기공크기를 나노 스케일로 제어할 수 있는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a porous substrate for a film-like thin film, and more particularly, to a method for manufacturing a porous substrate for a film-like thin film capable of controlling the pore size of a substrate on which a film-form thin film-forming oxide is deposited on a nanoscale. It is about.

본 발명의 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법은 필름형 박막을 위한 다공질 기판을 제조함에 있어서, 전극층이 형성된 실리콘 기판을 준비하는 제1단계; 상기 전극층상에 다공질층 형성을 위한 알루미늄층을 형성하는 제2단계; 상기 알루미늄층이 형성된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 1차 양극산화 처리하여 상기 알루미늄층의 일부에 복수의 기공을 갖는 제1다공질층을 형성하는 제3단계; 상기 제1다공질층을 제거하는 제4단계; 및 상기 제1다공질층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 2차 양극산화 처리하여 상기 제1다공질층이 제거되고 남은 상기 알루미늄층에 균일한 복수의 기공을 갖는 제2다공질층을 형성하는 제5단계를 포함한다.The method of manufacturing a porous substrate for a film-like thin film of the present invention comprises the steps of preparing a silicon substrate having an electrode layer in manufacturing a porous substrate for a film-like thin film; A second step of forming an aluminum layer for forming a porous layer on the electrode layer; A third step of forming a first porous layer having a plurality of pores in a part of the aluminum layer by immersing the substrate on which the aluminum layer is formed in an oxalic acid solution and performing first anodization; A fourth step of removing the first porous layer; And dipping the substrate from which the first porous layer has been removed in an oxalic acid solution and performing secondary anodization to form a second porous layer having a plurality of uniform pores in the remaining aluminum layer after the first porous layer is removed. Includes five steps.

Description

필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법{Manufacturing Method of Porous Substrate for Thin Film}Manufacturing Method of Porous Substrate for Film-type Thin Films {Manufacturing Method of Porous Substrate for Thin Film}

본 발명은 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 필름형 박막 형성 산화물이 증착되는 기판의 기공크기를 나노 스케일로 제어할 수 있는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a porous substrate for a film-like thin film, and more particularly, to a method for manufacturing a porous substrate for a film-like thin film capable of controlling the pore size of a substrate on which a film-form thin film-forming oxide is deposited on a nanoscale. It is about.

필름형 박막 형성 산화물인 바나듐 옥사이드의 동소체중 바나듐 다이옥사이드는 그 전이 온도가 상온 근처인 약 68℃이기 때문에 실효성에서 주목을 받고 있으며, 그 박막을 제조하기 위하여 다양한 방법들이 사용되고 있다.Vanadium dioxide in the allotrope of vanadium oxide, a film-form thin film-forming oxide, is attracting attention because of its transition temperature of about 68 ° C near room temperature, and various methods have been used to manufacture the thin film.

일예로, 기존의 바나듐 옥사이드 박막과 같은 필름형 박막은 일반적으로 스퍼터링(sputtering)법에서의 산소제어 또는 공정조건 중 열처리 조건의 제어를 통해 제조된다.For example, a film-like thin film such as a conventional vanadium oxide thin film is generally manufactured through oxygen control in a sputtering method or control of heat treatment conditions during processing conditions.

상기와 같은 방법으로 제조된 필름형 박막인 바나듐 다이옥사이드 박막의 전기적 특성은 그 결정상의 종류에 의해 결정되지만, 일반적으로 같은 결정상 내에서의 전기적 특성은 결정립 사이즈나 표면 상태 등에 의해 결정된다. 이에 결정립 사이즈나 표면 상태가 바나듐 다이옥사이드 박막의 전기적 특성 향상에 중요한 요인으로 작용하게 된다.The electrical properties of the vanadium dioxide thin film, which is a film-like thin film manufactured by the above method, are determined by the type of the crystal phase, but in general, the electrical properties in the same crystal phase are determined by the crystal grain size or the surface state. The grain size or surface state is an important factor in improving the electrical properties of the vanadium dioxide thin film.

그러나, 상기와 같이 스퍼터링법에서의 산소제어나 열처리 조건의 제어 등의 기존 필름형 박막 제조 방법으로는 박막의 결정립을 제어할 수 없으며, 또한 나노 스케일의 결정립을 얻을 수도 없다는 문제점이 있다.However, there is a problem in that the crystal grains of the thin film cannot be controlled by the existing film type thin film manufacturing method such as oxygen control in the sputtering method or control of heat treatment conditions, and nanocrystal grains cannot be obtained.

한편, 필름형 박막인 바나듐 다이옥사이드 박막은 적외선 카메라나 MEMS 공정을 이용한 파장 검출기의 센싱 재료로 사용된다.The vanadium dioxide thin film, which is a film-like thin film, is used as a sensing material of a wavelength detector using an infrared camera or a MEMS process.

본 발명은 필름형 박막의 결정립 크기를 제어하기 위한 다공질 기판의 제조 방법을 제공함에 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a method for producing a porous substrate for controlling the grain size of the film-like thin film.

또한, 본 발명은 필름형 박막의 결정립 크기를 제어하여 필름형 박막의 전기적 특성을 향상시키는 다공질 기판의 제조 방법을 제공함에 다른 목적이 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a porous substrate to control the grain size of the film-like thin film to improve the electrical properties of the film-like thin film.

또한, 본 발명은 필름형 박막의 결정립 크기를 수 내지 수십 나노 스케일로 제어할 수 있는 다공질 기판의 제조 방법을 제공함에 또 다른 목적이 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a porous substrate capable of controlling the grain size of the film-like thin film to several to several tens of nanoscales.

또한, 본 발명은 균일한 결정립을 가지는 필름형 박막을 형성하기 위한 다공질 기판의 제조 방법을 제공함에 또 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a porous substrate for forming a film-like thin film having uniform grains.

본 발명의 상기 목적은 필름형 박막을 위한 다공질 기판을 제조함에 있어서, 전극층이 형성된 실리콘 기판을 준비하는 제1단계; 상기 전극층상에 다공질층 형성을 위한 알루미늄층을 형성하는 제2단계; 상기 알루미늄층이 형성된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 1차 양극산화 처리하여 상기 알루미늄층의 일부에 복수의 기공을 갖는 제1다공질층을 형성하는 제3단계; 상기 제1다공질층을 제거하는 제4단계; 및 상기 제1다공질층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 2차 양극산화 처리하여 상기 제1다공질층이 제거되고 남은 상기 알루미늄층에 균일한 복수의 기공을 갖는 제2다공질층을 형성하는 제5단계를 포함하는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법에 의해 달성된다.The object of the present invention is to prepare a porous substrate for a film-like thin film, the first step of preparing a silicon substrate having an electrode layer; A second step of forming an aluminum layer for forming a porous layer on the electrode layer; A third step of forming a first porous layer having a plurality of pores in a part of the aluminum layer by immersing the substrate on which the aluminum layer is formed in an oxalic acid solution and performing first anodization; A fourth step of removing the first porous layer; And dipping the substrate from which the first porous layer has been removed in an oxalic acid solution and performing secondary anodization to form a second porous layer having a plurality of uniform pores in the remaining aluminum layer after the first porous layer is removed. It is achieved by a method for producing a porous substrate for a film-like thin film comprising five steps.

본 발명의 다른 목적은 필름형 박막을 위한 다공질 기판을 제조함에 있어서, 전극층이 형성된 실리콘 기판을 준비하는 제1단계; 상기 전극층상에 다공질층 형성을 위한 알루미늄층을 형성하는 제2단계; 상기 알루미늄층이 형성된 기판을 열처리하는 제3단계; 상기 열처리에 의해 생성된 산화알루미늄층을 제거하는 제4단계; 상기 산화알루미늄층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 1차 양극산화 처리하여 상기 알루미늄층의 일부에 복수의 기공을 갖는 제1다공질층을 형성하는 제5단계; 상기 제1다공질층을 제거하는 제6단계; 및 상기 제1다공질층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 2차 양극산화 처리하여 상기 제1다공질층이 제거되고 남은 상기 알루미늄층에 균일한 복수의 기공을 갖는 제2다공질층을 형성하는 제7단계를 포함하는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법에 의해 달성된다.Another object of the present invention is to prepare a porous substrate for a film-like thin film, the first step of preparing a silicon substrate having an electrode layer; A second step of forming an aluminum layer for forming a porous layer on the electrode layer; A third step of heat-treating the substrate on which the aluminum layer is formed; A fourth step of removing the aluminum oxide layer generated by the heat treatment; A fifth step of forming a first porous layer having a plurality of pores in a part of the aluminum layer by immersing the substrate from which the aluminum oxide layer has been removed in an oxalic acid solution and subjecting it to primary anodization; A sixth step of removing the first porous layer; And dipping the substrate from which the first porous layer has been removed in an oxalic acid solution and performing secondary anodization to form a second porous layer having a plurality of uniform pores in the remaining aluminum layer after the first porous layer is removed. It is achieved by a method for producing a porous substrate for a film-like thin film comprising seven steps.

본 발명은 다공질 기판의 기공 사이즈를 조절함으로써 필름형 박막의 결정립 크기를 제어할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of controlling the grain size of the film-like thin film by adjusting the pore size of the porous substrate.

또한, 본 발명은 다공질 기판의 기공 사이즈 조절을 통해 필름형 박막의 결정립 크기를 제어함으로써 필름형 박막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of improving the electrical properties of the film-like thin film by controlling the grain size of the film-like thin film by adjusting the pore size of the porous substrate.

또한, 본 발명은 양극산화 공정을 통해 다공질 기판을 제조함으로써 필름형 박막의 결정립 크기를 수 내지 수십 나노 스케일로 제어할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of controlling the grain size of the film-like thin film by several to several tens of nanoscales by manufacturing a porous substrate through anodization process.

또한, 본 발명은 복수의 양극산화 공정을 통해 다공질 기판을 제조함으로써 필름형 박막의 결정립을 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of making the crystal grains of the film-like thin film uniform by producing a porous substrate through a plurality of anodization process.

도 1 내지 도 10은 본 발명에 따른 다공질 기판 제조 방법의 일실시예를 나타내는 도면,1 to 10 is a view showing an embodiment of a porous substrate manufacturing method according to the present invention,

도 11은 본 발명에 따른 다공질 기판의 FESEM 분석 사진,11 is a FESEM analysis photograph of a porous substrate according to the present invention,

도 12는 본 발명에 따른 바나듐 다이옥사이드 박막의 표면 사진,12 is a surface photograph of a vanadium dioxide thin film according to the present invention,

도 13은 도 12의 나노 스케일 사진이다.FIG. 13 is a nanoscale photograph of FIG. 12.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: 실리콘 기판 110: 절연층100: silicon substrate 110: insulating layer

200: 전극층 300, 301, 302: 알루미늄층200: electrode layer 300, 301, 302: aluminum layer

310: 산화알루미늄층 321: 제1다공질층310: aluminum oxide layer 321: first porous layer

322: 제2다공질층322: second porous layer

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.The terms or words used in this specification and claims are not to be construed as being limited to their ordinary or dictionary meanings, and the inventors may appropriately define the concept of terms in order to best describe their invention. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention based on the principle that the present invention.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only one of the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 10은 본 발명에 따른 다공질 기판 제조 방법의 일실시예를 나타내는 도면이다.1 to 10 is a view showing an embodiment of a porous substrate manufacturing method according to the present invention.

도 1 내지 도 10을 참조하면, 필름형 박막의 형성을 위한 다공질층은 실리콘 기판(100)상에 형성한다. 즉, 실리콘 기판(100)은 낮은 응력의 실리콘 질화층으로서, 이 위에 다공질층을 위한 비정질의 알루미늄층을 형성한다.1 to 10, a porous layer for forming a film type thin film is formed on the silicon substrate 100. That is, the silicon substrate 100 is a low stress silicon nitride layer, on which an amorphous aluminum layer is formed for the porous layer.

이어, 실리콘 기판(100)상에 열산화 공정을 통해 절연층(110)을 형성하고, 절연층(110) 상부에 전극으로 사용하기 위한 전극층(200)을 형성한다. 전극층(200)의 재질은 일예로 Ti 또는 Ta일 수 있으며, 그 두께는 5㎚ 내지 40㎚일 수 있다. 이와 같은 전극층(200)의 두께는 다공질층을 형성할 알루미늄층의 두께에 따라 달라질 수 있으며, 추후 2차 양극산화 처리시 전극층이 산화될 수 있는 정도의 두께여야 함이 바람직하다.Subsequently, an insulating layer 110 is formed on the silicon substrate 100 through a thermal oxidation process, and an electrode layer 200 for use as an electrode is formed on the insulating layer 110. The material of the electrode layer 200 may be, for example, Ti or Ta, and the thickness thereof may be 5 nm to 40 nm. The thickness of the electrode layer 200 may vary depending on the thickness of the aluminum layer to form the porous layer, and the thickness of the electrode layer 200 may be oxidized at a second anodization treatment.

이렇게 전극층(200)이 형성된 기판상에 필름형 박막을 위한 다공질층을 형성한다.Thus, a porous layer for the film-like thin film is formed on the substrate on which the electrode layer 200 is formed.

다공질층 형성을 위해 먼저, 전극층(200)상에 알루미늄층(300)을 형성한다. 알루미늄층(300)은 형성될 기공들의 깊이나 크기 등을 감안하여 일예로 500㎚ 내지 1㎛ 두께로 형성할 수 있다.In order to form the porous layer, first, an aluminum layer 300 is formed on the electrode layer 200. The aluminum layer 300 may be formed to have a thickness of, for example, 500 nm to 1 μm in consideration of depth or size of pores to be formed.

한편, 알루미늄층(200)을 형성한 후, 전극층(200)의 금속이 추후 형성될 필름형 박막의 특성에 영향을 주지 않도록 하기 위해 오믹 콘텍트(ohmic contact) 처리를 한다. 이를 위해 알루미늄층(300)이 형성된 기판을 비활성 가스 또는 N2 가스 분위기에서 400℃로 열처리한다. 이러한 열처리는 다공질층을 형성할 알루미늄층의 충진 밀도를 높여 다공질층 형성에 도움을 주기 위함이다.Meanwhile, after the aluminum layer 200 is formed, an ohmic contact treatment is performed to prevent the metal of the electrode layer 200 from affecting the characteristics of the film-form thin film to be formed later. To this end, the substrate on which the aluminum layer 300 is formed is heat-treated at 400 ° C. in an inert gas or N 2 gas atmosphere. This heat treatment is intended to help form the porous layer by increasing the packing density of the aluminum layer to form the porous layer.

이후, 상기 열처리로 인해 알루미늄층(300)상에 생성된 산화알루미늄층(310)을 제거한다. 즉, 산화알루미늄층(310)이 형성된 기판을 약 90℃의 제거용액에 수 분 동안 침지시켜 산화알루미늄층(310)을 제거한다. 상기 제거용액은 일예로 3.5 vol%의 인산(H3PO4) 용액과 약 45g/l의 산화크롬(CrO3) 용액의 혼합용액일 수 있다.Thereafter, the aluminum oxide layer 310 generated on the aluminum layer 300 due to the heat treatment is removed. That is, the aluminum oxide layer 310 is removed by immersing the substrate on which the aluminum oxide layer 310 is formed in a removal solution at about 90 ° C. for several minutes. For example, the removal solution may be a mixed solution of 3.5 vol% phosphoric acid (H 3 PO 4 ) solution and about 45 g / l chromium oxide (CrO 3 ) solution.

이와 같이, 다공질층 형성을 위한 고밀도의 알루미늄층(301)이 마련되었고, 다음으로 양극산화 처리를 통해 다공질층을 형성한다.In this way, a high density aluminum layer 301 for forming the porous layer is provided, and then a porous layer is formed through anodization.

다공질층 형성을 위한 양극산화 처리는 복수 번 처리함이 바람직하다. 한 번의 양극산화 처리로는 균일한 사이즈의 기공이 형성되지 않을 수 있기 때문이다.The anodization treatment for forming the porous layer is preferably carried out a plurality of times. This is because pores of uniform size may not be formed by one anodization.

먼저, 알루미늄층(301)이 형성된 기판을 1차 양극산화 처리한다. 즉, 알루미늄층(301)이 형성된 기판을 4 wt%의 옥살산(H2C2O4) 용액에 침지시키고, 40V의 정전압을 공급하여 약 3시간 동안 양극산화 처리한다. 이로써 알루미늄층(301)의 상부 일부분에 다수의 기공을 갖는 제1다공질층(321)이 생성된다. 이렇게 생성된 제1다공질층(321)의 기공들은 다소 비균일할 수 있다.First, the substrate on which the aluminum layer 301 is formed is subjected to primary anodization. That is, the substrate on which the aluminum layer 301 is formed is immersed in a 4 wt% oxalic acid (H 2 C 2 O 4 ) solution, and supplied with a constant voltage of 40 V for anodizing for about 3 hours. As a result, a first porous layer 321 having a plurality of pores in an upper portion of the aluminum layer 301 is generated. The pores of the first porous layer 321 generated in this way may be somewhat non-uniform.

다소 비균일한 기공들을 더욱 균일하게 형성하기 위해 먼저, 형성된 제1다공질층(321)을 제거한다. 이를 위해 제1다공질층(321)이 형성된 기판을 약 90℃의 제거용액에 수 분 동안 침지시켜 제1다공질층(321)을 제거한다. 상기 제거용액은 일예로 3.5 vol%의 인산(H3PO4) 용액과 약 45g/l의 산화크롬(CrO3) 용액의 혼합용액일 수 있다.In order to form more non-uniform pores more uniformly, first, the formed first porous layer 321 is removed. To this end, the substrate on which the first porous layer 321 is formed is immersed in a removal solution at about 90 ° C. for several minutes to remove the first porous layer 321. For example, the removal solution may be a mixed solution of 3.5 vol% phosphoric acid (H 3 PO 4 ) solution and about 45 g / l chromium oxide (CrO 3 ) solution.

이어, 제1다공질층(321)이 제거되고 남은 알루미늄층의 나머지 부분(302)을 포함하는 기판을 2차 양극산화 처리한다. 1차 양극산화 처리와 같이, 기판을 4 wt%의 옥살산(H2C2O4) 용액에 침지시키고, 40V의 정전압을 공급하여 약 3시간 동안 양극산화 처리한다. 이로써 알루미늄층의 나머지 부분(302)에 다수의 기공을 갖는 제2다공질층(322)이 생성된다. 이렇게 생성된 제2다공질층(322)의 기공들은 제1다공질층(321)의 기공들에 비해 더욱 균일하게 형성된다.Subsequently, the substrate including the remaining portion 302 of the aluminum layer remaining after the first porous layer 321 is removed is subjected to secondary anodization. Like primary anodization, the substrate is immersed in 4 wt% oxalic acid (H 2 C 2 O 4 ) solution and subjected to anodization for about 3 hours with a constant voltage of 40V. This creates a second porous layer 322 having a plurality of pores in the remaining portion 302 of the aluminum layer. The pores of the second porous layer 322 generated as described above are more uniformly formed than the pores of the first porous layer 321.

한편, 생성된 제2다공질층(322)의 기공 사이즈는 제2다공질층(322)이 형성된 이후에도 조절이 가능하다. 일예로, 제2다공질층(322)이 형성된 기판을 5%의 인산(H3PO4) 용액에 침지시켜 기공 사이즈를 조절할 수 있다. 이때, 제2다공질층(322)이 형성된 기판을 0 내지 45분간 5%의 인산(H3PO4)용액에 침지시킬 경우, 기공의 사이즈를 30㎚ 내지 100㎚로 조절할 수 있다.Meanwhile, the pore size of the generated second porous layer 322 can be adjusted even after the second porous layer 322 is formed. For example, the pore size may be adjusted by immersing the substrate on which the second porous layer 322 is formed in a 5% phosphoric acid (H 3 PO 4 ) solution. In this case, when the substrate on which the second porous layer 322 is formed is immersed in 5% phosphoric acid (H 3 PO 4 ) solution for 0 to 45 minutes, the pore size may be adjusted to 30 nm to 100 nm.

이렇게 필름형 박막 형성 산화물의 결정 성장을 위한 씨드로서 형성된 제2다공질층을 포함하는 기판을 이용하여 필름형 박막을 제조한다.Thus, the film-form thin film is manufactured using the board | substrate containing the 2nd porous layer formed as a seed for crystal growth of a film-form thin film formation oxide.

필름형 박막 형성 산화물의 대상 재료로는 V, Cr, Pt, W, Ir, Pd, Ni 등이 있을 수 있으며, 일예로, 필름형 박막 중 하나인 바나듐 다이옥사이드 박막은 박막 형성 산화물의 재료로 바나듐이 사용된 것으로서 본 발명의 다공질 기판을 통해 형성될 수 있다.The target material of the film-form thin film-forming oxide may be V, Cr, Pt, W, Ir, Pd, Ni, and the like. For example, vanadium dioxide thin film, which is one of the film-shaped thin films, is a material of the thin film-forming oxide. As used may be formed through the porous substrate of the present invention.

도 11은 본 발명에 따른 다공질 기판의 FESEM 분석 사진이다. 도 11을 참조하면, 본 발명의 다공질 기판의 제조 방법을 통해 형성된 기공의 형태가 나노 스케일로서 균일하게 형성되었음을 알 수 있다.11 is a FESEM analysis photograph of a porous substrate according to the present invention. Referring to FIG. 11, it can be seen that the form of pores formed through the method of manufacturing a porous substrate of the present invention is uniformly formed as a nanoscale.

도 12는 본 발명에 따른 바나듐 다이옥사이드 박막의 표면 사진이며, 도 13은 도 12의 나노 스케일 사진이다. 도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 다공질 기판을 통해 형성된 바나듐 다이옥사이드 박막의 결정립이 균일함을 알 수 있다.12 is a surface photograph of a vanadium dioxide thin film according to the present invention, Figure 13 is a nano-scale photograph of FIG. 12 and 13, it can be seen that the crystal grains of the vanadium dioxide thin film formed through the porous substrate of the present invention are uniform.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various modifications and variations are possible without departing from the spirit of the present invention and equivalents of the claims to be described below.

Claims (6)

필름형 박막을 위한 다공질 기판을 제조함에 있어서,In manufacturing a porous substrate for a film-like thin film, 전극층이 형성된 실리콘 기판을 준비하는 제1단계;Preparing a silicon substrate on which an electrode layer is formed; 상기 전극층상에 다공질층 형성을 위한 알루미늄층을 형성하는 제2단계;A second step of forming an aluminum layer for forming a porous layer on the electrode layer; 상기 알루미늄층이 형성된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 1차 양극산화 처리하여 상기 알루미늄층의 일부에 복수의 기공을 갖는 제1다공질층을 형성하는 제3단계;A third step of forming a first porous layer having a plurality of pores in a part of the aluminum layer by immersing the substrate on which the aluminum layer is formed in an oxalic acid solution and performing first anodization; 상기 제1다공질층을 제거하는 제4단계; 및A fourth step of removing the first porous layer; And 상기 제1다공질층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 2차 양극산화 처리하여 상기 제1다공질층이 제거되고 남은 상기 알루미늄층에 균일한 복수의 기공을 갖는 제2다공질층을 형성하는 제5단계A fifth immersed substrate in which the first porous layer is removed in an oxalic acid solution and subjected to secondary anodization to form a second porous layer having a plurality of uniform pores in the remaining aluminum layer after the first porous layer is removed. step 를 포함하는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법.Method for producing a porous substrate for a film type thin film comprising a. 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2다공질층이 형성된 기판을 인산용액에 침지시켜 상기 제2다공질층의 기공 사이즈를 조절하는 단계Adjusting the pore size of the second porous layer by immersing the substrate on which the second porous layer is formed in a phosphoric acid solution; 를 더 포함하는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법.Method for producing a porous substrate for a film type thin film further comprising. 필름형 박막을 위한 다공질 기판을 제조함에 있어서,In manufacturing a porous substrate for a film-like thin film, 전극층이 형성된 실리콘 기판을 준비하는 제1단계;Preparing a silicon substrate on which an electrode layer is formed; 상기 전극층상에 다공질층 형성을 위한 알루미늄층을 형성하는 제2단계;A second step of forming an aluminum layer for forming a porous layer on the electrode layer; 상기 알루미늄층이 형성된 기판을 열처리하는 제3단계;A third step of heat-treating the substrate on which the aluminum layer is formed; 상기 열처리에 의해 생성된 산화알루미늄층을 제거하는 제4단계;A fourth step of removing the aluminum oxide layer generated by the heat treatment; 상기 산화알루미늄층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 1차 양극산화 처리하여 상기 알루미늄층의 일부에 복수의 기공을 갖는 제1다공질층을 형성하는 제5단계;A fifth step of forming a first porous layer having a plurality of pores in a part of the aluminum layer by immersing the substrate from which the aluminum oxide layer has been removed in an oxalic acid solution and subjecting it to primary anodization; 상기 제1다공질층을 제거하는 제6단계; 및A sixth step of removing the first porous layer; And 상기 제1다공질층이 제거된 기판을 옥살산 용액에 침지시키고 2차 양극산화 처리하여 상기 제1다공질층이 제거되고 남은 상기 알루미늄층에 균일한 복수의 기공을 갖는 제2다공질층을 형성하는 제7단계A seventh process of immersing the substrate from which the first porous layer is removed in an oxalic acid solution and subjecting it to secondary anodization to form a second porous layer having a plurality of uniform pores in the aluminum layer remaining after the first porous layer is removed. step 를 포함하는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법.Method for producing a porous substrate for a film type thin film comprising a. 삭제delete 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제2다공질층이 형성된 기판을 인산용액에 침지시켜 상기 제2다공질층의 기공 사이즈를 조절하는 단계Adjusting the pore size of the second porous layer by immersing the substrate on which the second porous layer is formed in a phosphoric acid solution; 를 더 포함하는 필름형 박막을 위한 다공질 기판의 제조 방법.Method for producing a porous substrate for a film type thin film further comprising.
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