KR100905257B1 - 전위 제어 방법, 이를 적용한 전위 제어 유닛 및 기판 처리장치 - Google Patents

전위 제어 방법, 이를 적용한 전위 제어 유닛 및 기판 처리장치 Download PDF

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Abstract

전위 제어 방법이 개시된다. 기판을 이송하기 위한 이송 유닛이 배치되는 공간 내의 전위 값을 검출한다. 이어, 검출된 전위 값이 설정된 값과 다를 경우 검출되는 전위 값을 설정된 값으로 조정하여 이송 유닛이 배치되는 공간 내에서 발생 가능한 정전기적 요소를 제거한다. 따라서, 이송 유닛이 배치되는 이송 챔버의 전위 값을 정전기적 요소의 제거가 가능하도록 설정한 값으로 조정하여 정전기에 의하여 이물질이 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

Description

전위 제어 방법, 이를 적용한 전위 제어 유닛 및 기판 처리 장치{METHOD FOR CONTROLLING ELECTRIC POTENTIAL, UNIT FOR CONTROLLING ELECTRIC POTENTIAL AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATES USING THE SAME}
본 발명은 전위 제어 방법, 이를 적용한 전위 제어 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 이송 유닛이 배치되는 공간의 전위 값을 제어하는 방법과 이를 적용하면서 기판의 표면을 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하는데 사용되는 반도체 기판, 영상을 표시하는 표시 장치의 패널에 사용되는 유리 기판 등과 같은 기판은 그 표면의 청정도가 매우 중요하게 간주된다. 이에 따라, 최근에는 상기 반도체 소자 또는 상기 표시 패널을 제조하기 위한 공정들의 전후에 상기 기판을 세정하기 위한 세정 공정을 추가하여 진행하고 있다.
구체적으로, 상기 세정 공정은 세정하고자 하는 상기 기판이 로딩되는 기판 로딩부, 상기 기판 로딩부에 로딩된 상기 기판의 표면을 실질적으로 세정하여 이물질을 제거하는 기판 세정부 및 상기 기판 세정부에서 세정된 상기 기판을 언로딩시키는 기판 언로딩부를 포함하는 기판 처리 장치를 통해 진행된다.
이에, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판 로딩부, 상기 기판 세정부 및 상기 기판 언로딩부의 사이에서 상기 기판을 이송시키기 위한 이송 유닛 및 그 내부에 상기 이송 유닛이 배치되어 상기 이송 유닛을 외부로부터 차단시키는 이송 챔버를 더 포함한다.
상기 이송 유닛은 전기적인 힘을 이용한 로봇으로 구성된다. 이에, 상기 이송 챔버의 내부는 상기 이송 유닛으로 인가되는 구동 전원으로 인해 전기적으로 불안정한 상태일 수 있다. 예를 들어, 상기 이송 챔버의 내부는 그 전위가 "0"보다 크거나 작은 값을 가질 수 있다. 즉, 상기 이송 챔버의 내부에서는 정전기가 발생될 수 있다.
그러나, 상기 정전기는 상기 이송 유닛에 의한 상기 기판의 이송 도중 그 공 간에서 발생된 이물질을 상기 기판에 부착시키는 요소로 작용함으로써, 상기 기판의 불량을 유발하는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 이송 챔버의 전위 값을 "설정된 값으로 제어하여 정전기의 발생을 방지할 수 있는 전위 제어 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 전위 제어 방법을 적용한 전위 제어 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기한 전위 제어 유닛을 갖는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 전위 제어 방법이 개시된다. 기판을 이송하기 위한 이송 유닛이 배치되는 공간 내의 전위 값을 검출한다. 이어, 상기 검출된 전위 값이 설정된 값과 다를 경우 상기 검출되는 전위 값을 상기 설정된 값으로 조정하여 상기 이송 유닛이 배치되는 공간 내에서 발생 가능한 정전기적 요소를 제거한다.
상기 검출된 전위 값을 상기 설정된 값으로 조정하는 단계에서는 상기 설정된 값이 "0"일 때, 상기 검출된 전위 값이 "0"보다 크거나 작을 경우, 각각 상기 이송 유닛이 배치되는 공간 내에 음이온 또는 양이온을 주입하여 조정한다.
상기 전위 값을 검출하는 단계와 상기 검출된 전위 값을 상기 설정된 값으로 조정하는 단계는 상기 이송 유닛에 의하여 상기 기판이 이송되는 도중 실시간으로 진행될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 전위 제어 유닛은 전위 검출부 및 전위 제어부를 포함한다. 상기 전위 검출부는 기판을 이송하기 위한 이송 유닛이 배치되는 이송 챔버 내의 전위 값을 검출한다. 상기 전위 제어부는 상기 전위 검출부로부터 검출된 전위 값을 피드백 받고, 상기 피드백 받은 전위 값이 설정된 값과 다를 경우 상기 피드백 받은 전위 값을 상기 설정된 값으로 조정하여 상기 이송 유닛이 배치되는 공간 내에서 발생 가능한 정전기적 요소를 제거한다.
상기 전위 제어부는 상기 설정된 값이 "0"일 때, 상기 피드백 받은 전위 값이 "0"보다 크거나 작을 경우, 각각 상기 이송 챔버 내에 음이온 또는 양이온을 주입하여 조정할 수 있다.
상기 전위 검출부가 상기 이송 챔버 내의 전위 값을 검출하는 것과 상기 전위 제어부가 상기 피드백 받은 전위 값을 상기 설정된 값으로 제어하는 것은 상기 이송 유닛이 상기 기판을 이송하는 도중 실시간으로 진행될 수 있다.
상술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 기판 처리 장치는 이송 유닛, 이송 챔버, 표면 처리 유닛 및 전위 제어 유닛을 포함한다. 상기 이송 유닛은 기판을 이송한다. 상기 이송 챔버는 그 내부에 상기 이송 유닛이 배치된다. 상기 표면 처리 유닛은 상기 이송 유닛에 의해 이송되는 기판의 표면을 처리한다. 상기 전위 제어 유닛은 상기 이송 챔버의 전위 값을 조정한다.
이에, 상기 전위 제어 유닛은 상기 이송 챔버 내의 전위 값을 검출하기 위한 전위 검출부 및 상기 전위 검출부로부터 검출된 전위 값을 피드백 받고, 상기 피드백 받은 전위 값이 설정된 값과 다를 경우 상기 피드백 받은 전위 값을 상기 설정된 값으로 실시간으로 조정하여 상기 이송 유닛이 배치되는 공간 내에서 발생 가능한 정전기적 요소를 제거하기 위한 전위 제어부를 포함한다.
이러한 전위 제어 방법, 이를 적용한 전위 제어 유닛 및 기판 처리 장치에 따르면, 그 내부에 기판을 이송하기 위한 이송 유닛이 배치되는 이송 챔버 내부의 전위 값을 실시간으로 검출하여 상기 검출된 전위 값이 정전기적 요소의 제거가 가능하도록 설정한 값보다 다를 경우 상기 검출된 전위 값을 상기 설정한 값으로 조정함으로써, 상기 이송 챔버 내부에서 정전기가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이로써, 상기 정전기로 인하여 상기 이송 챔버의 내부에 잔류하는 이물질이 이송되는 상기 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 이물질의 부착으로 인한 상기 기판에 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 전위 제어 방법 및 이를 적용한 전위 제어 유닛 및 기판 처리 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하 지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 기판 로딩부(100), 표면 처리부(200) 및 기판 언로딩부(300)를 기본적으로, 포함한다.
상기 기판 로딩부(100)에는 외부로부터 기판(10)이 로딩된다. 상기 기판(10)은 반도체 소자를 제조하는데 사용되는 웨이퍼와 같은 반도체 기판이거나, 표시 장치의 표시 패널에 사용되는 유리 기판일 수 있다.
이하, 본 실시예에서는 설명의 편의상 상기 기판(10)이 반도체 기판일 경우로 한정하여 설명하고자 한다. 상기 기판(10)은 실질적으로, 다수개가 하나로 묶인 캐리어(20) 상태로 로딩된다. 예를 들어, 상기 캐리어(20)에는 약 25매 또는 약 50매의 상기 기판(10)이 순차적으로 적재될 수 있다.
상기 기판 로딩부(100)는 실질적으로, 상기 캐리어(20)가 로딩되는 로딩 포트(110) 및 상기 로딩 포트(110)와 연결되어 로딩된 상기 캐리어(20)들이 대기하는 로딩 거치부(120)를 포함한다. 상기 로딩 거치부(120)는 다수의 상기 캐리어(20)들이 일렬로 대기할 수 있도록 길게 형성된다.
상기 표면 처리부(200)는 상기 캐리어(20)에 적재된 상기 기판(10)의 표면을 처리한다. 일 예로, 상기 표면 처리부(200)는 상기 기판(10)의 표면에 잔류하는 이물질을 제거할 수 있다. 이를 위해, 상기 표면 처리부(200)는 상기 이물질을 제거 하기 위한 다양한 종류의 케미컬이 채워진 다수의 처리조(210)들을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 케미컬은 예를 들어 황산(H2SO4), 염산(HCl), 불산(HF), 과산화수소 용액(H2O2), 물(H2O) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 표면 처리부(200)는 상기 처리조(210)들 사이에서 상기 기판(10)들을 이송하는 이송 기기(220)를 더 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 표면 처리부(200)는 포토레지스트막이 패터닝된 상기 기판(10)을 식각할 수도 있다.
상기 기판 언로딩부(300)는 상기 표면 처리부(200)에서 처리된 상기 기판(10)을 상기 캐리어(20) 단위로 적재하여 외부로 언로딩한다. 상기 기판 언로딩부(300)는 상기 기판 로딩부(100)와 반대의 기능을 한다는 것을 제외하고는 거의 동일한 구성을 가질 수 있다. 즉, 상기 기판 언로딩부(300)는 언로딩 거치부(310) 및 언로딩 포트(320)를 포함할 수 있다.
이에, 상기 기판 처리 장치(1000)는 제1 이송 챔버(400), 제2 이송 챔버(600) 및 전위 제어 유닛(800)을 더 포함한다.
상기 제1 이송 챔버(400)는 상기 기판 로딩부(100) 및 상기 표면 처리부(200)의 사이에 배치된다. 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에는 실질적으로, 상기 기판(10)들을 이송시키기 위한 제1 이송 유닛(500)이 배치된다. 상기 제1 이송 유닛(500)은 구체적으로, 상기 기판(10)들이 적재된 상기 캐리어(20)를 이송시킨다.
상기 제1 이송 유닛(500)은 상기 로딩 거치부(120)를 따라 길게 배치되어 상기 로딩 거치부(120)에서 상기 캐리어(20)를 이송시키는 제1 이송부(510) 및 상기 제1 이송부(510)로부터 상기 캐리어(20)를 이송 받아 상기 표면 처리부(200)로 이송시키는 제2 이송부(520)를 포함한다. 여기서, 상기 제2 이송부(520)는 상기 캐리어(20)로부터 상기 기판(10)들을 분리시켜 상기 표면 처리부(200)로 이송시킨다.
상기 제2 이송 챔버(600)는 상기 표면 처리부(200) 및 상기 기판 언로딩부(300)의 사이에 배치된다. 상기 제2 이송 챔버(600)의 내부에는 실질적으로, 상기 기판(10)들이 적재된 상기 캐리어(20)를 이송시키기 위한 제2 이송 유닛(700)을 포함한다.
여기서, 상기 제2 이송 유닛(700)은 그 기능 상 서로 반대 방식으로 이송한다는 것을 제외하고는 상기 제1 이송 유닛(500)과 유사한 구조를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 이송 유닛(500)은 상기 캐리어(20)를 상기 기판 로딩부(100)로부터 상기 표면 처리부(200)로 이송시킨다는 것에 반해, 상기 제2 이송 유닛(700)은 상기 캐리어(20)를 상기 표면 처리부(200)로부터 상기 기판 언로딩부(300)로 이송시킨다.
이에, 상기 제2 이송 유닛(700)은 상기 표면 처리부(200)에서 처리된 상기 기판(10)들을 내부가 빈 상기 캐리어(20)에 적재함과 동시에 상기 언로딩 거치부(310)로 이송시키는 제3 이송부(710) 및 상기 제3 이송부(710)로부터 이송 받아 상기 언로딩 거치부(310)로부터 상기 언로딩 포트(320)로 이송시키는 제4 이송부(720)를 포함한다.
이와 같은 상기 제1 및 제2 이송 유닛(500, 700)은 전기적인 구동 전원에 의해 구동되는 로봇으로 구성된다. 이에, 상기 제1 및 제2 이송 유닛(500, 700)이 배 치된 상기 제1 및 제2 이송 챔버(400, 600)의 내부는 실질적으로, 전위 값이 정전기적 요소의 제거가 가능하도록 설정한 값과 다르게 나타나는 것일 일반적이다. 즉, 상기 제1 및 제2 이송 챔버(400, 600)의 내부에서는 항상 정전기가 발생될 수 있다. 여기서, 정전기적 요소의 제거가 가능하도록 상기 설정한 값은 "0"을 의미한다.
이에 따라, 상기 전위 제어 유닛(800)은 상기 제1 및 제2 이송 챔버(400, 600) 내부의 전위 값을 제어한다. 이하, 상기 전위 제어 유닛(800)이 상기 전위 값을 제어하는 것은 상기 제1 및 제2 이송 챔버(400, 600)에 대응해서 모두 동일한 방식을 사용하므로, 상기 제1 이송 챔버(400)를 도시한 도 2 및 도 3을 추가적으로 참조하여 대표적으로 설명하고자 한다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 제1 이송 챔버의 전위 값이 설정된 값보다 클 경우, 제어되는 상태를 나타낸 도면이며, 도 3은 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 제1 이송 챔버의 전위 값이 설정된 값보다 작을 경우, 제어되는 상태를 나타낸 도면이다.
도 2 및 도 3을 추가적으로 참조하면, 상기 전위 제어 유닛(800)은 전위 검출부(810) 및 전위 제어부(820)를 포함한다.
상기 전위 검출부(810)는 상기 제1 이송 챔버(400) 내부의 전위 값을 검출한다. 구체적으로, 상기 전위 검출부(810)는 상기 제1 이송 유닛(500)이 상기 기판(10)들이 적재된 상기 캐리어(20)를 이송하는 도중 실시간으로 전위 값을 검출한다.
상기 전위 검출부(810)에서 검출한 전위 값은 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부가 전기적으로 중화된 상태가 아닐 경우, 상기에서 정전기적 요소의 제거가 가능하도록 설정한 값인 "0"보다 크거나 작은 값을 나타낸다.
여기서, 상기 검출한 전위 값이 "0"보다 큰 경우는 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 양전하가 더 많이 분포되어 있음을 의미한다. 반대로, 상기 검출한 전위 값이 "0"보다 작은 경우는 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 음전하가 더 많이 분포되어 있음을 의미한다.
상기 전위 제어부(820)는 상기 전위 검출부(810)와 전기적으로 연결된다. 상기 전위 제어부(820)는 상기 전위 검출부(810)에서 검출한 전위 값을 실시간으로 피드백 받는다. 이에 따라, 상기 전위 제어부(820)는 상기 검출한 전위 값이 "0"으로 나타나지 않을 경우, 상기 제1 이송 챔버(400)에 음이온 또는 양이온을 주입하여 결과적으로, 상기 제1 이송 챔버(400) 내부의 전위 값을 상기 설정한 값인 "0"으로 조정한다.
즉, 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부를 항상 전기적으로 중화 상태로 유지한다. 상기 전위 제어부(820)는 고전압을 방전시키는 코로나 방전 방식을 이용하여 상기 제1 이송 챔버(400)에 양이온 또는 음이온을 발생시켜 주입할 수 있다.
일 예로, 도 2에서와 같이 상기 전위 검출부(810)에서 검출한 전위 값이 "0"보다 크게 나타나면, 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 양전하가 더 많이 분포한다는 것을 의미하므로, 상기 전위 제어부(820)는 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 음이온을 실시간으로 계속 주입한다.
이러면, 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 더 많이 분포되어 있는 양전하는 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 주입되는 음이온과 반응하여 전기적으로 중화된다. 결과적으로, 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부는 전체적으로 전기적인 중화 상태가 된다. 이는, 상기 전위 검출부(810)를 통해 상기 제1 이송 챔버(400) 내부의 전위 값이 "0"임을 확인함으로써, 간단하게 판단할 수 있다.
반대로, 도 3에서와 같이 상기 전위 검출부(810)에서 검출한 전위 값이 "0"보다 작게 나타나면, 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 음전하가 더 많이 분포한다는 것을 의미하므로, 상기 전위 제어부(820)는 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 양이온을 실시간으로 계속 주입한다.
이러면, 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 더 많이 분포되어 있는 음전하는 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 주입되는 양이온과 반응하여 전기적으로 중화된다. 결과적으로, 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부는 전체적으로 전기적인 중화 상태가 된다. 이는, 상기 도 2에서와 마찬가지로, 상기 전위 검출부(810)를 통하여 간단하게 판단할 수 있다.
이때, 상기 제1 이송 챔버(400)에는 상기 전위 제어부(820)로부터 주입되는 양이온 또는 음이온이 보다 안정하게 반응하도록 하기 위하여 비활성 기체인 질소(N2)를 주입시킬 수 있다. 물론, 상기 제2 이송 챔버(600)에도 마찬가지로, 질소를 주입시킬 수 있다.
한편, 상기 전위 제어 유닛(800)은 상기 전위 검출부(810) 및 상기 전위 제어부(820)와 연결되어 상기 제1 이송 챔버(400) 내부에서의 상기 전위 값을 디스플 레이하는 표시부(830)를 더 포함할 수 있다. 이는, 작업자로 하여금 상기 제1 이송 챔버(400)의 전위 상태를 간단하게 인식되도록 하여 그 제어가 보다 안정적이면서 용이하게 이루어질 수 있도록 하기 위해서이다. 또한, 상기 표시부(830)는 실질적으로, 상기 제2 이송 챔버(600) 내부에서의 상기 전위 값도 동시에 디스플레이할 수 있다.
이와 같이, 그 내부에 상기 기판(10)을 이송하기 위한 상기 제1 이송 유닛(500)이 배치되는 상기 제1 이송 챔버(400) 내부의 전위 값을 실시간으로 검출하여 그 검출한 전위 값이 정전기적 요소의 제거가 가능하도록 상기 설정한 값인 "0"보다 크거나 작을 경우, 각각 상기 제1 이송 챔버(400) 내부에 음이온 또는 양이온을 주입함으로써, 상기 제1 이송 챔버(400) 내부의 전위 값을 상기 설정한 값으로 조정할 수 있다. 이로써, 상기 제1 이송 챔버(400) 내부에서 정전기가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 정전기로 인하여 상기 제1 이송 챔버(400)의 내부에 잔류하는 이물질이 이송되는 상기 기판(10)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 이물질의 부착으로 인한 상기 기판(10)에 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은 전기적인 힘을 이용하여 기판을 이송하는 이송 유닛이 배치되는 공간에 그 전위 값에 따라 양이온 또는 음이온을 주입함으로써, 상기 공간에 정전기가 발생되는 것을 방지하는데 이용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 제1 이송 챔버의 전위 값이 설정된 값보다 클 경우, 제어되는 상태를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 제1 이송 챔버의 전위 값이 설정된 값보다 작을 경우, 제어되는 상태를 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 20 : 캐리어
100 : 기판 로딩부 200 : 표면 처리부
300 : 기판 언로딩부 400 : 제1 이송 챔버
500 : 제1 이송 유닛 600 : 제2 이송 챔버
700 : 제2 이송 유닛 800 : 전위 제어 유닛
810 : 전위 검출부 820 : 전위 제어부
1000 : 기판 처리 장치

Claims (7)

  1. 기판을 이송하기 위한 이송 유닛이 배치되는 공간 내의 전위 값을 검출하는 단계; 및
    상기 검출된 전위 값이 "0"보다 크거나 작을 경우 각각 상기 이송 유닛이 배치되는 공간 내에 음이온 또는 양이온을 주입하여 상기 검출되는 전위 값을 "0"으로 조정함으로써, 상기 이송 유닛이 배치되는 공간 내에서 발생 가능한 정전기적 요소를 제거하는 단계를 포함하는 전위 제어 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 전위 값을 검출하는 단계와 상기 검출되는 전위 값을 "0"으로 조정하는 단계는 상기 이송 유닛에 의하여 상기 기판이 이송되는 도중 실시간으로 진행되는 것을 특징으로 하는 전위 제어 방법.
  4. 기판을 이송하기 위한 이송 유닛이 배치되는 이송 챔버 내의 전위 값을 검출하기 위한 전위 검출부; 및
    상기 전위 검출부로부터 검출된 전위 값을 피드백 받고, 상기 피드백 받은 전위 값이 "0"보다 크거나 작을 경우 각각 상기 이송 유닛이 배치되는 공간 내에 음이온 또는 양이온을 주입하여 상기 피드백 받은 전위 값을 "0"으로 조정함으로써 상기 이송 유닛이 배치되는 공간 내에서 발생 가능한 정전기적 요소를 제거하기 위한 전위 제어부를 포함하는 전위 제어 유닛.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서, 상기 전위 검출부가 상기 이송 챔버 내의 전위 값을 검출하는 것과 상기 전위 제어부가 상기 피드백 받은 전위 값을 "0"으로 조정하는 것은 상기 이송 유닛이 상기 기판을 이송하는 도중 실시간으로 진행되는 것을 특징으로 하는 전위 제어 유닛.
  7. 기판을 이송하기 위한 이송 유닛;
    그 내부에 상기 이송 유닛이 배치되는 이송 챔버;
    상기 이송 유닛에 의해 이송되는 기판의 표면을 처리하는 표면 처리 유닛; 및
    상기 이송 챔버의 전위 값을 조정하는 전위 제어 유닛을 포함하고,
    상기 전위 제어 유닛은
    상기 이송 챔버 내의 전위 값을 검출하기 위한 전위 검출부; 및
    상기 전위 검출부로부터 검출된 전위 값을 피드백 받고, 상기 피드백 받은 전위 값이 "0"보다 크거나 작을 경우 각각 상기 이송 유닛이 배치되는 공간 내에 음이온 또는 양이온을 주입하여 상기 피드백 받은 전위 값을 "0"으로 조정함으로써 상기 이송 유닛이 배치되는 공간 내에서 발생 가능한 정전기적 요소를 제거하기 위한 전위 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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