KR100889645B1 - Light emitting diode package - Google Patents
Light emitting diode package Download PDFInfo
- Publication number
- KR100889645B1 KR100889645B1 KR1020070082931A KR20070082931A KR100889645B1 KR 100889645 B1 KR100889645 B1 KR 100889645B1 KR 1020070082931 A KR1020070082931 A KR 1020070082931A KR 20070082931 A KR20070082931 A KR 20070082931A KR 100889645 B1 KR100889645 B1 KR 100889645B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode pads
- led chip
- lead frame
- light emitting
- emitting diode
- Prior art date
Links
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
개시된 발광 다이오드 패키지는 복수의 전극 패드가 중점에 대해 점대칭으로 설계되며, 각 전극 패드에 복수의 아웃 리드가 형성될 수 있는 리드 프레임과, 복수의 전극 패드 각각의 양측단부가 노출되도록 리드 프레임을 둘러싸는 하우징과,리드 프레임 상에 실장되며, 전극 패드들과 접속하는 LED 칩 및 LED 칩 상부를 밀봉하는 몰딩부를 포함할 수 있다. 이와 같은 구조의 발광 다이오드 패키지에 의하면, 전극 패드들에 형성된 아웃 리드의 수와 그 선폭 등을 최대로 하여, 발광 다이오드 패키지의 구동 시, LED 칩으로부터 발생되는 열의 방열 수단으로 종래 사용되던 히트 싱크를 복수의 아웃 리드에 의하여 대체할 수 있으므로, 발광 다이오드 패키지의 제작 시, 생산성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.The disclosed LED package has a plurality of electrode pads designed to be point symmetrical with respect to a midpoint, and includes a lead frame in which a plurality of out leads may be formed in each electrode pad, and a lead frame such that both ends of each of the plurality of electrode pads are exposed. The display device may include a housing, a LED part connected to the electrode pads and a molding part sealing the upper part of the LED chip, mounted on the lead frame. According to the LED package having such a structure, the number of out leads formed on the electrode pads and the line width thereof are maximized, and the heat sinks conventionally used as heat radiating means for heat generated from the LED chip when the LED package is driven. Since it can be replaced by a plurality of out leads, when manufacturing the light emitting diode package, it is possible to provide an effect that can improve the productivity.
발광 다이오드 패키지 Light emitting diode package
Description
본 발명은 표시 소자에 관한 것으로서, 특히 접합부에 전류가 흐르면 빛을 내는 광 다이오드 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display element, and more particularly, to a photodiode package that emits light when current flows in a junction portion.
정보통신의 발달과 더불어 화합물 반도체 기술의 발전은 새로운 빛의 혁명을 예고하고 있다.The development of compound semiconductor technology together with the development of information and communication foretells a new light revolution.
LED(light emitting diode)로 잘 알려진 발광 다이오드는 전자 제품에서 문자나 숫자 등을 표시하기 위한 것으로, 반도체의 p-n 접합부에 전류가 흐르면 빛을 내는 금속간 화합물 접합 다이오드를 말한다.Light emitting diodes, also known as light emitting diodes (LEDs), are used to display letters, numbers, etc. in electronic products, and refer to intermetallic compound junction diodes that emit light when a current flows through a p-n junction of a semiconductor.
도 1은 종래 일반적인 발광 다이오드 패키지를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional general light emitting diode package.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(10)는 리드 프레임(lead frame;11)과, 리드 프레임(11) 상에 실장된 LED 칩(chip;12)과, 리드 프레임(11)과 LED 칩(12)을 전기적으로 연결하는 와이어(wire;14)와, 상기 LED 칩(12) 상부가 개방되도록 리드 프레임(11)을 둘러싸는 하우징(housing;15) 및 상기 개방된 LED 칩(12) 상부를 덮는 밀봉부(16)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the
상기와 같은 구조의 발광 다이오드 패키지(10)의 경우, 구동 시 LED 칩(12) 에서 빛과 함께 열이 발생된다.In the case of the
상기 LED 칩(12)에서 발생된 열은 LED 칩(12)이나 리드 프레임(11)에 형성된 회로 패턴(미도시) 등에 손상을 가해 발광 다이오드 패키지(10)의 오작동 등을 일으킬 수 있다.The heat generated from the
이에 LED 칩(12) 하부에 히트 싱크(heat sink;13)를 부착하여, LED 칩(12)에서 발생되는 열을 외부로 방열하고 있다.Accordingly, a
상기 히트 싱크(13)는 별도의 공정에 의해 제작하여 LED 칩(12) 하부에 부착해야 하므로, 발광 다이오드의 제작 공정이 번거롭고, 생산 비용이 많이 드는 등 비경제적이고, 비생산적인 문제점이 있다.Since the
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 발광 다이오드 패키지의 생산 공정을 단축하고, 생산 비용을 절약함으로써, 전체적인 생산성을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a light emitting diode package capable of shortening the production process of the light emitting diode package and reducing the production cost, thereby improving the overall productivity.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임과, 상기 리드 프레임을 둘러싸는 하우징과, 리드 프레임 상에 실장되는 LED 칩 및 LED 칩을 밀봉하는 몰딩부를 포함할 수 있다.The light emitting diode package of the present invention for achieving the above object may include a lead frame, a housing surrounding the lead frame, an LED chip mounted on the lead frame and a molding portion for sealing the LED chip.
상기 리드 프레임에는 중점에 대해 점대칭 구조를 가질 수 있는 복수의 전극 패드가 서로 절연되도록 설계되며, 아웃 리드로 기능할 수 있는 전극 패드들의 일측단부는 하우징을 관통하여 외부로 노출될 수 있다.The lead frame may be designed to insulate a plurality of electrode pads having a point symmetrical structure with respect to a midpoint, and one end of the electrode pads that may function as an out lead may be exposed to the outside through the housing.
상기 전극 패드들 중 일부에는 복수의 아웃 리드가 형성되어 하우징 외부로 노출될 수 있다.A plurality of out leads may be formed in some of the electrode pads to be exposed to the outside of the housing.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 전극 패드들에 형성된 아웃 리드의 수와 그 선폭 등을 최대로 하여, 발광 다이오드 패키지의 구동 시, LED 칩으로부터 발생되는 열의 방열 수단으로 종래 사용되던 히트 싱크를 복수의 아웃 리드에 의하여 대체할 수 있으므로, 발광 다이오드 패키지의 제작 시, 생산성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, the number of out leads formed on the electrode pads and the line width thereof are maximized, and a plurality of heat sinks conventionally used as heat radiating means for heat generated from the LED chip when the LED package is driven. Since it can be replaced by the out lead, it can provide an effect that can improve the productivity when manufacturing the LED package.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 발광 다이오드 패키지를 나타낸 측면도이다.2 is a plan view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a side view showing the light emitting diode package of FIG.
도 2 및 도 3을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)는 리드 프레임(110)과, 하우징(120)과, LED 칩(130) 및 몰딩부(140)를 포함할 수 있다.2 and 3, the
상기 리드 프레임(110)에는 상기 LED 칩(130)이 실장되며, 상기 실장된 LED 칩(130)과 전기적으로 접속되어, 상기 LED 칩(130)에 전압을 인가하기 위한 전극으로서의 전극 패드(electrode pad;111)가 설계될 수 있다.The
상기 전기적인 접속은 간접 접속과 직접 접속이 가능하다.The electrical connection can be indirect and direct.
상기 간접 접속 방법은 2개의 전도성 와이어(131)에 의하여 LED 칩(130)과 전극 패드(111)를 연결하거나, LED 칩(130)이 실장된 전극 패드(111)와는 직접 접촉에 의하여 연결하고, 인접한 전극 패드(111)와는 전도성 와이어(131)에 의하여 연결하는 것이다.The indirect connection method is connected to the
상기 직접 접속 방법은 LED 칩과(130) 전극 패드(111)를 직접 접촉에 의하여 연결하는 것이다.The direct connection method is to connect the
상기 전극 패드(111)는 복수개가 마련될 수 있는데, 실장되는 LED 칩(130)의 수와 실장 방법 및 전기적 연결 방식에 따라 그 수가 결정될 수 있다.The
실장되는 LED 칩(130)의 수가, 예컨대 블루 칩(blue chip) 하나에 의해 백색광을 발광하는 경우, (+)(-) 전극으로 2개의 전극 패드(111)가 필요할 수 있고, 레드(red), 그린(green), 블루 칩 세개에 의해 백색광을 발광하는 경우, 총 6개의 전 극 패드(111)가 필요할 수 있다.When the number of
상기 전극 패드(111)의 갯수는 상기와 같이 LED 칩(130)의 수뿐만 아니라 직렬 또는 병렬로의 전기적 연결에 따라 달라질 수 있다.The number of
예컨대, 3개의 LED 칩(130)이 하나의 전극 패드(111)에 실장되며, 모두 2개의 와이어(131)에 의하여 병렬로 연결된다면, 총 필요한 전극 패드(111)는 6개가 필요하겠으나, 직렬로 연결된다면 4개의 전극 패드(111)가 필요할 수 있다.For example, if three
상기 복수의 전극 패드(111)는 서로 쇼트(short)가 발생하지 않도록 절연물에 의하여 구획될 수 있으며, 상기 절연물은 상기 하우징(120)과 동일한 물질일 수 있다.The plurality of
상기 구획된 복수의 전극 패드(111)는 리드 프레임(110)의 중점에 점대칭 구조일 수 있는데, 이는 각 전극 패드(111)들 간의 쇼트가 일어나지 않도록 함과 동시에, 최대의 선폭을 확보하기 위한 것이다.The partitioned plurality of
상기 복수의 전극 패드(111)는 LED 칩(130)이 실장되는 부분과, 발광 다이오드 패키지(100)를 인쇄회로기판(미도시) 또는 다른 기기(미도시)에 실장할 수 있는 아웃 리드(out lead;112) 부분으로 구분할 수 있다.The plurality of
상기 아웃 리드(112)는 각 전극 패드(111)에 적어도 하나는 형성되어 있으며, 각 전극 패드(111)들 간에 쇼트가 발생되지 않는 한도에서 복수의 아웃 리드(112)를 형성할 수 있다. At least one out
구조적으로, 적어도 1개의 전극 패드(111)에는 복수의 아웃 리드(112)가 형성될 수 있으며, 복수의 아웃 리드(112) 간에는 서로 대략 직각으로 벌어질 수 있 다.Structurally, a plurality of out
상기와 같이 아웃 리드(112)의 수를 복수로 하고, 전극 패드(111)들의 선폭을 최대로 하는 이유는 LED 칩(130)으로부터 발생된 열을 열전도성이 좋은 전극 패드(111)들 및 전극 패드(111)들의 단부에 형성된 아웃 리드(112)들을 통해 외부로 방열하기 위함이다.As described above, the number of the out
상기 하우징(120)은 고분자 수지의 사출 성형에 의한 외장재로서, 상기 리드 프레임(110)을 둘러싸는데, 상기 LED 칩(130)이 실장되는 부분이 개구(open)되어 LED 칩(130) 및 리드 프레임(120)의 중심부가 외부로 노출되도록 할 수 있다.The
상기 하우징(120)의 개구부의 내측 면, 즉 LED 칩(130)과 마주하는 하우징(120)의 내측 면은 리드 프레임(110)에 대하여 소정 각도 경사진 형태로, 이는 LED 칩(130)으로부터 발광된 빛의 경로에 변화를 주어 광효율을 향상시키기 위함이다.The inner surface of the opening of the
상기 하우징(120)의 외측 면으로는 복수의 아웃 리드(112)가 관통하여 외부로 노출될 수 있다.A plurality of out leads 112 may penetrate the outer surface of the
상기 몰딩부(140)는 상기 하우징(120)의 홈에 투명의 몰딩재가 채워져, 외부로부터 LED 칩(130)의 보호 및 렌즈로서의 기능을 할 수 있다.The
상기와 같은 발광 다이오드 패키지(100)에서, 리드 프레임(110)에 실장되는 LED 칩(130)이 3개인 경우, 구체적인 구조는 다음과 같다.In the
상기 리드 프레임(110)에는 6개의 전극 패드(111)가 서로 절연된 상태로, 리드 프레임(110)의 중점에 점대칭 구조로 설계될 수 있다.The
상기 6개의 전극 패드(111) 중 서로 점대칭 관계에 있는 2개의 전극 패드(111)의 일측단부에는 각각 2개씩의 아웃 리드(112)가 형성될 수 있고, 하나의 전극 패드(111)에 형성된 2개의 아웃 리드(112)는 서로 직각에 근접하게 벌어질 수 있다.Two out
상기 하우징(120)은 정육면체 또는 사각의 형태로 상기 리드 프레임(110)을 둘러싸며, LED 칩(130)들이 실장되는 부분이 외부로 노출되도록 홈이 형성될 수 있다.The
상기 아웃 리드(112)들은 상기 하우징(120)을 관통하여 외부로 노출되는데, 하우징(120)의 사방 측면 중 서로 마주하는 어느 2개의 측면 각각에는 하나의 아웃 리드(112)가 관통될 수 있고, 나머지 서로 마주하는 2개의 측면 각각에는 3개의 아웃 리드(112)가 관통할 수 있다.The out
즉, 하나의 전극 패드(111)에 형성된 2개의 아웃 리드(112) 중 표면적이 넓은 아웃 리드(112)는 단독으로 하우징(120)의 어느 일측면을 관통하고, 나머지 아웃 리드(112)는 상기 일측면에 인접한 측면에 관통할 수 있다.That is, out of the two out
상기 하우징(120)을 관통한 아웃 리드(112)들은 서로 쇼트되지 않는 한도에서 그 표면적을 최대로 할 수 있는데, 이는 LED 칩(130)들에서 발생하는 열을 아웃 리드(112)를 통해 외부로 방열하기 위한 것이므로, 그 표면적을 최대로 하는 것이다.The out leads 112 penetrating the
상기 전극 패드(111)들에 실장된 LED 칩(130)들은 전도성 와이어(131)에 의하여, 서로 중첩되지 않게 전극 패드(111)들에 접속될 수 있다.The
상기 접속은 도시된 전도성 와이어(131)에 의하는 것 뿐만 아니라 상술한 직접 접촉 방식에 의할 수도 있다.The connection may be not only by the
상기 몰딩부(140)는 상기 하우징(120)의 개구부에 몰딩재가 채워져 형성될 수 있다.The
상기와 같은 구조의 발광 다이오드 패키지(100)의 경우, LED 칩(130)으로부터 발생된 열을 하우징(120) 외부로 노출된 복수의 아웃 리드(112)를 통해서 외부로 방출할 수 있어, 그 구조의 단순화 및 제조 공정을 단순화시킬 수 있다. In the light
도 1은 종래 일반적인 발광 다이오드 패키지를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional general light emitting diode package.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 평면도.2 is a plan view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 발광 다이오드 패키지를 나타낸 측면도.3 is a side view illustrating the light emitting diode package of FIG. 2.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
100... 발광 다이오드 패키지 110... 리드 프레임100 ...
111... 전극 패드 112... 아웃 리드111 ...
120... 하우징 130... LED 칩120 ...
140... 몰딩부140. Molding part
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070082931A KR100889645B1 (en) | 2007-08-17 | 2007-08-17 | Light emitting diode package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070082931A KR100889645B1 (en) | 2007-08-17 | 2007-08-17 | Light emitting diode package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090018469A KR20090018469A (en) | 2009-02-20 |
KR100889645B1 true KR100889645B1 (en) | 2009-03-19 |
Family
ID=40686741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070082931A KR100889645B1 (en) | 2007-08-17 | 2007-08-17 | Light emitting diode package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100889645B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101598847B1 (en) | 2014-01-23 | 2016-03-02 | 부경대학교 산학협력단 | Device for micro droplet electroporation via direct charging and electrophoresis, apparatus therefor and method therefor |
KR102129681B1 (en) | 2018-10-22 | 2020-07-02 | 부경대학교 산학협력단 | Apparatus for high throughput continuous droplet electroporation for delivery of a material, and a method for droplet electroporation using the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050102319A (en) * | 2004-04-21 | 2005-10-26 | 서울반도체 주식회사 | Light emission diode |
-
2007
- 2007-08-17 KR KR1020070082931A patent/KR100889645B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050102319A (en) * | 2004-04-21 | 2005-10-26 | 서울반도체 주식회사 | Light emission diode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090018469A (en) | 2009-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9257624B2 (en) | Light emitting diode package | |
KR101488451B1 (en) | Multi chip led package | |
KR100888236B1 (en) | Light emitting device | |
US8525211B2 (en) | Light emitting device package and a lighting unit with base having via hole | |
KR101766299B1 (en) | Light emitting device package and method of manufacturing the light emitting device package | |
US8368085B2 (en) | Semiconductor package | |
US20130242524A1 (en) | Led packages and related methods | |
KR101766297B1 (en) | Light emitting device package and method of fabricating the same | |
US9184358B2 (en) | Lead frame and light emitting diode package having the same | |
KR101645009B1 (en) | Led package with heat radiation substrate | |
EP2472616B1 (en) | Light-emitting device package and method of manufacturing the same | |
JP2012142382A (en) | Lighting device | |
JP5573602B2 (en) | Light emitting device | |
KR100889645B1 (en) | Light emitting diode package | |
KR20150042954A (en) | Side-view light emitting device and method of making the same | |
US20140145216A1 (en) | Led with wire support | |
KR100882588B1 (en) | Light emitting diode package | |
KR101274043B1 (en) | Light emitting diode | |
US20130082293A1 (en) | Led package device | |
KR101653394B1 (en) | Multi chip type light emitting diode package | |
KR20130076328A (en) | Light emitting device package and method of manufacturing the same | |
CN103872030B (en) | Light emitting diode and encapsulating structure thereof | |
KR20110087359A (en) | The light- | |
KR20140099374A (en) | Light generating device and method of manufacturing the same | |
KR20130140351A (en) | Led package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20070817 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20080627 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20081223 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20090312 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20090312 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |