KR20130076328A - Light emitting device package and method of manufacturing the same - Google Patents

Light emitting device package and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20130076328A
KR20130076328A KR1020110144876A KR20110144876A KR20130076328A KR 20130076328 A KR20130076328 A KR 20130076328A KR 1020110144876 A KR1020110144876 A KR 1020110144876A KR 20110144876 A KR20110144876 A KR 20110144876A KR 20130076328 A KR20130076328 A KR 20130076328A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
substrate
electrode pad
electrode
Prior art date
Application number
KR1020110144876A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이재희
김영신
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020110144876A priority Critical patent/KR20130076328A/en
Publication of KR20130076328A publication Critical patent/KR20130076328A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • H05K1/113—Via provided in pad; Pad over filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

PURPOSE: A light emitting device package and a method for manufacturing the same are provided to secure various colors by using a light source formed by the PN junction of a compound semiconductor. CONSTITUTION: A terminal part (20) includes a first, a second, and a third electrode pad. The first electrode pad is arranged on one region of a substrate. The second and the third electrode pad are arranged on the edge region of the substrate. At least one light emitting device (30) is mounted on the first electrode pad. A connection member (40) electrically connects the second and/or the third electrode pad to the light emitting device.

Description

발광소자 패키지 및 그 제조 방법{Light Emitting Device Package and Method of Manufacturing The Same}Light Emitting Device Package and Method of Manufacturing The Same

본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same.

발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN접합을 통해 발광원을 구성함으로서, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 발광소자의 일종이다.A light emitting diode (LED) is a kind of light emitting device capable of realizing various colors of light by configuring a light emitting source through a PN junction of a compound semiconductor.

최근에는 이러한 발광소자를 광원으로 탑재한 고출력 패키지가 조명, 전장 등 다양한 분야에서 이용이 증가되고 있는 추세에 있으며, 다양한 제품군들이 출시되고 있다. 이에 따라 고출력 패키지에 사용되는 발광다이오드 칩 및 기판도 다양화되고 있는 실정이다.Recently, high-power packages equipped with such light emitting devices as light sources have been increasingly used in various fields such as lighting and electric fields, and various product groups have been released. Accordingly, light emitting diode chips and substrates used in high power packages are also diversified.

기존 고출력 패키지에 사용되는 발광다이오드 칩은 주로 수직형 타입이 주종을 이루며, 이에 따라 기판도 칩에 맞게 디자인되어 사용되고 있다. 그러다 보니 기존의 기판에서는 수평형 타입의 발광다이오드 칩을 사용할 수 없어 수평형 타입에 맞는 기판을 별도로 디자인해서 사용해야 하는 불편한 점이 있다. LED chips used in existing high power packages are mainly vertical type, and accordingly, substrates are designed and used according to chips. As a result, the conventional substrate cannot use the horizontal type LED chip, so it is inconvenient to design and use a separate substrate for the horizontal type.

따라서, 당 기술분야에서는 수직형 타입의 발광다이오드 칩은 물론 수평형 타입의 발광다이오드 칩이 모두 사용될 수 있는 범용 구조를 가지는 발광소자 패키지 및 그 제조 방법이 요구되고 있다.Accordingly, there is a need in the art for a light emitting device package having a general-purpose structure in which both a vertical type light emitting diode chip and a horizontal type light emitting chip may be used.

본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지는,A light emitting device package according to an embodiment of the present invention,

기판; 상기 기판의 일 영역 상에 배치되는 제1 전극 패드, 상기 제1 전극 패드를 사이에 두고 상기 기판의 테두리 영역 상에 배치되는 제2 및 제3 전극 패드를 포함하는 단자부; 상기 제1 전극 패드 상에 실장되는 적어도 하나의 발광소자; 및 상기 제2 전극 패드 및 제3 전극 패드 중 적어도 하나와 상기 발광소자를 전기적으로 연결하는 접속부재;를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 전극 패드는 상기 기판의 중심 영역을 기준으로 대칭을 이룰 수 있다.Board; A terminal portion including a first electrode pad disposed on one region of the substrate and second and third electrode pads disposed on an edge region of the substrate with the first electrode pad interposed therebetween; At least one light emitting device mounted on the first electrode pad; And a connecting member electrically connecting at least one of the second electrode pad and the third electrode pad to the light emitting device, wherein the first to third electrode pads are symmetrical with respect to the center area of the substrate. Can be.

또한, 상기 제2 전극 패드와 제3 전극 패드는 서로 분리되어 상기 제1 전극 패드를 사이에 두고 서로 마주하며 배치될 수 있다.The second electrode pad and the third electrode pad may be separated from each other and disposed to face each other with the first electrode pad therebetween.

또한, 상기 제1 내지 제3 전극 패드는 상기 기판의 상면과 하면에 각각 구비될 수 있다.In addition, the first to third electrode pads may be provided on upper and lower surfaces of the substrate, respectively.

또한, 상기 기판의 상면과 하면에 각각 구비되는 상기 전극 패드는 서로 대칭을 이룰 수 있다.In addition, the electrode pads provided on the top and bottom surfaces of the substrate may be symmetrical with each other.

또한, 상기 기판은 그 상면과 하면에 각각 구비되는 상기 전극 패드를 상호 전기적으로 연결하는 도전성 비아를 구비할 수 있다.In addition, the substrate may include conductive vias electrically connecting the electrode pads provided on the top and bottom surfaces thereof, respectively.

또한, 상기 단자부와 함께 상기 기판에 구비되는 방열 패드를 더 포함할 수 있다.In addition, the terminal unit may further include a heat radiation pad provided on the substrate.

또한, 상기 방열 패드는 상기 단자부 사이로 노출되는 상기 기판의 표면에 구비되며, 상기 단자부와 분리되거나 적어도 하나의 전극 패드와 연결될 수 있다.The heat dissipation pad may be provided on a surface of the substrate exposed between the terminal parts, and may be separated from the terminal part or connected to at least one electrode pad.

또한, 상기 발광소자를 덮는 파장변환부를 더 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device may further include a wavelength conversion unit.

또한, 상기 발광소자 및 상기 접속부재를 덮는 봉지부를 더 포함할 수 있다.The display device may further include an encapsulation part covering the light emitting device and the connection member.

한편, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법은, On the other hand, the manufacturing method of the light emitting device package according to an embodiment of the present invention,

서로 분리된 제1 내지 제3 전극 패드를 기판의 상면과 하면에 각각 형성하는 단계; 상기 제1 전극 패드 상에 적어도 하나의 발광소자를 실장하는 단계; 상기 발광소자와 상기 제2 전극 패드 및/또는 제3 전극 패드를 접속부재로 연결하는 단계; 및 상기 발광소자와 상기 접속부재를 덮는 봉지부를 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 전극 패드는 상기 기판의 중심 영역을 기준으로 대칭을 이룰 수 있다.Forming first and third electrode pads separated from each other on an upper surface and a lower surface of the substrate, respectively; Mounting at least one light emitting device on the first electrode pad; Connecting the light emitting element and the second electrode pad and / or the third electrode pad to a connection member; And forming an encapsulation part covering the light emitting element and the connection member, wherein the first to third electrode pads are symmetrical with respect to the center area of the substrate.

또한, 상기 기판에 전극 패드를 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 패드를 상기 기판의 중앙 영역 상에 형성하고, 상기 제2 및 제3 전극 패드를 상기 기판의 테두리 영역 상에 형성하며, 상기 제2 전극 패드와 제3 전극 패드는 서로 분리되어 상기 제1 전극 패드를 사이에 두고 서로 마주하며 배치될 수 있다.The forming of the electrode pad on the substrate may include forming the first electrode pad on the center region of the substrate, forming the second and third electrode pads on the edge region of the substrate, The second electrode pad and the third electrode pad may be separated from each other and disposed to face each other with the first electrode pad therebetween.

또한, 상기 기판의 상면과 하면을 관통하는 도전성 비아를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 도전성 비아는 상기 기판의 상면과 하면에 각각 형성된 상기 제1 내지 제3 전극 패드를 동일한 전극 패드끼리 서로 전기적으로 연결할 수 있다.The method may further include forming conductive vias penetrating the upper and lower surfaces of the substrate, wherein the conductive vias electrically connect the first to third electrode pads formed on the upper and lower surfaces of the substrate, respectively, to the same electrode pads. Can be connected.

또한, 상기 제1 내지 제3 전극 패드 사이로 노출되는 상기 기판의 표면에 방열 패드를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 방열 패드는 상기 제1 내지 제3 전극 패드와 분리되거나 적어도 하나의 전극 패드와 연결될 수 있다.The method may further include forming a heat dissipation pad on a surface of the substrate exposed between the first to third electrode pads, wherein the heat dissipation pad is separated from the first to third electrode pads or at least one electrode pad. Can be connected.

수직형 타입의 발광다이오드 칩은 물론 수평형 타입의 발광다이오드 칩이 모두 사용될 수 있는 범용 구조를 가지는 발광소자 패키지 및 그 제조 방법이 제공될 수 있다.A light emitting device package having a general-purpose structure in which both a vertical type light emitting diode chip and a horizontal type light emitting chip may be used, and a method of manufacturing the same may be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 저면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 변형예를 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 4는 도 1의 발광소자 패키지에서 봉지부의 변형예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광소자 패키지에서 파장변환부의 다양한 실시 형태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7a 및 도 7b는 도 6에서 각각 A-A 및 B-B축을 따라 절단한 상태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 6의 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 저면도이다.
도 9는 도 6의 발광소자 패키지의 변형예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 6의 발광소자 패키지에서 방열 패드의 변형예를 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 11은 도 10의 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 저면도이다.
도 12는 도 10의 발광소자 패키지의 변형예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 13 내지 도 17은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법을 각 단계별로 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a plan view and a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a bottom view schematically illustrating the light emitting device package of FIG. 1.
3 is a plan view and a cross-sectional view schematically illustrating a modified example of the light emitting device package of FIG. 1.
4 is a cross-sectional view schematically illustrating a modified example of the encapsulation part in the light emitting device package of FIG. 1.
5 is a cross-sectional view schematically illustrating various embodiments of a wavelength conversion unit in the light emitting device package of FIG. 1.
6 is a plan view schematically illustrating a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.
7A and 7B are cross-sectional views schematically illustrating states cut along the AA and BB axes in FIG. 6, respectively.
8 is a bottom view schematically illustrating the light emitting device package of FIG. 6.
9 is a plan view schematically illustrating a modification of the light emitting device package of FIG. 6.
10 is a plan view and a cross-sectional view schematically showing a modified example of the heat radiation pad in the light emitting device package of FIG. 6.
FIG. 11 is a bottom view schematically illustrating the light emitting device package of FIG. 10.
12 is a plan view schematically illustrating a modification of the light emitting device package of FIG. 10.
13 to 17 are diagrams schematically showing a manufacturing method of a light emitting device package according to one embodiment of the present invention in each step.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art.

따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 저면도이며, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 변형예를 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도이고, 도 4는 도 1의 발광소자 패키지에서 봉지부의 변형예를 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 5는 도 1의 발광소자 패키지에서 파장변환부의 다양한 실시 형태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
A light emitting device package according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. 1 is a plan view and a cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view schematically showing the light emitting device package of FIG. 1, and FIG. 3 is a view of the light emitting device package of FIG. 1. 4 is a plan view and a cross-sectional view schematically illustrating a modified example, and FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating a modified example of the encapsulation unit in the light emitting device package of FIG. 1, and FIG. 5 schematically illustrates various embodiments of the wavelength conversion unit in the light emitting device package of FIG. 1. It is sectional drawing shown.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지(1)는 기판(10), 단자부(20), 발광소자(30), 접속부재(40)를 포함하여 구성될 수 있다.
1 to 5, the light emitting device package 1 according to the exemplary embodiment of the present invention may include a substrate 10, a terminal unit 20, a light emitting device 30, and a connection member 40. Can be.

기판(10)은 PCB(인쇄회로기판)일 수 있고, 에폭시, 트리아진, 실리콘, 및 폴리이미드 등을 함유하는 유기 수지소재 및 기타 유기 수지소재로 형성되거나, AlN, Al2O3 등의 세라믹 소재, 또는 금속 및 금속화합물을 소재로 하여 형성될 수 있으며, MCPCB을 포함할 수 있다. 즉, 발광소자(30)가 실장되는 면에 발광소자(30)를 구동하기 위한 단자부(20)가 형성되는 기판이면 가능하다.
The substrate 10 may be a printed circuit board (PCB), formed of an organic resin material containing epoxy, triazine, silicon, polyimide, or the like and other organic resin materials, or may be formed of a ceramic such as AlN, Al 2 O 3 The material may be formed of a material, or a metal and a metal compound, and may include MCPCB. That is, it is possible to use a substrate having a terminal portion 20 for driving the light emitting element 30 on the surface on which the light emitting element 30 is mounted.

이러한 기판(10)의 표면에는 발광소자(30)와 전기적으로 접속하여 전원을 공급하기 위한 단자부(20)가 형성될 수 있다. 상기 단자부(20)는 서로 분리된 3개의 전극 패드(21,22,23)가 상기 기판(10)의 표면에 형성되어 상기 기판(10) 상에 놓여지는 발광소자(30)와 전기적으로 접속을 이룰 수 있다. 상기 단자부(20)는 전기 전도성과 열 전도성이 우수한 금속 물질, 예컨대 금(Au), 은(Ag) 또는 구리(Cu) 등으로 이루어질 수 있다.The terminal portion 20 may be formed on the surface of the substrate 10 to electrically connect with the light emitting device 30 to supply power. The terminal portion 20 has three electrode pads 21, 22, and 23 separated from each other and formed on the surface of the substrate 10 to be electrically connected to the light emitting element 30 placed on the substrate 10. Can be achieved. The terminal part 20 may be made of a metal material having excellent electrical conductivity and thermal conductivity, such as gold (Au), silver (Ag), or copper (Cu).

도면에서 도시하는 바와 같이, 상기 단자부(20)는 3개의 전극 패드(21,22,23)를 포함하며, 각각 상기 기판(10)의 중앙 영역 상에 배치되는 제1 전극 패드(21), 상기 기판(10)의 테두리 영역 상에 배치되는 제2 전극 패드(22) 및 제3 전극 패드(23)를 포함할 수 있다.
As shown in the drawing, the terminal portion 20 includes three electrode pads 21, 22, and 23, and each of the first electrode pad 21 and the first electrode pad 21 is disposed on a central area of the substrate 10. The second electrode pad 22 and the third electrode pad 23 may be disposed on the edge region of the substrate 10.

상기 제1 전극 패드(21)는 상기 기판(10) 상에 실장되는 발광소자(30)의 실장영역으로 제공될 수 있으며, 이를 위해 상기 기판(10)의 중앙 영역 상에 구비될 수 있다. 그리고, 상기 제1 전극 패드(21)는 그 상면에 놓여지는 발광소자(30)와 대응되는 형태로 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(30)의 사이즈와 같거나 보다 더 큰 사이즈를 가질 수 있다. 도면에서는 상기 제1 전극 패드(21)가 상기 발광소자(30)보다 더 큰 사이즈를 가지는 것으로 도시하고 있는데 이에 한정하는 것은 아니다. 이와 같이, 상기 제1 전극 패드(21)가 상기 발광소자(30)보다 큰 사이즈를 가지는 경우, 상기 발광소자(30)가 보다 여유있게 안정적으로 실장될 수 있으며, 넓은 면적을 통해 방열 효율이 향상되는 효과를 기대할 수 있다.
The first electrode pad 21 may be provided as a mounting area of the light emitting device 30 mounted on the substrate 10, and may be provided on a central area of the substrate 10. In addition, the first electrode pad 21 may be formed in a shape corresponding to the light emitting device 30 disposed on an upper surface thereof, and may have a size equal to or larger than that of the light emitting device 30. . In the drawing, the first electrode pad 21 is shown to have a larger size than the light emitting device 30, but is not limited thereto. As such, when the first electrode pad 21 has a size larger than that of the light emitting device 30, the light emitting device 30 may be more stably mounted in a relaxed manner, and heat dissipation efficiency is improved through a large area. You can expect the effect.

상기 제2 전극 패드(22)와 제3 전극 패드(23)는 상기 제1 전극 패드(21)와 소정 간격을 두고 상기 제1 전극 패드(21)를 둘러싸는 구조로 상기 기판(10)의 테두리 영역 상에 구비될 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극 패드(22)와 제3 전극 패드(23)는 서로 분리되어 상기 제1 전극 패드(21)를 사이에 두고 서로 마주하는 구조로 배치될 수 있다. 도면에서는 상기 제2 및 제3 전극 패드(22,23)가 일정한 폭을 가지며 상기 기판(10)의 테두리 둘레를 따라서 균일하게 구비되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 도면으로 도시하지는 않았으나, 상기 제2 및 제3 전극 패드(22,23)는 상기 기판(10)의 테두리 위치에 따라서 상이한 폭으로 구비될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극 패드(21)와의 간격도 전체적으로 일정하지 않고 위치에 따라서 상이할 수 있다.
The second electrode pad 22 and the third electrode pad 23 have a structure surrounding the first electrode pad 21 at a predetermined distance from the first electrode pad 21 to form an edge of the substrate 10. It can be provided on the area. The second electrode pad 22 and the third electrode pad 23 may be separated from each other and disposed to face each other with the first electrode pad 21 therebetween. In the drawing, although the second and third electrode pads 22 and 23 have a predetermined width and are uniformly provided along the circumference of the substrate 10, the present invention is not limited thereto. That is, although not shown in the drawings, the second and third electrode pads 22 and 23 may have different widths according to the edge positions of the substrate 10. In addition, the distance from the first electrode pad 21 may also be different from each other depending on the position.

이와 같은 구조로 상기 기판(10) 상에 구비되는 상기 단자부(20)는 상기 기판(10)의 중심을 기준으로 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)가 전체적으로 대칭을 이루는 구조를 가질 수 있다. 즉, x축을 기준으로 상하 방향으로 대칭을 이룰 수 있고, y축을 기준으로 좌우 방향으로 대칭을 이룰 수 있다.
As such, the terminal unit 20 provided on the substrate 10 has a structure in which the first to third electrode pads 21, 22, and 23 are symmetrical with respect to the center of the substrate 10. It can have That is, symmetry may be performed in the vertical direction based on the x axis, and symmetry may be performed in the left and right directions based on the y axis.

한편, 상기 단자부(20)를 구성하는 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)는 상기 기판(10)의 상면과 하면에 각각 구비될 수 있다. 그리고, 도 2에서와 같이, 상기 기판(10)의 하면에 구비되는 상기 단자부(20)의 구조는 상기 기판(10)의 상면에 구비되는 단자부(20)의 구조와 동일할 수 있다. 따라서, 상기 기판(10)의 상면과 하면에 각각 구비되는 상기 전극 패드(21,22,23)는 서로 대칭을 이룰 수 있다. The first to third electrode pads 21, 22, and 23 constituting the terminal part 20 may be provided on upper and lower surfaces of the substrate 10, respectively. As shown in FIG. 2, the structure of the terminal portion 20 provided on the lower surface of the substrate 10 may be the same as that of the terminal portion 20 provided on the upper surface of the substrate 10. Therefore, the electrode pads 21, 22, and 23 provided on the top and bottom surfaces of the substrate 10 may be symmetrical with each other.

즉, 상기 기판(10)은 상기 기판(10)이 놓여지는 면에 따라서 상면과 하면이 정의될 수 있으며, 양 면에 구비되는 단자부(20)가 동일한 구조를 가지므로 임의적으로 선택할 수 있는 장점이 있다. 이는 종래의 경우 기판이 상면과 하면으로 구분되는 관계로 기판을 조명 장치 등에 장착하는데 있어서 상면과 하면을 정확하게 구분하여 장착해야 하는 등 공정상의 어려운 점이 있었으며, 실수로 상면과 하면을 반대로 하여 장착하는 경우 제품 불량이 발생하는 요인이 되었다. 본 발명의 경우, 상면과 하면의 구분이 없어 공정이 용이해지고, 제품 불량의 발생을 방지할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
That is, the upper surface and the lower surface of the substrate 10 may be defined according to the surface on which the substrate 10 is placed, and since the terminal units 20 provided on both surfaces have the same structure, they may be arbitrarily selected. have. This is because in the conventional case, the board is divided into upper and lower surfaces, and thus, when mounting the board to a lighting device, there are difficulties in the process such as mounting the upper and lower surfaces accurately and in case of mounting the upper and lower surfaces by mistake. Product defects were a factor. In the present invention, there is no distinction between the upper surface and the lower surface, so that the process becomes easy, and the effect of preventing the occurrence of product defects can be expected.

상기 기판(10)의 상면과 하면에 구비되는 상기 단자부(20)는 상기 기판(10)을 관통하는 도전성 비아(25)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 비아(25)는 복수개로 구비될 수 있으며, 서로 대응되는 위치에 배치되는 전극 패드(21,22,23)간에 접속이 이루어지도록 한다. 즉, 기판(10)의 상면과 하면에 각각 구비되는 제1 전극 패드(21)끼리 서로 접속을 이루도록 하고, 제2 전극 패드(22)끼리 그리고 제3 전극 패드(23)끼리 서로 접속을 이루도록 한다. The terminal portions 20 provided on the upper and lower surfaces of the substrate 10 may be electrically connected to each other through conductive vias 25 penetrating through the substrate 10. The vias 25 may be provided in plural and may be connected between the electrode pads 21, 22, and 23 disposed at positions corresponding to each other. That is, the first electrode pads 21 provided on the upper and lower surfaces of the substrate 10 are connected to each other, and the second electrode pads 22 and the third electrode pads 23 are connected to each other. .

상기 도전성 비아(25)는 상기 기판(10)의 상면과 하면에 구비되는 단자부(20) 사이의 전기적 접속 통로로서 기능을 함은 물론 열전달 통로로서 기능도 수행할 수 있다. 즉, 기판(10)을 이루는 물질보다 상대적으로 열전도율이 높은 물질로 이루어지므로 발광소자(30)에서 발생된 열은 상기 비아(25)를 통해 빠르게 하면의 단자부로 전달될 수 있고, 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(30)가 실장되는 영역에는 상대적으로 비아(25)가 많이 구비될 수 있다.
The conductive via 25 may function as an electrical connection path between the terminal portion 20 provided on the upper and lower surfaces of the substrate 10 and may also function as a heat transfer path. That is, since the thermal conductivity is made of a material that is relatively higher than the material constituting the substrate 10, the heat generated in the light emitting device 30 can be transferred to the terminal portion of the lower surface quickly through the via 25, it is discharged to the outside Can be. Therefore, relatively many vias 25 may be provided in the region in which the light emitting device 30 is mounted.

이러한 단자부(20)의 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)는 소정 패턴이 형성된 마스크(미도시)를 통해 프린팅 방법으로 상기 기판(10) 상에 프린팅되어 구비될 수 있다. 또한, 이미 패터닝된 박막 상태의 전극 패드(21,22,23)를 상기 기판(10) 상에 부착하는 방법으로 구비될 수도 있다. 또한, 상기 기판(10)을 전체적으로 덮는 금속 레이어(미도시)를 상기 기판(10) 상에 부착한 상태에서 식각 등을 통해 상기 전극 패드(21,22,23)를 패터닝하여 구비될 수도 있다. 물론, 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)는 기타 다양한 방법으로 형성되어 구비될 수 있으며, 본 발명이 상술한 방법에 한정되는 것은 아니다.
The first to third electrode pads 21, 22, and 23 of the terminal unit 20 may be printed on the substrate 10 by a printing method through a mask (not shown) in which a predetermined pattern is formed. In addition, the electrode pads 21, 22, and 23, which are already patterned, may be attached to the substrate 10. In addition, the electrode pads 21, 22, and 23 may be patterned by etching in a state in which a metal layer (not shown) covering the substrate 10 is entirely attached on the substrate 10. Of course, the first to third electrode pads 21, 22, and 23 may be formed and provided by various other methods, and the present invention is not limited to the above-described method.

발광소자(30)는 외부에서 인가되는 전원에 의해 소정 파장의 빛을 발광하는 반도체 소자의 일종으로, 발광다이오드 칩을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(30)는 함유되는 물질에 따라서 청색광, 녹색광 또는 적색광을 발광할 수 있으며, 백색광을 발광할 수도 있다.The light emitting device 30 is a kind of semiconductor device that emits light having a predetermined wavelength by a power source applied from the outside, and may include a light emitting diode chip. The light emitting device 30 may emit blue light, green light, or red light, and may emit white light, depending on a material contained therein.

본 실시 형태에서는 상기 발광소자(30)가 한 개만 구비되는 것으로 도시하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 발광소자(30)는 복수개가 멀티 칩 어레이로 구성되는 것도 가능하다. 이 경우, 각각의 발광소자(30)는 동일한 색도를 갖거나 서로 다른 색도를 갖도록 다양하게 구성할 수 있다.In the present exemplary embodiment, only one light emitting device 30 is illustrated, but the present invention is not limited thereto, and a plurality of light emitting devices 30 may be configured as a multi-chip array. In this case, each light emitting device 30 may be configured in various ways to have the same chromaticity or different chromaticity.

도면에서와 같이, 상기 발광소자(30)는 상기 기판(10)의 중앙 영역 상에 놓여지며, 구체적으로 상기 제1 전극 패드(21) 상에 실장되어 고정될 수 있다. 이 경우, 상기 발광소자(30)는 그 종류에 따라서 접착제의 종류를 달리 하여 상기 제1 전극 패드(21) 상에 접착될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(30)가 수직형 타입(vertical type)의 칩인 경우 상기 발광소자(30)는 전기 전도성 접착제를 통해 상기 제1 전극 패드(21) 상에 접착될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(30)가 수평형 타입(epi-up type)의 칩인 경우 비전기 전도성 접착제를 통해 상기 제1 전극 패드(21) 상에 접착될 수 있다.
As shown in the drawing, the light emitting device 30 may be disposed on a central area of the substrate 10, and may be mounted and fixed on the first electrode pad 21. In this case, the light emitting device 30 may be bonded onto the first electrode pad 21 by changing the type of adhesive according to the type thereof. For example, when the light emitting device 30 is a chip of a vertical type, the light emitting device 30 may be adhered onto the first electrode pad 21 through an electrically conductive adhesive. In addition, when the light emitting device 30 is a chip of an epi-up type, the light emitting device 30 may be attached onto the first electrode pad 21 through a non-electrically conductive adhesive.

접속부재(40)는 도전성을 가지며, 상기 발광소자(30)와 상기 제2 전극 패드(22) 및/또는 제3 전극 패드(23)를 전기적으로 연결할 수 있다. 구체적으로, 도 1에서 도시하는 바와 같이, 상기 발광소자(30)가 수직형 타입으로 전기 전도성 접착제를 통해 상기 제1 전극 패드(21) 상에 접착되는 경우, 상기 접속부재(40)는 상기 발광소자(30)와 상기 제2 전극 패드(22) 또는 제3 전극 패드(23)를 연결할 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(30)는 양극(또는, 음극)의 제1 전극 패드(21)와 직접적으로 접속되고, 음극(또는, 양극)의 제2 전극 패드(22) 또는 제3 전극 패드(23)와 접속부재(40)를 통해 접속될 수 있다. 또한, 도 3에서 도시하는 바와 같이, 상기 발광소자(30)가 수평형 타입으로 비전기 전도성 접착제를 통해 상기 제1 전극 패드(21) 상에 접착되는 경우, 상기 접속부재(40)는 상기 발광소자(30)와 상기 제2 전극 패드(22) 및 제3 전극 패드(23)를 각각 연결할 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(30)는 양극(또는, 음극)의 제2 전극 패드(22)와 접속되고, 음극(또는, 양극)의 제3 전극 패드(23)와 접속될 수 있으며, 제1 전극 패드(21)는 전극을 갖지 않는 히트 싱크로서 발광소자(30)의 열을 방출할 수 있다. 본 실시 형태에서는 접속부재(40)가 와이어로 이루어져 배선 구조를 형성하는 것으로 도시하고 있으나, 전기 신호를 전달할 수 있다면 이러한 접속부재 이외에 다른 형태의 배선 구조, 예컨대 금속 라인 등으로 대체하는 것도 가능하다.
The connection member 40 is conductive and may electrically connect the light emitting device 30 to the second electrode pad 22 and / or the third electrode pad 23. Specifically, as shown in FIG. 1, when the light emitting device 30 is adhered onto the first electrode pad 21 through an electrically conductive adhesive in a vertical type, the connection member 40 emits light. The device 30 may be connected to the second electrode pad 22 or the third electrode pad 23. Therefore, the light emitting device 30 is directly connected to the first electrode pad 21 of the positive electrode (or the negative electrode), and the second electrode pad 22 or the third electrode pad 23 of the negative electrode (or the positive electrode) 23. ) And the connection member 40 can be connected. In addition, as shown in FIG. 3, when the light emitting device 30 is adhered to the first electrode pad 21 through a non-electrically conductive adhesive in a horizontal type, the connection member 40 emits light. The device 30, the second electrode pad 22, and the third electrode pad 23 may be connected to each other. Accordingly, the light emitting device 30 may be connected to the second electrode pad 22 of the positive electrode (or the negative electrode), and may be connected to the third electrode pad 23 of the negative electrode (or the positive electrode), and may be connected to the first electrode. The pad 21 may emit heat of the light emitting device 30 as a heat sink having no electrodes. In the present embodiment, the connecting member 40 is formed of a wire to form a wiring structure. However, if the electrical signal can be transmitted, other types of wiring structures, for example, metal lines, etc., may be replaced.

상기 기판(10) 상에는 상기 발광소자(30) 및 상기 접속부재(40)를 덮도록 봉지부(50)가 형성될 수 있다. 상기 봉지부(50)는 실리콘 또는 에폭시 계열의 투광성 수지를 도포하여 형성할 수 있다. 이러한 봉지부(50)는 발광소자(30) 및 접속부재(40)를 보호하고, 발광소자(30)를 이루는 물질과 외부와의 굴절률 매칭을 구현하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 봉지부(50)는 외부로 발광하는 광의 확산을 위해 분산재 등의 물질이 함유될 수 있다.The encapsulation unit 50 may be formed on the substrate 10 to cover the light emitting device 30 and the connection member 40. The encapsulation part 50 may be formed by applying a translucent resin of silicon or epoxy series. The encapsulation unit 50 may protect the light emitting device 30 and the connection member 40, and may improve light extraction efficiency by implementing refractive index matching between materials constituting the light emitting device 30 and the outside. The encapsulation unit 50 may contain a material such as a dispersant to diffuse light emitted to the outside.

본 실시 형태에서는 상기 봉지부(50)가 상기 기판(10) 상에 균일한 두께를 가지며 상면이 평평한 구조로 형성되는 것으로 도시하고 있다. 이러한 봉지부(50)의 구조는 복수개의 발광소자(30)가 배열된 기판(10) 상에 봉지재를 주입하여 경화시킨 후 다이싱을 거쳐 개별 발광소자(30) 별로 분리하는 방식을 통해 형성될 수 있다. 따라서, 대량 생산에 따른 생산성이 향상되는 효과를 기대할 수 있다.In the present embodiment, the encapsulation portion 50 is formed to have a uniform thickness and a flat top surface on the substrate 10. The structure of the encapsulation part 50 is formed by injecting and curing the encapsulant on the substrate 10 on which the plurality of light emitting devices 30 are arranged, and dividing the individual light emitting devices 30 by dicing. Can be. Therefore, the effect of the productivity according to mass production can be expected to be improved.

또한, 도 4에서 도시하는 바와 같이, 발광소자(30) 상에 개별적으로 디스펜싱 공정을 통해 봉지부(50')를 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 봉지부(50')는 상면이 볼록한 돔 형상의 렌즈 구조를 가지도록 형성될 수 있다.
In addition, as shown in FIG. 4, the encapsulation part 50 ′ may be formed on the light emitting device 30 individually through a dispensing process. In this case, the encapsulation part 50 ′ may be formed to have a dome-shaped lens structure in which an upper surface thereof is convex.

상기 발광소자(30) 상에는 상기 발광소자(30)를 덮으며, 상기 발광소자(30)의 방출광을 다른 파장 영역의 광으로 변환시키는 파장변환부(60)가 형성될 수 있다. 상기 파장변환부(60)는 도 5a 및 도 5b에서 도시하는 바와 같이 상기 발광소자(30)의 상면에 한하여 제공될 수 있다. 즉, 상기 발광소자(30)의 상면은 주된 광방출면으로 제공되므로 파장변환부(60)를 상기 발광소자(30)의 상면에만 형성하더라도 충분한 파장변환효과를 얻을 수 있다. 또한, 발광소자(30) 전체 면적을 둘러싸도록 형성되는 형태보다는 보다 균일한 파장변환부(60)의 분포를 보장할 수 있다. A wavelength conversion unit 60 may be formed on the light emitting device 30 to cover the light emitting device 30 and convert the emitted light of the light emitting device 30 into light of another wavelength region. The wavelength converter 60 may be provided only on the upper surface of the light emitting device 30 as shown in FIGS. 5A and 5B. That is, since the upper surface of the light emitting device 30 is provided as the main light emitting surface, even if the wavelength conversion unit 60 is formed only on the upper surface of the light emitting device 30, sufficient wavelength conversion effect can be obtained. In addition, it is possible to ensure a more uniform distribution of the wavelength conversion unit 60 than the shape formed to surround the entire area of the light emitting device 30.

이러한 파장변환부(60)의 구조는 도 5a에서와 같이 발광소자(30) 상에 개별적으로 디스펜싱 공정을 통해 파장변환 물질인 형광체가 함유된 봉지재를 공급하여 파장변환부(60)를 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 파장변환부(60)는 봉지재의 표면장력에 의해 볼록한 렌즈 형상의 구조를 가질 수 있다. 특히, 액상수지의 점도 또는 칙소성에 따라 상기 발광소자(30) 상면에 형성되는 볼록한 렌즈 구조를 변경하여 지향각 특성과 색도분포 등을 제어할 수 있다. The structure of the wavelength conversion unit 60 is to form a wavelength conversion unit 60 by supplying an encapsulant containing a phosphor of the wavelength conversion material through a dispensing process on the light emitting device 30 as shown in Figure 5a can do. In this case, the wavelength conversion unit 60 may have a convex lens-like structure by the surface tension of the encapsulant. In particular, by changing the convex lens structure formed on the upper surface of the light emitting device 30 according to the viscosity or thixotropy of the liquid resin, it is possible to control the orientation angle characteristics and chromaticity distribution.

또한, 도 5b에서 도시하는 바와 같이, 상기 파장변환부(60)는 웨이퍼 레벨 상태에서 형광체가 함유된 봉지재를 웨이퍼 상에 주입하여 경화시킨 후 다이싱을 거쳐 개별 칩으로 싱귤레이팅하는 방식을 통해 형성될 수 있다. 이 경우 상기 파장변환부(60)는 상기 발광소자(30) 상에 균일한 두께를 가지며 상면이 평평한 구조를 가질 수 있다.
In addition, as shown in FIG. 5B, the wavelength conversion unit 60 may inject and cure an encapsulant containing phosphor in a wafer level state on a wafer, and harden after dicing into singular chips. Can be formed. In this case, the wavelength converter 60 may have a uniform thickness and a flat top surface on the light emitting device 30.

한편, 도 5c에서 도시하는 바와 같이, 상기 파장변환부(60')는 상기 발광소자(30)의 상면은 물론 그 측면까지 덮는 구조로 제공될 수 있다. 즉, 발광소자(30)의 광방출면이 상면 이외에 측면으로도 제공되는 경우 상면을 통해 방출되는 광은 물론 측면을 통해 방출되는 광의 파장을 변환시킴으로써 충분한 파장변환효과를 얻을 수 있다. On the other hand, as shown in Figure 5c, the wavelength conversion portion 60 'may be provided in a structure covering the upper surface of the light emitting device 30 as well as its side. That is, when the light emitting surface of the light emitting device 30 is provided on the side surface in addition to the upper surface, sufficient wavelength conversion effect can be obtained by converting the wavelength of the light emitted through the upper surface as well as the light emitted through the side surface.

이러한 파장변환부(60)의 구조는 발광소자(30) 상에 개별적으로 디스펜싱 공정을 통해 파장변환 물질인 형광체가 함유된 봉지재를 공급하여 파장변환부(60)를 형성할 수 있다.
In the structure of the wavelength conversion unit 60, the wavelength conversion unit 60 may be formed by supplying an encapsulant containing a phosphor, which is a wavelength conversion material, on the light emitting device 30 individually through a dispensing process.

이상과 같이, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광소자 패키지의 경우, 기판(10)의 상면과 하면에 구비되는 제1 내지 제3의 전극 패드(21,22,23)가 발광소자(30)가 실장되는 기판(10)의 중심을 기준으로 대칭을 이루는 구조로 구비되고, 기판(10)의 상면과 하면에 각각 구비되는 상기 제1 내지 제3의 전극 패드(21,22,23)가 서로 대칭을 이루는 구조를 가짐으로써 발광소자(30)의 종류에 상관없이 범용으로 사용될 수 있는 장점이 있다.
As described above, in the light emitting device package according to the exemplary embodiment of the present invention, the first to third electrode pads 21, 22, and 23 provided on the upper and lower surfaces of the substrate 10 may include the light emitting device 30. The first to third electrode pads 21, 22, and 23 provided on the upper and lower surfaces of the substrate 10 are symmetrical with respect to the center of the substrate 10 to be mounted. By having a structure that forms a structure there is an advantage that can be used for general purpose regardless of the type of the light emitting device (30).

도 6 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지에 대해 설명한다. 도 6 내지 도 12에서 도시하는 실시 형태에 따른 발광 장치를 구성하는 구성은 상기 도 1 내지 도 5에 도시된 실시 형태와 기본적인 구조는 실질적으로 동일하다. 다만, 기판 상에 방열 패드를 구비하는 구조가 상기 도 1 내지 도 5에 도시된 실시 형태와 다르기 때문에 이하에서는 앞서 설명한 실시 형태와 중복되는 부분에 관한 설명은 생략하고 방열 패드에 관한 구성을 위주로 설명한다.A light emitting device package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 12. The structure of the light emitting device according to the embodiment shown in Figs. 6 to 12 is substantially the same as the embodiment shown in Figs. 1 to 5. However, since the structure having the heat dissipation pad on the substrate is different from the embodiment shown in FIGS. 1 to 5, the description of the overlapping part with the above-described embodiment will be omitted and the following description will be mainly given on the structure of the heat dissipation pad. do.

도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 7a 및 도 7b는 도 6에서 각각 A-A 및 B-B축을 따라 절단한 상태를 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 8은 도 6의 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 저면도이고, 도 9는 도 6의 발광소자 패키지의 변형예를 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 10은 도 6의 발광소자 패키지에서 방열 패드의 변형예를 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도이고, 도 11은 도 10의 발광소자 패키지를 개략적으로 나타내는 저면도이며, 도 12는 도 10의 발광소자 패키지의 변형예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
FIG. 6 is a plan view schematically illustrating a light emitting device package according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 7A and 7B are cross-sectional views schematically illustrating states cut along the AA and BB axes of FIG. 6, and FIG. 8 is a view of FIG. 8. 6 is a bottom view schematically illustrating the light emitting device package of FIG. 6, and FIG. 9 is a plan view schematically illustrating a modified example of the light emitting device package of FIG. 6, and FIG. 10 is a schematic view showing a modified example of the heat radiation pad of the light emitting device package of FIG. 6. 11 is a bottom plan view schematically illustrating the light emitting device package of FIG. 10, and FIG. 12 is a plan view schematically illustrating a modified example of the light emitting device package of FIG. 10.

도 6 내지 도 9에서 도시하는 바와 같이, 방열 패드(70)는 상기 단자부(20)와 함께 상기 기판(10) 상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 방열 패드(70)는 상기 단자부(20) 사이로 노출되는 상기 기판(10)의 표면에 구비될 수 있으며, 상기 단자부(20)와 마찬가지로 기판(10)의 상면과 하면에 대칭을 이루는 구조로 각각 구비될 수 있다.6 to 9, the heat radiation pad 70 may be provided on the substrate 10 together with the terminal portion 20. Specifically, the heat dissipation pad 70 may be provided on the surface of the substrate 10 exposed between the terminal portions 20, and similarly to the upper and lower surfaces of the substrate 10 like the terminal portion 20. Each may be provided in a structure.

상기 방열 패드(70)는 상기 단자부(20) 중 상기 발광소자(30)가 실장되는 제1 전극 패드(21)와 연결되는 구조로 구비될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(30)와 직접적으로 연결되는 제1 전극 패드(21)의 방열 면적이 상대적으로 증가하여 방열 효율이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.The heat dissipation pad 70 may have a structure connected to the first electrode pad 21 in which the light emitting device 30 is mounted among the terminal parts 20. Therefore, the heat dissipation area of the first electrode pad 21 directly connected to the light emitting device 30 may be relatively increased, thereby improving the heat dissipation efficiency.

도 10 내지 도 12는 도 6 내지 도 9에서 도시하는 방열 패드의 변형예를 개략적으로 나타내는 도면이다.10-12 is a figure which shows roughly the modification of the heat radiation pad shown in FIGS. 6-9.

도 10 내지 도 12에서 도시하는 바와 같이, 상기 방열 패드(70)는 상기 단자부(20)와 분리되는 구조로 구비될 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)와 분리되어 전기적으로 절연을 이루는 구조로 구비될 수 있다. 이와 같이, 기판(10)의 표면 상에 방열 패드(70)를 구비함으로써 방열 효율을 향상시키고, 방열 패드(70)를 단자부(20)와 분리시킴으로써 조명 장치 등에 발광소자 패키지가 장착되는 경우, 상기 방열 패드(70)를 통한 전기적 쇼트가 발생할 수 있는 문제를 예방할 수 있다.
As shown in FIGS. 10 to 12, the heat dissipation pad 70 may be provided in a structure separated from the terminal portion 20. That is, the first and third electrode pads 21, 22, and 23 may be separated from each other to be electrically insulated. As such, when the heat dissipation pad 70 is provided on the surface of the substrate 10 to improve heat dissipation efficiency, and the heat dissipation pad 70 is separated from the terminal portion 20, the light emitting device package is mounted on the lighting device or the like. It is possible to prevent a problem that an electrical short may occur through the heat radiation pad 70.

도 13 내지 도 17을 참조하여 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 13 내지 도 17은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광소자 패키지의 제조 방법을 각 단계별로 개략적으로 나타내는 도면이다.
A method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 13 to 17. 13 to 17 are diagrams schematically showing a manufacturing method of a light emitting device package according to one embodiment of the present invention in each step.

우선, 도 13에서 도시하는 바와 같이 절연성 기판(10)을 마련하고, 상기 기판(10)의 상면과 하면에 각각 서로 분리된 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)를 형성한다. First, as shown in FIG. 13, an insulating substrate 10 is provided, and first to third electrode pads 21, 22, and 23 separated from each other are formed on the upper and lower surfaces of the substrate 10, respectively.

상기 기판(10)은 PCB(인쇄회로기판)일 수 있고, 에폭시, 트리아진, 실리콘, 및 폴리이미드 등을 함유하는 유기 수지소재 및 기타 유기 수지소재로 형성되거나, AlN, Al2O3 등의 세라믹 소재, 또는 금속 및 금속화합물을 소재로 하여 형성될 수 있으며, MCPCB을 포함할 수 있다.The substrate 10 may be a printed circuit board (PCB), and may be formed of an organic resin material and other organic resin materials containing epoxy, triazine, silicon, polyimide, or the like, or may be formed of AlN, Al 2 O 3, or the like. It may be formed of a ceramic material, or a metal and a metal compound as a material, and may include MCPCB.

상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)는 전기 전도성과 열 전도성이 우수한 금속 물질, 예컨대 금(Au), 은(Ag) 또는 구리(Cu) 등으로 이루어질 수 있다. The first to third electrode pads 21, 22, and 23 may be made of a metal material having excellent electrical conductivity and thermal conductivity, such as gold (Au), silver (Ag), or copper (Cu).

상기 제1 전극 패드(21)는 상기 기판(10) 상에 실장되는 발광소자(30)의 실장영역으로 제공될 수 있으며, 이를 위해 상기 기판(10)의 중앙 영역 상에 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극 패드(22)와 제3 전극 패드(23)는 상기 제1 전극 패드(21)와 소정 간격을 두고 상기 제1 전극 패드(21)를 둘러싸는 구조로 상기 기판(10)의 테두리 영역 상에 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제2 전극 패드(22)와 제3 전극 패드(23)는 서로 분리되어 상기 제1 전극 패드(21)를 사이에 두고 서로 마주하는 구조로 배치될 수 있다. The first electrode pad 21 may be provided as a mounting area of the light emitting device 30 mounted on the substrate 10, and may be formed on a central area of the substrate 10. The substrate 10 has a structure in which the second electrode pad 22 and the third electrode pad 23 surround the first electrode pad 21 at a predetermined distance from the first electrode pad 21. It may be formed on the border area of the. The second electrode pad 22 and the third electrode pad 23 may be separated from each other and disposed to face each other with the first electrode pad 21 therebetween.

이와 같은 구조로 상기 기판(21) 상에 형성되는 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)는 상기 기판(10)의 중심을 기준으로 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)가 전체적으로 대칭을 이루는 구조를 가질 수 있다. 그리고, 상기 기판(10)의 하면에 형성되는 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)의 구조는 상기 기판(10)의 상면에 형성되는 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)의 구조와 동일할 수 있다. 따라서, 상기 기판(10)의 상면과 하면에 각각 형성되는 상기 전극 패드(21,22,23)는 서로 대칭을 이룰 수 있다.
In this structure, the first to third electrode pads 21, 22, and 23 formed on the substrate 21 have the first to third electrode pads 21, based on the center of the substrate 10. 22 and 23 may have a symmetrical structure as a whole. The first to third electrode pads 21, 22, and 23 formed on the bottom surface of the substrate 10 may have first to third electrode pads 21, formed on the top surface of the substrate 10. It may be the same as the structure of 22,23). Therefore, the electrode pads 21, 22, and 23 formed on the top and bottom surfaces of the substrate 10 may be symmetrical with each other.

다음으로, 도 14에서 도시하는 바와 같이, 상기 기판(10)의 상면과 하면을 관통하는 도전성 비아(25)를 형성하여 상기 기판(10)의 상면과 하면에 각각 형성된 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)를 동일한 전극 패드끼리 서로 전기적으로 연결한다. Next, as shown in FIG. 14, the conductive vias 25 penetrating the upper and lower surfaces of the substrate 10 are formed to form the first to third electrodes formed on the upper and lower surfaces of the substrate 10, respectively. The pads 21, 22, and 23 are electrically connected to the same electrode pads.

본 실시 형태에서는 상기 기판(10)의 상면과 하면에 각각 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)를 형성한 이후에 상기 도전성 비아(25)를 형성하여 상면과 하면에 각각 형성된 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)를 연결하는 것으로 설명하고 있다. 그러나, 이러한 도전성 비아(25)는 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)를 형성하기 전에 먼저 상기 기판(10)을 관통하는 구조로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)가 형성될 위치에 먼저 상기 도전성 비아(25)를 형성한 다음, 상기 기판(10)의 상면과 하면에 각각 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)를 형성하며, 상기 도전성 비아(25)를 통해 서로 접속될 수 있도록 한다.
In the present exemplary embodiment, after the first to third electrode pads 21, 22, and 23 are formed on the top and bottom surfaces of the substrate 10, the conductive vias 25 are formed to form the top and bottom surfaces, respectively. The first to third electrode pads 21, 22, and 23 are connected to each other. However, the conductive via 25 may be formed to penetrate the substrate 10 before forming the first to third electrode pads 21, 22, and 23. That is, the conductive via 25 is first formed at a position where the first to third electrode pads 21, 22, and 23 are to be formed, and then the first to the third and upper surfaces of the substrate 10 are respectively formed. The third electrode pads 21, 22, and 23 are formed to be connected to each other through the conductive vias 25.

다음으로, 도 15에서 도시하는 바와 같이, 상기 제1 전극 패드(21) 상에 적어도 하나의 발광소자(30)를 실장하고, 상기 발광소자(30)와 상기 제2 전극 패드(22) 및/또는 제3 전극 패드(23)를 도전성 접속부재(40)로 연결한다.Next, as shown in FIG. 15, at least one light emitting device 30 is mounted on the first electrode pad 21, and the light emitting device 30 and the second electrode pad 22 and / or the like. Alternatively, the third electrode pad 23 is connected to the conductive connecting member 40.

상기 발광소자(30) 상에는 도 5에서 설명한 바와 같이 상기 발광소자(30)를 덮으며, 상기 발광소자(30)의 방출광을 다른 파장 영역의 광으로 변환시키는 파장변환부(60)가 형성될 수 있다. A wavelength conversion unit 60 is formed on the light emitting element 30 to cover the light emitting element 30 and convert the emitted light of the light emitting element 30 into light of another wavelength region. Can be.

상기 접속부재(40)는 상기 발광소자(30)가 수직형 타입으로 전기 전도성 접착제를 통해 상기 제1 전극 패드(21) 상에 접착되는 경우, 상기 발광소자(30)와 상기 제2 전극 패드(22) 또는 제3 전극 패드(23)를 연결할 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(30)는 양극(또는, 음극)의 제1 전극 패드(21)와 직접적으로 접속되고, 음극(또는, 양극)의 제2 전극 패드(22) 또는 제3 전극 패드(23)와 접속부재(40)를 통해 접속될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(30)가 수평형 타입으로 비전기 전도성 접착제를 통해 상기 제1 전극 패드(21) 상에 접착되는 경우, 상기 접속부재(40)는 상기 발광소자(30)와 상기 제2 전극 패드(22) 및 제3 전극 패드(23)를 각각 연결할 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(30)는 양극(또는, 음극)의 제2 전극 패드(22)와 접속되고, 음극(또는, 양극)의 제3 전극 패드(23)와 접속될 수 있으며, 제1 전극 패드(21)는 전극을 갖지 않는 히트 싱크로서 발광소자(30)의 열을 방출할 수 있다. 본 실시 형태에서는 접속부재(40)를 통해 배선 구조를 형성하는 것으로 도시하고 있으나, 전기 신호를 전달할 수 있다면 이러한 접속부재 이외에 다른 형태의 배선 구조, 예컨대 금속 라인 등으로 대체하는 것도 가능하다.
The connection member 40 may be formed of the light emitting device 30 and the second electrode pad when the light emitting device 30 is vertically bonded onto the first electrode pad 21 through an electrically conductive adhesive. 22) or the third electrode pad 23 may be connected. Therefore, the light emitting device 30 is directly connected to the first electrode pad 21 of the positive electrode (or the negative electrode), and the second electrode pad 22 or the third electrode pad 23 of the negative electrode (or the positive electrode) 23. ) And the connection member 40 can be connected. In addition, when the light emitting device 30 is attached to the first electrode pad 21 through a non-electrically conductive adhesive in a horizontal type, the connection member 40 is the light emitting device 30 and the second The electrode pad 22 and the third electrode pad 23 may be connected to each other. Accordingly, the light emitting device 30 may be connected to the second electrode pad 22 of the positive electrode (or the negative electrode), and may be connected to the third electrode pad 23 of the negative electrode (or the positive electrode), and may be connected to the first electrode. The pad 21 may emit heat of the light emitting device 30 as a heat sink having no electrodes. In the present embodiment, the wiring structure is formed through the connecting member 40. However, if the electrical signal can be transmitted, other types of wiring structures, for example, metal lines or the like, may be replaced.

다음으로, 도 16에서 도시하는 바와 같이, 상기 발광소자(30)와 상기 접속부재(40)를 덮는 봉지부(50)를 형성한다. 상기 봉지부(50)는 실리콘 또는 에폭시 계열의 투광성 수지를 도포하여 형성할 수 있다. 이러한 봉지부(50)는 발광소자(30) 및 접속부재(40)를 보호하고, 발광소자(30)를 이루는 물질과 외부와의 굴절률 매칭을 구현하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 봉지부(50)는 외부로 발광하는 광의 확산을 위해 분산재 등의 물질이 함유될 수 있다.Next, as shown in FIG. 16, the sealing part 50 which covers the said light emitting element 30 and the said connection member 40 is formed. The encapsulation part 50 may be formed by applying a translucent resin of silicon or epoxy series. The encapsulation unit 50 may protect the light emitting device 30 and the connection member 40, and may improve light extraction efficiency by implementing refractive index matching between materials constituting the light emitting device 30 and the outside. The encapsulation unit 50 may contain a material such as a dispersant to diffuse light emitted to the outside.

본 실시 형태에서는 상기 봉지부(50)가 상기 기판(10) 상에 균일한 두께를 가지며 상면이 평평한 구조로 형성되는 것으로 도시하고 있다. 이러한 봉지부(50)의 구조는 도면으로 도시하지는 않았으나 복수개의 발광소자(30)가 배열된 기판(10) 상에 봉지재를 주입하여 경화시킨 후 다이싱을 거쳐 개별 발광소자(30) 별로 분리하는 방식을 통해 형성될 수 있다. 따라서, 대량 생산에 따른 생산성이 향상되는 효과를 기대할 수 있다.In the present embodiment, the encapsulation portion 50 is formed to have a uniform thickness and a flat top surface on the substrate 10. Although the structure of the encapsulation unit 50 is not shown in the drawings, the encapsulant is injected and cured on the substrate 10 having the plurality of light emitting devices 30 arranged thereon, and then separated by individual light emitting devices 30 through dicing. It can be formed through the way. Therefore, the effect of the productivity according to mass production can be expected to be improved.

또한, 도면으로 도시하지는 않았으나, 발광소자(30) 상에 개별적으로 디스펜싱 공정을 통해 봉지부(50')를 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 봉지부(50')는 도 4에서와 같이 상면이 볼록한 돔 형상의 렌즈 구조를 가지도록 형성될 수 있다.
In addition, although not shown in the drawings, the encapsulation unit 50 ′ may be formed on the light emitting device 30 through a dispensing process individually. In this case, the encapsulation part 50 ′ may be formed to have a dome-shaped lens structure in which an upper surface is convex, as shown in FIG. 4.

한편, 도 17a에서 도시하는 바와 같이, 상기 기판(10)에 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)를 형성하는 단계는 상기 기판(10)에 방열 패드(70)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 방열 패드(70)는 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23) 사이로 노출되는 상기 기판(10)의 표면에 구비될 수 있으며, 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)와 마찬가지로 기판(10)의 상면과 하면에 대칭을 이루는 구조로 각각 구비될 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 17A, the forming of the first to third electrode pads 21, 22, and 23 on the substrate 10 may include forming the heat radiation pads 70 on the substrate 10. It may further comprise a step. The heat dissipation pad 70 may be provided on a surface of the substrate 10 exposed between the first to third electrode pads 21, 22, and 23, and the first to third electrode pads 21, 22. Like 23, the upper and lower surfaces of the substrate 10 may be provided in a symmetrical structure.

상기 방열 패드(70)는 상기 발광소자(30)가 실장되는 제1 전극 패드(21)와 연결되는 구조로 구비될 수 있다. 따라서, 상기 발광소자(30)와 직접적으로 연결되는 제1 전극 패드(21)의 방열 면적이 상대적으로 증가하여 방열 효율이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.The heat dissipation pad 70 may have a structure connected to the first electrode pad 21 on which the light emitting device 30 is mounted. Therefore, the heat dissipation area of the first electrode pad 21 directly connected to the light emitting device 30 may be relatively increased, thereby improving the heat dissipation efficiency.

또한, 도 17b에서 도시하는 바와 같이, 상기 방열 패드(70)는 상기 제1 내지 제3 전극 패드(21,22,23)와 분리되어 전기적으로 절연을 이루는 구조로 구비될 수 있다. 이와 같이, 방열 패드(70)를 전극 패드와 분리시킴으로써 조명 장치 등에 발광소자 패키지가 장착되는 경우, 상기 방열 패드(70)를 통한 전기적 쇼트가 발생할 수 있는 문제를 예방할 수 있다.
In addition, as illustrated in FIG. 17B, the heat dissipation pad 70 may be provided in a structure that is electrically insulated from the first to third electrode pads 21, 22, and 23. As such, when the light emitting device package is mounted on the lighting device by separating the heat dissipation pad 70 from the electrode pad, it is possible to prevent a problem in which an electric short through the heat dissipation pad 70 may occur.

이후, 도 14 내지 도 16에서와 같이 발광소자(30)를 실장하고, 접속부재(40)로 연결하며, 봉지부(50)로 봉지하는 단계를 거쳐 발광소자 패키지를 제조한다.
Thereafter, as shown in FIGS. 14 to 16, the light emitting device 30 is mounted, connected to the connection member 40, and encapsulated with the encapsulation unit 50 to manufacture a light emitting device package.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto.

따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

1... 발광소자 패키지 10... 기판
20... 단자부 21... 제1 전극 패드
22... 제2 전극 패드 23... 제3 전극 패드
25... 도전성 비아 30... 발광소자
40... 접속부재 50... 봉지부
60... 파장변환부 70... 방열 패드1 ... light emitting device package 10 ... substrate
20 ... Terminal part 21 ... First electrode pad
22 ... second electrode pad 23 ... third electrode pad
25 ... conductive via 30 ... light emitting element
40 ... connection member 50 ... encapsulation
60 ... Wavelength conversion part 70 ... Heat dissipation pad

Claims (13)

기판;
상기 기판의 일 영역 상에 배치되는 제1 전극 패드, 상기 제1 전극 패드를 사이에 두고 상기 기판의 테두리 영역 상에 배치되는 제2 및 제3 전극 패드를 포함하는 단자부;
상기 제1 전극 패드 상에 실장되는 적어도 하나의 발광소자; 및
상기 제2 전극 패드 및 제3 전극 패드 중 적어도 하나와 상기 발광소자를 전기적으로 연결하는 접속부재;를 포함하고,
상기 제1 내지 제3 전극 패드는 상기 기판의 중심 영역을 기준으로 대칭을 이루는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
Board;
A terminal portion including a first electrode pad disposed on one region of the substrate and second and third electrode pads disposed on an edge region of the substrate with the first electrode pad interposed therebetween;
At least one light emitting device mounted on the first electrode pad; And
And a connection member electrically connecting at least one of the second electrode pad and the third electrode pad to the light emitting device.
The first to third electrode pads are symmetrical with respect to the center area of the substrate.
제1항에 있어서,
상기 제2 전극 패드와 제3 전극 패드는 서로 분리되어 상기 제1 전극 패드를 사이에 두고 서로 마주하며 배치되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
And the second electrode pad and the third electrode pad are separated from each other and disposed to face each other with the first electrode pad therebetween.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 전극 패드는 상기 기판의 상면과 하면에 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1 or 2,
The first to third electrode pads are provided on the upper surface and the lower surface of the substrate, respectively.
제3항에 있어서,
상기 기판의 상면과 하면에 각각 구비되는 상기 전극 패드는 서로 대칭을 이루는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
The electrode pads provided on the upper and lower surfaces of the substrate are symmetrical to each other.
제3항에 있어서,
상기 기판은 그 상면과 하면에 각각 구비되는 상기 전극 패드를 상호 전기적으로 연결하는 도전성 비아를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
The substrate is a light emitting device package, characterized in that it comprises a conductive via electrically connecting the electrode pads provided on the upper and lower surfaces, respectively.
제1항에 있어서,
상기 단자부와 함께 상기 기판에 구비되는 방열 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
Light emitting device package further comprises a heat dissipation pad provided on the substrate with the terminal portion.
제6항에 있어서,
상기 방열 패드는 상기 단자부 사이로 노출되는 상기 기판의 표면에 구비되며, 상기 단자부와 분리되거나 적어도 하나의 전극 패드와 연결되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 6,
The heat dissipation pad is provided on the surface of the substrate exposed between the terminal portion, the light emitting device package, characterized in that separated from the terminal portion or connected to at least one electrode pad.
제1항에 있어서,
상기 발광소자를 덮는 파장변환부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The light emitting device package further comprises a wavelength conversion unit covering the light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 발광소자 및 상기 접속부재를 덮는 봉지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The light emitting device package further comprises an encapsulation portion covering the light emitting device and the connection member.
서로 분리된 제1 내지 제3 전극 패드를 기판의 상면과 하면에 각각 형성하는 단계;
상기 제1 전극 패드 상에 적어도 하나의 발광소자를 실장하는 단계;
상기 발광소자와 상기 제2 전극 패드 및/또는 제3 전극 패드를 접속부재로 연결하는 단계; 및
상기 발광소자와 상기 접속부재를 덮는 봉지부를 형성하는 단계;
를 포함하고,
상기 제1 내지 제3 전극 패드는 상기 기판의 중심 영역을 기준으로 대칭을 이루는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.
Forming first and third electrode pads separated from each other on an upper surface and a lower surface of the substrate, respectively;
Mounting at least one light emitting device on the first electrode pad;
Connecting the light emitting element and the second electrode pad and / or the third electrode pad to a connection member; And
Forming an encapsulation part covering the light emitting element and the connection member;
Lt; / RTI >
The first to third electrode pads are symmetrical with respect to the center area of the substrate.
제10항에 있어서,
상기 기판에 전극 패드를 형성하는 단계는,
상기 제1 전극 패드를 상기 기판의 중앙 영역 상에 형성하고, 상기 제2 및 제3 전극 패드를 상기 기판의 테두리 영역 상에 형성하며,
상기 제2 전극 패드와 제3 전극 패드는 서로 분리되어 상기 제1 전극 패드를 사이에 두고 서로 마주하며 배치되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.
The method of claim 10,
Forming an electrode pad on the substrate,
Forming the first electrode pad on the center region of the substrate, and forming the second and third electrode pads on the edge region of the substrate,
And the second electrode pad and the third electrode pad are separated from each other and disposed to face each other with the first electrode pad interposed therebetween.
제10항에 있어서,
상기 기판의 상면과 하면을 관통하는 도전성 비아를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 도전성 비아는 상기 기판의 상면과 하면에 각각 형성된 상기 제1 내지 제3 전극 패드를 동일한 전극 패드끼리 서로 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.
The method of claim 10,
The method may further include forming conductive vias penetrating the upper and lower surfaces of the substrate, wherein the conductive vias electrically connect the first to third electrode pads formed on the upper and lower surfaces of the substrate, respectively, to the same electrode pads. Method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that.
제10항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 전극 패드 사이로 노출되는 상기 기판의 표면에 방열 패드를 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 방열 패드는 상기 제1 내지 제3 전극 패드와 분리되거나 적어도 하나의 전극 패드와 연결되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조 방법.The method of claim 10,
Forming a heat dissipation pad on a surface of the substrate exposed between the first to third electrode pads,
The heat dissipation pad is separated from the first to third electrode pad or a method of manufacturing a light emitting device package, characterized in that connected to at least one electrode pad.
KR1020110144876A 2011-12-28 2011-12-28 Light emitting device package and method of manufacturing the same KR20130076328A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110144876A KR20130076328A (en) 2011-12-28 2011-12-28 Light emitting device package and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110144876A KR20130076328A (en) 2011-12-28 2011-12-28 Light emitting device package and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130076328A true KR20130076328A (en) 2013-07-08

Family

ID=48989956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110144876A KR20130076328A (en) 2011-12-28 2011-12-28 Light emitting device package and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130076328A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10950759B2 (en) LED module
US9257624B2 (en) Light emitting diode package
US7755099B2 (en) Light emitting device package
US10177283B2 (en) LED packages and related methods
US9512968B2 (en) LED module
KR101488451B1 (en) Multi chip led package
US9059379B2 (en) Light-emitting semiconductor packages and related methods
US9012941B2 (en) Light emitting diode device, light emitting apparatus and method of manufacturing light emitting diode device
US8952404B2 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the light-emitting device package
KR20120119395A (en) Light emitting device package and method of manufacturing the same
US20120126265A1 (en) Led package
US20160013384A1 (en) Light emitting unit and light emitting module
KR101645009B1 (en) Led package with heat radiation substrate
JP2013143496A (en) Led package and method of manufacturing the same
US9537019B2 (en) Semiconductor device
US8709840B2 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
TWI646706B (en) Led chip package
JP5737083B2 (en) LED light source device
JP2012044043A (en) Semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device manufacturing method
KR20080005851A (en) Light-emitting device
US10147709B2 (en) Light emitting module
KR20130076328A (en) Light emitting device package and method of manufacturing the same
KR101437930B1 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
KR20170122447A (en) Apparatus and Method for Chip on Board Type Lighting Unit
KR20130140351A (en) Led package

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application