KR100913639B1 - Chemical-mechanical polisher - Google Patents

Chemical-mechanical polisher Download PDF

Info

Publication number
KR100913639B1
KR100913639B1 KR1020070132366A KR20070132366A KR100913639B1 KR 100913639 B1 KR100913639 B1 KR 100913639B1 KR 1020070132366 A KR1020070132366 A KR 1020070132366A KR 20070132366 A KR20070132366 A KR 20070132366A KR 100913639 B1 KR100913639 B1 KR 100913639B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conditioner
polishing pad
pad
polishing
roll
Prior art date
Application number
KR1020070132366A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090064972A (en
Inventor
정성훈
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020070132366A priority Critical patent/KR100913639B1/en
Publication of KR20090064972A publication Critical patent/KR20090064972A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100913639B1 publication Critical patent/KR100913639B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 화학기계적 연마 장치에 관한 것으로, 베이스 몸체의 상면에 구비되는 폴리싱 패드와, 상기 베이스 몸체의 상부 일측에 설치된 웨이퍼 캐리어와, 상기 베이스 몸체의 상부 타측에 설치된 폴리싱 패드 컨디셔너를 포함하는 화학기계적 연마 장치에 있어서, 상기 폴리싱 패드 컨디셔너는 상기 폴리싱 패드와 접촉되는 컨디셔너 패드를 롤형(Roll type)으로 형성하여 구성하고, 상기 폴리싱 패드 컨디셔너는 컨디셔너 본체와, 상기 컨디셔너 본체의 일측에서 회전가능하게 설치되어 상기 폴리싱 패드와 접촉되는 롤형 컨디셔너 패드와, 상기 롤형 컨디셔너 패드의 외주부를 감싸는 하우징을 포함하며, 상기 하우징의 내부 상측에는 흡입력을 발생시키는 진공흡입 장치를 설치함으로써 폴리싱 패드에서 컨디셔닝되는 효율 면적이 향상되고, 수평 및 수직 압력을 조절하여 폴리싱 패드의 컨디션을 최적의 상태로 유지하며, 폴리싱 작업 도중에 폴리싱 패드 컨디셔너에서 이탈되는 다이아몬드 입자를 제거할 수 있어 컨디셔너 패드의 상태를 깨끗하게 유지함과 아울러 웨이퍼의 표면에 스크래치가 발생되는 문제를 해소하는 효과가 있다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus, and includes a polishing pad provided on an upper surface of a base body, a wafer carrier installed on an upper side of the base body, and a polishing pad conditioner installed on the other side of the base body. In the polishing apparatus, the polishing pad conditioner is formed by forming a conditioner pad in contact with the polishing pad in a roll type, and the polishing pad conditioner is rotatably installed at the conditioner body and at one side of the conditioner body. And a roll conditioner pad in contact with the polishing pad, and a housing surrounding the outer circumference of the roll conditioner pad. A vacuum suction device for generating a suction force is installed on the inner upper side of the housing to improve the efficiency area of the polishing pad. , Horizontal and By adjusting the direct pressure, the condition of the polishing pad can be maintained in an optimal state, and the diamond particles that escape from the polishing pad conditioner can be removed during the polishing operation, thereby keeping the conditioner pad clean and scratching the wafer surface. It is effective to solve the problem.

폴리싱 패드, 롤형 컨디셔너 패드, 진공흡입 장치 Polishing Pads, Roll Conditioner Pads, Vacuum Suction Units

Description

화학기계적 연마 장치{CHEMICAL-MECHANICAL POLISHER}Chemical Mechanical Polishing Device {CHEMICAL-MECHANICAL POLISHER}

본 발명은 화학기계적 연마 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 컨디셔닝 효율을 향상시킴과 아울러 폴리싱 패드에 발생되는 다이아몬드 입자의 제거를 용이하게 실시하도록 한 화학기계적 연마 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus, and more particularly, to a chemical mechanical polishing apparatus that improves conditioning efficiency and facilitates removal of diamond particles generated in a polishing pad.

최근에는 웨이퍼가 대구경화 되면서 웨이면의 표면적을 평탄화하기 위하여 화학적인 가공과 기계적인 가공을 혼합하여 동시에 구현하도록 한 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing;이하 "CMP"라 칭함) 공정이 널리 이용되고 있다.In recent years, chemical-mechanical polishing (hereinafter referred to as "CMP") process, in which a wafer is large-sized and a chemical process and a mechanical process is simultaneously implemented in order to flatten the surface area of the way surface, is widely used. have.

CMP 공정이란 단차를 가진 웨이퍼의 표면을 폴리싱 패드(polishing pad)에 밀착시킨 후에 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리를 웨이퍼와 폴리싱 패드 사이에 주입시켜 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 가공방식이다.The CMP process is a processing method in which a surface of a wafer having a step is brought into close contact with a polishing pad, and then a slurry containing abrasive and chemical is injected between the wafer and the polishing pad to planarize the surface of the wafer.

도 1은 일반적인 종래 CMP 장치의 개략적인 구성을 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a schematic configuration of a general conventional CMP apparatus.

종래 CMP 장치(100)는 베이스 몸체(110)와 베이스 몸체(110)의 상면에 함몰되어 설치된 폴리싱 패드(120)를 구비한다. 그리고 베이스 몸체(110)의 상부 일측 에는 좌우방향으로 스윙 동작이 가능하도록 설치된 웨이퍼 캐리어(130)가 설치되고 타측에는 폴리싱 패드(120)를 연마하기 위한 폴리싱 패드 컨디셔너(140)가 각각 설치된다. 그리고 웨이퍼 캐리어(130)와 폴리싱 패드 컨디셔너(140) 사이에는 폴리싱 패드(120)에 슬러리를 공급하기 위한 슬러리 공급기(150)가 설치된다.The conventional CMP apparatus 100 includes a base body 110 and a polishing pad 120 recessed and installed on an upper surface of the base body 110. In addition, a wafer carrier 130 is installed on one side of the upper portion of the base body 110 to swing in the left and right directions, and a polishing pad conditioner 140 for polishing the polishing pad 120 is installed on the other side thereof. A slurry feeder 150 is provided between the wafer carrier 130 and the polishing pad conditioner 140 to supply the slurry to the polishing pad 120.

이와 같은 평탄화 공정의 도중에 연마속도는 폴리싱 패드(120)의 상태에 따라 크게 달라진다. 따라서 종래 CMP 장치의 폴리싱 패드 컨디셔너(140)에는 표면에 다이아몬드 입자가 구비되어 폴리싱 패드(120)의 상태를 최적화시키게 된다.During this planarization process, the polishing rate varies greatly depending on the state of the polishing pad 120. Therefore, the polishing pad conditioner 140 of the conventional CMP apparatus is provided with diamond particles on the surface to optimize the state of the polishing pad 120.

그러나 종래 CMP 장치에 의한 폴리싱 작업 도중에 다이아몬드 입자가 폴리싱 패드(120)에 떨어지게 되면 이후 웨이퍼 캐리어(130)에 의한 웨이퍼의 연마 작업시 웨이퍼 표면에 스크래치가 발생되는 문제가 있다. However, when the diamond particles fall on the polishing pad 120 during the polishing operation by the conventional CMP apparatus, there is a problem that scratches are generated on the wafer surface during the polishing operation of the wafer by the wafer carrier 130.

종래 CMP 장치는 폴리싱 패드 컨디셔너(140)가 원판 형상으로 형성되어 수평으로 회전됨으로써 컨디셔닝 작용을 실시하게 되는데, 원판 형상의 폴리싱 패드 컨디셔너(140)는 폴리싱 패드(120)와 접촉되는 면적이 제한되는 문제가 있다.In the conventional CMP apparatus, the polishing pad conditioner 140 is formed in a disc shape and rotated horizontally to perform a conditioning action. The disc shaped polishing pad conditioner 140 has a problem in that the area in contact with the polishing pad 120 is limited. There is.

본 발명의 목적은 롤러형 컨디셔너 패드를 구비하여 폴리싱 패드의 컨디셔딩 효율을 향상시키려는 것이다.An object of the present invention is to provide a roller-type conditioner pad to improve the conditioning efficiency of the polishing pad.

본 발명의 다른 목적은 폴리싱 패드의 폴리싱 작업 도중에 폴리싱 패드 컨디셔너에서 이탈되는 다이아몬드 입자를 제거하기에 적합하도록 하려는 것이다.Another object of the present invention is to make it suitable for removing diamond particles that leave the polishing pad conditioner during the polishing operation of the polishing pad.

본 발명은 베이스 몸체의 상면에 구비되는 폴리싱 패드와, 상기 베이스 몸체의 상부 일측에 설치된 웨이퍼 캐리어와, 상기 베이스 몸체의 상부 타측에 설치된 폴리싱 패드 컨디셔너를 포함하는 화학기계적 연마 장치에 있어서, 상기 폴리싱 패드 컨디셔너는 상기 폴리싱 패드와 접촉되는 컨디셔너 패드를 롤형(Roll type)으로 형성하여 구성한 것을 특징으로 한다.The present invention provides a polishing pad including a polishing pad provided on an upper surface of a base body, a wafer carrier installed on an upper side of the base body, and a polishing pad conditioner installed on an upper side of the base body. The conditioner is formed by forming a conditioner pad in contact with the polishing pad in a roll type.

상기 폴리싱 패드 컨디셔너는 컨디셔너 본체와, 상기 컨디셔너 본체의 일측에서 회전가능하게 설치되어 상기 폴리싱 패드와 접촉되는 롤형 컨디셔너 패드와, 상기 롤형 컨디셔너 패드의 외주부를 감싸는 하우징을 포함하는 것이 바람직하다.The polishing pad conditioner preferably includes a conditioner body, a roll conditioner pad rotatably installed at one side of the conditioner body and in contact with the polishing pad, and a housing surrounding the outer circumference of the roll conditioner pad.

상기 하우징의 내부 상측에는 흡입력을 발생시키는 진공흡입 장치가 설치된다.A vacuum suction device for generating a suction force is installed on the upper side of the housing.

상기 진공흡입 장치는 하부 중앙에 흡입구가 형성되어 상기 흡입구가 상기 롤형 컨디셔너 패드의 외주면과 대응된다.In the vacuum suction device, a suction port is formed at a lower center thereof, and the suction port corresponds to an outer circumferential surface of the roll-type conditioner pad.

본 발명은 폴리싱 패드 컨디셔너의 컨디셔너 패드를 롤형으로 형성함으로써 폴리싱 패드를 점유하는 면적이 증대되어 컨디셔닝 효율을 향상시키는 효과가 있고, 수평 및 수직 압력을 조절하여 폴리싱 패드의 컨디션을 최적의 상태로 유지하는 효과가 있다.The present invention has an effect of increasing the area occupying the polishing pad by forming the conditioner pad of the polishing pad conditioner in a roll shape, improving the conditioning efficiency, and adjusting the horizontal and vertical pressure to maintain the condition of the polishing pad in an optimal state. It works.

또한, 본 발명은 폴리싱 패드의 폴리싱 작업 도중에 폴리싱 패드 컨디셔너에서 이탈되는 다이아몬드 입자를 제거할 수 있어 컨디셔너 패드의 상태를 깨끗하게 유지함은 물론이고 폴리싱 패드로 떨어지는 다이아몬드 입자에 의해 웨이퍼의 표면에 스크래치가 발생되는 문제를 해소하는 효과가 있다.In addition, the present invention can remove the diamond particles from the polishing pad conditioner during the polishing operation of the polishing pad to keep the conditioner pad clean, as well as scratch the surface of the wafer by the diamond particles falling into the polishing pad. It is effective to solve the problem.

이하, 상기한 바와 같은 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention as described above will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

첨부도면 도 2는 본 발명에 따른 CMP 장치의 평면도이고, 도 3은 도 2의 A-A'선 단면도이다.2 is a plan view of a CMP apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 CMP 장치(200)는 베이스 몸체(110)와 베이스 몸체(110)의 상면에 함몰되어 설치된 폴리싱 패드(120)를 구비한다. 2 and 3, the CMP apparatus 200 according to the present invention includes a base body 110 and a polishing pad 120 recessed and installed on an upper surface of the base body 110.

그리고 베이스 몸체(110)의 상부 일측에는 좌우방향으로 스윙 동작이 가능하도록 설치된 웨이퍼 캐리어(130)가 설치되고 타측에는 폴리싱 패드(120)를 연마하기 위한 폴리싱 패드 컨디셔너(240)가 각각 설치된다. In addition, a wafer carrier 130 is installed on one side of the upper portion of the base body 110 so as to swing in the left and right directions, and a polishing pad conditioner 240 for polishing the polishing pad 120 is installed on the other side.

또한, 웨이퍼 캐리어(130)와 폴리싱 패드 컨디셔너(240) 사이에는 폴리싱 패드(120)에 슬러리를 공급하기 위한 슬러리 공급기(150)가 설치된다.In addition, a slurry feeder 150 for supplying a slurry to the polishing pad 120 is installed between the wafer carrier 130 and the polishing pad conditioner 240.

본 발명에 따른 CMP 장치(200)의 구성중에서 폴리싱 패드 컨디셔너(240)의 구성을 제외한 다른 구성은 종래 기술과 동일 구성이므로 동일 부호를 사용한다.Among the configurations of the CMP apparatus 200 according to the present invention, other configurations except the configuration of the polishing pad conditioner 240 are the same as in the prior art, and thus the same reference numerals are used.

본 발명은 폴리싱 패드 컨디셔너(240)는 폴리싱 패드(120)와 접촉되는 컨디셔너 패드(242)를 롤형(Roll type)으로 형성된 것을 특징으로 한다.The polishing pad conditioner 240 is characterized in that the conditioner pad 242 in contact with the polishing pad 120 is formed in a roll type (Roll type).

즉, 본 발명에 따른 폴리싱 패드 컨디셔너(240)는 컨디셔너 본체(241)와, 컨디셔너 본체(241)의 일측에서 회전가능하게 설치되는 롤형 컨디셔너 패드(242)와, 상기 롤형 컨디셔너 패드(242)의 외주부를 감싸는 하우징(243)으로 구성된다. That is, the polishing pad conditioner 240 according to the present invention includes a conditioner body 241, a roll type conditioner pad 242 rotatably installed at one side of the conditioner body 241, and an outer circumferential portion of the roll conditioner pad 242. It consists of a housing 243 surrounding the.

그리고 상기 하우징(243)의 내부 상측에는 흡입력을 발생시키는 집공흡입 장치(244)가 설치된다. 상기 하우징(243)은 내부 상측에 상기 진공흡입 장치(244)가 설치되고, 진공흡입 장치(244)의 하부 중앙에 흡입구(245)가 형성되어 있으므로 하우징(243)의 내부 공간을 통해 폴리싱 패드(120)의 표면으로 떨어지는 이물질 즉, 롤형 컨디셔너 패드(242)에서 이탈되는 다이아몬드 입자를 흡입할 수 있게 된다.In addition, a gong suction device 244 for generating a suction force is installed on the inner upper side of the housing 243. The housing 243 has the vacuum suction device 244 installed on the upper side of the housing 243, and a suction port 245 is formed at the lower center of the vacuum suction device 244. Foreign matter falling to the surface of the 120, that is, it is possible to suck the diamond particles detached from the roll-type conditioner pad 242.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 CMP 장치의 작용을 설명한다.The operation of the CMP apparatus according to the present invention configured as described above will be described.

본 발명 장치에 따른 폴리싱 패드 컨디셔너(240)는 폴리싱 패드(120)의 표면에 대한 컨디셔닝 작업시 롤형 컨디셔너 패드(242)는 폴리싱 패드(120)와 접촉되는 면에서 폴리싱이 발생되면서 수직 압력을 조절하여 컨디셔닝 작업을 실시하게 된다. 또한, 폴리싱 패드(120)가 대면적인 경우에는 롤형 컨디셔너 패드(242)의 수평 위치인 수평 거리를 조절하면서 컨디셔닝 작업을 실시할 수 있다.In the polishing pad conditioner 240 according to the present invention, the roll-type conditioner pad 242 adjusts the vertical pressure while polishing occurs at the surface in contact with the polishing pad 120 during conditioning of the surface of the polishing pad 120. Conditioning will be performed. In addition, when the polishing pad 120 has a large area, the conditioning operation may be performed while adjusting the horizontal distance that is the horizontal position of the roll-type conditioner pad 242.

이처럼 롤형 컨디셔너 패드(242)는 반경방향으로 길게 컨디셔너 패드가 형성되므로 폴리싱 패드 컨디셔너(242)에서 컨디셔닝 하는 점유 면적이 최대화할 수 있는 효과가 있어 컨디셔닝 효율이 향상된다.As such, since the roll-type conditioner pad 242 has a long conditioner pad in a radial direction, the occupied area of the polishing pad conditioner 242 can be maximized, thereby improving the conditioning efficiency.

본 발명의 따른 실시예에서는 폴리싱 패드(120)가 부착된 테이블의 회전속도는 20RPM이고, 롤형 컨디셔너 패드의 회전속도는 12~15RPM이며, 이때 수직압력은 100~150N이고 수평이동거리는 100mm이다. 그러나 이에 한정할 필요는 없다.In the embodiment of the present invention, the rotational speed of the table with the polishing pad 120 attached is 20 RPM, and the rotational speed of the roll-type conditioner pad is 12-15 RPM, wherein the vertical pressure is 100-150N and the horizontal movement distance is 100mm. However, there is no need to limit this.

또한, 본 발명은 폴리싱 패드 컨디셔너(240)에 의한 컨디셔닝 작업 도중에 롤형 컨디셔너 패드(242)에서 다이아몬드 입자의 결합상태가 약해지는 경우에는 진공흡입 장치(244)에서 발생되는 흡입력에 의해 흡입구(245)로 다이아몬드 입자가 흡입된다. 이처럼 진공흡입 장치(244)에 형성된 흡입구(245)는 상기 롤형 컨디셔너 패드(242)의 외주면과 인접된 위치에 대응되므로 다이아몬드 입자를 원활하게 흡입할 수 있게 된다.In addition, the present invention, when the bonding state of the diamond particles in the roll-type conditioner pad 242 weakened during the conditioning operation by the polishing pad conditioner 240 to the suction port 245 by the suction force generated in the vacuum suction device 244 Diamond particles are sucked in. As such, the suction port 245 formed in the vacuum suction device 244 corresponds to a position adjacent to the outer circumferential surface of the roll-type conditioner pad 242 so that the diamond particles can be sucked smoothly.

따라서 롤형 컨디셔너 패드(242)에서 이탈되는 다이아몬드 입자는 폴리싱 패드(120)로 떨어지지 않고 곧바로 제거되므로 이후 공정인 웨이퍼의 표면을 연마하는 과정에서 스크래치의 발생을 방지하게 된다.Therefore, the diamond particles that are separated from the roll-type conditioner pad 242 are removed immediately without falling into the polishing pad 120, thereby preventing the occurrence of scratches during the polishing of the wafer surface.

도 1은 종래 CMP 장치의 개략적인 구성을 도시한 평면도.1 is a plan view showing a schematic configuration of a conventional CMP apparatus.

도 2는 본 발명에 따른 CMP 장치의 평면도.2 is a plan view of a CMP apparatus according to the present invention;

도 3은 도 2의 A-A'선 단면도.3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

110 ; 베이스 몸체 120 ; 폴리싱 패드110; Base body 120; Polishing pad

130 ; 웨이퍼 캐리어 140 ; 슬러리 공급기130; Wafer carrier 140; Slurry feeder

200 ; 본 발명 실시예에 따른 CMP 장치 240 ; 폴리싱 패드 컨디셔너 241 ; 컨디셔너 본체 242 ; 롤형 컨디셔너 패드 243 ; 하우징 244 ; 진공흡입 장치200; CMP device 240 according to an embodiment of the present invention; Polishing pad conditioner 241; Conditioner body 242; Roll conditioner pads 243; Housing 244; Vacuum suction device

245 ; 흡입구245; Inlet

Claims (4)

베이스 몸체의 상면에 구비되는 폴리싱 패드와, 상기 베이스 몸체의 상부 일측에 설치된 웨이퍼 캐리어와, 상기 베이스 몸체의 상부 타측에 설치된 폴리싱 패드 컨디셔너를 포함하는 기계화학적 연마 장치에 있어서,In the mechanical chemical polishing apparatus comprising a polishing pad provided on the upper surface of the base body, a wafer carrier provided on the upper side of the base body, and a polishing pad conditioner provided on the other side of the base body, 상기 폴리싱 패드 컨디셔너는 상기 폴리싱 패드와 반경방향으로 접촉되는 컨디셔너 패드를 롤형(Roll type)으로 형성하고,The polishing pad conditioner is formed in a roll type of the conditioner pad in radial contact with the polishing pad, 상기 폴리싱 패드 컨디셔너는 흡입력을 발생시키는 진공흡입 장치가 상기 롤형 컨디셔너 패드의 길이방향으로 설치되며, 상기 진공흡입 장치는 내부 중앙에 상기 롤형 컨디셔너 패드의 외주면과 대응되도록 길이방향으로 흡입구가 형성된 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 장치.The polishing pad conditioner is a vacuum suction device for generating a suction force is installed in the longitudinal direction of the roll-type conditioner pad, the vacuum suction device is characterized in that the suction port is formed in the longitudinal direction to correspond to the outer peripheral surface of the roll-type conditioner pad in the inner center Chemical mechanical polishing apparatus. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 폴리싱 패드 컨디셔너는 컨디셔너 본체와, 상기 컨디셔너 본체의 일측에서 회전가능하게 설치되어 상기 폴리싱 패드와 접촉되는 롤형 컨디셔너 패드와, 상기 롤형 컨디셔너 패드의 외주부를 감싸는 하우징을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마 장치.The polishing pad conditioner includes a conditioner body, a roll-type conditioner pad rotatably installed at one side of the conditioner body and in contact with the polishing pad, and a housing surrounding the outer circumference of the roll-type conditioner pad. Device. 삭제delete 삭제delete
KR1020070132366A 2007-12-17 2007-12-17 Chemical-mechanical polisher KR100913639B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070132366A KR100913639B1 (en) 2007-12-17 2007-12-17 Chemical-mechanical polisher

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070132366A KR100913639B1 (en) 2007-12-17 2007-12-17 Chemical-mechanical polisher

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090064972A KR20090064972A (en) 2009-06-22
KR100913639B1 true KR100913639B1 (en) 2009-08-24

Family

ID=40993449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070132366A KR100913639B1 (en) 2007-12-17 2007-12-17 Chemical-mechanical polisher

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100913639B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1148124A (en) 1997-08-01 1999-02-23 Nec Corp Abrasive cloth surface adjusting mechanism, abrasive cloth surface adjusting method, and polishing device
KR19990035511A (en) * 1997-10-31 1999-05-15 윤종용 Pad conditioner used in CMP process of semiconductor device manufacturing
KR20000008837U (en) * 1998-10-28 2000-05-25 김영환 Pad Conditioner for Semiconductor Wafer Polishing Machine
KR20070078439A (en) * 2006-01-27 2007-08-01 삼성전자주식회사 Polishing pad conditioner and chemical and mechanical polishing apparatus having the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1148124A (en) 1997-08-01 1999-02-23 Nec Corp Abrasive cloth surface adjusting mechanism, abrasive cloth surface adjusting method, and polishing device
KR19990035511A (en) * 1997-10-31 1999-05-15 윤종용 Pad conditioner used in CMP process of semiconductor device manufacturing
KR20000008837U (en) * 1998-10-28 2000-05-25 김영환 Pad Conditioner for Semiconductor Wafer Polishing Machine
KR20070078439A (en) * 2006-01-27 2007-08-01 삼성전자주식회사 Polishing pad conditioner and chemical and mechanical polishing apparatus having the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090064972A (en) 2009-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102182910B1 (en) Wafer edge polishing apparatus and method
JP5390750B2 (en) Polishing apparatus and polishing pad regeneration processing method
KR101798700B1 (en) Polishing method and polishing apparatus
JP2005271151A (en) Polishing apparatus and polishing method
CN203245721U (en) Grinding adjusting device and chemical-mechanical grinding device
JP2011062759A (en) Grinding method and grinding device for abrasive cloth of double-sided polishing apparatus
JP6517108B2 (en) CMP polisher
JP4079151B2 (en) Polishing method
KR100913639B1 (en) Chemical-mechanical polisher
JP6120597B2 (en) Processing method
JP4803167B2 (en) Polishing equipment
JP2004140178A (en) Chemical mechanical polishing apparatus
KR101767059B1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus for substrate
US20140364041A1 (en) Apparatus and method for polishing wafer
KR100910509B1 (en) Chemical-mechanical polishing apparatus for manufacturing semiconductor devices
JP2004050313A (en) Abrasive wheel and grinding method
JP2008091665A (en) Cmp equipment
JP3011168B2 (en) Semiconductor substrate polishing equipment
CN215700776U (en) Thinning machine grinding wheel and thinning machine
JP2010105067A (en) Suction pad washing method and suction pad washing device
KR100831019B1 (en) Grinding wheel and method of wafer with improvement of surface roughness in manufacturing process of wafer
JP2003001556A (en) Polishing device and polishing method
JP2008296334A (en) Vacuum suction chuck and grinding machine using the same
KR101286009B1 (en) Apparatus and method for polishing wafer
WO2022149346A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee