KR19990035511A - Pad conditioner used in CMP process of semiconductor device manufacturing - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치 제조의 씨엠피공정에 이용되는 패드의 컨디셔너에 관한 것이다.The present invention relates to a conditioner for a pad used in a CMP process of semiconductor device manufacturing.
본 발명은, 반도체기판 상에 형성된 소정의 막들을 평탄하게 연마시키는 패드의 표면이 최적화되도록 상기 패드의 표면을 연마하는 컨디셔너를 회전이 가능한 롤러타입의 원통형으로 형성시켜 이루어짐을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that the conditioner for polishing the surface of the pad is formed into a rotatable roller-type cylinder so as to optimize the surface of the pad for smoothly polishing predetermined films formed on the semiconductor substrate.
따라서, 패드의 표면이 최적화되도록 연마시킬 수 있음으로 인해 이에 따른 불량을 최소화시킬 수 있어 반도체장치의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.Therefore, since the surface of the pad may be polished to be optimized, defects may be minimized, thereby improving reliability of the semiconductor device.
Description
본 발명은 반도체장치 제조의 씨엠피공정에 이용되는 패드의 컨디셔너에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 컨디셔너(Conditioner)를 롤러타입(Roller Type)의 원통형으로 형성시킨 반도체장치 제조의 씨엠피공정에 이용되는 패드의 컨디셔너에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pad conditioner used in a CMP process of semiconductor device manufacturing, and more particularly, to a CMP process of semiconductor device manufacturing in which a conditioner is formed into a roller type cylindrical shape. It relates to the conditioner of the pad.
최근의 반도체장치의 제조에서는 소자가 고집적화 및 고밀도화 되어감에 따라 반도체기판 상에 소정의 막들을 다층으로 적층시켜 제조하는 것이 일반적이다.In the manufacture of semiconductor devices in recent years, it is common to fabricate a plurality of layers of a predetermined film on a semiconductor substrate as the device becomes more integrated and denser.
그러나 상기 다층으로 적층되는 소정의 막들을 소자의 특성에 따른 패턴(Pattern)으로 형성시키는 공정의 수행시 상기 소정의 막들의 단차로 인한 불량이 빈번하게 발생하였다.However, in the process of forming the predetermined layers stacked in the multilayer into patterns according to the characteristics of devices, defects frequently occur due to the steps of the predetermined layers.
이에 따라 상기와 같은 불량을 해소하기 위하여 상기 공정의 수행시 다층으로 적층되는 소정의 막들이 일정범위로 평탄화되도록 연마시키는 씨엠피(CMP : Chemical Mechanical Process)공정이 개발되었다.Accordingly, in order to solve the above defects, a CMP (Chemical Mechanical Process) process has been developed in which predetermined films stacked in multiple layers are polished to be flattened to a certain range when the process is performed.
이러한 씨엠피공정은 각종의 슬러리(Slurry)를 이용할 수 있고, 또한 도1에 도시된 바와 같은 패드(Pad)(10)를 이용할 수 있다.The CMP process may use various slurry, and may also use a pad 10 as shown in FIG. 1.
즉, 상기의 패드(10)를 이용하여 반도체기판 상에 형성된 소정의 막이 평탄화되도록 연마시킨다.That is, the pad 10 is polished to planarize a predetermined film formed on the semiconductor substrate.
여기서 상기 패드(10)의 계속적인 이용시에는 상기 패드(10)의 표면의 균일도 등이 나빠지고, 이에 따라 상기 패드(10)의 표면이 최적화되도록 상기 패드(10)의 표면을 도1에 도시된 바와 같은 컨디셔너(12)를 이용하여 연마시켰다.In the case of continuous use of the pad 10, the uniformity of the surface of the pad 10 is worsened, and thus the surface of the pad 10 is shown in FIG. 1 so that the surface of the pad 10 is optimized. Polishing was carried out using a conditioner 12 as described.
그리고 종래의 상기 컨디셔너(12)를 이용한 상기 패드(10)의 연마는 상기 컨디셔너(12)가 패드(10)의 중심으로부터 에지(Edge)까지로 이동하면서 연마시켰다.In the conventional polishing of the pad 10 using the conditioner 12, the conditioner 12 was polished while moving from the center of the pad 10 to the edge.
그러나 상기 패드(10)의 연마시 상기 패드(10)를 여러 구역으로 나누어 구역마다 연마되는 시간을 일정하게 설정하여 연마를 수행하여도 상기 컨디셔너의 이동으로 인하여 상기 패드(10)가 연마되는 프로파일(Profile)은 중심구역과 에지구역이 달리 나타났다.However, when polishing the pad 10, the pad 10 is polished by dividing the pad 10 into several zones and setting the polishing time for each zone uniformly so that the pad 10 is polished due to the movement of the conditioner. Profile is different from the center zone and the edge zone.
이에 따라 상기 패드(10)를 이용한 씨엠피공정의 수행에서 상기 패드(10)로 인한 불량이 빈번하게 발생하였다.Accordingly, in the performance of the CMP process using the pad 10, defects caused by the pad 10 frequently occurred.
따라서 종래에는 컨디셔너를 이용한 패드의 연마가 일정하게 이루어지지 않음으로 인한 빈번한 불량의 발생으로 반도체장치의 신뢰도가 저하되는 문제점이 있었다.Therefore, in the related art, the reliability of the semiconductor device is deteriorated due to frequent defects caused by the inability to polish the pad using the conditioner.
본 발명의 목적은, 컨디셔너를 이용한 패드의 연마를 일정하게 수행함으로써 이로 인한 불량을 방지하여 반도체장치의 신뢰도를 향상시키기 위한 반도체장치 제조의 씨엠피공정에 이용되는 패드의 컨디셔너를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a conditioner for a pad used in a CMP process of manufacturing a semiconductor device for improving the reliability of a semiconductor device by preventing polishing caused by constant polishing of a pad using a conditioner.
도1은 종래의 반도체장치 제조의 씨엠피공정에 이용되는 패드 및 컨디셔너를 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a pad and conditioner used in a CMP process of manufacturing a conventional semiconductor device.
도2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조의 씨엠피공정에 이용되는 패드 및 컨디셔너의 일 실시예를 나타내는 모식도이다.2 is a schematic diagram showing an embodiment of a pad and conditioner used in a CMP process of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
10, 20 : 패드 12, 22 : 컨디셔너10, 20: pad 12, 22: conditioner
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조의 씨엠피공정에 이용되는 패드의 컨디셔너는, 반도체기판 상에 형성된 소정의 막들을 평탄하게 연마시키는 패드의 표면이 최적화되도록 상기 패드의 표면을 연마하는 컨디셔너를 회전이 가능한 롤러타입의 원통형으로 형성시켜 이루어짐을 특징으로 한다.The conditioner of the pad used in the CMP process of manufacturing a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is to polish the surface of the pad so that the surface of the pad to smoothly polish predetermined films formed on the semiconductor substrate is optimized. The conditioner is characterized in that it is made by forming a cylindrical roller type that can be rotated.
상기 컨디셔너가 상기 패드에 접촉하는 길이는 상기 패드의 원지름의 길이만큼인 것이 바람직하다.Preferably, the conditioner is in contact with the pad is as long as the diameter of the pad.
상기 컨디셔너의 표면에는 소정의 간격마다로 다이아몬드를 부착시키는 것이 바람직하다.It is preferable to attach diamond to the surface of the conditioner at predetermined intervals.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조의 씨엠피공정에 이용되는 패드 및 컨디셔너의 일 실시예를 나타내는 모식도이다.2 is a schematic diagram showing an embodiment of a pad and conditioner used in a CMP process of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
먼저, 반도체기판 상에 형성된 소정의 막들을 평탄하게 연마시키는 패드(20)가 구비되어 있다.First, a pad 20 for smoothly polishing predetermined films formed on a semiconductor substrate is provided.
그리고 상기 패드(20)의 표면이 최적화되도록 상기 패드(20)를 연마시키는 컨디셔너(22)가 구비되어 있다.A conditioner 22 is provided to polish the pad 20 so that the surface of the pad 20 is optimized.
여기서 본 발명의 컨디셔너(22)는 회전이 가능한 롤러타입(Roller Type)의 원통형으로 형성시킬 수 있다.The conditioner 22 of the present invention can be formed in a cylindrical shape of a roller type (Roller Type) that can be rotated.
그리고 본 발명은 상기 컨디셔너(22)가 상기 패드(20)에 접촉하는 길이를 상기 패드(20)의 원지름의 길이만큼으로 하여 형성시킬 수 있고, 또한 상기 컨디셔너(22)의 표면에는 소정의 간격마다로 다이아몬드(Diamond)를 부착시킬 수 있다.According to the present invention, the length of the conditioner 22 in contact with the pad 20 can be formed by the length of the original diameter of the pad 20, and a predetermined distance is provided on the surface of the conditioner 22. Diamonds can be attached to each other.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명의 상기 컨디셔너(22)를 이용한 패드(20)의 연마는 상기 컨디셔너(22)가 일정하게 회전하면서 상기 패드(20)의 표면을 연마하기 때문에 상기 패드(20)를 일정하게 연마시킬 수 있다.In the polishing of the pad 20 using the conditioner 22 of the present invention having such a configuration, since the conditioner 22 is constantly rotated, the surface of the pad 20 is polished so that the pad 20 is kept constant. It can be polished.
즉, 롤러타입의 원통형으로 이루어지는 본 발명의 컨디셔너(22)를 이용한 상기 패드(20)의 연마는 상기 패드(20)의 구역을 나누어서 연마를 수행하던 종래와는 달리 상기 패드(20)의 원지름 즉, 다이아메터(Diameter)에 맞추어서 상기 패드(20)의 전면(全面)을 연마하기 때문이다.That is, the polishing of the pad 20 using the conditioner 22 of the present invention, which is made of a roller-type cylinder, is different from the diameter of the pad 20 unlike the conventional polishing of the pad 20 by dividing the area of the pad 20. That is, it is because the whole surface of the pad 20 is polished in accordance with the diameter.
이에 따라 본 발명은 상기 패드(20)의 표면이 최적화되도록 연마시킬 수 있기 때문에 상기 패드(20)를 이용한 씨엠피공정이 수행시 상기 패드(20)로 인한 불량을 최소화시킬 수 있다.Accordingly, since the surface of the pad 20 may be polished to be optimized, the present invention may minimize defects caused by the pad 20 when the CMP process using the pad 20 is performed.
즉, 본 발명은 상기 패드(20)의 표면의 프로파일이 상기 패드(20)의 전면에서 동일하게 형성시킬 수 있기 때문이다.That is, the present invention is because the profile of the surface of the pad 20 can be formed to be the same on the front surface of the pad 20.
또한 상기 패드(20)의 표면을 동일한 프로파일로 형성시킬 수 있음으로 인해 상기 패드(20)의 수명을 연장시킬 수 있다.In addition, since the surface of the pad 20 can be formed in the same profile, the life of the pad 20 can be extended.
따라서, 본 발명에 의하면 패드의 표면이 최적화되도록 연마시킬 수 있음으로 인해 이에 따른 불량을 최소화시킬 수 있어 반도체장치의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, since the surface of the pad can be polished to be optimized, defects can be minimized, thereby improving reliability of the semiconductor device.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970057327A KR19990035511A (en) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | Pad conditioner used in CMP process of semiconductor device manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970057327A KR19990035511A (en) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | Pad conditioner used in CMP process of semiconductor device manufacturing |
Publications (1)
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| KR19990035511A true KR19990035511A (en) | 1999-05-15 |
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ID=66087261
Family Applications (1)
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| KR1019970057327A KR19990035511A (en) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | Pad conditioner used in CMP process of semiconductor device manufacturing |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR19990035511A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100913639B1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-08-24 | 주식회사 동부하이텍 | Chemical-mechanical polisher |
-
1997
- 1997-10-31 KR KR1019970057327A patent/KR19990035511A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100913639B1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-08-24 | 주식회사 동부하이텍 | Chemical-mechanical polisher |
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