KR100884337B1 - 오존수를 사용하는 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

오존수를 사용하는 기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 오존수를 사용하는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지한 상태에서 회전시키는 스핀헤드; 스핀헤드를 감싸는 용기; 붐 스윙 방식으로 회전 운동하며 스핀헤드에 놓여진 기판으로 제1세정용 유체와 제2세정용 유체를 공급하는 제1,2스윙노즐유닛을 갖는 제1약액분사부; 제1스윙노즐유닛이 기판으로 제1세정용 유체 공급을 완료한 후 제2스윙노즐유닛이 기판으로 제2세정용 유체를 공급하기 전까지 발생되는 공백 타임에 기판으로 제2세정용 유체를 공급하는 고정노즐을 갖는 제2약액분사부를 포함한다.
Figure R1020070126772
챔버, 고정노즐, 오존수, 스윙노즐

Description

오존수를 사용하는 기판 처리 장치 및 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS USING OZONE WATER}
본 발명은 기판 처리를 위한 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
현재까지 반도체 분야에서 광범위하게 사용되는 RCA 세정은 고온공정으로써 고농도의 강산 및 강염기의 화학약품을 사용하는 습식 세정이다. 그리고 배치식(Batch Bath Type) 웨이퍼 세정장치는, 한 번에 여러 장의 웨이퍼를 세정하기 때문에 생산효율이 큰 반면에 세정 효율이 떨어지는 문제가 있다.
또한 최근 반도체 웨이퍼의 크기의 대구경화 및 패턴(Pattern)의 미세화에 따른 단위 세정공정 수의 증가와 다량의 화학액이 요구된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 파티클(Particle) 제거나 에칭(Etching) 균일성 향상 등의 세정 성능을 더 높일 수 있는 장치로서 매엽식(枚葉式) 웨이퍼 세정 장치가 제안되고 있다.
본 발명은 기판 표면이 건조되는 것을 방지할 수 있는 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 제1세정용 유체에서 제2세정용 유체로 바뀌는 시점에도 기판에 세정용 유체가 끊이지 않고 연속적으로 공급될 수 있는 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 오존수를 사용하는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 오존수를 사용하는 기판 처리 장치는 기판을 지지한 상태에서 회전시키는 스핀헤드; 상기 스핀헤드를 감싸는 용기; 붐 스윙 방식으로 회전 운동하며 상기 스핀헤드에 놓여진 기판으로 제1세정용 유체와 제2세정용 유체를 공급하는 제1,2스윙노즐유닛을 갖는 제1약액분사부; 상기 제1스윙노즐유닛이 기판으로 제1세정용 유체 공급을 완료한 후 상기 제2스윙노즐유닛이 기판으로 제2세정용 유체를 공급하기 전까지 발생되는 공백 타임에 기판으로 제2세정용 유체를 공급하는 고정노즐을 갖는 제2약액분사부를 포함한다.
상기 고정노즐은 기판의 중심을 향해 제2세정용 유체를 공급할 수 있도록 상기 용기에 고정 설치된다.
상기 고정노즐은 기판으로 오존수 또는 오존수와 산알칼리성 처리액의 혼합액을 공급한다.
본 발명은 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법은 제1스윙노즐유닛과 제2스윙노즐유닛이 교대로 기판상으로 이동하여 서로 다른 세정용 유체를 공급할 때, 기판의 중앙을 향해 고정 설치된 고정노즐은 상기 제1스윙노즐유닛과 상기 제2스윙노즐유닛이 교대하는 사이에 기판으로 세정용 유체 공급하여 항상 기판에 세정용 유체가 끊이지 않고 연속적으로 공급이 이루어진다.
상기 고정노즐은 오존수 또는 오존수와 처리액의 혼합액을 기판으로 공급한다.
본 발명은 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법은 제1스윙노즐유닛이 기판상으로 이동하여 제1세정용 유체를 공급하고, 제2스윙노즐유닛이 기판상으로 이동하여 제2세정용 유체를 공급하되; 상기 제2스윙노즐유닛이 제2세정용 유체를 공급하지 전에 미리 기판의 중앙을 향해 고정 설치된 고정노즐이 제2세정용 유체를 기판의 중앙으로 공급하여, 제1세정용 유체에서 제2세정용 유체로 바뀌는 시점에도 기판에 세정용 유체가 끊이지 않고 연속적으로 공급된다.
상기 제1세정용 유체는 산알칼리성 처리액이고, 상기 제2세정용 유체는 오존수 또는 오존수와 산알칼리성 처리액의 혼합액이다.
상기 고정노즐이 제2세정용 유체를 공급하는 시기는 상기 제1스윙노즐유닛이 제1세정용 유체의 공급을 완료한 시점부터 상기 제2스윙노즐유닛이 제2세정용 유체의 공급을 시작하는 시점이다.
상기 고정노즐이 제2세정용 유체를 공급하는 시기는 상기 제1스윙노즐유닛이 기판의 중앙으로부터 벗어나는 시점부터 상기 제2스윙노즐유닛이 기판의 중앙에 도달하는 시점까지이다.
상기 제1스윙노즐유닛과 상기 제2스윙노즐유닛은 기판의 중앙에서 가장자리로 스윙 왕복 이동하면서 제1세정용 유체와, 제2세정용 유체를 공급하며, 상기 고정노즐은 상기 제1스윙노즐유닛이 마지막으로 기판의 중앙으로부터 가장자리로 스윙 이동하는 시점부터 제2세정용 유체를 공급하고, 상기 제2스윙노즐유닛이 기판의 중앙에 도달하는 시점에 제2세정용 유체의 공급을 중단한다.
본 발명에 의하면, 제2스윙노즐유닛이 제2세정용 유체를 공급하지 전에 미리 기판의 중앙을 향해 고정 설치된 고정노즐이 오존수 또는 제2세정용 유체를 기판의 중앙으로 공급하여, 제1세정용 유체에서 제2세정용 유체로 바뀌는 시점에도 기판에 오존수 또는 제2세정용 유체가 끊이지 않고 연속적으로 공급될 수 있다.
본 발명에 의하면, 세정용 유체가 기판에 연속적으로 공급됨으로써 기판의 표면 건조 및 기판 표면의 공기중 노출을 최소화하여 세정 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 스윙노즐유닛의 구동부가 밀폐되어 있기 때문에 유지보수 영역으로 오존 가스 누출을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 복수개의 스윙노즐이 복수개 나란히 배치되어 있어 도 약액 토출시 간섭이 발생되지 않는다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 7을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 기판 표면에 잔류하는 이물질을 제거하기 위한 매엽식 세정 설비를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 오존수를 사용하는 모든 장치에 적용이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 도면이고, 도 2는 공정 유닛의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 설비(facility for treating substrate)(1)는 반도체 기판(이하, '웨이퍼')(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 기판 처리 설비(1)는 복수의 기판 처리 장치(100)를 갖는 공정유닛(process unit)(10)을 포함한다. 공정유닛(10)의 기판 처리 장치(100)는 웨이퍼 표면에 잔류하는 이물질을 제거하기 위하여 다양한 처리 유체들이 사용되며, 도 1에서는 인라인(in-line) 혼합방식으로 오존수혼합액을 생성 및 공급하는 오존수혼합액 공급유 닛을 구체적으로 도시하고 있다. 오존수혼합액 이외에 기판 처리 장치(100)에서 사용되는 처리액, 초순수, 질소가스, 건조유체 등의 처리 유체의 공급은 공지된 방식으로 기판 처리 장치의 해당 노즐로 제공되기 때문에 구체적으로 도시하거나 설명하지 않았다.
공정유닛(10)은 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정공정(cleaning process)를 수행한다. 오존수혼합액 공급유닛(20, 30, 40)은 오존수혼합액을 생성하여 공정유닛(10)의 각 기판 처리 장치(100)들로 오존수혼합액을 공급한다. 오존수혼합액은 오존수(ozonated water)와 처리액(treating liquid)의 혼합액이다. 처리액으로는 다양한 종류의 산알칼리성 약액이 사용될 수 있다. 오존수혼합액 공급유닛(20, 30, 40)은 처리유체 저장유닛(treating-fluid storage unit)(20), 오존수혼합액 생성유닛(ozonated water mixture generating unit)(30), 그리고 오존수혼합액 분배유닛(ozonated water mixture distribution unit)(40)을 가진다. 배수유닛(50)은 오존수혼합액 생성유닛(30) 및 오존수혼합액 분배유닛(40) 내 오존수혼합액을 배수한다. 그리고, 제어유닛(60)은 상술한 공정유닛(10), 오존수혼합액 공급유닛(20, 30, 40), 그리고 배수유닛(50)을 제어한다.
여기서, 오존수혼합액 공급유닛(20, 30, 40)은 인라인(in-line) 혼합방식으로 오존수혼합액을 생성 및 공급한다. 인라인 혼합방식은 오존수 및 처리액의 혼합액이 탱크와 같은 저장용기에 저장되지 않고, 오존수와 처리액을 공정유닛(10)으로 공급하는 동안에 이들을 혼합하는 방식이다. 따라서, 오존수혼합액 공급유닛(20, 30, 40)에는 오존수 및 처리액의 공급이 정체될 수 있는 구성(예컨대, 오존수 및 처리액을 공급받아 이를 혼합하여 저장하는 믹싱탱크(mixing tank))이 구비되지 않는다.
처리유체 저장유닛(20)은 오존수혼합액 생성을 위한 처리유체를 저장한다. 처리유체 저장유닛(20)은 처리액 공급원(treating liquid supply source)(22) 및 오존수 공급원(ozone supply source)(24)을 포함한다. 처리액 공급원(22)은 처리액을 저장하고, 오존수 공급원(24)은 오존수를 저장한다. 처리액으로는 불산용액(HF)이 사용될 수 있다. 본 실시예에서는 불산용액과 오존수를 혼합하여 일정 농도의 오존수혼합액을 생성하는 경우를 예로 들었으나, 처리액의 종류는 다양하게 변경될 수 있다.
오존수혼합액 생성유닛(30)은 처리유체 저장유닛(20)으로부터 처리유체를 공급받아 오존수혼합액을 생성한다. 오존수혼합액 생성유닛(30)은 처리액 공급라인(treating liquid supply line)(32), 오존수 공급라인(ozonated water supply line)(34), 그리고 혼합라인(mixing line)(36)을 가진다.
처리액 공급라인(32)은 처리액 공급원(22)으로부터 혼합라인(36)으로 처리액을 공급하고, 오존수 공급라인(34)은 오존수 공급원(24)으로부터 혼합라인(36)으로 오존을 공급한다. 처리액 공급라인(32) 상에는 제1 압력측정기(32a), 제1 정압밸브(32b), 제1 유량기(32c), 제1 역압밸브(32d)가 설치된다. 제1 압력측정기(32a)는 처리액 공급라인(32)의 처리액 공급압력을 측정한다. 제1 정압밸브(32b)는 처리액 공급라인(32)을 통해 공급되는 처리액의 유량이 기설정된 유량을 만족하도록 처리액 공급라인(32)의 공급압력을 조절할 수 밸브이다. 제1 유량기(32c)는 처리액 공 급라인(32)을 통해 공급되는 처리액의 유량을 측정한다. 그리고, 제1 역압밸브(32d)는 혼합라인(36)의 공급 압력이 처리액 공급라인(32)의 공급 압력보다 큰 경우에, 혼합라인(36)으로부터 처리액 공급라인(32)으로 처리액이 역류하는 것을 방지한다.
오존수 공급라인(34)에는 처리액 공급라인(32)에 설치되는 구성들과 동일한 구성들이 설치된다. 즉, 오존수 공급라인(34) 상에는 제2 압력측정기(34a), 제2 정압밸브(34b), 제2 유량기(34c), 그리고 제2 역압밸브(34d)가 설치된다. 제2 압력측정기(34a)는 오존수 공급라인(34)의 오존 공급압력을 측정한다. 제2 정압밸브(34b)는 오존수 공급라인(34)을 통해 공급되는 오존수의 유량이 기설정된 유량을 만족하도록 오존수 공급라인(34)의 공급압력을 조절할 수 있는 밸브이다. 제2 유량기(34c)는 오존수 공급라인(34)을 통해 공급되는 오존수의 유량을 측정한다. 그리고, 제2 역압밸브(34d)는 혼합라인(36)으로부터 오존수 공급라인(34)으로의 오존 역류를 방지한다.
혼합라인(36)은 처리액 공급라인(32) 및 오존수 공급라인(34)으로부터 처리액 및 오존수를 공급받아 이를 혼합시킨다. 혼합라인(36) 상에는 혼합밸브(mixing valve)(36a), 스테이틱 믹서(static mixer)(36b), 그리고 제3 압력측정기(36c)가 설치된다. 혼합밸브(36a)는 처리액 공급라인(32) 및 오존수 공급라인(34)의 개폐를 효과적으로 수행하도록, 처리액 공급라인(32) 및 오존수 공급라인(34)의 오픈시에 처리액 및 오존수의 공급량을 정밀하게 수행할 수 있는 밸브이다. 스테이틱 믹서(36b)는 혼합라인(36)을 흐르는 처리액 및 오존이 서로 효과적으로 혼합되도록 한다. 그리고, 제3 압력측정기(36c)는 혼합라인(36)의 오존수 공급압력을 측정하여, 측정된 압력데이터를 제어유닛(60)으로 전송한다.
오존수혼합액 분배유닛(40)은 오존수혼합액 생성유닛(30)에 의해 생성되는 오존수혼합액을 공정유닛(10)의 공급챔버(100)들로 분배한다. 오존수혼합액 분배유닛(40)은 매니폴드(manifold)(42), 분배라인(distribution line)(44), 그리고 농도검사부재(concentration detecting member)를 가진다. 농도검사부재는 농도검사라인(concentration check line)(46) 및 농도계측기(concentration meter)(48)를 가진다.
매니폴드(42)는 혼합라인(36)에 의해 생성되는 오존수혼합액을 공급받아 이를 수용한다. 매니폴드(42)에는 제4 압력측정기(42a)가 설치된다. 제4 압력측정기(42a)는 매니폴드(42) 내 압력을 측정하여, 측정된 압력데이터를 제어유닛(60)으로 전송한다. 분배라인(44)은 매니폴드(42)로부터 공정유닛(10)의 기판 처리 장치(100)로 오존수혼합액을 공급한다. 분배라인(44)은 복수가 구비되며, 각각의 분배라인(44)은 매니폴드(42)로부터 공정유닛(10)의 기판 처리 장치(100)로 오존수혼합액을 공급한다. 농도검사라인(46)은 분배라인(44) 내 오존수혼합액의 농도를 검사한다. 각각의 농도검사라인(46)의 일단은 서로 다른 분배라인(44)과 연결된다. 농도계측기(48)는 농도검사라인(46) 상에 설치되어, 농도검사라인(46)을 따라 흐르는 오존수혼합액의 농도를 측정한다. 농도계측기(48)가 측정한 농도데이터는 제어유닛(60)으로 전송된다.
배수유닛(50)은 오존수혼합액 생성유닛(30) 및 오존수혼합액 분배유닛(40) 내 오존수혼합액을 배수한다. 배수유닛(50)은 제1 배수라인(first drain line)(52), 제2 배수라인(second drain line)(54), 그리고 배수용기(drain vessel)(56)를 가진다. 제1 배수라인(52)의 일단은 혼합라인(36)과 연결되고, 타단은 배수용기(56)와 연결된다. 따라서, 제1 배수라인(52)은 혼합라인(52) 내 압력이 기설정된 압력범위를 벗어하면, 혼합라인(52) 내 오존수혼합액을 배출한다. 오존수혼합액의 신속한 배출을 위해, 제1 배수라인(52)에 설치되는 밸브(52a)는 릴리프 밸브(relief valve)가 사용될 수 있다. 따라서, 혼합라인(52) 내 압력이 기설정된 압력범위를 벗어나면, 밸브(52a)는 자동으로 개방되어 제1 배수라인(52)이 혼합라인(52) 내 오존수혼합액을 배출하도록 한다.
제2 배수라인(54)의 일단은 매니폴드(42)와 연결되고, 타단은 배수용기(56)와 연결된다. 따라서, 제2 배수라인(54)은 매니폴드(42) 내 오존수혼합액을 배수용기(56)로 배출시킨다. 여기서, 제2 배수라인(54)에 설치되는 밸브(54a)는 유량조절밸브가 사용될 수 있다. 즉, 밸브(54a)는 매니폴드(42) 내 오존수혼합액의 배수량의 조절이 가능하도록 제공되어, 제2 배수라인(54)의 오존수혼합액 배수량을 조절할 수 있다. 또는, 밸브(54a)로는 제1 배수라인(52)에 설치되는 밸브(52a)와 동일한 기능을 수행하는 릴리프 밸브가 사용될 수 있다. 배수용기(56)는 제1 및 제2 배수라인(52, 54)을 통해 유입되는 오존수혼합액을 저장한다. 배수용기(56)에 수용되는 오존수혼합액은 배출라인(56a)에 의해 설비(1) 외부로 배출된다.
제어유닛(60)은 상술한 유닛들(10, 20, 30, 40, 50)의 공정을 제어한다. 제어유닛(60)의 상술한 유닛들(10, 20, 30, 40, 50)을 제어하는 상세한 과정은 후술 하겠다.
이렇게 만들어진 오존수혼합액은 기판 처리 장치(100)들로 제공된다. 물론, 도시하지 않았지만, 기판 처리 장치(100)는 오존수혼합액 뿐만 아니라 처리액 공급유닛, 초순수 공급유닛, 건조가스 공급유닛 등으로부터 각각의 해당 처리 유체들을 공급받아 매엽식으로 웨이퍼(W)를 세정한다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치(100)를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 챔버(101), 용기(110), 승강 유닛(120), 스핀 헤드(130), 제1약액분사부(140), 제2약액분사부(150) 그리고 제3약액분사부(160)를 포함한다. 용기(110)는 공정에 사용된 약액 및 공정시 발생됨 흄(fume)이 외부로 튀거나 유출되는 것을 방지한다. 승강 유닛(120)은 스핀 헤드(130) 또는 용기(110)를 상하로 승강시키며, 용기(110) 내에서 용기(110)와 스핀 헤드(130) 간의 상대 높이를 변화시킨다.
도 3은 용기의 단면도이고, 도 4는 용기를 종방향으로 절단한 사시도이다. 도 3과 도 4를 참조하면,
용기(110)는 내부에 상부가 개방되고 기판(W)이 처리되는 공간(a)을 가지고, 공간(a)에는 스핀 헤드(130)가 배치된다. 스핀 헤드(130)의 하면에는 스핀 헤드(130)를 지지하고 회전시키는 회전 축(132)이 고정 결합된다. 회전 축(132)은 용기(110)의 바닥면에 형성된 개구를 통해 용기(110) 외부까지 돌출된다. 회전 축(132)에는 이에 회전력을 제공하는 모터와 같은 구동기(134)가 고정 결합된다.
도 4는 용기(110)의 내부 구조를 보여주는 절단된 사시도이다. 도 3과 도 4 를 참조하면, 용기(110)는 공정에 사용된 약액들을 분리하여 회수할 수 있는 구조를 가진다. 이는 약액들의 재사용이 가능하게 한다. 용기(110)는 복수의 회수통들(110a, 110b, 110c)을 가진다. 각각의 회수통(110a, 110b, 110c)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 종류의 처리액을 회수한다. 본 실시 예에서 용기(110)는 3개의 회수통들을 가진다. 각각의 회수통들을 내부 회수통(110a), 중간 회수통(110b), 그리고 외부 회수통(110c)이라 칭한다.
내부 회수통(110a)은 스핀 헤드(130)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간 회수통(110b)은 내부 회수통(110a)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되며, 외부 회수통(110c)은 중간 회수통(110b)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 각각의 회수통(110a, 110b, 110c)은 용기(110) 내에서 용기 내 공간(a)과 통하는 유입구(111a, 111b, 111c)를 가진다. 각각의 유입구(111a, 111b, 111c)는 스핀 헤드(130)의 둘레에 링 형상으로 제공된다. 기판(W)으로 분사되어 공정에 사용된 약액들은 기판(W)의 회전으로 인한 원심력에 의해 유입구(111a, 111b, 111c)를 통해 회수통(110a, 110b, 110c)으로 유입된다. 외부 회수통(110c)의 유입구(111c)는 중간 회수통(110b)의 유입구(111b)의 수직 상부에 제공되고, 중간 회수통(110b)의 유입구(111b)는 내부 회수통(110a)의 유입구(111a)의 수직 상부에 제공된다. 즉, 내부 회수통(110a), 중간 회수통(110b), 그리고 외부 회수통(110c)의 유입구(111a,111b,111c)들은 서로 간에 높이가 상이하도록 제공된다.
내부 회수통(110a)은 내벽(112a)에 링을 이루는 배치로 복수의 개구들(113a)이 형성된다. 각각의 개구들(113a)은 슬릿 형상으로 제공된다. 개구(113a)는 내부 회수통(110a)으로 유입된 가스들이 스핀 헤드(130) 내 아래 공간을 통해 외부로 배출되도록 하는 배기구로서 기능한다. 바닥벽(112b)에는 배출관(115a)이 결합된다. 내부 회수통(110a)을 통해 유입된 처리액은 배출관(115a)을 통해 외부의 약액 재생을 위한 시스템으로 배출된다.
중간 회수통(110b)은 내벽(114a)에 가스의 배출을 위한 슬릿 형상의 배기구들(113b)이 링을 이루는 배열로 제공된다. 바닥벽(114b)에는 배출관(115b)이 결합되며, 중간 회수통(110b)을 통해 유입된 처리액은 배출관(115b)을 통해 외부의 약액 재생을 위한 시스템으로 배출된다.
외부 회수통(110c)은 바닥벽(116b)이 대체로 원판 형상을 가지며, 중앙에 회전 축(132)이 삽입되는 개구가 형성된다. 바닥벽(116b)에는 배출관(115c)이 결합되고, 외부 회수통(110c)을 통해 유입된 처리액은 배출관(115c)을 통해 외부의 약액 재생을 위한 시스템으로 배출된다. 외부 회수통(110c)은 용기(110) 전체의 외벽으로서 기능한다. 외부 회수통(110c)의 바닥벽(116b)에는 배기관(117)이 결합되며, 외부 회수통(110c)으로 유입된 가스는 배기관(117)을 통해 외부로 배기한다. 또한, 내부 회수통(110a)의 내벽(112a)에 제공된 배기구(113a) 및 중간 회수통(110b)의 내벽(114a)에 제공된 배기구(113b)를 통해 흘러나온 가스는 외부 회수통(110c)에 연결된 배기관(117)을 통해 외부로 배기된다. 배기관(117)은 바닥벽(116b)으로부터 상부로 일정 길이 돌출되도록 설치된다.
승강 유닛(120)은 용기(110)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 용기(110)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(130)에 대한 용기(110)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(120)은 브라켓(122), 이동 축(124), 그리고 구동기(126)를 가진다. 브라켓(122)은 용기(110)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(122)에는 구동기(126)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(124)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(130)에 놓이거나, 스핀 헤드(130)로부터 들어 올릴 때 스핀 헤드(40)가 용기(20)의 상부로 돌출되도록 스핀 헤드(130)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(110a,110b,110c)으로 유입될 수 있도록 용기(110)의 높이가 조절한다. 상술한 바와 반대로, 승강 유닛(120)은 스핀 헤드(130)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 5는 스핀 헤드의 일부를 보여주는 도면이다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 스핀 헤드(130)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(130)는 하부 노즐 부재(139)를 갖으며, 하부 노즐 부재(139)는 스핀 헤드(130)에 놓인 기판(W)의 하면으로 처리액이나 처리 가스를 공급한다. 기판(W)은 스핀 헤드(130)의 상부면으로부터 일정 거리 이격되도록 스핀 헤드(130) 상에 놓이며, 하부 노즐 부재(139)는 스핀 헤드(130)와 기판(W) 사이의 공간으로 처리액이나 처리 가스를 공급한다.
스핀 헤드(130)는 몸체(132), 지지 핀들(134), 척 핀들(136)을 가진다. 지지 핀(134)은 몸체(132)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 지지 핀들(134)은 모두 동일한 형상 및 크기를 가진다. 척 핀(136)은 몸체(132)의 가장자리 영역에 몸체(132)의 상부면으로부터 상부로 돌출되도록 몸체(132)에 설치된다. 척 핀(136)은 약 여섯 개가 제공될 수 있다. 척 핀(136)은 스핀 헤드(130)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀들(136)은 모두 동일한 형상 및 크기를 가진다. 척 핀(136)은 정면에서 바라볼 때 안쪽으로 오목한 오목부(136a)를 가진다. 오목부(136a)에는 지지 핀(134)에 놓인 기판(W)의 측부가 접촉된다.
지지 핀(134)과 척 핀(136)은 오존에 대한 부식을 방지하기 위해 오존수에 대해 내화학적 물성치가 좋은 불소수지(PTFE,PVDF,PCTFE 등)계열로 만들어진다. 특히, 지지 핀(134)과 척 핀(136)은 기계적 강성을 확보하기 위해 핀 내부에 보강용 심(금속 재질 또는 금속이 포함된 재질)(135,137)을 삽입한 구조로 이루어진다. 이처럼, 본 발명의 지지 핀(134)과 척 핀(136)은 오존수에 대해 내화학적 물성치가 좋은 불소수지계열을 적용하여 오존에 대한 부식을 막고, 그 내부에 보강용 심을 삽입하여 보편적으로 사용되는 폴리에테르에테르케톤(PEEK:PolyEtherEtherKetone) 수지 보다 떨어지는 기계적 강도를 보강하였다는데 그 구조적인 특징을 갖는다 할 것이다
도시하지 않았지만, 스핀 헤드(130)의 몸체(132)에는 척 핀(136)을 지지 위치와 대기 위치간 이동을 위한 척 핀 이동 유닛이 설치된다. 지지 위치는 공정 진행시 척 핀들(136)이 기판(W)의 측부와 접촉되는 위치이고, 대기 위치는 기판(W)이 스핀 헤드(130)에 놓일 수 있도록 기판(W)보다 넓은 공간을 제공하는 위치이다. 따라서 지지 위치는 대기 위치에 비해 몸체(132)의 중앙에 더 가까운 위치이다.
도 6은 제1약액분사부를 설명하기 위한 챔버의 단면도이다.
도 2 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(100)에는 스핀헤 드(130)에 놓여진 기판으로 세정용 유체를 공급하는 3개의 약액분사부(140,150,160)를 갖는다.
우선, 제1약액분사부(140)는 붐 스윙 방식으로 회전 운동하며 스핀헤드(130)에 놓여진 기판으로 세정용 유체를 공급하는 제1,2,3스윙노즐유닛(140a,140b,140c)과, 제1,2,3스윙노즐유닛(140a,140b,140c)이 설치되며 공정 챔버(101)의 수평 격벽(102)에 설치되어 수평 격벽(102)에 형성된 개구(103)를 덮는 커버(142)를 포함한다. 제1스윙노즐유닛(140a)은 기판상에 처래액인 불산(HF)을 공급하며, 제2스윙노즐유닛(140b)은 기판상에 오존수혼합액(또는 오존수)을 공급하며, 제3스윙노즐유닛(140c)은 기판상에 공정 특성에 따라 SC1을 선택적으로 공급한다.
제1,2,3스윙노즐유닛(140a,140b,140c) 각각은 스윙노즐(144), θ축 회전을 위한 스윙구동부(146) 그리고 z축 이동을 위한 승강구동부(148)를 포함한다.
스윙노즐(144)은 긴 로드 형상으로 공정영역에 위치되는 토출부(144a), 유지보수 영역에 위치되는 지지부(144b)를 갖는다. 지지부(144b)는 회전축부(145)상에 회전 가능하게 연결된다. 스윙구동부(146)는 스윙노즐(144)의 토출부(144a)가 기판 중심부로 스윙 이동되도록 회전축부(145)상에 연결된 스윙노즐(144)을 회전시킨다. 스윙구동부(146)는 모터, 벨트, 풀리를 가지는 어셈블리에 의해 이루어질 수 있다. 승강구동부(148)는 스윙노즐(144)을 수직 방향으로 직선 이동시키는 구동력을 제공한다. 승강구동부(148)는 실린더, 리니어 모터와 같은 직선 구동장치로 이루어질 수 있다. 승강구동부(148)는 커버(142)에 고정된다. 승강구동부(148)는 스윙노즐(144)이 회전될때 주변의 인접한 스윙노즐과 충돌하는 것을 방지하기 위해 스윙 노즐을 승강시킨다.
한편, 커버(142)에는 스윙노즐(140)들 각각이 통과하는 삽입포트(142a)를 갖으며, 수평 격벽(102)에 설치됨으로써 개구를 덮어 공정영역에서 오존이 유지보수 영역으로 유입되는 것을 방지한다.
도 2에서와 같이, 제1,2,3스윙노즐유닛(140a,140b,140c)은 나란히 배치되며, 각각의 스윙노즐(144)은 그 길이가 서로 상이한 것을 알 수 있다. 즉, 제1스윙노즐유닛(140a)은 용기(110)로부터 가장 가깝게 위치하기 때문에 스윙노즐(144)의 길이가 가장 짧고 그에 따른 회전반경도 작다. 그리고, 제3스윙노즐유닛(140c)은 용기(110)로부터 가장 멀게 위치하기 때문에 스윙노즐(144)의 길이가 가장 길고 그에 따른 회전반경도 크다.
도 6에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(101)는 수평 격벽(102)에 의해 공정 영역(105)과 유지보수 영역(106)으로 구획된다. 유지보수 영역(106)에는 제1약액분사부(140)의 구동부들 이외에도 용기와 연결되는 배출관들, 배기관 그리고 승강유닛의 구동부 등이 위치되는 부분으로, 이러한 유지보수 영역(106)은 오존가스가 발생되는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다. 제1,2,3스윙노즐유닛(140a, 140b, 140c)의 구동부들은 유지보수 영역(106)에 위치하면서도 커버(142)에 의해 공정 영역(105)과 유지보수 영역(106) 간의 개구부가 없기 때문에 오존수 처리 과정에서 발생되는 오존 가스가 유지보수 영역(106)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
예컨대, 제1약액분사부(140)의 제1,3스윙노즐유닛(140a, 140c)은 기판의 세 정 공정에 사용되는 약액으로 불산(HF), 황산(H3SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나가 사용될 수 있다.
제3약액분사부(150)는 스윙 이동을 통해 기판의 중심 상부로 이동되어 기판상에 기판 건조를 위한 유체를 공급하는 하나의 스윙노즐유닛(152)과 스윙노즐유닛(152)의 구동부(미도시됨)를 공정 영역(105)으로부터 격리하기 위한 커버(154)를 포함한다. 건조를 위한 유체는 이소프로필 알코올과 고온의 질소 가스를 포함할 수 있다.
제2약액분사부(160)는 용기의 상단에 고정 설치되는 다수의 고정노즐(162,164,166,168)들을 포함한다. 제1고정노즐(162)은 기판의 중앙으로 초순수를 공급하는 노즐이고, 제2고정노즐(164)은 기판의 중앙에서 벗어난 지점으로 초순수를 공급하는 노즐이며, 제3고정노즐(166)은 오존수(또는 오존수혼합액)를 기판의 중앙으로 공급하는 노즐이며, 제4고정노즐(168)은 기판으로 질소가스를 공급하는 노즐이다. 여기서, 제1,2고정노즐(162,164)는 세정 처리후 린스 공정에 사용되며, 제3고정노즐(166)은 세정 처리 과정에서 사용된다.
상술한 구성을 갖는 기판 처리 장치에서의 기판 처리 과정은 다음과 같다.
기판 처리 과정은 크게 세정단계, 린스 단계 그리고 건조 단계로 이루어진다.
세정 단계는 제1약액분사부(140)의 제1스윙노즐유닛(140a)과 제2스윙노즐유 닛(140b) 그리고 제2약액분사부(160)의 제3고정노즐(166)이 사용된다. 우선, 제1스윙노즐유닛(104a)은 기판의 중앙으로 이동(토출 위치로 이동)하여 불산용액을 기판상에 공급한다. 불산용액 공급이 완료되면, 제1스윙노즐유닛(140a)은 대기 위치로 복귀하게 된다. 제1스윙노즐유닛(140a)이 대기 위치로 복귀하면, 제2스윙노즐유닛(140b)이 기판의 중앙으로 이동하여 오존수혼합액(또는 오존수)을 기판상에 공급한다. 여기서, 불산용액의 공급이 완료된 시점부터 오존수혼합액이 공급되는 시점까지 공백 타임(기판으로 세정용 유체가 공급되지 않는 시간)이 발생된다(도 7 참조). 이 공백 타임이 길면 길수록 기판의 표면 건조가 발생될뿐만 아니라 기판 표면이 공기와 접촉되는 시간이 길어지게 된다. 하지만, 본 발명에서는 이 공백 타임에 제2약액분사부(160)의 제3고정노즐(166)이 오존수(또는 오존수혼합액)를 기판의 중앙으로 공급하여 기판의 표면 건조를 방지할 수 있다.
도 7은 제1스윙노즐유닛과 제2스윙노즐유닛 그리고 제3고정노즐에서의 약액 토출 시점을 설명하기 위한 도면이다.
도 7의 A를 참고해서 설명하면, 불산용액의 공급이 완료된 시점과 오존수혼합액의 공급 시작시점 사이에는 일정한 공백타임이 발생된다. 하지만, 이 공백타임 동안에는 용기에 고정 설치된 제3고정노즐(166)이 기판의 중앙으로 오존수(또는 오존수 혼합액)를 공급하여 항상 기판에 세정용 유체가 끊이지 않고 연속적으로 공급이 이루어지도록 하였다. 즉, 도 7의 A의 경우에는 공백타임에만 제3고정노즐(166)로부터 오존수 공급이 이루어진다는 것을 알 수 있다. 하지만, 제1스윙노즐유닛(140a)과 제2스윙노즐유닛(140b)의 공급방식(센터토출방식 또는 스윙토출방식) 에 따라 제3고정노즐(166)의 오존수 공급 시점은 변경될 수 있다.
도 7의 A는 제1스윙노즐유닛(140a)이 기판의 중심에 위치한 상태에서 불산을 공급하는 센터토출 방식인 경우이다. 그리고 도 7의 B는 제1스윙노즐유닛(140a)이 기판의 중심에서 가장자리로 왕복 스윙 이동하면서 불산을 공급하는 스윙토출방식인 경우이다.
도 7의 B를 참조하면, 제1스윙노즐유닛(140a)은 기판 중심에서 불산 공급을 시작해서 기판 가장자리로 이동, 다시 기판 중심으로 이동한 후, 마지막으로 기판 가장자리로 이동하면서 불산공급을 완료하는 3회 스윙 동작을 실시한다. 이때, 제3고정노즐(166)의 오존수(또는 오존수혼합액)의 공급 시기는 제1스윙노즐유닛(140a)이 마지막으로 기판 중심에서 가장자리로 이동하는 시점, 즉 제1스윙노즐유닛(140a)의 기판의 중심에서 벗어나는 시점부터 시작하여 제2스윙노즐유닛(140b)이 기판 중심에 도달하여 오존수혼합액을 공급하기 직전까지이다.
도 7의 C를 참조하면, 도 7의 B와 같이 제3고정노즐(166)의 오존수 공급시기는 제1스윙노즐유닛(140a)이 마지막으로 기판 중심에서 가장자리로 이동하는 시점, 즉 제1스윙노즐유닛(140a)의 기판의 중심에서 벗어나는 시점부터 시작하여 제2스윙노즐유닛(140b)의 오존수혼합액 공급 완료시점까지이다. 여기서, 제2스윙노즐유닛(140b)은 오존수혼합액을 기판의 중심에서 공급하는 것이 아니고, 기판의 중심에서 벗어난 부분에서 공급함으로써 제3고정노즐(166)에서 기판의 중심으로 공급되는 오존수와 충돌하는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 3은 기판 처리 장치의 용기를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 용기 내부를 보여주는 종방향으로 절단된 용기의 사시도이다.
도 5는 스핀 헤드의 일부를 보여주는 도면이다.
도 6은 제1약액분사부를 설명하기 위한 챔버의 단면도이다.
도 7은 제1스윙노즐유닛과 제2스윙노즐유닛 그리고 제3고정노즐에서의 약액 토출 시점을 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 공정 유닛 100 : 기판 처리 장치
110 : 용기 120 : 승강유닛
130 : 스핀 헤드 140 : 제1약액공급부
150 : 제2약액공급부 160 : 제3약액공급부

Claims (10)

  1. 오존수를 사용하는 기판 처리 장치에 있어서,
    기판을 지지한 상태에서 회전시키는 스핀헤드;
    상기 스핀헤드를 감싸는 용기;
    붐 스윙 방식으로 회전 운동하며 상기 스핀헤드에 놓여진 기판으로 제1세정용 유체와 제2세정용 유체를 공급하는 제1,2스윙노즐유닛을 갖는 제1약액분사부;
    상기 제1스윙노즐유닛이 기판으로 제1세정용 유체 공급을 완료한 후 상기 제2스윙노즐유닛이 기판으로 제2세정용 유체를 공급하기 전까지 발생되는 공백 타임에 기판으로 제2세정용 유체를 공급하는 제1고정노즐을 갖는 제2약액분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 오존수를 사용하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1고정노즐은 기판의 중심을 향해 제2세정용 유체를 공급할 수 있도록 상기 용기에 고정 설치되는 것을 특징으로 하는 오존수를 사용하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1고정노즐은 기판으로 오존수를 공급하는 것을 특징으로 하는 오존수를 사용하는 기판 처리 장치.
  4. 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서:
    제1스윙노즐유닛과 제2스윙노즐유닛이 교대로 기판상으로 이동하여 서로 다른 세정용 유체를 공급할 때, 기판의 중앙을 향해 고정 설치된 고정노즐은 상기 제1스윙노즐유닛과 상기 제2스윙노즐유닛이 교대하는 사이에 기판으로 세정용 유체 공급하여 항상 기판에 세정용 유체가 끊이지 않고 연속적으로 공급이 이루어지는 것을 특징으로 하는 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 고정노즐은 오존수 또는 오존수와 처리액의 혼합액을 기판으로 공급하는 것을 특징으로 하는 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법.
  6. 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서:
    제1스윙노즐유닛이 기판상으로 이동하여 제1세정용 유체를 공급하고,
    제2스윙노즐유닛이 기판상으로 이동하여 제2세정용 유체를 공급하되;
    상기 제2스윙노즐유닛이 제2세정용 유체를 공급하지 전에 미리 기판의 중앙을 향해 고정 설치된 고정노즐이 제2세정용 유체를 기판의 중앙으로 공급하여, 제1세정용 유체에서 제2세정용 유체로 바뀌는 시점에도 기판에 세정용 유체가 끊이지 않고 연속적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1세정용 유체는 산알칼리성 처리액이고,
    상기 제2세정용 유체는 오존수 또는 오존수와 산알칼리성 처리액의 혼합액인 것을 특징으로 하는 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 고정노즐이 제2세정용 유체를 공급하는 시기는
    상기 제1스윙노즐유닛이 제1세정용 유체의 공급을 완료한 시점부터 상기 제2스윙노즐유닛이 제2세정용 유체의 공급을 시작하는 시점인 것을 특징으로 하는 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 고정노즐이 제2세정용 유체를 공급하는 시기는
    상기 제1스윙노즐유닛이 기판의 중앙으로부터 벗어나는 시점부터 상기 제2스윙노즐유닛이 기판의 중앙에 도달하는 시점까지인 것을 특징으로 하는 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법.
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 제1스윙노즐유닛과 상기 제2스윙노즐유닛은 기판의 중앙에서 가장자리 로 스윙 왕복 이동하면서 제1세정용 유체와, 제2세정용 유체를 공급하며,
    상기 고정노즐은 상기 제1스윙노즐유닛이 마지막으로 기판의 중앙으로부터 가장자리로 스윙 이동하는 시점부터 제2세정용 유체를 공급하고, 상기 제2스윙노즐유닛이 기판의 중앙에 도달하는 시점에 제2세정용 유체의 공급을 중단하는 것을 특징으로 하는 오존수를 사용하여 기판을 처리하는 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100938242B1 (ko) 2008-01-02 2010-01-22 세메스 주식회사 약액 공급 시스템
KR101140376B1 (ko) 2011-05-23 2012-05-03 주식회사 쓰리디플러스 기판 제조용 공정 챔버

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980032598A (ko) 1996-10-07 1998-07-25 히가시데쓰로 기판의 세정건조방법 및 세정건조장치
KR19990081192A (ko) 1998-04-27 1999-11-15 윤종용 오존수를 이용한 반도체 장치의 세정방법
KR20030039828A (ko) 2001-11-15 2003-05-22 한국디엔에스 주식회사 스핀 코터 장치
KR20070105162A (ko) 2006-04-25 2007-10-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980032598A (ko) 1996-10-07 1998-07-25 히가시데쓰로 기판의 세정건조방법 및 세정건조장치
KR19990081192A (ko) 1998-04-27 1999-11-15 윤종용 오존수를 이용한 반도체 장치의 세정방법
KR20030039828A (ko) 2001-11-15 2003-05-22 한국디엔에스 주식회사 스핀 코터 장치
KR20070105162A (ko) 2006-04-25 2007-10-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100938242B1 (ko) 2008-01-02 2010-01-22 세메스 주식회사 약액 공급 시스템
KR101140376B1 (ko) 2011-05-23 2012-05-03 주식회사 쓰리디플러스 기판 제조용 공정 챔버

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