KR100875853B1 - Ｈｉｃ반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 HIC반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이 연질 에폭시 접착제는 상온 경화용 2액형 연질 에폭시 주제와 상온 경화용 2액형 연질 에폭시 경화제를 질량비 100 : 30 비율로 실온에서 5-10분 혼합하고, 3~4 torr/30℃ 압력 및 진공상태에서 10-30분간 기포를 제거함으로써 제조된다.
또한, 상기 주제는 점도가 높은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A 25-40wt%와, 점도가 낮은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A' 15-30wt%와, 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르 30-50wt% 및, 기타 물질 3wt%를 포함하여 구성되고, 상기 경화제는 지방성 아민 부가물 90-99wt%와 기타 물질 1-10wt%를 포함하여 구성되며, 상기 주제와 경화제 혼합물의 경화조건은 25-50℃ 온도에서 4-6시간 경화하는 것이다.
따라서, HIC소자 및 전자부품과 기판의 계면박리 문제로 발생되는 전자부품의 품질저하를 방지할 수 있고, 접착제가 우수한 유연성을 가지기 때문에 고온충격으로 인한 저수축을 억제함으로써 제품의 높은 신뢰성을 확보할 수 있다.
전자부품, 반도체, 에폭시, 접착제
Description
도 1은 본 발명에 따른 HIC반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제 및 그 제조방법을 나타낸 흐름도.
본 발명은 HIC반도체 패키지를 이루는 각종 전자부품의 고정을 위한 접착제 에 관한 것으로, 특히 우수한 유연성을 가짐으로써 고온 및 충격으로 인한 저수축 억제를 통해 제품의 신뢰성을 확보할 수 있도록 한 HIC반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 전자 산업계에서는 제품 신뢰성 시험의 응력 조건을 견딜 수 있고, 장치 또는 HIC반도체 패키지 재료에 손상을 주는 경우가 없는 접착제가 요구되고 있다.
즉, 전자산업의 발전에 따라 제품의 경박단도 및 고기능이 요구되기 때문에 칩과 기판사이의 균열 문제나 유연성 및 투명성 등에 관한 요구가 증가하고 있고, 이 요구를 만족시킬 수 있는 접착제의 개발이 필요한 것이다.
종래에 전자 부품을 기판에 실장하는 경우에는 기판상의 소정 위치에 일반 전자 부품 실장용 접착제를 닷팅(dotting)하고, 상기 위치에 직접 회로 패키지를 올려 놓고 눌러주되 직접 회로 패키지의 리드를 상기 기판상의 접점에 위치시킨 다음 이 결과물을 경화로에 가열 경화한다.
그런데, 상기와 같이 전자부품 실장용 접착제를 이용하여 기판에 반도체 패키지를 실장하는 경우 특히 LED계면 박리문제 및 균열이 심각한 문제로 대두되었고, 이후 상기 기판과 HIC 및 전자소자 접착부분에서의 주원인이 문제인 것으로 알려져 있다.
또한, 상기 접착제의 에폭시기가 진행하고나면 에폭시가 하이드록시기로 변화게 되는데 이때 수분흡성으로 인해 접착제의 접착력이 약해지고, 상기 접착제의 수분흡수성을 관리하기 어렵다는 문제가 있으며, 이에 따라 전자제품의 품질을 향상시키기 어렵다는 등의 문제가 있었다.
이에 본 발명은 종래의 에폭시 접착제가 갖는 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 우수한 유연성을 가짐으로써 고온 및 충격으로 인한 저수축 억제를 통해 제품의 신뢰성을 확보할 수 있도록 한 HIC반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 바의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 상온 경화용 2액형 연질 에폭시 주제와 상온 경화용 2액형 연질 에폭시 경화제를 질량비 100 : 30 비율로 실온에서 5-10분간 혼합하고, 3~4 torr/30℃ 압력 및 진공상태에서 10-30분간 기포를 제거하는 것이다.
또한, 상기 주제는 점도가 높은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A 25-40wt%와, 점도가 낮은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A' 15-30wt%와, 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르 30-50wt% 및, 기타 물질 3wt%를 포함하여 구성된다.
또한, 상기 경화제는 지방성 아민 부가물 90-99wt%와 기타 물질 1-10wt%를 포함하여 구성된다.
또한, 상기 주제와 경화제 혼합물의 경화조건은 25-50℃ 온도에서 4-6시간 경화하는 것이다.
이하 본 발명을 첨부된 예시도면을 참조하여 상세히 설명한다.
HIC반도체 전자부품 패키지용 연질 에폭시 접착제는 크게 주제와 경화제로 이루어지고, 상기 주제는 상온 경화용 2액형 연질 에폭시로 구성되며, 상기 경화제는 지방성 아민 부가물과 기타물질로 구성된다.
즉, 상기 주제와 경화제를 질량비 100 : 30 비율로 실온에서 5-10분을 혼합하고, 3~4 torr/30℃ 압력 및 진공상태에서 10-30분간 기포를 제거함으로써 연질 에폭시 접착제를 제조하게 된다.
그리고, 상기 연질 에폭시 접착제를 이루는 상기 주제는 점도가 높은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A 25-40wt%와, 점도가 낮은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A' 15-30wt%와, 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르 30-50wt% 및, 기타 물질 3wt%를 포함하여 구성된다.
상기 주제의 구성물질을 표로 나타내면 다음과 같다.
[표 1]
여기서, CAS NO.25068-38-6은 일반적으로 에폭시 접착제에 사용되는 비스페놀A로 점도가 높은 특징이 있고, CAS NO. 25036-25-3은 일반적인 비스페놀A에 비하여 점도가 낮은 비스페놀A이며, 이를 편의상 비스페놀A와 비스페놀A'로 표시한다.
이와 같이 점도가 높은 비스페놀A 25~40 wt%에 점도가 낮은 비스페놀A' 15~30wt%와 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르 30~50wt%를 혼합하여 연질의 에폭시를 구성하는 것에 본 발명의 기술적 특징이 있다.
그리고 상기 기타물질은 일반적으로 에폭시 접착제에 포함되는 착색제, 탈포제 등으로 구성되어 있다.
또한, 상기 연질 에폭시 접착제를 이루는 상기 경화제는 지방성 아민 부가물 90-99wt%와 기타 물질 1-10wt%를 포함하여 구성되는바, 이를 표로 나타내면 다음과 같다.
[표 2]
여기서 상기 기타물질은 일반적으로 2액형 에폭시 접착제에서 경화제의 첨가물로 사용되는 경화촉진제가 포함된다.
한편, 상기와 같이 제조되는 연질 에폭시 접착제의 경화조건은 25-50℃ 온도에서 4-6시간 경화하는 것으로, 일반적인 경화조건은 25℃에서 6시간 정도이고, 보다 견고한 경화상태를 유지하기 위한 경화조건은 50℃에서 4시간 정도이다.
여기서, 상기 주제와 경화제 및 이들의 혼합물이 갖는 성질을 표로 나타내면 다음과 같다.
[표 3]
그리고, 상기 연질 에폭시 접착제를 제조하는 공정을 도 1의 흐름도를 참조하여 설명하면, 우선 상기 주제를 이루는 디글리시딜 에테르 비스페놀 A와 디글리시딜 에테르 비스페놀 A'을 예열하고 계량하는 바, 상기 예열조건은 75℃±2℃에서 40-48 시간 정도 예열하게 되고, 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르를 계량한다(S10).
상기 주제를 이루는 디글리시딜 에테르 비스페놀 A와 디글리시딜 에테르 비스페놀 A' 및 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르를 혼합하여 지속 예열하되, 혼합시간은 10분 정도로 하고, 예열은 95℃에서 3시간 정도 유지한다(S20).
상기 경화제를 이루는 지방성 아민 부가물과 기타 물질을 각각 계량하여 혼합한(S30) 후, 혼합된 경화제를 상기 주제에 투입한 다음 혼합반응을 1시간 정도 유지한다(S40).
끝으로 혼합된 접착제 제품을 검사의뢰하여 적합하게 나오면 포장을 한다(S50).
따라서, 상기와 같이 제조되는 HIC반도체 패키지용 연질 에폭시 접착제는 그 접착력이 우수하면서도 기판 및 전자부품을 보호할 수 있게 되어 제조되는 반도체 칩의 품질을 향상시킬 수 있다.
이하 본 발명을 첨부된 예시도면을 참조하여 상세히 설명한다.
HIC반도체 전자부품 패키지용 연질 에폭시 접착제는 크게 주제와 경화제로 이루어지고, 상기 주제는 상온 경화용 2액형 연질 에폭시로 구성되며, 상기 경화제는 지방성 아민 부가물과 기타물질로 구성된다.
즉, 상기 주제와 경화제를 질량비 100 : 30 비율로 실온에서 5-10분을 혼합하고, 3~4 torr/30℃ 압력 및 진공상태에서 10-30분간 기포를 제거함으로써 연질 에폭시 접착제를 제조하게 된다.
그리고, 상기 연질 에폭시 접착제를 이루는 상기 주제는 점도가 높은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A 25-40wt%와, 점도가 낮은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A' 15-30wt%와, 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르 30-50wt% 및, 기타 물질 3wt%를 포함하여 구성된다.
상기 주제의 구성물질을 표로 나타내면 다음과 같다.
[표 1]
| 화학물질 이름 | CAS NO. | 함유량(wt%) |
| 디글리시딜 에테르 비스페놀 A | 25068-38-6 | 25-40 |
| 디글리시딜 에테르 비스페놀 A' | 25036-25-3 | 15-30 |
| 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르 | 26142-30-3 | 30-50 |
| 기타 물질 | 3 |
여기서, CAS NO.25068-38-6은 일반적으로 에폭시 접착제에 사용되는 비스페놀A로 점도가 높은 특징이 있고, CAS NO. 25036-25-3은 일반적인 비스페놀A에 비하여 점도가 낮은 비스페놀A이며, 이를 편의상 비스페놀A와 비스페놀A'로 표시한다.
이와 같이 점도가 높은 비스페놀A 25~40 wt%에 점도가 낮은 비스페놀A' 15~30wt%와 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르 30~50wt%를 혼합하여 연질의 에폭시를 구성하는 것에 본 발명의 기술적 특징이 있다.
그리고 상기 기타물질은 일반적으로 에폭시 접착제에 포함되는 착색제, 탈포제 등으로 구성되어 있다.
또한, 상기 연질 에폭시 접착제를 이루는 상기 경화제는 지방성 아민 부가물 90-99wt%와 기타 물질 1-10wt%를 포함하여 구성되는바, 이를 표로 나타내면 다음과 같다.
[표 2]
| 화학물질 이름 | 함유량(wt%) |
| 지방성 아민 부가물 | 90-99 |
| 기타 물질 | 1-10 |
여기서 상기 기타물질은 일반적으로 2액형 에폭시 접착제에서 경화제의 첨가물로 사용되는 경화촉진제가 포함된다.
한편, 상기와 같이 제조되는 연질 에폭시 접착제의 경화조건은 25-50℃ 온도에서 4-6시간 경화하는 것으로, 일반적인 경화조건은 25℃에서 6시간 정도이고, 보다 견고한 경화상태를 유지하기 위한 경화조건은 50℃에서 4시간 정도이다.
여기서, 상기 주제와 경화제 및 이들의 혼합물이 갖는 성질을 표로 나타내면 다음과 같다.
[표 3]
| 구 분 | 주제(SJ-2040A) | 경화제(SJ-2040B) | 혼합물(주제+경화제) |
| 화 학 적 구 성 | 아 민 류 | ||
| 성 상 | 투 명 한 | 투 명 한 | 투 명 한 |
| 점 도(25℃, cps) | 121(±35%) | 300(±35%) | 78(±19%) |
| 비 중(25℃) | 1.107 | 1.03 | 1.10 |
| 유 효 기 간(25℃) | 6개월 |
그리고, 상기 연질 에폭시 접착제를 제조하는 공정을 도 1의 흐름도를 참조하여 설명하면, 우선 상기 주제를 이루는 디글리시딜 에테르 비스페놀 A와 디글리시딜 에테르 비스페놀 A'을 예열하고 계량하는 바, 상기 예열조건은 75℃±2℃에서 40-48 시간 정도 예열하게 되고, 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르를 계량한다(S10).
상기 주제를 이루는 디글리시딜 에테르 비스페놀 A와 디글리시딜 에테르 비스페놀 A' 및 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르를 혼합하여 지속 예열하되, 혼합시간은 10분 정도로 하고, 예열은 95℃에서 3시간 정도 유지한다(S20).
상기 경화제를 이루는 지방성 아민 부가물과 기타 물질을 각각 계량하여 혼합한(S30) 후, 혼합된 경화제를 상기 주제에 투입한 다음 혼합반응을 1시간 정도 유지한다(S40).
끝으로 혼합된 접착제 제품을 검사의뢰하여 적합하게 나오면 포장을 한다(S50).
따라서, 상기와 같이 제조되는 HIC반도체 패키지용 연질 에폭시 접착제는 그 접착력이 우수하면서도 기판 및 전자부품을 보호할 수 있게 되어 제조되는 반도체 칩의 품질을 향상시킬 수 있다.
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이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 HIC반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제 및 그 제조방법에 의하면, HIC소자 및 전자부품과 기판의 계면박리 문제로 발생되는 전자부품의 품질저하를 방지할 수 있고, 접착제가 우수한 유연성을 가지기 때문에 고온충격으로 인한 저수축을 억제함으로써 제품의 높은 신뢰성을 확보할 수 있다.
Claims (4)
- 점도가 높은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A 25-40wt%, 점도가 낮은 디글리시딜 에테르 비스페놀 A' 15-30wt%, 폴리프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르 30-50wt% 및, 착색제, 탈포제 등의 기타 물질 3wt%를 포함하여 구성된 상온 경화용 2액형 연질 에폭시 주제; 및지방성 아민 부가물 90-99wt%와 경화촉진제 등의 기타 물질 1-10wt%를 포함하여 구성된 상온 경화용 2액형 연질 에폭시 경화제;로 구성되고,상기 주제와 경화제를 질량비 100 : 30 비율로 실온에서 5-10분을 혼합하고, 상기 혼합물을 3~4 torr/30℃ 압력 및 진공상태에서 10-30분간 기포를 제거하는 HIC반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제.
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- 제 1 항에 있어서,상기 주제와 경화제 혼합물의 경화조건은 25-50℃ 온도에서 4-6시간 경화하는 것을 특징으로 하는 HIC반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제.
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|---|---|---|---|
| KR20060102115A KR100875853B1 (ko) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | Ｈｉｃ반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제 및 그 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR20060102115A KR100875853B1 (ko) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | Ｈｉｃ반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제 및 그 제조방법 |
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|---|---|
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| KR20060102115A KR100875853B1 (ko) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | Ｈｉｃ반도체 패키지 및 전자부품 보호용 연질 에폭시 접착제 및 그 제조방법 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR101445259B1 (ko) * | 2014-02-26 | 2014-10-14 | 주식회사 덕수엔지니어링 | 비굴착 상ㆍ하수관 보수용 연질성 에폭시 수지 조성물 |
| KR20150129927A (ko) * | 2014-05-12 | 2015-11-23 | 주식회사 와이더블유잉크 | 열 경화성 또는 광 경화성을 가지는 변성 에폭시 수지, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 연성 기판의 솔더 레지스트용 조성물 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000297268A (ja) | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Citizen Watch Co Ltd | 接着剤及びこれを用いた時計用光発電素子の製造方法 |
-
2006
- 2006-10-20 KR KR20060102115A patent/KR100875853B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Cited By (3)
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| KR101445259B1 (ko) * | 2014-02-26 | 2014-10-14 | 주식회사 덕수엔지니어링 | 비굴착 상ㆍ하수관 보수용 연질성 에폭시 수지 조성물 |
| KR20150129927A (ko) * | 2014-05-12 | 2015-11-23 | 주식회사 와이더블유잉크 | 열 경화성 또는 광 경화성을 가지는 변성 에폭시 수지, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 연성 기판의 솔더 레지스트용 조성물 |
| KR102109539B1 (ko) | 2014-05-12 | 2020-05-14 | 주식회사 와이더블유잉크 | 열 경화성 또는 광 경화성을 가지는 변성 에폭시 수지, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 연성 기판의 솔더 레지스트용 조성물 |
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