KR100908548B1 - Exposure apparatus and exposure method - Google Patents
Exposure apparatus and exposure method Download PDFInfo
- Publication number
- KR100908548B1 KR100908548B1 KR1020060024663A KR20060024663A KR100908548B1 KR 100908548 B1 KR100908548 B1 KR 100908548B1 KR 1020060024663 A KR1020060024663 A KR 1020060024663A KR 20060024663 A KR20060024663 A KR 20060024663A KR 100908548 B1 KR100908548 B1 KR 100908548B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- exposure
- marking
- stage
- galvano mirror
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/708—Mark formation
Abstract
광원 장치(5)와, 기판(K)을 재치하는 스테이지(3)와, 스테이지에 대하여 등속도로 상대 이동 가능하게 설치되고 또한 스테이지의 상부에 평면에서 보면 상대 이동의 방향(X)에 관해서 현격한 차이로 기울어진 열이 되도록 배치되고 각각 DMD(72)에 의해 형성되는 마킹 표시(72M)를 레이저광에 의해 기판 상에 조사하도록 구성된 복수의 노광 유닛(7)과, 서로 이웃하는 노광 유닛에서의 한 쪽의 노광 유닛의 노광 종료 위치(P0)로부터 다른 쪽의 노광 유닛의 노광 개시 위치(P1)까지의 거리(D1)를 스테이지와 노광 유닛이 상대 이동할 때마다, 기판 상을 최초로 통과하는 노광 유닛(7A)으로부터 기판 상을 마지막으로 통과하는 노광 유닛(7C)을 향하는 순서로, 각 노광 유닛이 기판 상에 조사하는 레이저광을 전환하는 전환 수단(65, 75)을 설치함으로써, 양호한 품질의 노광상을 짧은 택트 시간에 또한 낮은 코스트의 장치 구성으로 실현할 수 있는 노광 장치 및 노광 방법을 제공한다. The light source device 5, the stage 3 on which the substrate K is placed, and the stage 3 are mounted so as to be relatively movable with respect to the stage. A plurality of exposure units 7 arranged so as to be inclined rows with a difference and configured to irradiate the marking marks 72M respectively formed by the DMD 72 on the substrate by laser light, An exposure unit which first passes through the substrate each time the stage and the exposure unit relatively move the distance D1 from the exposure end position P0 of one exposure unit to the exposure start position P1 of the other exposure unit. In order from 7A to the exposure unit 7C which finally passes on the substrate, by providing switching means 65 and 75 for switching the laser light irradiated onto the substrate, each exposure unit is provided with a furnace of good quality. The phase in a short tact time and also provides an exposure apparatus and exposure method capable of realizing a device configuration of low cost.
Description
도 1은 본 발명에 관한 노광 장치의 외관을 도시하는 사시도이다. 1 is a perspective view showing an appearance of an exposure apparatus according to the present invention.
도 2는 레이저광 전환기의 내부 구조를 도시하는 평면도이다. 2 is a plan view showing the internal structure of a laser light converter.
도 3은 마킹용 노광 유닛의 내부 구조를 도시하는 사시도이다. 3 is a perspective view showing an internal structure of a marking exposure unit.
도 4는 디지털 마이크로 미러 디바이스의 외관을 도시하는 사시도이다. 4 is a perspective view showing the appearance of the digital micromirror device.
도 5는 마킹용 노광 유닛에서의 갈바노 미러의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a view for explaining the operation of the galvano mirror in the exposure unit for marking.
도 6은 디지털 마이크로 미러 디바이스의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 6 is a diagram for explaining the operation of the digital micromirror device.
도 7은 마킹용 노광 유닛의 배치를 도시하는 평면 개략도이다. 7 is a plan schematic diagram showing the arrangement of an exposure unit for marking.
도 8은 마킹 노광의 동작을 시계열적으로 설명하기 위한 평면 개략도이다. 8 is a plan schematic diagram for explaining the operation of marking exposure in time series.
도 9는 마킹 노광의 동작을 시계열적으로 설명하기 위한 평면 개략도이다. 9 is a schematic plan view for explaining the operation of marking exposure in time series.
도 10은 각 노광 유닛으로부터 출력되는 레이저광의 온 오프 상태를 도시하는 타임 차트이다. 10 is a time chart showing an on-off state of laser light output from each exposure unit.
도 11은 종래의 노광 방법을 설명하기 위한 평면 개략도이다. 11 is a plan view schematically illustrating a conventional exposure method.
본 발명은, 포토레지스트 도포 기판 상에 레이저광에 의해 노광을 행하는 노광 장치 및 노광 방법에 관한 것이다. 특히, 마스크를 설치하지 않고 노광을 행하는, 이른바 마스크리스 노광 장치 및 노광 방법에 관한 것이다. This invention relates to the exposure apparatus and exposure method which perform exposure by a laser beam on a photoresist coating substrate. In particular, it is related with what is called a maskless exposure apparatus and exposure method which perform exposure, without providing a mask.
액정 패널 제조 공정 및 반도체 제조 공정 중 하나로 노광 공정이 있다. 예를 들어 액정 패널 제조의 노광 공정에서는, 포토레지스트가 도포된 유리 기판에, 패턴 노광, 마킹 노광 및 주변 노광 등을 행한다. 패턴 노광에서는, 패턴 노광 장치에 의해 회로 패턴을 노광한다. 마킹 노광에서는, 식별 노광 장치에 의해 이력 관리나 품질 관리 등을 위한 기판 식별 코드나 패널 식별 코드 등을 노광한다. 주변 노광에서는, 주변 노광 장치에 의해 기판 주변부의 불필요한 레지스트 부분을 노광한다. 이들 각 노광이 종료한 후, 현상 장치에 의해 현상 처리하는 현상 공정으로 유리 기판을 반출한다. 종래, 마킹 노광을 행하는 방법 및 장치의 발명으로서, 본 출원인은 예컨대 일본국 특허 제3547418호 공보에 기재된 발명을 제창하였다. One of the liquid crystal panel manufacturing process and the semiconductor manufacturing process is an exposure process. For example, in the exposure process of liquid crystal panel manufacture, pattern exposure, marking exposure, peripheral exposure, etc. are performed to the glass substrate on which the photoresist was apply | coated. In pattern exposure, a circuit pattern is exposed by a pattern exposure apparatus. In marking exposure, the board | substrate identification code, panel identification code, etc. for history management, quality control, etc. are exposed by an identification exposure apparatus. In the peripheral exposure, an unnecessary resist portion of the substrate peripheral portion is exposed by the peripheral exposure apparatus. After each of these exposures is completed, the glass substrate is carried out by the developing step of developing by the developing apparatus. Conventionally, as an invention of a method and apparatus for performing marking exposure, the present applicant has proposed the invention described in, for example, Japanese Patent No. 3547418.
상술한 종래의 발명에서는, 도 11a에 도시하는 바와 같이, X방향으로 주행하는 스테이지(31) 상의 유리 기판 상에 마킹 노광을 행할 때에, 광원(32)으로부터 발하는 레이저광(33)을 빔 스플리터 등의 분기 수단(34)에 의해 복수로 분기하고, 분기된 레이저광(33)을 조사 장치(35)를 이용하여 조사함으로써 노광하고 있었다. 그러므로, 마킹상(36)을 형성하는 개소를 늘리기 위해서 레이저광(33)의 조사 수를 늘리는 경우에는, 분기 수를 늘리게 되어, 레이저광(33) 1개당 강도가 약해진다. 이 때문에, 광원(32)의 출력을 큰 것으로 하거나, 광원(32)의 수를 늘릴 필요가 있어, 장치 코스트가 높아진다는 문제가 있었다. In the above-described conventional invention, as shown in FIG. 11A, the
광원(32)의 출력이나 수를 늘리지 않고, 한층 더 많은 마킹 개소에 노광하는 것을 실현하는 방법으로서, 예를 들어 도 11b와 같은 방법이 생각된다. 즉, 광원(32)과 각 조사 장치(35)를 광섬유 케이블(41)로 접속하고, 각 조사 장치(35)에 공급하는 레이저광을 전환기(42)를 이용하여 순차 시계열적으로 전환하는 방법이다. As a method of realizing exposing to more marking places without increasing the output and the number of the
그런데, 이 방법을 이용한 경우에는, 각 조사 장치(35)로부터 레이저광이 출력되는 타이밍에 어긋남이 생기기 때문에, 스테이지(31)를 주행시킨 상태라면, 유리 기판 상에 형성되는 마킹상(36)은, Y방향에 일렬로 나열되지 않고, 비스듬하게 나열되어 버린다. 그래서, 각 조사 장치(35)로부터 레이저광이 조사될 때마다 스테이지(31)를 정지시킴으로써, 이러한 문제를 없앨 수 있으나, 택트 시간이 길어진다는 다른 문제가 발생한다. By the way, when this method is used, since the shift | offset | difference arises in the timing which a laser beam is output from each
또한, 상술한 종래의 발명에서는, 레이저광을 Y방향에 주사시켜 도트 단위로 마킹상의 노광을 행하였기 때문에, 노광 위치에 편차가 생겨, 깨끗한 마킹상을 형성할 수 없는 경우가 있었다. In addition, in the above-mentioned conventional invention, since the laser beam was scanned in the Y direction and the exposure of the marking image was performed in units of dots, a deviation occurred at the exposure position, whereby a clean marking image could not be formed.
본 발명은, 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것으로서, 양호한 품질의 노광상을 짧은 택트 시간에 또한 낮은 코스트의 장치 구성으로 실현할 수 있는 노광 장치 및 노광 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. This invention is made | formed in view of such a problem, and makes it a subject to provide the exposure apparatus and exposure method which can implement | achieve a favorable quality exposure image with a short tact time, and a low cost apparatus structure.
상술한 과제를 해결하기 위해서, 형태 1의 노광 장치는, 도 7에 도시하는 바와 같이, 노광용 레이저광을 생성하는 광원 장치(5)와, 피노광 기판(K)을 재치하기 위한 스테이지(3)와, 상기 스테이지(3)에 대하여 등속도로 상대 이동 가능하게 설치되는 동시에 상기 스테이지(3)의 상부에 평면에서 보면 상기 상대 이동의 방향(X)에 관해서 현격한 차이로 기울어진 열이 되도록 배치되어 각각 디지털 마이크로 미러 디바이스(72)에 의해 형성되는 마킹 표시(72M)를 상기 레이저광에 의해 상기 피노광 기판(K) 상에 조사하도록 구성된 복수의 마킹용 노광 유닛(7)과, 서로 이웃하는 마킹용 노광 유닛(7A, 7B)에서의 한 쪽의 마킹용 노광 유닛(7A)의 노광 종료 위치(P1)로부터 다른 쪽의 마킹용 노광 유닛(7B)의 노광 개시 위치(P2)까지의 거리(D1)를 상기 스테이지(3)와 상기 복수의 마킹용 노광 유닛(7)이 상대 이동할 때마다, 상기 피노광 기판(K) 상을 최초로 통과하는 마킹용 노광 유닛(7A)으로부터 상기 피노광 기판(K) 상을 마지막으로 통과하는 마킹용 노광 유닛(7C)을 향하는 순서로, 각 마킹용 노광 유닛(7A∼7C)이 상기 피노광 기판(K) 상에 조사하는 레이저광을 전환하는 전환 수단(65, 75)을 구비하는 것을 특징으로 한다. In order to solve the above-mentioned problem, the exposure apparatus of the
형태 2의 노광 장치는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 제1 갈바노 미러(74)와 이 갈바노 미러(74)를 구동하는 제1 갈바노 미러 구동 수단(75)을 가지고, 상기 제1 갈바노 미러(74)는, 상기 디지털 마이크로 미러 디바이스(72)에 형성되는 마킹 표시(72M)를 상기 피노광 기판(K) 상에 마킹상(MZ)으로서 투영 가능한 배치가 되고, 상기 제1 갈바노 미러 구동 수단(75)은, 상기 마킹상(MZ)이 상기 상대 이동의 방향(X)으로 이동하도록 상기 제1 갈바노 미러(74)를 구동한다. The exposure apparatus of the
형태 3의 노광 장치에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 상기 제1 갈바노 미러 구동 수단(75)은, 상기 마킹상(MZ)이 상기 상대 이동의 방향(X)으로 이 상대 이 동의 속도와 같은 속도로 이동하도록 상기 제1 갈바노 미러(74)를 구동한다. In the exposure apparatus of the
형태 4의 노광 장치에서는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 상기 디지털 마이크로 미러 디바이스(72)는 상기 마킹상(MZ)이 상기 상대 이동의 방향(X)으로 이 상대 이동의 속도와 같은 속도로 이동하도록 상기 마킹 표시(72M)를 전환하여 표시한다. In the exposure apparatus of
형태 5의 노광 장치는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 제2 갈바노 미러(74Y)와 이 제2 갈바노 미러(74Y)를 구동하는 제2 갈바노 미러(75Y)을 가지고, 상기 제2 갈바노 미러 구동 수단(75Y)는 상기 마킹상(MZ)이 상기 상대 이동의 방향(X)과 직교하는 방향(Y)으로 이동하도록 상기 제2 갈바노 미러(74Y)를 구동한다. The exposure apparatus of the
형태 6의 노광 장치는, 상기 스테이지(3)에 대하여 등속도로 상대 이동 가능하게 설치되는 동시에 상기 스테이지(3)의 상부에 설치된 주변 노광용 노광 유닛(9)을 구비한다. The exposure apparatus of the
형태 7의 노광 방법은, 광원 장치(5)에 의해 노광용 레이저광을 생성하고, 스테이지(3) 상에 피노광 기판(K)을 재치하고, 복수의 마킹용 노광 유닛(7)을 상기 스테이지(3)에 대하여 등속도로 상대 이동 가능하게 설치하는 동시에 상기 스테이지(3)의 상부에 평면에서 보면 상기 상대 이동의 방향(X)에 관해서 현격한 차이로 기울어진 열이 되도록 배치하고, 각각의 마킹용 노광 유닛(7)에서의 디지털 마이크로 미러 디바이스(72)에 의해 형성되는 마킹 표시(72M)를, 서로 이웃하는 마킹용 노광 유닛(7)에서의 한 쪽의 마킹용 노광 유닛(7A)의 노광 종료 위치(P1)로부터 다른 쪽의 마킹용 노광 유닛(7B)의 노광 개시 위치(P2)까지의 거리(D1)를 상기 스테이지(3)와 상기 복수의 마킹용 노광 유닛(7)이 상대 이동할 때마다, 상기 피노광 기판(K) 상을 최초로 통과하는 마킹용 노광 유닛(7A)으로부터 상기 피노광 기판(K) 상을 마지막으로 통과하는 마킹용 노광 유닛(7C)을 향하는 순서로, 각 마킹용 노광 유닛(7)이 상기 피노광 기판(K) 상에 조사하는 레이저광을 전환함으로써, 상기 피노광 기판(K) 상에 인도된다. The exposure method of the form 7 produces | generates the exposure laser beam by the
형태 8의 노광 방법은, 상기 디지털 마이크로 미러 디바이스(72)에 형성되는 마킹 표시(72M)를 상기 피노광 기판(K) 상에 마킹상(MZ)으로서 갈바노 미러(74)에 의해 인도하고, 상기 마킹상(MZ)이 상기 상대 이동의 방향(X)으로 이동하도록 상기 갈바노 미러(74)를 구동한다. The exposure method of the
형태 9의 노광 방법은, 상기 마킹상(MZ)이 상기 상대 이동의 방향(X)으로 이 상대 이동의 속도와 같은 속도로 이동하도록 상기 제1 갈바노 미러(74)를 구동한다. The exposure method of the form 9 drives the said
형태 10의 노광 방법은, 상기 디지털 마이크로 미러 디바이스(72)가, 상기 마킹상(MZ)이 상기 상대 이동의 방향(X)으로 이 상대 이동의 속도와 같은 속도로 이동하도록 상기 마킹 표시(72M)를 전환하여 표시시킨다. In the exposure method of the
형태 11의 노광 방법은, 상기 마킹상(MZ)이 상기 상대 이동의 방향(X)과 직교하는 방향(Y)으로 이동하도록 상기 제2 갈바노 미러(74Y)를 구동한다. The exposure method of the
형태 12의 노광 방법은, 상기 스테이지(3)에 대하여 등속도로 상대 이동 가능하게 설치되는 동시에 상기 스테이지(3)의 상부에 설치된 주변 노광용 노광 유닛(9)에 의해, 상기 피노광 기판(K)에 주변 노광을 행한다. The exposure method of the form 12 is provided to the said to-be-exposed board | substrate K by the exposure unit 9 for periphery exposure provided at the same speed with respect to the said
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 관해서 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings.
도 1은 본 발명에 관한 노광 장치(1)의 외관을 도시하는 사시도, 도 2는 레이저광 전환기(6)의 내부 구조를 도시하는 평면도, 도 3은 마킹용 노광 유닛(7)의 내부 구조를 도시하는 사시도, 도 4는 디지털 마이크로 미러 디바이스(72)의 외관을 도시하는 사시도, 도 5는 마킹용 노광 유닛(7)에서의 갈바노 미러(74)의 동작을 설명하기 위한 도면, 도 6은 디지털 마이크로 미러 디바이스(72)의 동작을 설명하기 위한 도면, 도 7은 마킹용 노광 유닛(7)의 배치를 도시하는 평면 개략도이다. 1 is a perspective view showing the appearance of an
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 발명에 관한 노광 장치(1)는, 기대(2), 스테이지(3), 노광 유닛 장착대(4), 제1 광원 장치(5), 레이저광 전환기(6), 마킹용 노광 유닛(7), 제2 광원 장치(8), 주변 노광용 노광 유닛(9) 및 제어 장치(10)를 구비한다. 노광 장치(1)의 상류 측 및 하류 측에는, 유리 기판(K)을 반입 및 반출하는 수단으로서 이동 로봇(비 도시)이나 컨베이어(비 도시)가 설치된다. 노광 장치(1)는, 상류 측으로부터 반입되어 스테이지(3) 상에 재치된 유리 기판(K)에 마킹 노광을 행하는 동시에 주변 노광을 행하여 하류 측에 반출한다. 또, 상류 측이란 도 1에서의 앞쪽 측이고, 하류 측이란 동 도면에서의 안쪽 측이다. As shown in FIG. 1, the
기대(2)는, 본 노광 장치(1)의 각 구성부를 지지하는 대좌로서 기능하고, 그 표면 중앙의 위에 리니어 모터(21)가 X방향을 따라서 설치된다. The
스테이지(3)는, 가장 상류 측의 기판 수취 위치와, 가장 하류 측의 기판 송출 위치의 사이에서, 리니어 모터(21)의 구동에 의해 기대(2) 상을 등속도(V)로 X방향으로 주행 가능하다. 또한, 도시하지 않는 회전 구동 기구에 의해, 수직축 주 위의 회전 동작도 가능하다. 스테이지(3)의 표면에는, 유리 기판(K)을 흡착유지하기 위한 다수의 흡착 구멍(비 도시)이 천설되는 동시에, 유리 기판(K)의 반입 및 반출 시에 이 유리 기판(X)을 승강시키기 위한 리프트 핀(비 도시)이 출몰 가능하게 설치된다. 또한, 반입되는 유리 기판(K)의 표면에는 포토레지스트가 도포되어 있다. The
노광 유닛 장착대(4)는, 스테이지(3)를 넘어가듯이 하여 설치되고, 그 상면에는 제1 광원 장치(5), 제2 광원 장치(8) 및 레이저광 전환기(6)가 장착된다. 그 상류 측의 단면(端面)에는 고정 부재(71)를 통하여 마킹 노광용 노광 유닛(7)이 합계 3대 장착된다. 또한, 하류 측의 단면에는 주변 노광용 노광 유닛(9)이 합계 3대 장착된다. The exposure unit mounting table 4 is provided so as to pass the
제1 광원 장치(5)는, 통전에 의해 레이저광을 생성하는 레이저 다이오드(비 도시)를 구비하고, 광섬유 케이블(51)에 의해 레이저광 전환기(6)에 접속된다. 제2 광원 장치(8)는, 제1 광원 장치(5)와 마찬가지로, 통전에 의해 레이저광을 생성하는 레이저 다이오드(비 도시)를 구비하고, 광섬유 케이블(81)에 의해 주변 노광용의 각 노광 유닛(9)에 접속된다. The 1st
레이저광 전환기(6)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 렌즈계(61A∼61D), 갈바노 미러(64) 및 구동 모터(65)를 구비한다. 렌즈계(61D)는, 제1 광원 장치(5)로부터의 레이저광을 갈바노 미러(64)에 인도하는 것과 같은 배치가 된다. 갈바노 미러(64)는, 구동 모터(65)에 의해 도면 중 시계 회전 방향 및 반시계 회전 방향으로 회동 가능하게 축 지지되고, 4개의 각도 위치(θ0∼θ3)로 전환하여 배치 가능하게 된다. 각도 위치(θo)는 기준이 되는 대기 위치이다. 렌즈계(61A∼61C)는, 각 각도 위치(θ1∼θ3)에 배치된 갈바노 미러(64)에 의해 편향되는 레이저광을 각각 수광할 수 있는 것과 같은 배치가 된다. As shown in FIG. 2, the
마킹용의 각 노광 유닛(7A∼7C)은, 광섬유 케이블(66A∼66C)에 의해서 레이저광 전환기(6)에서의 각각의 렌즈계(61A∼61C)와 접속된다. 그리고 X방향 및 Y방향의 각각을 따라서 등간격이 되는 배치가 된다. 이것을 평면에서 보면, 도 7에 도시하는 바와 같이, X방향에 관해서 현격한 차이로 기울어진 열을 나타낸다. 서로 이웃하는 노광 유닛(7A, 7B) 및 (7B, 7C)는, 노광 종료 위치(P1)로부터 노광 개시 위치(P2)까지가 거리(D1)를 가지는 것과 같은 배치로 되어 있다. 또한, 각 노광 유닛(7A∼7C)은, 서로 이웃하는 노광 유닛끼리 부딪히지 않는 범위에서 Y방향으로 각각 독립하여 이동 가능하게 설치된다. 이에 따라, Y방향에 관한 노광 위치에 융통성을 가지게 할 수 있다. Each
각 노광 유닛(7)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 반사 미러(71a, 71b), 디지털 마이크로 미러 디바이스(이하, 간단히 DMD라고 표기한다)(72), 집광 렌즈(73), 갈바노 미러(74), 구동 모터(75) 및 Fθ렌즈(76)를 구비하고, DMD(72)에 의해 형성되는 마킹 표시(72M)를 레이저광에 의해 유리 기판(K) 상으로 인도하도록 구성된다. As shown in FIG. 3, each of the exposure units 7 includes
DMD란, 도 4, 6에 도시하는 바와 같이, 실리콘 유리 기판 상에 격자 형상으 로 다수(예컨대 1024×768개) 배열된 각각 14㎛×14㎛라는 미소한 마이크로 미러(721)를, 그 반사 각도를 전기적으로 제어함으로써 화상을 표시하도록 구성한 소자이다. 온 상태에서는 이 마이크로 미러(721)에의 입사광이 반사하는 각도가 되고, 오프 상태에서는 반사하지 않는 각도로 되어 있다. 예를 들어 마킹해야 하는 문자가 「G」인 경우에는, 반사면이 「G」자형을 나타내도록 마이크로 미러(721)의 각도가 변경된다. 앞 단락에서 서술한 마킹 표시(72M)는, 이 때에 표시면에 형성되는 화상이다. As shown in FIGS. 4 and 6, the DMD reflects the
갈바노 미러(74)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 레이저광의 조사에 의한 마킹 표시(72M)가 유리 기판(K)에 비친 상인 마킹상(MZ)이 X방향으로 이동 가능해지도록 구동 가능하게 설치된다. 또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 구동 모터(75Y)에 의해 제2 갈바노 미러(74Y)를, 마킹상(MZ)이 Y방향으로도 이동 가능해지도록 W2방향으로 구동 가능하게 설치함으로써, 마킹용 노광 유닛(71) 1대당의 Y방향에 관한 노광 범위를 넓힐 수 있다. As shown in FIG. 3, the
제어 장치(10)는, 미리 설치된 프로그램이나 오퍼레이터에 의한 입력 조작에 기초하여, 노광 장치(1)에서의 이상에 기재한 각 기기의 동작 제어를 행한다. The
다음으로, 도 8 내지 도 10도 참조하여, 이상과 같이 구성된 노광 장치(1)의 동작에 관해서 설명한다. Next, with reference to FIGS. 8-10, the operation | movement of the
도 8 및 도 9는 마킹 노광의 동작을 시계열적으로 설명하기 위한 평면 개략도, 도 10은 각 노광 유닛(7)으로부터 출력되는 레이저광의 온 오프 상태를 도시하 는 타임 차트이다. 또, 노광 유닛(7A∼7C)의 각 구성 요소에 대해서는, 모두 동일하기 때문에, 공통 부호로 표기하지만, 설명 상 다른 것과 구별하는 편이 알기 쉬운 경우에는, 예를 들어 「74A」「74B」와 같이 말미에 알파벳을 붙여 기술한다.8 and 9 are planar schematic diagrams for explaining the operation of marking exposure in time series, and FIG. 10 is a time chart showing an on-off state of laser light output from each exposure unit 7. In addition, since each component of
도 8a에서, 기판 수취 위치에 대기한 스테이지(3)는, 상류 측에 배치된 로봇(비 도시)으로부터 유리 기판(K)을 수취하고, 해당 유리 기판(K)을 스테이지(3)의 표면상에 흡착 유지한다. 이 때, 레이저광 전환기(6)에서의 갈바노 미러(64)는, 대기 위치인 각도 위치(θo)에 있다. 그 후, 유리 기판(K)을 흡착 유지한 상태로 스테이지(3)는 X1방향으로 등속도(V)로 주행하는 동시에, 갈바노 미러(64)는 구동 모터(65)에 의해 회동 구동되어 각도 위치(θo)로부터 각도 위치(θ1)가 된다. 이에 의해, 도 2에 도시하는 바와 같이, 렌즈계(61D)를 통과한 제1 광원 장치(5)로부터 나온 레이저광은, 갈바노 미러(64)의 표면에서 반사되어 렌즈계(61A)를 향한다. 그리고 렌즈계(61A)를 통과한 후, 광섬유 케이블(66A)을 통해 노광 유닛(7A)에 공급된다. In FIG. 8A, the
노광 유닛(7A)에서, 레이저광 전환기(6)로부터 공급된 레이저광은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 반사 미러(71a)의 반사면에서 반사된 후, DMD(72)에서의 표시면에 조사된다. 이 표시면에서는, 유리 기판(K)에 마킹해야 하는 원하는 문자나 기호에 따른 반사 형태를 가지게 하도록, 복수의 마이크로 미러(721)가 온 오프 제어되어 있다. 표시면에서 반사된 레이저광은, 반사 미러(71b)에서 반사되어, 집광 렌즈(73)로 집광된 후, 갈바노 미러(74A)를 향한다. In the
노광 유닛(7A)의 갈바노 미러(74A)는, 도 10에 도시하는 바와 같이, 레이저광 전환기(6)에서의 갈바노 미러(64)가 각도 위치(θ1)의 위치가 된 후에 온이 된다. 온이 된 갈바노 미러(74A)는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 구동 모터(75)에 의해 t2초동안만 W1방향으로 등각속도로 회동한다. t2초간이라는 시간은, 레이저광을 조사하는 시간이고, 스테이지(3)가 마킹상(MZ)의 X방향 거리(D2)를 이동하는 데 요하는 시간과 같다. As shown in FIG. 10, the
갈바노 미러(74A)에 의해 진행 방향이 변화한 레이저광은, Fθ렌즈(76)로 수속된 후, 도 8b에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(K)의 표면을 향하여 조사된다. 그리고 유리 기판(K)의 표면에 도포된 레지스트막에 DMD(72)로 형성한 마킹 표시(72M)의 노광이 행하여진다. 갈바노 미러(74A)가 W1방향으로 등각속도로 회동함으로써, 유리 기판(K) 상에 인도되는 마킹상(MZ)은 X1방향으로 등속도로 이동한다. 여기서, 갈바노 미러(74A)는, 마킹상(MZ)이 X1방향으로 이동하는 속도와, 스테이지(3)의 주행 속도(V)가 동일해지도록 회동한다. 이에 의해, 노광 유닛(7A)으로부터 유리 기판(K)에 조사되는 레이저광은 스테이지(3)와 동기한다. 즉 이 레이저광과 스테이지(3)의 상대 속도는 제로가 된다. 이 때문에, 스테이지(3)와 레이저광의 상대 속도의 어긋남으로부터 발생할 수 있는 마킹상(MZ)의 신장이나 번짐을 방지할 수 있다. The laser beam whose advancing direction is changed by the
또, 갈바노 미러(74A)를 구동하는 대신에, 도 6에 도시하는 바와 같이, DMD(72)에 형성되는 마킹 표시(72M)를, 유리 기판(K) 상에 인도되는 마킹상(MZ)이 X1방향으로 등속도(V)로 이동하도록, 이른바 「흘림 표시」하는 것에 의해서도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 「흘림 표시」란, 각 마이크로 미러(721)의 온 오프를 소정 방향을 향하여 등속도로 순차 시프트시킴으로써, 표시면 상의 마킹 표시(72M)를, 형태를 바꾸지 않고서 송출하여 표시시키는 것이다. 「흘림 표시」를 함으로써, DMD(72)에서의 마이크로 미러(721)가 1매 정도 파손되어 있어도, 다른 마이크로 미러가 이것을 보완하므로 노광 상태에 지장을 초래하지 않는다. In addition, instead of driving the
도 8c에 도시하는 바와 같이, 노광 유닛(7A)에 의한 마킹 노광이 종료하면, 노광 유닛(7A)의 갈바노 미러(74A)는 오프가 되어 반전하여 원래의 각도 위치로 되돌아간다. 한편, 레이저광 전환기(6)의 갈바노 미러(64)는, 노광 유닛(7A)의 갈바노 미러(74A)가 오프하면서 동시에 구동 모터(64)에 의해 각도 위치(θ1)로부터 W0방향으로 회동을 개시하여 각도 위치(θ2)가 된다. 각도 위치(θ2)가 됨으로써, 제1 전원 장치(5)로부터 광섬유 케이블(51)을 통하여 공급된 레이저광은, 렌즈계(61D)를 통과한 후, 갈바노 미러(64)의 표면에서 반사하여 렌즈계(61B)를 향한다. 그리고 렌즈계(61B)를 통과한 후, 광섬유 케이블(66B)를 통해 노광 유닛(7B)에 공급된다. As shown in FIG. 8C, when the marking exposure by the
노광 유닛(7B)의 갈바노 미러(74B)는, 도 10에 도시하는 바와 같이, 노광 유닛(7A)의 갈바노 미러(74A)가 오프가 된 후 t1초 후에 온이 되어, 구동 모터(75B)에 의해 W1방향으로 등각속도로 회동한다. 여기서 t1초라는 시간은, 도 7이나 도 8d에 도시하는 바와 같이, 노광 유닛(7A)의 노광 종료 위치(P1)로부터 노광 유닛(7B)의 노광 개시 위치(P2)까지의 거리(D1)를 스테이지(3)가 주행하는 데 요하는 시간이다. 즉, t1=D1/V 이다. As shown in FIG. 10, the
도 9e에 도시하는 바와 같이, 노광 유닛(7B)에 의한 마킹 노광이 종료되면, 노광 유닛(7B)의 갈바노 미러(74B)는 오프가 되어 반전하여 원래의 각도 위치로 되돌아간다. 한편, 레이저광 전환기(6)의 갈바노 미러(64)는, 노광 유닛(7B)의 갈바노 미러(74B)가 오프하면 동시에 구동 모터(65)에 의해 각도 위치(θ2)로부터 W0방향으로 회동을 개시하여 각도 위치(θ3)가 된다. 각도 위치(θ3)가 됨으로써, 제1 전원 장치(5)로부터 광섬유 케이블(51)을 통해 공급된 레이저광은, 렌즈계(61D)를 통과한 후, 갈바노 미러(64)의 표면에서 반사되어 렌즈계(61C)를 향한다. 그리고 렌즈계(61C)를 통과한 후, 광섬유 케이블(66C)를 통해 노광 유닛(7C)에 공급된다. 노광 유닛(7C)의 갈바노 미러(74C)는, 도 10에 도시하는 바와 같이, 노광 유닛(7B)의 갈바노 미러(74B)가 오프가 된 후 t1초 후에 온이 되고, 구동 모터(75C)에 의해 W1방향으로 등각속도로 회동한다. As shown in FIG. 9E, when the marking exposure by the
이와 같이, 노광 장치(1)에서는, 서로 이웃하는 노광 유닛(7A, 7B)에서의 한 쪽의 노광 유닛(7A)의 노광 종료 위치(P1)로부터 다른 쪽의 노광 유닛(7B)의 노광 개시 위치(P2)까지의 거리(D1)를 스테이지(3)의 주행이 끝났을 때에, 다른 쪽의 노광 유닛(7B)으로부터 레이저광을 조사한다. 서로 이웃하는 노광 유닛(7)은, 노광 종료 위치(P1)로부터 노광 개시 위치(P2)까지가 거리(D1)를 갖는 것과 같은 배치로 되어 있기 때문에, 한쪽의 노광 유닛(7A)에 의해서 형성된 마킹상(MZA)과, 다른 쪽의 노광 유닛(7B)에 의해서 형성된 마킹상(MZB)은, Y방향으로 일렬이 된다. 각 노광 유닛으로부터 조사되는 레이저광은 시계열적으로 전환되므로, 레이저광의 조사 수를 늘린 경우에도, 광원의 출력을 크게 하거나, 광원의 수를 늘릴 필요가 없어 장치의 저코스트화를 도모할 수 있다. Thus, in the
또한, DMD(72)을 이용하여 면 단위의 마킹 표시(72M)를 노광하므로, 종래와 같이 도트 단위로 노광하는 경우와 달리, 노광 위치에 편차가 생기는 일이 없어, 깨끗한 마킹상(MZ)을 형성할 수 있다. 또한, 레이저광과 스테이지(3)의 상대 속도가 제로가 되기 때문에, 스테이지(3)와 레이저광의 상대 속도의 어긋남으로부터 발생할 수 있는 마킹상(MZ)의 신장이나 번짐을 방지할 수 있어, 깨끗한 마킹상(MZ)을 형성할 수 있다. 갈바노 미러(74F)는, 마킹상(MZ)이 Y방향으로도 이동 가능해지도록 구동 가능하게 설치되므로, 마킹용 노광 유닛(71) 1대당의 Y방향에 관한 노광 범위를 넓힐 수 있다. In addition, since the marking
스테이지(3)의 X1방향으로의 주행에 따라, 이상의 동작을 복수 회 반복함으로써, 도 9h에 도시하는 바와 같이, Y방향으로 일렬이 되어 나열한 마킹상(MZA∼MZC)을 2차원적으로 형성할 수 있다. , By repeating the above operation a plurality of times as the
또한 노광 장치(1)에서는, 마킹 노광의 동작과 동시에 주변 노광의 동작도 행한다. 주변 노광이란, 패턴 노광이나 마킹 노광과는 별도로 유리 기판(K)의 주변부를 노광하여, 불필요한 레지스트를 제거하는 처리이다. 예를 들어, 유리 기판 (K)의 주변부 전체 둘레를 일정 폭으로 둘레 형상으로 노광하는 전체 둘레 노광이나, 웨이퍼 유지용 손톱이 접촉하는 개소만을 선택적으로 노광하는 부분 노광이 있다. 이 처리 후에, 현상 공정을 거쳐 이물 발생의 원인이 되는 불필요 레지스트를 제거한다. In the
노광 장치(1)에서, 주변 노광은 예를 들어 다음과 같이 행한다. 즉, 마킹 노광 동작 중에, 스테이지(3)가 상류 측으로부터 하류 측을 향하여 등속도(V)로 주행을 개시하는 동시에, 주변 노광용 노광 유닛(9A, 9C)이 온이 되어, 제2 광원 장치(8)로부터 공급된 레이저광이 유리 기판(K)에서의 Y방향에 관한 양 단부를 향하여 조사된다. 스테이지(3)가 X1방향으로 주행함으로써, 유리 기판(K)에서의 X방향에 평행한 양 주변부에 노광이 행하여진다. 이와 같이, 마킹 노광과 동시에 주변 노광을 행하므로, 택트 시간의 단축화를 도모할 수 있다. In the
또, 이 유리 기판(K)에서의 나머지의 양 주변부에도 노광을 행하고자 하는 경우에는, 스테이지(3)를 회전 구동 기구에 의해 하류 측에서 수직축 주위로 90도 회전시킨 후, 주행 방향을 반전시켜 X2방향으로 등속도(-V)로 주행시킨다. 이에 의해, 나머지의 양 주변부에도 노광이 행하여진다. In addition, in the case where exposure is to be applied to both remaining peripheral portions of the glass substrate K, the driving direction is reversed after the
또한, 이 유리 기판(K)의 중앙선 부근도 일직선 형상으로 노광하고자 하는 경우에는, 중앙의 노광 유닛(9B)으로부터도 레이저광을 조사하여 위와 동일하게 하여 노광한다. In addition, when it is going to expose even the center line vicinity of this glass substrate K in a straight line shape, it irradiates a laser beam also from the
이상, 본 발명의 실시형태에 관해서 설명을 행하였지만, 위에 개시한 실시형태는, 어디까지나 예시로서, 본 발명의 범위는 이들 실시형태에 한정되는 것이 아 니다. 본 발명의 범위는, 특허청구의 범위의 기재에 의해서 표시되고, 또한 특허청구의 범위와 균등의 의미 및 범위 내에서의 모든 변경을 포함하는 것이 의도된다. As mentioned above, although embodiment of this invention was described, embodiment mentioned above is an illustration to the last and the scope of this invention is not limited to these embodiment. The scope of the present invention is indicated by the description of the claims, and is intended to include the meanings of the claims and their equivalents and all modifications within the scope.
예를 들어, 특허청구의 범위에서의 「복수의 마킹용 노광 유닛」은, 위에 개시한 실시형태에서는, 각 마킹용 노광 유닛이 하나하나 독립된 케이싱이고, 그 안에 다양한 광학적 기구 요소를 수납한 것으로 하였지만, 반드시 케이싱이 하나하나 독립되어 있지 않아도 된다. 즉, 케이싱이 독립되어 있지 않아도 동일한 기능을 구비하는 구성, 예를 들어, 위와 동일한 각종 광학적 기구 요소를 1개의 케이싱 내에 복수 단 수납하고 있는 구성이어도, 본 발명의 범위 안이다. For example, the "plural marking exposure unit" in the claims claims that each of the marking exposure units is an independent casing, and various optical mechanism elements are stored therein. The casing does not have to be independent of each other. That is, even if a casing is not independent, even if it is the structure which has the same function, for example, the structure which accommodates multiple optical mechanism elements similar to the above in one casing, it is in the scope of the present invention.
또한, 위에 개시한 실시형태에서는, 마킹용 노광 유닛(7) 및 주변 노광용 노광 유닛(9)을 각각 3대의 배치로 하여 나타내었으나, 2대 또는 4대 이상의 배치로 하여도 된다. 또한, 이들 노광 유닛(7, 9)을 고정한 채로 스테이지(3)를 주행시키는 형태를 나타내었으나, 스테이지(3)를 고정해두고 노광 유닛(7, 9)을 주행시키는 형태, 또는 스테이지(3)와 노광 유닛(7, 9)의 양쪽을 주행시키는 형태로 하여도 된다. In addition, in embodiment mentioned above, although the marking exposure unit 7 and the peripheral exposure exposure unit 9 were shown by three arrangement | positioning, respectively, you may make two or four or more arrangement | positioning. In addition, although the form which drives the
형태 1, 7의 발명에 의하면, 서로 이웃하는 노광 유닛(7A, 7B)에서의 한 쪽의 노광 유닛(7A)의 노광 종료 위치(P1)로부터 다른 쪽의 노광 유닛(7B)의 노광 개시 위치(P2)까지의 거리(D1)를 스테이지(3)가 다 주행하였을 때에, 다른 쪽의 노광 유닛(7B)으로부터 레이저광을 조사한다. 서로 이웃하는 노광 유닛(7A, 7B)은, 노 광 종료 위치(P1)로부터 노광 개시 위치(P2)까지가 거리(D1)를 가지는 것과 같은 배치로 되어 있기 때문에, 한 쪽의 노광 유닛(7A)에 의해서 형성되는 마킹상(MZA)과, 다른 쪽의 노광 유닛(7B)에 의해서 형성되는 마킹상(MZB)은, Y방향으로 1열이 되도록 형성된다. 각 노광 유닛(7)으로부터 조사되는 레이저광은 시계열적으로 전환된다. 따라서, 레이저광의 조사 수를 늘린 경우에도, 광원 장치(5)의 출력을 큰 것으로 하거나, 광원 장치(5)의 수를 늘릴 필요가 없어 장치의 저코스트화를 도모할 수 있다. 또한, DMD(72)을 이용하여 면 단위의 마킹 표시(72M)를 노광하므로, 종래와 같이 도트 단위로 노광하는 경우와 달리, 노광 위치에 편차가 발생하는 일이 없어, 깨끗한 마킹상을 형성할 수 있다. 그리고 상기 상대 이동을 정지하지 않고 노광을 행할 수 있다. 이와 같이, 양호한 품질의 노광상을 짧은 택트 시간에 또한 낮은 코스트의 장치 구성으로 실현할 수 있다. According to the invention of the
형태 2, 8의 발명에 의하면, 레이저광과 스테이지(3)의 상대 속도의 차가 작아지기 때문에, 스테이지(3)와 레이저광의 상대 속도의 어긋남으로부터 발생할 수 있는 마킹상의 신장이나 번짐을 줄일 수 있다.According to the inventions of
형태 3, 4, 9, 10의 발명에 의하면, 레이저광과 스테이지(3)의 상대 속도가 제로가 되기 때문에, 스테이지(3)와 레이저광의 상대 속도의 어긋남으로부터 발생할 수 있는 마킹상(MZ)의 신장이나 번짐을 방지할 수 있어, 깨끗한 마킹상(MZ)을 형성할 수 있다. 특히, 형태 4, 10의 발명에 의하면, DMD(72)가 마킹 표시(72M)를 전환하여 표시하기 때문에, DMD(72)에서의 마이크로 미러(721)가 1매 정도 파손되어 있어도, 다른 마이크로 미러가 이것을 보완하므로 노광 상태에 지장을 초래하지 않는다. According to the invention of
형태 5, 11의 발명에 의하면, 마킹용 노광 유닛(71) 1대당 상대 이동 방향(X)과 직교하는 방향(Y)에 관한 노광 범위를 넓힐 수 있다. According to the invention of the
형태 6, 12의 발명에 의하면, 마킹 노광과 동시에 주변 노광을 행하므로, 택트 시간의 단축화를 도모할 수 있다. According to inventions of the
Claims (14)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2005-00079425 | 2005-03-18 | ||
JP2005079425A JP4664102B2 (en) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | Exposure apparatus and exposure method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060101337A KR20060101337A (en) | 2006-09-22 |
KR100908548B1 true KR100908548B1 (en) | 2009-07-20 |
Family
ID=37002592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060024663A KR100908548B1 (en) | 2005-03-18 | 2006-03-17 | Exposure apparatus and exposure method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4664102B2 (en) |
KR (1) | KR100908548B1 (en) |
CN (1) | CN100517076C (en) |
TW (1) | TW200643648A (en) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4491447B2 (en) * | 2005-11-04 | 2010-06-30 | 株式会社オーク製作所 | Laser beam / ultraviolet irradiation peripheral exposure apparatus and method |
JP4491445B2 (en) * | 2005-11-04 | 2010-06-30 | 株式会社オーク製作所 | Peripheral exposure apparatus and method |
JP4491446B2 (en) * | 2005-11-04 | 2010-06-30 | 株式会社オーク製作所 | Peripheral exposure apparatus and method |
JP4491444B2 (en) * | 2005-11-04 | 2010-06-30 | 株式会社オーク製作所 | Laser beam / ultraviolet irradiation peripheral exposure apparatus and method |
JP4533874B2 (en) * | 2005-11-04 | 2010-09-01 | 株式会社オーク製作所 | Laser beam exposure system |
CN100593469C (en) * | 2007-02-12 | 2010-03-10 | 深圳市大族激光科技股份有限公司 | Modularization exposure system |
JP2011013512A (en) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Orc Manufacturing Co Ltd | Peripheral exposure apparatus |
TWI454687B (en) * | 2009-08-03 | 2014-10-01 | Toray Eng Co Ltd | Marking device and method |
CN102514385B (en) * | 2011-11-29 | 2015-04-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Identification code printing method and identification code printing device |
JP5896459B2 (en) * | 2012-03-06 | 2016-03-30 | 東レエンジニアリング株式会社 | Marking apparatus and method |
CN109116593B (en) * | 2018-08-02 | 2021-07-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Method for exposing master plate |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010066298A (en) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 황인길 | Device for marking identification using the athletic liquid crystal display |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08150485A (en) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Komatsu Ltd | Laser marking device |
JPH08224675A (en) * | 1995-02-22 | 1996-09-03 | Toshiba Corp | Device for forming marking pattern |
JP4356161B2 (en) * | 1999-12-20 | 2009-11-04 | 株式会社安川電機 | Drawing device |
JP2001205462A (en) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Nec Corp | Laser marking device and method of laser marking |
JP3321733B2 (en) * | 2000-09-20 | 2002-09-09 | 東レエンジニアリング株式会社 | Exposure equipment |
JP3547418B2 (en) * | 2001-10-25 | 2004-07-28 | 三菱商事株式会社 | Method and apparatus for marking liquid crystal panel by laser beam |
JP2003290939A (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-14 | Sunx Ltd | Laser marking device |
-
2005
- 2005-03-18 JP JP2005079425A patent/JP4664102B2/en active Active
-
2006
- 2006-03-02 TW TW095107019A patent/TW200643648A/en unknown
- 2006-03-17 KR KR1020060024663A patent/KR100908548B1/en active IP Right Grant
- 2006-03-20 CN CNB2006100655013A patent/CN100517076C/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010066298A (en) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 황인길 | Device for marking identification using the athletic liquid crystal display |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100517076C (en) | 2009-07-22 |
JP2006259515A (en) | 2006-09-28 |
TW200643648A (en) | 2006-12-16 |
CN1834789A (en) | 2006-09-20 |
JP4664102B2 (en) | 2011-04-06 |
TWI350946B (en) | 2011-10-21 |
KR20060101337A (en) | 2006-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100908548B1 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
US5721606A (en) | Large-area, high-throughput, high-resolution, scan-and-repeat, projection patterning system employing sub-full mask | |
WO2007100087A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP2012049433A (en) | Exposure device | |
JP3547418B2 (en) | Method and apparatus for marking liquid crystal panel by laser beam | |
US8072580B2 (en) | Maskless exposure apparatus and method of manufacturing substrate for display using the same | |
JP2006319098A (en) | Drawing equipment | |
JP4235972B2 (en) | Pattern drawing apparatus and pattern drawing method | |
US20110205508A1 (en) | Digital Exposure Method and Digital Exposure Device for Performing the Method | |
JP4215433B2 (en) | Method and apparatus for marking identification code by laser beam | |
JP2008046457A (en) | Drawing device | |
JP4081606B2 (en) | Pattern drawing apparatus and pattern drawing method | |
JP2011034123A (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
EP1963922A1 (en) | Slm direct writer | |
US9316926B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2005243870A (en) | Pattern drawing apparatus | |
JP4169264B2 (en) | Light beam generator | |
JP3435601B2 (en) | Laser drawing method and drawing apparatus | |
WO2024075396A1 (en) | Exposure method and exposure device | |
WO2022215692A1 (en) | Exposure apparatus, method for manufacturing device, method for manufacturing flat panel display, and exposure method | |
WO2023282214A1 (en) | Spatial light modulation unit and exposure device | |
JP5824274B2 (en) | Substrate transfer device and drawing device | |
JP2004054101A (en) | Laser direct plotting device having automatic resolution setting function | |
KR102212541B1 (en) | Pattern drawing apparatus and pattern drawing method | |
JP2007316473A (en) | Drawing system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130510 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140707 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150703 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160705 Year of fee payment: 8 |