KR100878230B1 - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100878230B1
KR100878230B1 KR1020020002948A KR20020002948A KR100878230B1 KR 100878230 B1 KR100878230 B1 KR 100878230B1 KR 1020020002948 A KR1020020002948 A KR 1020020002948A KR 20020002948 A KR20020002948 A KR 20020002948A KR 100878230 B1 KR100878230 B1 KR 100878230B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
pad
layer
data
line
Prior art date
Application number
KR1020020002948A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030062633A (ko
Inventor
김상우
장용규
조종환
김재현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020020002948A priority Critical patent/KR100878230B1/ko
Publication of KR20030062633A publication Critical patent/KR20030062633A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100878230B1 publication Critical patent/KR100878230B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/202—LCD, i.e. liquid crystal displays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
    • G02F1/136281—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon having a transmissive semiconductor substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는, 우선 절연 기판 위에 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 절연막 및 반도체층을 차례로 형성하고, 게이트선과 교차하는 데이터선, 데이터선과 연결되어 있으며 게이트 전극에 인접하는 소스 전극, 게이트 전극에 대하여 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극 및 데이터선과 연결되어 있는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 코팅하고 요철용 패턴 및 접촉 구멍용 패턴의 돌출부를 가지는 틀을 보호막의 상부에 밀착시켜 요철 패턴과 드레인 전극 및 데이터 패드 상부에 트렌치를 형성한다. 이어, 애싱을 실시하여 보호막 두께 일부를 제거하여 트렌치에서 드레인 전극 및 데이터 패드 상부에 잔류하는 보호막을 완전히 제거하여 접촉 구멍을 완성하고, 게이트 패드 상부의 게이트 절연막을 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이어, 보호막을 식각 마스크로 게이트 절연막을 패터닝하여 게이트 패드를 드러내는 접촉 구멍을 완성하고, 보호막의 상부에 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 연결되는 반사막을 형성한다.
반사형LCD, 감광막, 요철, 압력

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법{a method for manufacturing a thin film transistor substrate}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 2는 도 1에서 II-II' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 3a, 4a, 5a 및 7a는 본 발명의 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 중간 과정에서의 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 3b는 도 3a에서 IIIb-IIIb' 선을 따라 절단한 단면도이고,
도 4b는 도 4a에서 IVb-IVb' 선을 따라 잘라 도시한 도면으로서 도 3b의 다음 단계를 도시한 단면도이고,
도 5b는 도 5a에서 Vb-Vb' 선을 따라 잘라 도시한 도면으로서 도 4b의 다음 단계를 도시한 단면도이고,
도 6b는 도 6a에서 VIb-VIb' 선을 따라 잘라 도시한 도면으로서 도 5b의 다음 단계를 도시한 단면도이고,
도 7은 도 6a에서 VIb-VIb' 선을 따라 잘라 도시한 도면으로서 도 6b의 다음 단계를 도시한 단면도이다.
본 발명은 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 외부광을 이용하여 화상을 표시하는 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 두 기판에 전극이 각각 형성되어 있고 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지고 있는 액정 표시 장치이며, 박막 트랜지스터는 두 기판 중 하나에 형성되어 있는 것이 일반적이다.
이러한 액정 표시 장치는 특정 광원인 백나이트(backlight)에 의해 발광된 빛을 액정 패널에 투과시켜 화상을 표시하는 투과형 모드와 자연광을 포함하는 외부광을 액정 패널의 화소 전극인 반사막에 반사시켜 화상을 표시하는 반사형 모드로 나눌 수 있다.
이러한 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 기판을 박막 트랜지스터 기판이라고 하며, 이는 박막 트랜지스터에 신호를 전달하기 위한 배선, 화소 전압이 전달되는 화소 전극, 절연막을 패터닝하기 위한 사진 식각 공정 등을 통하여 제조된다.
반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 제조 공정 중에는, 반사막의 반사 효율을 극대화하기 위해 반사막이 요철을 가지는 것이 바람직하며, 이를 이하여 반사막의 하부에 위치하는 절연막 상부 표면에 요철을 형성한다. 이때, 절연막은 낮은 유전율을 가지며 감광성을 가지는 유기 절연 물질을 코팅한 다음, 노광 및 현상 공정을 통하여 유기 절연막 표면에 요철 패턴을 형성한다.
그러나, 유기 절연막에 요철 패턴을 형성하는 공정은 앞에서 설명한 바와 같이 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 포함하는 사진 식각 공정으로 형성해야 하므로 제조 원가가 증가하는 문제점이 있다
본 발명의 목적은 제조 원가를 최소화할 수 있는 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는 압력을 이용하여 요철 패턴을 형성한다.
더욱 상세하게 본 발명에서는, 절연 기판 위에 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하고, 그 상부에 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한다. 이어, 반도체층을 형성하고, 게이트선과 교차하는 데이터선, 데이터선과 연결되어 있으며 게이트 전극에 인접하는 소스 전극 및 게이트 전극에 대하여 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 형성하고, 압력을 이용하는 패터닝 공정으로 상기 보호막의 표면에 요철 패턴을 형성한 다음, 드레인 전극과 연결되는 반사막을 형성한다.
여기서, 반사막은 보호막의 상부에 형성할 수 있으며, 보호막은 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 가지며, 제1 접촉 구멍은 압력을 이용하는 패터닝 공정에서 요철 패턴과 함께 형성할 수 있다.
여기서, 압력을 이용하는 패터닝 공정에서는, 요철용 패턴과 접촉 구멍용 패턴의 돌출부를 가지는 틀을 보호막의 상부면에 밀착시켜 보호막의 표면에 요철 패턴을 형성하면서 드레인 전극의 상부에 제1 트렌치를 형성하고, 애싱을 실시하여 제1 트렌치에서 드레인 전극 상부의 보호막을 완전히 제거하여 제1 접촉 구멍을 완성한다.
게이트 배선은 외부로부터 주사 신호를 전달받아 게이트선으로 전달하는 게이트 패드를 더 포함하며, 데이터 배선은 외부로부터 영상 신호를 전달받을 데이터선으로 전달하는 데이터 패드를 더 포함하며, 보호막은 데이터 패드 및 게이트 절연막과 함께 게이트 패드를 드러내는 제2 및 제3 접촉 구멍을 가지며, 반사막과 동일한 층에 제2 및 제3 접촉 구멍을 통하여 게이트 패드 및 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 보조 게이트 패드와 보조 데이터 패드를 더 형성할 수 있다.
제1 트렌치 형성 단계에서는, 데이터 패드 및 게이트 패드 상부에 제2 및 제3 트렌치를 형성하며, 제1 접촉 구멍 완성 단계에서는 게이트 패드 상부의 게이 트 절연막 및 데이터 패드를 드러내는 제2 및 제3 접촉 구멍을 완성한다.
제1 내지 제3 접촉 구멍 완성 단계 이후에 보호막을 마스크로 게이트 절연막을 식각하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하며, 보호막은 감광성 유기 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고, 도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 II-II' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
절연 기판(10) 위에 저저항을 가지는 은 또는 은 합금 또는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 단일막 또는 이를 포함하는 다층막으로 이루어져 있는 게이트 배선이 형성되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(22), 게이트선(22)의 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 게이트 신호를 인가받아 게이트선으로 전달하는 게이트 패드(24) 및 게이트선(22)에 연결되어 있는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(26)을 포함한다. 또한, 게이트 배선은 이후에 형성되는 반사막(82)과 중첩되어 그리고, 게이트 배선은 상판의 공통 전극에 입력되는 공통 전극 전압 따위의 전압을 외부로부터 인가 받는 유지 전극을 더 포함할 수 있으며, 이러한 유지 전극은 후술할 반사막(82)과 중첩되어 화소의 전하 보존 능력을 향상시키는 유지 축전기를 이룬다.
기판(10) 위에는 질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)이 게이트 배선(22, 24, 26)을 덮고 있다.
게이트 전극(24)의 게이트 절연막(30) 상부에는 비정질 규소 등의 반도체로 이루어진 반도체층(40)이 형성되어 있으며, 반도체층(40)의 상부에는 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 저항 접촉층(55, 56)이 각각 형성되어 있다.
저항 접촉층(55, 56) 및 게이트 절연막(30) 위에는 알루미늄 또는 은과 같은 저저항의 도전 물질로 이루어진 도전막을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(22)과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선(62), 데이터선(62)에 연결되어 저항 접촉층(55)의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(65), 데이터선(62)의 한쪽 끝에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가받는 데이터 패드(68), 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26)에 대하여 소스 전극(65)의 반대쪽 저항 접촉층(56) 상부에 형성되어 있는 드레인 전극(66)을 포함한다.
데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(40) 상부에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성을 가지는 유기 물질로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다. 이때, 보호막(70)의 표면은 이후에 형성되는 반사막(82)의 반사 효율을 극대화하기 위해 요철 패턴을 가진다.
보호막(70)에는 드레인 전극(66) 및 데이터 패드(68)를 각각 드러내는 접촉 구멍(76, 78)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(30)과 함께 게이트 패드(24)를 드러내는 접촉 구멍(74)이 형성되어 있다.
보호막(70) 상부에는 접촉 구멍(76)을 통하여 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되어 있으며 화소 영역에 위치하는 반사막(82)이 형성되어 있다. 또한, 보호막(70) 위에는 접촉 구멍(74, 78)을 통하여 각각 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68)와 연결되어 있는 보조 게이트 패드(84) 및 보조 데이터 패드(88)가 형성되어 있다. 여기서, 보조 게이트 및 데이터 패드(84, 88)는 게이트 및 데이터 패드(24, 68)를 보호하기 위한 것이며, 필수적인 것은 아니다.
그러면, 한편, 도 3a 내지 도 8b 및 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
먼저, 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 유리 기판(10) 상부에 저저항의 도전 물질을 적층하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 게이트선(22), 게이트 전극(26) 및 게이트 패드(24)를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성한다.
다음, 도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이, 질화 규소로 이루어진 게이트 절연막(30), 비정질 규소로 이루어진 반도체층(40), 도핑된 비정질 규소층(50)의 삼층막을 연속하여 적층하고 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 반도체층(40)과 도핑 된 비정질 규소층(50)을 패터닝하여 게이트 전극(24)과 마주하는 게이트 절연막(30) 상부에 반도체층(40)과 저항 접촉층(50)을 형성한다.
다음, 도 5a 내지 도 5b에 도시한 바와 같이, 데이터 배선용 도전막을 적층한 후, 마스크를 이용한 사진 공정으로 패터닝하여 게이트선(22)과 교차하는 데이터선(62), 데이터선(62)과 연결되어 게이트 전극(26) 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(65), 데이터선(62)은 한쪽 끝에 연결되어 있는 데이터 패드(68) 및 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26)을 중심으로 소스 전극(65)과 마주하는 드레인 전극(66)을 포함하는 데이터 배선을 형성한다.
이어, 데이터 배선(62, 65, 66, 68)으로 가리지 않는 도핑된 비정질 규소층 패턴(50)을 식각하여 게이트 전극(26)을 중심으로 양쪽으로 분리시키는 한편, 양쪽의 도핑된 비정질 규소층(55, 56) 사이의 반도체층 패턴(40)을 노출시킨다. 이어, 노출된 반도체층(40)의 표면을 안정화시키기 위하여 산소 플라스마를 실시하는 것이 바람직하다.
다음으로, 보호막(70)을 형성한 다음, 압력을 이용하는 패터닝 공정으로 보호막(70)의 상부에 요철 패턴을 형성하면서, 드레인 전극(66), 데이터 패드(68) 및 게이트 패드(24) 상부의 게이트 절연막(30)을 드러내는 접촉 구멍(76, 78, 74)을 형성한다. 이때 압력을 이용한 패터닝 공정을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
우선, 도 6a 및 도 6b에서 보는 바와 같이, 평탄화 특성이 우수하며 낮은 유전율을 가지는 유기 물질을 기판(10)의 상부에 코팅(coating)한 다음, 요철용 패턴(320) 및 접촉 구멍용 패턴(310)의 돌출부를 가지는 틀(300)에 압력을 가하여 보호막(70)의 상부에 밀착시키는 프레스 단계로 보호막(70)의 표면에 요철용 패턴(320) 및 접촉 구멍용 패턴(310)을 따라 요철 패턴과 드레인 전극(66), 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68) 상부에 트렌치를 형성한 다음, 틀(300)을 보호막(70)으로부터 이탈시켜 제거한다.
이어, 도 7에서 보는 바와 같이, 애싱을 실시하여 보호막(70)의 두께 일부를 제거하여 트렌치에서 드레인 전극(66) 및 데이터 패드(68) 상부에 잔류하는 보호막(70)을 완전히 제거하여 접촉 구멍(76, 78)을 완성하고, 게이트 패드(24) 상부의 게이트 절연막(30)을 드러내는 접촉 구멍(74)을 형성한다.
이어, 하드 베이크(hard bake)를 통하여 100℃ 정도의 온도 범위로 열을 가하여 감광성 유기 물질의 보호막(70)에 포함되어 있는 용매를 증발시켜 제거하며, 자외선을 조사하여 광 경화 공정을 추가할 수도 있다.
다음, 보호막(70)을 마스크로 하여 드러난 게이트 절연막(30)을 식각하여 게이트 패드(24)를 드러내는 접촉 구멍(74)을 완성하고, 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 반사율을 가지는 은 또는 알루미늄을 포함하는 도전 물질을 적층하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 접촉 구멍(76)을 통하여 드레인 전극(66)과 연결되는 반사막(82)과 접촉 구멍(74, 78)을 통하여 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68)와 각각 연결되는 보조 게이트 패드(86) 및 보조 데이터 패드(88)를 각각 형성한다.
본 발명의 실시예에서는 요철 패턴을 형성하기 위해 사용되는 평판 모양의 틀(300)을 예로 설명하였지만, 이러한 틀(300)은 롤러(roller) 모양을 가질 수 있 으며, 다양한 형태를 취할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 보호막에 요철 패턴을 압력을 이용하는 패터닝 공정으로 형성함으로써 제조 원가를 최소화할 수 있다.

Claims (8)

  1. 절연 기판 위에 게이트선, 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,
    상기 절연 기판 위에 상기 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 적층형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 위에 반도체층을 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 및 상기 반도체층 위에 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있으며 상기 게이트 전극에 인접하는 소스 전극 및 상기 게이트 전극에 대하여 상기 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,
    상기 데이터 배선 및 상기 게이트 절연막 위에 보호막을 형성하는 단계,
    압력을 이용하는 패터닝 공정으로 상기 보호막의 표면에 요철 패턴을 형성하는 단계, 그리고
    상기 요철 패턴 위에 상기 드레인 전극과 연결되는 반사막을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 압력을 이용하는 패터닝 공정은,
    요철용 패턴과 접촉 구멍용 패턴의 돌출부를 가지는 틀을 상기 보호막의 상부면에 밀착시켜 상기 보호막의 표면에 상기 요철 패턴을 형성하면서 상기 드레인 전극의 상부에 제1 트렌치를 형성하는 단계, 그리고
    상기 보호막을 전면 애싱하여 상기 제1 트렌치에서 상기 드레인 전극 상부의 상기 보호막을 완전히 제거하여 제1 접촉 구멍을 형성하는 단계
    를 포함하는
    액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 반사막은 상기 보호막의 상부에 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제2항에서,
    상기 게이트 배선은 외부로부터 주사 신호를 전달받아 상기 게이트선으로 전달하는 게이트 패드를 더 포함하며,
    상기 데이터 배선은 외부로부터 영상 신호를 전달받을 상기 데이터선으로 전달하는 데이터 패드를 더 포함하며,
    상기 보호막은 상기 데이터 패드 및 상기 게이트 절연막과 함께 상기 게이트 패드를 드러내는 제2 및 제3 접촉 구멍을 가지며,
    상기 반사막과 동일한 층에 상기 제2 및 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드와 전기적으로 연결되는 보조 게이트 패드와 보조 데이터 패드를 더 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 트렌치 형성 단계에서는, 상기 데이터 패드 및 상기 게이트 패드 상부에 제2 및 제3 트렌치를 형성하며,
    상기 제1 접촉 구멍 완성 단계에서는 상기 게이트 패드 상부의 상기 게이트 절연막 및 상기 데이터 패드를 드러내는 상기 제2 및 제3 접촉 구멍을 완성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  7. 제6항에서,
    상기 제1 내지 제3 접촉 구멍 완성 단계이후에 상기 보호막을 마스크로 상기 게이트 절연막을 식각하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  8. 제1항에서,
    상기 보호막은 감광성 유기 물질로 형성하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
KR1020020002948A 2002-01-18 2002-01-18 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 KR100878230B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020002948A KR100878230B1 (ko) 2002-01-18 2002-01-18 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020002948A KR100878230B1 (ko) 2002-01-18 2002-01-18 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030062633A KR20030062633A (ko) 2003-07-28
KR100878230B1 true KR100878230B1 (ko) 2009-01-13

Family

ID=32218481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020002948A KR100878230B1 (ko) 2002-01-18 2002-01-18 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100878230B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11119013A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Alps Electric Co Ltd 反射体の製造方法及び製造装置
JPH11202326A (ja) * 1998-01-13 1999-07-30 Omron Corp 反射型液晶表示素子及び反射型液晶表示素子用の基板
JP2000284107A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Hitachi Chem Co Ltd 光拡散部材及び転写フィルム
JP2000284259A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造方法並びにそれを用いた電子機器
JP2001260219A (ja) * 2000-03-17 2001-09-25 Hitachi Chem Co Ltd 光拡散板の製造方法及びそれにより得られた光拡散板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11119013A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Alps Electric Co Ltd 反射体の製造方法及び製造装置
JPH11202326A (ja) * 1998-01-13 1999-07-30 Omron Corp 反射型液晶表示素子及び反射型液晶表示素子用の基板
JP2000284107A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Hitachi Chem Co Ltd 光拡散部材及び転写フィルム
JP2000284259A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造方法並びにそれを用いた電子機器
JP2001260219A (ja) * 2000-03-17 2001-09-25 Hitachi Chem Co Ltd 光拡散板の製造方法及びそれにより得られた光拡散板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030062633A (ko) 2003-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3734891B2 (ja) 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
US7396695B2 (en) Wire structure, a thin film transistor substrate of using the wire structure and a method of manufacturing the same
KR100905470B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판
JP5528475B2 (ja) アクティブマトリクス基板及びその製造方法
KR100590753B1 (ko) 액정표시장치용박막트랜지스터기판및그제조방법
JP2005514653A (ja) 反射型液晶表示装置及びその製造方法
US7485907B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device and the seal pattern in the periphery of the display
KR20020080559A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100740937B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100878230B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JP2000340567A (ja) 基板平坦化方法、電気光学装置の製造方法及び半導体装置の製造方法
KR20010091686A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR100330097B1 (ko) 액정표시장치용박막트랜지스터기판및그제조방법
KR100720086B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR100459682B1 (ko) 액정표시장치의박막트랜지스터및그제조방법
KR101026797B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR100750923B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100853207B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100859523B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100796936B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100560639B1 (ko) 반사형 액정표시장치의 박막트랜지스터 및 그 형성방법
KR100864486B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100878278B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100806888B1 (ko) 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR20020079153A (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111214

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee