KR101067381B1 - Side deposition method of metal catalyst for horizontal growth of nanowires and method of manufacturing horizontally grown nanowires using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법 및 이를 이용하여 수평 성장된 나노선의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 기판 위에 적층된 서로 다른 종류의 박막을 선택적으로 식각하여 나노선 성장을 위한 촉매를 박막의 패턴층 측면에 선택적으로 증착할 수 있게 함으로써 수평방향으로 나노선을 성장시킬 수 있어 수평 성장된 나노선을 보다 효율적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 성장억제층을 별도로 사용하지 않더라도 수평방향으로 성장된 나노선을 제조할 수 있어 수평소자의 제작에 필요한 나노선을 보다 효율적으로 제조할 수 있고, 이를 다이오드 등 다양한 소자에 응용이 가능하다.The present invention relates to a side deposition method of a metal catalyst for horizontal growth of nanowires and a method of manufacturing a nanowire grown horizontally using the same, and more particularly, by selectively etching different kinds of thin films stacked on a substrate. By allowing the selective deposition of a catalyst for growth on the side of the pattern layer of the thin film, the nanowires can be grown in a horizontal direction, and thus a method for more efficiently manufacturing horizontally grown nanowires. According to the present invention, it is possible to manufacture nanowires grown in the horizontal direction even without using a growth inhibitory layer, so that nanowires necessary for the production of horizontal devices can be manufactured more efficiently, which can be applied to various devices such as diodes. It is possible.
Description
본 발명은 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법 및 이를 이용하여 수평 성장된 나노선의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 기판 위에 적층된 서로 다른 종류의 박막을 선택적으로 식각하여 나노선 성장을 위한 촉매를 박막의 패턴층 측면에 선택적으로 증착할 수 있게 함으로써 수평방향으로 나노선을 성장시킬 수 있어 수평 성장된 나노선을 보다 효율적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a side deposition method of a metal catalyst for horizontal growth of nanowires and a method of manufacturing a nanowire grown horizontally using the same, and more particularly, by selectively etching different kinds of thin films stacked on a substrate. By allowing the selective deposition of a catalyst for growth on the side of the pattern layer of the thin film, the nanowires can be grown in a horizontal direction, and thus a method for more efficiently manufacturing horizontally grown nanowires.
최근 고집적 반도체 기술의 하나의 해결책으로서 나노물질을 직접 소자에 이용하는 나노테크놀로지에 대한 연구가 활발하다. 그 중에서도 1차원 물질로서 나노 크기의 직경을 갖고 있으며, 수 마이크로에서 수 밀리미터의 길이를 갖게 되는 각종 나노선들이 각광을 받고 있다. 나노선은 부피에 비해 표면적이 매우 커서 표면에서 일어나는 반응들에 대한 감도가 매우 크며, 나노 크기의 직경으로 인하여 현재의 하향식 반도체 제작 기술의 한계인 수십 나노미터를 넘어 궁극적인 나노소자 제작을 가능하게 하며, 전자 소자로서의 특성 또한 매우 우수하다.Recently, as a solution of highly integrated semiconductor technology, researches on nanotechnology using nanomaterials directly in devices are active. Among them, various nanowires having a nano size diameter as a one-dimensional material and a length of several micro to several millimeters are in the spotlight. Nanowires have a very large surface area compared to their volume, which makes them extremely sensitive to reactions occurring on the surface.The nano-size diameter enables the ultimate nanodevice fabrication beyond the tens of nanometers, which is the limitation of current top-down semiconductor fabrication technology. In addition, the characteristics as an electronic device are also very good.
나노선을 제작하는 방법으로는 전구체가 들어있는 용액 속에서 합성시키는 졸-겔(sol-gel) 방법과 촉매를 기반으로 핫 퍼니스(hot furnace) 내에 피드 가스(feed gas)를 공급하거나 원료 금속을 기화시켜서 성장하는 CVD 방법이 있다. 일반적으로 CVD 로 성장된 나노선이 졸-겔 방법으로 만든 동일 나노선에 비해 구조적으로나 전기적 특성면으로 볼 때 우수하다고 알려져 있으며, 나노선 직경 및 길이 와 결정도 등을 제어하기가 수월한 장점이 있다.The nanowire fabrication method uses a sol-gel method synthesized in a solution containing a precursor and a feed gas in a hot furnace or a raw metal based on a catalyst. There is a CVD method that grows by vaporization. Generally, CVD-grown nanowires are known to be superior in terms of their structural and electrical properties compared to the same nanowires made by the sol-gel method, and have the advantage of easy control of nanowire diameter, length, and crystallinity. .
상기 CVD를 이용한 나노선 성장 방법에는 나노선의 성장 시점이 되며, VLS(Vapor-Liquid-Solid) 반응이 일어날 수 있게 도와주는 금속 촉매가 필요하며, 가스나 금속 형태로 제공되는 원료(source)를 받아 촉매 내에서 반응 및 확산(reaction & diffusion)을 통해 나노선을 성장 하게 된다. 해당 촉매는 주로 전이 금속을 사용하며, 금 촉매가 대표적으로 쓰인다.The nanowire growth method using the CVD is a point of growth of the nanowires, and a metal catalyst is required to help the VLS (Vapor-Liquid-Solid) reaction to occur, and receives a source provided in the form of gas or metal Nanowires are grown through reaction and diffusion in the catalyst. The catalyst mainly uses a transition metal, and a gold catalyst is typically used.
금 촉매의 크기는 나노선 성장 시 나노선의 직경과 결정도에 큰 영향을 미치는 변수로 알려져 있으며, 촉매의 크기와 나노선의 직경과는 어느 정도 비례관계를 갖고 있다. The size of the gold catalyst is known to have a significant effect on the diameter and crystallinity of the nanowires during nanowire growth.
나노선을 소자에 이용하기 위해서는 성장된 나노선을 옮기거나 원하는 곳에 패터닝하는 공정이 요구된다. 현재 대부분의 나노선 소자는 성장된 나노선을 적절한 용매에 분산시킨 후 원하는 기판에 뿌리고 말리는 과정을 통해 무작위로 대면적에 패터닝을 하거나 개개의 나노선을 일일이 찾아 개별로 소자를 제작하는 방법을 주로 사용하고 있으며, 실제 상용 소자를 제작하기 위해서는 대면적에 원하는 곳에만 나노선을 성장하거나 패터닝하는 기술이 요구된다. 또한 나노선을 성장시 미리 패터닝된 촉매를 이용하여 나노선을 패터닝하는 기술이 알려져 있으나 촉매를 기준으로 기판에 대해 일반적으로 수직으로 성장하는 특성으로 인하여 성장된 나노선이 패터닝이 되어 있더라도 소자로 구현하기에는 많은 어려움이 따르고 있다. 이는 일반적인 소자 구조가 공정의 한계로 인하여 수평방향으로 있으며, 수직방향으로의 소자 제작은 쉽지 않기 때문이다. 따라서 CVD로 바로 성장된 나노선을 소자에 이용하는 것은 어려움이 있다. In order to use the nanowires in a device, a process of transferring or patterning the grown nanowires is required. Currently, most nanowire devices mainly use a method of randomly patterning large areas or fabricating devices individually by finding individual nanowires by dispersing the grown nanowires in a suitable solvent, and then spraying and drying them on a desired substrate. In order to manufacture an actual commercial device, a technique for growing or patterning nanowires only where desired for a large area is required. Also, a technique for patterning nanowires by using a patterned catalyst during growth of nanowires is known, but due to the characteristics of growing vertically with respect to the substrate based on the catalyst, the nanowires are realized even if the grown nanowires are patterned. There are many difficulties to follow. This is because the general device structure is in the horizontal direction due to the limitation of the process, and it is not easy to manufacture the device in the vertical direction. Therefore, it is difficult to use nanowires grown directly by CVD in the device.
이와 관련하여 선행특허인 한국등록특허 제593835호에는 촉매의 패터닝을 통한 ZnO 나노선의 수평방향 성장방법이 개시되어 있으나, 수평방향으로 성장시키기 위하여 성장억제층을 사용할 수밖에 없는 단점이 있다.
In this regard, Korean Patent No. 593835, which is a prior patent, discloses a horizontal growth method of ZnO nanowires through patterning of a catalyst. However, there is a disadvantage in that a growth inhibitory layer must be used to grow in a horizontal direction.
이에 본 발명자들은 보다 간단하고 효율적인 방법으로 수평방향으로 성장된 나노선을 제조하는 방법을 개발하고자 예의 노력한 결과, 서로 다른 종류의 박막이 적층된 기판을 선택적으로 식각하는 방법을 적용함으로써 성장억제층을 사용하지 않고도 수평방향으로 성장된 나노선을 제조할 수 있음을 알아내고 본 발명을 완성하기에 이르렀다. Accordingly, the present inventors have made efforts to develop a method for manufacturing nanowires grown in a horizontal direction in a simpler and more efficient manner. As a result, the present inventors have applied a method of selectively etching a substrate on which different types of thin films are stacked. It has been found that the nanowires grown in the horizontal direction can be produced without using them, and thus the present invention has been completed.
결국 본 발명의 목적은 기판 위에 적층된 서로 다른 종류의 박막을 선택적으로 식각하여 나노선 성장을 위한 금속촉매를 박막의 패턴층 측면에 선택적으로 증착할 수 있는 방법을 제공하는데 있다. After all, an object of the present invention is to provide a method of selectively etching different types of thin films stacked on a substrate to selectively deposit a metal catalyst for nanowire growth on the side of the pattern layer of the thin film.
본 발명의 다른 목적은 상기 패턴층 측면에 선택적으로 금속촉매를 증착하는 방법을 이용하여 수평방향으로 성장된 나노선을 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a nanowire grown in the horizontal direction by using a method of selectively depositing a metal catalyst on the side of the pattern layer.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 서로 다른 종류의 식각가능한 제1박막 및 제2박막이 순차적으로 적층된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 제2박막 상면에 포토레지스트 패턴층을 형성하는 단계; 상기 제2박막을 선택적으로 식각하여 상기 기판에 형성된 포토레지스트 패턴에 따라 제2박막 패턴층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴층 및 제2박막 패턴층의 측면에 금속 촉매를 증착시키는 단계; 상기 금속 촉매가 패턴층의 측면에 증착된 기판의 제1박막을 선택적으로 식각하여 상기 패턴층에 따라 제1박막 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트, 제2박막 및 제1박막으로 이루어지는 패턴층으로부터 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 패턴상에 남아있는 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법이 제공된다. In order to achieve the above object, the present invention includes the steps of preparing a substrate in which different types of etchable first and second thin films are sequentially stacked; Forming a photoresist pattern layer on an upper surface of the second thin film of the substrate; Selectively etching the second thin film to form a second thin film pattern layer according to the photoresist pattern formed on the substrate; Depositing a metal catalyst on side surfaces of the photoresist pattern layer and the second thin film pattern layer; Selectively etching the first thin film of the substrate deposited on the side of the pattern layer by the metal catalyst to form a first thin film pattern layer according to the pattern layer; And selectively removing the photoresist from the pattern layer formed of the photoresist, the second thin film, and the first thin film to remove the photoresist remaining on the pattern. This is provided.
본 발명에 따른 금속촉매의 측면 증착방법의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 패턴층은 포토레지스트 조성물을 제2박막의 상부에 도포한 포토레지스트층 위에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 덮어준 후 자외선을 조사하고 현상함으로써 형성할 수 있다. According to a preferred embodiment of the method for depositing the side surface of the metal catalyst according to the present invention, the photoresist pattern layer covers a mask having a predetermined pattern on the photoresist layer coated with the photoresist composition on the second thin film. It can form by irradiating and developing an ultraviolet-ray.
본 발명에 따른 금속촉매의 측면 증착방법의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 패턴층 및 제2박막 패턴층의 측면에 금속 촉매를 증착시키는 단계는 상기 기판을 기울여 포토레지스트 및 제2박막으로 이루어지는 패턴층의 측면이 상부를 향하도록 한 상태에서 금속 증착기에 넣고 금속촉매를 증착시킴으로써 수행될 수 있다. According to a preferred embodiment of the method for depositing the side surface of the metal catalyst according to the present invention, the step of depositing a metal catalyst on the side of the photoresist pattern layer and the second thin film pattern layer is inclined to the substrate to the photoresist and the second thin film It can be carried out by placing a metal catalyst in a state in which the side of the pattern layer is made to face upwards and deposits a metal catalyst.
본 발명에서 사용되기 위한 상기 기판에서 최상부의 제2박막의 두께와 제1박막의 두께에 있어서 특별한 제한은 없으며, 통상의 박막의 제조기술로 형성될 수 있으며 각각의 선택적 식각과정을 방해하지 않는 정도의 두께이면 족하다.There is no particular limitation on the thickness of the second thin film and the thickness of the first thin film at the top of the substrate for use in the present invention, and may be formed by a conventional thin film manufacturing technique and may not interfere with each selective etching process. If the thickness is enough.
본 발명에 따른 금속촉매의 측면 증착방법의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 서로 다른 종류의 제거가능한 제1박막 및 제2박막이 순차적으로 적층된 기판은 실리콘-실리콘 옥사이드-실리콘 기판일 수 있다.According to a preferred embodiment of the method for depositing the side surface of the metal catalyst according to the present invention, the substrate in which the different types of removable first thin film and the second thin film are sequentially stacked may be a silicon-silicon oxide-silicon substrate.
본 발명에 따른 금속촉매의 측면 증착방법의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 기판의 실리콘으로 이루어진 제2박막의 선택적 식각은 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching)법으로 수행할 수 있다. According to a preferred embodiment of the method for depositing the side surface of the metal catalyst according to the present invention, the selective etching of the second thin film made of silicon of the substrate may be performed by reactive ion etching.
본 발명에 따른 금속촉매의 측면 증착방법의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 기판의 실리콘 옥사이드로 이루어진 제1박막의 선택적 식각은 HF 용액을 이용하여 수행할 수 있고, 상기 HF 용액의 바람직한 농도범위는 10~80% 이다. According to a preferred embodiment of the method for depositing the side surface of the metal catalyst according to the present invention, the selective etching of the first thin film made of silicon oxide of the substrate can be performed using HF solution, the preferred concentration range of the HF solution is 10 to 80 percent.
본 발명에 따른 금속촉매의 측면 증착방법의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 포토레지스트의 제거는 아세톤을 이용할 수 있다. According to a preferred embodiment of the method for depositing the side surface of the metal catalyst according to the present invention, the removal of the photoresist may use acetone.
본 발명의 다른 측면에 따르면 상기 설명된 방법에 따라 패턴층의 측면에 금속촉매가 증착된 기판을 제조하는 단계; 및 상기 패턴층의 측면에 증착된 금속촉매로부터 나노선을 성장시키는 단계를 포함하는 수평성장된 나노선의 제조방법이 제공된다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of preparing a substrate including: preparing a substrate on which a metal catalyst is deposited on a side of a pattern layer according to the method described above; And growing a nanowire from the metal catalyst deposited on the side of the pattern layer.
본 발명에 따른 수평성장된 나노선의 제조방법의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 성장되는 나노선은 SnO2로 이루어질 수 있다. According to a preferred embodiment of the method for producing a horizontally grown nanowires according to the present invention, the grown nanowires may be made of SnO 2 .
본 발명에 따른 수평성장된 나노선의 제조방법의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 나노선의 성장은 CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 이용할 수 있다. According to a preferred embodiment of the method for producing a horizontally grown nanowires according to the present invention, the growth of the nanowires may use CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
본 발명의 또다른 측면에 따르면 상기 방법에 따라 제조된 수평성장된 나노선을 포함하는 기판을 구비하는 전자 소자가 제공될 수 있다.
According to another aspect of the present invention, an electronic device having a substrate including horizontally grown nanowires manufactured according to the above method may be provided.
본 발명에 따르면, 성장억제층을 별도로 사용하지 않더라도 수평방향으로 성장된 나노선을 제조할 수 있어 수평소자의 제작에 필요한 나노선을 보다 효율적으로 제조할 수 있고, 이를 다이오드 등 다양한 소자에 응용이 가능하다.
According to the present invention, it is possible to manufacture nanowires grown in the horizontal direction even without using a growth inhibitory layer, so that nanowires necessary for the production of horizontal devices can be manufactured more efficiently, which can be applied to various devices such as diodes. It is possible.
도 1은 제2박막(120)-제1박막(110)이 적층된 기판(100)을 준비하고 포토레지스트 패턴층(130)을 형성하는 과정을 도시한 개략도이다.
도 2는 반응성 이온 식각법을 이용하여 제2박막(120)을 선택적으로 식각하여 포토레지스트 패턴층에 따라 제2박막 패턴층을 형성하는 과정을 도시한 개략도이다.
도 3은 포토레지스트 및 제2박막의 패턴층이 형성된 기판을 기울여 패턴층의 측면이 상부를 향하게 하고 금속증착기 내에서 금속촉매인 금이 상부로부터 하부의 방향으로 증착되도록 하여 패턴층의 측면에 증착되도록 하는 과정을 도시한 개략도이다.
도 4는 포토레지스트 및 제2박막의 패턴층 측면에 금이 증착된 기판을 HF 용액을 이용하여 선택적으로 식각하여 제1박막을 제거하는 과정을 도시한 개략도이다.
도 5는 아세톤을 이용하여 최상부의 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 패턴층에 남아 있는 포토레지스트를 제거하는 단계를 도시한 개략도이다.
도 6은 포토레지스트가 제거되어 제2박막 패턴층의 측면에만 금이 증착된 상태의 기판으로부터 나노선을 성장시켜 수평방향으로 성장된 나노선이 제조되는 과정을 도시한 개략도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 5에 따라 성장된 나노선을 촬영한 SEM (Scanning Electron Microscope) 이미지이다.
도 8은 본 발명의 실시예 5에 따라 성장된 나노선을 대각선 위에서 촬영한 SEM 이미지이다. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a process of preparing a
2 is a schematic diagram illustrating a process of selectively etching the second
3 is tilted the substrate on which the pattern layer of the photoresist and the second thin film is formed so that the side of the pattern layer faces upward and the metal catalyst gold is deposited from the top to the bottom in the metal vapor deposition machine. It is a schematic diagram showing the process of making it possible.
4 is a schematic diagram illustrating a process of removing a first thin film by selectively etching a substrate on which gold is deposited on the side of the pattern layer of the photoresist and the second thin film by using an HF solution.
5 is a schematic diagram illustrating a step of selectively removing the top photoresist using acetone to remove the photoresist remaining in the pattern layer.
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a process of manufacturing a nanowire grown in a horizontal direction by growing a nanowire from a substrate in which gold is deposited only on a side surface of the second thin film pattern layer by removing a photoresist.
7 is a SEM (Scanning Electron Microscope) image of the nanowires grown according to Example 5 of the present invention.
8 is an SEM image of a nanowire grown according to Example 5 of the present invention taken from a diagonal line.
이하에서는 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings to be described in detail with respect to the present invention.
본 발명에 따른 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법은 도 1 내지 도 5에 도시되어 있다.Side deposition method of the metal catalyst for nanowire horizontal growth according to the present invention is shown in Figures 1 to 5.
먼저 서로 다른 종류의 식각가능한 제1박막(110) 및 제2박막(120)이 순차적으로 적층된 기판을 준비한다(도 1의 좌측 도면). 상기 제1박막(110) 및 제2박막(120)은 서로 다른 종류의 박막으로서 서로 다른 방법에 의해 식각가능하여 각각이 선택적으로 식각될 수 있는 박막이면 어떠한 박막을 사용하더라도 무방하다. First, a substrate in which different types of etchable first
본 발명의 일 실시예에서는 제1박막 및 제2박막이 적층된 기판으로서 시판되고 있는 실리콘(기판)-실리콘 옥사이드(제1박막)-실리콘(제2박막)으로 이루어진 SOI(Silicone On Insulator) 기판을 사용하였다. 시중에서 구입이 가능하기 때문에 다른 종류의 식각가능한 제1박막 및 제2박막이 순차적으로 적층된 기판을 보다 쉽게 준비할 수 있는 장점이 있다.In an embodiment of the present invention, a silicon on insulator (SOI) substrate made of silicon (substrate) -silicon oxide (first thin film) -silicon (second thin film), which is commercially available as a substrate in which a first thin film and a second thin film are laminated. Was used. Since it is commercially available, there is an advantage that it is easier to prepare a substrate in which different types of etchable first and second thin films are sequentially stacked.
본 발명에서 사용되기 위한 상기 기판에서 최상부의 제2박막의 두께와 제1박막의 두께에 있어서 특별한 제한은 없으며, 통상의 박막의 제조기술로 형성될 수 있으며 각각의 선택적 식각과정을 방해하지 않는 정도의 두께이면 족하다.There is no particular limitation on the thickness of the second thin film and the thickness of the first thin film at the top of the substrate for use in the present invention, and may be formed by a conventional thin film manufacturing technique and may not interfere with each selective etching process. If the thickness is enough.
상기 준비된 기판의 제2박막(120) 상면에 포토레지스트 패턴층(130)을 형성한다. 이러한 과정은 도 1에 개략적으로 도시되어 있다. 먼저 포토레지스트 조성물을 제2박막(120)의 상부에 도포하여 포토레지스트층을 만들고, 그 위에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 덮어준 후 자외선을 조사하고 현상(develop)하는 과정을 거쳐 마스크의 패턴에 대응되는 포토레지스트 패턴층(130)을 형성한다. A
포토레지스트 패턴을 만들기 위하여 사용하는 포토레지스트 조성물은 통상적인 방법으로 사용될 수 있고, 제거가 용이한 포토레지스트라면 어떠한 것을 사용하여도 무방하나 본 발명의 일 실시예에서는 AZ5214(제조사:AZ electronic materials)를 사용하였다. 사용가능한 포토레지스트의 또 다른 예로는 AZ1500 series, AZ3300 series, AZ 5214를 포함하는 AZ5200 series (제조사: AZ electronic materials) 등이 있다. The photoresist composition used to make the photoresist pattern may be used in a conventional manner, and any photoresist that can be easily removed may be used. However, in one embodiment of the present invention, AZ5214 (manufacturer: AZ electronic materials) may be used. Used. Another example of photoresist that can be used is AZ1500 series, AZ3300 series, AZ5200 series including AZ 5214 (manufacturer: AZ electronic materials).
또한 상기 포토레지스트를 현상하기 위하여 사용한 디벨로퍼(developer)는 AZ500(제조사: AZ electronic materials)이었으나, 사용된 포토레지스트를 현상할 수 있는 디벨로퍼라면 어느 것을 사용하여도 무방하다. In addition, although the developer used to develop the photoresist was AZ500 (manufacturer: AZ electronic materials), any developer that can develop the used photoresist may be used.
다음으로 도 2에 도시된 바와 같이 제2박막(120)을 선택적으로 식각하여 상기 기판(100)에 형성된 포토레지스트 패턴층과 동일한 패턴이 제2박막에 형성되도록 한다. 이러한 과정을 통해 포토레지스트(130) 및 제2박막(120)으로 이루어진 패턴층이 만들어 진다. Next, as shown in FIG. 2, the second
제2박막(120)의 선택적 식각을 위해 제1박막(110)과는 반응하지 않으나 제2박막에만 작용할 수 있는 식각법을 선택한다. For the selective etching of the second
본 발명의 일 실시예에서 사용한 SOI(Silicone On Insulator) 기판에서는 제2박막이 실리콘이고, 이를 선택적으로 식각하기 위하여 반응성 이온 식각법(Reactive Ion Etching)을 이용할 수 있다. 반응성 이온 식각 장비로 SF6 가스를 이용하면 제2박막인 실리콘이 선택적으로 식각되어 제2박막 패턴층(120)이 형성될 수 있다. In a silicon on insulator (SOI) substrate used in an embodiment of the present invention, the second thin film is silicon, and reactive ion etching may be used to selectively etch it. When the SF 6 gas is used as the reactive ion etching equipment, the second thin film silicon may be selectively etched to form the second thin
또 다른 식각방법의 예로는, 추가로 금 박막을 올려서 그 위에 포토레지스트를 다시 올리고 금을 포토레지스트처럼 패터닝해서 강염기 용액으로 제2박막을 식각할 수도 있다. As another example of the etching method, the second thin film may be etched by using a strong base solution by additionally placing a thin film of gold on top of the photoresist and patterning the gold as a photoresist.
다음으로 상기 포토레지스트 패턴층 및 제2박막 패턴층의 측면에 금속 촉매를 증착시킨다. 패턴층의 측면에 금속촉매를 증착시키기 위하여 도 3에 도시된 바와 같이 기판을 기울여 포토레지스트(130) 및 제2박막(120)으로 이루어진 패턴층의 측면이 상부를 향하도록 한 후 금속 증착기에 넣고 금속촉매를 증착한다. 금속증착기에 넣으면 상부로부터 하부방향으로 금속촉매가 증착되면서 상기 패턴층의 측면에 집중적으로 증착된다.Next, a metal catalyst is deposited on the side surfaces of the photoresist pattern layer and the second thin film pattern layer. In order to deposit the metal catalyst on the side of the pattern layer, the substrate is tilted as shown in FIG. 3 so that the side of the pattern layer composed of the
상기와 같이 패턴층의 측면이 상부를 향하도록 하기 위하여 기판을 기울이는 각도는 85~90°가 적정한 수준으로 이 범위 내의 각도로 기울일 때 패턴층의 측면에 금속촉매가 집중적으로 도포될 수 있다. As described above, the angle of tilting the substrate so that the side of the pattern layer faces upward may be intensively applied to the side surface of the pattern layer when the angle is inclined at an angle within the range of 85 to 90 °.
본 발명에서 사용가능한 금속촉매는 나노선의 성장을 촉진하기 위한 촉매로서 작용이 가능하면 어떠한 것을 사용해도 무방하다. 즉, 증기 상태로 날아오는 재료물질(source)을 금속 표면에서 활발히 반응시켜 나노선의 성장에 필요한 성분을 아래로 확산(diffusion)시킴으로써 금속 촉매 아래로 나노선을 성장시킬 수 있는 것이면 어떠한 것을 사용해도 무방하다. 이러한 반응을 잘 수행하는 금속들이 사용될 수 있는데, 보통 전이금속이 사용될 수 있으며, 그 예로는 니켈, 철, 금, 은 등이 있다. 본 발명의 일실시예에서는 금을 금속촉매로서 사용하였다.The metal catalyst usable in the present invention may be used as long as it can act as a catalyst for promoting the growth of nanowires. That is, any material can be used as long as the nanowire can be grown under the metal catalyst by actively reacting the material material flying in the vapor state on the metal surface to diffuse the components necessary for the growth of the nanowire down. Do. Metals that perform this reaction well can be used, usually transition metals can be used, such as nickel, iron, gold, silver, and the like. In one embodiment of the present invention, gold was used as the metal catalyst.
상기 금속촉매는 5~10 nm로 도포되도록 증착하는 것이 적정하다. 상기 범위는 일반적인 나노선 성장을 위한 두께이며, 더 두껍게 증착되는 경우에는 나노선이 아닌 판형이나 막대형의 물질이 성장될 수 있어 바람직하지 않으며, 상기 범위보다 얇게 증착되는 경우에는 촉매효과가 충분히 일어나지 않아 바람직하지 않다.The metal catalyst is appropriately deposited so as to be applied at 5 ~ 10 nm. The above range is a thickness for general nanowire growth, and when deposited thicker, it is not preferable that non-nanowire or plate-shaped materials can be grown, and when deposited thinner than the above range, the catalytic effect does not occur sufficiently. Not desirable.
상기와 같이 패턴층의 측면에 금속촉매가 집중적으로 증착되었다 하더라도 무작위적으로 증착되는 것이기 때문에 금속촉매가 기판의 모든 면에 남아 있는 상태이다. 즉, 도 3에서 패턴층의 측면에 도포된 금속촉매(140)로 도시된 면 뿐 아니라 포토레지스트 패턴층(130)이나 제1박막(110)의 상면에도 금속촉매가 일부 증착되어 있는 상태이다. As described above, even though the metal catalyst is concentrated on the side surface of the pattern layer, since the metal catalyst is randomly deposited, the metal catalyst remains on all sides of the substrate. That is, the metal catalyst is partially deposited on the top surface of the
따라서 나노선을 성장시키고자 하는 면(제2박막)에만 금속촉매가 선택적으로 증착된 상태로 두기 위하여 금속촉매가 일부 증착되어 있는 제1박막(110)층 및 포토레지스트(130)층을 제거한다. Therefore, in order to leave the metal catalyst selectively deposited only on the surface (second thin film) on which the nanowires are to be grown, the first
도 4에는 상기 금속 촉매가 패턴층의 측면에 증착된 기판으로부터 제1박막(110)을 선택적으로 식각하는 과정이 개략적으로 도시되어 있다. 제1박막만을 선택적으로 식각하여 상기 포토레지스트 및 제2박막으로 이루어진 패턴층과 동일한 패턴층이 제1박막에도 형성될 수 있다. 4 schematically illustrates a process of selectively etching the first
제1박막의 선택적 식각을 위하여 제2박막과는 반응하지 않으나 제1박막에만 작용하는 방법을 이용하여 외부로 노출된 부분의 제1박막을 제거한다. In order to selectively etch the first thin film, the first thin film of the externally exposed portion is removed by using a method that does not react with the second thin film but acts only on the first thin film.
본 발명의 일 실시예에서 사용되는 SOI 기판의 제1박막은 실리콘 옥사이드 층이므로 실리콘 옥사이드에만 작용할 수 있는 HF 용액에 기판을 넣고 노출된 부분에 존재하는 실리콘 옥사이드가 선택적으로 제거되도록 하면 도 4에 나타난 바와 같이 포토레지스트, 제2박막 및 제1박막(110)으로 이루어진 패턴층이 만들어진다. 이 때 사용되는 HF 용액은 50%의 농도범위의 용액을 사용하는 것이 바람직한데, 10% 미만의 농도를 사용하면 식각 시간이 수 시간 정도로 너무 길어지게 되고 균일하게 식각이 되지 않아 얼룩이 생기게 되어 바람직하지 않고, 80%를 초과하는 농도로 사용하면 식각 속도를 제어하기가 힘들고 증발이 너무 잘되는 문제가 있기 때문에 바람직하지 않다.Since the first thin film of the SOI substrate used in the embodiment of the present invention is a silicon oxide layer, the substrate is placed in an HF solution that can act only on silicon oxide, and the silicon oxide present in the exposed portion is selectively removed. As described above, a pattern layer including a photoresist, a second thin film, and a first
다음으로 제2박막의 상부에 존재하는 포토레지스트층을 제거한다. 이 과정은 도 5에 도시되어 있다. 포토레지스트, 제2박막 및 제1박막으로 이루어지는 패턴층으로부터 포토레지스트 패턴층(130)을 선택적으로 제거함으로써 패턴상에 남아있는 포토레지스트를 제거하는 과정을 거쳐 나노선을 성장시키고자 하는 제2박막의 측면에만 금속촉매가 증착된 상태가 될 수 있도록 한다. Next, the photoresist layer existing on the second thin film is removed. This process is shown in FIG. A second thin film to grow nanowires by selectively removing the
본 발명의 일실시예에서는 포토레지스트를 제거하기 위하여 아세톤을 사용한다. 물로 중탕 가열한 아세톤에 기판을 넣고 가열하면 포토레지스트가 선택적으로 제거된다. 이때 가열 온도는 대략 70℃에서 1시간 정도 가열하면 적정하다. In one embodiment of the present invention, acetone is used to remove the photoresist. The photoresist is selectively removed by placing the substrate in acetone heated with water and heating. At this time, heating temperature is suitable when it heats at about 70 degreeC for about 1 hour.
본 발명에서는 포토레지스트를 제거하기 위하여 아세톤을 사용하였으나 사용된 포토레지스트를 제거할 수 있는 용매라면 어떠한 것을 사용하여도 무방하며, AZ 100(제조사: AZ electronic materials) 와 같은 스트리퍼(stripper)도 사용이 가능하다.In the present invention, acetone was used to remove the photoresist, but any solvent may be used as long as the solvent can remove the used photoresist. Strippers such as AZ 100 (manufacturer: AZ electronic materials) can also be used.
상기와 같은 과정을 거치면 나노선을 성장시키고자 하는 제2박막의 측면에만 선택적으로 금속촉매가 증착된 기판이 제조된다.
Through the above process, a substrate on which a metal catalyst is selectively deposited is manufactured on only a side surface of the second thin film to grow nanowires.
본 발명에서는 상기와 같은 방법으로 제조된 제2박막의 측면에만 선택적으로 금속촉매가 증착된 기판으로부터 나노선을 성장시켜 수평으로 성장된 나노선을 제조하는 방법이 제공될 수 있다. In the present invention, a method of manufacturing a nanowire grown horizontally may be provided by growing a nanowire from a substrate on which a metal catalyst is selectively deposited only on a side surface of the second thin film manufactured by the above method.
도 6에는 포토레지스트가 제거되어 제2박막 패턴층의 측면에만 금이 증착된 상태의 기판으로부터 나노선을 성장시켜 수평방향으로 성장된 나노선(150)이 제조되는 과정이 개략적으로 도시되어 있다. FIG. 6 schematically illustrates a process of manufacturing the
본 발명의 일실시예에 따르면 상기 나노선은 SnO2로 이루어지는 것으로 제조할 수 있고, SnO2 나노선을 성장시키기 위하여 CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 이용할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the nanowires may be made of SnO 2 , and chemical vapor deposition (CVD) may be used to grow SnO 2 nanowires.
CVD를 이용하여 SnO2 나노선을 제조하기 위하여 패턴층의 측면에 금속촉매가 증착된 기판을 퍼니스(furnace)에 알루미나 보트에 담긴 Sn 금속 원료와 함께 넣고 산소를 주입하면서 가열하면 SnO2 나노선이 성장된다. 이때 상기와 같은 과정을 거쳐 성장된 나노선은 기판 위의 박막 패턴층 측면에만 증착된 금속촉매로부터 성장되기 때문에 기판의 수평방향으로만 성장된다.
When placed with the Sn metal raw material filled in an alumina boat to a deposition substrate metal catalyst on the side of the pattern layer in the furnace (furnace) heating the introduction of oxygen to using CVD to produce the SnO 2 or SnO 2 routes Nanowires grow. At this time, the nanowires grown through the above process are grown only in the horizontal direction of the substrate because they are grown from the metal catalyst deposited only on the side of the thin film pattern layer on the substrate.
이하에서는 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 다만, 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지는 않는다 할 것이다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, these Examples are only for illustrating the present invention, and the scope of the present invention will not be construed as being limited by these Examples.
실시예Example 1: One: 포토레지스트Photoresist 패턴이 형성된 기판 제조 및 제2박막 Patterned substrate manufacturing and second thin film 식각Etching
실리콘-실리콘옥사이드-실리콘으로 이루어지는 SOI (Silione On Insulator, 제조사: Soitec.)기판으로서, 각각 최상면의 실리콘이 700nm, 가운데 실리콘 옥사이드가 1000nm인 기판과 최상면의 실리콘이 1250nm, 가운데 실리콘 옥사이드가 400nm인 기판으로 두 개의 기판을 준비하고 그 위에 포토레지스트로서 AZ5214(제조사:AZ electronic materials)를 도포하고, 마이크론 크기의 사각형 형태의 패턴을 갖고 있는 마스크를 기판위에 덮고 자외선을 조사한 후 AZ500(제조사: AZ electronic materials)로 현상하여 동일 형태의 포토레지스트 패턴을 만들었다. 이후 반응성 이온 식각 (Reactive Ion Etching, RIE) 장비로 SF6 가스를 이용하여 SOI 기판의 상면에 위치한 실리콘(제2박막)을 식각하여 패턴층을 형성하였다. 반응성 이온 식각시의 조건은 flow rate 20sccm, RF power는 100W이었고, 처리 시간은 3분(최상면의 실리콘이 700nm, 가운데 실리콘 옥사이드가 1000nm인 기판)과 5분(최상면의 실리콘이 1250nm, 가운데 실리콘 옥사이드가 400nm인)으로 하였다.
Silicon On Insulator (SOIc) substrate made of silicon-silicon oxide-silicon, each having 700 nm of top silicon, 1000 nm of middle silicon oxide, and 1250 nm of top silicon, 400 nm of silicon oxide Prepare two substrates with AZ5214 (manufacturer: AZ electronic materials) as a photoresist on it, cover the substrate with a micron-sized square pattern on the substrate and irradiate UV rays, and then AZ500 (manufacturer: AZ electronic materials). ) To form a photoresist pattern of the same type. Afterwards, a pattern layer was formed by etching silicon (second thin film) on the top surface of the SOI substrate using SF 6 gas using a reactive ion etching (RIE) device. Conditions for reactive ion etching were flow rate 20 sccm, RF power was 100W, and the processing time was 3 minutes (substrate with 700 nm top silicon and 1000 nm middle silicon substrate) and 5 minutes (1250 nm top silicon with center silicon oxide). Is 400 nm).
실시예Example 2: 2: 패턴층에On the pattern layer 금 증착 Gold deposition
실시예 1에서 패턴층이 형성된 기판을 90°가량 기울인 상태로 전자 빔 금속 증착기에 넣고 금속촉매로서 금을 5 nm 증착하여 패턴층의 측면에 금이 증착되도록 하였다.
In Example 1, the substrate on which the pattern layer was formed was inclined about 90 ° in an electron beam metal evaporator, and 5 nm of gold was deposited as a metal catalyst to deposit gold on the side of the pattern layer.
실시예Example 3: 제1박막의 3: first thin film 식각Etching
금이 패턴층의 측면에 증착된 기판을 50% HF 용액에 약 10분간 넣고 SOI 기판에서 노출된 실리콘 옥사이드 부분(제1박막)을 제거하였다.
The substrate deposited on the side of the gold pattern layer was placed in a 50% HF solution for about 10 minutes to remove the exposed silicon oxide portion (first thin film) from the SOI substrate.
실시예Example 4: 4: 포토레지스트Photoresist 제거 remove
실시예 3의 기판을 아세톤 200㎖가 들어있는 500 ㎖ 비커를 물 500 ㎖ 가 들어있는 1000 ㎖ 수조에 넣고 핫플레이트를 이용하여 물이 들어 있는 비커를 70℃로 1시간동안 가열하여 남은 포토레지스트 패턴을 제거하였다.
The substrate of Example 3 was placed in a 500 ml beaker containing 200 ml of acetone in a 1000 ml water bath containing 500 ml of water, and the beaker containing water was heated at 70 ° C. for 1 hour using a hot plate. Was removed.
실시예Example 5: 5: 나노선Nanowire 성장 growth
실시예 1 내지 4로부터 실리콘 박막의 패턴층 측면에만 금 촉매가 증착된 기판을 퍼니스(furnace)에 알루미나 보트에 담긴 99%이상의 Sn 파우더 소스와 함께 넣고 산소를 0.5 sccm으로 넣어주며 750 ℃로 20분간 가열하여 SnO2 나노선을 성장시켰다.
From Examples 1 to 4, the substrate on which the gold catalyst was deposited only on the pattern layer side of the silicon thin film was put together with more than 99% of Sn powder source in an alumina boat in a furnace, and oxygen was added at 0.5 sccm and 20 minutes at 750 ° C. The SnO 2 nanowires were grown by heating.
도 7에는 실시예 5에서 성장된 나노선을 촬영한 SEM (Scanning Electron Microscope) 이미지가 도시되어 있고, 도 8에는 상기 과정으로 성장된 나노선을 대각선 위에서 촬영한 SEM 이미지가 도시되어 있다.7 shows a scanning electron microscope (SEM) image of the nanowires grown in Example 5, and FIG. 8 shows an SEM image of the nanowires grown by the above process on a diagonal line.
도 7 및 도 8을 통해 확인할 수 있는 바와 같이 본 발명의 일실시예 따라 성장된 나노선은 기판의 수평방향으로 성장되어 있었다.
As can be seen through FIGS. 7 and 8, the nanowires grown according to the embodiment of the present invention were grown in the horizontal direction of the substrate.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항 들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to specific embodiments thereof, those skilled in the art will appreciate that such specific embodiments are merely preferred embodiments and that the scope of the present invention is not limited thereby. something to do. Thus, the substantial scope of the present invention will be defined by the appended claims and their equivalents.
100 : 기판
110 : 제1박막
120 : 제2박막
130 : 포토레지스트
140 : 금속촉매
150 : 나노선100: substrate
110: first thin film
120: second thin film
130: photoresist
140: metal catalyst
150: nanowire
Claims (13)
상기 기판의 제2박막 상면에 포토레지스트 패턴층을 형성하는 단계;
상기 제2박막을 선택적으로 식각하여 상기 기판에 형성된 포토레지스트 패턴에 따라 제2박막 패턴층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴층 및 제2박막 패턴층의 측면에 금속 촉매를 증착시키는 단계;
상기 금속 촉매가 패턴층의 측면에 증착된 기판의 제1박막을 선택적으로 식각하여 상기 패턴층에 따라 제1박막 패턴층을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트, 제2박막 및 제1박막으로 이루어지는 패턴층으로부터 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 패턴상에 남아있는 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법.
Preparing a substrate in which different types of etchable first thin films and second thin films are sequentially stacked;
Forming a photoresist pattern layer on an upper surface of the second thin film of the substrate;
Selectively etching the second thin film to form a second thin film pattern layer according to the photoresist pattern formed on the substrate;
Depositing a metal catalyst on side surfaces of the photoresist pattern layer and the second thin film pattern layer;
Selectively etching the first thin film of the substrate deposited on the side of the pattern layer by the metal catalyst to form a first thin film pattern layer according to the pattern layer; And
Selectively removing the photoresist from the pattern layer formed of the photoresist, the second thin film, and the first thin film to remove the photoresist remaining on the pattern.
상기 기판을 기울여 포토레지스트 및 제2박막으로 이루어지는 패턴층의 측면이 상부를 향하도록 한 상태에서 금속 증착기에 넣고 금속촉매를 증착시키는 것을 특징으로 하는 나노선 수평 성장을 위한 금속촉매의 측면 증착방법.
The method of claim 1, wherein depositing a metal catalyst on side surfaces of the photoresist pattern layer and the second thin film pattern layer comprises:
And depositing a metal catalyst in a metal deposition device while tilting the substrate so that a side surface of the pattern layer including the photoresist and the second thin film faces upwards, and depositing a metal catalyst.
4. The method of claim 3, wherein the inclination angle of the substrate is in a range of 85 ° to 90 °. 5.
The method of claim 1, wherein the substrate on which the different types of removable first and second thin films are sequentially stacked is a silicon-silicon oxide-silicon substrate. .
The method of claim 5, wherein the selective etching of the second thin film made of silicon of the substrate is performed by reactive ion etching. 7.
The method of claim 5, wherein the selective etching of the first thin film made of silicon oxide of the substrate is performed using an HF solution.
8. The method of claim 7, wherein the concentration of the HF solution is 10 to 80%.
The method of claim 1, wherein the photoresist is removed using acetone.
상기 패턴층의 측면에 증착된 금속촉매로부터 나노선을 성장시키는 단계를 포함하는 수평성장된 나노선의 제조방법.
A method of manufacturing a substrate having a metal catalyst deposited on a side surface of a pattern layer by a method according to any one of claims 1 to 9; And
Growing the nanowires from the metal catalyst deposited on the side of the pattern layer.
The method of claim 10, wherein the grown nanowires are made of SnO 2 .
The method of claim 10, wherein the nanowires are grown using chemical vapor deposition (CVD).
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101626706B1 (en) * | 2015-01-05 | 2016-06-01 | 경북대학교 산학협력단 | Method of manufacturing tin oxide nano-wire and tin oxide nano-wire |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020037409A (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-21 | 오길록 | Electronic devices having horizontal carbon nanotubes and method for forming the same |
| KR20020043952A (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-12 | 오길록 | Field emission devices using carbon nanotubes and method thereof |
| KR100593835B1 (en) | 2004-12-29 | 2006-06-28 | 학교법인고려중앙학원 | The lateral growth method of zno nanowires through the patterning of catalyst |
| KR20090022086A (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-04 | 삼성전자주식회사 | Horizontal nanowire growth method at selective location, nanowire prepared therefrom and nano device comprising the same |
-
2010
- 2010-02-22 KR KR1020100015799A patent/KR101067381B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020037409A (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-21 | 오길록 | Electronic devices having horizontal carbon nanotubes and method for forming the same |
| KR20020043952A (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-12 | 오길록 | Field emission devices using carbon nanotubes and method thereof |
| KR100593835B1 (en) | 2004-12-29 | 2006-06-28 | 학교법인고려중앙학원 | The lateral growth method of zno nanowires through the patterning of catalyst |
| KR20090022086A (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-04 | 삼성전자주식회사 | Horizontal nanowire growth method at selective location, nanowire prepared therefrom and nano device comprising the same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101626706B1 (en) * | 2015-01-05 | 2016-06-01 | 경북대학교 산학협력단 | Method of manufacturing tin oxide nano-wire and tin oxide nano-wire |
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