KR100902198B1

KR100902198B1 - 노광 장치

Info

Publication number: KR100902198B1
Application number: KR1020070090263A
Authority: KR
Inventors: 케이지 요시무라
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2006-09-11
Filing date: 2007-09-06
Publication date: 2009-06-11
Also published as: JP2008066634A; US20080062395A1; KR20080023639A; US7502098B2; TW200817847A

Abstract

본 발명의 노광장치에서는, 기판상의 복수의 샷의 각각에 관해서, 복수의 개소에 대하여 검출기에 의해 검출된 기판의 표면의 복수의 위치를 근사하는 선 또는 면을 산출하고, 상기 복수의 개소의 각각에 대하여, 상기 검출기에 의해 검출된 상기 표면의 위치와 상기 선 또는 면의 투영 광학계의 광축 방향에 있어서의 위치 간의 차이분을 산출한다. 또, 상기 복수의 개소의 각각에 대하여, 상기 차이분을 상기 복수의 샷에 걸쳐서 평균화함으로써, 오프셋치를 구하고 있다.

Description

노광 장치{EXPOSURE APPARATUS}

본 발명은 주사 방향으로 레티클 및 기판을 이동시키면서, 상기 레티클 및 투영 광학계를 거쳐서 상기 기판을 노광하는 노광 장치(주사 노광 장치)에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼 등의 기판을 노광하는 주사 노광 장치에 있어서, 포커스 센서는 웨이퍼 면의 이산적인 포인트를 단지 계측하도록 구성되어 있다. 따라서, 레지스트의 기저에 요철 패턴이 있는 경우, 포커스 정밀도의 관점으로부터, 미리 기저 패턴의 요철에 기인한 오프셋치를 계측해 두는 것이 바람직하다. 그리고, 일본국 특허 공개 평09－045608호 공보에는 포커스 계측치(웨이퍼 면의 높이)로부터 해당 오프셋값을 공제함으로써 얻어진 값에 근거해서 웨이퍼의 높이를 조정하면서 웨이퍼를 노광하는 방법이 제안되어 있다. 일본국 특허 공개 평09－045608호 공보에 있어서, 오프셋치는 복수의 샘플 샷에 있어서의 웨이퍼 면의 높이의 계측치에 근거해서 얻어진다.

그러나, 웨이퍼 면에 특이적인 영역, 예를 들어, 비정상인 기울기를 가진 영역이 있으면, 샘플 샷의 선택 방법에 따라 오프셋치가 변화한다. 이하, 도 2를 참 조해서 설명을 한다. 웨이퍼 기판(201) 위에는 패턴(202A) 내지 (202C)이 형성되어 있다. 이때에 패턴 구조에 대응한 오프셋치를 구하기 위해서, 샘플 샷(202A) 내지 (202C)의 높이 분포를 계측한다. 이 계측 결과를 (203A)로 표시된 바와 같이 단순평균화하고, 평균화된 높이 분포(오프셋치 분포에 대응)(203B)를 산출한다. 이 예에서는, 웨이퍼 기판이 2차 포물면 형상에 가깝고, 또한 샷(202A)과 샷(202C)은 샷(202B)에 대해서 실질적으로 대칭으로 배치되어 있다. 따라서, 계측 결과를 단순 평균화함으로써, 오프셋치를 비교적 고정밀도로 구할 수 있다.

그러나, 웨이퍼 기판과 웨이퍼 기판 스테이지 사이에 먼지가 들어가거나 또는 회로 작성 과정에 있어서 상기 웨이퍼 기판이 휘는 경우, 해당 기판은 항상 2차 포물면 형상은 아니다. 이하, 도 3을 참조해서 이 상황을 설명한다. 도 3에 있어서, 웨이퍼 기판(301)은 패턴 형성 과정에 있어서의 프로세스 처리로 인해 휘게 되므로, 웨이퍼 기판은 포물면 형상은 아니다. 상기 기판(301) 상에 형성된 패턴(302A) 내지 (302C)의 높이 분포를 (303A)에 나타낸 바와 같이 단순평균화하면, 상기 평균화된 높이 분포는 기판 형상으로 인해 예를 들어 (303B)로 표시된 바와 같이 기울어지게 된다. 즉, 패턴 구조에 대응한 오프셋치 분포는 고정밀도로 산출될 수 없다. 그 결과, 기판 면의 높이 계측치는 이러한 오프셋치를 이용해서 보정되게 되므로, 포커스 정밀도가 악화된다고 하는 문제가 있었다.

본 발명의 일 측면은 오프셋치를 고정밀도로 구하는 노광장치 및 관련된 방법에 관한 것이다.

본 발명의 일 측면에 있어서, 노광장치는 레티클로부터의 광을 기판에 투영하기 위한 투영 광학계; 및 상기 투영 광학계의 광축 방향에 있어서의 상기 기판의 표면의 위치를 검출하는 검출기를 포함한다. 상기 노광장치는 상기 광축을 횡단하는 주사 방향으로 상기 레티클 및 상기 기판을 이동시키면서, 상기 검출기에 의해 상기 기판상의 샷 내에 있어서의 상기 표면의 위치를 검출하고, 해당 검출된 위치로부터 미리 구해진 오프셋치를 감산하고, 해당 감산치에 의거해서 상기 기판을 상기 광축 방향으로 이동시키고, 또한 상기 레티클 및 상기 투영 광학계를 개입시켜 상기 기판을 노광하도록 구성되어 있다. 상기 기판상의 복수의 샷의 각각에 관해서, 복수의 개소에 대하여 상기 검출기에 의해 검출된 상기 표면의 복수의 위치를 근사하는 선 또는 면을 산출하고, 상기 복수의 개소의 각각에 대하여, 상기 검출기에 의해 검출된 상기 표면의 위치와 상기 선 또는 면의 상기 광축 방향에 있어서의 위치 간의 차이분을 산출한다. 또, 상기 복수의 개소의 각각에 대하여, 상기 차이분을 상기 복수의 샷에 걸쳐서 평균화함으로써, 상기 오프셋치를 구하고 있다.

본 발명의 다른 측면에 있어서, 디바이스의 제조방법은 레티클로부터의 광을 기판에 투영하기 위한 투영 광학계; 및 상기 투영 광학계의 광축 방향에 있어서의 상기 기판의 표면의 위치를 검출하는 검출기를 포함하는 노광장치를 이용한다. 상기 노광 장치는 상기 광축을 횡단하는 주사 방향으로 상기 레티클 및 상기 기판을 이동시키면서, 상기 검출기에 의해 상기 기판상의 샷 내에 있어서의 상기 표면의 위치를 검출하고, 해당 검출된 위치로부터 미리 구해진 오프셋치를 감산하고, 해당 감산치에 의거해서 상기 기판을 상기 광축 방향으로 이동시키고, 또한 상기 레티클 및 상기 투영 광학계를 개입시켜 상기 기판을 노광하도록 구성되어 있다. 상기 기판상의 복수의 샷의 각각에 관해서, 복수의 개소에 대하여 상기 검출기에 의해 검출된 상기 표면의 복수의 위치를 근사하는 선 또는 면을 산출하고, 상기 복수의 개소의 각각에 대하여, 상기 검출기에 의해 검출된 상기 표면의 위치와 상기 선 또는 면의 상기 광축 방향에 있어서의 위치 간의 차이분을 산출한다. 또, 상기 복수의 개소의 각각에 대하여, 상기 차이분을 상기 복수의 샷에 걸쳐서 평균화함으로써, 상기 오프셋치를 구하고 있다. 상기 방법은 상기 노광장치를 이용해서 기판을 노광하는 단계; 노광된 기판을 현상하는 단계; 및 현상된 기판을 처리해서 디바이스를 제조하는 단계를 포함한다.

본 발명의 추가의 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조한 이하의 예시적인 실시형태로부터 명백해질 것이다.

명세서에 포함되고, 그 일부를 구성하는 첨부도면은 본 발명의 실시형태를 예시하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다.

이상, 본 발명의 노광장치에 의하면, 오프셋치를 고정밀도로 구하는 것이 가 능하다.

이하, 본 발명의 각종 실시형태에 대해 도면을 참조해서 설명한다.

본 발명은 예를 들어 반도체 노광 장치에 적용된다. 그리고, 기판(웨이퍼)의 기저 패턴이나 검출기(포커스 센서)의 특성 등을 제거하기 위해서, 노광을 실시하기 전에 기저 패턴이나 포커스 센서의 특성 등을 미리 계측해 둔다. 기저 패턴의 기복 성분(패턴 오프셋)을 추출할 경우, 웨이퍼 상의 복수 샷(샘플 샷)의 각각에 관하여, 복수 개소의 포커스 계측 결과로부터 웨이퍼 국소 성분을 제거한다.

그 경우, 웨이퍼 국소 성분을 제거하는 복수의 방법이 사용될 수 있다. 또, 웨이퍼 국소 성분을 제거하는 복수의 방법으로부터, 패턴 계측 재현성, 범위(계측치 또는 산출치의 편차) 등을 이용해서 최적인 방법을 자동적으로 선택한다. 웨이퍼 국소 성분을 제거하는 복수의 방법으로서는, 예를 들면, 기판만의 표면 형상을, 평면 근사, 곡면 근사, 직선 근사 및 곡선 근사하는 방법을 들 수 있다. 웨이퍼 국소 성분을 제거하는 방법은, 웨이퍼 상의 장소(예를 들면 샷)에 따라 사용해도 되고, 또는 주사 방향인지 비주사 방향인지의 여부에 따라 사용해도 된다.

　보다 구체적으로는, 웨이퍼의 휨을 고려해서, 각 샘플 샷에서의 계측 결과로부터 1차 기울기 성분을 제거함으로써, 국소적인 웨이퍼 기울기 성분을 제거할 수 있다. 또, 웨이퍼 평면도 성분으로서 1차 성분에 이어서, 2차 성분이 많은 것이 예상되지만, 그 경우는 2차 성분까지 고려해서 성분을 제거함으로써, 패턴 오프셋 계측 성능을 향상시킬 수 있다.

이하, 도 4를 참조해서 이 상황을 설명한다. 웨이퍼 기판(401)은 패턴 형성 과정에 있어서의 프로세스 처리에 의해 휘어지기 때문에, 웨이퍼 기판이 사발(bowl) 형상은 아니게 되어 버린다. 그 기판(401)상에 형성된 복수의 패턴(402A) 내지 (402C)으로부터, 각각의 샘플 샷에 있어서, 1차 근사면(403A) 내지 (403C)을 계산하고, 그 1차 근사면을 각각 계측된 패턴값으로부터 감산하고 나서, (404A)로 표시된 바와 같이 평균화함으로써, (404B)로 표시된 바와 같이 우수한 패턴을 산출할 수 있다.

대안적으로는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 각 샘플 샷에서 1차 면을 감산하는 대신에, 쌍곡면을 감산할 수 있다. 웨이퍼 기판(501)상에는 패턴(502)이 형성되어 있다. 웨이퍼 기판이 실질적으로 쌍곡면으로 휘기 때문에, 여기에 형성되는 패턴(502)도 그 면에 따라 약간 쌍곡면 형상으로 구부러지게 된다. 그 때문에, 기판 성분(501)을 제거할 때, 평면(503)을 이용한 패턴(505)보다 쌍곡면(504)을 이용한 패턴(506)의 패턴 추출 정밀도가 높아진다.

[노광 장치의 구성]

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 주사형 노광 장치의 구성예를 개략적으로 나타내고 있다. 해당 도면에 있어서, (101)은 광원을 나타내고, 예를 들어 엑시머 레이저나 i선 램프 등이다. (102)는 광원(101)으로부터의 빔을 정형해서, 인코히어런트화하는 광학 소자군(두 부분)이다. 광학 소자군은 빔 정형 광학계, 옵티컬 인티그레이터, 콘덴서 렌즈 등을 포함한다. 차광판(마스킹 브레이드)(103)은 예를 들어 서로 독립적으로 이동 가능한 4개(상, 하, 좌, 우)의 가동판을 포함한다. 투영 렌즈(107)는 레티클(105)에 의해 형성된 상을 웨이퍼(111) 위에 투영한다. 레티클(105)은 얼라인먼트된 상태에서 레티클 스테이지(106) 위에 탑재된다. 웨이퍼(111)는 웨이퍼 스테이지(110) 위에 탑재된다. 이들 스테이지는 예를 들어 에어 패드 등에 의해 부상한 상태로 구동되어 2차원적으로 자유롭게 구동될 수 있다. (108), (109)는 웨이퍼(111)를 레티클(105)과 광학적으로 공액인 위치로 가져가는 포커싱 동작시 사용되는 포커스 센서이다. 투광기(108)는 광을 웨이퍼 면에 투광하고, 웨이퍼로부터의 반사광은 검출 소자(109)에 의해 계측된다. 웨이퍼(111)의 면이 노광광의 광축 방향으로 이동하면, 검출 소자(109)에서의 결상 위치가 도면 중 상하방향으로 변화하게 되어, 합초(in-focus) 위치를 계측할 수 있다.

[패턴 계측예 ]

다음에, 패턴 요철 계측 방법의 일례를 설명한다. 패턴의 요철을 계측하기 위해, 기판을 노광하기 전에, 미리 포커스 센서에 의해 웨이퍼 표면(패턴을 포함하고 있음)을 계측한다. 계측 시간의 형편상, 몇 개의 샷으로 한정된 표면 형상 계측 결과로부터 패턴을 산출하는 방법이 이용된다. 그 방법에서는, 샘플 샷으로서 선택된 샷에서의 계측 결과밖에 없기 때문에, 샷마다의 계측 결과로부터 웨이퍼의 로컬 평면도 성분을 제거하게 된다. 그 경우, 어느 정도 추정이 필요하다. 구체적인 예로서는, 웨이퍼의 표면 형상 내 모드가 낮은 차수의 성분으로부터 차례로 있다고 하면, 우선은 1차 성분을 제거하여 각 샘플 샷에서의 패턴 형상을 얻고, 복 수의 샘플 샷에서의 계측 결과를 평균화해서, 최종적인 패턴 오프셋을 얻는다.

이때 1차 면(평면)뿐만 아니라, 2차 근사면(포물면), 3차 근사면 등도 사용할 수 있다. 도 5의 예에서는, 쌍곡면 근사가 평면 근사보다 패턴을 충실히 추출하는 데 더욱 유리하다. 반대로, 패턴이 평면 형상이면, 곡면 근사가 재현성을 악화시킬 수도 있다. 어느 근사면이 최선인지는, 기본적으로는 웨이퍼면의 휘어진 상태에 의존한다. 작업자가 보정 방법을 입력하는 방법도 있지만, 자동적으로 보정하는 것이 바람직하다.

도 7은 다른 방법예를 나타내고 있다. 웨이퍼 기판(701) 상에는 패턴(702A) 내지 (702C)이 형성된다. 여기에서는 두 가지 방법, 즉, 각 샷의 계측 결과로부터 평면 성분(703A) 내지 (703C)을 산출하고, 각 샷의 계측 결과로부터 제거하는 방법과, 포물면(704A) 내지 (704C)을 산출해서 제거하는 방법이 있다. 또, 이들 두 방법을 이용해서 웨이퍼면 성분을 제거한 결과(706A, 706B)의 대응하는 포인트(705A, 705B)의 재현성을 비교해서, 편차가 더욱 적고 재현성이 더욱 양호한 방법을 적절한 제거 방법으로 판단하는 것이 보다 바람직하다. 도 7의 경우, 포물면을 산출해서 제거하는 방법을 이용해서 웨이퍼면 성분을 없앤 결과인 (706B)가 더욱 재현성이 좋다.

기본적으로는 전술한 개념으로 패턴 오프셋을 계산하게 되지만, 주사형 노광 장치에 있어서 복수의 포커스 센서를 이용해서 계측하는 경우에는, 산출 방법을 연구함으로써 성능을 향상시킬 수 있다. 도 8A 및 도 8B는 복수의 포커스 센서를 가진 주사형 노광 장치의 예를 나타내고 있다. 여기서, 포커스 센서는 (A)에서 (G) 까지의 6개의 채널 구성으로 배열되어 있다. 이들 6개의 채널은 포인트(802)를 중심으로 하고 있다. 일반적으로, 이 포인트(802)는 주사형 노광 장치의 노광광의 중심인 경우가 보통이다. 이들 포커스 센서로 기판의 주사 중에 웨이퍼 기판면을 계측한다. 도 8B는 샷(803)을 주사하면서 6 채널의 각 포커스 센서로 5포인트씩, 합계 30포인트를 계측하는 예를 나타낸다. 본 실시예에서는 웨이퍼 성분을 제거하는 방법으로서는, 샷(803) 상의 30개의 계측 포인트 전체로부터 평면을 산출하는 방법을 이용하고 있다.

예를 들어, 포커스 센서의 경시 열화나 착오 계측이 발생한 경우에는, 웨이퍼 성분과 구별이 되지 않기 때문에, 편면 디포커싱이 발생하게 된다. 그 경우는, 비주사 방향에 있어서는 평면을 취하지 않는 방법을 채용한다. 구체적으로는, 주사 방향에서의 각 채널(A) 내지 (G)의 최소 제곱 근사 직선을 산출해서, 그 기울기 평균치를 각 채널(A) 내지 (G)에 있어서 사용한다.

웨이퍼 기판의 특수한 상황으로 인해 주사 방향과 비주사 방향 간에 웨이퍼 기판면내 경사 편차가 다른 경우에도 이 방법은 적용할 수 있다. 그 때문에, 전술한 각 채널의 주사 방향에서의 최소 제곱 근사 직선 성분을 산출하는 방법뿐만 아니라, 비주사 방향에서의 최소 제곱 근사 직선 성분을 산출해서, 그 평균 기울기량을 산출하여, 그 성분을 제거하는 방법을 이용하는 것도 가능하다. 게다가, 웨이퍼 기판의 상황에 따라 특정 위치에서 특정 방향의 웨이퍼 기판 재현성이 높기 때문에, 패턴 오프셋 샘플 샷의 위치에 따라 상이한 제거 방법을 이용하는 것도 가능하다.

다음에, 도 6을 참조해서 패턴 산출 흐름을 설명한다. 스텝 601에서, 패턴 오프셋 산출 처리를 개시한다. 스텝 602에서는, 웨이퍼 기판상의 몇 개의 샷에서 스테이지의 포커스 방향을 제어하지 않는 상태로 포커스 계측을 수행한다. 스텝 603에서는 각 샷의 근사면 또는 근사선을 제거한다. 근사면은 1차 평면, 2차 평면 및 3차 평면을 포함한다. 비주사 방향과 주사 방향 중의 오직 하나의 방향만을 제거하는 근사선 제거를 이용할 수 있다.

전체 샘플 샷의 패턴에 대해 제거 방법을 수행한 후(스텝 604), 스텝 605에서는, 각 위치에서의 계측치의 재현성 혹은 범위(편차)를 계산한다. 스텝 606에서는, 각 방법을 이용한 제거 결과의 각 위치에서의 재현성 혹은 범위를 확인해서, 가장 최선의 것 또는 가장 작은 것이 최적 제거 방법인 것으로 판단한다. 스텝 607에서는 스텝 606에서 결정된 방법을 이용해서, 웨이퍼 성분이 제거된 각 샷 오프셋치를 평균화해서, 패턴 오프셋을 결정한다. 스텝 608에서는 처리를 종료한다. 그 결과, 본 발명의 상기 실시예에 의하면, 패턴 계측 정밀도를 향상시킬 수 있으므로, 양호한 노광 결과를 얻을 수 있는 노광 장치를 제공할 수 있다.

[ 디바이스의 제조의 실시예 ]

다음에, 도 1의 노광 장치를 이용한 미소 디바이스(IC나 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD 센서, 박막 자기 헤드, 마이크로 머신 등)의 제조방법을 설명한다. 도 9는 반도체 디바이스의 제조의 순서를 나타낸다. 스텝 1(회로설계)에서는 반도체 디바이스의 회로를 설계한다. 스텝 2(마스크 제작)에서는 설계한 패턴을 가진 마스크("레티클"이라고도 칭함)를 제작한다. 한편, 스텝 3(웨이퍼 제조) 에서는 실리콘 등의 재료를 이용해서 웨이퍼("기판"이라고도 칭함)를 제조한다. 스텝 4(웨이퍼 프로세스)는 전 공정으로 불린다. 이 스텝 4에서는, 상기 마스크가 놓인 노광장치를 이용해서, 리소그래피 기술에 의해서 웨이퍼 위에 실제의 회로를 형성한다. 스텝 5(조립)는 후 공정으로 불린다. 이 스텝 5에서는, 스텝 4에서 제작된 웨이퍼를 반도체 칩화한다. 상기 후 공정은 어셈블리 공정(다이싱, 본딩) 및 패키징 공정(칩 밀봉)을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는 스텝 5에서 제작된 반도체 디바이스에 대해 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 실시한다. 이들 공정 후, 반도체 디바이스가 완성되어, 스텝 7에서 출하된다.

상기 스텝 4의 웨이퍼 프로세스는 이하의 공정을 포함한다. 산화 공정에서는 웨이퍼 표면을 산화시킨다. CVD 공정에서는, 웨이퍼 표면에 절연막을 형성한다. 전극 형성 공정에서는, 웨이퍼 위에 전극을 증착에 의해서 형성한다. 또, 이온주입공정에서는, 웨이퍼에 이온을 주입한다. 레지스트 처리 공정에서는 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 노광공정에서는, 상기의 노광 장치를 이용해서, 회로 패턴을 가지는 마스크를 개입시켜 레지스트 처리 공정 후의 웨이퍼를 노광한다. 현상 공정에서는, 상기 노광이 실시된 웨이퍼를 현상한다. 에칭 공정에서는, 상기 현상된 레지스트상 이외의 웨이퍼를 에칭한다. 레지스트 박리 공정에서는, 레지스트를 제거한다. 이들 공정을 반복해서 실시함으로써, 웨이퍼 위에 다층 회로 패턴을 형성한다.

이상, 본 발명을 예시적인 실시형태를 참조해서 설명하였으나, 본 발명은 개 시된 예시적인 실시형태로 제한되는 것이 아님을 이해할 필요가 있다. 이하의 청구범위의 범주는 모든 변형, 등가 구성 및 기능을 망라하도록 최광의의 해석에 따르는 것으로 간주된다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 주사형 노광 장치의 구성예를 모식적으로 나타낸 도면;

도 2는 사발 형상을 한 웨이퍼 기판상의 복수의 샘플 샷에 있어서의 패턴 요철 계측 결과를 단순평균화할 경우를 나타낸 도면;

도 3은 프로세스 처리로 인한 휘어진 웨이퍼 기판상의 복수의 샘플 샷에 있어서의 패턴 요철 계측 결과를 단순평균화할 경우를 나타낸 도면;

도 4는 웨이퍼 기판상의 복수의 샘플 샷에 있어서의 패턴 요철 계측 결과로부터 웨이퍼의 국소 성분으로서 1차 근사면을 감산하고 나서 평균화를 수행하는 경우의 설명도;

도 5는 웨이퍼 기판상의 복수의 샘플 샷에 있어서의 패턴 요철 계측 결과로부터 웨이퍼의 국소 성분으로서 쌍곡면을 감산하고 나서 평균화를 수행하는 경우의 설명도;

도 6은 도 1의 장치에 있어서의 패턴 산출 처리를 설명하기 위한 순서도;

도 7은 웨이퍼의 국소 성분 제거 방법을 선택하는 방법의 설명도;

도 8A 및 도 8B는 도 1의 주사형 노광 장치에 있어서의 포커스 센서에 의해 계측된 기판상의 계측점의 배치도;

도 9는 디바이스의 제조 프로세스의 흐름을 설명하는 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

101: 광원 102: 광학 소자군

103: 차광판 105; 레티클

106: 레티클 스테이지 107: 투영 렌즈

108, 109: 포커스 센서 110: 웨이퍼 스테이지

111: 웨이퍼

Claims

레티클로부터의 광을 기판에 투영하기 위한 투영 광학계; 및

상기 투영 광학계의 광축 방향에 있어서의 상기 기판의 표면의 위치를 검출하는 검출기를 포함하되,

상기 광축을 횡단하는 주사 방향으로 상기 레티클 및 상기 기판을 이동시키면서, 상기 검출기에 의해 상기 기판상의 샷 내에 있어서의 상기 표면의 위치를 검출하고, 해당 검출된 위치로부터 미리 구해진 오프셋치를 감산하고, 해당 감산치에 의거해서 상기 기판을 상기 광축 방향으로 이동시키고, 또한 상기 레티클 및 상기 투영 광학계를 개입시켜 상기 기판을 노광하며,

상기 기판상의 복수의 샷의 각각에 관해서, 복수의 개소에 대하여 상기 검출기에 의해 검출된 상기 표면의 복수의 위치를 근사하는 선 또는 면을 산출하고, 상기 복수의 개소의 각각에 대하여, 상기 검출기에 의해 검출된 상기 표면의 위치와 상기 선 또는 면의 상기 광축 방향에 있어서의 위치 간의 차이분을 산출하고,

상기 복수의 개소의 각각에 대하여, 상기 차이분을 상기 복수의 샷에 걸쳐서 평균화함으로써, 상기 오프셋치를 구하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
제 1항에 있어서, 상기 선 또는 면은 직선 또는 평면이 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 노광장치.
제 1항에 있어서, 상기 선 또는 면은 곡선 또는 곡면이 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 노광장치.
제 1항에 있어서, 상기 선 또는 면의 종류는 복수의 종류의 선 또는 면으로부터 선택되도록 구성된 것을 특징으로 하는 노광장치.
제 1항에 있어서, 상기 선 또는 면은 상기 광축에 수직인 면내의 위치 좌표에 관한 함수로 나타내도록 구성된 것을 특징으로 하는 노광장치.
제 5항에 있어서, 상기 함수의 차수는 3차 이하가 되도록 구성된 것을 특징으로 하는 노광장치.
제 4항에 있어서, 상기 복수의 종류의 각각에 관하여 상기 복수의 샷에 걸친 상기 차이분의 재현성을 산출하고, 상기 재현성이 가장 양호한 상기 차이를 상기 복수의 샷에 걸쳐서 평균화함으로써, 상기 오프셋치를 구하도록 구성된 것을 특징으로 하는 노광장치.
제 1항에 있어서, 상기 선 또는 면의 종류는 상기 복수의 샷의 각각 관하여 복수의 종류의 선 또는 면으로부터 선택되도록 구성된 것을 특징으로 하는 노광장치.
레티클로부터의 광을 기판에 투영하기 위한 투영 광학계; 및

상기 투영 광학계의 광축 방향에 있어서의 상기 기판의 표면의 위치를 검출하는 검출기를 포함하되,

상기 광축을 횡단하는 주사 방향으로 상기 레티클 및 상기 기판을 이동시키면서, 상기 검출기에 의해 상기 기판상의 샷 내에 있어서의 상기 표면의 위치를 검출하고, 해당 검출된 위치로부터 미리 구해진 오프셋치를 감산하고, 해당 감산치에 의거해서 상기 기판을 상기 광축 방향으로 이동시키고, 또한 상기 레티클 및 상기 투영 광학계를 개입시켜 상기 기판을 노광하며,

상기 기판상의 복수의 샷의 각각에 관해서, 복수의 개소에 대하여 상기 검출기에 의해 검출된 상기 표면의 복수의 위치를 근사하는 선 또는 면을 산출하고, 상기 복수의 개소의 각각에 대하여, 상기 검출기에 의해 검출된 상기 표면의 위치와 상기 선 또는 면의 상기 광축 방향에 있어서의 위치 간의 차이분을 산출하고,

상기 복수의 개소의 각각에 대하여, 상기 차이분을 상기 복수의 샷에 걸쳐서 평균화함으로써, 상기 오프셋치를 구하는 노광장치를 이용해서 디바이스를 제조하는 방법에 있어서,

상기 노광장치를 이용해서 기판을 노광하는 단계;

상기 노광된 기판을 현상하는 단계; 및

상기 현상된 기판을 처리해서 디바이스를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.