KR100905897B1 - Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same - Google Patents

Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same Download PDF

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KR100905897B1 KR1020060028274A KR20060028274A KR100905897B1 KR 100905897 B1 KR100905897 B1 KR 100905897B1 KR 1020060028274 A KR1020060028274 A KR 1020060028274A KR 20060028274 A KR20060028274 A KR 20060028274A KR 100905897 B1 KR100905897 B1 KR 100905897B1
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마사히데 이와사키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

비교적 소규모 또한 간단한 구성으로써 탑재대의 온도 내지 온도 분포를 다종다양 또는 고정밀도로 제어하고, 또한 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 한다. In addition, relatively small simple structure as wide or control variety with high precision the temperature of the mount table to the temperature distribution, and also enables the high-speed lift on the mount table. 탑재대 온도 제어 장치는, 탑재대(12) 내부의 냉매 통로, 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18), 배관류(26, 28, 30, 32, 58, 60 등) 및 컨트롤러(20)를 가지고 있다. Stage temperature control apparatus, the mounting table 12 of the inner coolant passage, chiller unit 14, the heating unit 16, the flow channel switching unit 18, piping (26, 28, 30, 32, 58, 60 have, etc.), and the controller 20. 컨트롤러(20)의 제어에 의해 가열 유닛(16)에 있어서의 가열 동작의 온·오프 상태와 유로 전환 유닛(18)에 있어서의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)의 온·오프 상태를 조합함으로써, 탑재대(12)에 대한 온도 제어에 대하여 여러 종류의 모드를 얻을 수 있다. The on-off state of the on-off valve (62, 64, 66, 68) of the on-off state and the flow channel switching unit 18 of the heating operation of the heating unit 16 by the control of the controller 20 by combining, it is possible to obtain various kinds of modes with respect to temperature control of the stage 12.

Description

탑재대의 온도 제어 장치 및 탑재대의 온도 제어 방법 및 처리 장치 및 탑재대 온도 제어 프로그램{DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF A MOUNTING TABLE, A PROGRAM THEREFOR, AND A PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME} Mount table the temperature control device and the mount temperature control method and apparatus, and the stage temperature control program {DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF A MOUNTING TABLE, A PROGRAM THEREFOR, AND A PROCESSING APPARATUS INCLUDING SAME}

도 1은 본 발명의 1 실시 형태에 있어서의 탑재대 온도 제어 장치의 구성을 도시하는 블록도. 1 is a block diagram showing the configuration of the stage temperature control apparatus according to a first embodiment of the present invention;

도 2는 상기 탑재대 온도 제어 장치의 가열 유닛에 있어서의 인라인 히터의 일례를 도시하는 사시도. Figure 2 is a perspective view showing an example of an in-line heater according to the heating unit of the stage temperature control.

도 3은 상기 가열 유닛에 있어서의 냉매 승강온 특성을 도시하는 그래프. Figure 3 is a graph showing the elevated coolant on the characteristics of the heating unit.

도 4는 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(A)를 얻기 위한 각 부의 상태를 도시하는 도면. 4 is a view showing a state of each unit for obtaining a temperature control mode (A) according to the stage temperature control.

도 5는 온도 제어 모드(A)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시하는 도면. 5 is a diagram showing the general flow path of the system in the temperature control mode (A). Fig.

도 6은 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(B)를 얻기 위한 각 부의 상태를 도시하는 도면. 6 is a view showing a state of each unit for obtaining a temperature control mode (B) according to the stage temperature control.

도 7은 온도 제어 모드(B)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시 하는 도면. 7 is a diagram showing the general flow path of the system in the temperature control mode (B). Fig.

도 8은 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(C)를 얻기 위한 각 부의 상태를 도시하는 도면. 8 is a view showing a state of each unit for obtaining a temperature control mode (C) in the stage temperature control.

도 9는 온도 제어 모드(C)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시하는 도면. 9 is a diagram showing the general flow path of the system in the temperature control mode (C). Fig.

도 10은 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(D)를 얻기 위한 각 부의 상태를 도시하는 도면. 10 is a view showing a state of each unit for obtaining a temperature control mode (D) according to the stage temperature control.

도 11은 온도 제어 모드(D)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시하는 도면. 11 is a diagram showing the general flow path of the system in the temperature control mode (D). As shown in Fig.

도 12는 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(E)를 얻기 위한 각 부의 상태를 도시하는 도면. 12 is a view showing a state of each unit for obtaining a temperature control mode (E) in the above stage temperature control.

도 13은 온도 제어 모드(E)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시하는 도면. 13 is a diagram showing the general flow path of the system in the temperature control mode (E). FIG.

도 14는 상기 탑재대 온도 제어 장치에 있어서 온도 제어 모드(F)를 얻기 위한 각부의 상태를 도시하는 도면. 14 is a view showing a state of each part for obtaining the temperature control mode (F) in the above stage temperature control.

도 15는 온도 제어 모드(F)에 있어서의 전체의 유로 계통을 모식적으로 도시하는 도면. 15 is a diagram showing the general flow path of the system in the temperature control mode (F). FIG.

도 16은 본 발명의 1 실시 형태에 있어서의 플라즈마 에칭 장치의 구성을 도시하는 단면도. Figure 16 is a sectional view showing the configuration of a plasma etching apparatus according to a first embodiment of the present invention;

도 17은 1 실시예에 있어서의 탑재대 및 반도체 웨이퍼의 온도 분포를 도시 하는 도면. 17 is a view showing a temperature distribution with a large and a semiconductor wafer in the first embodiment.

도 18은 참고예에 있어서의 탑재대 및 반도체 웨이퍼의 온도 분포를 도시하는 도면. 18 is a view showing a temperature distribution of the mount for the semiconductor wafer and of the reference example.

도 19는 1 실시예에 있어서의 온도 제어 모드 전환의 시퀀스를 도시하는 도면. 19 is a diagram showing a sequence of the temperature control mode in the first embodiment.

도 20는 1 실시예에 있어서의 온도 제어 모드 전환의 시퀀스를 도시하는 도면. Figure 20 is a diagram showing a sequence of the temperature control mode in the first embodiment.

도 21은 1 실시예에 있어서의 피처리체 온도 제어 방법을 도시하는 도면. 21 is a view showing a processing target temperature control method in the first embodiment.

도 22는 1 실시예에 있어서의 온도 제어 모드 전환의 시퀀스를 도시하는 도면. 22 is a diagram showing a sequence of the temperature control mode in the first embodiment.

도 23은 1 실시예에 있어서의 온도 제어 모드 전환의 시퀀스를 도시하는 도면. 23 is a diagram showing a sequence of the temperature control mode in the first embodiment.

도 24는 실시예에 있어서의 제어부(컨트롤러)의 구성을 도시하는 블록도. Figure 24 is a block diagram showing the configuration of a control unit (controller) in the embodiment.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * * Description of the Related Art *

10 챔버 12 탑재대 10 the chamber 12 the stage

14 칠러 유닛 16 가열 유닛 14 chiller unit 16, heating unit

18 유로 전환 유닛 20 컨트롤러 18 flow channel switching unit 20, the controller

22 탑재대의 중심부 영역의 냉매 통로 22, the coolant passage of the mount central region

24 탑재대의 주변부 영역의 냉매 통로 온도 조절기 The coolant passage of the thermostat 24, the mount table peripheral area

26, 28, 30, 32, 58, 60 배관 26, 28, 30, 32, 58, 60 pipe

34 펌프 36 냉동기 34 pump chiller 36

38 가열기 40 인라인 히터 38 heater 40 line heater

42 전원 44 유량 제어 밸브 42 power supply 44 the flow control valve

54 온도 조절기 54. Thermostat

62, 64, 66, 68 개폐 밸브 62, 64, 66, 68 open and close the valve

90 챔버 110 고주파 전원 110 high frequency power source chamber 90

124 처리 가스 공급부 130 정전척 Process gas supply 124. The electrostatic chuck 130

136 열전도 가스 공급부 140 제어부 136 thermally conductive gas supply unit 140 control unit

본 발명은, 피처리체를 탑재하는 탑재대의 온도를 제어하는 기술에 관한 것으로, 특히 탑재대 상의 온도 내지 온도 분포를 여러가지 선택 또는 제어할 수 있도록 한 탑재대 온도 제어 방법 및 장치 및 그것을 이용한 처리 장치에 관한 것이다. The present invention, the present invention relates to a technique of controlling the mount table temperature, in particular with how a stage temperature control the temperature to the temperature distribution on the stand to various selection or control and equipment, and that treatment using the device for mounting an object to be processed It relates.

예컨대, 플라즈마를 이용한 반도체 기판 혹은 액정 패널의 미세 가공에 있어서는, 피처리 기판의 온도 분포, 기판 상의 플라즈마 밀도 분포, 및 반응 생성물의 분포 등의 제어가 매우 중요하다. For example, in the minute processing of a semiconductor substrate or a liquid crystal panel using a plasma, it is very important to control the temperature distribution of the substrate, the plasma density distribution on the substrate, and the distribution of reaction products. 이들 분포 제어가 적정하게 실행되지 않으면, 기판 표면에 있어서의 프로세스 균일성을 확보할 수 없게 되어, 반도체 디바이스 혹은 표시 디바이스의 제조 득률(제품의 수율)이 저하한다. If these distribution control is not performed properly, it is impossible to ensure process uniformity in the substrate surface, thereby producing a semiconductor device or a display device deukryul (yield of the product) is decreased.

일반적으로, 플라즈마 처리 장치의 챔버내에서 피처리 기판을 탑재하는 탑재대 또는 지지대는, 플라즈마 공간에 고주파를 인가하는 고주파 전극의 기능과, 기판을 정전 흡착 등으로 유지하는 유지부의 기능과, 기판을 열전도로 소정 온도로 제어하는 열판의 기능을 가지고 있다. In general, the mounting table or the support is, of the high-frequency electrode function for applying a high frequency to the plasma space, and the holding portions function to hold the substrate by electrostatic attraction etc., the substrate for mounting the target substrate in the chamber of the plasma processing apparatus It has a function of a hot plate controlled at a predetermined temperature by thermal conduction. 열판 기능에 관해서는, 플라즈마나 챔버벽에서의 복사열의 불균일성에 의한 기판으로의 입열(入熱) 특성의 분포나, 기판 지지 구조에 의한 열분포를 적절히 보정할 수 있는 것이 요구되고 있다. As for the hot plate features, to be able to properly compensate for the thermal distribution due to the heat input (入 熱) distribution and the substrate support structure in the characteristics of the substrate by the non-uniformity of radiant heat in the plasma or the chamber wall is required.

종래부터, 이러한 종류의 탑재대의 온도를 제어하기 위해서, 탑재대의 내부에 냉매를 흐르게 하는 냉매 유로 또는 통로를 마련하여, 칠러 장치로부터 온도 조절한 냉매를 탑재대 내부의 냉매 통로로 순환 공급하는 방법이 많이 이용되고 있다. In order to control a conventional, mount table temperature of this type, a method for supplying by providing a coolant passage or passages for flowing the refrigerant inside the band is mounted, equipped with a temperature-controlled refrigerant from a chiller unit for circulating a coolant passage of the internal many are being used. 대체로, 칠러 장치는 처리 장치가 설치되는 클린 룸과는 별도의 용력실(facility area)에 배비되기 때문에, 칠러 장치와 챔버내의 탑재대를 접속하는 배관의 길이는 적어도 수 미터 이상이고, 10m를 넘는 경우도 있다. In general, the chiller unit is a processing unit that, since the clean room and that installation is baebi a separate power usage chamber (facility area), the length of piping connecting the mounting table in the chiller unit and the chamber is at least several meters, greater than 10m in some cases.

최근에는, 플라즈마 처리에 있어서의 가공의 미세화나 다양화에 따라, 탑재대의 온도 분포에 여러가지 프로파일이 요구되도록 되어 있다. In recent years, miniaturization of processing in accordance with the screen or vary in a plasma treatment, is such that different profiles are required for the mount table temperature distribution. 그러나, 기판 상의 프로세스의 면내 균일성을 도모하는 관점으로부터, 탑재대의 중심부와 주변부의 사이에서 온도 제어가 적절한 밸런스가 요구되는 애플리케이션이 대부분이다. However, from the viewpoint of promoting in-plane uniformity of the process on the substrate, a majority of applications where proper control the temperature balance required between the center and the periphery of the mount table. 그와 같은 요구에 응하기 위한 종래 기술로서, 탑재대의 중심부와 주변부에 각각 독립된 냉매 유로를 마련하여, 2대의 칠러 장치로부터 각각 개별로 온도 조절한 냉매를 양쪽 냉매 유로에 순환 공급하여, 탑재대의 중심부와 주변부를 각각 개별적으로 온도 제어하도록 한 기법(예컨대 특허문헌 1 참조)이 알려져 있다. As a conventional technique for meeting the requirements as such, by providing each independent refrigerant flow path to the mount center and the peripheral portion, and cycling supplies a temperature controlled respectively as a separate refrigerant from the two-chiller device to both the coolant flow path, the mount center and a method to control the temperature of the periphery are each individually (see, for example Patent Document 1) is known.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제 6-37056 호 공보 Patent Document 1: Japanese Patent Publication Heisei No. 6-37056 discloses

그러나, 상기 한 바와 같은 종래 기술은, 2대의 칠러 장치를 필요로 하는 것에 의한 코스트나 스페이스 효율 상의 불리점이 있는 것뿐만 아니라, 온도 제어의 응답성이 나쁘다는 문제도 있다. However, the prior art as described above, there is also the problem that not only disadvantageous point on the cost and space efficiency, poor response performance of the temperature control due to requiring a two-chiller unit. 즉, 칠러 장치 자체의 열용량이 매우 크기 때문에 냉매의 온도를 급속하게 변화시키는 것이 어려운 데다가, 탑재대까지의 배관(유로)이 상기 한 바와 같이 상당히 길기 때문에, 고속 승강온(승온과 강온)을 실현할 수 없다. That is, since a very large heat capacity of the chiller unit itself realize a foresight is to rapidly change the temperature of the refrigerant difficult, since the pipe (flow path) of the mount to the stand is considerably longer, as described above, high-speed lift-one (temperature increase and temperature decrease) You can not. 최근의 프로세스 예컨대 플라즈마 에칭의 분야에서는, 피처리 기판 상의 다층막을 종래의 멀티 챔버 방식대신에 단일 챔버내에서 연속 가공하는 방식이 요구되고 있다. In the field of recent processes such as plasma etching, this method of continuous processing in a single chamber, the multi-layer film on the substrate to be processed in place of a conventional multi-chamber system has been required. 이 단일 챔버 방식을 실현하는 데에 있어서, 피가공막의 변환 시기에 기판의 온도를 단시간에 변화시키는 기술, 즉 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 하는 기술이 필수가 되고 있다. Method for achieving this single-chamber system, there is an essential technology for enabling technology, that is with one high-speed lift on which the blood changing the temperature of the substrate in a short time to the conversion time of the porous film.

또한, 히터나 열전 소자 등의 발열체를 탑재대에 내장하여 탑재대 상의 온도 분포를 제어하는 방법도 생각되어진다. Further, it is considered a method of mounting the heat generating element such as a heater or a thermoelectric device controls the temperature distribution on the mounting table built in for. 그러나, 이 수법은, 러닝코스트의 증가나, 고주파 전극 기능에의 영향, 또한 탑재대 내부 구조의 번잡화를 초래하는 것으로, 실용성이 없다. However, this method is increased by the influence of the learning, the high-frequency electrode of the cost function, and that results in a number of goods stage internal structure, it is not practical.

본 발명은, 상기 한 바와 같은 종래 기술의 문제점 내지 과제에 비추어 이루어진 것으로, 비교적 소규모 또한 간단한 구성으로써 탑재대의 온도 내지 온도 분 포를 다종다양 또는 고정밀도로 제어하고, 또한 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 하는 실용성이 높은 탑재대 온도 제어 장치, 탑재대 온도 제어 방법 및 탑재대 온도 제어 프로그램을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention enables to be made in view of the problem to problem of the prior art as described above, a relatively small addition, a simple configuration by controlling the mount table temperature to the temperature distribution great variety or with high accuracy, and further the mount high speed lifting on and that practicality is to provide a high-stage temperature control device, temperature control method stage and the stage temperature control program for the purpose.

본 발명의 별도의 목적은, 탑재대의 온도 제어를 통하여 피처리체에 대한 처리의 균일성이나 다양성을 향상시키는 처리 장치를 제공하는 것에 있다. Another object of the present invention is to provide a temperature control through the mount table processing apparatus for improving the uniformity and the variety of processing for the processing target.

상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 탑재대 온도 제어 장치는, 피처리체를 탑재하는 탑재대의 온도를 제어하기 위한 탑재대 온도 제어 장치에 있어서, 상기 탑재대에 마련된 각각 개별의 입구 및 출구를 가지는 제 1 및 제 2 냉매 통로와, 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매를 순환 공급하기 위해서, 상기 제 1 냉매 유로의 입구에 제 1 유로를 거쳐서 접속된 송출구와, 상기 제 2 냉매 유로의 출구에 제 2 유로를 거쳐서 접속된 귀환구를 가지고, 상기 귀환구로 귀환한 냉매를 기준 온도로 되돌려 상기 송출구로부터 송출하면, 상기 제 1 유로의 도중에 냉매의 온도를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키는 냉매 온도 제어부와, 상기 제 1 냉매 통로의 출구에 제 3 유로를 거쳐서 접속된 제 1 포트와, 상기 제 1 유로의 상기 냉 In order to achieve the above object, the stage temperature control apparatus of the present invention, in the stage temperature control unit for controlling the mount table temperature for mounting the object to be processed, each individual of the inlet and outlet provided in the stage having a first and a second coolant passage, and the first and the transmission sphere, the second refrigerant flow path connected to circulation supplying the refrigerant to the second refrigerant passage, through the first flow path to the inlet of the first refrigerant passage has a return obtain connection through the second flow path to the outlet, the feedback port return a when to return the refrigerant to the reference temperature sent from the port said transmission, setting a desired temperature of the refrigerant in the middle of the first flow path from the reference temperature of the temperature and to the coolant temperature controller to increase or drop, and wherein the first port connection through the third flow path to the outlet of the first refrigerant passage, the cooling of the first flow path 매 온도 제어부보다도 상류측에 마련된 제 1 유로 분기점에 제 4 유로를 거쳐서 접속된 제 2 포트와, 상기 제 2 냉매 통로의 입구에 제 5 유로를 거쳐서 접속된 제 3 포트와, 상기 제 2 유로에 마련된 제 2 유로 분기점에 제 6 유로를 거쳐서 접속된 제 4 포트를 가지고, 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 포트의 사이에서 유로의 도통, 차단 및 변경이 가능한 유로 전환부와, 상기 유로 전환부내의 상기 유로의 도통, 차단 또는 변경을 제어하는 유로 제어부를 가 진다. In the sheet temperature control of all connected to the first flow path branch point provided on the upstream side through the fourth flow path a second port, and wherein the third port connected via a fifth Euro in the inlet of the second refrigerant passage, the second flow path have provided a sixth a fourth port connected via an oil line to the second flow branching point, the first, second, third and fourth and the conduction of the path, block, and changes the flow path switchable portion between the port, the It shall have the flow path control unit for controlling conduction, blocking or changing of the flow path portion of the flow channel switching.

상기 구성에 있어서는, 냉매 순환기에 의해 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순환 공급되는 냉매의 온도를 기준 온도로 제어하는 기능과, 제 1 유로의 도중에 마련된 냉매 온도 제어부에 의해 냉매를 기준 온도로부터 승온 또는 강온하는 기능과, 유로 전환부에 의해 냉매 순환기에 대한 제 1 및 제 2 냉매 통로의 접속 관계를 전환하는 기능이 조합되어, 제 1 및 제 2 냉매 통로에 각각 공급되는 냉매의 온도를 여러가지 선택하는 것이 가능하고, 다양하고 또한 세밀하게 탑재대의 온도 또는 온도 분포를 제어할 수 있다. In the above configuration, the temperature increase from the reference temperature of the refrigerant by the first and the refrigerant temperature control unit provided in the middle of the function of the first flow path to control the temperature of the refrigerant cycle is fed to the second coolant passage as a reference temperature by a coolant circulator or function of temperature decrease, and is by a flow path switching section is a combination function for switching the connection relationship between the first and second coolant passages for a coolant circulator, first and second of the temperature of the refrigerant various supplied respectively selecting the refrigerant passage it is possible, and can be varied and also to fine-control the mount table temperature or temperature distribution. 또한, 냉매 순환기는 한대로 충분하다. In addition, the refrigerant circulator is sufficient As.

본 발명의 바람직한 일 형태에 의하면, 유로 전환부가, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 포트의 사이에 접속된 제 1 개폐 밸브와, 상기 제 1 포트와 상기 제 4 포트의 사이에 접속된 제 2 개폐 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 3 포트의 사이에 접속된 제 3 개폐 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 4 포트의 사이에 접속된 제 4 개폐 밸브를 가지고, 유로 제어부가, 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 개폐 밸브의 온·오프를 제어한다. According to a preferred aspect of the present invention, the second opening and closing connection between the first opening and closing valve and the fourth port to the first port connected between the third port flow channel switching part, and the first port with a fourth on-off valve connected between the third opening and closing valve and the second and the fourth port and the port connected between the third port and valve and the second port, the flow path controller, the first and controls the second, third, and turning on and off of the fourth on-off valve. 이 구성에 있어서, 각 개폐 밸브의 온·오프는 독립하여 실행되어도 좋고, 혹은 다른 개폐 밸브와 상보적으로 실행되어도 좋다. In this configuration, the on-off of each on-off valve may be executed independently, or may be performed in a different on-off valve and complementary. 일례로서, 제 l 및 제 3 개폐 밸브를 노멀 오픈 밸브로 구성하고, 제 2 및 제 4 개폐 밸브를 노멀 클로즈 밸브로 구성할 수 있다. Configured as one example, a l second and third on-off valve to the normally open valve, it is possible to configure the second and fourth on-off valve as a normal-closed valve. 혹은, 유로 전환부가, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 및 제 4 포트의 사이에 접속된 제 1 방향 전환 밸브와, 제 2 포트와 제 3 및 제 4 포트의 사이에 접속된 제 2 방향 전환 밸브를 가지고, 유로 제어부가, 제 1 및 제 2 방향 전환 밸브내의 각각의 유로 상태를 제어하는 구성이라도 좋다. Alternatively, the flow channel switching part, wherein the first port and the third and the fourth to the first directional control valve connected between the port and the second port and the third and the fourth of the second directional control valve connected between the ports to have, a flow control, the first and second direction switching but may be configured to control the respective flow path in the valve state.

또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 온도 제어부가, 제 1 유로에 부착된 인라인 히터와, 이 인라인 히터보다도 하류측에서 제 1 유로내의 냉매의 온도를 검출하는 온도 센서와, 이때 센서에 의해서 검출되는 냉매 온도를 설정 온도에 일치시키도록 인라인 히터의 발열량을 제어하는 온도 제어부를 가진다. Further, according to one preferred embodiment, the refrigerant temperature control unit comprising: a temperature sensor for sensing the temperature of the refrigerant in the first flow path in one and the in-line heater attached to the flow path, the than the downstream in-line heater, at this time is detected by the sensor to match the refrigerant temperature in the set temperature has a temperature control unit for controlling the heating value of the in-line heater. 이러한 구성에 의하면, 제 1 유로를 흐르는 냉매에 대한 가열 또는 흡열을 공간 절약하여 효율적으로 실행하고, 급속 승강온을 충분히 발휘할 수 있다. With such a configuration, a heating or heat absorption running on the first flow path for flowing the refrigerant efficiently, saving space, and can sufficiently exhibit a rapid-. 또한, 급속 승강온의 효과를 높이기 위해서, 인라인 히터가, 탑재대에 가까운 위치에서 제 1 유로내의 냉매를 가열하는 것이 바람직하다. Further, in order to rapidly increase the effectiveness of the vertical one, the in-line heater, it is preferred to heat the refrigerant in the first flow path at a position close to the stage.

또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 제 1 배관의 제 1 유로 분기점보다도 하류측에 냉매의 유량을 가변 제어하기 위한 유량 제어 밸브가 마련된다. Further, according to one preferred form, the first flow path than the branching point of the first pipe has a flow rate control valve to vary the flow rate of the refrigerant is provided on the downstream side. 이 유량 제어 밸브는, 예컨대 수동 조작식 또는 기계 조작식의 가변 스로틀 밸브가 좋다. The flow control valve is, for example, may be manually operated or operated machine of the variable throttle valve. 일반적으로, 배관을 흐르는 냉매에 대한 가열량 또는 흡열량을 일정하게 유지한 경우에 유량과 냉매 승강온은 정성적으로는 반비례의 관계에 있어, 유량을 작게 할수록, 냉매의 온도를 크게 승강온시킬 수 있다. Generally, for maintaining a constant amount of heat or absorbing heat of the refrigerant flowing through the pipe flow and the refrigerant the lifting on the qualitatively are in the relationship of inverse proportion, the smaller the flow rate, to one greatly elevated the temperature of the coolant can. 이에 의해, 유량 제어 밸브에 의한 냉매 유량 제어와 가열부 또는 흡열부에 의한 가열 또는 흡열 제어를 조합함으로써, 냉매의 온도를 기준 온도로부터 소망하는 설정값으로 고속 또한 정확히 상승 또는 강하시킬 수 있다. Thus, by combining a refrigerant flow rate control and control of heating or heat absorption by the heat absorbing part or portion of the flow control valve, a high speed to a set value to a desired temperature of the coolant from the reference temperature may also be properly rise or drop.

또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로가 상기 탑재대의 중심에 대하여 동심원 형상으로 배치되어 있고, 특히 바람직하게는 제 1 냉매 통로가 탑재대의 중심부 영역에 마련되어, 제 2 냉매 통로가 탑 재대의 주변부 영역에 마련된다. Further, according to one preferred embodiment, provided to the first coolant passage with the second coolant passage is arranged in concentric with respect to one center of the mounting, particularly preferably the first is equipped with one central zone coolant passage, the second refrigerant path is provided in the periphery region of the tower rematch. 또한, 바람직한 일 형태로서, 냉매 순환기는, 냉매를 순환시키기 위한 펌프와, 귀환 직후의 냉매를 냉동하기 위한 냉동부와, 냉동후의 냉매를 소정의 기준 온도까지 가열하는 가열부를 가진다. Further, as a preferred aspect, the refrigerant circulator is, has a refrigeration unit for the pump for circulating the coolant, freezing the refrigerant immediately after the return, heat for heating the refrigerant after freezing to a predetermined reference temperature portion.

본 발명의 제 1 탑재대 온도 제어 방법은, 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하는 탑재대 온도 제어 방법으로서, 상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로에 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로에 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 1 온도 제어 모드를 가진다. The first stage temperature control method of the present invention, by supplying the refrigerant from the refrigerant circulator to the first and second coolant passage provided in the mounting table mounting the object to be processed as the stage temperature control method for controlling the mount table temperature , between the refrigerant circulatory transmission sphere and return the sphere to the first refrigerant passage and the second by connecting the coolant passages in parallel, the set temperature to a desired portion of the refrigerant sent out to the reference temperature from the cooling medium circulator relative to the reference temperature then raise or descent to flow to the first refrigerant passage, and the reference temperature, the remaining substantially intact to flow into the second coolant passage has a first temperature control mode for executing the mount table temperature control.

이 방법에 의하면, 냉매 순환기를 한대 사용하여, 제 2 냉매 통로에는 기준 온도의 냉매를 흐르게 하고, 제 1 냉매 통로에는 기준 온도와 다른 설정 온도의 냉매를 흐르게 하는 것이 가능하고, 탑재대의 온도 분포에 변화를 줄 수 있다. According to this method, a coolant circulator used one, the second coolant passage and flowing the refrigerant in the reference temperature, the first coolant passage is the reference temperature, and flow a refrigerant of the other set temperature is possible, and the mount temperature distribution It can make a difference. 더구나, 제 1 냉매 통로에 흐르게 하는 분의 냉매만을 직전에 가열 또는 냉각하면 되기 때문에, 가열 또는 냉각 효율이 높고, 급속 승온 또는 급속 강온도 가능하다. Also, since the first minute when only the refrigerant to flow in the coolant passage is heated or cooled immediately prior to a high heating or cooling effect, it is possible a rapid temperature rise or rapid temperature steel.

본 발명의 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 제 1 냉매 통로와 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 기준 온도 그대로 제 1 냉매 통로에 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 기준 온도 그대로 제 2 냉매 통로에 흐르게 하여 탑재대 의 온도 제어를 실행하는 제 2 온도 제어 모드를 또한 가지고, 피처리체의 가공 조건에 따라 제 1 온도 제어 모드와 제 2 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행한다. According to a preferred aspect of the present invention, delivery of the coolant circulator sphere and return to the first connection of the coolant passage and the second coolant passages in parallel between the sphere, the refrigerant and some of the dispensing refrigerant from a substantially circulatory reference temperature as the first refrigerant flows in the passageway, and a second temperature control mode by passing the reference temperature, the remainder substantially as a second refrigerant passage that runs the control of the temperature of the mount table also has a first temperature in accordance with the processing conditions of the subject control mode and the 2 performs the switching between the temperature control mode.

상기 제 2 온도 제어 모드에서는, 제 1 및 제 2 냉매 통로 모두에 냉매 순환기부터의 냉매를 기준 온도 그대로 공급하여, 탑재대 상에 기준 온도에 대응한 대략 플랫인 온도 분포를 얻을 수 있다. In the second temperature control mode, the first and second coolant passages in all of the reference temperature as supplying the refrigerant from the refrigerant circulator, can be obtained with a substantially flat temperature distribution corresponding to the reference temperature, on a large. 모드 전환에서는, 탑재대(나아가서는 피처리체)의 온도 또는 온도 분포를 제 1 온도 제어 모드에 대응하는 제 1 정상 상태와 제 2 온도 제어 모드에 대응하는 제 2 정상 상태의 사이에서 급속 승온 또는 급속 강온보다 단시간에 이행시킬 수 있다. Mode switching in, stage rapidly between the second steady state corresponding to the temperature or temperature distribution of the (consequently the workpiece) to a first normal state and a second temperature control mode corresponding to the first temperature control mode, temperature rise or rapid It can be implemented in a short period of time than the temperature decrease.

또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 제 1 냉매 통로와 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여, 나머지를 바이패스시켜 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 3 온도 제어 모드를 또한 가지고, 피처리체의 가공 조건에 따라 제 1 온도 제어 모드와 제 2 온도 제어 모드와 제 3 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행한다. Further, according to one preferred embodiment, dispensing of the coolant circulator sphere and return to the first connection of the coolant passage with the second coolant path in series between the sphere, raised to the set temperature to a desired portion of the delivery refrigerant in the refrigerant circulator from a reference temperature or after and lowering the first and second flows sequentially in the refrigerant passage, with the other by by-pass also a third temperature control mode for executing the mount table temperature control, the first temperature control mode according to the processing conditions of the subject to be treated and performs the switching between the second temperature control mode, and third temperature control mode.

상기 제 3 온도 제어 모드에서는, 제 1 및 제 2 냉매 통로 모두에 기준 온도와는 다른 설정 온도의 냉매를 공급하여, 탑재대 상에 설정 온도로 대응한 대략 플랫인 온도 분포를 얻을 수 있다. The temperature in the third control mode, the first and second coolant passages in both the reference temperature, and supplies the refrigerant of a different set temperatures, can be obtained with a substantially flat temperature distribution corresponding to the set temperature on a large. 모드 전환에서는, 탑재대(나아가서는 피처리체)의 온도 또는 온도 분포를, 제 1 온도 제어 모드에 대응하는 제 1 정상 상태와, 제 2 온도 제어 모드에 대응하는 제 2 정상 상태와, 제 3 온도 제어 모드에 대응하는 제 3 정상 상태의 사이에서 급속 승온 또는 급속 강온보다 단시간에 이행시킬 수 있다. Mode switching in, stage second top corresponding to the temperature or temperature distribution of the (consequently the workpiece), a first normal state and a second temperature control mode corresponding to the first temperature control mode, a third temperature It can transition to a short period of time than three quick heating or a rapid temperature reduction between the steady-state corresponding to the control mode. 특히, 제 3 온도 제어 모드로의 전환에서는, 바이패스로의 작용에 의해 양쪽 냉매 통로에 대한 냉매 공급 유량의 가변 제어를 고속 또한 안정하게 실행할 수 있다. In particular, the third switch of the temperature control mode, it is possible to perform the high-speed stability also the variable control of the refrigerant supply flow rates for both the refrigerant passage by the action of a by-pass.

또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 제 1 냉매 통로와 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 냉매 순환기로부터 송출된 냉매의 전부를 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 제 1 및 제 2 유체 통로에 순차적으로 흐르게 하여 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 4 온도 제어 모드를 또한 가지고, 피처리체의 가공 조건에 따라 제 1 온도 제어 모드와 제 2 온도 제어 모드와 제 4 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행한다. Further, according to one preferred embodiment, dispensing of the coolant circulator sphere and return to the first connection of the coolant passage with the second coolant path in series between the sphere, raised to the set temperature desired for all of the dispensing refrigerant from the refrigerant circulator from a reference temperature or after and lowering the first and second flow sequentially to the fluid passage has also a fourth temperature control mode for executing the mount table temperature control, the first temperature control mode according to the processing conditions of the subject to be treated and a second temperature control mode, and the fourth executes the switching between the temperature control mode.

상기 제 4 온도 제어 모드에서는, 제 l 및 제 2 냉매 통로 모두에 기준 온도와는 다른 설정 온도의 냉매를 공급하여, 탑재대 상에 설정 온도로 대응한 대략 플랫인 온도 분포를 얻을 수 있다. The fourth temperature in the control mode, the first to l and a second refrigerant passage based on both temperature and supplies the refrigerant of a different set temperatures, the mounting can be obtained for a substantially flat temperature distribution corresponding to the set temperature on a large. 모드 전환에서는, 탑재대(나아가서는 피처리체)의 온도 또는 온도 분포를, 제 1 온도 제어 모드에 대응하는 제 1 정상 상태와, 제 2 온도 제어 모드에 대응하는 제 2 정상 상태와, 제 4 온도 제어 모드에 대응하는 제 4 정상 상태의 사이에서 급속 승온 또는 급속 강온보다 단시간에 이행시킬 수 있다. Mode switching in, stage second top corresponding to the temperature or temperature distribution of the (consequently the workpiece), a first normal state and a second temperature control mode corresponding to the first temperature control mode, and a fourth temperature It can transition to a short period of time than 4 quick heating or a rapid temperature reduction between the steady-state corresponding to the control mode.

또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에 서 제 1 냉매 통로와 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 기준 온도 그대로 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드를 또한 가지고, 피처리체의 가공 조건에 따라 제 1 온도 제어 모드, 제 3 온도 제어 모드 또는 제 4 온도 제어 모드와 제 5 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행한다. Further, according to one preferred embodiment, by connecting the first coolant passage with the second coolant path standing between dispensing of the coolant circulator sphere and return the sphere in series, first a portion of the dispensing refrigerant from the refrigerant circulator as substantially the reference temperature 1 and 2 to the refrigerant passage to flow in sequence, a fifth temperature control mode to the other by a bypass run with one temperature control also has a first temperature control mode according to the processing conditions of the subject to be treated, a third temperature control mode, or 4 executes the switching between the temperature control mode in the fifth temperature control mode.

상기 제 5 온도 제어 모드에서는, 제 1 및 제 2 냉매 통로 모두에 냉매 순환기부터의 냉매를 기준 온도 그대로 공급하여, 탑재대 상에 기준 온도로 대응한 대략 플랫인 온도 분포를 얻을 수 있다. In the fifth temperature control mode, the first and second refrigerant to both of the refrigerant passage from the refrigerant circulatory supply as the reference temperature, can be obtained with a substantially flat temperature distribution corresponding to the reference temperature, on a large. 또한, 바이패스로의 작용에 의해 냉매의 공급 유량을 고속으로 가변 제어할 수도 있다. It is also possible to variably control at a high speed a supply flow rate of the refrigerant by the action of a by-pass. 모드 전환에서는, 탑재대(나아가서는 피처리체)의 온도 또는 온도 분포를, 제 1 온도 제어 모드에 대응하는 제 1 정상 상태와, 제 3 온도 제어 모드에 대응하는 제 3 정상 상태와, 제 4 온도 제어 모드에 대응하는 제 4 정상 상태와, 제 5 온도 제어 모드에 대응하는 제 5 정상 상태의 사이에서 급속 승온 또는 급속 강온보다 단시간에 이행시킬 수 있다. Mode switching in, stage 3 which corresponds to the temperature or temperature distribution of the (consequently the workpiece), the first normal position and a third temperature control mode corresponding to the first temperature control mode, normal state, and a fourth temperature can transition to the fourth state with the normal, the short-time than 5 quick heating, or a rapid temperature reduction between the normal state corresponding to a fifth temperature control mode corresponding to the control mode.

또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 제 1 냉매 통로와 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 냉매 순환기의 송출된 냉매의 전부를 실질적으로 기준 온도 그대로 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 6 온도 제어 모드를 또한 가지고, 피처리체의 가공 조건에 따라 제 1 온도 제어 모드, 제 3 온도 제어 모드 또는 제 4 온도 제어 모드와 제 6 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행한다. Further, according to one preferred embodiment, by connecting the first refrigerant passage and a second refrigerant passage between the dispensing of the coolant circulator sphere and return the sphere in series, substantially the reference temperature as the first and the whole of the transmission refrigerant in the refrigerant circulator 2 to flow sequentially to the refrigerant passage also has a sixth temperature control mode for executing the mount table temperature control, the first temperature control mode according to the processing conditions of the subject to be treated, a third temperature control mode or the fourth temperature control mode, and the 6 executes the switching between the temperature control mode.

상기 제 6 온도 제어 모드에서는, 제 1 및 제 2 냉매 통로 모두에 냉매 순환기부터의 냉매를 기준 온도 그대로 공급하여, 탑재대 상에 기준 온도로 대응한 대략 플랫인 온도 분포를 얻을 수 있다. In the sixth temperature control mode, the first and the second reference temperature as supplying the refrigerant from the refrigerant circulator in both the refrigerant passage, can be obtained with a substantially flat temperature distribution corresponding to the reference temperature, on a large. 모드 전환에서는, 탑재대(나아가서는 피처리체)의 온도 또는 온도 분포를, 제 1 온도 제어 모드에 대응하는 제 1 정상 상태와, 제 3 온도 제어 모드에 대응하는 제 3 정상 상태와, 제 4 온도 제어 모드에 대응하는 제 4 정상 상태와, 제 6 온도 제어 모드에 대응하는 제 6 정상 상태의 사이에서 급속 승온 또는 급속 강온보다 단 시간에 이행시킬 수 있다. Mode switching in, stage 3 which corresponds to the temperature or temperature distribution of the (consequently the workpiece), the first normal position and a third temperature control mode corresponding to the first temperature control mode, normal state, and a fourth temperature it is possible to implement a fourth normal position and the sixth second six hours than the quick heating or a rapid temperature reduction between the steady-state corresponding to the temperature control mode corresponding to the control mode.

본 발명의 제 2 탑재대 온도 제어 방법은, 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하는 탑재대 온도 제어 방법으로서, 상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로에 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로에 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 1 온도 제어 모드와, 상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하고, 상 The second stage temperature control method of the present invention, by supplying the refrigerant from the refrigerant circulator to the first and second coolant passage provided in the mounting table mounting the object to be processed as the stage temperature control method for controlling the mount table temperature , between the refrigerant circulatory transmission sphere and return the sphere to the first refrigerant passage and the second by connecting the coolant passages in parallel, the set temperature to a desired portion of the refrigerant sent out to the reference temperature from the cooling medium circulator relative to the reference temperature then raise or descent to flow to the first refrigerant passage, and the reference temperature, the remaining substantially intact to flow into the second coolant path a first temperature that is running one temperature control the mounted control mode and sent out of the cooling medium circulator between the sphere and the sphere-return connecting said first coolant passage with the second coolant passages in parallel, the 기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 냉매 통로에 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로에 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 2 온도 제어 모드와, 상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 3 온도 제어 모드와, 상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉 Claim that group execute the reference temperature as the first flow in the coolant passage, and to said reference temperature for the remaining substantially intact to flow to the second refrigerant passage the mount table temperature control and some of the dispensing refrigerant from the refrigerant circulator is substantially second temperature control mode and, between the delivery of the refrigerant circulatory sphere and return the sphere to connect with the first refrigerant passage and the second coolant passage in series, and set to a desired portion of the delivery refrigerant in the refrigerant circulator relative to the reference temperature then raised or lowered to a temperature between the first and second flows sequentially in the refrigerant passage, and by the other by-pass and a third temperature control mode for executing a single temperature control the loading, dispensing of the coolant circulator sphere and return the sphere and connecting said first coolant passage with the second coolant passage in series, the cold 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드 중, 상기 제 1 모드와, 상기 제 2, 제 3, 제 5 모드의 적어도 하나의 모드의 사이에서 전환을 실행한다. And some of the dispensing refrigerant from the circulator with substantially and flows in sequence to the reference temperature as the first and the second coolant passage, the other by by-pass of the fifth temperature control mode for executing the mount table temperature control, wherein first mode and executes the switching between the second and the third, at least one mode in the fifth mode.

이 제 2 방법에 있어서는, 상기 제 2 모드, 제 3 모드 및 제 5 모드로 이루어지는 군(group)으로부터 택해진 하나 또는 복수의 모드와 상기 제 1 모드의 사이에서 전환이 실행된다. In the second method, wherein the second mode, the third mode, and made of one or switch between the first mode and a plurality of modes chosen from the fifth mode, the group (group) consisting of runs. 이 제 2 방법에서도, 상기 제 1 방법과 동일하게, 탑재대의 온도 분포에 다종다양한 변화를 가지게 할 수 있음과 동시에, 급속 승온 또는 급속 강온을 쉽게 실현할 수 있다. A second method in the same manner as in the first method, it is easy to realize at the same time and that can have a wide variety of changes to the mount temperature distribution, a quick heating or a rapid temperature reduction.

본 발명의 처리 장치는, 피처리체를 탑재하는 탑재대를 수용하는 감압 가능한 챔버와, 본 발명에 의한 탑재대 온도 제어 장치와, 챔버내를 배기하기 위한 배기부와, 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 가진다. Processing apparatus of the present invention, the stage temperature control unit and supplies the process gas and the exhaust part for exhausting the inside of the chamber, in the chamber by the reduced pressure possible chambers with the present invention for receiving a mounting table mounting the object to be processed having parts of the process gas supply. 이러한 처리 장치의 구성에 있어서는, 본 발명의 탑재대 온도 제어 장치에 의해 탑재대를 거쳐서 피처리체의 온도 내지 온도 분포를 다양 또는 고정밀도로 제어할 수 있다. In the configuration of the processing device, via the stage by stage temperature control device of the present invention can control or vary the temperature with high accuracy to the temperature distribution of the object to be processed.

상기 처리 장치에 있어서, 바람직한 일 형태에 의하면, 챔버내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성 또는 공급하기 위한 플라즈마원이나, 탑재대에 제 1 고주파를 급전하기 위한 제 1 고주파 급전부가 마련된다. In the above processing apparatus, according to one preferred embodiment, it is a plasma source for generating or supplying a plasma of the process gas into the chamber and, provided the first high-frequency power supply portion for feeding a first radio frequency to the mounting table. 또한, 챔버내에서 탑재대와 대향하는 대향 전극과, 이 대향 전극에 제 2 고주파를 급전하기 위한 제 2 고주파 급전부를 마련하는 구성도 가능하다. Further, it can also be configured to provide a second all-class high-frequency power supply to the second radio frequency to the counter electrode, the counter electrode facing the mounting table in the chamber.

또한, 바람직한 일 형태에 의하면, 탑재대에, 피처리체를 정전 흡착하기 위한 정전척과, 피처리체의 이면과 탑재면의 사이에 열전도 가스를 공급하는 열전도 가스 공급로가 마련된다. Further, according to one preferred embodiment, the mounting table in, that a heat transfer gas supply for supplying a heat conduction gas between the back surface and the mounting surface of the electrostatic chuck and, subject to be treated for electrostatic adsorption to be treated is provided.

또한, 바람직한 일 형태로서, 상기 처리 장치는, 피처리체에 대하여 소망하는 플라즈마 처리가 시작되기 전에, 냉매 온도 제어부에 의해 제 1 유로를 흐르는 냉매를 가열하여 피처리체의 온도를 처리용의 설정 처리 온도까지 상승시켜, 플라즈마 처리가 시작하고 나서 그 이후도 처리가 종료할 때까지 피처리체의 온도가 설정 처리 온도로 실질적으로 유지되도록 냉매 온도 제어부에 의해 제 1 유로를 흐르는 냉매에 대한 가열을 점차적으로 약하게 한다. Further, as a preferred form, the processing apparatus, prior to the plasma treatment to a desired relative to the workpiece starts, setting the treatment temperature for the temperature of the object to be processed to heat the refrigerant flowing through the first flow path by the refrigerant temperature control process It was raised to, and gradually weakens as the heating of the refrigerant flowing through the first flow path by the refrigerant temperature control unit to start the plasma treatment, and then substantially maintained after that also sets the temperature of the object to be processed until the process is completed the treatment temperature do. 즉, 냉매 온도 제어부에 의한 고속 승강온 기능을 이용하여, 플라즈마로부터의 입열(入熱)에 의한 피처리체 온도의 변동(상승)을 보정하는 것이 가능하고, 낱장 플라즈마 처리의 온도 관리, 재현성, 득률을 향상시킬 수 있다. That is, using a high-speed lift-on function by the refrigerant temperature control unit, it is possible to compensate for the heat input (入 熱) change (increase) of the processing target temperature according to the from the plasma, and the temperature control of the sheet plasma treatment, reproducibility, deukryul the it can be improved.

또한, 본 발명에 있어서, 냉매 순환기로부터 송출되는 냉매의 기준 온도는 반드시 엄밀히 일정할 필요도 없지만 하나의 온도값일 필요도 없고, 어느 정도의 변동폭 또는 범위를 가지는 것이라면 좋다. In the present invention, the reference temperature of the refrigerant discharged from the refrigerant circulator is not necessarily have to be strictly constant value without the need of a temperature may have if the variation width or range of some extent.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다. With reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention.

< 실시예 1> <Example 1>

도 1에, 본 발명의 1 실시 형태에 있어서의 탑재대 온도 제어 장치의 구성을 도시한다. And in Figure 1, showing the construction of the stage temperature control apparatus according to a first embodiment of the present invention; 이 탑재대 온도 제어 장치는, 전형적으로는 감압 가능한 챔버(10)내에서 처리를 받는 피처리 기판 예컨대 반도체 웨이퍼(W)의 온도 내지 온도 분포를 제어하는 것을 궁극 목적으로 하여, 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재대(12)의 온도 내지 온도 분포를 제어하는 장치로, 그 기본 구성으로서, 탑재대(12) 내부의 냉매 통로, 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18), 배관류(26, 28, 30, 32, 58, 60 등) 및 컨트롤러(20)를 가지고 있다. The stage temperature control device, typically by the controlling the temperature to the temperature distribution of the pressure as possible chamber 10, the substrate receives a processing in for example a semiconductor wafer (W) with the ultimate purpose, the semiconductor wafer (W) a device for controlling the temperature to the temperature distribution of the mounting table 12 for mounting, as its basic configuration, the mount table 12 of the inner coolant passage, chiller unit 14, the heating unit 16, the flow path switching unit ( 18), and has a piping (26, 28, 30, 32, 58, 60, etc.), and the controller 20.

탑재대(12)의 내부에는, 냉매를 흐르게 하는 통로가 복수 계통 예컨대 2 계통 마련되어 있다. Mounted on the inside of the board (12), is provided with a passage for flowing a refrigerant for example, two systems of a plurality of systems. 전형적으로는, 탑재대(12)의 중심을 포함하는 중심부 영역과 에지를 포함하는 주변부 영역에 각각 개별 입구와 출구를 가지는 냉매 통로(22, 24)가 마련된다. Typically, the mount table is provided with respective coolant passage (22, 24) having a separate entrance and exit to the periphery region including the center region and an edge including a center (12). 이들 냉매 통로(22, 24)는, 각각의 영역에 냉매의 온도를 구석구석까지 전달할 수 있도록, 예컨대 동심원 형상 또는 스파이럴(소용돌이) 형상으로 형성되어 있다. These coolant passages 22, 24, so that each region can pass the temperature of the coolant to every corner, for example, it is formed in a spiral or concentric (spiral) shape. 중심부 영역의 냉매 통로(22)는, 스파이럴의 중심부에 입구(22a)를 가지고, 스파이럴의 외주부에 출구(22b)를 가지는 구성이 바람직하다. The coolant passage 22 in the central region, with an inlet (22a) in the center of the spiral, the outer peripheral portion of the spiral configuration with the outlet (22b) is preferred.

냉매 통로(22)의 입구(22a)는 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)에 배관(26)을 거쳐서 접속되어 있고, 냉매 통로(22)의 출구(22b)는 유로 전환 유닛(18)의 포트(제 1 입구)(18a)에 배관(28)을 거쳐서 접속되어 있다. Inlet (22a) of the coolant passage 22 is connected via a pipe 26 to the delivery port (14a) of the chiller unit 14, an outlet (22b) is a flow channel switching unit 18 of the coolant passage 22 is a connected through a pipe 28 to the port (first inlet) (18a). 한편, 냉매 통로(24)의 입구(24a)는 유로 전환 유닛(18)의 포트(제 1 출구)(18c)에 배관(30)을 거쳐서 접속되어 있고, 냉매 통로(24)의 출구(24b)는 칠러 유닛(14)의 귀환구(14b)에 배관(32)을 거쳐서 접속되어 있다. On the other hand, an outlet (24b) of the inlet (24a) is a port (first outlet) and is via a pipe 30 connected to (18c), the refrigerant passage 24 of the flow channel switching unit 18 of the coolant passage 24 It is connected via a pipe 32 to return sphere (14b) of the chiller unit 14.

칠러 유닛(14)은, 탑재대(12)의 양쪽 냉매 통로(22, 24)에 냉매를 순환 공급하는 기능을 가지고 있고, 예컨대, 냉매를 순환시키기 위한 펌프(34)와, 귀환구(14b)에 귀환한 직후의 냉매를 냉동하기 위한 냉동기(36)와, 냉동후의 냉매를 소정의 베이스 온도(기준 온도)까지 되돌리도록 가열하는 가열기(38)를 구비하고 있다(도 5). Chiller unit 14, and has a function to supply both the coolant passage circulating a coolant (22, 24) of the mounting table 12, for example, as a pump 34 for circulating the refrigerant, the return sphere (14b) and the refrigerating machine 36 for freezing the coolant in a state just after the return, and the refrigerant after the refrigeration provided with a heater 38 for heating revert to a predetermined base temperature (reference temperature) (Figure 5). 일반적으로, 칠러 유닛(14)은 탑재대(12)로부터 먼 장소에 설치되어, 양자를 열결하는 배관(26, 32)도 상당히 길다(예컨대 5m 이상). In general, the chiller unit 14 are mounted is installed in a remote location from the board (12), piping (26, 32) for yeolgyeol both considerably longer (e.g. over 5m). 칠러 유닛(14)내의 각 부의 동작 및 유닛 전체의 냉매 순환 공급 동작은 컨트롤러(20)에 의해서 제어된다. Each unit operation and the refrigerant supply operation of the entire unit in a chiller unit 14 is controlled by a controller 20.

또한, 냉매 순환기로부터 송출되는 냉매의 베이스 온도는 반드시 엄밀하게 일정한 것은 아니고, 하나의 온도값으로 유지되는 것도 아니고, 허용 범위내에서 어느 정도의 변동폭(예컨대 5℃)을 가지는 것이 보통이다. The base temperature of the refrigerant discharged from the refrigerant circulator is not always strictly uniform, it is common with some degree of variation (e. G. 5 ℃) within it not, the allowable range is maintained at a single temperature value.

가열 유닛(16)은, 배관(26)의 도중에서 냉매를 가열하여 냉매 온도를 베이스 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승시키는 냉매 승온 기능을 가지고 있고, 탑재대(12)에 가급적 가까운 위치에서 배관(26)에 부착되는 인라인 히터(40)와, 이 인라인 히터(40)에 전력을 공급하는 전원(42)을 구비하고 있다. Heating unit 16, and to heat the refrigerant in the middle of the pipe 26 with the refrigerant temperature rise function that rises to the set temperature to a desired coolant temperature from the base temperature, the pipe from the possible position near the mounting table 12 ( 26) is provided with a power supply 42 for supplying electric power to the in-line heater 40 and the in-line heater 40 to be attached to. 인라인 히터(40)는, 고속 승온 기능을 가지는 것이 바람직한 것뿐만 아니라, 칠러 유닛(14)으로부 터 배관(26)내를 장거리로 압송되어 오는 냉매의 압력에 견딜수 있는 물리적 강도를 가지는 것이 바람직하고, 예컨대 도 2에 도시하는 것과 같은 유도 가열 방식의 히터가 바람직하다. In-line heater 40, as well as it is desired to have a high-speed temperature rise functions, to have the physical strength to withstand the pressure of the refrigerant coming is pressure-fed to the sub-emitter pipe 26 in the chiller unit 14, a long preferable. , for example, is also preferable that the induction heating type heater such as shown in Fig.

도 2의 구성예에 있어서, 인라인 히터(40)는, 절연통(46) 안에 배관(26)의 일부 또는 일구간을 형성하는 코일 형상의 SUS 가열 엘리멘트(element)관(48)을 수용하여, 절연통(46)의 주위에 도선으로 이루어지는 워크 코일(50)을 감합 또는 장착하고 있다. Also in the configuration of the second embodiment, in-line heater 40, to accommodate an insulating tube (46) SUS heating of the coil-like fastener element to form a part or one section of the pipe 26 in the (element) tube 48, the work coil 50 made of a conductive wire around the insulating tube 46 is fitted or mounted. 전원(42)으로부터 워크 코일(50)에 고주파의 교류 전류를 흐르게 하면, 절연통(46)내에 교번(交番) 자속이 발생하여, 이 교번 자속에 의해 SUS 가열 엘리멘트관(48)에 유도 전압이 발생하여 유도 전류가 흘러, SUS 가열 엘리멘트관(48)이 줄열을 발생한다. If the flow to the high-frequency alternating current in the work coil 50 from the power source 42, the induced voltage in the insulating tube alternation (交 番) and magnetic flux is generated, SUS heating element tube 48 by the alternating magnetic flux in the 46 generated by flowing an induced current, SUS heating element tube 48 is to generate a Joule heat. 이 SUS 가열 엘리멘트관(48)의 발열로 관내를 흐르는 냉매가 가열된다. This SUS heating the refrigerant flowing through the pipe to heat the pipe element (48) is heated. 가열 램프 등의 글래스관과는 달리 SUS 가열 엘리멘트관(48)의 물리적 강도는 매우 크고, 매체의 압력에 충분히 견딜 수 있다. Mechanical strength, unlike the glass tube such as a heat lamp SUS heating element tube 48 can withstand extremely large, and the well of the pressure medium.

도 1에 있어서, 이 실시 형태에서는, 가열 유닛(16)에, 냉매 승온 기능의 정밀도를 높이기 위해서, 인라인 히터(40)의 하류측에서 냉매의 온도를 검출하는 온도 센서(52)와, 이 온도 센서(52)의 출력 신호(온도 검출 신호)에 따라 냉매 온도를 설정값에 일치시키도록 전원(42)의 공급 전력 나아가서는 히터(40)의 발열량을 제어하기 위한 온도 조절기(54)가 마련되어 있다. 1, in this embodiment, the heating unit temperature sensor 52 of the 16, in order to enhance the precision of the refrigerant temperature rise function, sensing the temperature of the refrigerant on the downstream side of the in-line heater 40, the temperature supply power of the sensor 52 output signal power (42) so that depending on the (temperature detection signal) matches the refrigerant temperature on the setting of and further is provided with a temperature controller 54 for controlling the heat output of the heater 40 .

또한, 급속 가열을 한층 더 높이기 위해서, 배관(26)으로부터 탑재대 중심부 영역의 냉매 통로(22)에 공급되는 냉매의 유량을 가변 제어하기 위해서, 예컨대 수동 조작식 또는 기계 조작식(예컨대, 전자 밸브식, 모터 구동식, 에어오퍼레이트식 등)의 가변 스로틀 밸브로 이루어지는 유량 제어 밸브(44)도 마련되어 있다. In addition, the rapid in order to enhance further the heat, in order to vary the flow rate of the coolant supplied to the coolant passage 22 of the stage central zone from the pipe 26, for example manually-operated or machine-operated (e.g., a solenoid valve expression, and also a flow rate control valve 44 is composed of a variable throttle valve of a motor-driven, air-operated type, and so on). 또한, 유량 제어의 정밀도를 높이기 위해서, 유량 측정기 또는 유량 센서(56)가 배관(26)에 부착되어 있다. Further, in order to enhance the accuracy of the flow control, the flow meter or flow sensor 56 is attached to the pipe (26).

도 3에, 가열 유닛(16)에 있어서 인라인 히터(40)의 발열량을 일정하게 유지한 경우의 유량과 냉매 승강온의 관계(일례)를 도시한다. In Figure 3, shows a flow rate and the relationship (an example) of the refrigerant on the lifting in the case of maintaining a constant heating value of the in-line heater 40 in the heating unit (16). 도시한 바와 같이, 유량과 냉매 승강온은 정성적으로는 반비례의 관계에 있어, 유량을 작게 할(줄이다)수록 냉매의 온도를 큰폭으로 승온시킬 수 있다. As shown, the coolant flow rate and lifting on the qualitative is in the relationship of inverse proportion, the more (reduce) to reduce the flow rate can be significantly raised the temperature of the refrigerant. 이에 의해, 유량 제어 밸브(44)에 의한 냉매 유량 제어와 인라인 히터(40)에 의한 가열 제어를 조합함으로써, 냉매의 온도를 베이스 온도로부터 소망하는 설정값에 고속 또한 정확히 상승 또는 강하시킬 수 있다. Thus, by combining a refrigerant flow rate control and the heating control by the in-line heater 40 by the flow control valve 44, a high-speed addition, the temperature of the refrigerant on the setting desired from the base temperature can be correctly rise or drop. 또한, 인라인 히터(40)가 탑재대(12)에 가까운 위치에 배치되기 때문에, 냉매의 급속 승강온을 매우 작은 시상수로 그대로 탑재대(12)측에 전달하는 것이 가능하며, 탑재대(12)의 각 부를 단시간에 고속으로 소망하는 설정값까지 승강온시킬 수 있다. In addition, since the in-line heater (40) mounted disposed at a position close to the board (12), it is possible to pass the rapid-in refrigerant to as the stage 12 side with a very small time constant, and the worktable 12 the whole may be elevated up to the set value at high speed in a short period of time desired by each component. 가열 유닛(16)내의 각 부의 동작 및 유닛 전체의 냉매 승강온 동작은 컨트롤러(20)에 의해서 제어된다. Refrigerant lifting of the whole operation of each unit and the unit in the heating unit 16, on operation is controlled by a controller 20.

도 1에 있어서, 유로 전환 유닛(18)은, 상기 2개의 포트(제 1 입구 및 제 1 출구)(18a, l8c) 이외에도 2개의 포트(제 2 입구 및 제 2 출구)(18b, 18d)를 가지고 있다. A 1, a flow channel switching unit 18, the two ports (a first inlet and a first outlet) (18a, l8c) In addition to the two ports (a second inlet and a second outlet), (18b, 18d) Have. 여기서, 제 2 입구(18b)는, 배관(26)의 가열 유닛(16)보다도 상류측에 마련된 유로 분기점(N 1 )에 배관(58)을 거쳐서 접속되어 있다. Here, the second inlet (18b) is connected via a pipe 58 to the flow path branching point (N 1) disposed on the upstream side than the heating unit (16) of the pipe (26). 또한, 제 2 출구(18d)는, 배관(32)에 마련된 유로 분기점(N 2 )에 배관(60)을 거쳐서 접속되어 있 다. In addition, the second outlet (18d) is, and there is connected via a pipe 60 to the flow path branching point (N 2) provided in the pipe 32.

유로 전환 유닛(18)내에는, 복수개의 밸브 예컨대 4개의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)가 마련되어 있다. The flow path switching unit 18 is provided with a plurality of valves for example, four on-off valve (62, 64, 66, 68). 상세하게는, 제 1 개폐 밸브(62)는 제 1 입구(18a)와 제 1 출구(18c)의 사이에 마련되고, 제 2 개폐 밸브(64)는 제 1 입구(18a)와 제 2 출구(18d)의 사이에 마련되고, 제 3 개폐 밸브(66)는 제 2 입구(18b)와 제 1 출구(18c)의 사이에 마련되고, 제 4 개폐 밸브(68)는 제 2 입구(18b)와 제 2 출구(18d)의 사이에 마련되어 있다. Specifically, the first on-off valve 62 is first being provided between the inlet (18a) and the first outlet (18c), the second opening and closing valve 64 has a first inlet (18a) and a second outlet ( is provided between the 18d), the third opening and closing valve 66 second is provided between the inlet (18b) and the first outlet (18c), the fourth on-off valve 68 is the second inlet (18b) and claim is provided between the second outlet (18d). 유로 전환 유닛(18)은 임의의 장소에 설치가 가능하지만, 적어도 냉매 통로(22)의 출구(22b)와 냉매 통로(24)의 입구(24a)를 선택적으로 접속하기 위한 개폐 밸브(62)는 탑재대(12) 가까이에 배치되는 것이 바람직하다. Flow channel switching unit 18 can be installed in any place, but the on-off valve 62 for selectively connecting the inlet (24a) of the outlet (22b) and the refrigerant passage 24 in at least the coolant passage 22 is preferably disposed close to the mounting table 12.

이들 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)는, 일정한 관계로 상보적으로 온·오프하는 것이라도 좋다. These on-off valve (62, 64, 66, 68), or may be a complementary on-off in a constant relationship. 일례로서, 제 2 및 제 3 개폐 밸브(64, 66)를 노멀 오픈 밸브로 구성하고, 제 1 및 제 4 개폐 밸브(62, 68)를 노멀 클로즈 밸브로 구성할 수 있다. As an example, it is possible to configure a second and a third on-off valve (64, 66), a normally open valve, configuring the first and fourth on-off valve (62, 68) as a normal-closed valve. 다만, 유로 전환 모드의 종류를 늘리는 관점에서는, 각 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)의 온·오프를 독립하여 실행할 수 있는 구성으로 하는 것이 바람직하다. However, from a viewpoint to increase a kind of flow channel switching mode, it is preferable that a structure that can be executed independently of the on-off of each on-off valve (62, 64, 66, 68). 유로 전환 유닛(18)내의 각 부의 동작(개폐 밸브(62~68)의 온·오프 동작) 및 유닛 전체의 유로 전환 동작은 컨트롤러(20)에 의해서 제어된다. Operation of each portion in the flow channel switching unit 18 (on-off operation of the switching valves (62-68)) and the flow channel switching operation of the entire unit is controlled by a controller 20.

컨트롤러(20)는, CPU나 메모리 등을 포함하는 컴퓨터 시스템으로 이루어져, 상기 한 바와 같이 이 기판 온도 제어 장치내의 각 부, 특히 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18)의 각각의 동작과 전체의 동작(시퀀스)을 제어한다. Controller 20 is composed of a computer system including a CPU and a memory, the substrate of each unit, in particular chiller unit 14, the heating unit 16, the flow channel switching unit 18 in the temperature control apparatus as described above, and each of the operation and the overall operation (sequence) of the control. 주제어부(140)내의 구성은 도 24에서 후에 설명한다. Configuration within the main control unit 140 will be described later in FIG.

다음에, 이 실시 형태의 탑재대 온도 제어 장치에 있어서의 온도 제어 기능에 대하여 설명한다. Next, description will be made on the temperature control in the stage temperature control apparatus of the present embodiment. 이 탑재대 온도 제어 장치에서는, 컨트롤러(20)의 제어에 의해 가열 유닛(16)에 있어서의 가열 동작의 온·오프 상태와 유로 전환 유닛(18)에 있어서의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)의 온·오프 상태를 조합함으로써, 탑재대(12)에 대한 온도 제어에 대하여 6종류의 모드(A), (B), (C), (D), (E), (F)를 얻을 수 있다. In this stage the temperature control device, on-off valve (62 in the heating unit 16, on-off state and the flow channel switching unit 18 of the heating operation in the control of the controller 20, 64, 66, by combining the on-off state of the 68), with 6 respect to the temperature control for about 12 kinds of mode (a), the (B), (C), (D), (E), (F) It can be obtained.

모드(A)는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 가열 유닛(16)에 있어서 가열 동작을 온 상태로 함과 동시에, 유로 전환 유닛(18)에서 개폐 밸브(64, 66)를 각각 온 상태로 하여, 개폐 밸브(62, 68)를 각각 오프 상태로 한다. Mode (A) is a, also the heating operation in the heating unit 16 in the on state at the same time, switching valves 64 and 66 in the flow channel switching unit 18. As shown in Figure 4, respectively on state to be an on-off valve (62, 68) with each of the off state. 이 유로 전환 유닛(18)내의 유로 전환에 의해서, 도 5에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 병렬로 접속된다. By the flow channel switching within the flow channel switching unit 18, and 5, the chiller unit 14, delivery port (14a) and the refrigerant passage 22 in the center region between the return sphere (14b) of the the coolant passage 24 of the peripheral area are connected in parallel.

즉, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 중 일부, 즉 유로 분기점(N 1 )을 곧장 통과하여 배관(26)을 흐르는 냉매는, 도중의 가열 유닛(16)에서 냉매 온도를 베이스 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 승온하고 나서 냉매 통로(22)로 들어간다. That is, some of the refrigerant sent out to the base temperature from the chiller unit 14, that flow path branch point (N 1), the refrigerant flowing through the pipe 26 to directly pass, the refrigerant temperature at the heating unit (16) during the base temperature and then raised to the desired setting from the temperature enters the refrigerant passage (22). 그리고, 냉매 통로(22)로부터 배관(28)을 통해서 유로 전환 유닛(18)으로 들어가면, 냉매 통로(24)를 향하지 않고, 온 상태의 개폐 밸브(64)를 통하여 배관(60)측으로 빠져, 유로 분기점(N 2 )으로부터 배관(32)을 통하여 칠러 유 닛(14)으로 귀환한다. Then, enter the flow channel switching unit 18 through the pipe 28 from the refrigerant passage 22, but directed toward the refrigerant passage 24, out of the side of the pipe 60 through an on-off valve 64 in the on state, the flow path from the branch point (N 2) through a pipe 32 and fed back to the chiller units (14). 또한, 유로 분기점(N 1 )으로부터 배관(58)측으로 분류한 냉매는 베이스 온도 그대로 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(66)) 및 배관(30)을 통하여 주변부 영역의 냉매 통로(24)로 들어간다. Further, the coolant passage of the peripheral region through the flow path branching point (N 1), a refrigerant-based temperature flow channel switching unit 18, as classification side pipe (58) from (the on-state on-off valve 66) and the pipe 30 ( It enters 24). 그리고, 냉매 통로(24)로부터 나온 후에는, 곧장 배관(32)을 통해서 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. Then, after exiting from the refrigerant passage 24, and directly fed back to the chiller unit 14 through the pipe 32.

이와 같이, 모드(A)에 의하면, 탑재대(12)의 주변부 영역이 베이스 온도의 냉매로 온도 조절됨과 동시에, 탑재대(12)의 중심부 영역이 베이스 온도보다도 한층 높은 설정 온도의 냉매로 온도 조절된다. Thus, according to the mode (A), the mount table while 12 temperature regulated by the refrigerant in the base temperature of the peripheral region of the stage temperature control in the central region of the base temperature than even the high set temperature (12) the refrigerant do. 이에 의해, 탑재대(12)에 있어서 중심부 영역이 주변부 영역보다도 상대적으로 높아지는 것 같은 산 형상 또는 사다리꼴 형상의 온도 분포 특성을 얻을 수 있어, 양자간의 고저차(온도차)도 임의로 제어할 수 있다. As a result, mounting in the board (12) there is the center region to obtain the acid form or the temperature distribution characteristics of the trapezoidal shape, such that relatively higher than the peripheral area, the difference in height (difference in temperature) between the two can be controlled arbitrarily. 또한, 상기 한 바와 같은 가열 유닛(16)의 급속 승온 기능에 의해, 그와 같은 온도 분포 특성을 단시간에 확립할 수 있다. Further, by the quick heating capability of the heating unit 16 as described above, it is possible to establish the temperature distribution properties, such as those in a short time.

모드(B)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 가열 유닛(16)에서 가열 동작을 온 상태로 함과 동시에, 유로 전환 유닛(18)에서 개폐 밸브(62, 68)를 각각 온 상태로 하여, 개폐 밸브(64, 66)를 각각 오프 상태로 한다. Mode (B), as shown in Figure 6, at the same time as the heating operation in the heating unit 16 in the on state, to the on-off valve (62, 68) from the flow channel switching unit 18 to each on-state and an on-off valve (64, 66), respectively the oFF state. 이 유로 전환 유닛(18)내의 유로 전환에 의해서, 도 7에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서, 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 직렬로 접속됨과 동시에, 배관(58), 유로 전환 유닛(18) 및 배관(60)으로 이루어지는 바이패스로(70)도 형성된다. By the flow channel switching within the flow channel switching unit 18, as shown in Figure 7, between a delivery port (14a) and the return sphere (14b) of the chiller unit 14, the coolant passage 22 in the central region as soon as the connection in series with the coolant passage 24 of the peripheral region at the same time, the piping 58, a bypass 70 is composed of a flow channel switching unit 18 and the pipe 60 it is also formed.

상세하게는, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 중 일부, 즉 유로 분기점(N 1 )을 곧장 통과하여 배관(26)을 흐르는 냉매는, 도중의 가열 유닛(16)에서 냉매 온도를 베이스 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 승온하고 나서 냉매 통로(22)로 들어간다. Specifically, the refrigerant flowing through the pipe 26 to a portion of the refrigerant sent out to the base temperature from the chiller unit 14, that is, directly through the flow path branching point (N 1) is the refrigerant temperature in the heating unit 16 on the way after raising the temperature to the set temperature to a desired temperature from the base to enter the refrigerant passage (22). 그리고, 냉매 통로(22)로부터 나오면, 배관(28), 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(62)) 및 배관(30)을 통하여 냉매 통로(24)로 들어가고, 냉매 통로(24)로부터 나온 후에는 곧장 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. And, comes from the refrigerant passage 22, the pipe 28, the flow channel switching unit 18 via the (on-off valve 62 in the ON state), and the pipe 30 into the refrigerant passage 24, the coolant passage (24 after exiting from) is directly fed back to a chiller unit 14 through a pipe 32. 한편, 유로 분기점(N 1 )으로부터 배관(58)측으로 분류한 냉매는, 베이스 온도 그대로 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(68)) 및 배관(60)을 통과하여 유로 분기점(N 2 )으로부터 배관(32)에 유입하여, 냉매 유로(24)측으로부터의 냉매와 합류하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. Meanwhile, the flow path branching point classified refrigerant flow path branching point to the base temperature as it passes through the flow channel switching unit 18 (on-state on-off valve 68 in), and the pipe 60 toward the pipe 58 from the (N 1) (N 2) from the inlet to the pipe 32, and joins the refrigerant from the refrigerant flow path 24 side is fed back to the chiller unit 14.

이와 같이, 이 모드(B)에 의하면, 탑재대(12)의 중심부 영역 및 주변부 영역 양쪽을 베이스 온도보다도 고온의 냉매로 온도 조절하여, 탑재대(12) 전체를 대략 균일 또는 플랫인 온도 분포로 베이스 온도보다도 높은 소망하는 설정 온도로 제어할 수 있어, 가열 유닛(16)에 의한 급속 승온도 가능하다. Thus, in this mode (B) according to, with the temperature control of both the center area and the peripheral area of ​​the board (12) to the high-temperature refrigerant than the base temperature, the mounting table 12, the temperature distribution of the entire substantially uniform or flat in than the base temperature can be controlled to the set temperature to a desired higher, it is also possible to quick heating by the heating unit 16. 여기서, 가열 유닛(16)에서 유량 제어 밸브(44)에 의해 냉매의 유량을 임의로 줄여도, 여분의 냉매가 바이패스 유로(70)를 흐르기 때문에, 칠러 유닛(14)의 냉매 순환 능력(냉매 송출 압력)을 일정하게 유지한 채로 가열 유닛(16)측에서 소망하는 급속 승온을 즉시 또한 안정하게 실행할 수 있다. Wherein, optionally, cutting the flow rate of the refrigerant by the heating unit the flow control valve 44 at 16, the refrigerant capacity because the extra refrigerant to flow to the bypass flow path 70, the chiller unit 14 (refrigerant delivery pressure ) as soon as the quick heating to the desired one on the side of the heating unit 16 while maintaining constant it can also be performed more stably.

모드(C)는, 바이패스 유로(70)를 형성하지 않는 점을 제외하고 상기한 제 2 모드(B)와 동일한 냉매 공급 형태를 든다. Mode (C), the costs for the same coolant supply type and a second mode (B) and said one except for that it does not form a bypass flow path (70). 즉, 도 8에 도시하는 바와 같이, 가열 유닛(16)에 있어서 가열 동작을 온 상태로 함과 동시에, 유로 전환 유닛(18)에 있어서 개폐 밸브(62)만을 온 상태로 하여, 다른 개폐 밸브(64, 66, 68)를 모두 오프 상태로 한다. In other words, in, and at the same time the heating operation in the heating unit 16 in the on state, the on only the on-off valve 62 in the flow path switching unit 18, the state as shown in FIG. 8, another on-off valve ( all 64, 66, 68) is in the off state. 이 유로 전환 유닛(18)내의 유로 전환에 의해서, 도 9에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서, 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 직렬로 접속되지만, 배관(58)과 배관(60)의 사이에서(유로 전환 유닛(18)에서) 유로가 차단되기 때문에 바이패스 유로(70)는 형성되지 않는다. By the flow channel switching within the flow channel switching unit 18, as shown in Figure 9, between a delivery port (14a) and the return sphere (14b) of the chiller unit 14, the coolant passage 22 in the central region and the coolant passage 24 of the peripheral area, but connected in series, the pipe 58 and the bypass flow passage 70 between the (in the flow channel switching unit 18) since the flow path is blocked in the pipe 60 is not formed no.

이 경우, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매의 전부가 유로 분기점(N 1 )을 곧장 통과하여 배관(26)을 흘러, 도중의 가열 유닛(16)에서 냉매 온도를 베이스 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 승온하고 나서 냉매 통로(22)로 들어간다. In this case, a desired coolant temperature in the not all of the refrigerant sent out to the base temperature from the chiller unit 14 directly through the flow path branching point (N 1) flows through the pipe 26, the heating unit 16 on the way from the base temperature raising the temperature to the set temperature to, and then enters the refrigerant passage (22). 그리고, 냉매 통로(22)로부터 나오면, 배관(28), 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(62)) 및 배관(30)을 통하여 냉매 통로(24)로 들어가고, 냉매 통로(24)로부터 나간 후에는 곧장 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. And, comes from the refrigerant passage 22, the pipe 28, the flow channel switching unit 18 via the (on-off valve 62 in the ON state), and the pipe 30 into the refrigerant passage 24, the coolant passage (24 Once out from) is directly fed back to a chiller unit 14 through a pipe 32.

이 모드(C)는, 상기 모드(B)정도의 고속 또한 효율적인 급속 승온을 달성할 수 없지만, 탑재대(12) 전체를 대략 플랫(균일)인 온도 분포로 베이스 온도보다도 높은 소망하는 설정 온도로 할 수 있다. In this mode (C) is, as the mode (B) the degree of high speed also not possible to achieve an elevated temperature effective rapidly, the stage 12 is set to high the whole than the base temperature to a temperature distribution substantially flat (even), the desired temperature can do.

모드(D)는, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 멈추게 하여(오프 상태로 하여), 유로 전환 유닛(18)내의 유로 상태를 상술한 모드(A)와 동일한 형태로 한다. Mode (D) is, to stop the heating operation of the heating unit 16 (to an OFF state), and in the same manner as the mode (A) above the flow conditions in the flow channel switching unit 18. 즉, 도 10에 도시하는 바와 같이, 개폐 밸브(64, 66)를 각각 온 상태로 하여, 개폐 밸 브(62, 68)를 각각 오프 상태로 한다. That is, as shown in Figure 10, to an on-off valve (64, 66) in the on state, respectively, and the opening and closing valve (62, 68) with each of the off state. 이에 의해서, 도 11에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 병렬로 접속된다. By this, as shown in Figure 11, the delivery port (14a) and the refrigerant passage 24 of the coolant passage 22 and the peripheral region of the central region between the return sphere (14b) of the chiller unit 14 are parallel It is connected to.

따라서, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 중 일부, 즉 유로 분기점(N 1 )을 곧장 통과하여 배관(26)을 흐르는 냉매는, 도중의 가열 유닛(16)에서 가열되는 일 없이 베이스 온도 그대로 냉매 통로(22)로 들어간다. Thus, without some of the refrigerant it sent out to the base temperature from the chiller unit 14, that is, refrigerant flowing through the flow path branching point (N 1) pipe 26 and straight through the can, which is heated in the heating unit 16, during the base temperature as it enters the refrigerant passage (22). 그리고, 냉매 통로(22)로부터 나와 배관(28)으로부터 유로 전환 유닛(18)으로 들어가면, 냉매 통로(24)을 향하지 않고, 온 상태의 개폐 밸브(64)를 통하여 배관(60)측으로 빠져, 유로 분기점(N 2 )으로부터 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. And, protruding from the coolant passage (22) enters the flow channel switching unit 18 from the pipe 28, but directed toward the refrigerant passage 24, out of the side of the pipe 60 through an on-off valve 64 in the on state, the flow path It is fed back to the turning point (N 2), a chiller unit 14 through a pipe 32 from. 또한, 유로 분기점(N 1 )으로부터 배관(58)측으로 분류한 냉매도 베이스 온도 그대로 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(66)) 및 배관(30)을 통하여 주변부 영역의 냉매 통로(24)로 들어간다. Further, the coolant passage of the peripheral region through the flow path branching point (N 1), a refrigerant temperature flow channel switching unit 18 as the base classification side pipe (58) from (the on-state on-off valve 66) and the pipe 30 ( It enters 24). 그리고, 냉매 통로(24)로부터 나온 후에는, 곧장 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. Then, after exiting from the refrigerant passage 24, and directly fed back to the chiller unit 14 through a pipe 32.

이와 같이, 모드(D)에 의하면, 탑재대(12)의 중심부 영역 및 주변부 영역의 양쪽을 베이스 온도의 냉매로 온도 조절하여, 탑재대(12) 전체를 대략 플랫(균일)인 온도 분포로 베이스 온도 부근의 온도로 제어할 수 있다. Thus, according to the mode (D), both the central area and the peripheral area of ​​the mounting table 12 by the temperature adjustment to the refrigerant of the base temperature, the entire stage 12, as the temperature distribution substantially flat (uniform) Base It can be controlled to a temperature near the temperature. 여기서 중요한 것은, 모드(A)로부터 모드(D)로의 이행은, 가열 유닛(16)을 온 상태로부터 오프 상태로 전환하는 것뿐만으로도 좋고, 더구나 고속으로 실행할 수 있다. The important thing, the mode transition (A) to from the mode (D) is, as well as to the transition to the OFF state from the ON to the heating unit (16) state, it can be run at a high speed addition. 즉, 가열 유닛(16)에 의한 급속 승온을 정지시킴으로써 설정 온도로부터 베이스 온도로의 급속 강온을 실현할 수 있다. That is, it is possible to realize a rapid temperature reduction to the base temperature from the set temperature by stopping the quick heating by the heating unit 16. 모드(B) 혹은 모드(C)로부터 모드(D)로의 이행도, 유로 전환 유닛(18)의 전환 동작이 증가할 뿐, 동일하게 고속으로 실행할 수 있다. Mode (B) mode, or even from movement to the (C) mode (D), only the switching operation of the flow channel switching unit 18 increases, can be equally executed at a high speed.

모드(E)는, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 멈추게 하고(오프 상태로 하고), 유로 전환 유닛(18)내의 유로 상태를 상기한 모드(B)와 동일한 형태로 한다. Mode (E) is, stop the heating operation of the heating unit 16 to (and to the OFF state), and in the same manner as the above-described mode (B) the flow conditions in the flow channel switching unit 18. 즉, 도 12에 도시하는 바와 같이, 개폐 밸브(62, 68)를 각각 온 상태로 하여, 개폐 밸브(64, 66)를 각각 오프 상태로 한다. That it is, as shown in Figure 12, to an on-off valve (62, 68) with each of the on-state, and the on-off valve (64, 66), respectively the OFF state. 이에 의해서, 도 13에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 직렬로 접속됨과 동시에, 배관(58), 유로 전환 유닛(18) 및 배관(60)으로 이루어지는 바이패스로(70)도 형성된다. Accordingly, as shown in Fig. 13, delivery port (14a) and the refrigerant passage 24 of the coolant passage 22 and the peripheral region of the central region between the return sphere (14b) of the chiller unit 14, the serial connection as soon at the same time, the pipe 58, is formed as a by-pass 70, consisting of a flow channel switching unit 18 and the pipe 60 to.

이 경우, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 중 일부, 즉 유로 분기점(N 1 )을 곧장 통과하여 배관(26)을 흐르는 냉매는, 도중의 가열 유닛(16)에서 승온하는 일 없이 베이스 온도 그대로 냉매 통로(22)로 들어간다. In this case, some of the refrigerant sent out to the base temperature from the chiller unit 14, that is, refrigerant flowing through the flow path branching point (N 1) pipe 26 and straight through the are, without temperature rise in the heating unit 16 on the way base temperature as it enters the refrigerant passage (22). 그리고, 냉매 통로(22)로부터 나오면, 배관(28), 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(62)) 및 배관(30)을 통하여 냉매 통로(24)로 들어가고, 냉매 통로(24)로부터 나온 후에는 곧장 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. And, comes from the refrigerant passage 22, the pipe 28, the flow channel switching unit 18 via the (on-off valve 62 in the ON state), and the pipe 30 into the refrigerant passage 24, the coolant passage (24 after exiting from) is directly fed back to a chiller unit 14 through a pipe 32. 한편, 유로 분기점(N 1 )으로부터 배관(58)측으로 분류한 냉매는, 베이스 온도 그대로 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(68)) 및 배관(60)을 통과하여 유로 분기점(N 2 )으로부터 배관(32)에 유입하여, 냉매 통로(24)측부터의 냉매와 합류하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. Meanwhile, the flow path branching point classified refrigerant flow path branching point to the base temperature as it passes through the flow channel switching unit 18 (on-state on-off valve 68 in), and the pipe 60 toward the pipe 58 from the (N 1) (N 2) from the inlet to the pipe 32, and joins the refrigerant from the refrigerant passage 24 is fed back to the chiller unit 14.

이 모드(E)에 있어서도, 탑재대(12)의 중심부 영역 및 주변부 영역의 양쪽을 베이스 온도의 냉매로 온도 조절하여, 탑재대(12) 전체를 대략 플랫인 온도 분포로 베이스 온도 부근의 온도로 제어할 수 있다. In this mode (E) Also, the mounting table 12, the center area, and the temperature control of both sides of the peripheral area as the refrigerant of the base temperature, the mounting table 12, the temperature distribution of the entire substantially flat to a temperature in the vicinity of the base temperature It can be controlled. 또한, 모드(A), 모드(B) 혹은 모드(C)로부터 모드(E)로의 이행도 간단 또한 고속으로 실행할 수 있다. Further, the mode (A), mode (B) or from the mode transition to the (C) mode (E) is easy can also be run at a high speed.

하지만, 엄밀하게는, 모드(E)와 모드(D)는 탑재대(12)의 온도 분포가 미묘하게 다르다. However, strictly speaking, a mode (E) and a mode (D) is slightly different from the temperature distribution of the stage 12. 즉, 모드(D)에서는, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매가 배관(26)의 유로 분기점(N1)에서 2개로 분리되어 탑재대(12)의 중심부 영역의 냉매 통로(22) 및 주변부 영역의 냉매 통로(24)에 패러렐(parallel)하게 공급되기 때문에, 탑재대(12)의 중심부 영역과 주변부 영역이 대략 동일한 냉매 온도로 온도 조절되게 되어, 탑재대(12) 전체에 있어서의 온도 분포의 평탄성(균일성)은 높다. That is, the mode (D) in, chiller unit 14 from the refrigerant of the refrigerant passage 22 in the central region of the pipe (26) flow path branching point for mounting the two separated parts from (N1) (12) for transmitting to a base temperature and because the parallel (parallel) supplied to the coolant passage 24 in the peripheral region, the central region and the peripheral region of the loading table 12 is to be temperature controlled to substantially the same coolant temperature, in the all-stage 12 evenness of the temperature distribution (uniformity) is high. 이에 대하여, 모드(E)에서는, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 전부가 처음에 탑재대(12)의 중심부 영역의 냉매 통로(22)를 흐르고, 그 후 또한 탑재대(12)의 주변부 영역의 냉매 통로(24)를 흐르기 때문에, 전자(중심부 영역)보다도 후자(주변부 영역) 쪽이 냉각 능력이 약간 약하고, 탑재대(12) 전체에 있어서의 온도 분포가 엄밀하게 평탄하지 않고 주변부가 중심부보다도 조금 높아지는 경향이 있다. On the other hand, the mode (E) in, the refrigerant all sent to the base temperature from the chiller unit 14 flows through the refrigerant passage 22 in the center region of the first with the board (12), and also the mounting table 12 after because of the flow of the coolant passage 24 in the peripheral region, e (center region) than the latter (the peripheral area), the peripheral side is weak and little cooling power, the worktable 12 without the rigidly planar temperature distribution of the entire there is a little higher than the central tendency.

마지막으로, 6번째의 모드(F)는, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 멈추게 하고(오프 상태로 하고), 유로 전환 유닛(18)내의 유로 상태를 상기의 모드(C)와 동일한 형태로 한다. Finally, the mode (F) in the sixth is a flow state in the stop the heating operation of the heating unit 16, and (in the off state, and), flow channel switching unit 18 in the same manner and mode (C) of the do. 즉, 도 14에 도시하는 바와 같이, 개폐 밸브(62)만을 온 상태로 하여, 다른 개폐 밸브(64, 66, 68)를 모두 오프 상태로 한다. That is, as shown in Figure 14, on the on-state only on-off valve 62, and all the other on-off valve (64, 66, 68) in the off state. 도 15에 도시하는 바와 같이, 칠러 유닛(14)의 송출구(14a)와 귀환구(14b)의 사이에서, 중심부 영역의 냉매 통로(22)와 주변부 영역의 냉매 통로(24)가 직렬로 접속되지만, 배관(58)과 배관(60)의 사이에서(유로 전환 유닛(18)에서) 유로가 차단되기 때문에 바이패스 유로(70)는 형성되지 않는다. As shown in Figure 15, the connection between the delivery port (14a) and the return sphere (14b) of the chiller unit 14, the coolant passage 22 and the coolant passage 24 in the peripheral region of the central region is in series however, the bypass flow path 70, since between the pipe 58 and the pipe 60 (in the flow channel switching unit 18) flow path is blocked is not formed.

이 경우, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매 전부가 유로 분기점(N 1 )을 곧장 통과하여 배관(26)을 흘러, 도중의 가열 유닛(16)에서 승온하는 일 없이 베이스 온도 그대로 냉매 통로(22)로 들어간다. In this case, the refrigerant all sent to the base temperature from the chiller unit 14 that flows through the pipe 26 and straight through the flow path branching point (N 1), the base temperature as coolant without temperature rise in the heating unit 16 on the way enter the passage 22. 그리고, 냉매 통로(22)로부터 나오면, 배관(28), 유로 전환 유닛(18)(온 상태의 개폐 밸브(62)) 및 배관(30)을 통하여 냉매 통로(24)로 들어가고, 냉매 통로(24)로부터 나온 후에는 곧장 배관(32)을 통하여 칠러 유닛(14)으로 귀환한다. And, comes from the refrigerant passage 22, the pipe 28, the flow channel switching unit 18 via the (on-off valve 62 in the ON state), and the pipe 30 into the refrigerant passage 24, the coolant passage (24 after exiting from) is directly fed back to a chiller unit 14 through a pipe 32.

이 모드(F)에 있어서도, 탑재대(12)의 중심부 영역 및 주변부 영역의 양쪽을 베이스 온도의 냉매로 온도 조절하여, 탑재대(12) 전체를 대략 플랫인 온도 분포로 베이스 온도 부근의 온도로 제어할 수 있다. In this mode (F) also, the mounting table 12, the center area, and the temperature control of both sides of the peripheral area as the refrigerant of the base temperature, the mounting table 12, the temperature distribution of the entire substantially flat to a temperature in the vicinity of the base temperature It can be controlled. 또한, 모드(A), 모드(B) 혹은 모드(C)로부터 모드(F)로의 이행도 간단 또한 고속으로 실행할 수 있다. Further, the mode (A), mode (B) or from the mode transition to the (C) mode (F) may also be easy to run at high speed.

하지만, 엄밀하게는, 모드(F)도, 모드(D) 및 모드(E)의 작용상의 상위점이 있다. However, it is to be exact, the mode (F) there are a mode (D) and an upper point on the operation of mode (E). 모드(D)와의 상위점은, 모드(E)에 대하여 상술한 것과 동일한 것이 적합하다. Terms of its differences from the mode (D) is, it is appropriate that the same as that described above with respect to the mode (E). 또한, 모드(E)와 비교하면, 모드(F)에서는, 바이패스 유로(70)를 형성하지 않기 때문에, 칠러 유닛(14)으로부터 송출된 냉매 전부를 탑재대(12)의 냉매 통로(22, 24)에 흐르게 할 수 있어, 칠러 유닛(14)에 의한 온도 제어 기능을 보다 온 전히 성취할 수 있다. Further, as compared with the mode (E), mode (F) in, because it does not form a bypass flow passage 70, the coolant passages (22 of the equipped with a refrigerant whole board (12) sent out from the chiller unit 14, can be made to flow in 24), it can still achieve than on a temperature control function by the chiller unit 14.

상기 한 바와 같이, 이 실시 형태에 있어서는, 한대의 칠러 유닛(14)과, 인라인 히터(40)를 이용하는 가열 유닛(16)과, 4개의 개폐 밸브(62, 64, 66, 68)로 이루어지는 유로 전환 유닛(18)과, 각 유닛(14, 16, 18)의 동작 또는 상태를 제어하는 컨트롤러(20)를 가지는 저코스트로 간단한 구성의 탑재대 온도 제어 장치에 의해서, 탑재대(12)의 온도 내지 온도 분포를 여러 종류의 설정값 혹은 프로파일로 고속 승강온 및 고정밀도로 제어할 수 있다. , In this embodiment, the flow path comprising a chiller unit 14 of the one and, and the heating unit 16, using an in-line heater 40, four on-off valve (62, 64, 66, 68) as described above, conversion unit 18, and, each of the units by a low cost simple construction mounted in a large temperature control device having a controller 20 which controls the operation or state of 14, 16, 18, the temperature of the stage 12 to have a temperature distribution can be controlled with high accuracy and high speed on lifting with different types of set values ​​or profile.

< 실시예 2 > <Example 2>

도 16에, 본 발명의 1 실시 형태에 있어서의 플라즈마 처리 장치의 구성을 도시한다. And in Figure 16, showing the configuration of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention; 이 플라즈마 처리 장치에는, 상기한 제 1 실시 형태에 의한 탑재대 온도 제어 장치가 내장되어 있다. The plasma processing apparatus, a built-in mounting for a temperature control system according to the first embodiment described above.

도 16에 도시하는 바와 같이, 이 플라즈마 처리 장치는, 평행평판형의 플라즈마 에칭 장치로 구성되어 있고, 내벽의 표면이 알루마이트 처리된 알루미나막, 이트륨 산화(Y 2 O 3 )막, 세라믹 코팅 혹은 석영으로 덮힌 알루미늄 또는 스테인리스강 등으로 이루어지는 원통형의 챔버(처리 용기)(90)를 가지고 있다. As shown in Figure 16, the plasma processing apparatus, in parallel is composed of a plasma etching apparatus of the plate-like, the surface of the inner wall Anodized alumina film, yttrium oxide (Y 2 O 3) film, a ceramic coating or quartz Covered with aluminum or has a cylindrical chamber (process container) 90 made of stainless steel or the like. 이 챔버(90)는, 도 1의 챔버(10)에 상당하는 것이다. The chamber 90 is to also correspond to the chamber 10 of FIG. 또한, 챔버(90)는 보안 접지되어 있다. Further, the chamber 90 is secure ground.

챔버(90)내에는, 피 처리 기판으로서 예컨대 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 원판 형상의 탑재대(12)가 하부 전극 또는 서셉터로서 마련되어 있다. The chamber (90) is provided as the substrate P, for example the mounting table 12 of the disc-mounting a semiconductor wafer (W) as the lower electrode or susceptor. 이 탑재대(12)는, 예컨대 알루미늄으로 이루어져, 절연성의 통 형상 유지부(92)를 거쳐서 챔버(90)의 밑바닥으로부터 수직 방향으로 연장하는 통 형상 지지부(94)에 지지되어 있다. The mounting table 12 is, for example, made of aluminum, through a tubular of the insulation holding portion 92 is supported on a tubular support portion 94 extending vertically from the bottom of the chamber 90. 통 형상 유지부(92)의 상면에는, 탑재대(12)의 상면을 링 형상으로 둘러싸는 예컨대 석영으로 이루어지는 포커스링(96)이 배치되어 있다. The upper surface of the cylindrical holding portion (92), the mount has a focus ring 96 is formed with an upper surface, for example quartz surrounded by a ring-shaped stand 12 is arranged.

챔버(90)의 측벽과 통 형상 지지부(94)의 사이에는 배기로(98)가 형성되어, 이 배기로(98)의 입구 또는 도중에 링 형상의 배플판(100)이 부착됨과 동시에 바닥부에 배기구(102)가 마련되어 있다. The bottom portion at the same time as between the side walls of the chamber 90 and the cylindrical support portion 94, there is formed an exhaust (98), is attached to the baffle plate 100 of the entrance to or during the ring shape of the exhaust (98) the exhaust port 102 is provided. 이 배기구(102)에 배기관(104)을 거쳐서 배기 장치(106)가 접속되어 있다. Through the exhaust pipe 104 to the exhaust port 102 is connected to the exhaust system 106. The 배기 장치(106)는, 진공 펌프를 가지고 있고, 챔버(90)내의 처리 공간을 소정의 진공도까지 감압할 수 있다. An exhaust device 106, and has a vacuum pump, and the processing space inside the chamber 90 can be vacuumed to a predetermined vacuum level. 챔버(90)의 측벽에는, 반도체 웨이퍼(W)의 반출입구를 개폐하는 게이트 밸브(108)가 부착되어 있다. The side wall of the chamber 90 is provided with a gate valve 108 for opening and closing the entrance half of the semiconductor wafer (W) is attached.

탑재대(12)에는, 플라즈마 생성용의 고주파 전원(110)이 정합기(112) 및 급전 막대(114)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. Stage 12 is provided, a high frequency power source 110 of the plasma generation through a matching unit 112 and the feed bar 114 is electrically connected to. 이 고주파 전원(110)은, 소망하는 고주파수 예컨대 27 MHz 이상(예컨대 60 MHz)의 고주파를 하부 전극 즉 탑재대(12)에 인가한다. The radio frequency generator 110, and applies a high frequency of the desired high frequency, for example 27 MHz or higher (e.g. 60 MHz) to a lower electrode that is the stage 12. 탑재대(12)와 평행하게 마주보고, 챔버(90)의 천장부에는, 샤워 헤드(116)가 접지 전위의 상부 전극으로서 마련되어 있다. Mounted on the parallel faces for reporting and 12, the ceiling portion of the chamber 90, a shower head 116 is provided as an upper electrode of a ground potential. 고주파 전원(110)으로부터의 고주파에 의해서 탑재대(12)와 샤워 헤드(116)의 사이의 공간 즉 플라즈마 생성 공간(PS)에 고주파 전기장이 형성된다. A high frequency electric field is formed in a space that is the plasma generating space (PS) between the high-frequency stage by the high-frequency from the power source 110 is 12 and the shower head 116.

상기 샤워 헤드(116)는, 다수의 가스 통기 구멍(118a)을 가지는 전극판(118)과, 이 전극판(118)을 장착 및 분리가 가능하도록 지지하는 전극 지지체(120)를 가진다. The showerhead 116 has a plurality of gas vent holes (118a) having the electrode plate 118 and the electrode plate electrode support 120 for supporting the 118, the mounting and dismounting is possible. 전극 지지체(120)의 내부에 버퍼실(122)이 마련되어, 이 버퍼실(122)의 가스 도입구(122a)에는 처리 가스 공급부(124)로부터의 가스 공급 배관(126)이 접속 되어 있다. Provided with a buffer chamber 122 in the interior of the electrode support 120, a gas inlet (122a) of the buffer chamber 122 are connected to the gas supply pipe 126 from the processing gas supply unit 124. The

챔버(90)의 천장부에서, 플라즈마 생성 공간(PS) 주변의 상방(바람직하게는 샤워 헤드(116)의 주위)에는, 링 형상 또는 동심 형상으로 연장되어 있는 자기장 형성 기구(128)가 마련되어 있다. In the ceiling portion of the chamber 90, it is provided with a magnetic field forming mechanism (128) which (around preferably the showerhead 116) has, extending in a ring shape or a concentric shape the plasma generating space (PS) above the ambient. 이 자기장 형성 기구(128)는, 챔버(90)내의 플라즈마 생성 공간(PS)에 있어서의 고주파 방전의 개시(플라즈마 착화)를 쉽게 하여 방전을 안정하게 유지하기 위해서 기능한다. A magnetic field forming device 128, and functions to facilitate to stably maintain the discharge initiation of the high frequency discharge (plasma ignition) in the plasma generating space (PS) in the chamber (90).

탑재대(12)의 상면에는 반도체 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 유지하기 위한 정전척(130)이 마련되어 있다. The upper surface of the mounting table 12 is provided with a chuck 130 for holding the semiconductor wafer (W) by electrostatic attraction force. 이 정전척(130)은 도전막으로 이루어지는 전극(130a)을 한 쌍의 절연막(130b, 130c)의 사이에 끼운 것으로, 전극(130a)에는 직류 전원(132)이 스위치(134)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. The electrostatic chuck 130 includes an electrode (130a) made of a conductive film to be sandwiched between a pair of insulating films (130b, 130c), the electrodes (130a) has an electrical direct-current power supply 132 through the switch 134 It is connected. 직류 전원(132)으로부터의 직류 전압에 의해, 쿨롱 힘으로 반도체 웨이퍼(W)를 척 상에 흡착 유지할 수 있도록 되어 있다. A Coulomb force, by a DC voltage from the DC power source 132 is to maintain the adsorption of the semiconductor wafer (W) on a chuck.

탑재대(12)의 내부에는, 상기한 제 1 실시 형태와 동일하게, 중심부 영역에 링 형상 또는 스파이럴 형상으로 연장하고 있는 제 1 냉매 통로(22)가 마련되어, 주변부 영역에 링 형상 또는 스파이럴 형상으로 연장하고 있는 제 2 냉매 통로(24)가 마련되어 있다. Inside the loading table 12, as in the first embodiment, it provided with a first coolant passage 22, which extends in a ring shape or a spiral shape in the center area, a ring shape or a spiral shape on the peripheral area, which extends it is provided with a second coolant passage (24). 그리고, 이들 냉매 통로(22, 24)에는, 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16) 및 유로 전환 유닛(18)을 가지는 상기 제 1 실시 형태와 동일한 탑재대 온도 제어 장치로부터 소정 온도의 냉매가 순환 공급된다. Then, these coolant passages 22, 24, chiller unit 14, the heating unit 16 and the first embodiment, the same mounting and for the temperature control device having a flow channel switching unit 18, a refrigerant having a predetermined temperature circulation is supplied.

또한, 열전도 가스 공급부(136)로부터의 열전도 가스 예컨대 He 가스가 가스 공급 라인(138)을 거쳐서 정전척(130)의 상면과 반도체 웨이퍼(W)의 이면의 사이에 공급된다. Further, the heat transfer gas, for example He gas from the heat transfer gas supply unit 136 is supplied between the upper surface and the back surface of the semiconductor wafer (W) of the electrostatic chuck 130 via a gas supply line 138.

제어부(140)는, 이 플라즈마 에칭 장치내의 각 부를 개별적으로 제어하여, 전체의 시퀀스도 통괄 제어함으로써, 탑재대 온도 제어 장치의 컨트롤러(20)(도 1)도 겸하고 있다. The control unit 140, is to control overall each unit individually, in the plasma etching apparatus, and the controller 20 (FIG. 1) by the unification also controls the entire sequence, the stage temperature control device also serves.

이 플라즈마 처리 장치에서는, 도시를 생략하지만, 상부 전극인 샤워 헤드(116)에 27 MHz 이상의 주파수 예컨대 60 MHz의 고주파 전원을 접속하고, 하부 전극인 탑재대(12)에 2 MHz ~ 27 MHz의 범위내의 주파수 예컨대 2 MHz의 고주파 전원을 접속하는 구성으로 해도 좋다. The plasma processing apparatus, not shown, however, the upper electrode is more than 27 MHz frequency to the showerhead 116, for example connected to a high frequency power of 60 MHz, and the lower electrode or the stage range from 2 MHz ~ 27 MHz to 12 in a frequency for example it may be configured to connect a high frequency power of 2 MHz. 이 경우에는, 탑재대(12)에 샤워 헤드(116)측으로부터의 고주파(60 MHz)를 그라운드로 통과시키기 위한 하이패스 필터(HPF)가 전기적으로 접속되어, 샤워 헤드(116)에 탑재대(12)측으로부터의 고주파(2 MHz)를 그라운드로 통과시키기 위한 로우패스 필터(LPF)가 전기적으로 접속되면 바람직하다. In this case, the mounting table 12, a shower head 116, a high-pass filter (HPF) for passing a high-frequency (60 MHz) from the side to the ground is electrically connected to, mounted on the shower head 116 for ( 12) it is preferable if low for passing the high frequency (2 MHz) from the ground side to the low-pass filter (LPF) is electrically connected.

이 플라즈마 처리 장치에 있어서, 에칭을 실행하기 위해서는, 우선 게이트 밸브(108)를 열린 상태로 하여 가공 대상의 반도체 웨이퍼(W)를 챔버(90)내에 반입하여, 탑재대(12) 상에 탑재한다. In the plasma processing apparatus, in order to perform etching, first to bring the semiconductor wafer (W) of the machining target by the gate valve 108 is open into the chamber 90, it is mounted on the mount table (12) . 이어서, 직류 전원(132)으로부터 직류 전압을 정전척(130)의 전극(130a)에 인가하여, 반도체 웨이퍼(W)를 정전척(130) 상에 고정한다. Then, by applying to the electrodes (130a) of a power failure the DC voltage from DC power source 132, the chuck 130 to hold the semiconductor wafer (W) on the electrostatic chuck 130. The 그리고, 후술하는 바와 같이 탑재대(12)의 온도 제어를 실행하고, 또한 열전도 가스 공급부(136)로부터의 열전도 가스를 정전척(130)의 상면과 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 공급한다. And to execute the temperature control of the stage 12, as will be described later, and also supplied to the back surface of the upper surface of the semiconductor wafer (W) of the heat transfer gas from the heat transfer gas supply 136, an electrostatic chuck (130). 그 후, 처리 가스 공급부(124)로부터 에칭 가스(일반적으로 혼합 가스)를 소정의 유량 및 유량비로 챔버(90)내에 도입하여, 배기 장 치(106)에 의해 챔버(90)내의 압력을 설정값으로 한 뒤에, 고주파 전원(110)으로부터 소정의 파워로 고주파를 탑재대(12)에 공급한다. Then, by introducing an etching gas (generally a gas mixture) from the processing gas supply unit 124 into the chamber 90 at a predetermined flow rate and flow rate ratio, setting the pressure in the chamber 90 by the exhaust device 106, the value after the, with a high frequency to a predetermined power from the high frequency power supply 110 it is supplied to the board (12). 샤워 헤드(116)로부터 토출된 에칭 가스는 플라즈마 생성 공간(PS)내에서 방전하여 플라즈마화하고, 이 플라즈마로 생성되는 래디컬이나 이온에 의해서 반도체 웨이퍼(W)의 주면(主面)이 에칭된다. The etching gas delivered from the showerhead 116 into plasma by a discharge in the plasma generation space (PS), and is the main surface (主 面) of the semiconductor wafer (W) etched by radicals or ions generated by the plasma.

상기 한 바와 같은 플라즈마 에칭에서, 이 실시 형태에 있어서의 탑재대 온도 제어 기술을 이용하여 에칭 특성을 제어하는 방법의 예를 몇가지 설명한다. In the plasma etching as described above, an example of a method for controlling the etching property by using the stage temperature control technology according to the present embodiment some.

플라즈마 처리 장치에서는, 프로세스의 종류나 장치 구조에 의해, 탑재대 상에서 피처리 기판의 온도 분포가 여러가지 영향을 받는다. In the plasma processing apparatus, by the type or structure of the device process, the temperature distribution of the substrate to be processed on the mount table is subject to various effects. 일반적으로는, 플라즈마나 챔버벽으로부터의 열복사 혹은 고밀도 전자 등에 의해, 기판 상의 온도는 에지부쪽이 중심부 영역보다도 높아지는 경향이 있다. Generally, the heat radiation or the temperature on the substrate, by a high density electrons from the plasma or the chamber wall tends to be higher than the central edge bujjok area. 상기 한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 온도 제어 모드(A)를 적용하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(W) 표면의 온도를 균일하게 할 수 있게 된다. As described above, according to the present invention, by applying a temperature control mode (A), thereby the temperature of the semiconductor wafer (W) surface can be made uniform.

즉, 상기 한 바와 같이, 탑재대(12)의 온도 제어에 있어서 모드(A)(도 4 및 도 5)를 선택함으로써, 탑재대(12)에 있어서 주변부보다도 내측(중심부 영역)의 온도를 높게 할 수 있다. That is, the higher the temperature, by in mode (A) (Figs. 4 and 5), select the temperature control of the stage 12, a stage 12, the inside (central area) than the peripheral part in, as described above can do. 이에 의해서, 도 17에 도시하는 바와 같이, 탑재대(12) 상의 반도체 웨이퍼(W)에서는, 중심부 영역과 주변부 영역에서 대략 균일(플랫)한 온도 분포를 얻을 수 있다. Thus by the semiconductor wafer (W) on, the mounting table 12 as shown in Fig. 17, it is possible to obtain a substantially uniform (flat) temperature distribution in the central region and the peripheral region. 이와 관련하여, 탑재대(12)의 유체 통로(22, 24)에 대략 동일한 온도의 냉매를 흐르게 하면, 도 18에 도시하는 바와 같이, 탑재대(12)에 있어서 중심부 영역과 주변부 영역이 대략 균일(플랫)한 온도 분포가 되어, 그것에 의하여 탑재대(12) 상의 반도체 웨이퍼(W)에서는 플라즈마나 챔버벽으로부터의 열복사 등에 의해 중심부 영역보다도 주변부 영역이 높아지기 쉽다. In this connection, the mount, the mount table 12 about the central region and the peripheral region uniform in as shown on the lower flow a refrigerant of about the same temperature, 18 to the fluid passage (22, 24) of the board (12) (flat) is a temperature distribution, the heat radiation or the like becomes higher than the peripheral area from the central region by the plasma or the chamber wall tends to the semiconductor wafer (W) on the board (12) mounted by it.

다음에, 도 19를 참조하여 제 2 예에 대하여 설명한다. Next, referring to Figure 19 will be described in the second example. 이 예는, 반도체 웨이퍼(W)의 주면에 형성된 다층막, 예컨대 2층 구조의 도전층을 가공하여 미세한 폭의 배선을 형성하는 경우이다. This example is by processing a multi-layer film, for example a conductive layer of a two-layer structure formed on the main surface of the semiconductor wafer (W) in the case of forming a wiring of a fine width. 이 경우에는, 온도 제어 모드를 모드(B)(도 6, 도 7)로부터 모드(D)(도 10, 도 11)로 전환하는 시퀀스가 유효하다. In this case, a sequence for switching the temperature control mode to the mode (D) (10, 11) from the mode (B) (6, 7) is effective.

이 도전층의 에칭에서는, 에칭 가스로서 예컨대 염소계의 할로겐화물을 포함하는 혼합 가스를 사용한다. The etching of the conductive layer, for example, a mixed gas containing a chlorine-containing halide as an etching gas. 그리고, 탑재대(12)의 온도 제어에서는, 도 19에 도시하는 바와 같이, 처음에는 모드(B)에 의해 반도체 웨이퍼(W) 전체를 소망하는 설정 온도로 대략 균일한 온도 분포로 한다. Then, with the temperature control of the board (12), and a substantially uniform temperature distribution, the first mode is set to a desired temperature for the whole semiconductor wafer (W) by (B) as shown in Fig. 그 경우, 고속 승온 기능에 의해, 반도체 웨이퍼(W)를 높은 응답 속도로 제 1 설정 온도(예컨대 60℃)까지 승온시킬 수 있다. In that case, by the high-speed temperature raising function, and the semiconductor wafer (W) with a high response speed can be raised to a first predetermined temperature (e.g. 60 ℃). 이 상태에서, 에칭 가스를 챔버(90)내에 도입하여, 고주파에 의해 플라즈마 여기하여, 상층의 도전층을 가공한다. In this state, by introducing an etching gas into the chamber 90, the plasma excited by the high frequency, and processing the conductive layer as the upper layer.

계속해서, 에칭 가스의 도입을 일시적으로 멈추게 하여, 이번에는, 탑재대(12)의 온도 제어를 모드(B)로부터 모드(D)로 전환한다. Subsequently, the temporary stopping by the introduction of the etching gas, this time, to switch the temperature control of the stage 12 from the mode (B) in a mode (D). 이 경우도, 고속 강온 기능에 의해, 탑재대(12) 전체의 온도를 베이스 온도에 상당하는 제 2 설정 온도(예컨대 30℃)까지 고속으로 강하시킬 수 있다. In this case also, by high temperature reduction capability, the mounting table 12 can lower the overall temperature of the high-speed to the second set temperature (for example 30 ℃) corresponding to the base temperature.

이렇게 하여, 도 19에 도시하는 바와 같이, 모드(B)로부터 모드(D)로의 전환에 의하여 반도체 웨이퍼(W) 전체도 고속으로 강온한다. Thus, an overall, a mode by switching to mode from (D) (B) the semiconductor wafer (W) as shown in Fig. 19 is temperature-down at a high speed. 이 상태에서, 재차 에칭 가스를 챔버(90)내에 도입하고 플라즈마 여기하여 하층의 도전층을 가공한다. In this state, the re-introduction of the etching gas in the chamber 90 and the plasma processing of the conductive layer where the lower layer. 이 렇게 해서, 고정밀도로 치수 제어된 적층 배선을 가공 형성할 수 있다. Doing so it is possible to form a high precision machining dimension controlled laminated wiring.

이 밖에도, 플라즈마 처리에 있어서 여러가지 온도 제어 시퀀스가 가능하다. In addition, it is possible to control different temperature sequences in the plasma treatment. 도 20은, 도 19과는 역의 시퀀스이며, 처음에 모드(D)하에서 다층막의 첫째 층을 가공하고, 이어서 모드(B)하에서 하층막을 가공한다. 20 is a sequence and 19 is the reverse, the processing under the under the first mode (D) and processing the first layer of the multilayer film, and then mode (B) a lower layer film. 이 경우도, 탑재대(12)의 온도를 모드(D)에 있어서의 설정 온도(예컨대 30℃)로부터 모드(B)에 있어서의 설정 온도(예컨대 60℃)까지 고속으로 전환할 수 있다. In this case also, the mounting can be switched at a high speed up to about 12, the temperature mode (D) setting temperature (e.g. 60 ℃) in the mode (B) from the setting temperature (e.g. 30 ℃) in the.

도 21에 제 3의 예를 도시한다. And in Figure 21 shows an example of the third. 플라즈마 처리 장치에서는, 상기 한 바와 같이, 탑재대 상의 피처리 기판은, 플라즈마 처리 중에 플라즈마나 챔버벽으로부터의 열복사 혹은 고밀도 전자의 입사를 받는다. In the plasma processing apparatus, as described above, the substrate to be processed on the mount table is subjected to heat radiation or incidence of high density electrons from the plasma or the chamber wall during plasma processing. 이것은, 플라즈마 처리의 시작과 동시에, 즉 고주파 전극에 대하여 고주파(RF)의 급전을 시작하면, 도 21의 일점 쇄선(144)으로 도시하는 바와 같이 기판의 온도가 상승하는 방향으로 변동하는 것을 의미한다. This start of the plasma treatment and at the same time, that means that the variation in the direction of rising the temperature of the substrate as shown by the high-frequency (RF) chain line 144 when starting the power supply, Fig. 21 with respect to the high frequency electrode . 다만, 탑재대에 의한 온도 조절도 작용하기 때문에, 일정한 시상수의 시간(π)이 경과하면 기판의 온도 상승(변동)은 포화하여 평형 온도(Tw)에 도달한다. However, the temperature control according to the stage is also because the action, when the time (π) of a constant time constant has elapsed, the temperature rising (change) of the substrate is saturated to reach the equilibrium temperature (Tw). 그러나, 이것으로서는, 플라즈마 처리의 전 기간을 통하여 기판의 온도를 설정 처리 온도(레시피의 온도 조건)로 유지 할 수 없고, 플라즈마 처리의 재현성이나 득률의 점에서 신뢰성은 낮다. However, as a result, throughout the entire duration of the plasma treatment it can not maintain the temperature of the substrate at a set processing temperature (temperature recipe), are low in reproducibility and reliability point of deukryul of the plasma treatment.

이 점, 본 발명에 의하면, 가열 유닛(16)의 급속 승강온 기능을 이용하여, 챔버(10)내에 반입된 반도체 웨이퍼(W)가 탑재대(12) 상에 탑재되고 나서 소망하는 플라즈마 처리가 시작되기 전에, 도 21의 실선(148a, 146)으로 도시하는 바와 같이 가열 유닛(16)의 급속 승온 기능에 의해 배관(26)을 흐르는 냉매를 가열하여 각 반 도체 웨이퍼(Wn)의 온도를 처리용의 설정 처리 온도(Tw)까지 급속하게 상승시킨다. This point, according to the invention, after using a rapid-function of the heating unit 16, is mounted on which the board (12) mounting a semiconductor wafer (W) taken into the chamber 10, a desired plasma process is before the start, also the solid line of 21 (148a, 146) in the rapid heating unit 16. as shown heat the refrigerant flowing through the pipe 26 by the temperature increase function processes the temperature of each semiconductor wafer (Wn) then rapidly raised to the set processing temperature (Tw) for. 그리고, 플라즈마 처리가 시작하고 나서 그 이후도 처리가 종료할 때까지 반도체 웨이퍼(Wn)의 온도가 설정 처리 온도(Tw)로 실질적으로 유지되도록 가열 유닛(16)에 의해 배관(26)을 흐르는 냉매에 대한 가열을 도 21의 실선(148b)에서 도시하는 바와 같이 점차적으로 약하게 한다. And, after the plasma treatment started after that also the refrigerant flowing through the pipe 26 by the heating unit 16 so that processing is substantially maintained as a semiconductor wafer (Wn), the temperature setting process temperature (Tw) until the end gradually weaken, as shown in solid lines (148b) of the heat 21 of the. 이렇게 해서, 플라즈마 등으로부터의 입열에 의한 웨이퍼 온도의 변동(상승)을 보정하는 것이 가능하고, 낱장 플라즈마 처리의 온도 관리, 재현성, 득률을 향상시킬 수 있다. In this way, it can be possible to correct the variation (increase) of the wafer temperature due to the heat input from the plasma or the like, and improve the temperature control, reproducibility, deukryul the sheet plasma treatment.

상술한 실시 형태에서 온도 제어 모드를 전환하는 시퀀스에서는 칠러 유닛(14)에 있어서의 냉매 베이스 온도를 일정하게 유지했지만, 본 발명은 베이스 온도를 일정하게 유지하는 형태에 한정되는 것이 아니다. In a sequence for switching the temperature control mode in the embodiments described above, but maintain a constant coolant temperature of the base of the chiller unit 14, the invention is not limited to the type for maintaining a constant base temperature. 칠러 유닛(14)의 가열기(38)에서 베이스 온도를 임의로 바꾸는 것도 가능하고, 베이스 온도의 가변 제어와 가열 유닛(16)의 승강온 기능을 병용함으로써 한층 더 다양한 온도 제어를 실현할 수 있다. Also in the heater 38 of the chiller unit 14 to change the temperature of the base optionally may be possible, and realize a more wide range of temperature control by a combination of lift-on function of variably controlling the heating unit 16 in the base temperature.

일례로서, 도 22에, 반도체 웨이퍼(W)를 3단계로 강온시키는 예를 도시한다. As an example, in Figure 22, showing an example in which the temperature reduction of the semiconductor wafer (W) in three steps. 상기 한 바와 같이, 칠러 유닛(14)은 열용량이 큰 데다가 탑재대(12)로부터 상당히 떨어진 장소에 배치되기 때문에, 칠러 유닛(14)에서 베이스 온도를 변경하고 나서 탑재대(12)의 온도가 따르기까지 상당히 긴 시간을 요한다(응답 속도가 느리다). As described above, the chiller unit 14, since arranged in substantially away from the mount table (12) Foresight a large heat capacity, in the chiller unit 14 mounted after changing the base temperature to follow the temperature of about 12 to require a fairly long time (slow response time).

그래서, 도 22에 도시하는 바와 같이, 제 1 단계에서는, 베이스 온도를 비교적 높은 온도로 설정하고, 가열 유닛(16)을 온 상태로 하여 냉매의 온도를 베이스 온도보다도 더 한층 높은 일정한 온도로 유지한다. Thus, as shown in Figure 22, in the first step, to keep the base temperature as relatively set to a high temperature, and the on the heating unit (16) state further the temperature of the refrigerant than the base temperature further higher constant temperature . 이렇게 해서, 반도체 웨이 퍼(W)의 온도를 제 1 설정 온도로 유지한다. In this way, to keep the temperature of the semiconductor wafer (W) to the first predetermined temperature. 다음에, 제 2단계에서, 칠러 유닛(14)에서 베이스 온도를 한 단계 낮은 기준 온도로 전환한다. Next, in the second step, the switch from a chiller unit 14, the base temperature to a level below the reference temperature. 그러나, 이 베이스 온도 전환의 시상수가 크기 때문에, 탑재대(12)에 공급되는 냉매의 온도가 점차적으로 저하하여, 그것에 따른 반도체 웨이퍼(W)의 온도도 점차적으로 저하해 버려, 고속의 온도 전환은 할 수 없다. However, since the time constant of the base temperature switch size, with the temperature of the coolant supplied to the board (12) gradually decreases, the temperature of the semiconductor wafer (W) is also discarded gradually reduced, the high speed temperature switch according to it is Can not. 그래서, 제 2 단계에서는, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 일단 멈추게 하여 급속 강온에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 온도를 제 1 설정 온도보다도 낮은 제 2 설정 온도까지 단숨에 내린다. Thus, the second step, heating one end to stop the operation of heating unit 16 and lowered at once to the rapidly falling temperature by the low temperature of the semiconductor wafer (W) than the first predetermined temperature the second set temperature. 그리고 나서, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 재개시켜, 온도 조절기(54)를 통하여 가열 온도를 베이스 온도의 시상수에 맞추어 느릿하게 상승시킨다. Then, by resuming a heating operation of the heating unit 16, the leisurely rising the heating temperature according to the time constant of the base temperature by the temperature controller 54. 이렇게 해서, 제 2 단계의 기간 동안, 반도체 웨이퍼(W)는 제 2 설정 온도로 유지된다. Thus, during the second step period, the semiconductor wafer (W) is held at the second predetermined temperature. 다음에, 베이스 온도가 새로운 기준값에 안정했을 때, 가열 유닛(16)의 가열 동작을 멈춘다. Next, when the base temperature to stabilize the new reference value, stopping the heating operation of the heating unit (16). 이 급속 강온에 의해, 반도체 웨이퍼(W)의 온도를 제 2 설정 온도로부터 신규 베이스 온도로 대응한 제 3 설정 온도까지 단숨에 내릴 수 있다. The rapid temperature reduction by, may be the temperature of the semiconductor wafer (W) from the second set temperature fall at once to a third set temperature corresponding to the new base temperature.

이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼(W)의 온도를, 제 1 단계에서는 예컨대 90℃로, 제 2 단계에서는 예컨대 60℃로, 제 3 단계에서는 예컨대 30℃로 각각 유지하여, 예컨대 3층막의 에칭 가공을 고정밀도로 실행할 수 있다. In this manner, the temperature of the semiconductor wafer (W), in the first step, for example 90 ℃, claim to example 60 ℃ In the second step, the third step for example, by keeping at 30 ℃, respectively, for example, three-layer film is etched You can run a high precision. 혹은, 단층막을 소망하는 단면 형상으로 가공하는 것도 가능하게 된다. Alternatively, it becomes possible to process the cross-sectional shape to the desired single-layer film.

도 23은, 도 22와는 역의 온도 제어 시퀀스이며, 반도체 웨이퍼(W)를 3단계로 승온시키는 예이다. 23 is different from Fig. 22 and a temperature control sequence of the station, an example of heating of the semiconductor wafer (W) in three steps. 이 시퀀스에 의하면, 반도체 웨이퍼(W)의 온도를, 제 1 단계에서는 예컨대 30℃로, 제 2 단계에서는 예컨대 60℃로, 제 3 단계에서는 예컨대 90℃로 유지할 수 있어, 도 22의 예와 동일하게 다층막의 에칭 가공을 고정밀도로 실행할 수 있다. According to this sequence, the temperature of the semiconductor wafer (W), in the first step, for example 30 ℃, claim to example 60 ℃ In the second step, the same example as in Figure 22 can be maintained by for example 90 ℃ Step 3 You can execute the etching of the multilayer film with high precision.

도 24에, 제어부(140)(컨트롤러(20))의 구성예를 도시한다. In Figure 24, there is shown an example of the configuration of the controller 140 (controller 20). 이 구성예의 제어부(140)(컨트롤러(20))는, 버스(150)를 거쳐서 접속된 프로세서(CPU)(152), 메모리(RAM)(154), 프로그램 저장 장치(HDD)(156), 프로피 드라이브 혹은 광디스크 등의 디스크 드라이브(DRV)(158), 키보드나 마우스 등의 입력 디바이스(KEY)(160), 표시 장치(DIS)(162), 네트워크·인터페이스(COM)(164), 및 주변 인터페이스(I/F)(166)를 가진다. The configuration example of the controller 140 (controller 20) is a processor (CPU) (152) connected via a bus 150, a memory (RAM) (154), a program storage device (HDD) (156), propionic disk drive (DRV), such as drive or an optical disk 158, input device (KEY) such as a keyboard or a mouse 160, a display device (DIS) (162), the network-interface (COM) (164), and the peripheral interface It has a (I / F) (166).

프로세서(CPU)(l52)는, 디스크 드라이브(DRV)(158)에 장전된 FD 혹은 광디스크 등의 기억 매체(168)로부터 소요하는 프로그램의 코드를 판독하여, HDD(156)에 저장한다. Be stored in a processor (CPU) (l52) is, by reading a code of a program that takes the disk drive from the storage medium 168 such as an FD or an optical disc loaded in the (DRV) (158), HDD (156). 혹은, 소요하는 프로그램을 네트워크로부터 네트워크·인터페이스(164)를 거쳐서 다운로드 하는 것도 가능하다. Alternatively, the amount of programs that can be downloaded via the network interface, 164 from the network. 그리고, 프로세서(CPU)(152)는, 각 단계 또는 각 장면에서 필요한 프로그램의 코드를 HDD(156)로부터 워킹 메모리(RAM)(154) 상에 전개하여 각 스텝을 실행하고, 소요하는 연산 처리를 실행하여 주변 인터페이스(166)를 거쳐서 장치내의 각 부(특히 칠러 유닛(14), 가열 유닛(16), 유로 전환 유닛(18) 등)를 제어한다. And, a processor (CPU) (152), each step or operation processing to expand the code of the program required in each scene on from the HDD (156) a working memory (RAM) (154) to execute each step, and it takes, the executed via the peripheral interface 166 and controls the respective parts (particularly chiller unit 14, the heating unit 16, the flow channel switching unit 18, and so on) in the apparatus. 상기 제 1 및 제 2 실시 형태에서 설명한 탑재대 온도 제어 방법을 실시하기 위한 프로그램은 모두 이 컴퓨터 시스템으로 실행된다. The first and the program for carrying out the stage temperature control method explained in the second embodiment are both running on a computer system.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 상술한 실시 형태는 본 발명을 한정하는 것이 아니다. Above, a preferred embodiment has been described with respect to the form, the embodiment described above of the present invention is not intended to limit the present invention. 당업자에 있어서는, 구체적인 실시 형태에 있어서 본 발명의 기술 사상 및 기술 범위로부터 벗어나지 않고 여러가지의 변형·변경을 가하는 것이 가능하다. In those skilled in the art can make a variety of modifications, it changes without departing from the spirit and scope of the present invention in specific embodiments.

예컨대, 유로 전환 유닛(18)에 있어서, 한 쌍의 전자 밸브(62, 64)를, 제 1 입구(18a)에 접속된 제 1 포트와, 제 1 및 제 2 출구(18c, 18d)에 각각 접속된 제 2 및 제 3 포트를 가지는 하나의 방향 전환 밸브로 옮길 수도 있다. For example, in a flow channel switching unit 18, respectively, to a pair of solenoid valves (62, 64) a first and a first port connected to the inlet (18a), first and second outlets (18c, 18d) the first connection may be moved to a directional control valve having a second and third port. 또한, 한 쌍의 전자 밸브(66, 68)를, 제 2 입구(18a)에 접속된 제 1 포트와, 제 1 및 제 2 출구(18c, 18d)에 각각 접속된 제 2 및 제 3 포트를 가지는 하나의 방향 전환 밸브로 옮기는 것도 할 수 있다. In addition, the first port and, the second and third ports respectively connected to the first and second outlets (18c, 18d) connecting the solenoid valve (66, 68) of the pair, a second inlet (18a) having may also carry a single directional control valve. 다만, 그 경우에는, 모드(C), (F)를 얻을 수 없다고 하는 제약이 있다. However, there are limitations to such a case, the mode (C), there can be obtained a (F).

또한, 상기 실시 형태에서 가열 유닛(16)대신에, 배관(26)의 도중에 냉매를 냉각하는 냉각 유닛을 이용하는 것도 가능하다. In addition, it is also possible to use a cooling unit in place of the heating unit 16 in the above embodiment, cooling the refrigerant in the middle of the piping 26. 그 경우에는, 예컨대, 모드(A)에 의해서 탑재대(12) 상의 반도체 웨이퍼(W)의 온도 분포에 대하여, 도 17의 프로파일을 상하로 반전시킨 것 같은 프로파일을 얻을 수 있다. In this case, for example, with respect to the temperature distribution of the semiconductor wafer (W) on the board (12) by the mode (A), it is possible to obtain a profile like that of the profile of Figure 17 inverted in the vertical direction. 혹은, 칠러 유닛(14)으로부터 베이스 온도로 송출된 냉매를 처음에 탑재대(12)의 주변부 영역의 냉매 통로(24)에 흐르게 하여, 시리얼(serial)하게 그 후에 중심부 영역(22)으로 흐르게 하는 방식도 가능하다. Or, to flow in the coolant passage 24 in the peripheral region of the board (12) with the refrigerant sent out to the base temperature from the chiller unit 14 at the first time, the serial (serial), to thereafter to flow to the central region 22 method is also possible. 또한, 탑재대(12)에, 개별의 입구와 출구를 가지는 냉매 통로를 3 계통 이상 마련하는 구성도 가능하다. Further, it mounted on the board (12), it is also possible configuration for providing a coolant passage having a separate inlet and outlet for more than three strains.

또한, 본 발명은, 상기 실시 형태에 있어서와 같은 평행평판형 플라즈마 처리 장치이외에도, 헬리콘파 플라즈마 여기형의 처리 장치, ECR(Electron Cyc1otron Resonance) 플라즈마 여기형의 처리 장치, μ파 플라즈마 여기형의 처리 장치, ICP(Inductively Coupled Plasma) 플라즈마 여기형의 처리 장치 등에도 동일하게 적용할 수 있다. In addition, the present invention, in addition to the parallel plate type plasma processing apparatus, such as in the above embodiment, heli konpa plasma treatment of this type apparatus, ECR (Electron Cyc1otron Resonance) plasma-enhanced processing apparatus of the type, the processing of the μ-wave plasma excited type device, ICP (Inductively Coupled plasma) plasma-enhanced type of processing unit or the like can also be equally applicable. 또한, 에칭 장치이외에 성막 장치 등에도 동일하게 적용할 수 있어, 예컨대 화학 기상 성장(CVD) 장치, 플라즈마 CVD 장치, 스퍼터링 장치, MBE 장치, 증착 장치 등에도 적용할 수 있다. Moreover, it is also equally applicable etching apparatus in addition to the film forming apparatus or the like, for example, can be applied even such chemical vapor deposition (CVD) apparatus, a plasma CVD device, a sputtering device, MBE device, a deposition device. 또한, 본 발명은, 이온 밀링, FIB에 의한 피처리물의 가공, 절연 기판 표면의 플라즈마 세정, 혹은 플라즈마 클리닝 등에도 동일하게 적용할 수 있는 것이다. In addition, the present invention, ion milling, which will be equally applicable processing target by FIB water, isolated plasma cleaning of the substrate surface, or a plasma cleaning or the like.

또한, 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 반도체 웨이퍼에 한한 것이 아니고, 플랫 패널·디스플레이용의 각종 기판이나, 포토 마스크, CD 기판 등이더라도 좋다. Further, the target substrate is may be a variety of substrates for a flat panel, a display, it is not as much as a semiconductor wafer or a photo mask, CD substrate of the present invention.

본 발명의 탑재대 온도 제어 장치, 탑재대 온도 제어 방법 또는 탑재대 온도 제어 프로그램에 의하면, 상기 한 바와 같은 구성과 작용에 의해, 실용성이 높은 비교적 소규모 또한 간단한 구성으로써 탑재대의 온도 내지 온도 분포를 다양 또는 고정밀도로 제어하고, 또한 탑재대의 고속 승강온을 가능하게 할 수 있다. According to the invention the stage temperature control device, the stage temperature control method or the worktable temperature control program, a variety of by the configuration and action as described above, a relatively small highly practical also mount table temperature to the temperature distribution by a simple structure or highly accurately controlled, and also enables the high-speed lift on the mount table. 또한, 본 발명의 처리 장치에 의하면, 상기 한 바와 같은 구성과 작용에 의해, 탑재대의 온도 제어를 통하여 피처리체에 대한 처리의 균일성이나 다양성을 향상시킬 수 있다. Further, according to the processor of the present invention, by the configuration and action as described above, it is possible to control the temperature through the mount table improves the uniformity and the variety of processing for the processing target.

Claims (25)

  1. 피처리체를 탑재하는 탑재대의 온도를 제어하기 위한 탑재대 온도 제어 장치에 있어서, In the stage temperature control device for controlling the temperature of the mount table mounting the object to be processed,
    상기 탑재대에 마련된 각각 개별의 입구 및 출구를 가지는 제 1 및 제 2 냉매 통로와, And first and second coolant passages, each having a separate inlet and outlet provided in the mounting stand,
    상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매를 순환 공급하기 위해서, 상기 제 1 냉매 통로의 입구에 제 1 유로를 거쳐서 접속된 송출구와, 상기 제 2 냉매 통로의 출구에 제 2 유로를 거쳐서 접속된 귀환구를 가지고, 상기 귀환구에 귀환한 냉매를 기준 온도로 되돌려 상기 송출구로부터 송출하는 냉매 순환기와, The first and second to cycle supplying a coolant to the coolant passage, said first transmission connection through a first flow path to the inlet of the coolant passage sphere, a feedback connection via a second flow path to the outlet of the second refrigerant passage have a sphere, the refrigerant returns to the refrigerant return to the return to the old reference temperature transmitted from the transmitting port circulator, and
    상기 제 1 유로의 도중에 냉매의 온도를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키는 냉매 온도 제어부와, And a refrigerant temperature control unit that in the middle of the first flow path rising or lowering the temperature of the refrigerant to a desired set temperature from the reference temperature,
    상기 제 1 냉매 통로의 출구에 제 3 유로를 거쳐서 접속된 제 1 포트와, 상기 제 1 유로의 상기 냉매 온도 제어부보다도 상류측에 마련된 제 1 유로 분기점에 제 4 유로를 거쳐서 접속된 제 2 포트와, 상기 제 2 냉매 통로의 입구에 제 5 유로를 거쳐서 접속된 제 3 포트와, 상기 제 2 유로에 마련된 제 2 유로 분기점에 제 6 유로를 거쳐서 접속된 제 4 포트를 가지고, 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 포트의 사이에서 유로의 도통, 차단 및 변경이 가능한 유로 전환부와, And the first of the first ports connected via a third flow path to the outlet of the coolant passage, and the first, the refrigerant temperature control unit than that connected to the first flow path branch point provided on the upstream side through the fourth flow path a second port of the flow path the first, with a second and a third port connected to the inlet of the refrigerant passage through the fifth passage, a fourth port connected to each other via a sixth Euro in the second flow path branch point provided in the second flow path, the and second, third and fourth switchable conduction, blocking and changing the flow path flow path between the port portion,
    상기 유로 전환부내의 상기 유로의 도통, 차단 또는 변경을 제어하는 유로 제어부를 가지는 탑재대 온도 제어 장치. With the flow path having a flow passage control unit for controlling conduction, blocking or changing of the flow path of the switching portion for temperature control.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유로 전환부가, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 포트와의 사이에 접속된 제 1 개폐 밸브와, 상기 제 1 포트와 상기 제 4 포트와의 사이에 접속된 제 2 개폐 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 3 포트의 사이에 접속된 제 3 개폐 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 4 포트의 사이에 접속된 제 4 개폐 밸브를 가지고, And the flow channel switching part, wherein the first port and the second and the first on-off valve connected between the third port, the first port and the fourth of the second opening and closing connection between the port valve, and the second with a fourth on-off valve connected between the third opening and closing valve and the fourth port and the second port connection between the port and the third port,
    상기 유로 제어부가, 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 개폐 밸브의 온·오프를 제어하는 탑재대 온도 제어 장치. Stage temperature control device in which the flow control unit, controls the first, second, turning on and off the third and fourth on-off valve.
  3. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유로 전환부가, 상기 제 1 포트와 상기 제 3 및 제 4 포트의 사이에 접속된 제 1 방향 전환 밸브와, 상기 제 2 포트와 상기 제 3 및 제 4 포트의 사이에 접속된 제 2 방향 전환 밸브를 가지고, The second way selector connected between the flow channel switching part, wherein the first port and the second of the first directional control valve connected between the third and fourth port, and the second port and the third and fourth ports It has a valve,
    상기 유로 제어부가, 상기 제 1 및 제 2 방향 전환 밸브내의 각각의 유로 상태를 제어하는 탑재대 온도 제어 장치. Stage temperature control device in which the flow controller, controlling the respective flow state in the first and second directional control valve.
  4. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 냉매 온도 제어부가 Wherein the refrigerant temperature control unit
    상기 제 1 유로에 부착된 인라인 히터와, And in-line heater attached to the first flow path,
    상기 인라인 히터보다도 하류측에서 상기 제 1 유로내의 냉매 온도를 검출하는 온도 센서와, Than the in-line heater and the downstream side temperature sensor for detecting the refrigerant temperature in the first flow path,
    상기 온도 센서에 의해서 검출되는 냉매 온도를 상기 설정 온도에 일치시키도록 상기 인라인 히터의 발열량을 제어하는 온도 제어부를 가지는 탑재대 온도 제어 장치. Stage temperature control unit having a refrigerant temperature detected temperature control unit for controlling the heating value of the in-line heater to match the setting temperature by the temperature sensor.
  5. 제 4 항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 인라인 히터가, 상기 탑재대에 가까운 위치에서 상기 제 1 유로내의 냉매를 가열하는 탑재대 온도 제어 장치. Stage temperature control apparatus for the in-line heater, heating the refrigerant in the first flow path at a position close to the stage.
  6. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제 1 유로의 상기 제 1 유로 분기점보다도 하류측에 냉매의 유량을 가변 제어하기 위한 유량 제어 밸브가 마련되는 탑재대 온도 제어 장치. Stage temperature control device than that of the first flow path branch point of the first flow path is on the downstream side flow rate control to vary the flow rate of the coolant valve arranged.
  7. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로는, 상기 탑재대의 중심에 대하여 동심원 형상으로 배치되어 있는 탑재대 온도 제어 장치. The first refrigerant passage and the second coolant passage, the stage temperature control devices that are arranged in a concentric shape with respect to the single center mount.
  8. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제 1 냉매 통로가 상기 탑재대의 중심부 영역에 마련되어, 상기 제 2 냉매 통로가 상기 탑재대의 주변부 영역에 마련되는 탑재대 온도 제어 장치. The first refrigerant passage is provided in the center of the mount area, the stage temperature control device and the second coolant passage provided in the mount table peripheral region.
  9. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 냉매 순환기가, 냉매를 순환시키기 위한 펌프와, 귀환 직후의 냉매를 냉동하기 위한 냉동부와, 냉동후의 냉매를 소정의 기준 온도까지 가열하는 가열부를 가지는 탑재대 온도 제어 장치. The refrigerant circulator is, equipped with a refrigeration unit for the pump for circulating the coolant, freezing the refrigerant immediately after the return, the refrigerant after the refrigeration unit is heated to heated to a predetermined reference temperature for the temperature control device.
  10. 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하는 탑재대 온도 제어 방법에 있어서, By supplying the refrigerant from the refrigerant circulator to the first and second coolant passage provided in the mounting table mounting the object to be processed in the stage temperature control method for controlling the temperature of the mount table,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구와의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송 출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 1 온도 제어 모드를 가지는 탑재대 온도 제어 방법. In between the delivery of the refrigerant circulatory sphere and return sphere and to the first refrigerant passage and the second by connecting the coolant passages in parallel, the set temperature to a desired part of the song exported refrigerant from the reference temperature at the reference temperature from the cooling medium circulator then raise or descent to flow into the first coolant passage, and with the remainder substantially to flow to the reference temperature as the second coolant passage has a first temperature control mode for executing a single temperature control wherein the stage temperature control method .
  11. 제 10 항에 있어서, 11. The method of claim 10,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 2 온도 제어 모드를 또한 가지고, Between the sending of a refrigerant circulatory sphere and return the sphere to flow into the first coolant passage with the second by connecting the coolant passages in parallel, the refrigerant the reference temperature, and some of the dispensing refrigerant from a substantially circulator as the first refrigerant passage and the remainder as substantially to flow to the reference temperature as the second refrigerant passage also has a second temperature control mode for executing the mount table temperature control,
    상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드와 상기 제 2 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법. Stage temperature control method for executing the switching between the first mode and the second temperature control temperature control mode according to the processing condition of the object to be processed.
  12. 제 11 항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 3 온도 제어 모드를 또한 가지고, The refrigerant connected between the circulator transmission sphere and return the sphere of the of the first refrigerant passage and the second coolant passage in series, up to the set temperature to a desired portion of the delivery refrigerant in the refrigerant circulator relative to the reference temperature to raise or drop then also it has a third temperature control mode to the first and to flow sequentially to the second refrigerant passage, the other by a bypass run with the single temperature control,
    상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드와 상기 제 2 온도 제어 모드와 상기 제 3 온도 제어 모드의 사이에서 교환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법. Stage temperature control method for executing the first temperature control mode and the second temperature control mode, and wherein the exchange between the third temperature control mode according to the processing condition of the object to be processed.
  13. 제 11 항에 있어서, 12. The method of claim 11,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매의 전부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 유체 통로에 순차적으로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 4 온도 제어 모드를 또한 가지고, The refrigerant connected between the circulator transmission sphere and return the sphere of the of the first refrigerant passage and the second coolant passage in series, up to the set temperature desired for all of the dispensing refrigerant from the refrigerant circulator relative to the reference temperature to raise or drop then also it has a fourth temperature control mode for executing the first and second temperature control the mount table to flow sequentially to the fluid passage,
    상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드와 상기 제 2 온도 제어 모드와 상기 제 4 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법. Stage temperature control method for executing the switching between the first mode and the second temperature control temperature control mode, and the fourth temperature control mode according to the processing condition of the object to be processed.
  14. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상 기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드를 또한 가지고, Between the sending of a refrigerant circulatory sphere and return the sphere of the first refrigerant passage and the group 2 by connecting the coolant passage in series, and some of the dispensing refrigerant from the refrigerant circulator as substantially the reference temperature, the first and second flow to the coolant passages by one, and the other by by-pass also has a fifth temperature control mode for executing the mount table temperature control,
    상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 3 온도 제어 모드와 상기 제 5 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법. Stage temperature control method for executing the switching between the first temperature control mode, the third temperature control mode and the fifth temperature control mode according to the processing condition of the object to be processed.
  15. 제 13 항에 있어서, 14. The method of claim 13,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드를 또한 가지고, Between the sending of a refrigerant circulatory sphere and return the sphere of the first refrigerant passage and the second by connecting the coolant passage in series, the cooling medium the reference temperature, and some of the dispensing refrigerant from a substantially circulator as the first and second refrigerant have to flow sequentially to the passage, the other by by-pass also a fifth temperature control mode for executing the mount table temperature control,
    상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 4 온도 제어 모드와 상기 제 5 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법. Stage temperature control method for executing the switching between the first temperature control mode, and the fourth temperature control mode and the fifth temperature control mode according to the processing condition of the object to be processed.
  16. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매의 전부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 6 온도 제어 모드를 또한 가지고, Between the refrigerant circulatory transmission sphere and return the sphere of the first coolant passage with the second coolant passage to be connected in series, the coolant above the reference temperature for all of the transmission refrigerant circulatory substantially as the first and second refrigerant have to flow sequentially to the passage also a sixth temperature control mode for executing the mount table temperature control,
    상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 3 온도 제어 모드와 상기 제 6 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법. Stage temperature control method for executing the switching between the first temperature control mode, the third temperature control mode and the sixth temperature control mode according to the processing condition of the object to be processed.
  17. 제 13 항에 있어서, 14. The method of claim 13,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매의 전부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 6 온도 제어 모드를 또한 가지고, Between the refrigerant circulatory transmission sphere and return the sphere of the first coolant passage with the second coolant passage to be connected in series, the coolant above the reference temperature for all of the transmission refrigerant circulatory substantially as the first and second refrigerant have to flow sequentially to the passage also a sixth temperature control mode for executing the mount table temperature control,
    상기 피처리체의 가공 조건에 따라 상기 제 1 온도 제어 모드, 상기 제 4 온도 제어 모드와 상기 제 6 온도 제어 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온 도 제어 방법. Stage temperature control method for executing a conversion between the first temperature control mode, and the fourth temperature control mode and the sixth temperature control mode according to the processing condition of the object to be processed.
  18. 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하는 탑재대 온도 제어 방법에 있어서, By supplying the refrigerant from the refrigerant circulator to the first and second coolant passage provided in the mounting table mounting the object to be processed in the stage temperature control method for controlling the temperature of the mount table,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 1 온도 제어 모드와, The first refrigerant passage and the second by connecting the coolant passages in parallel, and increased to the set temperature to a desired portion of the refrigerant sent out to the reference temperature from the cooling medium circulator relative to the reference temperature between the dispensing of the coolant circulator sphere and return the sphere or and then lowering the first temperature control mode in which the first flow into the coolant passage, and a substantially execute the mount table temperature control to flow to the reference temperature as the second coolant passage to the rest,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 2 온도 제어 모드와, Between the sending of a refrigerant circulatory sphere and return the sphere to flow into the first coolant passage with the second by connecting the coolant passages in parallel, the refrigerant the reference temperature, and some of the dispensing refrigerant from a substantially circulator as the first refrigerant passage and, and the other substantially to a second temperature to flow to the reference temperature as the second coolant passage runs a single temperature control with the control mode,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 3 온도 제어 모드와, The refrigerant connected between the circulator transmission sphere and return the sphere of the of the first refrigerant passage and the second coolant passage in series, up to the set temperature to a desired portion of the delivery refrigerant in the refrigerant circulator relative to the reference temperature to raise or drop after the third temperature control mode to the first and to flow sequentially to the second refrigerant passage, the other by a bypass run with the single temperature control,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 송출된 냉매 중 일부를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하여, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 제 5 온도 제어 모드 중, Between the sending of a refrigerant circulatory sphere and return the sphere of the first refrigerant passage and the second by connecting the coolant passage in series, the cooling medium the reference temperature, and some of the dispensing refrigerant from a substantially circulator as the first and second refrigerant to flow sequentially to the passage, the other by by-pass of the fifth temperature control mode for executing a single temperature control the mount,
    상기 제 1 모드와, 상기 제 2, 제 3, 제 5 모드의 적어도 하나의 모드의 사이에서 전환을 실행하는 탑재대 온도 제어 방법. The first mode and the second, stage temperature control method for executing a conversion between 3 and at least one mode in the fifth mode.
  19. 피처리체를 탑재하는 탑재대를 수용하는 감압 가능한 챔버와, And a reduced pressure chamber capable of receiving a mounting table mounting the object to be processed,
    상기 탑재대의 온도를 제어하기 위한 제 1 항에 기재된 탑재대 온도 제어 장치와, And stage temperature control device as set forth in claim 5 for controlling the temperature of the mount table,
    상기 챔버내를 배기하기 위한 배기부와, And exhaust part for exhausting the inside of the chamber;
    상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 가지는 피처리기판 처리 장치. The substrate processing apparatus having processing gas supply unit for supplying a processing gas into the chamber.
  20. 제 19 항에 있어서, 20. The method of claim 19,
    상기 챔버내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성 또는 공급하기 위한 플라즈마원을 가지는 피처리기판 처리 장치. The substrate processing apparatus having a plasma source for generating or supplying a plasma of the process gas in the chamber.
  21. 제 20 항에 있어서, 21. The method of claim 20,
    상기 탑재대에 제 1 고주파를 급전하기 위한 제 1 고주파 급전부를 가지는 피처리기판 처리 장치. The substrate processing apparatus having a first all-class high-frequency power supply to the first radio frequency to the mounting table.
  22. 제 21 항에 있어서, 22. The method of claim 21,
    상기 챔버내에서 상기 탑재대와 대향하는 대향 전극과, 상기 대향 전극에 제 2 고주파를 급전하기 위한 제 2 고주파 급전부를 가지는 피처리기판 처리 장치. A second target substrate processing apparatus having the all-class high-frequency power supply to the second radio frequency to the counter electrode opposite to the mount table, wherein the counter electrode in the chamber.
  23. 제 19 항에 있어서, 20. The method of claim 19,
    상기 탑재대가, 상기 피처리체를 정전 흡착하기 위한 정전척과, 상기 피처리체의 이면과 탑재면의 사이에 열전도 가스를 공급하는 열전도 가스 공급로를 가지는 피처리기판 처리 장치. With the exchange, the substrate processing apparatus having a heat transfer gas supply for supplying a heat conduction gas between the back surface and the mounting surface of the electrostatic chuck, the workpiece to the electrostatic adsorption of the object to be processed.
  24. 제 20 항에 있어서, 21. The method of claim 20,
    피처리체에 대하여 소망하는 플라즈마 처리가 시작되기 전에, 상기 냉매 온도 제어부에 의해 상기 제 1 유로를 흐르는 냉매를 가열하여 상기 피처리체의 온도를 처리용의 설정 처리 온도까지 상승시켜, Before the plasma treatment with respect to a desired object to be processed starting, by the control by the refrigerant temperature rises to the set temperature of the process for processing the temperature of the object to be processed to heat the refrigerant flowing in the first flow path,
    상기 플라즈마 처리가 시작하고 나서 그 이후도 처리가 종료할 때까지 상기 피처리체의 온도가 상기 설정 처리 온도로 실질적으로 유지되도록 상기 냉매 온도 제어부에 의해 상기 제 1 유로를 흐르는 냉매에 대한 가열을 점차적으로 약하게 하는 피처리기판 처리 장치. The heating of the refrigerant flowing in the first flow path by the refrigerant temperature control unit such that after the above plasma treatment started until that also the processing is ended after the temperature of the object remains substantially in the setting process temperature gradually the substrate processing apparatus thin.
  25. 피처리체를 탑재하는 탑재대에 마련된 제 1 및 제 2 냉매 통로에 냉매 순환기로부터 냉매를 순환 공급시켜 상기 탑재대의 온도를 제어하기 위한 탑재대 온도 제어 프로그램을 포함하는 기억매체에 있어서, By supplying the refrigerant from the refrigerant circulator to the first and second coolant passage provided in the mounting table mounting the object to be processed in the storage medium comprising a stage temperature control program for controlling the temperature of the mount table,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 병렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기로부터 기준 온도로 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서 상기 제 1 냉매 통로로 흐르게 하고, 나머지를 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 2 냉매 통로로 흐르게 하여 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 스텝과, The first refrigerant passage and the second by connecting the coolant passages in parallel, and increased to the set temperature to a desired portion of the refrigerant sent out to the reference temperature from the cooling medium circulator relative to the reference temperature between the dispensing of the coolant circulator sphere and return the sphere or drop and then the first step of flowing a coolant passage, and the other substantially to flow to the reference temperature as the second coolant passage runs the mount table and a temperature control,
    상기 냉매 순환기의 송출구와 귀환구의 사이에서 상기 제 1 냉매 통로와 상기 제 2 냉매 통로를 직렬로 접속하여, 상기 냉매 순환기의 송출된 냉매 중 일부를 상기 기준 온도로부터 소망하는 설정 온도까지 상승 또는 강하시키고 나서, 또는 실질적으로 상기 기준 온도 그대로 상기 제 1 및 제 2 냉매 통로에 순차적으로 흐르게 하고, 나머지를 바이패스시켜 상기 탑재대의 온도 제어를 실행하는 스텝을 실행하는 탑재대 온도 제어 프로그램을 포함하는 기억매체. The refrigerant connected between the circulator transmission sphere and return the sphere of the of the first refrigerant passage and the second coolant passage in series, up to the set temperature to a desired portion of the delivery refrigerant in the refrigerant circulator relative to the reference temperature to raise or drop Thereafter, or substantially the storage medium comprising a stage temperature control program for the reference temperature as to flow sequentially to the first and second coolant passage, the other by by-pass execution step of executing the mount table temperature control .
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