KR100873937B1 - Apparatus for cleaning wafer and method for cleaning wafer - Google Patents

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김성수
오세훈
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세메스 주식회사
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Abstract

The wafer cleaning equipment and cleaning method of wafer are provided to clean efficiently the wafer by using the oscillation nozzle which is disposed to the wafer in a vertical direction and has a wider area of vibration. The cleaning method of wafer comprises as follows. The wafer(W) is rotated. The washing solution is supplied to the wafer and the rinsing liquid layer(155) is formed on the wafer. By using the oscillation nozzle having a vibrator on the rinsing liquid layer, vibration is applied on the wafer to clean. The height of the oscillation nozzle as the oscillation nozzle moves to the center of wafer is different from that as the oscillation nozzle moves to the edge.

Description

웨이퍼 세정 장치 및 웨이퍼 세정 방법{APPARATUS FOR CLEANING WAFER AND METHOD FOR CLEANING WAFER}Wafer cleaning apparatus and wafer cleaning method {APPARATUS FOR CLEANING WAFER AND METHOD FOR CLEANING WAFER}

본 발명은 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 웨이퍼 세정 장치 및 그의 세정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing apparatus and a wafer processing method, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus and a cleaning method thereof.

반도체 제조 공정에서 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라서 관리해야 할 파티클 수준도 보다 엄격해지고 있다. 따라서 세정 공정은 매우 중요하며, 파티클이 웨이퍼로부터 제거되지 않으면, 회로의 오동작을 야기하거나 동작 불능을 야기할 수 있어 수율이 저하된다.As the integration of semiconductor devices in semiconductor manufacturing processes increases, the level of particles to be managed is becoming more stringent. Therefore, the cleaning process is very important, and if the particles are not removed from the wafer, the circuit may malfunction or may become inoperable, resulting in lower yield.

웨이퍼 상의 파티클을 제거하는 대표적인 방법은 약액을 사용하여 화학적으로 표면을 처리하는 방법과, 물리적인 힘을 가하여 웨이퍼 상에 흡착되어 있는 파티클을 제거하는 물리적인 방법이 있다. 물리적인 방법의 예로서, 소닉 진동자를 이용하는 방식과, 스핀 스크러버(spin scrubber)의 브러쉬(brush)의 마찰력을 이용하는 방식 등이 있다.Representative methods of removing particles on a wafer include chemical treatment of surfaces using chemical liquids, and physical methods of removing particles adsorbed on a wafer by applying a physical force. Examples of physical methods include a method using a sonic vibrator, a method using a friction force of a brush of a spin scrubber, and the like.

본 발명의 목적은 효율적인 세정력을 갖는 웨이퍼 세정 장치 및 웨이퍼 세정 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a wafer cleaning apparatus and a wafer cleaning method having efficient cleaning power.

상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼를 회전시키는 스핀 척; 상기 웨이퍼 상에 세정액층를 형성하기 위해, 세정액을 공급하는 세정액 공급부; 및 상기 세정액층에 진동을 인가하기 위한 진동 유닛을 포함하되, 상기 진동 유닛은 진동자가 설치된 진동 노즐, 노즐 구동부, 및 상기 진동 노즐을 상기 웨이퍼의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 이동 시에는 상기 세정액층에 접촉시키고 상기 웨이퍼의 가장자리 영역에서 중심 영역으로 이동 시에는 상기 세정액층으로부터 이격되도록 상기 노즐 구동부를 제어하는 노즐 제어부를 갖는다.According to an aspect of the present invention, a wafer cleaning apparatus includes a spin chuck for rotating a wafer; A cleaning solution supply unit supplying the cleaning solution to form a cleaning solution layer on the wafer; And a vibration unit for applying vibration to the cleaning liquid layer, wherein the vibration unit includes a vibration nozzle provided with a vibrator, a nozzle driving unit, and the vibration nozzle when the vibration nozzle is moved from the center region to the edge region of the wafer. And a nozzle controller for controlling the nozzle driver so as to be spaced apart from the cleaning liquid layer upon contact and movement from the edge region to the center region of the wafer.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 진동자는 상기 웨이퍼에 경사지게 배치되고, 상기 진동자의 저면은 웨이퍼와 평행할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the vibrator may be inclined on the wafer, and the bottom surface of the vibrator may be parallel to the wafer.

상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 방법은 웨이퍼를 회전시키고; 세정액을 상기 웨이퍼로 공급하여 상기 웨이퍼 상에 세정액층을 형성하고; 그리고 상기 세정액층에 진동자가 설치된 진동 노즐을 이용하여 진동을 인가하여 상기 웨이퍼를 세정하되, 상기 진동 노즐이 상기 웨이퍼의 중심에서 가장자리로 이동 시와 상기 웨이퍼의 가장자리에서 중심으로 이동 시에 상기 웨이 퍼로부터의 상기 진동 노즐의 높이가 다르다.The wafer cleaning method according to the present invention to achieve the above technical problem is to rotate the wafer; Supplying a cleaning liquid to the wafer to form a cleaning liquid layer on the wafer; The wafer is cleaned by applying vibration using a vibration nozzle provided with a vibrator in the cleaning liquid layer, wherein the wafer is moved when the vibration nozzle moves from the center of the wafer to the edge and from the edge of the wafer to the center. The height of the oscillating nozzle from the is different.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 진동 노즐은 상기 웨이퍼의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 이동 시에는 상기 세정액층에 접촉하고, 상기 웨이퍼의 가장자리 영역에서 중심 영역으로 이동 시에는 상기 세정액층으로부터 이격한다.According to an embodiment of the present invention, the vibrating nozzle contacts the cleaning liquid layer when moving from the center region of the wafer to the edge region, and is spaced apart from the cleaning liquid layer when moving from the edge region of the wafer to the central region.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 진동자는 초음파 진동을 인가할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the vibrator may apply ultrasonic vibration.

본 발명에 따르면, 진동 노즐의 진동자가 세정액층의 중심부 영역에서 모서리부 영역으로 이동하면서 웨이퍼의 표면으로부터 분리시킨 이물질이 다시 웨이퍼의 중심 영역으로 이동되는 것이 억제될 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼가 효율적으로 세정될 수 있다. 게다가, 진동 노즐의 진동자가 웨이퍼에 수직하게 배치되는 것에 비해 진동자에 의해 인가되는 진동의 표면적이 넓어 웨이퍼가 더욱 효율적으로 세정될 수 있다.According to the present invention, foreign matter separated from the surface of the wafer is moved back to the center region of the wafer while the vibrator of the vibrating nozzle moves from the central region of the cleaning liquid layer to the corner region. Thus, the wafer can be cleaned efficiently. In addition, the surface area of the vibration applied by the vibrator is wider than the vibrator of the vibrating nozzle is disposed perpendicular to the wafer, so that the wafer can be cleaned more efficiently.

첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 진동 유닛의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view of a vibration unit according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치(1000)는 스핀 척(100), 용기(200), 세정액 공급 노즐(152)을 가지는 세정액 공급부(150), 및 진동 유닛(160)을 포함한다.1 and 2, a wafer cleaning apparatus 1000 according to the present invention includes a spin chuck 100, a container 200, a cleaning liquid supply unit 150 having a cleaning liquid supply nozzle 152, and a vibration unit 160. ).

스핀 척(100)은 스핀 헤드(110), 지지 핀(120)들, 및 척킹 핀(130)들을 갖는다. 스핀 헤드(110) 상에 설치된 지지 핀(120)들에 의해 웨이퍼(W)의 배면이 지지되고, 척킹 핀(130)들은 지지된 웨이퍼(W)의 가장자리를 고정한다. 또한, 스핀 척(100)은 진공 흡입 방식으로 웨이퍼(W)를 고정하거나 정전기력을 제공하여 웨이퍼(W)를 고정할 수 있다. 스핀 척(100)의 하단에 회전축(300)이 결합되어 있다. 스핀 척(100)의 구동부는 구동 모터(410), 구동 풀리(420), 및 벨트(430)를 갖는다. 스핀 척(100)의 구동부(400)는, 구동 모터(410)의 출력단에 구비된 구동 풀리(420)가 벨트(430)를 매개로 스핀 척(100)의 하단에 결합된 회전축(300)에 연결됨으로써, 스핀 척(100)을 구동 회전시켜, 스핀 척 상(100)에 지지고정되는 웨이퍼(W)를 회전시킨다.Spin chuck 100 has spin head 110, support pins 120, and chucking pins 130. The back surface of the wafer W is supported by the support pins 120 installed on the spin head 110, and the chucking pins 130 fix an edge of the supported wafer W. In addition, the spin chuck 100 may fix the wafer W or provide an electrostatic force to fix the wafer W by vacuum suction. The rotary shaft 300 is coupled to the lower end of the spin chuck 100. The drive unit of the spin chuck 100 has a drive motor 410, a drive pulley 420, and a belt 430. The driving unit 400 of the spin chuck 100 includes a driving pulley 420 provided at an output end of the driving motor 410 on a rotation shaft 300 coupled to a lower end of the spin chuck 100 via a belt 430. By being connected, the spin chuck 100 is driven and rotated to rotate the wafer W supported and held on the spin chuck 100.

스핀 척(100) 주위에 용기(200)가 배치된다. 용기(200)의 내부는 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 용기(200)의 내부에 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 각종 유니트(미도시)들이 구비될 수 있다. 용기(200)의 상부는 개방되어 있다. 용기(200)는 용기 구동부(500)에 의해 스핀 척(100)에 대해 상대적으로 승강 또는 하강할 수 있다. 용기(200)의 개방된 상부는 웨이퍼(W)가 출입되기 위한 통로로 사용된다.The vessel 200 is disposed around the spin chuck 100. The interior of the container 200 provides a space for performing a process for cleaning the wafer (W). Various units (not shown) for cleaning the wafer W may be provided in the container 200. The top of the vessel 200 is open. The vessel 200 may be lifted or lowered relative to the spin chuck 100 by the vessel driver 500. The open upper part of the container 200 is used as a passage for the wafer W to enter and exit.

용기(200)의 개방된 상부의 한 측에 세정액 공급부(150)가 설치된다. 세정액 공급부(150)는 세정액 공급 노즐(152)을 갖는다. 세정액 공급 노즐(152)은 웨이퍼(W)를 향하고 웨이퍼(W)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 세정액 공급부(150)는 세정액 공급 노즐(152)을 통해 웨이퍼(W) 상에 지속적으로 세정액을 공급한다. 세정액은 웨이퍼(W)에 부착된 이물질(particle)의 제거 및 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 먼저 사용된 세정액의 린스의 목적으로 사용되는 가령, 초순수(deionized water: H2O)일 수 있다. 초순수 이외에 여러 종류의 케미컬(chemical)이 세정액으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 케미컬은 수산화암모늄(NH4OH)과 과산화수소(H2O2)와 초순수(H2O)의 혼합액, 불산(HF)과 초순수(H2O)의 혼합액, 불화암모늄(NH4F)과 불산(HF)과 초순수(H2O)의 혼합액, 인산(H3PO4)과 초순수(H2O)와의 혼합액일 수 있다. 케미컬은 세정시 조건에 따라 적절한 세정액으로 선택될 수 있다. 또는, 상기한 다양한 세정액은 제거하고자 하는 이물질의 종류에 따라 이들 중 어느 하나만을 사용하거나 이들 중 일부를 혼합하거나 또는 순차적으로 사용할 수 있다.The cleaning liquid supply unit 150 is installed at one side of the open upper portion of the container 200. The cleaning liquid supply unit 150 has a cleaning liquid supply nozzle 152. The cleaning liquid supply nozzle 152 may be disposed toward the wafer W and spaced apart from the wafer W. The cleaning solution supply unit 150 continuously supplies the cleaning solution onto the wafer W through the cleaning solution supply nozzle 152. The cleaning liquid may be, for example, deionized water (H 2 O) used for the purpose of removing the particles attached to the wafer W and rinsing the previously used cleaning liquid remaining on the surface of the wafer W. In addition to ultrapure water, various kinds of chemicals may be used as the cleaning liquid. For example, the chemical is a mixture of ammonium hydroxide (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and ultrapure water (H 2 O), a mixture of hydrofluoric acid (HF) and ultrapure water (H 2 O), ammonium fluoride (NH 4 F) and a mixture of hydrofluoric acid (HF) and ultrapure water (H 2 O), and a mixture of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and ultrapure water (H 2 O). The chemical may be selected as an appropriate cleaning liquid depending on the cleaning conditions. Alternatively, the above-described various cleaning solutions may use only one of them, some of them may be mixed, or may be used sequentially according to the kind of foreign matter to be removed.

용기(200)의 개방된 상부의 다른 측에 진동 유닛(160)이 설치된다. 본 발명에 실시예에 따른 진동 유닛(160)는 진동 노즐(162), 노즐 구동부(164, 165), 및 노즐 제어부(169)를 가진다. 진동 노즐(162)은 진동 발생부(161b)와 진동자(161a)를 포함한다. 진동 발생부(161b)는 진동자(161a)의 단부와 결합된다. 진동 발생부(161b)는 음파 에너지에 의한 진동을 발생하며, 진동자(161a)는 세정액층(도 3a의 155)에 강력한 초음파 진동을 인가한다. 진동 발생부(161b)는 전기 에너지를 물 리적인 진동에너지로 변환시키는 압전체를 포함한다. 진동자(161a)는 초음파 에너지를 효과적으로 전달한다고 알려져 있는 석영(quartz)으로 만들어질 수 있다. 석영은 대부분의 세정액에 대해 사용 가능하다. 다만, 불산을 포함하는 세정액에 대해서는 석영으로 된 진동자(161a)가 식각될 염려가 있다. 따라서, 진동자(161a)는 석영 이외에 사파이어(sapphire), 탄화규소(silicon carbide), 질화붕소(boron nitride), 탄소 유리 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다. 진동 노즐(162)의 진동자(161a)는 웨이퍼(W)에 경사지게 배치되고, 진동자(161a)의 저면은 웨이퍼(W)와 평행하다. 본 발명에 따르면, 진동자(161a)가 웨이퍼(W)에 수직하게 배치되는 것에 비해 진동자(161a)에 의해 인가되는 진동의 표면적이 넓어 웨이퍼(W)가 효율적으로 세정될 수 있다.The vibration unit 160 is installed on the other side of the open top of the container 200. Vibration unit 160 according to an embodiment of the present invention has a vibrating nozzle 162, the nozzle drive unit (164, 165), and a nozzle control unit (169). The vibration nozzle 162 includes a vibration generator 161b and a vibrator 161a. The vibration generator 161b is coupled to the end of the vibrator 161a. The vibration generator 161b generates vibration by sound wave energy, and the vibrator 161a applies powerful ultrasonic vibration to the cleaning liquid layer 155 of FIG. 3A. The vibration generator 161b includes a piezoelectric body that converts electrical energy into physical vibration energy. The vibrator 161a may be made of quartz, which is known to effectively transmit ultrasonic energy. Quartz is available for most cleaning solutions. However, the vibrator 161a made of quartz may be etched with respect to the cleaning liquid containing hydrofluoric acid. Thus, the vibrator 161a may be made of sapphire, silicon carbide, boron nitride, carbon glass, or a combination thereof in addition to quartz. The vibrator 161a of the vibrating nozzle 162 is disposed to be inclined to the wafer W, and the bottom surface of the vibrator 161a is parallel to the wafer W. As shown in FIG. According to the present invention, the surface area of the vibration applied by the vibrator 161a is wider than the vibrator 161a is disposed perpendicular to the wafer W, so that the wafer W can be efficiently cleaned.

노즐 구동부(164, 165)는 노즐 제 1 구동부(164) 및 노즐 제 2 구동부(165)를 포함한다. 노즐 제 1 구동부(164)는 진동 노즐(162)을 웨이퍼(W)의 표면과 평행하게 수평 왕복 운동시킬 수 있고, 노즐 제 2 구동부(165)는 진동 노즐(162)을 웨이퍼(W)의 표면과 수직하게 상하 운동시킬 수 있다. 노즐 제 1 구동부(164) 및 노즐 제 2 구동부(165)는 노즐 제어부(169)와 전기적으로 연결된다. 노즐 제어부(169)는 진동 노즐(162)을 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 이동 시에는 세정액층(도 3a의 155)에 접촉시키고 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에서 중심 영역으로 이동 시에는 세정액층(도 3a의 155)으로부터 이격되도록 노즐 구동부(164, 165)를 제어한다.The nozzle drivers 164 and 165 include a nozzle first driver 164 and a nozzle second driver 165. The nozzle first driver 164 may horizontally reciprocate the vibrating nozzle 162 in parallel with the surface of the wafer W, and the nozzle second driver 165 may move the vibrating nozzle 162 to the surface of the wafer W. It can be moved up and down vertically. The nozzle first driver 164 and the nozzle second driver 165 are electrically connected to the nozzle controller 169. The nozzle control unit 169 contacts the cleaning liquid layer (155 in FIG. 3A) when the vibrating nozzle 162 moves from the center region of the wafer W to the edge region, and moves from the edge region of the wafer W to the center region. The nozzle drivers 164 and 165 are controlled so as to be spaced apart from the cleaning liquid layer (155 in FIG. 3A).

이하, 상술한 웨이퍼 세정 장치를 사용한 웨이퍼 세정 방법을 설명한다. 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 방법을 보여주는 웨이퍼 세정 장치의 단면도들이다. 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 세정 수순을 도시한 흐름도이다.Hereinafter, the wafer cleaning method using the wafer cleaning apparatus mentioned above is demonstrated. 3A and 3B are cross-sectional views of a wafer cleaning apparatus showing a wafer cleaning method according to an embodiment of the present invention. 4 is a flowchart illustrating a cleaning procedure of the wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도 3a, 도 3b, 및 도 4를 참조하면, 단계 S450에서 스핀 척(100)에 웨이퍼(W)를 장착시킨다. 스핀 척(100)을 구동시켜 웨이퍼(W)를 회전시킨다.3A, 3B, and 4, the wafer W is mounted on the spin chuck 100 in step S450. The spin chuck 100 is driven to rotate the wafer (W).

단계 S452에서 세정액 공급 노즐(112)을 통해 회전하는 웨이퍼(W) 전면으로 세정액을 지속적으로 공급하여 웨이퍼(W) 상에 세정액층(155)을 형성한다. 지속적인 세정액 공급에 의하여, 공정이 진행되는 동안 웨이퍼(W) 상에 세정액층(155)이 유지될 수 있다. In step S452, the cleaning liquid is continuously supplied to the entire surface of the wafer W that rotates through the cleaning liquid supply nozzle 112 to form the cleaning liquid layer 155 on the wafer W. By the continuous cleaning liquid supply, the cleaning liquid layer 155 may be maintained on the wafer W during the process.

단계 S454에서 웨이퍼(W)에 대응하는 세정액층(155)의 중심부 영역에 진동 노즐(162)의 진동자(161a)를 접촉시킨다. 접촉된 진동자(161a)를 세정액층(155)의 모서리부 영역으로 이동시키며 진동 노즐(162)의 진동 발생부(161b)에서 발생된 진동을 진동자(161a)를 통하여 세정액층(155)에 인가한다. 이에 따라, 세정액층(155)에 가해지는 진동에 의해 캐비테이션(cavitation) 기포가 파열하여 이물질(particle) 사이에 틈을 만들고, 그 틈으로 기포들이 침투하여 파열함으로써 완전하게 웨이퍼(W)의 표면으로부터 이물질이 분리된다. 만약, 이물질의 크기가 매우 작은 경우에는 초음파(Megasonic)를 이용하는 것이 적합하다. 가령, 이물질이 1㎛ 이하 정도로 매우 작은 경우에는 메가헤르쯔(MHz) 단위의 주파수를 갖는 초음파가 사용될 수 있다.In step S454, the vibrator 161a of the vibrating nozzle 162 is brought into contact with the central region of the cleaning liquid layer 155 corresponding to the wafer W. In FIG. The contacted vibrator 161a is moved to the edge region of the cleaning liquid layer 155, and the vibration generated by the vibration generating unit 161b of the vibration nozzle 162 is applied to the cleaning liquid layer 155 through the vibrator 161a. . Accordingly, the cavitation bubbles rupture due to the vibration applied to the cleaning liquid layer 155 to form a gap between the particles, and the bubbles penetrate and rupture through the gap to completely remove from the surface of the wafer W. Foreign object is separated. If the size of the foreign matter is very small, it is suitable to use ultrasonic (Megasonic). For example, when the foreign material is very small, such as 1 μm or less, ultrasonic waves having a frequency in megahertz (MHz) may be used.

단계 S456에서 세정액층(155)의 모서리부 영역에서 진동 노즐(162)의 진동 자(161a)를 세정액층(155)으로부터 이격시킨다. 이격된 진동자(161a)를 세정액층(155)의 중심부 영역으로 이동시킨다. 단계 S454 및 단계 S456를 반복하며 웨이퍼(W)를 세정한다.In operation S456, the vibrator 161a of the vibrating nozzle 162 is spaced apart from the cleaning liquid layer 155 in the corner region of the cleaning liquid layer 155. The spaced vibrator 161a is moved to the central region of the cleaning liquid layer 155. Step S454 and step S456 are repeated to clean the wafer (W).

본 발명에 따르면, 진동 노즐(162)의 진동자(161a)가 세정액층(155)으로부터 이격된 채 세정액층(155)의 모서리부 영역에서 중심부 영역으로 이동한다. 이에 따라, 진동 노즐(162)의 진동자(161a)가 세정액층(155)의 중심부 영역에서 모서리부 영역으로 이동하면서 웨이퍼(W)의 표면으로부터 분리시킨 이물질이 다시 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 이동되는 것이 억제될 수 있다.According to the present invention, the vibrator 161a of the vibrating nozzle 162 moves from the corner region of the cleaning liquid layer 155 to the central region while being spaced apart from the cleaning liquid layer 155. Accordingly, while the vibrator 161a of the vibrating nozzle 162 moves from the central region of the cleaning liquid layer 155 to the corner region, foreign matter separated from the surface of the wafer W moves back to the center region of the wafer W. FIG. Can be suppressed.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 진동 유닛의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a vibration unit according to an embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 방법을 보여주는 웨이퍼 세정 장치의 단면도들이다.3A and 3B are cross-sectional views of a wafer cleaning apparatus showing a wafer cleaning method according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 세정 수순을 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a cleaning procedure of the wafer cleaning apparatus according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

100 : 스핀 척 110 : 스핀헤드 100: spin chuck 110: spin head

120 : 지지 핀 130 : 척킹 핀 120: support pin 130: chucking pin

155 : 세정액층 160 : 진동 유닛 155: washing liquid layer 160: vibration unit

200 : 용기 300 : 회전축 200: container 300: rotation axis

Claims (5)

웨이퍼를 회전시키고;Rotate the wafer; 세정액을 상기 웨이퍼로 공급하여 상기 웨이퍼 상에 세정액층을 형성하고; 그리고Supplying a cleaning liquid to the wafer to form a cleaning liquid layer on the wafer; And 상기 세정액층에 진동자가 설치된 진동 노즐을 이용하여 진동을 인가하여 상기 웨이퍼를 세정하되,The wafer is cleaned by applying vibration using a vibration nozzle provided with a vibrator in the cleaning liquid layer, 상기 진동 노즐이 상기 웨이퍼의 중심에서 가장자리로 이동 시와 상기 웨이퍼의 가장자리에서 중심으로 이동 시에 상기 웨이퍼로부터의 상기 진동 노즐의 높이가 다른 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.And the height of the vibration nozzle from the wafer when the vibration nozzle moves from the center of the wafer to the edge and when moving from the edge of the wafer to the center is different. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 진동 노즐은 상기 웨이퍼의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 이동 시에는 상기 세정액층에 접촉하고, 상기 웨이퍼의 가장자리 영역에서 중심 영역으로 이동 시에는 상기 세정액층으로부터 이격하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.And the vibrating nozzle is in contact with the cleaning liquid layer when moving from the center area of the wafer to the edge area, and spaced apart from the cleaning liquid layer when moving from the edge area of the wafer to the center area. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 진동자는 초음파 진동을 인가하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.The vibrator is a wafer cleaning method, characterized in that for applying ultrasonic vibration. 웨이퍼를 회전시키는 스핀 척;A spin chuck to rotate the wafer; 상기 웨이퍼 상에 세정액층를 형성하기 위해, 세정액을 공급하는 세정액 공급부; 및A cleaning solution supply unit supplying the cleaning solution to form a cleaning solution layer on the wafer; And 상기 세정액층에 진동을 인가하기 위한 진동 유닛을 포함하되,Including a vibration unit for applying vibration to the cleaning liquid layer, 상기 진동 유닛은 진동자가 설치된 진동 노즐, 노즐 구동부, 및 상기 진동 노즐을 상기 웨이퍼의 중심 영역에서 가장자리 영역으로 이동 시에는 상기 세정액층에 접촉시키고 상기 웨이퍼의 가장자리 영역에서 중심 영역으로 이동 시에는 상기 세정액층으로부터 이격되도록 상기 노즐 구동부를 제어하는 노즐 제어부를 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.The vibrating unit includes a vibrating nozzle, a nozzle driving unit, and a vibrator provided with a vibrator, contacting the cleaning liquid layer when moving the vibrating nozzle from the center region to the edge region of the wafer, and the cleaning liquid when moving from the edge region of the wafer to the center region. And a nozzle controller for controlling the nozzle driver to be spaced apart from the layer. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 진동자는 상기 웨이퍼에 경사지게 배치되고, 상기 진동자의 저면은 웨이퍼와 평행한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.And the vibrator is inclined to the wafer, and the bottom surface of the vibrator is parallel to the wafer.
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