KR100891336B1 - 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법, 이를 수행하는프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한저장 매체 및 이미징 시스템 - Google Patents

마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법, 이를 수행하는프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한저장 매체 및 이미징 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 타겟 이미지로부터 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 이미지 생성 방법, 이를 생성하는 프로그램을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 이미징 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 생성 방법은 기판 상에 전사될 타겟 이미지의 전부 또는 일부를 독출하는 단계; 투과 특성을 갖는 복수의 픽셀들을 포함하는 마스크 데이터 세트를 정의하는 단계; 임계 범위에서 값을 갖는 가중 함수를 정의하는 단계; 조명계에 의해 정의되는 컨벌루션 커널을 정의하는 단계; 및 가중 함수와 컨벌루션 커널을 적용하여, 이미지 피팅 함수를 최소화하는 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 단계를 포함한다.
광근접 효과, OPC, 인버스 리소그래피

Description

마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 이미징 시스템{Method of creating mask layout image, computer readable media including a sequence of programmed instructions stored thereon for creating the same and imaging system}
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 타겟 이미지로부터 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 이미지 생성 방법, 이를 생성하는 프로그램을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 이미징 시스템에 관한 것이다.
포토리소그래피 기술의 발전으로 인하여 대규모 집적 회로(large scale integrated circuits; LSIs)의 스케일 축소는 가속화되고 있다. 최근, 반도체 소자 제조의 디자인 룰은 지속적으로 감소하여, 90 nm, 65 nm, 45 nm 및 그 이하 수준까지 스케일 축소가 이루어지고 있다. 그 결과, 웨이퍼 상에 전사되는 패턴의 크기는 실질적으로 노광 빔의 파장 보다 작아졌으며, 이로 인하여, 광의 회절 및 간섭 현상에 기인하는 광근접 효과(optical proximity effect)가 해상도의 한계를 결정하는 주요 요인이 되고 있다. 더욱 정밀하고 신뢰성 있는 미세 패터닝을 위해서 상기 광근접 효과의 보정(optical proximity correction; 이하, "OPC"라 함)은 필수적인 것으로 인식되고 있다.
삭제
상기 광근접 효과를 개선하여 최적의 리소그래피 결과를 얻으려는 노력 중 하나가 인버스 리소그래피 기술(inverse lithography technology; ILT)을 이용한 OPC 기술이다. 인버스 리소그래피 기술은 소정의 이미징 시스템에서 일정 공차 내에서 원하는 출력 이미지(target pattern)를 생성할 수 있는 최적 입력 이미지(optimal mask pattern)를 찾기 위한 기술이다.
상기 ILT에 의해 얻어지는 최적의 마스크 레이아웃 이미지는, 일반적으로 마스크 이미지들 사이의 개구 크기를 제어하여, 상기 개구를 투과하는 광량을 제어하는 어시스트 피쳐들을 포함한다. 어시스트 피쳐의 공지된 형태로서, 스캐터링 바아(scattering bar), 세리프(serif) 및 해머 헤드(hammer head) 등이 있다.
이러한 어시스트 피쳐는 실제 노광 시에 웨이퍼 상에 나타나지 않지만, 마스크 제작시 레이아웃 데이터의 양을 배가시키고, 기록 시간을 증가시켜, 포토리소그래피 비용을 가중시킬 수 있다. 또한, 사용되는 마스크 톤에 따라 어시스트 피쳐 의 생성이 완전히 자동화되지 못한 점도 포토리소그래피 비용을 가중시키고 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 마스크 톤에 대한 제약 없이 어시스트 피쳐를 자동으로 생성할 수 있는 ILT를 이용한 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법, 이를 생성하는 프로그램을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 이미징 시스템을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법은, 기판 상에 전사될 타겟 이미지의 전부 또는 일부를 독출하는 단계; 소정의 투과 특성을 갖는 복수의 픽셀들을 포함하는 마스크 데이터 세트를 정의하는 단계; 임계 범위에서 값을 갖는 가중 함수를 정의하는 단계; 조명계에 의해 정의되는 컨벌루션 커널을 정의하는 단계; 및 상기 가중 함수와 컨벌루션 커널을 적용하여, 이미지 피팅 함수를 최소화하는 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 단계를 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 마스크 레이아웃 이미지는 바이너리 마스크, 그레이 스케일 투과값을 갖는 마스크 및 위상 변위 마스크로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다.
또한, 일부 실시예에서, 상기 가중 함수는 상기 임계 범위에서 0 초과 1 이하의 범위의 값을 가지며, 상기 임계 범위 밖에서는 0 일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 컨벌루션 커널은 투과 단면 계수에서 추출된 것일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 가중 함수(weighting function)와 컨벌루션 커널(convolution kernel)이 사용되는데, 가중 함수,
Figure 112007049260653-pat00001
가 소정의 임계 범위에서만 값을 갖게 되면, 높은 대비(contrast)와 충실도(fidelity)를 갖는 마스크 레이아웃 패턴을 얻을 수 있다. 상기 임계 범위는 마스크 필드의 다양한 톤(tone)을 고려하여 결정될 수 있으므로, 마스크 필드의 톤에 무관하게 어시스트 패턴을 포함하는 마스크 레이아웃 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 이미징 시스템은, 기판 상에 전사될 타겟 이미지의 전부 또는 일부를 독출하는 수단; 소정의 투과 특성을 갖는 복수의 픽셀들을 포함하는 마스크 데이터 세트를 정의하는 단계; 임계 범위에서 값을 갖는 가중 함수를 정의하는 단계; 조명계에 의해 정의되는 컨벌루션 커널을 정의하는 단계; 및 상기 가중 함수와 컨벌루션 커널을 적용하여, 이미지 피팅 함수를 최소화하는 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 단계를 수행하는 연산 수단을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 소정의 임계 범위에서만 값을 갖는 가중 함수를 사용하여, 높은 대비와 충실도를 갖는 마스크 레이아웃 패턴을 얻을 수 있다. 또한, 상기 임계 범위는 마스크 필드의 다양한 톤을 고려하여 결정될 수 있으므로, 마스크 필드의 톤에 무관하게 어시스트 패턴을 자동으로 생성할 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하 기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
이하의 설명에서 어떤 층이 다른 층의 위에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 층의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
인버스 리소그래피 알고리듬에서, 가중 함수(weighting function)와 컨벌루 션 커널(convolution kernel)이 사용되는데, 본 발명의 실시예는 상기 가중 함수와 커널을 최적하여, 더욱 신속하고, 간단하면서도 우수한 결과를 산출할 수 있는 어시스트 피쳐의 생성 방법 및 생성 시스템을 제공한다.
수학식 1과 같이, 최적화된 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00002
를 결정하기 위하여, 유클리드 거리(Euclidean distance)
Figure 112007049260653-pat00003
에 의해 정의되는 이미지 피팅 함수(image fitting function)
Figure 112007049260653-pat00004
가 사용될 수 있다. 이미지 피팅 함수
Figure 112007049260653-pat00005
가 최소값을 가질 때에 최적화된 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00006
를 얻을 수 있게 된다.
[수학식 1]
Figure 112007049260653-pat00007
여기서,
Figure 112007049260653-pat00008
는 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00009
로부터 얻어지는 이미지이며,
Figure 112007049260653-pat00010
는 이상적인 이미지 또는 기판 상에 전사될 타겟 이미지이며,
Figure 112007049260653-pat00011
는 가중 함수이며,
Figure 112007049260653-pat00012
는 기판 및 마스크의 위치를 표시하는 벡터를 나타낸다.
일부 실시예에서, 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00013
는 웨이퍼의 형상에 대응하여, 웨이퍼의 형상이 있는 경우에는 0 을 가지고, 웨이퍼의 형상이 없는 경우에는 1 을 가질 수 있다. 즉,
Figure 112007049260653-pat00014
= {0, 1} 일 수 있으며, 이 경우
Figure 112007049260653-pat00015
는 바이너리 마스크를 정의한다. 다른 실시예에서, 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00016
가 바이너리 0/1 사이의 그레 이 스케일 (gray scale) 투과값으로 정의될 수도 있다. 또 다른 실시예에서는, 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00017
가 음의 값을 포함함으로써 위상 변이 마스크 함수가 정의될 수도 있다.
광학적 왜곡은 포인트 스프레드 함수(point spread function; PSF)
Figure 112007049260653-pat00018
의 콘벌루션 선형 시스템으로 모델링되어, 수학식 2와 같이 표현될 수 있다. 이 경우, 전기장의 복소 진폭
Figure 112007049260653-pat00019
은 수학식 3에 의해 정의될 수 있다.
[수학식 2]
Figure 112007049260653-pat00020
[수학식 3]
Figure 112007049260653-pat00021
다시, 수학식 1을 참조하면, 일부 실시예에서 가중 함수
Figure 112007049260653-pat00022
는 마스크의 위치에 대하여 0 과 1 사이의 범위에서 선택된 값을 가질 수 있다. 또한, 일부 실시예에서 가중 함수
Figure 112007049260653-pat00023
는
Figure 112007049260653-pat00024
의 값에 따라, 제한된 범위, 예를 들면, 제 1 값, Ⅰmin 와 제 1 값보다는 큰 제 2 값, Ⅰmax 사이에서만 값을 가지고, 그 외의 범위 에서는 0 일 수 있다.
도 1은 1차원 상에서 상술한 실시예에 따른 가중 함수
Figure 112007049260653-pat00025
와
Figure 112007049260653-pat00026
의 관 계를 도시하는 그래프이다. 도 1에서, 점선(#DL, DL)은 타겟 이미지의 가장자리를 나타내며, I는 위치
Figure 112007049260653-pat00027
에 따른 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00028
를 나타낸다.
가중 함수
Figure 112007049260653-pat00029
는 Ⅰmin 내지 Ⅰmax 에 의해 정의되는 임계 범위에서만, 값을 가질 수 있다. 상기 임계 범위를 한정하는 Ⅰmin 과 Ⅰmax 는 각각 예를 들면, 0.25 및 0.80일 수 있다. 이와 같이, 가중 함수,
Figure 112007049260653-pat00030
가 소정의 임계 범위에서만 값을 갖게 되면, 높은 대비(contrast)와 충실도(fidelity)를 갖는 마스크 레이아웃 패턴을 얻을 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 임계 범위는 마스크 필드의 다양한 톤(tone)을 고려하여 결정될 수 있다. 그 결과, 본 발명의 실시예에 따르면 마스크 필드의 톤에 무관하게 어시스트 패턴을 포함하는 마스크 레이아웃 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
다시 수학식 1을 참조하면, 최적의 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00031
는 이미지 피팅 함수의 값을 최소화하는 함수임을 알 수 있다. 이미지 피팅 함수를 최소화시키는 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00032
의 해를 구하기 위하여, 수학식 4에 나타낸 관계식이 만족하도록 감소 구배(gradient descent) 알고리듬에 의한 연산을 반복적으로 수행할 수 있다.
[수학식 4]
Figure 112007049260653-pat00033
여기서,
Figure 112007049260653-pat00034
이다.
수학식 4의 PSF,
Figure 112007049260653-pat00035
는 컨벌루션 커널이며, 적용되는 조명계에 따라 달리 정의될 수 있다. 상기 조명계는 진공 또는 침지 유체(immersion fluid) 등을 사용하는 적절한 굴절 광학 시스템, 반사 광학 시스템 및 카타이옵트릭 광학 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영 리소그래피(projection lithography)를 수행하는 시스템일 수 있다.
본 발명의 일부 실시예에서는, 컨벌루션 커널로서, 디포커싱된 상태에서 추출된 커널을 사용한다. 대부분의 이미징 조명계는 광원의 유한한 크기에 기인하는 이미지의 블러링(blurring)과 같은 비간섭성 오류(incoherent aberration)와 프레스넬 회절 효과(Fresnel diffraction effects)와 같은 간섭성 오류(coherent aberration) 문제를 겪는다. 디포커싱된 상태에서 추출된 커널을 사용하면, 이와 같은 문제들을 이미 고려한 마스크 레이아웃 이미지를 생성할 수 있기 때문에, 실제 포토리소그래피 공정에서 광학계의 포커스 마진(margin)을 증가시킬 수 있게 된다. 일부 실시예에서는, 이러한 컨벌루션 커널로서, 디포커싱된 상태의 투과 단면 계수(transmittance cross-coefficient; TCC)로부터 추출된 1차 커널이 사용될 수 있다.
일부 실시예에서는, 최적 마스크 함수에 관한 해를 쉽게 계산하기 위하여 수학식 4의 수렴성을 촉진하도록, 중간 마스크(intermediate mask) 함수
Figure 112007049260653-pat00036
를 고려 할 수 있다. 중간 마스크로서 2 위상 마스크(2-phase mask)를 고려하면, 수학식 4는 수학식 5와 같이 수정될 수 있다. 적용된 커널은 디포커싱된 상태의 TCC에서 추출된 1차 커널이다. 최종적으로 얻어진 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00037
는 도 1에 도시된 곡선 I로 나타난다. 일부 실시예에서, 2 위상 마스크를 사용한다면, 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00038
는 수학식 6과 같이 나타낼 수 있다.
[수학식 5]
Figure 112007049260653-pat00039
[수학식 6]
Figure 112007049260653-pat00040
도 2a 및 도 2b는 각각 쌍극(dipole) 조명계 및 사극(quadropole) 조명계를 적용한 경우에 얻어질 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 최적화된 마스크 레이아웃 이미지(LP1, LP2)를 나타낸다. 도 2a 및 도 2b에서, 실선으로 도시된 사각형(TI)은 각각 타겟 이미지를 나타내며, 마스크 레이아웃 이미지(LP1, LP2)는 주 마스크 피쳐(MP1, MP2)와 주 마스크 피쳐(MP1, MP2) 주변의 어시스트 피쳐(AP1, AP2)로 구현된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 어느 조명계의 경우에도 높은 충실도와 충분한 대비를 갖도록 하는 어시스트 피쳐를 자동으로 생성시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 최적 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 이미징 시스템(100)을 도시한다.
도 3을 참조하면, 컴퓨터 시스템(30)은 하나 이상의 프로그램을 실행할 수 있는 프로세서(미도시)를 포함하며, 프로그램 저장 매체(10), 예를 들면, 컴팩트 디스크(CD), 디지털 비디오 디스크(DVD)에 기록되어 있거나, 인터넷과 같은 유무선 통신망을 통하여 전달되는 실행 가능한 일련의 명령을 수행한다. 컴퓨터 시스템(30)은 레이아웃 파일 저장소(20), 예를 들면, 데이터베이스 또는 다른 저장 매체로부터 레이아웃 파일의 전부 또는 일부를 독출하는 명령을 수행한다. 레이아웃 파일은 예를 들면 Or CADR 와 같은 상용의 레이아웃 툴에 의해 작성된 GDS Ⅱ 파일일 수 있다. 컴퓨터 시스템(30)은 상기 레이아웃 파일로부터 마스크 레이아웃 패턴을 위한 복수의 이산적 픽셀들을 정의한다. 이러한 이산적 픽셀들의 투과 특성이 계산되면, 전술한
Figure 112007049260653-pat00041
가 정의될 수 있다.
이와 같이,
Figure 112007049260653-pat00042
가 정의된 후, 컴퓨터 시스템(30)은 반복적인 감소 구배(gradient descent) 알고리듬에 의해 이미지 피팅 함수,
Figure 112007049260653-pat00043
를 최소화하는 최적의 마스크 레이아웃 이미지
Figure 112007049260653-pat00044
를 구한다. 이 경우, 조명계에 의해 정의되는 컨벌루션 커널
Figure 112007049260653-pat00045
과 임계 범위에서만 값을 갖는 가중 함수를 이용할 수 있다. 마스크 함수
Figure 112007049260653-pat00046
가 구해지면, 마스크 기록 장치(40)에 마스크 레이 아웃 데이터가 전달되고, 이에 의해 마스크 또는 레티클이 제작된다.
본 명세서에서, 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체라는 용어는 일반적으로 제거 가능한 플로피 디스크, 하드 디스크 드라이브, CDROM, 테이프 또는 DRAM, SRAM 및 플래시 메모리를 포함하는 반도체 메모리 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1은 1차원 상에서 상술한 실시예에 따른 가중 함수와
Figure 112007049260653-pat00047
의 관계를 도시하는 그래프이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 쌍극(dipole) 조명계 및 사극(quadropole) 조명계를 적용한 경우에 얻어질 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 최적화된 마스크 레이아웃 이미지를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 최적 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 이미징 시스템을 도시한다.

Claims (28)

  1. 기판 상에 전사될 타겟 이미지의 전부 또는 일부를 독출하는 단계;
    소정의 투과 특성을 갖는 복수의 픽셀들을 포함하는 마스크 데이터 세트를 정의하는 단계;
    임계 범위에서 값을 갖는 가중 함수를 정의하는 단계;
    조명계에 의해 정의되는 컨벌루션 커널을 정의하는 단계; 및
    상기 가중 함수와 컨벌루션 커널을 적용하여, 이미지 피팅 함수를 최소화하는 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크 레이아웃 이미지는 바이너리 마스크, 그레이 스케일 투과값을 갖는 마스크 및 위상 변위 마스크로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가중 함수는 상기 임계 범위에서 0 초과 1 이하의 범위의 값을 가지며, 상기 임계 범위 밖에서는 0 인 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 임계 범위는 마스크 필드의 다양한 톤을 고려하여 결정되는 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크 레이아웃 이미지는 감소 구배 알고리듬에 의한 연산을 반복적으로 수행하여 얻어지는 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 조명계는 투영 리소그래피를 수행하는 시스템인 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨벌루션 커널은 상기 조명계가 디포커싱된 상태에서 추출되는 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 컨벌루션 커널은 투과 단면 계수에서 추출된 것인 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    중간 마스크 함수를 사용하여 상기 이미지 피팅 함수를 최소화하는 단계를 더 포함하는 마스크 레이아웃 이미지의 생성 방법.
  10. 기판 상에 전사될 타겟 이미지의 전부 또는 일부를 독출하는 수단;
    소정의 투과 특성을 갖는 복수의 픽셀들을 포함하는 마스크 데이터 세트를 정의하는 단계; 임계 범위에서 값을 갖는 가중 함수를 정의하는 단계; 조명계에 의해 정의되는 컨벌루션 커널을 정의하는 단계; 및 상기 가중 함수와 컨벌루션 커널을 적용하여, 이미지 피팅 함수를 최소화하는 마스크 레이아웃 이미지를 생성하는 단계를 수행하는 연산 수단을 포함하는 이미징 시스템.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 10 항에 있어서,
    상기 마스크 레이아웃 이미지는 바이너리 마스크, 그레이 스케일 투과값을 갖는 마스크 및 위상 변위 마스크로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 이미징 시스템.
  12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 10 항에 있어서,
    상기 가중 함수는 상기 임계 범위에서 0 초과 1 이하의 범위의 값을 가지며, 상기 임계 범위 밖에서는 0 인 이미징 시스템.
  13. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    상기 임계 범위는 마스크 필드의 다양한 톤을 고려하여 결정되는 이미징 시스템.
  14. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 10 항에 있어서,
    상기 마스크 레이아웃 이미지는 감소 구배 알고리듬에 의한 연산을 반복적으로 수행하여 얻어지는 이미징 시스템.
  15. 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 10 항에 있어서,
    상기 조명계는 투영 리소그래피를 수행하는 시스템인 이미징 시스템.
  16. 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 10 항에 있어서,
    상기 컨벌루션 커널은 상기 조명계가 디포커싱된 상태에서 추출되는 이미징 시스템.
  17. 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 16 항에 있어서,
    상기 컨벌루션 커널은 투과 단면 계수에서 추출된 것인 이미징 시스템.
  18. 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 10 항에 있어서,
    상기 연산 수단은 중간 마스크 함수를 사용하여 상기 이미지 피팅 함수를 최소화하는 연산을 더 수행하는 이미징 시스템.
  19. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 10 항에 있어서,
    마스크 상에 상기 마스크 레이아웃 이미지를 기록하는 마스크 기록 장치를 더 포함하는 이미징 시스템.
  20. 제 1 항에 기재된 단계를 수행하는 프로그래밍된 명령이 저장된 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체.
  21. 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 20 항에 있어서,
    상기 마스크 레이아웃 이미지는 바이너리 마스크, 그레이 스케일 투과값을 갖는 마스크 및 위상 변위 마스크로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체.
  22. 청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 20 항에 있어서,
    상기 가중 함수는 상기 임계 범위에서 0 초과 1 이하의 범위의 값을 가지며, 상기 임계 범위 밖에서는 0 인 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체.
  23. 청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 20 항에 있어서,
    상기 임계 범위는 마스크 필드의 다양한 톤을 고려하여 결정되는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체.
  24. 청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 20 항에 있어서,
    상기 마스크 레이아웃 이미지는 감소 구배 알고리듬에 의한 연산을 반복적으로 수행하여 얻어지는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체.
  25. 청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 20 항에 있어서,
    상기 조명계는 투영 리소그래피를 수행하는 시스템인 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체.
  26. 청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 20 항에 있어서,
    상기 컨벌루션 커널은 상기 조명계가 디포커싱된 상태에서 추출되는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체.
  27. 청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 26 항에 있어서,
    상기 컨벌루션 커널은 투과 단면 계수에서 추출된 것인 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체.
  28. 청구항 28은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 20 항에 있어서,
    중간 마스크 함수를 사용하여 상기 이미지 피팅 함수를 최소화하는 단계를 더 수행하는 명령을 포함하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8510684B2 (en) 2011-02-28 2013-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a photomask layout using optical proximity correction to compensate for a three-dimensional mask effect

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7788628B1 (en) * 2006-01-11 2010-08-31 Olambda, Inc. Computational efficiency in photolithographic process simulation
US8812999B2 (en) 2013-01-02 2014-08-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system of mask data preparation for curvilinear mask patterns for a device
US20160026079A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask pattern correcting method
US10025175B2 (en) 2014-09-12 2018-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system to prepare, manufacture and inspect mask patterns for a semiconductor device
US10146124B2 (en) * 2016-02-23 2018-12-04 Xtal, Inc. Full chip lithographic mask generation
US10578963B2 (en) * 2018-04-23 2020-03-03 Asml Us, Llc Mask pattern generation based on fast marching method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010024114A (ko) * 1997-09-17 2001-03-26 뉴메리컬 테크날러쥐스 인코포레이티드 시각 검사 및 검증 시스템
JP2004501405A (ja) * 2000-06-22 2004-01-15 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 光学イメージを形成する方法、この方法に用いるマスク、この方法を用いてデバイスを製造する方法、およびこの方法を遂行するための装置
JP2004062351A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Fujitsu Ltd レイアウト情報登録システム、レイアウト情報登録プログラム、およびレイアウト情報登録方法
KR20060050525A (ko) * 2004-08-17 2006-05-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 마스크 패턴을 생성하는 컴퓨터프로그램물 및 방법, 및 그 디바이스 제조방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6777147B1 (en) * 2003-05-21 2004-08-17 International Business Machines Corporation Method for evaluating the effects of multiple exposure processes in lithography
US7376930B2 (en) * 2003-06-30 2008-05-20 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for generating assist features utilizing an image field map
SG109607A1 (en) * 2003-09-05 2005-03-30 Asml Masktools Bv Method and apparatus for performing model based placement of phase-balanced scattering bars for sub-wavelength optical lithography

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010024114A (ko) * 1997-09-17 2001-03-26 뉴메리컬 테크날러쥐스 인코포레이티드 시각 검사 및 검증 시스템
JP2004501405A (ja) * 2000-06-22 2004-01-15 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 光学イメージを形成する方法、この方法に用いるマスク、この方法を用いてデバイスを製造する方法、およびこの方法を遂行するための装置
JP2004062351A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Fujitsu Ltd レイアウト情報登録システム、レイアウト情報登録プログラム、およびレイアウト情報登録方法
KR20060050525A (ko) * 2004-08-17 2006-05-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 마스크 패턴을 생성하는 컴퓨터프로그램물 및 방법, 및 그 디바이스 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8510684B2 (en) 2011-02-28 2013-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a photomask layout using optical proximity correction to compensate for a three-dimensional mask effect

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