KR100879086B1 - Retainer-ring for polishing wafer - Google Patents

Retainer-ring for polishing wafer Download PDF

Info

Publication number
KR100879086B1
KR100879086B1 KR1020080041185A KR20080041185A KR100879086B1 KR 100879086 B1 KR100879086 B1 KR 100879086B1 KR 1020080041185 A KR1020080041185 A KR 1020080041185A KR 20080041185 A KR20080041185 A KR 20080041185A KR 100879086 B1 KR100879086 B1 KR 100879086B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
retainer ring
coupling
wafer
polishing
protrusion
Prior art date
Application number
KR1020080041185A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
황정호
Original Assignee
(주)아이에스테크노
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)아이에스테크노 filed Critical (주)아이에스테크노
Application granted granted Critical
Publication of KR100879086B1 publication Critical patent/KR100879086B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32Retaining rings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

A retainer ring for polishing wafer including coupling protrusion and coupling groove is provided to increase coupling strength of a first retainer ring and a second retainer ring by increasing contact dimension of the first retainer ring and the second retainer ring. A circular coupling groove(710) is formed in one surface of a first retainer ring(700). A coupling protrusion(810) corresponding to the coupling groove is formed in one surface of a second retainer ring(800) facing one surface having the coupling groove of the first retainer ring. The coupling protrusion is comprised of a plurality of protruded blocks which are not continued according to a circumference direction. A discontinuity section between protruded blocks is separated with constant interval according to the circumference direction.

Description

웨이퍼 연마용 리테이너 링{RETAINER-RING FOR POLISHING WAFER}Retainer Ring for Wafer Polishing {RETAINER-RING FOR POLISHING WAFER}

본 발명은 웨이퍼 연마용 리테이너 링에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 평탄화를 위한 연마작업시 웨이퍼의 외주면을 유지하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer polishing retainer ring, and more particularly, to a wafer polishing retainer ring for holding an outer circumferential surface of a wafer during polishing for planarization of the wafer.

최근 반도체 소자는 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되고 있다. 이에 따라 반도체 소자의 제조공정 중에는 반도체 웨이퍼의 각 층의 평탄화를 위한 연마 공정이 필수적으로 포함된다. Recently, the structure of semiconductor devices has been multilayered due to high integration. Accordingly, a polishing process for planarizing each layer of the semiconductor wafer is essentially included in the manufacturing process of the semiconductor device.

이러한 연마 공정으로는 주로 화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing :이하, 'CMP'라 한다) 공정이 적용되고 있다.As such a polishing process, a chemical mechanical polishing (hereinafter referred to as "CMP") process is mainly applied.

상기한 CMP 공정은 텅스텐이나 산화물 등이 입혀진 웨이퍼의 표면을 기계적 마찰에 의해 연마시킴과 동시에 화학적 연마제에 의해 연마시키는 공정을 말한다.The above-mentioned CMP process refers to a process of polishing a surface of a wafer coated with tungsten, an oxide, or the like by mechanical friction and polishing with a chemical abrasive.

여기에서, 기계적 연마는 연마 헤드에 고정된 웨이퍼를 회전하는 연마 패드에 가압시킨 상태에서 회전시킴으로써 연마 패드와 웨이퍼 표면 간의 마찰에 의해 웨이퍼 표면의 연마가 이루어지게 하는 것이고, 화학적 연마는 연마 패드와 웨이퍼 사이에 공급되는 화학적 연마제로서의 슬러리에 의해 웨이퍼 표면의 연마가 이루어지게 하는 것이다.Here, mechanical polishing is the polishing of the wafer surface by friction between the polishing pad and the wafer surface by rotating the wafer fixed to the polishing head in a state of being pressed on a rotating polishing pad, and chemical polishing is performed by polishing the polishing pad and the wafer. The wafer surface is polished by a slurry as a chemical abrasive supplied therebetween.

자세하게는, 웨이퍼를 수용하는 역할을 하는 연마 헤드의 밑면에 웨이퍼가 흡착되도록 한 다음, 웨이퍼가 연마 도중 연마 헤드 밑면에서 바깥으로 이탈되지 않도록 리테이너 링으로 웨이퍼를 유지시킨다. In detail, the wafer is allowed to adsorb to the underside of the polishing head serving to receive the wafer, and then the wafer is held by a retainer ring so that the wafer does not escape out of the underside of the polishing head during polishing.

그 후, 연마 헤드에 수용된 웨이퍼를 연마 패드 위에 소정 압력으로 접촉시키면서 연마제인 슬러리(Slurry)를 웨이퍼와 연마 패드 사이에 공급함으로써, 웨이퍼는 슬러리 및 연마 패드의 회전운동에 의해 화학적/기계적으로 동시에 연마된다.Thereafter, while the wafer contained in the polishing head is brought into contact with the polishing pad at a predetermined pressure, a slurry, which is an abrasive, is supplied between the wafer and the polishing pad, thereby simultaneously polishing the wafer chemically and mechanically by rotational movement of the slurry and the polishing pad. do.

도 1은 종래기술에 따른 리테이너 링을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a retainer ring according to the prior art.

상기 리테이너 링(10)은 도 1에 도시된 바와 같이, 연마 헤드(미도시)의 캐리어에 결합되는 제1 리테이너 링(11)과 연마 패드에 접촉되는 제2 리테이너 링(12)으로 구성된다.The retainer ring 10 is composed of a first retainer ring 11 coupled to a carrier of a polishing head (not shown) and a second retainer ring 12 contacting the polishing pad, as shown in FIG. 1.

여기서, 상기 제1 리테이너 링(11)은 금속 재질로 이루어지고, 제2 리테이너 링(12)은 플라스틱 합성수지 재질로 이루어지며, 상기 제1 리테이너 링(11)과 제2 리테이너 링(12)은 접착제를 통해 결합된다. Here, the first retainer ring 11 is made of a metal material, the second retainer ring 12 is made of a plastic synthetic resin material, the first retainer ring 11 and the second retainer ring 12 is an adhesive Are combined through.

상기 제2 리테이너 링(12)은 연마 패드(미도시)에 가압된 상태로 회전되는데, 그 마찰력 및 회전력에 의해 상기 제1 리테이너 링(11)과의 결합력이 떨어지게 되어 제1 리테이너 링(11)으로부터 분리되며, 심하게는 일부가 파손되는 현상도 발생하게 된다.The second retainer ring 12 is rotated in a state of being pressed by a polishing pad (not shown), and the engagement force with the first retainer ring 11 is lowered by the friction force and the rotational force so that the first retainer ring 11 It is also separated from, severely causing some breakage.

이러한 상황이 발생하게 되면 웨이퍼 연마작업은 중지되며, 제2 리테이너 링(12)을 신품으로 교체하여 재장착시킨 후에야 연마작업이 다시 실시된다.When such a situation occurs, the wafer polishing operation is stopped, and the polishing operation is performed again only after the second retainer ring 12 is replaced with a new one.

전술한 종래기술에 따른 리테이너 링에 의하면, 상기 제1 리테이너 링(11)과 제2 리테이너 링(12)의 서로 마주보는 면에는 상호 결합을 위한 별도의 구성요소가 형성되지 않고, 단지 제1 리테이너 링(11)의 평평한 일면과 제2 리테이너 링(12)의 일면을 접착제를 통해 본딩 결합시켰다.According to the retainer ring according to the prior art described above, the first retainer ring 11 and the second retainer ring 12 are not formed on the surface facing each other separate components for mutual coupling, only the first retainer One flat side of the ring 11 and one side of the second retainer ring 12 were bonded and bonded through an adhesive.

일반적으로, 상기와 같이 단순한 면접촉에 의한 결합은 연마패드(미도시)에 마찰되어 회전되는 제2 리테이너 링(12)이 제1 리테이너 링(11)으로부터 분리되는 현상을 충분히 방지시키기가 어렵게 된다.In general, it is difficult to sufficiently prevent the phenomenon that the second retainer ring 12, which is rotated by being rubbed by the polishing pad (not shown), is separated from the first retainer ring 11 as described above. .

이로 인해, 종래에는 웨이퍼 연마작업시 소모품으로써 어느 정도의 시간이 경과하면 신품으로 교체되는 제2 리테이너 링(12)의 교체주기가 짧아짐으로써 작업효율이 하락하게 되고 아울러 교체비용이 상승하게 되는 문제점이 있었다.For this reason, conventionally, when a certain time elapses as a consumable during wafer polishing, the replacement cycle of the second retainer ring 12, which is replaced with a new one, is shortened, thereby reducing the work efficiency and increasing the replacement cost. there was.

본 발명의 목적은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 다수 구성요소의 결합으로 이루어지는 리테이너 링에서 각 구성요소 간의 결합강도를 증가시켜 서로 쉽게 분리되는 것을 방지하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to solve the above problems, to provide a retaining ring for wafer polishing to increase the bonding strength between the components in the retainer ring consisting of a plurality of components to prevent separation from each other easily. will be.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 안출된 본 발명의 웨이퍼 연마용 리테이너 링은 웨이퍼를 연마패드의 상면에 밀착시키는 연마헤드의 캐리어에 장착되어 웨이퍼를 유지하는 리테이너 링에 있어서, 상기 리테이너 링은 상기 연마헤드의 캐리어에 장착되는 제1 리테이너 링과 상기 제1 리테이너의 링의 연마패드를 마주보는 면에 결합되는 제2 리테이너 링을 포함하여 이루어지며, 상기 제1 리테이너 링과 제2 리테이너 링 중 어느 하나의 상호 마주보는 일면에는 원형의 오목한 결합홈이 형성되고, 다른 하나의 상호 마주보는 일면에는 상기 결합홈에 대응 결합되고 원주방향을 따라 서로 이어지지 않는 복수의 돌출블록으로 구성되는 결합돌출부가 형성되고, 상기 결합홈과 결합돌출부의 사이에는 접착제가 개재되며, 상기 결합홈은 원주방향 중심을 기준으로 반경 방향으로 이격되는 복수로 이루어지고, 상기 결합돌출부는 상기 결합홈과 대응되는 복수로 이루어지되, 상기 복수의 결합돌출부 중 어느 하나의 결합돌출부에 형성된 돌출블록과 상기 결합돌출부에 반경방향으로 이웃한 또 다른 결합돌출부에 형성된 돌출블록은 결합돌출부의 원주방향을 따라 배치되는 위치가 서로 다른 것을 특징으로 한다.The retainer ring for wafer polishing of the present invention devised to achieve the above object is a retainer ring mounted on a carrier of a polishing head for keeping a wafer in close contact with an upper surface of a polishing pad, the retainer ring holding the wafer. And a first retainer ring mounted to a carrier of the polishing head and a second retainer ring coupled to a surface facing the polishing pad of the ring of the first retainer, wherein any one of the first retainer ring and the second retainer ring is formed. On one surface facing each other is formed a circular concave coupling groove, the other facing surface is formed a coupling protrusion consisting of a plurality of protruding blocks that are correspondingly coupled to the coupling groove and do not run along each other in the circumferential direction , The adhesive is interposed between the coupling groove and the coupling protrusion, the coupling groove is in the circumferential direction Comprising a plurality of spaced apart in the radial direction with respect to the seam, wherein the coupling protrusion is made of a plurality corresponding to the coupling groove, the protruding block formed in any one of the coupling protrusions of the plurality of coupling protrusions and the coupling protrusion in the radial direction Protruding block formed in another adjacent coupling protrusions is characterized in that the positions arranged along the circumferential direction of the coupling protrusions are different from each other.

또한, 상기 복수의 돌출블록 간에 서로 이어지지 않는 불연속구간은 원주방향을 따라 일정 간격으로 이격되는 것을 특징으로 한다.In addition, discontinuous sections which are not connected to each other between the plurality of protruding blocks may be spaced apart at regular intervals along the circumferential direction.

삭제delete

삭제delete

삭제delete

전술한 본 발명에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링에 의하면, 결합돌출부 및 결합홈을 구비하여 상호 접착되는 제1 리테이너 링과 제2 리테이너 링의 접촉면적을 증가시켜 제1 리테이너 링과 제2 리테이너 링의 결합강도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.According to the above-described wafer polishing retainer ring according to the present invention, the contact area between the first retainer ring and the second retainer ring, which has a joining protrusion and a joining groove, is bonded to each other to increase the contact area of the first retainer ring and the second retainer ring. There is an effect that can increase the bonding strength.

또한, 돌출블록 간의 상호 이어지지 않는 구간에 접착제의 충진량을 증가시킬 수 있으므로, 제1 리테이너 링과 제2 리테이너 링의 결합강도를 더욱 증가시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, since the filling amount of the adhesive can be increased in the section which is not connected to each other between the protruding blocks, there is an effect that can further increase the bonding strength of the first retainer ring and the second retainer ring.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링이 포함된 웨이퍼 연마장치를 개략적으로 나타내는 구성도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링을 나타내는 사시도이며, 도 4는 도 3의 A-A선 단면도이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 제1 리테이너 링을 나타내는 평면도이며, 도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 제2 리테이너 링을 나타내는 평면도이고, 도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 제2 리테이너 링을 나타내는 평면도이다.2 is a schematic view showing a wafer polishing apparatus including a wafer polishing retainer ring according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a perspective view showing a wafer polishing retainer ring according to an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA of Figure 3, Figure 5 is a plan view showing a first retainer ring according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a plan view showing a second retainer ring according to a first embodiment of the present invention, 7 is a plan view illustrating a second retainer ring according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링은 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면 평탄화를 위해 웨이퍼를 연마패드(100)의 상면에 밀착시키는 연마헤드 캐리어(200)에 장착되어 웨이퍼 회전시 웨이퍼(W)의 측면이동을 방지하도록 웨이퍼를 유지하는 것으로서, 제1 리테이너 링(700)과 제2 리테이너 링(800)을 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 2, the retainer ring for wafer polishing according to the embodiment of the present invention is mounted on the polishing head carrier 200 which closely adheres the wafer to the top surface of the polishing pad 100 to planarize the surface of the wafer W. FIG. In order to hold the wafer to prevent lateral movement of the wafer W during the rotation of the wafer, the first retainer ring 700 and the second retainer ring 800 are included.

도 2에서 미설명된 도면부호 500, 600은 각각 슬러리 공급부와 슬러리를 나타낸다.Reference numerals 500 and 600 which are not described in FIG. 2 denote a slurry supply unit and a slurry, respectively.

상기 제1 리테이너 링(700)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 구동부(300)에 연결되어 회전되는 연마헤드 캐리어(200)에 장착되고, 그 하측에 또 다른 구동부(310)에 의해 회전되는 턴테이블(400)의 상면에 장착되는 연마패드(100)를 마주보는 제1 리테이너 링(700)의 일면에는 상기 제2 리테이너 링(800)이 결합된다.As shown in FIGS. 2 and 3, the first retainer ring 700 is mounted to the polishing head carrier 200 which is connected to the driving unit 300 and rotated, and is further lowered by another driving unit 310. The second retainer ring 800 is coupled to one surface of the first retainer ring 700 facing the polishing pad 100 mounted on the upper surface of the turntable 400 that is rotated.

여기서, 상기 제1 리테이너 링(700)과 제2 리테이너 링(800)은 중앙부가 관통되는 고리형상을 가지게 된다.Here, the first retainer ring 700 and the second retainer ring 800 have an annular shape through which a central portion thereof passes.

본 발명의 실시예에서, 상기 제1 리테이너 링(700)과 제2 리테이너 링(800) 중 어느 하나의 상호 마주보는 일면에는 오목하게 들어간 결합홈(710)이 형성되고, 다른 하나의 상호 마주보는 일면에는 상기 결합홈(710)에 대응 결합되는 볼록한 결합돌출부(810)가 형성된다.In an embodiment of the present invention, one of the first retainer ring 700 and the second retainer ring 800, the mutually opposing one side is formed with a concave coupling groove 710, the other mutually opposite On one surface is formed a convex coupling protrusion 810 corresponding to the coupling groove 710.

즉, 상기 결합홈(710)과 결합돌출부(810)는 제1 리테이너 링(700)과 제2 리테이너 링(800) 중 어느 하나에 형성되며, 상기 결합돌출부(810)가 제1 리테이너 링(700)에 형성되면 결합홈(710)은 제2 리테이너 링(800)에 형성되고, 그 반대의 경우도 가능하다.That is, the coupling groove 710 and the coupling protrusion 810 are formed in any one of the first retainer ring 700 and the second retainer ring 800, and the coupling protrusion 810 is formed in the first retainer ring 700. When the coupling groove 710 is formed in the second retainer ring 800, the reverse is also possible.

또한, 상기 결합홈(710) 및 결합돌출부(810)는 각각 원주방향 중심을 기준으로 반경 방향으로 이격되는 복수로 이루어진다.In addition, the coupling groove 710 and the coupling protrusion 810 are each composed of a plurality of radially spaced relative to the circumferential center.

이하에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 결합홈(710)이 제1 리테이너 링(700)에 형성되고 상기 결합돌출부(810)가 제2 리테이너 링(800)에 형성되는 경우에 한해서 설명하기로 하고 그 반대의 경우에 대해서는 생략하기로 한다.Hereinafter, as shown in FIG. 4, the coupling groove 710 is formed in the first retainer ring 700, and the coupling protrusion 810 is formed in the second retainer ring 800. The opposite case will be omitted.

본 발명의 실시예에서 상기 제1 리테이너 링(700)의 일면에는 도 5에 도시된 바와 같이, 원형의 결합홈(710)이 형성되고, 상기 제1 리테이너 링(700)의 결합홈(710)이 형성된 일면과 마주보는 상기 제2 리테이너 링(800)의 일면에는 상기 결합홈(710)에 대응 결합되고 원주방향을 따라 서로 이어지지 않는 복수의 돌출블록(811)으로 구성되는 결합돌출부(810)가 형성된다.In an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, a circular coupling groove 710 is formed on one surface of the first retainer ring 700, and the coupling groove 710 of the first retainer ring 700 is formed. On one surface of the second retainer ring (800) facing the formed coupling protrusion 810 is composed of a plurality of protruding block 811 is coupled to the coupling groove 710 and do not run along each other in the circumferential direction Is formed.

한편, 상기 복수의 돌출블록(811) 간에 서로 이어지지 않는 구간(이하, '불연속구간'이라 한다)은 원주방향을 따라 일정간격 이격되도록 한다.On the other hand, the sections (hereinafter, referred to as 'discontinuous sections') that do not run between the plurality of protruding blocks 811 are spaced apart by a predetermined distance along the circumferential direction.

이하, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 돌출블록(811)의 다양한 실시 예에 대해 설명하기로 한다.6 and 7, various embodiments of the protruding block 811 will be described.

본 발명의 제1실시예에서는 상기 복수의 결합돌출부(810)에 각각 형성되는 돌출블록(811)의 상기 결합돌출부(810)의 원주방향을 따라 배치되는 위치가 서로 다르게 형성된다.In the first embodiment of the present invention, positions arranged along the circumferential direction of the coupling protrusions 810 of the protrusion blocks 811 respectively formed in the coupling protrusions 810 are different from each other.

자세하게는, 상기 복수의 결합돌출부(810)에 각각 형성되는 돌출블록(811)의 결합돌출부(810) 원주방향 상의 위상이 서로 다르게 형성되며 즉, 상기 복수의 결합돌출부(810) 중 어느 하나에 형성되는 불연속구간의 결합돌출부(810) 원주방향 중심을 기준으로 배치되는 위상이 이웃하는 결합돌출부(810)에 형성되는 불연속구간의 결합돌출부(810) 원주방향 중심을 기준으로 배치되는 위상과 다르게 되도록 한다.In detail, phases in the circumferential direction of the coupling protrusions 810 of the protrusion blocks 811 respectively formed on the coupling protrusions 810 are different from each other, that is, formed in any one of the plurality of coupling protrusions 810. The phase of the coupling protrusion 810 of the discontinuous section, which is arranged based on the circumferential center, is different from the phase of the coupling protrusion 810 of the discontinuous section of the adjacent coupling protrusion 810, which is formed on the circumferential center thereof. .

다시 말해, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제2 리테이너 링(800)에 제1결합돌출부 및 제2결합돌출부가 형성되고, 상기 제1결합돌출부에 형성되는 불연속구간이 상기 제2 리테이너 링(800)의 원주방향 중심을 기준으로 0

Figure 112008031719126-pat00001
, 90
Figure 112008031719126-pat00002
, 180
Figure 112008031719126-pat00003
, 270
Figure 112008031719126-pat00004
의 위상변화를 가진다면 상기 제2결합돌출부에 형성되는 불연속구간의 위상변화는 45
Figure 112008031719126-pat00005
, 135
Figure 112008031719126-pat00006
, 225
Figure 112008031719126-pat00007
, 315
Figure 112008031719126-pat00008
의 위상변화를 가지도록 형성된다.In other words, as illustrated in FIG. 6, a first coupling protrusion and a second coupling protrusion are formed in the second retainer ring 800, and a discontinuous section formed in the first coupling protrusion is formed in the second retainer ring ( 0 relative to the circumferential center of
Figure 112008031719126-pat00001
, 90
Figure 112008031719126-pat00002
, 180
Figure 112008031719126-pat00003
, 270
Figure 112008031719126-pat00004
If the phase change of the phase change of the discontinuous period formed in the second coupling projection is 45
Figure 112008031719126-pat00005
, 135
Figure 112008031719126-pat00006
, 225
Figure 112008031719126-pat00007
, 315
Figure 112008031719126-pat00008
It is formed to have a phase change of.

본 발명의 제2실시예에서는 상기 복수의 결합돌출부(810)에 각각 형성되는 돌출블록(811)의 상기 결합돌출부(810)의 원주방향을 따라 배치되는 위치가 서로 동일하게 형성된다.In the second embodiment of the present invention, the positions disposed along the circumferential direction of the coupling protrusion 810 of the protrusion block 811 respectively formed in the coupling protrusion 810 are formed to be the same.

자세하게는, 상기 복수의 결합돌출부(810)에 각각 형성되는 돌출블록(811)의 결합돌출부(810) 원주방향 상의 위상이 서로 동일하게 형성되며 즉, 상기 복수의 결합돌출부(810) 중 어느 하나에 형성되는 불연속구간의 결합돌출부(810) 원주방향 중심을 기준으로 배치되는 위상이 이웃하는 결합돌출부(810)에 형성되는 불연속구간의 결합돌출부(810) 원주방향 중심을 기준으로 배치되는 위상과 동일하게 되도록 한다.In detail, phases in the circumferential direction of the coupling protrusions 810 of the protrusion blocks 811 respectively formed in the coupling protrusions 810 are formed to be identical to each other, that is, in any one of the plurality of coupling protrusions 810. The phases of the coupling protrusions 810 formed on the circumferential center of the discontinuous sections are formed in the same manner as the phases of the coupling protrusions 810 of the discontinuous sections formed on the adjacent coupling protrusion 810. Be sure to

다시 말해, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 각각의 결합돌출부(810) 상의 불연속구간은 상기 제2 리테이너 링(800)의 원주방향 중심을 기준으로 각각 0

Figure 112008031719126-pat00009
, 90
Figure 112008031719126-pat00010
, 180
Figure 112008031719126-pat00011
, 270
Figure 112008031719126-pat00012
의 동일한 위상변화를 가지도록 형성될 수 있다.In other words, as shown in FIG. 7, the discontinuous sections on the respective engaging protrusions 810 are each zero based on the circumferential center of the second retainer ring 800.
Figure 112008031719126-pat00009
, 90
Figure 112008031719126-pat00010
, 180
Figure 112008031719126-pat00011
, 270
Figure 112008031719126-pat00012
It can be formed to have the same phase change of.

이하, 상기 결합홈(710)과 결합돌출부(810)의 결합관계에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the coupling relationship between the coupling groove 710 and the coupling protrusion 810 will be described.

상기 제2 리테이너 링(800)은 도 4에 도시된 바와 같이, 결합돌출부(810) 및 결합홈(710)을 통해 상기 제1 리테이너 링(700)에 고정결합되는데, 제2 리테이너 링(800)은 웨이퍼의 연마작업시, 제1 리테이너 링(700)으로부터 쉽게 분리되지 않도록 결합되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 4, the second retainer ring 800 is fixedly coupled to the first retainer ring 700 through the coupling protrusion 810 and the coupling groove 710, and the second retainer ring 800 is fixed. In the polishing operation of the silver wafer, it is preferable to be bonded so that it is not easily separated from the first retainer ring 700.

본 발명에서 상기 제1 리테이너 링(700)과 제2 리테이너 링(800)은 접착제를 통한 본딩 결합되는데, 자세하게는 상기 결합홈(710) 및 결합돌출부(810)에 접착제를 골고루 도포시키고 상호 대응결합되도록 배치시킨 후, 상기 제1 리테이너 링(700)과 제2 리테이너 링(800)의 마주보는 면이 가압되도록 제1 리테이너 링(700)과 제2 리테이너 링(800)의 양측면에서 가압시켜서 결합시킨다.In the present invention, the first retainer ring 700 and the second retainer ring 800 are bonded to each other through an adhesive, in detail, the adhesive is evenly applied to the coupling groove 710 and the coupling protrusion 810 and mutually coupled to each other. After disposing so as to press the opposite surface of the first retainer ring 700 and the second retainer ring 800 is pressed by both sides of the first retainer ring 700 and the second retainer ring 800 to be coupled. .

이때, 상기 결합돌출부(810)에는 복수의 불연속구간이 형성되므로, 상기 불연속구간 상의 제1 리테이너 링(700)과 제2 리테이너 링(800)이 결합되는 부분에는 불연속구간이 형성되지 않는 부분보다 많은 양의 접착제가 충진되어 제1 리테이너 링(700)과 제2 리테이너 링(800)의 결합강도를 한층 증가시키게 된다.In this case, since the plurality of discontinuous sections are formed in the coupling protrusion 810, a portion where the first retainer ring 700 and the second retainer ring 800 are coupled on the discontinuous section is larger than a portion where the discontinuous section is not formed. The positive adhesive is filled to further increase the bonding strength of the first retainer ring 700 and the second retainer ring 800.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이 같은 특정 실시예에만 한정되지 않으며, 해당분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 특허청구범위 내에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경이 가능할 것이다.Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the scope of the present invention is not limited only to this specific embodiment, and those skilled in the art are appropriately within the scope described in the claims of the present invention. Changes will be possible.

도 1은 종래기술에 따른 리테이너 링을 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing a retainer ring according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링이 포함된 웨이퍼 연마장치를 개략적으로 나타내는 구성도.Figure 2 is a schematic view showing a wafer polishing apparatus including a retaining ring for wafer polishing according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 연마용 리테이너 링을 나타내는 사시도.Figure 3 is a perspective view showing a retaining ring for wafer polishing according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 A-A선 단면도.4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 제1 리테이너 링을 나타내는 평면도.5 is a plan view showing a first retainer ring according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 제2 리테이너 링을 나타내는 평면도.6 is a plan view showing a second retainer ring according to the first embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 제2 리테이너 링을 나타내는 평면도.7 is a plan view showing a second retainer ring according to a second embodiment of the present invention;

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

100: 연마패드 200: 연마헤드 캐리어100: polishing pad 200: polishing head carrier

300,310: 구동부 400: 턴테이블300, 310: drive unit 400: turntable

500: 슬러리 공급부 600: 슬러리500: slurry supply unit 600: slurry

700: 제1 리테이너 링 710: 결합홈700: first retainer ring 710: coupling groove

800: 제2 리테이너 링 810: 결합돌출부800: second retainer ring 810: engaging projection

811: 돌출블록811: protruding block

Claims (5)

웨이퍼를 연마패드의 상면에 밀착시키는 연마헤드의 캐리어에 장착되어 웨이퍼를 유지하는 리테이너 링에 있어서,A retainer ring mounted on a carrier of a polishing head that adheres a wafer to an upper surface of a polishing pad to hold the wafer, 상기 리테이너 링은 상기 연마헤드의 캐리어에 장착되는 제1 리테이너 링과 상기 제1 리테이너의 링의 연마패드를 마주보는 면에 결합되는 제2 리테이너 링을 포함하여 이루어지며,The retainer ring includes a first retainer ring mounted to a carrier of the polishing head and a second retainer ring coupled to a surface facing the polishing pad of the ring of the first retainer, 상기 제1 리테이너 링과 제2 리테이너 링 중 어느 하나의 상호 마주보는 일면에는 원형의 오목한 결합홈이 형성되고, 다른 하나의 상호 마주보는 일면에는 상기 결합홈에 대응 결합되고 원주방향을 따라 서로 이어지지 않는 복수의 돌출블록으로 구성되는 결합돌출부가 형성되고, 상기 결합홈과 결합돌출부의 사이에는 접착제가 개재되며,A circular concave coupling groove is formed on one surface of the first retainer ring and the second retainer ring that face each other, and the other coupling surface of the first retainer ring and the second retainer ring is not coupled to each other along the circumferential direction. A coupling protrusion formed of a plurality of protrusion blocks is formed, an adhesive is interposed between the coupling groove and the coupling protrusion, 상기 결합홈은 원주방향 중심을 기준으로 반경 방향으로 이격되는 복수로 이루어지고, 상기 결합돌출부는 상기 결합홈과 대응되는 복수로 이루어지되,The coupling groove is made of a plurality of radially spaced relative to the circumferential center, the coupling protrusion is made of a plurality corresponding to the coupling groove, 상기 복수의 결합돌출부 중 어느 하나의 결합돌출부에 형성된 돌출블록과 상기 결합돌출부에 반경방향으로 이웃한 또 다른 결합돌출부에 형성된 돌출블록은 결합돌출부의 원주방향을 따라 배치되는 위치가 서로 다른 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.The protrusion block formed in any one of the plurality of coupling protrusions and the protrusion block formed in another coupling protrusion adjacent to the coupling protrusion in the radial direction are different from each other in the circumferential direction of the coupling protrusion. Retainer ring for wafer polishing 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 돌출블록 간에 서로 이어지지 않는 불연속구간은 원주방향을 따라 일정 간격으로 이격되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마용 리테이너 링.Discontinuous sections that do not run between the plurality of protruding blocks are retained for wafer polishing, characterized in that spaced apart at regular intervals along the circumferential direction. 삭제delete 삭제delete
KR1020080041185A 2008-03-25 2008-05-02 Retainer-ring for polishing wafer KR100879086B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080027312 2008-03-25
KR20080027312 2008-03-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100879086B1 true KR100879086B1 (en) 2009-01-15

Family

ID=40482781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080041185A KR100879086B1 (en) 2008-03-25 2008-05-02 Retainer-ring for polishing wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100879086B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101576247B1 (en) 2013-12-18 2015-12-09 일진디스플레이(주) Polishing device having fixing structure between head and wafer supporter
CN108568747A (en) * 2018-05-23 2018-09-25 宁波江丰电子材料股份有限公司 Limit connection component and polishing machine
CN110465885A (en) * 2019-08-28 2019-11-19 西安奕斯伟硅片技术有限公司 A kind of silicon chip carrier and silicon wafer single-sided polishing device
US20230129597A1 (en) * 2021-10-27 2023-04-27 Sch Power Tech Co., Ltd. Retaining Ring for Wafer Polishing

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010104015A (en) * 2000-05-12 2001-11-24 윤종용 Retainer ring in chemical mechanical polishing apparatus
KR100797311B1 (en) 2007-02-14 2008-01-23 동부일렉트로닉스 주식회사 Polishing head of chemical mechanical polish
KR100836752B1 (en) 2007-10-11 2008-06-10 (주)삼천 Retainer ring of cmp machine

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010104015A (en) * 2000-05-12 2001-11-24 윤종용 Retainer ring in chemical mechanical polishing apparatus
KR100797311B1 (en) 2007-02-14 2008-01-23 동부일렉트로닉스 주식회사 Polishing head of chemical mechanical polish
KR100836752B1 (en) 2007-10-11 2008-06-10 (주)삼천 Retainer ring of cmp machine

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101576247B1 (en) 2013-12-18 2015-12-09 일진디스플레이(주) Polishing device having fixing structure between head and wafer supporter
CN108568747A (en) * 2018-05-23 2018-09-25 宁波江丰电子材料股份有限公司 Limit connection component and polishing machine
CN110465885A (en) * 2019-08-28 2019-11-19 西安奕斯伟硅片技术有限公司 A kind of silicon chip carrier and silicon wafer single-sided polishing device
US20230129597A1 (en) * 2021-10-27 2023-04-27 Sch Power Tech Co., Ltd. Retaining Ring for Wafer Polishing

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9604339B2 (en) Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder
US6974371B2 (en) Two part retaining ring
KR100879086B1 (en) Retainer-ring for polishing wafer
TW474863B (en) Polishing apparatus
US9233452B2 (en) Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder
JP2007075949A (en) Polishing platen and polishing device
KR100814069B1 (en) A wafer polishing head of an air-bag type
JP2009283885A (en) Retainer ring
KR101875275B1 (en) Retainer ring recycle method using friction welding
KR100879085B1 (en) Retainer-ring for polishing wafer
JP2004172296A (en) Polishing method for semiconductor wafer, and polishing pad therefor
KR100884236B1 (en) Retainer-ring for polishing wafer
JP2004524676A (en) Method for manufacturing reinforced wafer polishing pad and apparatus mounting the pad
KR20230074235A (en) Platen surface modification and high-performance pad conditioning to improve CMP performance
KR101440175B1 (en) Polishing Pad and Method for Manufacturing The Same
KR102485810B1 (en) Retainer ring of chemical and mechanical polishing apparatus
KR102510720B1 (en) Retainer ring used in chemical mechanical polishing apparatus
KR20110008637U (en) retainer ring structure for chemical-mechanical polishing machine
US7534166B2 (en) Chemical mechanical polishing apparatus
KR101431633B1 (en) Retainer ring for Chemical Mechanical polishing
JP6403015B2 (en) Polishing apparatus and semiconductor manufacturing method
CN216967413U (en) Retainer ring and substrate grinding device comprising same
JP2012166322A (en) Polishing pad, and method and device for polishing
JP2004223684A (en) Wafer notch polishing pad
KR101092980B1 (en) A apparatus for polishing a wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130109

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140110

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150109

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160111

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170105

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180108

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190108

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200108

Year of fee payment: 12