KR100870120B1 - Apparatus and method for cleaning wafer - Google Patents

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KR100870120B1
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cleaning
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chuck
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오세훈
이우석
김성수
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세메스 주식회사
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Abstract

The cleaning efficiency can be improved by cleaning the front and back side of a wafer using the vibrated cleaning solution. The wafer cleaning equipment(100) comprises the first and the second nozzle members(110, 120) disposed at the front and back side of a wafer. The first nozzle member comprises the first nozzle(112) for supplying the cleaning solution to the wafer's front side and the first sonic vibrator(114) for generating the ultrasonic wave to vibrate the cleaning solution.. The second nozzle member includes the second sonic vibrator(122) inside the second nozzle The second sonic vibrator vibrates the cleaning solution supplied from the cleaning solution supply source in the second nozzle. The vibrated cleaning solution is supplied to the wafer backside.

Description

웨이퍼 세정 장치 및 그의 세정 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING WAFER}Wafer cleaning apparatus and its cleaning method {APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING WAFER}

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 구성을 도시한 도면;1 is a diagram showing the configuration of a wafer cleaning apparatus according to the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 세정 장치의 웨이퍼 전후면 세정 상태를 나타내는 도면; 그리고FIG. 2 is a view showing a wafer front and rear surface cleaning state of the wafer cleaning apparatus shown in FIG. 1; FIG. And

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 세정 수순을 도시한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a cleaning procedure of the wafer cleaning apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 웨이퍼 세정 장치 102 : 척100 wafer cleaning apparatus 102 chuck

104 : 모터 106 : 구동 장치104: motor 106: drive device

110 : 제 1 노즐부 112 : 제 1 노즐110: first nozzle portion 112: first nozzle

114 : 제 1 소닉 진동자 120 : 제 2 노즐부114: first sonic oscillator 120: second nozzle portion

122 : 제 2 소닉 진동자 124 : 노즐 라인122: second sonic oscillator 124: nozzle line

126 : 토출구 130, 132 : 세정액126: discharge port 130, 132: cleaning liquid

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 소닉 진동 자를 포함하는 복수 개의 노즐 장치를 이용하여 웨이퍼 전면 및 후면을 세정하기 위한 웨이퍼 세정 장치 및 그의 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor fabrication equipment, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus and a cleaning method thereof for cleaning the front and rear surfaces of a wafer using a plurality of nozzle devices including a sonic vibrator.

반도체 제조 공정에서 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라서 관리해야 할 파티클 수준도 보다 엄격해지고 있다. 따라서 세정 공정은 매우 중요하며, 파티클이 웨이퍼로부터 제거되지 않으면, 회로의 오동작을 야기하거나 동작 불능을 야기할 수 있어 수율이 저하된다.As the integration of semiconductor devices in semiconductor manufacturing processes increases, the level of particles to be managed is becoming more stringent. Therefore, the cleaning process is very important, and if the particles are not removed from the wafer, the circuit may malfunction or may become inoperable, resulting in lower yield.

웨이퍼 상의 파티클을 제거하는 대표적인 방법은 약액을 사용하여 화학적으로 표면을 처리하는 방법과, 물리적인 힘을 가하여 웨이퍼 상에 흡착되어 있는 파티클을 제거하는 물리적인 방법이 있다. 물리적인 방법의 예로서, 소닉 진동자를 이용하는 방식과, 스핀 스크러버(spin scrubber)의 브러쉬(brush)의 마찰력을 이용하는 방식 등이 있다.Representative methods of removing particles on a wafer include chemical treatment of surfaces using chemical liquids, and physical methods of removing particles adsorbed on a wafer by applying a physical force. Examples of physical methods include a method using a sonic vibrator, a method using a friction force of a brush of a spin scrubber, and the like.

소닉 진동자를 이용하는 방식은 초음파(또는 마이크로웨이브)를 발생하는 소닉 진동자를 웨이퍼 전면에 위치시키고, 웨이퍼 전면에 공급된 세정액(예를 들어, 초순수 등)으로 초음파를 발생시키고 소닉 진동자를 웨이퍼 상부에서 왕복 이동하여 세정액을 진동시킴으로써, 진동된 세정액을 통해 웨이퍼 전면을 세정한다.The method using a sonic vibrator places a sonic vibrator generating ultrasonic waves (or microwaves) on the front surface of the wafer, generates ultrasonic waves with a cleaning liquid (for example, ultrapure water, etc.) supplied to the front surface of the wafer and reciprocates the sonic vibrator from the top of the wafer. By moving and vibrating the cleaning liquid, the entire surface of the wafer is cleaned through the vibrating cleaning liquid.

이러한 소닉 진동자를 이용하는 종래기술의 웨이퍼 세정 장치는 예컨대, 웨이퍼 전면에 세정액을 토출함과 동시에 바 타입의 소닉 진동자를 통해 초음파를 인가하여 웨이퍼 전면만을 세정할 뿐, 웨이퍼 후면의 세정은 불가하다.The prior art wafer cleaning apparatus using such a sonic vibrator, for example, discharges a cleaning liquid onto the front surface of the wafer and at the same time applies ultrasonic waves through a bar-type sonic vibrator to clean only the front surface of the wafer, but the back surface of the wafer is not possible.

이를 해결하기 위해 소닉 진동자를 이용하는 웨이퍼 세정 장치는 별도로 백사이드 노즐(backside nozzle)을 이용하여 웨이퍼 후면으로 세정액을 공급하여 세 정한다. 그러나 백사이드 노즐을 이용하여 웨이퍼 후면을 세정하는 경우, 세정액의 공급 압력에 의존해서 웨이퍼 후면을 세정하므로 소닉 진동자를 이용하는 것보다 세정 능력이 저하되고, 이로 인해 세정 소요 시간이 증가되는 등의 문제점이 있다.In order to solve this problem, the wafer cleaning apparatus using the sonic vibrator separately supplies the cleaning liquid to the back surface of the wafer by using a backside nozzle. However, when the back side of the wafer is cleaned using the backside nozzle, the back side of the wafer is cleaned depending on the supply pressure of the cleaning liquid, and thus, the cleaning ability is lowered than using a sonic oscillator, which increases the time required for cleaning. .

본 발명의 목적은 웨이퍼 전면 및 후면을 세정하기 위한 웨이퍼 세정 장치 및 그의 세정 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a wafer cleaning apparatus and a cleaning method thereof for cleaning the front and rear surfaces of a wafer.

본 발명의 다른 목적은 소닉 진동자를 이용하여 웨이퍼 후면을 세정하는 웨이퍼 세정 장치 및 그의 세정 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a wafer cleaning apparatus for cleaning the wafer backside using a sonic oscillator and a cleaning method thereof.

본 발명의 또 다른 목적은 세정 효율을 향상시키기 위한 웨이퍼 세정 장치 및 그의 세정 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a wafer cleaning apparatus and a cleaning method thereof for improving the cleaning efficiency.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 웨이퍼 세정 장치는 소닉 진동자를 이용하여 웨이퍼 후면을 세정하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 웨이퍼 세정 장치는 소닉 진동자에 의해 진동된 세정액을 웨이퍼 후면으로 공급하여 세정력을 향상시킬 수 있다.In order to achieve the above objects, the wafer cleaning apparatus of the present invention is characterized by cleaning the wafer backside using a sonic oscillator. As such, the wafer cleaning apparatus can improve the cleaning power by supplying the cleaning liquid vibrated by the sonic vibrator to the back surface of the wafer.

본 발명의 웨이퍼 세정 장치는: 웨이퍼가 안착되는 척과; 상기 척에 안착된 웨이퍼의 전면으로 세정액을 공급하고, 상기 웨이퍼 전면에 공급된 세정액으로 초음파를 발생시켜서 상기 웨이퍼 전면을 세정하는 제 1 노즐부 및; 내부에서 초음파를 발생시켜서 세정액을 진동시키고, 상기 진동된 세정액을 상기 척에 안착된 웨이퍼의 후면으로 공급하여 상기 웨이퍼 후면을 세정하는 제 2 노즐부를 포함한다.The wafer cleaning apparatus of the present invention comprises: a chuck on which a wafer is seated; A first nozzle unit for supplying a cleaning liquid to the front surface of the wafer seated on the chuck, and generating ultrasonic waves with the cleaning liquid supplied to the front surface of the wafer to clean the entire surface of the wafer; And a second nozzle unit for generating ultrasonic waves therein to vibrate the cleaning solution, and supplying the vibrated cleaning solution to the rear surface of the wafer seated on the chuck to clean the rear surface of the wafer.

한 실시예에 있어서, 상기 제 1 노즐부는; 세정액 공급원으로부터 세정액을 공급받아서 상기 웨이퍼 전면으로 세정액을 공급하는 제 1 노즐 및, 상기 제 1 노즐과 분리되고, 상기 웨이퍼 전면에 공급된 세정액을 진동시키기 위해 상기 웨이퍼 전면으로 초음파를 발생시키는 제 1 소닉 진동자를 포함한다.In one embodiment, the first nozzle unit; A first nozzle that receives a cleaning liquid from a cleaning liquid source and supplies the cleaning liquid to the front surface of the wafer, and a first sonic separated from the first nozzle and generating ultrasonic waves toward the front surface of the wafer to vibrate the cleaning liquid supplied to the front surface of the wafer It includes a vibrator.

다른 실시예에 있어서, 상기 제 2 노즐부는; 내부에 구비되어 초음파를 발생하는 제 2 소닉 진동자와, 세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들이고, 상기 제 2 소닉 진동자로부터 발생된 초음파를 통해 내부에서 세정액을 진동시키고, 그리고 상기 진동된 세정액을 상기 웨이퍼 후면으로 공급하는 제 2 노즐을 포함하되; 상기 제 2 소닉 진동자와 상기 제 2 노즐은 일체형으로 구비된다.In another embodiment, the second nozzle unit; A second sonic vibrator provided inside to generate ultrasonic waves, and a cleaning liquid is received from a cleaning liquid supply source, vibrating the cleaning liquid therein through ultrasonic waves generated from the second sonic vibrator, and supplying the vibrated cleaning liquid to the back surface of the wafer. Including a second nozzle; The second sonic oscillator and the second nozzle are integrally provided.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 제 2 노즐은; 상기 척의 표면에 형성되는 토출구와, 상기 척의 하단부로부터 상기 토출구로 상하 길이 방향으로 연장되고, 상기 척의 중앙을 관통하여 상기 웨이퍼 후면 중앙에 배치되는 노즐 라인을 포함한다.In yet another embodiment, the second nozzle; And a discharge port formed on the surface of the chuck, and a nozzle line extending vertically from the lower end of the chuck to the discharge port and penetrating the center of the chuck and disposed at the center of the back surface of the wafer.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 제 2 노즐은 상기 노즐 라인과 동일 축 상에서 상기 진동된 세정액을 상기 웨이퍼 후면으로 공급한다.In another embodiment, the second nozzle supplies the vibrating cleaning liquid to the back surface of the wafer on the same axis as the nozzle line.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 회전하는 척에 안착된 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정 장치의 세정 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 상기 척에 안착된 웨이퍼 후면에 배치된 노즐로 세정액을 공급한다. 상기 노즐 내부에서 초음파를 발생하여 상기 노즐 내부로 공급된 세정액을 진동시킨다. 이어서 상기 진동된 세정액을 상기 웨이퍼 후면으로 공급하여 웨이퍼 후면을 세정한다.According to another feature of the present invention, there is provided a cleaning method of a wafer cleaning apparatus for cleaning a wafer seated on a rotating chuck. According to this method, the cleaning liquid is supplied to a nozzle disposed on the back surface of the wafer seated on the chuck. Ultrasonic waves are generated inside the nozzle to vibrate the cleaning liquid supplied into the nozzle. Subsequently, the vibrated cleaning liquid is supplied to the rear surface of the wafer to clean the rear surface of the wafer.

한 실시예에 있어서, 상기 세정 방법은; 상기 척에 안착된 웨이퍼 전면에 배치된 노즐로 세정액을 공급한다. 상기 세정액을 상기 웨이퍼 전면으로 공급한다. 상기 웨이퍼 전면에 공급된 세정액으로 초음파를 발생하여 상기 세정액을 진동시킨다. 이어서 상기 진동된 세정액으로 상기 웨이퍼 전면을 세정하는 것을 더 포함한다.In one embodiment, the cleaning method; The cleaning liquid is supplied to a nozzle disposed on the front surface of the wafer seated on the chuck. The cleaning liquid is supplied to the front surface of the wafer. Ultrasonic waves are generated by the cleaning liquid supplied to the entire surface of the wafer to vibrate the cleaning liquid. Subsequently, further cleaning the entire surface of the wafer with the vibrating cleaning liquid.

다른 실시예에 있어서, 상기 세정 방법은 상기 웨이퍼 전면과 상기 웨이퍼 후면을 동시에 세정한다.In another embodiment, the cleaning method simultaneously cleans the wafer front side and the wafer back side.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼 후면을 세정하는 것은 상기 웨이퍼 후면의 중앙으로 상기 진동된 세정액을 공급한다.In yet another embodiment, cleaning the wafer backside supplies the vibrated cleaning liquid to the center of the wafer backside.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. have been exaggerated to emphasize a more clear description.

이하 첨부된 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 구성을 도시한 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 세정 장치의 웨이퍼 전후면 세정 상태를 나타내는 도면이다.1 is a view showing the configuration of a wafer cleaning apparatus according to the present invention, Figure 2 is a view showing the front and rear wafer cleaning state of the wafer cleaning apparatus shown in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 세정 장치(100)는 웨이퍼(W)가 안착되는 척(102)과, 척(102)에 안착된 웨이퍼(W)의 전면 및 후면을 세정하기 위한 제 1 및 제 2 노즐부(110, 120)를 포함한다. 그리고 웨이퍼 세정 장치(100)는 척(102)과, 제 1 및 제 2 노즐부(110, 120)를 구동시키는 적어도 하나의 구동 장치(104, 106)들과, 이들 구동 장치(104, 106)를 제어하는 컨트롤러(미도시됨)를 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2, the wafer cleaning apparatus 100 may include a chuck 102 on which the wafer W is seated, and a first surface for cleaning the front and rear surfaces of the wafer W seated on the chuck 102. And second nozzle parts 110 and 120. In addition, the wafer cleaning apparatus 100 includes the chuck 102, at least one driving unit 104 and 106 for driving the first and second nozzle units 110 and 120, and the driving unit 104 and 106. It includes a controller (not shown) for controlling the.

척(102)은 안착된 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 하단부에 구비되는 구동 장치(예를 들어, 모터 등)(104)에 의해 회전된다. 그리고 척(102)은 내부 중앙을 관통하여 제 2 노즐(124, 126)이 배치된다.The chuck 102 is rotated by a drive device (for example, a motor) 104 provided at the lower end portion in order to clean the seated wafer W. The chuck 102 penetrates through the inner center thereof, and second nozzles 124 and 126 are disposed.

제 1 노즐부(110)는 세정액 공급원(미도시됨)으로부터 세정액(DIW)을 공급받아서 웨이퍼(W) 전면으로 세정액(DIW)을 공급하는 제 1 노즐(112)과, 예컨대, 바(bar) 타입으로 구비되고, 웨이퍼(W) 전면에 공급된 세정액(DIW)을 진동시키기 위해 웨이퍼(W) 전면에 공급된 세정액(DIW)(도 2의 130)으로 초음파(또는 마이크로웨이브 등)를 발생하는 제 1 소닉 진동자(114)를 포함한다. 제 1 노즐(112)과 제 1 소닉 진동자(114)는 분리되어 구비된다. 따라서 제 1 노즐부(110)는 척(102)에 안착된 웨이퍼(W)의 전면으로 세정액(DIW)을 공급하고, 웨이퍼(W) 전면에 공급된 세정액(DIW)으로 초음파를 발생시켜서 웨이퍼(W) 전면을 세정한다. 이 때, 구동 장치(106)는 제 1 소닉 진동자(114)를 웨이퍼(W) 전면과 약 1.2 미리 간격을 유지한 채 웨이퍼(W) 상부에서 왕복 이동한다. 따라서 제 1 노즐부(110)는 웨이퍼(W) 전면에 공급된 세정액(DIW)을 초음파로 진동시켜서 파티클을 웨이퍼(W) 전면으로부터 떨어지게 하여 세정한다.The first nozzle unit 110 receives the cleaning liquid DIW from a cleaning liquid supply source (not shown) and supplies the cleaning liquid DIW to the entire surface of the wafer W, for example, a bar. And ultrasonic waves (or microwaves) generated by the cleaning liquid DIW (130 in FIG. 2) supplied to the front surface of the wafer W to vibrate the cleaning liquid DIW supplied to the front surface of the wafer W. A first sonic oscillator 114 is included. The first nozzle 112 and the first sonic vibrator 114 are provided separately. Accordingly, the first nozzle unit 110 supplies the cleaning liquid DIW to the entire surface of the wafer W seated on the chuck 102, and generates ultrasonic waves with the cleaning liquid DIW supplied to the entire surface of the wafer W so that the wafer ( W) Clean the front surface. At this time, the driving device 106 reciprocates the first sonic vibrator 114 at the top of the wafer W while keeping the front surface of the wafer W about 1.2 mm in advance. Therefore, the first nozzle unit 110 vibrates the cleaning liquid DIW supplied to the entire surface of the wafer W with ultrasonic waves to clean the particles from the front surface of the wafer W.

제 2 노즐부(120)는 몸체 내부에 구비되어 초음파(또는 마이크로웨이브 등)를 발생하는 제 2 소닉 진동자(122)와, 세정액 공급원(미도시됨)으로부터 세정 액(DIW)을 받아들이고, 제 2 소닉 진동자(122)로부터 발생된 초음파를 통해 내부에서 세정액(DIW)을 진동시키고, 진동된 세정액(DIW)(도 2의 132)을 웨이퍼(W) 후면으로 공급하는 제 2 노즐(124, 126)을 포함한다. 그리고 제 2 소닉 진동자(122)와 제 2 노즐(124, 126)은 일체형으로 구비된다. 따라서 제 2 노즐부(120)는 제 2 노즐(124, 126) 내부에서 초음파를 발생시켜서 세정액(DIW)을 진동시키고, 진동된 세정액(DIW)(132)을 척(102)에 안착된 웨이퍼(W)의 후면으로 공급하여 웨이퍼(W) 후면을 세정한다.The second nozzle unit 120 is provided inside the body to receive the second sonic vibrator 122 generating ultrasonic waves (or microwaves, etc.), and the cleaning liquid DIW from a cleaning liquid supply source (not shown). Second nozzles 124 and 126 for vibrating the cleaning liquid DIW therein through ultrasonic waves generated by the sonic vibrator 122 and supplying the vibrated cleaning liquid DIW (132 in FIG. 2) to the wafer W rear surface. It includes. The second sonic vibrator 122 and the second nozzles 124 and 126 are integrally provided. Therefore, the second nozzle unit 120 generates ultrasonic waves inside the second nozzles 124 and 126 to vibrate the cleaning liquid DIW, and the wafer having the vibrated cleaning liquid DIW 132 seated on the chuck 102 ( It is supplied to the rear surface of W) to clean the rear surface of the wafer (W).

구체적으로, 제 2 노즐(124, 126)은 예컨대, 일체형의 샤워(shower) 타입의 소닉 노즐(sonic nozzle)로 구비되고, 척(102)의 표면에 형성되는 노즐단 즉, 토출구(126)와, 척(102)의 하단부로부터 토출구(126)로 상하 길이 방향으로 연장되고, 척(102)의 중앙을 관통하여 웨이퍼(W) 후면 중앙에 배치되는 노즐 라인(124)을 포함한다. 노즐 라인(124)은 예를 들어, 약 10 ~ 500 미리의 길이로 구비되며, 토출구(126)는 노즐 라인(124)과 같은 축 상에서 진동된 세정액을 웨이퍼(W) 후면으로 공급한다. 따라서 제 2 노즐(124, 126)은 세정액 공급원(미도시됨)으로부터 노즐 몸체의 내부 버퍼(미도시됨)로 세정액(DIW)을 받아서 임시 저장하고, 노즐 몸체 일측에 구비되는 제 2 소닉 진동자(122)로부터 초음파를 발생시켜서 진동된 세정액(DIW)을 노즐 라인(124)과 토출구(126)를 통해 웨이퍼(W) 후면으로 토출 공급한다.Specifically, the second nozzles 124 and 126 are provided with, for example, an integrated shower type sonic nozzle, and have a nozzle end formed on the surface of the chuck 102, that is, the discharge port 126. And a nozzle line 124 extending vertically from the lower end of the chuck 102 to the discharge port 126 and penetrating the center of the chuck 102 and disposed at the center of the back surface of the wafer (W). The nozzle line 124 is provided with a length of about 10 to 500 mm, for example, and the discharge port 126 supplies the cleaning liquid vibrated on the same axis as the nozzle line 124 to the back surface of the wafer W. Therefore, the second nozzles 124 and 126 receive and temporarily store the cleaning liquid DIW from the cleaning liquid supply source (not shown) into the internal buffer (not shown) of the nozzle body, and the second sonic vibrator provided on one side of the nozzle body ( Ultrasonic wave is generated from 122 to discharge the vibrating cleaning liquid DIW to the back surface of the wafer W through the nozzle line 124 and the discharge port 126.

그리고 컨트롤러(미도시됨)는 제 1 및 제 2 노즐부(110, 120)와 복수 개의 구동 장치(104, 106)들과 전기적으로 연결되어, 웨이퍼 세정 장치(100)의 제반 동 작을 제어한다. 예컨대, 컨트롤러는 웨이퍼(W) 전면 및 후면을 세정하는 공정을 처리하기 위해, 세정액 공급원으로부터 제 1 및 제 2 노즐(112, 124, 126)로 세정액을 공급시키고, 제 1 및 제 2 소닉 진동자(114, 122)를 제어하여 초음파를 발생시키며, 또한 제 1 소닉 진동자(114)를 왕복 이동되도록 구동 장치(106)를 제어하거나, 구동 장치(104)를 제어하여 척(102)을 회전시키는 등의 제반 동작을 처리한다.The controller (not shown) is electrically connected to the first and second nozzle units 110 and 120 and the plurality of driving devices 104 and 106 to control overall operations of the wafer cleaning apparatus 100. For example, the controller supplies the cleaning liquid from the cleaning liquid source to the first and second nozzles 112, 124, and 126 to process the process of cleaning the front and rear surfaces of the wafer W, and the first and second sonic vibrators ( 114, 122 to generate ultrasonic waves, and control the drive device 106 to reciprocate the first sonic vibrator 114, or control the drive device 104 to rotate the chuck 102. Process all operations.

따라서 본 발명의 웨이퍼 세정 장치(100)는 웨이퍼(W) 전면 및 후면에 배치되고 소닉 진동자(114, 122)을 이용하는 복수 개의 노즐 장치(즉, 제 1 및 제 2 노즐부)(110, 120)들을 구비하고, 이들을 개별 또는 동시에 구동시킴으로써, 웨이퍼(W) 전면 및/또는 후면을 세정한다. 또한 웨이퍼 세정 장치(100)는 소닉 진동자(122)를 이용하여 웨이퍼(W) 후면으로 진동된 세정액(DIW)을 공급하여 세정함으로써, 세정력을 향상시킨다.Therefore, the wafer cleaning apparatus 100 of the present invention is disposed on the front and rear surfaces of the wafer W and uses a plurality of nozzle devices (ie, first and second nozzle portions) 110 and 120 using the sonic vibrators 114 and 122. And drive them separately or simultaneously, thereby cleaning the wafer W front and / or back surfaces. In addition, the wafer cleaning apparatus 100 supplies cleaning by vibrating the cleaning liquid DIW to the rear surface of the wafer W using the sonic vibrator 122, thereby improving cleaning power.

계속해서 도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 세정 수순을 도시한 흐름도이다. 이 수순은 웨이퍼(W) 전후면을 세정하기 위해 컨트롤러(미도시됨)가 처리하는 프로그램으로, 이 프로그램은 컨트롤러의 메모리에 저장된다.3 is a flowchart showing the cleaning procedure of the wafer cleaning apparatus according to the present invention. This procedure is a program processed by a controller (not shown) to clean the front and rear surfaces of the wafer W, and this program is stored in the memory of the controller.

도 3을 참조하면, 단계 S150에서 웨이퍼 세정 장치(100)는 척(102)에 웨이퍼(W)를 안착시키고, 단계 S152에서 제 1 노즐(112)을 통해 웨이퍼(W) 전면으로 세정액(DIW)을 공급하고, 제 1 소닉 진동자(114)를 통해 웨이퍼(W) 전면에 공급된 세정액(DIW)으로 초음파(또는 마이크로웨이브 등)를 발생시킨다.Referring to FIG. 3, in step S150, the wafer cleaning apparatus 100 seats the wafer W on the chuck 102, and in step S152, the cleaning liquid DIW toward the entire surface of the wafer W through the first nozzle 112. And ultrasonic waves (or microwaves) are generated by the cleaning liquid DIW supplied to the entire surface of the wafer W through the first sonic vibrator 114.

단계 S154에서 제 2 노즐(124, 126)로 세정액(DIW)을 공급하고, 제 2 소닉 진동자(122)를 통해 제 2 노즐부(120) 내부의 세정액으로 초음파를 발생시키고, 진 동된 세정액(DIW)을 웨이퍼(W) 후면으로 공급한다. 이어서 단계 S156에서 웨이퍼(W) 전면 및 후면을 세정한다.In operation S154, the cleaning liquid DIW is supplied to the second nozzles 124 and 126, ultrasonic waves are generated by the cleaning liquid inside the second nozzle unit 120 through the second sonic vibrator 122, and the washing liquid DIW is vibrated. ) Is supplied to the back surface of the wafer (W). Subsequently, the front and rear surfaces of the wafer W are cleaned in step S156.

여기서는 본 발명의 웨이퍼 세정 방법을 웨이퍼 전면 세정 및 웨이퍼 후면 세정을 순차적으로 설명하였으나, 단계 S152 내지 단계 S156의 수순은 시간적으로 전후 조절이 가능하며, 물론 웨이퍼 전면 및 후면 세정을 동시에 처리 가능하다.Here, the wafer cleaning method of the present invention has been described in order to sequentially clean the wafer front surface and the wafer back surface, but the procedures of steps S152 to S156 can be adjusted back and forth in time, and of course, the front and rear surfaces of the wafer can be simultaneously processed.

이상에서, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, the configuration and operation of the wafer cleaning apparatus according to the present invention have been shown in accordance with the detailed description and the drawings, which are merely described by way of example, and various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. It is possible.

상술한 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 세정 장치는 소닉 진동자를 통해 진동된 세정액을 이용하여 웨이퍼 전면 및 후면을 세정함으로써, 세정 능력을 향상시킬 수 있다.As described above, the wafer cleaning apparatus of the present invention can improve the cleaning ability by cleaning the front and rear surfaces of the wafer using the cleaning liquid vibrated through the sonic vibrator.

또한, 웨이퍼 세정 장치는 소닉 진동자를 구비하는 제 1 및 제 2 노즐부를 구비함으로써, 동시 또는 개별적으로 웨이퍼 전면 및 후면의 세정이 가능하다.In addition, the wafer cleaning apparatus includes the first and second nozzle portions including the sonic vibrator, thereby simultaneously or separately cleaning the front and rear surfaces of the wafer.

Claims (9)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 웨이퍼 세정 장치에 있어서:In the wafer cleaning apparatus: 웨이퍼가 안착되는 척과;A chuck on which the wafer is seated; 세정액 공급원으로부터 세정액을 공급받아서 상기 척에 안착된 웨이퍼 전면으로 세정액을 공급하는 제 1 노즐과, 상기 제 1 노즐과 분리되어 상기 웨이퍼 전면에 공급된 세정액으로 초음파를 발생하는 제 1 소닉 진동자를 구비하여, 상기 웨이퍼 전면을 세정하는 제 1 노즐부 및;A first nozzle for receiving a cleaning liquid from a cleaning liquid source and supplying the cleaning liquid to the front surface of the wafer seated on the chuck, and a first sonic vibrator separated from the first nozzle to generate ultrasonic waves from the cleaning liquid supplied to the front surface of the wafer; A first nozzle unit cleaning the entire surface of the wafer; 내부에 구비되어 초음파를 발생하는 제 2 소닉 진동자와, 상기 제 2 노즐과 일체형으로 구비되어 세정액 공급원으로부터 세정액을 받아들이고, 상기 제 2 소닉 진동자로부터 발생된 초음파를 통해 내부에서 세정액을 진동시키고, 그리고 상기 진동된 세정액을 상기 웨이퍼 후면으로 공급하는 제 2 노즐을 구비하여, 상기 웨이퍼 후면을 세정하는 제 2 노즐부를 포함하되;A second sonic vibrator provided inside to generate ultrasonic waves, and integrally provided with the second nozzle to receive a cleaning liquid from a cleaning liquid supply source, vibrating the cleaning liquid therein through ultrasonic waves generated from the second sonic vibrator, and A second nozzle for supplying the vibrating cleaning liquid to the back surface of the wafer, the second nozzle part cleaning the back surface of the wafer; 상기 제 2 노즐은;The second nozzle; 상기 척의 표면에 형성되는 토출구와;A discharge port formed on a surface of the chuck; 상기 척의 하단부로부터 상기 토출구로 상하 길이 방향으로 연장되고, 상기 척의 중앙을 관통하여 상기 웨이퍼 후면 중앙에 배치되는 노즐 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.And a nozzle line extending in the vertical direction from the lower end of the chuck to the discharge port and penetrating the center of the chuck and disposed at the center of the wafer back surface. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 2 노즐은 상기 노즐 라인과 동일 축 상에서 상기 진동된 세정액을 상기 웨이퍼 후면으로 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.And the second nozzle supplies the vibrating cleaning liquid to the back surface of the wafer on the same axis as the nozzle line. 회전하는 척에 안착된 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정 장치의 세정 방법에 있어서:A cleaning method of a wafer cleaning apparatus for cleaning a wafer seated on a rotating chuck: 상기 척에 안착된 웨이퍼 후면에 배치된 노즐로 세정액을 공급하고;Supplying a cleaning liquid to a nozzle disposed on a back surface of the wafer seated on the chuck; 상기 노즐 내부에서 초음파를 발생하여 상기 노즐 내부로 공급된 세정액을 진동시키고; 이어서Generating ultrasonic waves in the nozzle to vibrate the cleaning liquid supplied into the nozzle; next 상기 진동된 세정액을 상기 웨이퍼 후면의 중앙으로 공급하여 웨이퍼 후면을 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치의 세정 방법.And cleaning the rear surface of the wafer by supplying the vibrated cleaning liquid to the center of the rear surface of the wafer. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 세정 방법은;The cleaning method; 상기 척에 안착된 웨이퍼 전면에 배치된 노즐로 세정액을 공급하고;Supplying a cleaning liquid to a nozzle disposed in front of a wafer seated on the chuck; 상기 세정액을 상기 웨이퍼 전면으로 공급하고;Supplying the cleaning liquid to the front of the wafer; 상기 웨이퍼 전면에 공급된 세정액으로 초음파를 발생하여 상기 세정액을 진동시키고; 이어서Oscillating the cleaning liquid by generating ultrasonic waves with the cleaning liquid supplied to the entire surface of the wafer; next 상기 진동된 세정액으로 상기 웨이퍼 전면을 세정하는 것을 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치의 세정 방법.And cleaning the entire surface of the wafer with the vibrated cleaning liquid. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 세정 방법은 상기 웨이퍼 전면과 상기 웨이퍼 후면을 동시에 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치의 세정 방법.And the cleaning method cleans the front surface of the wafer and the back surface of the wafer at the same time. 삭제delete
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