KR100919004B1 - 수소검출센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본원 발명은 수소를 검출하는 수소검출센서에 관한 것으로서, 수소 검출을 위한 촉매의 표면적의 증가 및 반응속도와 감도의 향상을 위하여 판구조 또는 침상구조의 촉매를 구비하여 저농도 뿐아니라 고농도에서의 수소의 농도를 검출할 수 있도록 하는 수소검출센서 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 하는 것으로서,
상술한 본원발명의 수소검출센서는 기판과; 상기 기판의 상부면에 증착 형성되는 산화막과; 상기 산화막의 상부에서 형성되는 적어도 하나 이상의 코일 형태의 히터와; 상기 히터를 포함하여 상기 산화막의 상부에 증착형성되는 절연층과; 상기 절연층의 상부에서 스퍼터링(SPUTTERING)에 의해 형성되는 촉매물질 층인 제 1 반응부와; 상기 제 1 반응부 상에서 포토레지스터(PR: Photo Register)를 매개로 하여 전기 도금 또는 증착에 의해 적어도 하나 이상의 판상 또는 침상 구조 중 어느 하나로 형성되는 촉매물질 층인 제 2 반응부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
수소검출센서, 백금족 금속, 판상구조, 침상구조, 방열판구조의 촉매층

Description

수소검출센서 및 그 제조방법{HYDROGEN SENSOR AND MANYUFACTURING METHOD THEREOF}
본원 발명은 수소를 검출하는 수소검출센서에 관한 것으로서, 수소 검출을 위한 촉매의 표면적의 증가 및 반응속도와 감도의 향상을 위하여 판구조 또는 침상구조의 촉매를 구비하여 저농도 뿐아니라 고농도에서의 수소의 농도를 검출할 수 있도록 하는 수소검출센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재 환경오염과 화석에너지 고갈에 대한 우려로 저공해 대체에너지에 대한 관심이 높아지면서, 수소 에너지에 대한 기대가 커지고 있다. 수소 연료의 이용 특히, 수소 연료 자동차의 상용화가 수 년내로 이루어질 것으로 예상되고 있으며, 분산발전 동력 등의 분야에 우선적으로 소비 확대가 이루어질 전망이다.
상술한 바와 같이 그 이용 분야가 확대되는 수소는 수소의 자연발화 및 폭발성을 보았을 때, 생산, 운반에서 제반의 안전조치는 필수적이며, 이를 안전하게 사용하기 위해서는 수소농도 측정 및 누출을 감지할 수 있는 수소센서의 중요성 및 개발 필요성 또한 요구되고 있다.
이러한 요구사항을 반영하여 제작된 종래 기술의 접촉 연소식 수소검출센서는 히터를 구비하여 외부 환경 변화에 안정하며, 수소에 대한 선택성이 높은 백금족 촉매를 사용함으로써, 선택성 및 안정성에 효과가 있는 것으로 확인되고 있다.
그러나 상술한 종래기술의 접촉 연소식 수소검출센서는 수소 가스를 검출하는 촉매의 크기 및 형태는 일반적으로 아래에 있는 히터나 센서 칩(Chip)의 크기에 제한 될 수밖에 없으며, 이로 인해 고농도의 가스에서 촉매의 표면적이 작아, 수소와의 반응이 포화에 이르게 되어 검출 범위에 한계를 가지게 되며, 반응 감도 또한 작은 문제점을 가진다. 이러한 문제점은 수소검출센서를 소형화 했을 경우에 더욱 심각하게 발생하게 된다.
즉, 현재 출시되고 있는 종래기술의 수소검출센서는 대기 중에서 산소 농도와 습도에 영향을 받으며, 수소농도를 전 범위에서 빠른 시간 내에 검출하지 못하는 것이 사실이며, 또한 상용화된 수소센서의 경우에는 크기가 크고, 가격이 비싸며, 불편하기 때문에 수소에너지의 여러 분야에 널리 이용되지 못하고 있다.
이러한 문제점을 개선하고자 현재 많은 연구가 수소 검출 물질의 나노입자 합성에 대해서 이루어지고 있지만, 나노입자의 합성과 동시에 검출물질의 열전도 및 감도 조절에 대한 연구는 많이 진행되지 않고 있는 실정이다.
또한, 이러한 수소센서의 개발을 위해서는 넓은 범위의 수소 농도를 검출하기 위해 서 낮은 농도에서 검출 성능이 우수한 방식과 고농도범위에서 검출 성능이 우수한 방식의 복합형 수소센서에 대한 연구 및 센서의 검출물질 자체에 대한 열전도 및 감도 조절에 대한 연구가 필요하다. 그리고 작은 크기, 낮은 전력소모, 저렴한 가격을 고루 갖추기 위해서는 MEMS 기술을 이용한 센서 구조체의 제작이 요구된다.
따라서 본원 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 수소검출센서의 촉매를 방열판 모양의 판구조 및 침상구조 형태로 제작함으로써, 수소 가스와의 접촉 면적을 넓힐 수 있도록 하고, 이에 의해 저농도에서부터 고농도의 넓은 범위의 수소 가스 농도를 측정할 수 있을 뿐만 아니라, 수소검출센서의 감도 또한 향상되며, 수소검출센서 칩의 소형화를 가능하게 하고, 저전력 설계를 가능하게 함으로써 제작을 용이하게 하여 제작비용 또한 절감시킬 수 있도록 하는 접속 연소식의 수소검출센서 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본원 발명의 수소검출센서는, 기판과; 상기 기판의 상부면에 증착 형성되는 산화막과; 상기 산화막의 상부에서 형성되는 적어도 하나 이상의 코일 형태의 히터와; 상기 히터를 포함하여 상기 산화막의 상부에 증착형성되는 절연층과; 상기 절연층의 상부에서 스퍼터링(SPUTTERING)에 의해 형성되는 촉매물질 층인 제 1 반응부와; 상기 제 1 반응부 상에서 포토레지스터(PR: Photo Register)를 매개로 하여 전기 도금 또는 증착에 의해 적어도 하나 이상의 판상 또는 침상 구조 중 어느 하나로 형성되는 촉매물질 층인 제 2 반응부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본원 발명의 수소검출센서 제조방법은, 기판 상부면에 산화막을 증착한 후 코일 히터를 형성한 한 후 절연물질을 증착하여 절연층을 형성하는 절연층형성과정과; 상기 절연층 상부에 촉매물질을 스퍼터링하여 제 1 반응부를 형성하는 제 1 반응부형성과정과; 상기 제 1 반응부 상에 포토레지스터를 이용하여 판상 또는 침상 중 어느 하나의 구조를 위한 패터닝을 수행하는 포토레지스터패터닝과정과; 상기 포토레지스터 패터닝 이후 촉매물질을 전기도금 또는 증착 중 어느 하나에 의하여 촉매물질 층을 형성한 후 포토레지스터를 제거하여 판상 또는 침상 중 어느 하나의 구조의 촉매층으로 형성되는 제 2 반응부를 형성하는 제 2 반응부 형성과정;으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 실리콘(Si) 기판이며, 상기 산화막은 실리콘산화물질(SiO2)의 막이고, 상기 히터는 백금족금속을 코일 형태로 형성되며, 상기 제 1 반응부 및 제 2 반응부는 백금족금속물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상술한 본원 발명의 수소검출센서는 동일체적용량에 대하여 수소 가스와의 접촉면적을 현저히 증가시키는 것에 의해 수소 가스 농도 검출 범위를 현저히 확장할 수 있게 되며, 제 1 및 제 2 반응부에 의한 2 단계의 수고 가스 검출에 의해 센서의 감도를 현저히 향상시킴은 물론, 동일체적에서의 수소 가스의 접촉면적의 현 저한 향상에 의해 수소검출센서를 소형화시킬 수 있도록 하고, 이로 인해 저전력 설계를 가능하게 하며, 제작공정을 단순화시킴으로써 제작비용을 절감시키는 효과를 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본원 발명을 더욱 상세히 설명한다.
도 1은 본원 발명의 일 실시예에 따르는 수소센서의 정면도이고, 도 2는 본원 발명의 일 실시예에 따르는 수소센서의 사시도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 본원 발명의 일 실시 예에 따르는 수소검출센서는 기판(1) 상에 산화물질을 증착하여 형성되는 산화막(2)이 형성되고, 산화막(2)의 상부에 코일형상의 히터(3)가 다수 배치형성되며, 산화막(2)과 히터(3)의 상부에는 히터(3)와 제 1 반응부(5) 및 제 2 반응부(6) 사이의 전기적 간섭을 차단할 수 있도록 절연물질(Al2O3)로 증착형성되는 절연층(4)이 형성되고, 절연층(4)의 상부에는 수소와 반응하는 촉매물질을 스퍼터링(Sputtering)하여 제 1 반응부(5)가 형성되며, 제 1 반응부(5)의 상부에는 포토레지스터(PR: Photo Register)을 패터닝(Patterning)한 후 수소와 반응하는 촉매물질을 전기도금(electroplating) 또는 증착(deposition)에 의해 방열판 구조의 다수의 판상 또는 침상 구조를 가지는 촉매층을 형성하고 이 후 포토레지스터를 제거하는 것에 의해 판상 또는 침상 구조의 촉매물질 층으로 형성디는 제 2 반응부(6)가 형성되는 구조를 가진다.
여기서 상기 기판(1)은 실리콘(Si) 기판이며, 산화막(2)은 실리콘산화물질(SiO2)의 막이고, 히터(3)와 제 1 반응부(5) 및 제 2 반응부는 백금족금속물질(Pt, Pd)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
도 3은 도 1의 수소센서 제작을 위한 공정도이다.
도 3을 참조하여 본원 발명의 수소검출센서 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(1) 상부면에 산화막(2)을 증착한 후 코일 히터(3)를 형성한 한 후 절연물질을 증착하여 절연층(4)을 형성하는 절연층형성과정을 수행한다(도 3 (a)).
절연층이 형성된 후에는 도 3 (b)와 같이 상기 절연층 상부에 촉매물질을 스퍼터링하여 제 1 반응부(5)를 형성하는 제 1 반응부형성과정을 수행한다(도 3 (b)).
제 1 반응부(5)를 형성한 후에는 판상 또는 침상 중 어느 하나의 구조를 가지는 제 2 반응부(6)로 되는 촉매물질이 증착될 수 있도록 판상 또는 침상 구조의 홈을 가지도록 제 1 반응부(5) 상에 포토레지스터를 이용하여 패터닝을 수행하는 포토레지스터패터닝과정을 수행한다(도 3 (c)).
포토레지스터패터닝 후에는 백금족 금속(Pt, Pd)으로 이루어지는 촉매물질을 전기도금 또는 증착에 의해 포토레지스터 패턴의 홈에 도금 또는 증착에 의해 충진 한 후(도 3 (d)), 응고 및 세척에 의해 포토레지스터를 제거하는 과정을 수행하는 것에 의해 제 2 반응부(6)의 형성하는 제 2 반응부 형성과정(도 3 (e))을 수행하여 본원 발명의 수소검출센서를 제작하게 된다.
상술한 구조를 가지는 본원 발명의 수소검출센서는 수소와 반응하는 촉매를 방열판 구조의 판구조 또는 침상구조의 형태로 하여 제 2 반응부(6)를 형성한다. 도 2 (a)는 직사각형으로 세운 다수의 판구조의 제 2 반응부(6a)를 나타내며, 도 2 (b)는 다수의 침상구조를 가지는 제 2 반응부(6b)를 나타낸다. 즉 본원 발명의 수소검출센서는 수소와 반응하는 촉매층인 제 2 반응부(6a, 6b)를 도 2 (a) 또는 도 2 (b)와 같이 방열판 형태의 다수의 판구조 또는 다수의 침상 구조를 가지도록 함으로써 일반적인 편평한 구조의 촉매 단멱적과 같은 면적을 차지함에도 불구하고, 수소에 노출되는 표면적을 크게 증가시킬 수 있게 되며, 또한 제조시 판구조 또는 침상구조의 개수를 조절하는 것에 의해 표면적 넓이의 조절을 용이하게 한다.
도 4는 도 1의 수소센서에의 동작 및 출력상태를 나타내는 그래프로서, 도 4를 참조하여 본원 발명의 수소검출센서의 동작과정의 특징을 설명하면 다음과 같다.
도 4에 도시된 바와 같이, 수백 Å의 얇은 백금족 금속(Pt, Pd) 박막을 제 1 반응부(1st reaction part)(5)로 사용하고, 다수의 판상 또는 침상 구조를 가지는 방열판 모양의 백금족 금속(Pt, Pd) 구조물을 제 2 반응부(2nd reaction part)(6) 로 사용하여 수소가스에 반응 시키면, 방열판 구조물의 구조에 따라 제 1 및 제 2 반응부(1st와 2nd reaction)의 시간차가 생길 수가 있다. 따라서 본원 발명의 수소검출센서는 수소의 검출 및 수소 농도의 검출을 위한 2 단계의 수소 검출 신호를 출력하게 된다. 이런 경우에는 먼저 제 1 반응부(1st reaction part)(5)는 빠른 반응을 나타내므로 가스의 유무를 판단하는 초기 감지 단계로 사용하고, 제 2 반응부(2nd reaction part)(6)는 고농도에서의 촉매 포화를 개선하는, 측정 범위 확장용으로 사용할 수 있게 된다.
도 1은 본원 발명의 일 실시예에 따르는 수소센서의 정면도,
도 2는 본원 발명의 일 실시예에 따르는 수소센서의 사시도,
도 3은 도 1 및 도 2의 수소센서 제작을 위한 공정도,
도 4는 도 1의 수소센서에의 동작 및 출력상태를 나타내는 그래프이다.
* 도면의 주요 부호에 대한 설명 *
1: 기판 2: 산화막
3: 히터 4: 절연층
5: 제 1 반응부 6: 제 2 반응부

Claims (8)

  1. 실리콘(Si) 기판과;
    상기 기판의 상부면에 증착 형성되는 실리콘 산화물질(SiO2)의 산화막과;
    상기 산화막의 상부에서 형성되는 적어도 하나 이상의 히터와;
    상기 히터를 포함하여 상기 산화막의 상부에 증착형성되는 절연층과;
    상기 절연층의 상부에 형성되는 촉매물질 층인 제 1 반응부와;
    상기 제 1 반응부 상에서 포토레지스터(PR: Photo Register)를 매개로 하여 적어도 하나 이상의 판상 또는 침상 구조 중 어느 하나로 형성되는 촉매물질 층인 제 2 반응부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수소검출센서.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 히터는 코일 형태로 형성되며, 상기 코일과 상기 제 1 반응부 및 제 2 반응부는 백금족금속물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수소검출센서.
  5. 실리콘(Si) 기판 상부면에 실리콘 산화물질(SiO2)의 산화막을 증착한 후 코일 히터를 형성한 한 후 절연물질을 증착하여 절연층을 형성하는 절연층형성과정과;
    상기 절연층 상부에 촉매물질 층의 제 1 반응부를 형성하는 제 1 반응부형성과정과;
    상기 제 1 반응부 상에 포토레지스터를 이용하여 판상 또는 침상 중 어느 하나의 구조를 위한 패터닝을 수행하는 포토레지스터패터닝과정과;
    상기 포토레지스터 패터닝 이후 촉매물질 층을 형성한 후 포토레지스터를 제거하여 판상 또는 침상 중 어느 하나의 구조의 제 2 반응부를 형성하는 제 2 반응부 형성과정;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수소검출센서 제조방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 청구항 5에 있어서, 상기 히터는 백금족금속을 코일 형태로 형성되며, 상기 코일과 상기 제 1 반응부 및 제 2 반응부는 백금족금속물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수소검출센서 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002513930A (ja) * 1998-04-30 2002-05-14 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 水素センサ
JP2003240746A (ja) * 2002-02-14 2003-08-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水素ガスセンサ
JP2007064865A (ja) * 2005-09-01 2007-03-15 Toshitsugu Ueda ガスセンサ及びガスセンサの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002513930A (ja) * 1998-04-30 2002-05-14 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 水素センサ
JP2003240746A (ja) * 2002-02-14 2003-08-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水素ガスセンサ
JP2007064865A (ja) * 2005-09-01 2007-03-15 Toshitsugu Ueda ガスセンサ及びガスセンサの製造方法

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