KR100870525B1 - Apparatus for cleaning substrate - Google Patents

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안영기
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세메스 주식회사
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Abstract

The substrate cleaning apparatus is provided to prevent the damage of substrate and improve the cleaning efficiency. The wafer cleaning apparatus comprises the stage for loading a substrate; the cleaning liquid supply for supplying the cleaning solution to substrate; the vibrator(110) which washes substrate while delivering the sonic energy to the substrate. The vibrator has a glove at the surface adjacent to the substrate. The vibrator has a rod shape. The vibrator is arranged to be inclined to the substrate. The depth of the groove become deeper as the sonic energy is high. The electrode comprises a plurality of sub-electrodes which is mutually separated by the opened region. A sub-electrodes are arranged in the matrix shape.

Description

기판 세정 장치{Apparatus for cleaning substrate}Substrate cleaning device {Apparatus for cleaning substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 음파 에너지를 이용하여 기판을 세정하는 기판 세정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate cleaning apparatus for cleaning a substrate using sound energy.

반도체 메모리 소자 또는 평판 표시 장치와 같은 전자 장치는 기판을 포함한다. 상기 기판은 실리콘 웨이퍼이거나 또는 글라스 기판이 될 수 있다. 상기 기판상에는 복수의 도전막 패턴들이 형성되며, 또한 서로 다른 복수의 도전막 패턴들 사이를 절연하는 절연막 패턴들이 형성된다. 상기 도전막 패턴들이나 절연막 패턴들은 노광, 현상 및 식각과 같은 일련의 공정들에 의하여 형성된다. Electronic devices such as semiconductor memory devices or flat panel displays include substrates. The substrate may be a silicon wafer or a glass substrate. A plurality of conductive layer patterns are formed on the substrate, and insulating layer patterns insulating the plurality of different conductive layer patterns are formed. The conductive layer patterns or the insulating layer patterns are formed by a series of processes such as exposure, development, and etching.

상기한 일련의 공정들에는 불순물 입자를 제거하는 공정이 포함된다. 왜냐하면, 기판 표면에 불순물 입자가 존재하는 경우 오염을 유발하여 상기 패턴 형성시 불량이 발생될 수 있기 때문이다. 기판으로부터 불순물을 제거하는 방법은 화학적인 방법과 물리적인 방법이 있다. 화학적인 방법은 약액을 사용하여 화학적으로 기판 표면을 처리하는 것이다. 물리적인 방법은 물리적인 힘을 가하여 기판상에 흡착된 불순물 입자를 제거하는 것이다. The series of processes described above includes a process of removing impurity particles. This is because, when the impurity particles are present on the surface of the substrate, contamination may occur and defects may occur when the pattern is formed. There are two methods of removing impurities from a substrate, a chemical method and a physical method. The chemical method is to chemically treat the substrate surface using a chemical solution. The physical method is to remove the impurity particles adsorbed on the substrate by applying a physical force.

그런데, 최근 반도체 장치의 집적도가 증가함에 따라서 반도체 메모리 소자 에서 미세 패턴의 크기가 1㎛ 이하로 감소하고 있어서, 허용 가능한 불순물의 크기도 점점 작아지고 있다. 따라서, 작은 크기의 불순물 입자는 통상적인 세정 방법으로는 용이하게 제거되지 않는다. 또한, 작은 크기의 불순물 입자를 제거하기 위하여, 강한 물리적인 힘을 가하는 경우 기판이 손상될 수 있다. However, in recent years, as the degree of integration of semiconductor devices has increased, the size of fine patterns in semiconductor memory devices has been reduced to 1 µm or less, and the size of allowable impurities is also getting smaller. Therefore, small-sized impurity particles are not easily removed by conventional cleaning methods. In addition, in order to remove small impurity particles, the substrate may be damaged when a strong physical force is applied.

본 발명의 목적은 기판의 손상을 방지하고 세정 효율을 향상시킨 기판 세정 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus which prevents damage to a substrate and improves cleaning efficiency.

본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치는 스테이지, 세정액 공급부 및 진동자를 포함한다. 상기 스테이지에는 기판이 로드된다. 상기 세정액 공급부는 상기 기판으로 세정액을 공급한다. 상기 진동자는 상기 기판에 음파 에너지를 전달하면서 상기 기판을 세정하며, 상기 기판에 인접하는 표면에 홈이 형성된다. The substrate cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention includes a stage, a cleaning liquid supply part, and a vibrator. The stage is loaded with a substrate. The cleaning solution supply unit supplies the cleaning solution to the substrate. The vibrator cleans the substrate while transferring sound wave energy to the substrate, and grooves are formed in a surface adjacent to the substrate.

본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치는 스테이지, 세정액 공급부, 진동자 및 진동 발생부를 포함한다. 상기 스테이지에는 기판이 로드된다. 상기 세정액 공급부는 상기 기판으로 세정액을 공급한다. 상기 진동자는 상기 기판에 음파 에너지를 전달하면서 상기 기판을 세정한다. 상기 진동 발생부는 상기 진동자의 단부에 결합되어 진동을 발생하며, 서로 마주보는 전극들 및 상기 전극들 사이에 개재되는 압전체를 갖는다. 상기 전극들 중 적어도 하나는 개구된다. The substrate cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention includes a stage, a cleaning liquid supply part, a vibrator, and a vibration generator. The stage is loaded with a substrate. The cleaning solution supply unit supplies the cleaning solution to the substrate. The vibrator cleans the substrate while delivering sound energy to the substrate. The vibration generator is coupled to an end of the vibrator to generate vibration, and has electrodes facing each other and a piezoelectric member interposed between the electrodes. At least one of the electrodes is open.

본 발명에 따르면, 기판에 영역별로 균일한 음파 에너지가 전달되어 전 영역에서 균일하게 세정이 이루어지고 세정 효율이 향상된다. According to the present invention, uniform sound wave energy is transferred to the substrate for each region to uniformly clean the entire region and improve the cleaning efficiency.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 살펴보기로 한 다. 다만 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be applied and modified in various forms. Rather, the following embodiments are provided to clarify the technical spirit disclosed by the present invention, and furthermore, to fully convey the technical spirit of the present invention to those skilled in the art having an average knowledge in the field to which the present invention belongs. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as limited by the embodiments described below.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 세정 장치는 세정 용기(1), 스테이지(10), 세정액 공급부(40) 및 진동 유닛(100)을 포함한다. 세정 용기(1)는 바닥에 스테이지(10)가 설치된다. 스테이지(10)에는 공정 대상 기판(20)이 안착된다. 스테이지(10)는 기판(20)을 지지하여 고정하는 척이 될 수 있다. 상기 척은 진공 흡입 방식으로 기판(20)을 고정하거나 또는 전기력을 제공하여 기판(20)을 고정할 수 있다. 스테이지(10)는 모터와 같은 구동 수단에 결합되며, 상기 모터의 동작에 의해 회전한다. 따라서, 스테이지(10) 상부에 안착된 기판(20) 또한 세정을 하는 동안 회전하게 된다. Referring to FIG. 1, the substrate cleaning apparatus includes a cleaning container 1, a stage 10, a cleaning liquid supply part 40, and a vibration unit 100. The cleaning container 1 is provided with a stage 10 at the bottom. The process target substrate 20 is seated on the stage 10. The stage 10 may be a chuck supporting and fixing the substrate 20. The chuck may fix the substrate 20 by a vacuum suction method or may provide an electric force to fix the substrate 20. The stage 10 is coupled to a driving means such as a motor, and rotates by the operation of the motor. Thus, the substrate 20 seated on the stage 10 also rotates during cleaning.

세정 용기(1)는 상부면이 개방되어 있고, 상기 개방된 영역으로 세정액 공급부(40)가 설치된다. 세정액 공급부(40)는 기판(20)을 향하도록 기판(20)으로부터 일정 간격 이격되게 배치된다. 세정액 공급부(40)는 분사 노즐로 구성될 수 있으며, 기판(20) 표면에 지속적으로 세정액을 공급한다. 위와 같이 지속적인 세정액 공급에 의하여, 공정이 진행되는 동안 기판(20) 표면에는 세정액층(30)이 형성된 다. The upper surface of the cleaning container 1 is open, and the cleaning liquid supply part 40 is installed in the open area. The cleaning liquid supply part 40 is disposed to be spaced apart from the substrate 20 so as to face the substrate 20. The cleaning liquid supply unit 40 may be configured as a spray nozzle and continuously supply the cleaning liquid to the surface of the substrate 20. By the continuous supply of the cleaning liquid as described above, the cleaning liquid layer 30 is formed on the surface of the substrate 20 during the process.

상기 세정액으로는 기판(20)에 부착된 이물질 제거 및 린스의 목적으로 초순수(deionized water; H2O)를 사용할 수 있다. 초순수 이외에 케미컬(chemical)이 사용될 수 있다. 상기 케미컬로는, 수산화암모늄(NH4OH)과 과산화수소(H2O2)와 초순수(H2O)의 혼합액, 불산(HF)과 초순수(H2O)의 혼합액, 불화암모늄(NH4F)과 불산(HF)과 초순수(H2O)의 혼합액, 인산(H3PO4)과 초순수(H2O)와의 혼합액 등 세정시 조건에 따라 적절한 세정액이 선택될 수 있다. 또는, 상기한 다양한 세정액은 제거하고자 하는 이물질의 종류에 따라 이들 중 어느 하나만을 사용하거나 이들 중 일부를 혼합하거나 또는 순차적으로 사용할 수 있다.As the cleaning liquid, deionized water (H 2 O) may be used for the purpose of removing and rinsing foreign substances adhering to the substrate 20. In addition to ultrapure water, chemicals may be used. The chemicals include a mixture of ammonium hydroxide (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), ultrapure water (H 2 O), a mixture of hydrofluoric acid (HF) and ultrapure water (H 2 O), and ammonium fluoride (NH 4 F). ), A suitable cleaning solution may be selected depending on the cleaning conditions such as a mixture of hydrofluoric acid (HF) and ultrapure water (H 2 O), a mixture of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and ultrapure water (H 2 O). Alternatively, the above-described various cleaning solutions may use only one of them, some of them may be mixed, or may be used sequentially according to the kind of foreign matter to be removed.

진동 유닛(100)은 진동자(110)와 진동 발생부(120)를 포함한다. 진동 발생부(120)는 음파 에너지에 의한 진동을 발생하며, 진동자(110)는 세정액층(30)에 강력한 초음파 진동을 인가한다. 진동 발생부(120)는 진동자(110)의 단부와 결합된다. 진동 발생부(120)는 전기 에너지를 물리적인 진동에너지로 변환시키는 압전체를 포함한다. The vibration unit 100 includes a vibrator 110 and a vibration generator 120. The vibration generator 120 generates vibration by sound wave energy, and the vibrator 110 applies powerful ultrasonic vibration to the cleaning liquid layer 30. The vibration generating unit 120 is coupled to the end of the vibrator 110. The vibration generator 120 includes a piezoelectric body that converts electrical energy into physical vibration energy.

세정 공정시, 기판(20)은 소정 방향으로 회전하고 진동 유닛(100)은 수평 방향으로 이동하면서 세정액층(30)에 음파에 의한 강한 진동을 전달한다. 세정액층(30)에 가해지는 진동에 의해 캐비테이션(cavitation) 기포가 파열하여 이물질 사이에 틈을 만들고, 그 틈으로 기포들이 침투하여 파열함으로써 완전하게 기판(20)의 표면으로부터 이물질이 분리된다. 만약, 이물질의 크기가 매우 작은 경우 에는 초음파(Megasonic)를 이용한 세정이 적합하다. 예컨대, 상기 이물질이 1㎛ 이하 정도로 매우 작은 경우에는 메가헤르쯔(MHz) 단위의 주파수를 갖는 초음파 세정이 바람직하다. During the cleaning process, the substrate 20 rotates in a predetermined direction and the vibration unit 100 moves in the horizontal direction to transmit a strong vibration by sound waves to the cleaning liquid layer 30. Cavitation bubbles rupture due to the vibration applied to the cleaning liquid layer 30 to form gaps between the foreign matters, and the foreign matters are completely separated from the surface of the substrate 20 by the bubbles penetrating and rupturing into the gaps. If the size of foreign matter is very small, ultrasonic cleaning is appropriate. For example, when the foreign matter is very small, about 1 μm or less, ultrasonic cleaning having a frequency in megahertz (MHz) is preferable.

진동자(110)는 막대 형상을 가지며, 기판(20)에 대해 경사지게 배치된다. 도 1에 도시되지 않았지만, 진동자(110)는 기판(20)에 대해 수평하거나 수직하게 배치될 수도 있다. 진동자(110)는 초음파 에너지를 효과적으로 전달한다고 알려져 있는 석영(quartz)으로 만들어질 수 있다. 상기 석영은 대부분의 세정액에 대해 사용 가능하다. 다만, 불산을 포함하는 세정액에 대해서는 석영으로 된 진동자(110)가 식각될 염려가 있다. 따라서, 진동자(110)는 석영 이외에 사파이어(sapphire), 탄화규소(silicon carbide), 질화붕소(boron nitride), 탄소 유리 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다.The vibrator 110 has a rod shape and is disposed to be inclined with respect to the substrate 20. Although not shown in FIG. 1, the vibrator 110 may be disposed horizontally or vertically with respect to the substrate 20. The vibrator 110 may be made of quartz, which is known to effectively transmit ultrasonic energy. The quartz can be used for most cleaning solutions. However, the vibrator 110 made of quartz may be etched with respect to the cleaning liquid containing hydrofluoric acid. Thus, the vibrator 110 may be made of sapphire, silicon carbide, boron nitride, carbon glass, or a combination thereof in addition to quartz.

도 2는 기판 세정 장치에서 영역에 따른 음파 에너지 분포를 나타내는 사진이다. 2 is a photograph showing sound wave energy distribution according to regions in a substrate cleaning apparatus.

도 2를 참조하면, 장방형의 영역에서 위치에 따라 음파 에너지의 분포가 일정하지 않다. 즉, 상기 영역의 수직으로 이등분하였을 때, 좌측 영역의 음파 에너지가 강하며 우측 영역의 음파 에너지가 약하다. 따라서, 음파 에너지가 강한 영역에서는 음압이 크고 음파 에너지가 약한 영역에서는 음압이 작아져서, 세정이 영역별로 불균일하게 진행될 수 있다. 또한, 웨이퍼를 세정하는 경우 강한 음압이 전달된 영역에서 웨이퍼가 손상될 수도 있다. Referring to FIG. 2, the distribution of sound energy is not constant depending on the position in the rectangular region. That is, when bisecting vertically into the region, the sound wave energy in the left region is strong and the sound wave energy in the right region is weak. Therefore, in the region where the sound wave energy is strong, the sound pressure decreases in the region where the sound pressure is large and the sound energy is weak, so that cleaning may be performed unevenly for each region. In addition, when cleaning the wafer, the wafer may be damaged in a region where a strong negative pressure is delivered.

도 3은 도 1에서 홈이 형성된 진동자 단부를 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3의 홈에 의한 진동자의 작동 과정을 설명하는 도면이다. 3 is a cross-sectional view illustrating the vibrator end having a groove formed in FIG. 1, and FIG. 4 is a view illustrating an operation process of the vibrator by the groove of FIG. 3.

도 3을 참조하면, 진동자(110)는 그 단부에 홈(111)이 형성된다. 진동자(110)에서 홈(111)이 형성되는 단부는 기판(20)에 인접하는 방향이다. 홈(111)은 상기 방향의 진동자(110)의 표면에 형성되며, 그 개수는 적어도 하나 이상이다. 홈(111)의 모양은 반구형, 원뿔, 육면체 등 다양한 형상이 적용될 수 있다. 또한, 복수의 홈(111)이 형성되는 경우에 그 깊이는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 홈(111)은 음파 에너지와 관련되며, 홈(111)이 형성되는 위치는 음압이 높게 형성되는 영역이다. Referring to FIG. 3, the vibrator 110 has a groove 111 formed at an end thereof. The end where the groove 111 is formed in the vibrator 110 is a direction adjacent to the substrate 20. The groove 111 is formed on the surface of the vibrator 110 in the direction, the number of which is at least one. The shape of the groove 111 may be a variety of shapes, such as hemispherical, cone, hexahedron. In addition, when the plurality of grooves 111 are formed, their depths may be the same or different from each other. The groove 111 is related to sound wave energy, and the position where the groove 111 is formed is an area in which sound pressure is formed high.

도 4에 도시된 바와 같이, 진동자(110)의 표면과 세정액층(30) 사이의 간격은 홈(111)이 형성 여부에 따라 달라진다. 홈(111)이 형성되지 않은 영역에서 세정액층(30)과 진동자(110) 사이의 간격을 제1 간격(h1)이라 하면, 제1 간격(h1)은 세정액층(30)과 진동자(110) 사이의 이격 거리에 해당한다. 진동자(110)는 세정액층(30)에 거의 인접하며, 제1 간격(h1)은 '0'이 될 수 있다. 한편, 홈(111)이 형성된 영역에서 세정액층(30)과 진동자(110) 사이의 간격을 제2 간격(h2)이라 하면, 제2 간격(h2)은 제1 간격(h1)보다 홈(111)의 깊이만큼 길다. As shown in FIG. 4, the distance between the surface of the vibrator 110 and the cleaning liquid layer 30 depends on whether the groove 111 is formed. If the interval between the cleaning liquid layer 30 and the vibrator 110 is the first interval h1 in the region where the groove 111 is not formed, the first interval h1 is the cleaning liquid layer 30 and the vibrator 110. Corresponds to the separation distance between. The vibrator 110 may be substantially adjacent to the cleaning liquid layer 30, and the first interval h1 may be '0'. On the other hand, if the interval between the cleaning liquid layer 30 and the vibrator 110 is the second interval h2 in the region where the groove 111 is formed, the second interval h2 is the groove 111 than the first interval h1. Is as long as).

이 경우, 홈(111)이 형성되지 않은 영역에 있어서 진동 발생부(120)에서 발생된 음파의 전달 경로를 살펴보면, 상기 음파는 진동자(110)를 따라 고체 매질을 경유한 후 제1 간격(h1)의 거리만큼 기체 매질에서 이동한다. 이에 비하여, 홈(111)이 형성되지 않은 영역에 있어서 상기 음파는 제1 및 제2 간격(h1,h2)의 차이만큼 고체 매질 대신 기체 매질을 통하여 더 이동하게 된다. In this case, looking at the transmission path of the sound wave generated from the vibration generating unit 120 in the region where the groove 111 is not formed, the sound wave passes through the solid medium along the vibrator 110 and then the first interval h1. Move in the gas medium by a distance In contrast, in the region where the groove 111 is not formed, the sound wave is further moved through the gas medium instead of the solid medium by the difference between the first and second intervals h1 and h2.

그 결과, 홈(111)을 경유하여 진행하는 음파와 홈(111)을 경유하지 않는 음파는 그 에너지가 차이나며, 홈(111)을 경유하면서 기체 매질을 더 길게 이동하면서 음압이 낮아진다. 따라서, 음압이 높게 형성되는 영역에 대응되게 홈(111)을 형성한다면, 해당 영역에서 음압이 감소되면서 전체적으로 기판(20) 또는 세정액층(30)에 대하여 균일한 음압이 제공될 수 있다. 또한, 지나치게 높은 음압은 사전에 차단되기 때문에 강한 음압에 의한 기판(20)의 손상을 예방할 수 있다. As a result, the sound waves traveling through the grooves 111 and the sound waves not passing through the grooves 111 are different in energy, and the sound pressure decreases while moving the gas medium longer while passing through the grooves 111. Therefore, if the groove 111 is formed to correspond to the region where the sound pressure is formed to be high, the sound pressure is reduced in the corresponding region, and a uniform sound pressure may be provided to the substrate 20 or the cleaning liquid layer 30 as a whole. In addition, since excessively high sound pressure is blocked in advance, damage to the substrate 20 due to strong sound pressure can be prevented.

상기 실시예는 음파 에너지가 영역별로 불균일하게 발생된 음파에 대하여 이를 기판(20)에 제공하는 단계에서 보정하는 수단을 갖는 장치에 관한 것이다. 이하에서는 다른 실시예로서, 균일성을 갖는 음파 에너지를 발생하는 장치에 관한 실시예를 설명한다. The above embodiment relates to an apparatus having a means for correcting in the step of providing the substrate 20 with respect to sound waves in which sound wave energy is unevenly generated for each region. Hereinafter, as another embodiment, an embodiment of an apparatus for generating sound wave energy having uniformity will be described.

도 5는 도 1의 진동 발생부에 설치된 압전체 및 개구부가 형성된 전극의 적층 구조를 도시한 단면도이고, 도 6a 및 도 6b는 도 5의 개구부에 의한 진동 발생부의 작동 과정을 설명하는 도면들이다. FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a laminated structure of a piezoelectric body and an electrode having openings formed in the vibration generating unit of FIG. 1, and FIGS. 6A and 6B are views illustrating an operation process of the vibration generating unit by the opening of FIG. 5.

도 5를 참조하면, 진동 발생부(120)는 제1 전극(130), 제2 전극(140) 및 압전체(150)를 포함한다. 제1 및 제2 전극(130,140)은 각각 음극 및 양극으로 작용하며, 외부로부터 전기 에너지가 제공된다. 상기 전기 에너지는 제1 및 제2 전극(130,140) 사이의 압전체(150)에 인가된다. 압전체(150)는 압전 효과에 의해 상기 전기 에너지로부터 음파 에너지를 발생한다. 제1 전극(130), 제2 전극(140) 및 압전체(150)는 진동자(110)의 단부에 부착되며, 상기 음파 에너지는 진동자(110)를 따라 기판(20)으로 전달된다. Referring to FIG. 5, the vibration generator 120 may include a first electrode 130, a second electrode 140, and a piezoelectric body 150. The first and second electrodes 130 and 140 serve as a cathode and an anode, respectively, and provide electrical energy from the outside. The electrical energy is applied to the piezoelectric body 150 between the first and second electrodes 130 and 140. The piezoelectric body 150 generates sound wave energy from the electrical energy by the piezoelectric effect. The first electrode 130, the second electrode 140, and the piezoelectric body 150 are attached to the end of the vibrator 110, and the sound wave energy is transmitted to the substrate 20 along the vibrator 110.

제1 전극(130)에는 개구부(131)가 형성된다. 여기서, 개구부(131)가 제1 전극(130)에 형성된 실시예만을 제시하였으나, 개구부(131)는 제1 전극(130)외에 제2 전극(140)에만 형성되거나 또는 제1 및 제2 전극(130,140)에 동시에 형성될 수도 있다. The opening 131 is formed in the first electrode 130. Here, although only the embodiment in which the opening 131 is formed in the first electrode 130 is provided, the opening 131 is formed only in the second electrode 140 in addition to the first electrode 130, or the first and second electrodes ( 130 and 140 may be formed at the same time.

도 6a를 참조하면, 본 발명의 비교예로써 장방형의 단일 전극(130')이 구비된 경우, 여기서 발생되는 음파 에너지의 분포(점선 표시)는 전극(130')의 중심부와 가장자리에서 균일하지 않다. 예컨대, 도 6a에 도시된 바와 같이, 중심부에서 음파 에너지가 크고 가장 자리에서 음파 에너지가 작아진다. 이 경우, 상기 중심부에 대응하는 영역과 가장자리에 대응하는 영역에서 불균일하게 세정이 될 수 있다. 여기서, 실제 음파 에너지의 분포는 도 6a와 상이하게 형성될 수도 있다. 그러나, 도 6a와 상이한 분포를 갖는 경우에도 하기에서 설명하는 본 실시예의 작동 원리는 동일하게 적용된다. Referring to FIG. 6A, when a rectangular single electrode 130 ′ is provided as a comparative example of the present invention, the distribution of sound wave energy (dotted line display) generated here is not uniform at the center and the edge of the electrode 130 ′. . For example, as shown in Fig. 6A, the sound wave energy is large at the center portion and the sound wave energy is reduced at the edge. In this case, it may be unevenly cleaned in the region corresponding to the center portion and the region corresponding to the edge. Here, the actual distribution of sound wave energy may be formed differently from FIG. 6A. However, even in the case of having a different distribution from that of Fig. 6A, the operating principle of the present embodiment described below is equally applied.

도 6b를 참조하면, 본 실시예에서 제1 전극(130)은 개구부(131)에 의하여 복수의 서브 전극(130a)으로 분리된다. 복수의 서브 전극(130a)은 상호간에 이격되며, 동일한 형상을 갖고 매트릭스 형상으로 배열된다. 압전체(150)는 전기 에너지를 인가받아 음파 에너지로 전환하기 때문에, 상기 전기 에너지가 인가되는 영역에서만 음파 에너지가 발생된다. 즉, 제1 전극(130)이 복수의 서브 전극(130a)으로 분리된 경우, 각 서브 전극(130a)이 형성된 영역에서만 음파 에너지가 발생되고 제1 전극(130)이 제거되고 개구부(131)가 형성된 영역에서는 음파 에너지가 발생되지 않는다. Referring to FIG. 6B, in the present exemplary embodiment, the first electrode 130 is separated into a plurality of sub-electrodes 130a by the opening 131. The plurality of sub electrodes 130a are spaced apart from each other, have the same shape, and are arranged in a matrix shape. Since the piezoelectric body 150 receives electric energy and converts the electric energy into sound wave energy, sound wave energy is generated only in a region where the electric energy is applied. That is, when the first electrode 130 is separated into a plurality of sub-electrodes 130a, sound wave energy is generated only in the region where each sub-electrode 130a is formed, the first electrode 130 is removed, and the opening 131 is formed. Sound wave energy is not generated in the formed region.

이 경우, 상기 분리된 각 서브 전극(130a)에서의 음파 에너지 분포(점선 표시)는 도 6a에 도시된 단일 전극(130')과 그 형상이 유사하다. 각 서브 전극(130a)에 있어서, 음파 에너지 분포는 균일하지 않다. 그러나, 서브 전극(130a)이 차지하는 면적이 작기 때문에 상기 음파 에너지 분포의 불균일한 정도는 단일 전극(130')에 비하여 매우 작아 진다. 이와 같이, 음파 에너지 분포의 불균일성을 각각의 작은 면적을 갖는 서브 전극(130a)으로 분배함으로써, 제1 전극(130)이 형성된 전체 면적에 대해서는 전체적으로 균일한 음파 에너지 분포를 가질 수 있다. In this case, the sound wave energy distribution (dotted line display) in each of the separated sub-electrodes 130a is similar in shape to the single electrode 130 ′ shown in FIG. 6A. In each sub-electrode 130a, the sound wave energy distribution is not uniform. However, since the area occupied by the sub-electrode 130a is small, the nonuniformity of the sound wave energy distribution becomes very small compared to the single electrode 130 '. As such, by distributing the nonuniformity of the sound wave energy distribution to the sub-electrodes 130a each having a small area, the entire sound wave energy distribution may be uniformly distributed over the entire area where the first electrode 130 is formed.

이상으로 진동 발생부에서 균일한 음파 에너지 분포를 갖는 두 가지 실시예들을 살펴보았다. 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 첫번째 실시예에서, 진동 발생부(100)는 진동자(110)의 표면에 홈을 형성함으로써 불균일한 세기를 갖도록 발생된 음파를 기판(20)에 제공되기 이전에 보정한다. 도 5, 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명한 두번째 실시예에서, 압전체(150)에 결합하는 제1 전극(130)(및/또는 제2 전극)에 개구부(131)를 형성함으로써 균일성을 갖는 음파 에너지를 발생한다. 상기 첫번째 및 두번째 실시예는 상호 결합될 수 있으며, 또한 상기 실시예들에 기초한 하기와 같은 다른 실시예들이 있다. In the above, two embodiments having a uniform sound wave energy distribution in the vibration generator have been described. In the first embodiment described with reference to FIGS. 3 and 4, the vibration generating unit 100 forms a groove on the surface of the vibrator 110 before the sound wave generated to have a non-uniform intensity is provided to the substrate 20. Correct it. In the second embodiment described with reference to FIGS. 5, 6A, and 6B, the opening 131 is formed in the first electrode 130 (and / or the second electrode) coupled to the piezoelectric body 150 to have uniformity. Generates sound wave energy. The first and second embodiments can be combined with each other and there are also other embodiments based on the above embodiments as follows.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 여러가지 실시예에 따라 다양한 홈이 형성된 진동자 단부를 도시한 도면들이다. 도 7a 내지 도 7c는 단면도들이고, 도 7d는 평면도이다. 7A to 7D are diagrams illustrating an end portion of a vibrator having various grooves according to various embodiments of the present disclosure. 7A-7C are cross sectional views and FIG. 7D is a top view.

도 7a를 참조하면, 진동자(110)의 표면에 형성된 홈(111)은 장방형의 단면 형상을 갖는다. 이 경우, 홈(111)이 형성된 영역내에서 그 깊이는 일정하며, 해당 영역에서 음파의 세기는 균일한 정도로 감소된다. 따라서, 음파 에너지의 분포가 다른 영역에 비해 강하되 해당 영역 내부에서는 균일한 강도를 갖는 경우에 장방형의 단면 형상을 갖는 홈(111)을 형성함이 바람직하다. Referring to FIG. 7A, the groove 111 formed on the surface of the vibrator 110 has a rectangular cross-sectional shape. In this case, the depth is constant in the region where the groove 111 is formed, and the intensity of sound waves in the region is reduced to a uniform degree. Accordingly, when the distribution of sound wave energy is lower than that of other regions, but has a uniform intensity within the region, it is preferable to form the groove 111 having a rectangular cross-sectional shape.

도 7b를 참조하면, 진동자(110)의 표면에는 반구형의 형상을 갖는 홈(111)이 형성된다. 상기 반구형의 홈(111)은 해당 영역내에서 위치별로 그 깊이가 상이하여, 음파의 세기가 감소되는 정도가 위치에 따라 상이하다. 따라서, 음파 에너지의 분포가 강해지되, 그 정도가 위치에 따라 상이하게 된 영역에 대응하여 반구형의 홈(111)을 형성함이 바람직하다. 다만, 홈(111)의 형상은 반구형에 한정되지 않으며, 굴곡지는 형태를 갖는 여러가지 형상이 포함될 수 있다. Referring to FIG. 7B, grooves 111 having a hemispherical shape are formed on the surface of the vibrator 110. The hemispherical grooves 111 are different in depth from each location within the corresponding area, and the extent to which the intensity of the sound wave is reduced varies from location to location. Therefore, it is preferable to form a hemispherical groove 111 corresponding to a region in which the distribution of sound wave energy becomes stronger, but the degree varies depending on the position. However, the shape of the groove 111 is not limited to the hemispherical shape, and the curved paper may include various shapes having a shape.

상기 반구형 홈(111)은 서로 다른 깊이를 갖는 제1 홈(111a) 및 제2 홈(111b)을 포함한다. 만약, 음파 에너지의 분포가 영역별로 크게 차이나서 제2 홈(111b)이 형성된 영역이 제1 홈(111a)이 형성된 영역에 비하여 음압이 큰 경우, 깊이가 상이한 복수의 홈(111)을 형성함이 바람직하다.The hemispherical groove 111 includes a first groove 111a and a second groove 111b having different depths. If the distribution of sound energy differs greatly from region to region, when the region in which the second groove 111b is formed is larger than the region in which the first groove 111a is formed, a plurality of grooves 111 having different depths are formed. This is preferred.

도 7c를 참조하면, 진동자(110)의 표면에는 장방형의 단면 형상을 갖는 제1 홈(111a)과 반구형의 형상을 갖는 제2 홈(111b)이 형성된다. 음파 에너지의 분포가 다른 영역에 비해 강하되 해당 영역 내부에서는 균일한 강도를 갖는 영역과, 음파 에너지의 분포가 위치에 따라 다소 달라지는 영역이 함께 있는 경우에, 전자의 경우 제1 홈(111a)을 형성하고 후자의 경우 제2 홈(111b)을 형성한다. Referring to FIG. 7C, a first groove 111a having a rectangular cross-sectional shape and a second groove 111b having a hemispherical shape are formed on a surface of the vibrator 110. In the case of electrons, when the distribution of sound wave energy is lower than that of other areas but has a uniform intensity within the corresponding area and a region where the distribution of sound wave energy varies somewhat depending on the position, the first groove 111a is used for the former. In the latter case, the second groove 111b is formed.

도 7d를 참조하면, 진동자(110)의 표면에는 복수의 홈(111)들이 균일하게 매트릭스 형상으로 형성된다. 이는 앞서 도 5, 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명한 두 번째 실시예의 원리와 유사하게, 불균일한 음파 에너지의 분포를 복수의 홈(111)들에 의해 작은 영역으로 분배함으로써 전체적으로 균일한 음파 에너지가 제공되도록 한 것이다. Referring to FIG. 7D, a plurality of grooves 111 are uniformly formed in a matrix on the surface of the vibrator 110. This is similar to the principle of the second embodiment described above with reference to FIGS. 5, 6A, and 6B, by distributing a non-uniform distribution of sound wave energy into a small area by the plurality of grooves 111 so that the overall sound wave energy is uniform. It is to be provided.

이상에서 살핀 바와 같이, 상기 실시예들에 따르면 기판을 균일한 압력으로 세정하여 세정 효율이 향상될 수 있다. 또한 소정 영역에서 강한 음압이 전달되어 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 다만, 상기 실시예들은 예시적인 관점에서 설명된 것일 뿐으로, 해당 기술 분야의 통상의 지식을 갖는 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, according to the embodiments, the cleaning efficiency may be improved by cleaning the substrate at a uniform pressure. In addition, a strong negative pressure is transmitted in a predetermined region to prevent the substrate from being damaged. However, the above embodiments are only described by way of example, and those skilled in the art may vary the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. It will be understood that modifications and changes can be made.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 기판 세정 장치에서 영역에 따른 음파 에너지 분포를 나타내는 사진이다. 2 is a photograph showing sound wave energy distribution according to regions in a substrate cleaning apparatus.

도 3은 도 1에서 홈이 형성된 진동자 단부를 도시한 단면도이다. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an end of a vibrator having a groove formed in FIG. 1.

도 4는 도 3의 홈에 의한 진동자의 작동 과정을 설명하는 도면이다. 4 is a view illustrating an operation process of the vibrator by the groove of FIG. 3.

도 5는 도 1의 진동 발생부에 설치된 압전체 및 개구부가 형성된 전극의 적층 구조를 도시한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a laminated structure of an electrode having a piezoelectric body and an opening formed in the vibration generating unit of FIG. 1.

도 6a 및 도 6b는 도 5의 개구부에 의한 진동 발생부의 작동 과정을 설명하는 도면들이다. 6A and 6B are views illustrating an operation process of the vibration generator by the opening of FIG. 5.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 여러가지 실시예에 따라 다양한 홈이 형성된 진동자 단부를 도시한 도면들이다. 7A to 7D are diagrams illustrating an end portion of a vibrator having various grooves according to various embodiments of the present disclosure.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

1 : 세정 용기 10 : 스테이지1: cleaning container 10: stage

20 : 기판 30 : 세정액층20 substrate 30 cleaning liquid layer

40 : 세정액 공급부 110 : 진동자40: cleaning liquid supply unit 110: vibrator

120 : 진동 발생부120: vibration generating unit

Claims (10)

삭제delete 기판이 로드되는 스테이지;A stage on which the substrate is loaded; 상기 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부; 및A cleaning liquid supply unit supplying a cleaning liquid to the substrate; And 상기 기판에 음파 에너지를 전달하면서 상기 기판을 세정하며, 상기 기판에 인접하는 표면에 홈이 형성된 진동자를 포함하고,Cleaning the substrate while transmitting sound wave energy to the substrate, including a vibrator having a groove formed on a surface adjacent to the substrate, 상기 홈은 복수로 형성되며, 각 홈은 상기 음파 에너지의 크기에 따라 서로 다른 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치. The groove may be formed in plural, each groove having a different depth according to the magnitude of the sound wave energy. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 각 홈은 상기 음파 에너지가 클수록 그 깊이가 큰 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치. And each groove has a greater depth as the sound wave energy increases. 삭제delete 삭제delete 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 진동자는 막대 형상을 가지며, 상기 기판에 대해 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치. And the vibrator has a rod shape and is disposed to be inclined with respect to the substrate. 기판이 로드되는 스테이지;A stage on which the substrate is loaded; 상기 기판으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부; A cleaning liquid supply unit supplying a cleaning liquid to the substrate; 상기 기판에 음파 에너지를 전달하면서 상기 기판을 세정하는 진동자; 및A vibrator for cleaning the substrate while transmitting sound wave energy to the substrate; And 상기 진동자의 단부에 결합되어 진동을 발생하며, 서로 마주보는 전극들 및 상기 전극들 사이에 개재되는 압전체를 갖는 진동 발생부를 포함하고, A vibration generating unit coupled to an end of the vibrator to generate vibrations, the vibration generating unit having electrodes facing each other and a piezoelectric body interposed between the electrodes; 상기 전극들 중 적어도 하나는 개구된 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치. And at least one of the electrodes is open. 제 7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 전극은 상기 개구된 영역에 의하여 상호 분리된 복수의 서브 전극들을 포함하고, 상기 서브 전극들은 매트릭스 형상으로 배열된 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치. The electrode includes a plurality of sub-electrodes separated from each other by the opening region, the sub-electrodes are arranged in a matrix shape. 제 7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 진동자는 상기 세정액에 대향하는 표면에 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치. The vibrator is a substrate cleaning apparatus, characterized in that the groove is formed on the surface facing the cleaning liquid. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 홈은 복수로 형성되며, 상기 각 홈은 상기 음파 에너지의 크기에 따라 서로 다른 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치. The groove may be formed in plural, and each of the grooves may have a different depth according to the magnitude of the sound wave energy.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102260364B1 (en) * 2019-12-11 2021-06-02 가천대학교 산학협력단 Etching Device using coupled-resonant frequency of droplet and Etching method using the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030076898A (en) * 2002-03-23 2003-09-29 삼성전자주식회사 Megasonic cleaning apparatus for fabricating semiconductor device
KR20060132246A (en) * 2005-06-17 2006-12-21 삼성전자주식회사 Apparatus for cleaning wafer by using sonic vibration
KR20070069075A (en) * 2005-12-27 2007-07-02 한국기계연구원 Ultrasonic cleaning system
KR20070077100A (en) * 2006-01-19 2007-07-25 가부시키가이샤 프레테크 Ultrasonic washing apparatus and ultrasonic washing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030076898A (en) * 2002-03-23 2003-09-29 삼성전자주식회사 Megasonic cleaning apparatus for fabricating semiconductor device
KR20060132246A (en) * 2005-06-17 2006-12-21 삼성전자주식회사 Apparatus for cleaning wafer by using sonic vibration
KR20070069075A (en) * 2005-12-27 2007-07-02 한국기계연구원 Ultrasonic cleaning system
KR20070077100A (en) * 2006-01-19 2007-07-25 가부시키가이샤 프레테크 Ultrasonic washing apparatus and ultrasonic washing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102260364B1 (en) * 2019-12-11 2021-06-02 가천대학교 산학협력단 Etching Device using coupled-resonant frequency of droplet and Etching method using the same

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