KR100911747B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents

Apparatus for processing substrate Download PDF

Info

Publication number
KR100911747B1
KR100911747B1 KR1020070112777A KR20070112777A KR100911747B1 KR 100911747 B1 KR100911747 B1 KR 100911747B1 KR 1020070112777 A KR1020070112777 A KR 1020070112777A KR 20070112777 A KR20070112777 A KR 20070112777A KR 100911747 B1 KR100911747 B1 KR 100911747B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
cover
support
plasma
Prior art date
Application number
KR1020070112777A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090046556A (en
Inventor
김이정
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070112777A priority Critical patent/KR100911747B1/en
Publication of KR20090046556A publication Critical patent/KR20090046556A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100911747B1 publication Critical patent/KR100911747B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means

Abstract

전극과 기판의 이격 거리 또는 전극의 수평 조절이 가능한 기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 기판이 안착되는 기판 지지대와, 기판 상에 플라즈마를 공급하여 기판을 처리하는 플라즈마 처리부를 포함하되, 플라즈마 처리부는 플라즈마를 생성시키는 전극과, 전극과 이격되어 전극을 커버하는 전극 덮개와, 전극과 전극 덮개를 연결하며 전극의 위치를 조절하는 전극 위치 조절부를 포함한다.Provided is a substrate processing apparatus capable of horizontally adjusting an electrode or a separation distance between an electrode and a substrate. The substrate processing apparatus includes a substrate support on which the substrate is seated, and a plasma processing unit supplying plasma to the substrate to process the substrate, wherein the plasma processing unit includes an electrode for generating a plasma, an electrode cover spaced apart from the electrode, and covering the electrode; , The electrode includes an electrode position adjusting portion for connecting the electrode and the electrode cover to adjust the position of the electrode.

전극, 위치 조절, 수평 조절 Electrodes, Positioning, Leveling

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing substrate} Apparatus for processing substrate

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는, 전극과 기판의 이격 거리 또는 전극의 수평 조절이 가능한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of horizontally adjusting the separation distance between the electrode and the substrate or the electrode.

플라즈마 처리 장치는 반응 물질을 플라즈마 상태로 만들어 반도체 기판상에 증착하거나, 플라즈마 상태의 반응 물질을 이용하여 기판을 세정, 애싱(Ashing) 또는 식각 처리하는 장치를 의미한다.The plasma processing apparatus refers to an apparatus for depositing a reaction material into a plasma state and depositing the reaction material on a semiconductor substrate, or cleaning, ashing or etching the substrate using the reaction material in a plasma state.

플라즈마는 외부에서 가해진 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields) 등에 의해 생성된 이온, 전자, 라디칼 및 중성 입자로 구성되어, 전기적으로 중성을 이루는 물질 상태를 의미한다.Plasma means an electrically neutral material state composed of ions, electrons, radicals and neutral particles generated by a strong electric field or RF electromagnetic fields applied from the outside.

플라즈마를 생성하고, 기판 주위에 플라즈마를 유지시키기 위해 플라즈마 처리를 위한 기판 처리 장치에는 전극이 요구된다.Electrodes are required in a substrate processing apparatus for plasma processing to generate plasma and maintain the plasma around the substrate.

그러나, 전극의 하중으로 인해 전극을 지지하는 지지 암에 변형이 발생하여 전극의 좌우 수평이 맞지 않거나 전극과 기판 간에 원하는 거리가 유지되지 않을 수 있다.However, deformation of the support arm supporting the electrode may occur due to the load of the electrode, so that the left and right horizontal levels of the electrode may not be aligned or the desired distance between the electrode and the substrate may not be maintained.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전극과 기판의 이격 거리 또는 전극의 수평 조절이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of horizontally adjusting the separation distance or the electrode of the electrode and the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. Problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판이 안착되는 기판 지지대와, 상기 기판 상에 플라즈마를 공급하여 상기 기판을 처리하는 플라즈마 처리부를 포함하되, 상기 플라즈마 처리부는 상기 플라즈마를 생성시키는 전극과, 상기 전극과 이격되어 상기 전극을 커버하는 전극 덮개와, 상기 전극과 상기 전극 덮개를 연결하며 상기 전극의 위치를 조절하는 전극 위치 조절부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a substrate support on which a substrate is mounted, and a plasma processing unit for supplying plasma to the substrate to process the substrate. An electrode for generating a plasma, an electrode cover spaced apart from the electrode to cover the electrode, and an electrode position adjusting unit connecting the electrode and the electrode cover and adjusting the position of the electrode.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

상기한 바와 같은 기판 처리 장치에 따르면 따르면 다음과 같은 효과가 있 다. According to the substrate processing apparatus as described above has the following effects.

첫째, 전극 위치 조절부를 이용하여 전극의 수평을 조절하고, 전극과 기판 사이의 간격을 조절할 수 있다. First, it is possible to adjust the horizontality of the electrode by using the electrode position adjusting unit, and the distance between the electrode and the substrate.

둘째, 전극 지지부를 이용하여 전극의 처짐 현상을 방지하고, 육안으로 전극과 기판의 거리를 확인할 수 있다.Second, it is possible to prevent the electrode from sagging by using the electrode support, and visually check the distance between the electrode and the substrate.

셋째, 가이드 시스템을 이용하여 전극의 수직 이동을 용이하게 하고, 전극과 기판 사이의 간격을 조절할 수 있다. Third, the guide system can be used to facilitate vertical movement of the electrodes and to adjust the gap between the electrodes and the substrate.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 및/또는 은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. And / or include each and all combinations of one or more of the items mentioned.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, including and / or comprising the components, steps, operations and / or elements mentioned exclude the presence or addition of one or more other components, steps, operations and / or elements. I never do that.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략도이다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1. 1 is a schematic view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 전체적으로 기판 지지대(110), 및 전극(260)을 포함하는 플라즈마 처리부를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a plasma processing unit including a substrate support 110 and an electrode 260 as a whole.

기판 처리 장치는 예를 들어 플라즈마를 이용하여 기판 상에 남아있는 감광막 등을 제거하는 애싱 장치일 수 있으나, 전극을 포함하는 기판 장치라면 본 발명의 범주에 속하여 본 실시예의 기판 처리 장치가 애싱 장치에 한정되는 것은 아니다.The substrate processing apparatus may be, for example, an ashing apparatus that removes a photoresist film or the like remaining on the substrate by using plasma. However, if the substrate processing apparatus includes an electrode, the substrate processing apparatus of the present embodiment belongs to the ashing apparatus. It is not limited.

기판 지지대(110)는 기판(10)이 안착되는 안착면을 제공하며, 회전될 수도 있다. 기판 지지대(110)를 회전시키는 구동력은 회전축(120)이 제공한다.The substrate support 110 provides a seating surface on which the substrate 10 is mounted, and may be rotated. The driving force for rotating the substrate support 110 is provided by the rotation shaft 120.

기판 지지대(110)의 상면에는 기판 지지핀(130)이 배치되어 기판(10)을 견고하게 고정시키는 역할을 한다.The substrate support pin 130 is disposed on the upper surface of the substrate support 110 to firmly fix the substrate 10.

플라즈마 처리부는 기판 지지대(110) 상의 기판(10)에 플라즈마를 공급하여 기판(10)을 처리한다.The plasma processor processes the substrate 10 by supplying plasma to the substrate 10 on the substrate support 110.

플라즈마 처리부는 기판(10) 주위에 플라즈마를 형성하는 전극(260), 전극(260)과 이격되고, 위치 조절부(300)에 의해 연결되어 전극(260) 주위를 커버하는 전극 덮개(240), 및 전극 덮개(240)를 이동시키는 아암(220), 및 아암(220)에 구동력을 제공하는 구동부(210)를 포함한다.The plasma processing unit is spaced apart from the electrode 260 to form a plasma around the substrate 10, the electrode 260, and is connected by the position adjusting unit 300 to cover an electrode cover 240 surrounding the electrode 260, And an arm 220 for moving the electrode cover 240, and a driver 210 for providing a driving force to the arm 220.

아암(220)의 일단은 구동부(210)로부터 구동력을 인가받아 직선 왕복 운동을 함으로써, 전극(260) 및 전극 덮개(240)를 기판(10) 상부로부터 수직 방향 및 수평 방향으로 이동시킨다. 연결부(230)는 아암(220)과 전극 덮개(240)를 연결한다.One end of the arm 220 receives a driving force from the driving unit 210 and linearly reciprocates to move the electrode 260 and the electrode cover 240 in the vertical direction and the horizontal direction from the top of the substrate 10. The connecting portion 230 connects the arm 220 and the electrode cover 240.

전극 덮개(240)는 전극(260)에 의해 형성된 플라즈마가 외부로 유출되는 것을 방지하는 역할을 한다.The electrode cover 240 serves to prevent the plasma formed by the electrode 260 from flowing out.

전극 덮개(240)는 전극(260)과 이격되어 전극(260)의 상부 및 측부를 커버하고, 기판(10)을 커버한다. 전극 덮개(240)의 하부에는 전극 덮개 고정부(270)가 형성되어 바울(270)에 의해 지지된다.The electrode cover 240 is spaced apart from the electrode 260 to cover the upper and side portions of the electrode 260 and to cover the substrate 10. An electrode cover fixing part 270 is formed at a lower portion of the electrode cover 240 and supported by the paul 270.

전극 덮개(240)로 둘러싸인 내부 공간에는 전극(260)이 구비된다. 전극(260)은 예를 들어 평판 형상을 가질 수 있다. 전극(260)은 그 자체 하중에 의해 처짐 현상이 발생할 수 있으므로 위치 조절부(300) 등을 이용하여 기판(10)과의 위치를 조절한다. 전극(260)에는 플라즈마 가스를 공급하기 위한 다수의 가스 공급 홀들이 배치될 수 있다. 또한 전극(260)에는 플라즈마 생성을 위한 전원 공급부가 연결될 수 있다.An electrode 260 is provided in an inner space surrounded by the electrode cover 240. The electrode 260 may have a flat plate shape, for example. Since the electrode 260 may cause sag due to its own load, the electrode 260 adjusts its position with the substrate 10 using the position adjusting unit 300 or the like. A plurality of gas supply holes for supplying plasma gas may be disposed in the electrode 260. In addition, a power supply for generating plasma may be connected to the electrode 260.

바울(270)은 기판 지지대(110) 양 측부에 배치되어, 이물질이 외부로 방출되는 것을 방지하는 한편, 전극 덮개(240)를 지지하는 역할을 한다. 후술하는 전극 지지부(510)는 바울(270)에 의해 지지된다.The paul 270 is disposed on both sides of the substrate support 110 to prevent foreign substances from being released to the outside, and to support the electrode cover 240. The electrode support 510 described later is supported by the paul 270.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극의 위치 조절 동작에 대하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 전극 위치 조절부를 나타낸 개략도이다. 설명의 편의를 위해 도 2는 완충부를 제거하고 나타내었다.Hereinafter, referring to FIGS. 1 and 2, a position adjusting operation of an electrode according to an exemplary embodiment of the present disclosure will be described. 2 is a schematic diagram illustrating an electrode position adjusting unit included in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. For convenience of description, FIG. 2 is shown with the buffer removed.

도 1 및 도 2를 참조하면, 전극 위치 조절부(300)는 전극 덮개(240)의 상면에 배치되어 전극(260)과 전극 덮개(240)를 연결하고, 전극(260)과 전극 덮개(240)의 간격을 조절할 수 있다. 전극 위치 조절부(300)는 예를 들어 나사와 같은 조임 고정 부재일 수 있다. 1 and 2, the electrode position adjusting unit 300 is disposed on an upper surface of the electrode cover 240 to connect the electrode 260 and the electrode cover 240, and the electrode 260 and the electrode cover 240. ) Can be adjusted. The electrode position adjusting unit 300 may be, for example, a fastening fixing member such as a screw.

전극 위치 조절부(300)는 전극(260) 상면에 형성된 위치 조절홈(262)과 체결되어 전극(260)과 전극 덮개(240)의 간격을 조절함으로써, 전극(260)과 기판(10)의 거리를 조절할 수 있다. 구체적으로, 나사와 같은 전극 위치 조절부(300)를 일 방향으로 조임으로써 전극(260)과 전극 덮개(240)의 간격을 좁히거나, 전극 위치 조절부(300)를 반대 방향으로 풀어줌으로써 전극(260)과 전극 덮개(240)의 간격을 넓힐 수 있다. 완충부(310)에 의해 간격을 미세하게 조정할 수도 있다. 전극 위치 조절부(300)에 의해 기판(10)과 전극(260)과의 간격을 조정할 수 있을 뿐만 아니라 전극(260)의 좌우 수평도 유지할 수 있다.The electrode position adjusting unit 300 is fastened to the position adjusting groove 262 formed on the upper surface of the electrode 260 to adjust the distance between the electrode 260 and the electrode cover 240, so that the electrode 260 and the substrate 10 may be separated from each other. You can adjust the distance. Specifically, by tightening the electrode position adjusting unit 300 such as a screw in one direction to narrow the gap between the electrode 260 and the electrode cover 240, or by releasing the electrode position adjusting unit 300 in the opposite direction ( The gap between the 260 and the electrode cover 240 can be widened. The gap may be finely adjusted by the buffer 310. The distance between the substrate 10 and the electrode 260 may be adjusted by the electrode position adjusting unit 300, and the horizontal position of the electrode 260 may be maintained.

도 1, 도 3 및 도 4를 참조하여, 가이드 시스템에 대하여 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 가이드 시스템의 사시도이다. 도 4는 도 3을 A-A' 방향으로 자른 단면도이다.1, 3 and 4, the guide system will be described in detail. 3 is a perspective view of a guide system included in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3.

도 1을 참조하면, 전극 덮개(240)에는 가이드 레일(420)이 배치되고, 전극(260)에는 가이드(410)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, a guide rail 420 may be disposed on the electrode cover 240, and a guide 410 may be disposed on the electrode 260.

도 3 및 도 4를 참조하면, 가이드(410)에는 가이드 돌기(422)가 형성되어 있고, 가이드 레일(420)에 형성된 가이드 홈(412)이 형성되어 있다. 가이드 돌기(422)와 가이드 홈(412)이 서로 체결되고, 가이드(410)는 가이드 레일(420)에 형 성된 수직 이동 경로를 따라 수직 방향으로 이동할 수 있다. 가이드(410)가 수직 방향으로 이동함에 따라 가이드(410)에 연결되어 있는 전극(260)도 수직 방향으로 이동한다. 즉, 가이드(410) 및 가이드 레일(420)을 포함하는 가이드 시스템에 의해 전극(260)과 기판(10)의 간격을 조절할 수 있다.3 and 4, the guide protrusion 422 is formed in the guide 410, and the guide groove 412 formed in the guide rail 420 is formed. The guide protrusion 422 and the guide groove 412 are fastened to each other, the guide 410 may move in the vertical direction along the vertical movement path formed on the guide rail 420. As the guide 410 moves in the vertical direction, the electrode 260 connected to the guide 410 also moves in the vertical direction. That is, the distance between the electrode 260 and the substrate 10 may be adjusted by the guide system including the guide 410 and the guide rail 420.

이하, 도 1 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예 및 다른 실시예에 따른 전극 지지부에 대하여 상세히 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 전극 지지부의 사시도이다. 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 전극 지지부의 사시도이다.Hereinafter, referring to FIGS. 1 and 5, an electrode support unit according to an embodiment and another embodiment of the present invention will be described in detail. 5 is a perspective view of an electrode support included in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 6 is a perspective view of an electrode support included in a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 1 및 도 5를 참조하면, 전극 지지부(510)는 바울(270)의 상면에 배치되어 전극(260)을 지지한다. 전극 지지부(510)는 받침부(520)와 수직 지지부(530)를 포함할 수 있다.1 and 5, an electrode support 510 is disposed on an upper surface of the paul 270 to support the electrode 260. The electrode support 510 may include a support 520 and a vertical support 530.

전극 지지부(510)에 의해 전극(260)이 지지되어 전극(260)의 처짐 현상이 방지된다.The electrode 260 is supported by the electrode support 510 to prevent sagging of the electrode 260.

도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전극 지지부(511)는 그 자체의 높이를 조절할 수 있다. 즉, 본 실시예의 전극 지지부(511)는 받침부(520) 상부에 제1 수직 지지부(531) 및 제2 수직 지지부(532)를 포함한다. 제1 수직 지지부(531)에는 체결 돌기(533)가 형성되고, 제2 수직 지지부(532)에는 체결홈(534)이 형성되어 이들이 체결됨으로써 제1 수직 지지부(531)와 제2 수직 지지부(532)의 높이의 합계를 조절할 수 있다. 이에 따라 전극(260)과 기판(10)의 간격도 조절가능하다. 6, the electrode support 511 according to another embodiment of the present invention can adjust the height of itself. That is, the electrode support part 511 of the present embodiment includes a first vertical support part 531 and a second vertical support part 532 on the support part 520. A fastening protrusion 533 is formed in the first vertical support part 531, and a fastening groove 534 is formed in the second vertical support part 532, so that the first vertical support part 531 and the second vertical support part 532 are fastened. ), You can adjust the sum of the height. Accordingly, the gap between the electrode 260 and the substrate 10 can also be adjusted.

다시, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 높이 지시부(550)를 더 포함할 수 있다. Referring back to FIG. 1, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a height indicating unit 550.

높이 지시부(550)는 전극(260)의 상면에 부착되어 전극 덮개(240) 외부로 연장되어 있으며, 이에 따라 전극(260)과 기판(10)의 간격을 육안으로 확인할 수 있다. 바람직하게는 높이 지시부(550)는 눈금을 포함할 수 있으며, 이 경우 전극(260)과 기판(10)의 간격을 더욱 정밀하게 확인할 수 있다. The height indicating unit 550 is attached to the upper surface of the electrode 260 and extends outside the electrode cover 240, so that the gap between the electrode 260 and the substrate 10 can be visually checked. Preferably, the height indicating unit 550 may include a scale, and in this case, the distance between the electrode 260 and the substrate 10 may be more precisely confirmed.

따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 높이 지시부(550)를 이용하여 기판(10)과 전극(260)의 거리를 확인하고, 전극 위치 조절부(300), 가이드 시스템, 및 전극 지지부(510, 511)를 이용하여 전극(260)과 기판(10)의 간격을 조절할 수 있다. Therefore, the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention checks the distance between the substrate 10 and the electrode 260 by using the height indicating unit 550, the electrode position adjusting unit 300, the guide system, and the electrode. The distance between the electrode 260 and the substrate 10 may be adjusted by using the support parts 510 and 511.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략도이다.1 is a schematic view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 전극 위치 조절부를 나타낸 개략도이다.2 is a schematic diagram illustrating an electrode position adjusting unit included in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 가이드 시스템의 사시도이다.3 is a perspective view of a guide system included in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3을 A-A' 방향으로 자른 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 전극 지지부의 사시도이다.5 is a perspective view of an electrode support included in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에 포함되는 전극 지지부의 사시도이다.6 is a perspective view of an electrode support included in a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

10: 기판 110: 기판 지지대10: substrate 110: substrate support

120: 회전축 130: 기판 지지핀120: rotation axis 130: substrate support pin

210: 구동부 220: 아암210: drive unit 220: arm

230: 연결부 240: 전극 덮개230: connection portion 240: electrode cover

250: 전극 덮개 고정부 260: 전극250: electrode cover fixing part 260: electrode

270: 바울 300: 전극 위치 조절부270: Paul 300: electrode position adjusting unit

310: 완충부 410: 가이드310: shock absorbing portion 410: guide

420: 가이드 레일 510, 511: 전극 지지부420: guide rails 510, 511: electrode support

520: 받침부 530: 수직 지지부520: support 530: vertical support

531: 제1 수직 지지부 532: 제2 수직 지지부531: first vertical support 532: second vertical support

533: 체결 돌기 534: 체결홈533: fastening protrusion 534: fastening groove

550: 높이 지시부550: height indicator

Claims (6)

기판이 안착되는 기판 지지대; 및A substrate support on which the substrate is mounted; And 상기 기판 상에 플라즈마를 공급하여 상기 기판을 처리하는 플라즈마 처리부를 포함하되,A plasma processing unit for processing the substrate by supplying a plasma on the substrate, 상기 플라즈마 처리부는 상기 플라즈마를 생성시키는 전극과,The plasma processing unit and the electrode for generating the plasma; 상기 전극과 이격되어 상기 전극을 커버하며 수평 방향으로 연장된 전극 덮개와,An electrode cover spaced apart from the electrode and covering the electrode and extending in a horizontal direction; 상기 전극과 상기 전극 덮개를 연결하여 상기 전극과 상기 전극 덮개 사이의 간격을 변경함으로써 상기 전극의 위치를 조절하는 전극 위치 조절부를 포함하는 기판 처리 장치.And an electrode position adjusting unit for connecting the electrode and the electrode cover to adjust a position of the electrode by changing a distance between the electrode and the electrode cover. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극 위치 조절부는 상기 전극 덮개 상에 배치되어 상기 전극 덮개를 관통하여 상기 전극과 연결되고, 상기 전극 위치 조절부를 일 방향으로 조이면 상기 전극과 상기 전극 덮개의 간격이 좁아지고 상기 위치 조절부를 타 방향으로 풀어주면 상기 전극과 상기 전극 덮개의 간격이 넓어져, 상기 전극과 상기 기판의 간격 및 상기 전극의 수평을 조절하는 기판 처리 장치.The electrode position adjusting part is disposed on the electrode cover and is connected to the electrode through the electrode cover. When the electrode position adjusting part is tightened in one direction, the distance between the electrode and the electrode cover is narrowed and the position adjusting part is in the other direction. The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the gap between the electrode and the electrode cover is widened to adjust the gap between the electrode and the substrate and the horizontality of the electrode. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극에 부착된 가이드;A guide attached to the electrode; 상기 전극 덮개에 부착되고, 상기 가이드의 수직 이동 경로를 제공하는 가이드 레일을 더 포함하는 기판 처리 장치.And a guide rail attached to the electrode cover and providing a vertical movement path of the guide. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 지지대의 측부에 배치된 바울;A Paul disposed on the side of the substrate support; 상기 바울의 상면에 배치되어 상기 전극을 지지하는 전극 지지부를 더 포함하는 기판 처리 장치. And an electrode support part disposed on an upper surface of the paul to support the electrode. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 전극 지지부는 그 자체의 높이가 조절가능한 기판 처리 장치.And an electrode support portion whose height is adjustable. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극으로부터 상기 전극 덮개 외부로 돌출되어 상기 전극의 위치를 지시하는 높이 지시부를 더 포함하는 기판 처리 장치.And a height indicator configured to protrude from the electrode to the outside of the electrode cover to indicate a position of the electrode.
KR1020070112777A 2007-11-06 2007-11-06 Apparatus for processing substrate KR100911747B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070112777A KR100911747B1 (en) 2007-11-06 2007-11-06 Apparatus for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070112777A KR100911747B1 (en) 2007-11-06 2007-11-06 Apparatus for processing substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090046556A KR20090046556A (en) 2009-05-11
KR100911747B1 true KR100911747B1 (en) 2009-08-10

Family

ID=40856410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070112777A KR100911747B1 (en) 2007-11-06 2007-11-06 Apparatus for processing substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100911747B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102235365B1 (en) * 2020-02-14 2021-04-02 국방과학연구소 Sparkjet actuator for adjusting position of electrode and control method thereof
WO2023027245A1 (en) * 2021-08-25 2023-03-02 피에스케이 주식회사 Substrate processing device and dielectric plate alignment method

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102568084B1 (en) * 2020-06-02 2023-08-21 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070008317A (en) * 2005-07-13 2007-01-17 삼성전자주식회사 Plasma processing equipment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070008317A (en) * 2005-07-13 2007-01-17 삼성전자주식회사 Plasma processing equipment

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102235365B1 (en) * 2020-02-14 2021-04-02 국방과학연구소 Sparkjet actuator for adjusting position of electrode and control method thereof
WO2023027245A1 (en) * 2021-08-25 2023-03-02 피에스케이 주식회사 Substrate processing device and dielectric plate alignment method
KR20230030214A (en) * 2021-08-25 2023-03-06 피에스케이 주식회사 Apparatus for treating substrate and method for aligning dielectric plate using the same
KR102580584B1 (en) * 2021-08-25 2023-09-21 피에스케이 주식회사 Apparatus for treating substrate and method for aligning dielectric plate using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090046556A (en) 2009-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8568554B2 (en) Movable gas introduction structure and substrate processing apparatus having same
JP3205676U (en) System used during processing of workpiece
US20070111339A1 (en) Apparatus for processing a substrate
KR100911747B1 (en) Apparatus for processing substrate
JP5230225B2 (en) Lid parts, processing gas diffusion supply device, and substrate processing device
KR20100109489A (en) Gas flow path structure and substrate processing apparatus
US9939728B2 (en) Vacuum chamber with a thick aluminum base plate
KR20190129722A (en) Stage and plasma processing apparatus
JP6600990B2 (en) Plasma processing equipment
US20110169346A1 (en) Magnetic Actor and a Method for its Installation
KR100989852B1 (en) Lift pin structure and substrate treating apparatus with it
KR20160064175A (en) Positioning apparatus
KR20130095229A (en) Mass damper for semiconductor wafer handling end effector
TW201800592A (en) Mask frame and vacuum processing device
JP4138858B2 (en) Stage equipment
JP4049168B2 (en) Ion beam irradiation equipment
JP2005235970A (en) Wafer stage
KR101470201B1 (en) lead frame supporting device for An application device of electric component
TWI625072B (en) Scanning electromagnet and method for manufacturing particle beam irradiating apparatus having scanning electromagnet
JP2005019708A (en) Vacuum equipment and electronic beam proximity exposure device
KR20080045348A (en) Tilt & rotation stage for semiconductor production
US20050236915A1 (en) Electromagnetic force actuator
TWI737774B (en) Substrate processing apparatus and the method of substrate processing
JP2009278002A (en) Charged beam lithography system
KR20100064763A (en) Substrate supporting apparatus and substrate processing apparatus having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee