KR100898173B1 - 오폐수처리용 전극 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
상기의 전극 제조 방법에서 이물질 제거 단계, 샌딩(sanding) 단계, 에칭단계 및 소성단계는 통상의 전극 제조 과정에서 이루어지는 과정과 동일하므로 이에 대항 상세한 설명은 생략한다.
즉, 상기 어닐링 단계는 티타늄의 표면을 산화시켜 산화막이 형성되게 하는 과정으로 450℃내지 650℃에서 이루어진다.
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- 전극 지지체인 티타늄 표면의 이물질을 제거하는 이물질 제거 단계와 ; 이물질이 제거된 티타늄의 표면을 두드려 조도를 높이는 샌딩(sanding) 단계와 ; 티타늄의 표면을 옥살산으로 에칭하여 샌딩 단계에서 티타늄의 표면에 형성된 미세 요철을 제거하는 에칭단계와 ; 에칭된 티나늄 표면에 삼성분계 촉매 혼합물로 산화막을 형성시키는 소성단계로 이루어져, 전극 지지체인 티타늄의 표면에 삼성분계 촉매 혼합물의 산화막을 형성하여 구성된 오폐수처리용 전극을 제작하는 방법에 있어서,상기 소성단계를 수행하기 전에 티나늄을 어닐링하여 표면에 산화막이 형성되게 하기 위하여 450℃내지 650℃의 온도에서 50분내지 70분동안 어닐링 단계를 더 수행하고,상기 소성단계에서는 백금족 금속인 이리듐(Ir)과, 비정질 유도체(amorphous)인 루테늄(ruthenium)과, 바인더(Binder)인 탄탈(Tantalum)을 몰비 8.5내지 9.50 : 1.5내지 2.5 : 0.1내지 0.2로 혼합하여 이루어진 삼성분계 촉매 혼합물로 산화막을 형성함을 특징으로 하는 오폐수처리용 전극 제조방법.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR890002258B1 (ko) * | 1984-01-31 | 1989-06-26 | 티이디이케이 가부시기가이샤 | 전해용 전극 |
KR910012344A (ko) * | 1989-12-08 | 1991-08-07 | 캐스린 이이 켄트 | 개선된 전기촉매적 코우팅 조성물 및 이를 사용한 전극의 제조방법 |
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2008
- 2008-07-09 KR KR1020080066577A patent/KR100898173B1/ko active IP Right Grant
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