KR20110062026A - Substrate cleaning apparatus - Google Patents

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KR20110062026A
KR20110062026A KR1020090118594A KR20090118594A KR20110062026A KR 20110062026 A KR20110062026 A KR 20110062026A KR 1020090118594 A KR1020090118594 A KR 1020090118594A KR 20090118594 A KR20090118594 A KR 20090118594A KR 20110062026 A KR20110062026 A KR 20110062026A
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cleaning
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이주동
김붕
송길훈
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세메스 주식회사
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    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations

Abstract

PURPOSE: A substrate cleaning apparatus is provided to simultaneously clean the upper side and the rear side of a substrate, thereby shortening processing time. CONSTITUTION: A substrate supporting unit supports a substrate. A front nozzle(150) sprays cleaning liquid onto the substrate. A back nozzle unit(130) is installed on the substrate supporting unit and sprays cleaning liquid on the rear side of the substrate during a process. An ultrasonic generating device(290) applies an ultrasonic wave to cleaning liquid. The back nozzle unit includes a first nozzle and a second nozzle. A first spray hole is formed on a first nozzle. Cleaning liquid is sprayed vertically to the rear side of the substrate. A second spray hole is formed on a second nozzle. Cleaning liquid is sprayed diagonally to the rear side of the substrate.

Description

기판 세정 장치{Substrate Cleaning Apparatus}Substrate Cleaning Apparatus

본 발명은 기판 세정 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 초음파를 이용한 기판 세정시 기판의 상면 및 이면을 동시에 세정함으로써 공정시간을 단축시키며, 기판의 이면의 에지부까지 고른 세정이 가능하고, 세정력을 향상시킬 수 있는 기판 세정 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate cleaning apparatus. More particularly, the process time can be shortened by simultaneously cleaning the upper and rear surfaces of the substrate when cleaning the substrate using ultrasonic waves, and evenly cleaning the edges of the rear surface of the substrate is possible. It is related with the board | substrate cleaning apparatus which can be improved.

일반적으로, 반도체 기판에는 증착, 리소그래피, 식각, 화학적/기계적 연마, 세정, 건조 등과 같은 단위 공정들이 반복적으로 수행된다. 상기 단위 공정들 중에서 세정 공정은 각각의 단위 공정을 수행하는 동안, 반도체 기판의 표면에 부착되는 이물질이나 불필요한 막을 제거하는 공정이다.Generally, unit processes such as deposition, lithography, etching, chemical / mechanical polishing, cleaning, drying, and the like are repeatedly performed on a semiconductor substrate. Among the unit processes, the cleaning process is a process of removing foreign substances or unnecessary films adhering to the surface of the semiconductor substrate during each unit process.

반도체 기판 상에 형성되는 패턴이 미세화되고, 패턴의 종횡비(aspect ratio)가 커짐에 따라 점차 세정 공정의 중요도가 커지고 있다. 그리고, 완벽한 세정을 위하여 기판 세정 장치가 지속적으로 개발되었다. 최근에는 세정액에 수백 kHz 이상의 초음파 진동을 인가하는 기판 세정 장치가 주로 사용되고 있다. As the pattern formed on the semiconductor substrate becomes finer and the aspect ratio of the pattern becomes larger, the importance of the cleaning process is gradually increasing. Subsequently, substrate cleaning apparatuses have been continuously developed for perfect cleaning. In recent years, the substrate cleaning apparatus which applies ultrasonic vibration of several hundred kHz or more to a cleaning liquid is mainly used.

초음파를 이용한 세정은 주로 입자 가속도와 초음파의 캐비테이션 현상에 의해 이루어진다. 캐비테이션 현상은 초음파의 에너지가 용액 중에 전파될 때 초음파 의 압력에 의해 미세기포가 생성되고 소멸되는 현상으로 매우 큰 압력과 고온을 동반한다. 이 충격파에 의해 용액 중에 담겨 있는 피세척물의 내부 깊숙히 보이지 않는 곳까지 단 시간내에 세척이 가능해진다. Ultrasonic cleaning is mainly achieved by particle acceleration and cavitation of ultrasonic waves. Cavitation is a phenomenon in which microbubbles are generated and extinguished by the pressure of ultrasonic waves when energy of ultrasonic waves propagates in a solution. This shock wave makes it possible to clean in a short time to the place where it is invisible to the inside of the object to be contained in the solution.

종래 초음파를 이용한 세정 장치에서 초음파 발생기는 기판의 상면에 배치되는데, 이 경우, 기판의 상면에서 시작된 초음파 진동이 기판의 이면까지 전달되지 못하여 기판의 상면 및 이면을 동시에 세정하지 못한다. 그렇기 때문에, 기판의 이면을 세정하기 위해서는 기판을 뒤집는 별도의 장치가 필요하며, 기판의 이면을 세정하기 위해서 공정 시간이 늘어나는 문제점이 있다. In a conventional ultrasonic cleaning apparatus, an ultrasonic generator is disposed on an upper surface of a substrate. In this case, ultrasonic vibrations, which originate from the upper surface of the substrate, are not transmitted to the rear surface of the substrate, so that the upper surface and the rear surface of the substrate cannot be simultaneously cleaned. Therefore, in order to clean the back surface of the substrate, a separate device for inverting the substrate is required, and there is a problem in that the process time is increased to clean the back surface of the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 초음파를 이용한 기판 세정시 기판의 상면 및 이면을 동시에 세정함으로써 공정시간을 단축시키며, 기판의 이면의 에지부까지 고른 세정이 가능하고, 세정력을 향상시킬 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는데 있다. The problem to be solved by the present invention is to reduce the process time by simultaneously cleaning the upper and rear surfaces of the substrate when cleaning the substrate using ultrasonic waves, even cleaning to the edge of the rear surface of the substrate, it is possible to improve the cleaning power It is to provide a cleaning device.

본 발명의 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 세정 장치의 일 태양은, 기판을 지지하는 기판 지지부, 상기 기판의 상면에 세정액을 분사하는 프론트노즐, 상기 기판 지지부의 상부면에 설치되며, 공정시 상기 기판의 이면으로 상기 세정액을 분사하는 백노즐부, 및 발생된 초음파를 상기 세정액에 인가하는 초음파 발생기를 포함하되, 상기 백노즐부는 상기 기판의 이면에 대하여 수직방향으로 상 기 세정액을 분사하는 제1 분사구가 형성된 제1 노즐, 및 상기 기판의 이면에 대하여 사선방향으로 상기 세정액을 분사하는 제2 분사구가 형성된 제2 노즐을 포함한다. One aspect of the substrate cleaning apparatus of the present invention for solving the above technical problem is provided in the substrate support portion for supporting the substrate, the front nozzle for spraying the cleaning liquid on the upper surface of the substrate, the upper surface of the substrate support portion, A back nozzle part for spraying the cleaning liquid onto the back surface of the substrate, and an ultrasonic generator for applying the generated ultrasonic waves to the cleaning liquid, wherein the back nozzle part is configured to spray the cleaning liquid in a vertical direction with respect to the back surface of the substrate. And a second nozzle having a first nozzle having a first injection hole formed therein, and a second nozzle having a second injection hole for spraying the cleaning liquid in an oblique direction with respect to the rear surface of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 초음파를 이용한 기판 세정시 기판의 상면 및 이면을 동시에 세정함으로써 공정시간을 단축시킬 수 있으며, 기판의 이면의 에지부까지 고른 세정이 가능하고, 세정력을 향상시킬 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the process time can be shortened by simultaneously cleaning the upper surface and the rear surface of the substrate when cleaning the substrate using ultrasonic waves, evenly cleaning the edge portion of the rear surface of the substrate, it is possible to improve the cleaning power have.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링 된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, it may be directly connected or coupled to another element or through another element in between. This includes all cases. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

본 명세서에서 사용되는 용어 중 기판의 상면은 기판의 양면 중 패턴이 형성된 면을 지칭하고, 기판의 이면은 그 반대면을 지칭한다. As used herein, the upper surface of the substrate refers to the surface on which the pattern is formed on both sides of the substrate, and the rear surface of the substrate refers to the opposite surface.

이하, 본 발명의 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 도 2는 도 1에 도시된 초음파 발생기를 설명하기 위한 상세도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a detailed view for explaining the ultrasonic generator illustrated in FIG. 1.

도 1을 참조하면, 기판 세정 장치(100)는 바울(110), 기판 지지부(120), 백노즐부(130), 프론트노즐(150), 초음파 발생기(290)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the substrate cleaning apparatus 100 may include a paul 110, a substrate support 120, a back nozzle 130, a front nozzle 150, and an ultrasonic generator 290.

바울(bowl)(110)은 기판 지지부(120)를 둘러싸며, 기판(10)의 세정 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 바울(110)은 기판(10)으로부터 비산되는 세정액을 차단할 수 있으며, 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위해 상하 이동 가능하도록 설치될 수 있다. The bowl 110 surrounds the substrate support 120 and provides a space in which the cleaning process of the substrate 10 proceeds. The paul 110 may block the cleaning liquid scattered from the substrate 10 and may be installed to be moved up and down for loading and unloading of the substrate 10.

바울(110)의 하부에는 세정액을 배출시키는 배출관(140)이 형성될 수 있으며, 배출관(140)을 통해 바울(110)에 의해 차단된 세정액을 다시 수거하여 세정액으로 재사용할 수도 있다. A discharge pipe 140 for discharging the cleaning liquid may be formed at the lower portion of the paul 110, and the cleaning liquid blocked by the paul 110 may be collected again through the discharge pipe 140 and reused as the cleaning liquid.

기판 지지부(120)는 바울(110) 내측에 설치된다. 기판 지지부(120)는 세정 공정시 기판(10)을 지지한다. 기판 지지부(120)는 구동부(125)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지부(120)는 원형의 상부면을 갖는 스핀 헤드(121)를 포함한다. 스핀 헤드(121)의 상부면에는 기판(10)을 지지하는 핀 부재(122, 123)가 설치된다. 핀 부재(122, 123)는 지지핀(122)과 척킹핀(123)을 포함한다. 지지핀(122)은 스핀 헤드(121)의 상부면 가장자리부에 설치되고, 스핀 헤드(121)의 상부면으로부터 수직방향으로 돌출된다. 지지핀(122)은 기판(10)의 이면(11)을 지지한다. 따라서 기판(10)은 스핀 헤드(121)의 상부면으로부터 수직 방향으로 일정 간격 이격된 상태에서 지지된다. The substrate support part 120 is installed inside the paul 110. The substrate support part 120 supports the substrate 10 during the cleaning process. The substrate supporter 120 may be rotated by the driver 125. The substrate support 120 includes a spin head 121 having a circular top surface. Fin members 122 and 123 supporting the substrate 10 are provided on the upper surface of the spin head 121. The pin members 122 and 123 include a support pin 122 and a chucking pin 123. The support pin 122 is installed at an edge of the upper surface of the spin head 121 and protrudes from the upper surface of the spin head 121 in the vertical direction. The support pin 122 supports the back surface 11 of the substrate 10. Therefore, the substrate 10 is supported in a state spaced apart at regular intervals from the upper surface of the spin head 121 in the vertical direction.

지지핀(122)의 외측에는 척킹핀(123)이 설치되며, 척킹핀(123)은 스핀 헤드(121)의 상부면으로부터 수직방향으로 돌출된다. 척킹핀(123)은 지지핀(122)에 의해 지지된 기판(10)이 스핀 헤드(121) 상의 정해진 위치에 놓이도록 정렬한다. 척킹핀(123)은 기판(10)의 측부와 접하여 기판(10)이 정해진 위치로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다. A chucking pin 123 is installed outside the support pin 122, and the chucking pin 123 protrudes from the upper surface of the spin head 121 in a vertical direction. The chucking pins 123 are aligned such that the substrate 10 supported by the support pins 122 is placed at a predetermined position on the spin head 121. The chucking pin 123 may contact the side of the substrate 10 to prevent the substrate 10 from being separated from a predetermined position.

스핀 헤드(121)의 하부에는 스핀 헤드(121)를 지지하는 지지축(124)이 연결되며, 지지축(124)은 그 하단에 연결된 구동부(125)에 의해 회전한다. 구동부(125)는 모터 등을 포함할 수 있다. 지지축(124)이 회전함에 따라 스핀 헤드(121) 및 기판(10)이 회전한다. 또한, 구동부(125)는 스핀 헤드(121) 상에 기판(10)을 로딩하거나 언로딩하는 경우, 스핀 헤드(121)는 상하로 이동시킬 수 있다. A support shaft 124 supporting the spin head 121 is connected to the lower portion of the spin head 121, and the support shaft 124 is rotated by the driver 125 connected to the lower end thereof. The driver 125 may include a motor or the like. As the support shaft 124 rotates, the spin head 121 and the substrate 10 rotate. In addition, when the driver 125 loads or unloads the substrate 10 on the spin head 121, the spin head 121 may move up and down.

백노즐부(130)는 스핀 헤드(121) 상에 기판(10)이 로딩되는 경우, 기판(10)의 이면(11)으로 세정액을 공급한다. 백노즐부(130)는 스핀 헤드(121)의 상부면에 돌출되도록 설치된 몸체(131)를 포함한다. 몸체(131)에는 세정액을 분사하는 제1 노즐(132) 및 제2 노즐(133)이 설치된다. 백노즐부(130)에 대한 상세한 설명은 후 술한다. When the substrate 10 is loaded on the spin head 121, the back nozzle unit 130 supplies a cleaning liquid to the rear surface 11 of the substrate 10. The back nozzle part 130 includes a body 131 installed to protrude from the upper surface of the spin head 121. The body 131 is provided with a first nozzle 132 and a second nozzle 133 for spraying the cleaning liquid. A detailed description of the back nozzle unit 130 will be described later.

여기서, 세정액으로는 탈이온수(de-ionized water, H2O), 불산(HF)과 탈이온수의 혼합액, 수산화암모늄(NH4OH)과 과산화수소(H2O2) 및 탈이온수의 혼합액, 불화암모늄(NH4F)과 불산(HF) 및 탈이온수의 혼합액 및 인산(H3PO4) 및 탈이온수를 포함하는 혼합액 등이 사용될 수 있다.Here, the cleaning liquid is de-ionized water (H 2 O), a mixture of hydrofluoric acid (HF) and deionized water, a mixture of ammonium hydroxide (NH 4 OH) and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and deionized water, fluorinated A mixed solution of ammonium (NH 4 F) and hydrofluoric acid (HF) and deionized water, and a mixed solution containing phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and deionized water may be used.

일반적으로, 탈이온수는 기판(10)에 부착된 이물질 제거 및 린스의 목적으로 사용될 수 있다. 불산과 탈이온수의 혼합액(DHF)은 기판(10) 상에 형성된 자연 산화막(SiO2) 제거 및 금속 이온 제거를 위해 사용될수 있다. 이때, 불산과 탈이온수의 혼합 비율은 1:100 내지 1:500 정도일 수 있으며, 세정 공정의 조건에 따라 적절하게 변경될 수 있다.In general, deionized water may be used for the purpose of removing and rinsing foreign matter attached to the substrate 10. A mixed solution (DHF) of hydrofluoric acid and deionized water may be used for removing a native oxide film (SiO 2 ) and metal ions formed on the substrate 10. In this case, the mixing ratio of hydrofluoric acid and deionized water may be about 1: 100 to 1: 500, and may be appropriately changed according to the conditions of the washing process.

일반적으로, SC1(standard clean 1) 용액이라 불리는 수산화암모늄과 과산화수소 및 탈이온수의 혼합액은 기판(10) 상에 형성된 산화막 또는 기판(10) 상에 부착된 유기물을 제거할 수 있으며, 혼합 비율은 1:4:20 내지 1:4:100 정도일 수 있으며, 세정 공정에 따라 적절하게 변경될 수 있다.In general, a mixed solution of ammonium hydroxide, hydrogen peroxide, and deionized water, called a standard clean 1 (SC1) solution, may remove an oxide film formed on the substrate 10 or an organic substance attached to the substrate 10, and the mixing ratio is 1 It may be about 4: 4 to about 1: 4: 100, and may be appropriately changed depending on the washing process.

그리고, Lal 용액이라 불리는 불화암모늄과 불산 및 탈이온수의 혼합액은 기판(10) 상에 형성된 산화막을 제거할 수 있으며, 인산과 탈이온수를 포함하는 혼합액은 상기 Lal 용액으로 처리가 불가능한 나이트라이드(nitride) 계열의 이물질을 제거할 수 있다.In addition, the mixed solution of ammonium fluoride, hydrofluoric acid and deionized water called Lal solution may remove the oxide film formed on the substrate 10, and the mixed solution containing phosphoric acid and deionized water may be nitride which cannot be treated with the Lal solution. ) Can remove foreign substances in the series.

프론트노즐(150)은 스핀 헤드(121) 상에 기판(10)이 로딩되는 경우, 기 판(10)의 상면(12)으로 세정액을 공급한다. 프론트노즐(150)은 초음파 발생기(290)에 설치될 수 있다. 한편, 도 1에 도시된 바와 달리, 프론트노즐(150)은 초음파 발생기(290)와 분리되어 기판(10)의 상면(12) 상에 설치될 수도 있다. The front nozzle 150 supplies a cleaning liquid to the upper surface 12 of the substrate 10 when the substrate 10 is loaded on the spin head 121. The front nozzle 150 may be installed in the ultrasonic generator 290. 1, the front nozzle 150 may be separated from the ultrasonic generator 290 and installed on the upper surface 12 of the substrate 10.

초음파 발생기(290)는 기판(10)의 상면(12) 상에 설치되며, 기판(10)의 상면(12) 및 이면(11)에 공급된 세정액에 초음파 진동을 인가한다. The ultrasonic generator 290 is installed on the upper surface 12 of the substrate 10 and applies ultrasonic vibration to the cleaning liquids supplied to the upper surface 12 and the rear surface 11 of the substrate 10.

도 2를 참조하면, 초음파 발생기(290)는 복수의 주파수를 가지는 진동 에너지를 제공하는 초음파 진동부(232, 234, 238)와, 초음파 진동부(232, 234, 238)를 수납하는 하우징(240)을 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2, the ultrasonic generator 290 may include ultrasonic vibration units 232, 234, and 238 that provide vibration energy having a plurality of frequencies, and housing 240 that accommodates ultrasonic vibration units 232, 234, and 238. It may be configured to include).

초음파 진동부(232, 234, 238)는 전기 에너지를 진동 에너지로 변환하는 트랜스듀서(transducer, 238)와 트랜스듀서(238)에 의해 진동하는 트랜스미터(transmitter, 232)를 포함하여 구성될 수 있다. 트랜스미터(232)는 진동자라고도 불리는데, 이하 설명에 있어서는 트랜스미터라고 칭하기로 한다.The ultrasonic vibrators 232, 234, and 238 may include a transducer 238 for converting electrical energy into vibration energy and a transmitter 232 vibrated by the transducer 238. The transmitter 232 is also called a vibrator, which will be referred to as a transmitter in the following description.

트랜스미터(232)는 기판 지지부(120)에 지지된 기판(10)의 상면(12) 상에 배치될 수 있다. 트랜스미터(232)는 백노즐부(130) 및 프론트노즐(150)을 통해 기판(10)의 상면(12) 및 이면(11)에 공급된 세정액에 초음파 진동을 인가할 수 있다. The transmitter 232 may be disposed on the top surface 12 of the substrate 10 supported by the substrate support 120. The transmitter 232 may apply ultrasonic vibration to the cleaning liquid supplied to the upper surface 12 and the rear surface 11 of the substrate 10 through the back nozzle 130 and the front nozzle 150.

도시된 바와 같이 트랜스미터(232)는 기판(10)을 향하여 갈수록 점차 증가하는 단면적을 가지도록 형성될 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 트랜스미터(232)는 원형 단면을 가지며, 기판(10)의 상면(12)에 공급된 세정액과 접촉되는 트랜스미터(232)의 하부면의 직경이, 트랜스미터(232)의 상부면의 직경보다 크다. 여기서, 트랜스미터(232)의 단면 형상은 이에 한정되지 아니하며, 원형이 아닌 다른 단면 형상을 가질 수도 있다. As shown, the transmitter 232 may be formed to have a cross-sectional area that gradually increases toward the substrate 10. The transmitter 232 shown in FIGS. 1 and 2 has a circular cross section, and the diameter of the lower surface of the transmitter 232, which is in contact with the cleaning liquid supplied to the upper surface 12 of the substrate 10, of the transmitter 232. Larger than the diameter of the top surface. Here, the cross-sectional shape of the transmitter 232 is not limited to this, and may have a cross-sectional shape other than circular.

트랜스미터(232)의 단면적이 트랜스미터(232)의 상부면으로부터 트랜스미터(232)의 하부면을 향하여 점차 증가하면, 초음파 진동 에너지가 넓게 분산될 수 있다. 이에 따라, 기판(10) 상에 형성된 미세 패턴이 손상되는 것을 방지할 수 있다. If the cross-sectional area of the transmitter 232 gradually increases from the top surface of the transmitter 232 toward the bottom surface of the transmitter 232, the ultrasonic vibration energy may be widely dispersed. Accordingly, it is possible to prevent the fine pattern formed on the substrate 10 from being damaged.

트랜스미터(232)의 하부면 직경은 이에 한정되는 것은 아니나 바람직하게는 기판(10) 반경의 0.2 내지 1배일 수 있다. 트랜스미터(232)의 하부면 직경이 기판(10) 반경의 0.2배보다 작은 경우, 세정 공정의 시간이 너무 길어질 수 있기 때문이다. 그리고, 트랜스미터(232)의 하부면 직경이 기판(10) 반경보다 큰 경우, 기판(10)과 트랜스미터(232) 사이로 세정액이 원활하게 공금되지 않을 수 있기 때문이다.The diameter of the lower surface of the transmitter 232 is not limited thereto, but may preferably be 0.2 to 1 times the radius of the substrate 10. This is because if the diameter of the bottom surface of the transmitter 232 is smaller than 0.2 times the radius of the substrate 10, the cleaning process may take too long. When the diameter of the lower surface of the transmitter 232 is larger than the radius of the substrate 10, the cleaning liquid may not be smoothly deposited between the substrate 10 and the transmitter 232.

트랜스미터(232)는 초음파 에너지를 효과적으로 전달하는 물질, 예를 들어 석영으로 제조될 수 있다. 석영으로 제조된 트랜스미터(232)는 대부분의 세정액에 만족스럽게 사용될 수 있지만, 불산을 포함하는 세정액은 석영을 식각할 수 있다. 따라서, 불산을 포함하는 세정액이 사용되는 경우, 사파이어(sappahire), 탄화규소(silicon carbide), 질화붕소(boron nitride) 등이 석영 대신에 사용될 수 있다. 또는 석영으로 제조된 트랜스미터(232)에 불산에 견딜 수 있는 탄화규소나 탄소유리(vitreous carbon)를 코팅하여 사용할 수 있다.The transmitter 232 may be made of a material that effectively transmits ultrasonic energy, for example quartz. Transmitter 232 made of quartz can be used satisfactorily for most cleaning solutions, but cleaning solutions containing hydrofluoric acid can etch quartz. Therefore, when a cleaning liquid containing hydrofluoric acid is used, sapphire, silicon carbide, boron nitride, or the like may be used instead of quartz. Alternatively, the transmitter 232 made of quartz may be coated with silicon carbide or vitreous carbon capable of withstanding hydrofluoric acid.

트랜스듀서(238)는 전기적인 에너지를 물리적인 진동 에너지로 변환시켜 초음파 진동을 최초 발생시키는 역할을 한다. 트랜스듀서(238)에 의해 발생하는 진동 에너지의 주파수는 압전 소자의 두께에 따라서 다르게 나타날 수가 있다.The transducer 238 converts electrical energy into physical vibration energy and serves to generate ultrasonic vibration for the first time. The frequency of the vibration energy generated by the transducer 238 may vary depending on the thickness of the piezoelectric element.

초음파 세정은 초음파의 입자 가속도와 캐비테이션을 이용한다. 입자 가속도는 특히 초음파의 주파수가 1MHz 이상인 메가소닉 세정에서 주된 세정 원리가 된다. 그리고, 캐비테이션은 초음파가 세정액으로 전달될 때 발생하는 압력의 변화에 의해서 캐비티가 붕괴되면서 발생하는 충격 현상이다.Ultrasonic cleaning uses particle acceleration and cavitation of ultrasonic waves. Particle acceleration is a major cleaning principle, especially in megasonic cleaning where the frequency of the ultrasonic waves is 1 MHz or more. Cavitation is a shock phenomenon that occurs when the cavity collapses due to a change in pressure generated when ultrasonic waves are delivered to the cleaning liquid.

초음파가 가진 주파수가 낮을수록 입자 가속도가 느려지고, 충격력이 강해진다. 그리고, 주파수가 낮아질수록, 캐비티의 크기가 커지고, 캐비테이션의 강도가 강해진다. 이렇게 초음파의 주파수가 낮아지면, 기판(10)상의 큰 입자를 제거할 수 있다. The lower the frequency of the ultrasonic waves, the slower the particle acceleration and the stronger the impact force. As the frequency decreases, the size of the cavity increases, and the strength of the cavitation becomes stronger. When the frequency of the ultrasonic waves is lowered in this way, large particles on the substrate 10 can be removed.

반면, 초음파의 주파수가 높을수록 입자 가속도가 빨라지고, 충격력이 약해진다. 그리고, 주파수가 높아질수록, 캐비티의 크기가 작아지고, 캐비테이션의 강도가 약해진다. 이렇게 초음파의 주파수가 커지면, 큰 입자를 제거할 수 있는 능력이 떨어질 수 있다. 그러나 캐비테이션의 밀도가 높아지므로, 침투력이 향상되어서, 정밀 세척이 가능해진다.On the other hand, the higher the frequency of the ultrasonic waves, the faster the particle acceleration and the weaker the impact force. As the frequency increases, the size of the cavity becomes smaller and the strength of the cavitation becomes weaker. Increasing the frequency of ultrasonic waves can reduce the ability to remove large particles. However, since the density of the cavitation is high, the penetration force is improved, and precise washing is possible.

압전 소자의 두께가 두꺼우면 낮은 주파수의 초음파 진동 에너지가 발생하고, 압전 소자의 두께가 얇으면 상대적으로 높은 주파수의 초음파 진동 에너지가 발생한다. 따라서, 세정 목적에 다라서 압전 소자의 두께를 달리 형성하여 목적에 맞는 초음파 진동 에너지를 발생시킬 수 있다. If the thickness of the piezoelectric element is thick, ultrasonic vibration energy of low frequency is generated, and if the thickness of the piezoelectric element is thin, ultrasonic vibration energy of relatively high frequency is generated. Therefore, the thickness of the piezoelectric element may be differently formed depending on the cleaning purpose to generate ultrasonic vibration energy suitable for the purpose.

트랜스듀서(238)에 인가되는 전기 에너지는 발진기와 같은 초음파 에너지 소스(미도시)로부터 제공될 수 있다. 다수의 전기 커넥터(254)와 제2 회전축(264)을 관통하는 전선(256)에 의해서, 트랜스듀서(238)와 초음파 에너지 소스(미도시)가 연결될 수 있다. Electrical energy applied to the transducer 238 may be provided from an ultrasonic energy source (not shown), such as an oscillator. The transducer 238 and the ultrasonic energy source (not shown) may be connected by wires 256 passing through the plurality of electrical connectors 254 and the second rotation shaft 264.

초음파 진동부(232, 234, 238)는 버퍼(234)를 포함할 수 있다.The ultrasonic vibrators 232, 234, and 238 may include a buffer 234.

버퍼(234)는 트랜스듀서(238)와 트랜스미터(232) 사이에 배치되며, 트랜스듀서(238)에서 발생되는 초음파 진동 에너지를 손실없이 트랜스미터(232) 상면에 제공하는 역할을 할 수 있다.The buffer 234 is disposed between the transducer 238 and the transmitter 232, and may serve to provide ultrasonic vibration energy generated by the transducer 238 to the upper surface of the transmitter 232 without loss.

버퍼(234)는 트랜스미터(232)의 상부면에 음향적으로 결합될 수 있고, 트랜스듀서(238)는 버퍼(234)의 상부면에 음향적으로 결합될 수 있다. 여기서, 트랜스미터(232)와 버퍼(234)는 접착 물질에 의해 접착될 수 있다. 또한, 트랜스미터(232)와 버퍼(234) 사이에 다수의 홀이 형성되어 있는 얇은 금속 스크린이 개재될 수 있다.The buffer 234 may be acoustically coupled to the top surface of the transmitter 232, and the transducer 238 may be acoustically coupled to the top surface of the buffer 234. Here, the transmitter 232 and the buffer 234 may be bonded by an adhesive material. In addition, a thin metal screen may be interposed with a plurality of holes formed between the transmitter 232 and the buffer 234.

버퍼(234)는 원기둥 형상을 가질 수 있으며, 트랜스미터(232)의 열전도도보다 높은 열전도도를 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 버퍼(234)는 동, 알루미늄 등과 같이 열전도도가 높은 물질로 이루어질 수 있다.The buffer 234 may have a cylindrical shape, and may be formed of a material having a thermal conductivity higher than that of the transmitter 232. For example, the buffer 234 may be made of a material having high thermal conductivity, such as copper and aluminum.

하우징(240)은 원통 형상을 가질 수 있고, 트랜스미터(232)와 버퍼(234)를 수납할 수 있다. 하우징(240)은 원형의 컵(242)과 커버(244)를 포함할 수 있다. 컵(242)과 커버(244)는 복수의 볼트(246)에 의해 결합될 수 있다.The housing 240 may have a cylindrical shape and may receive the transmitter 232 and the buffer 234. The housing 240 may include a circular cup 242 and a cover 244. Cup 242 and cover 244 may be coupled by a plurality of bolts 246.

초음파 노즐(290)은 초음파 노즐(290)을 회전 운동시키는 제2 모터(262)와 제2 회전축(264)를 더 포함할 수 있다.The ultrasonic nozzle 290 may further include a second motor 262 and a second rotating shaft 264 that rotate the ultrasonic nozzle 290.

제2 모터(262)는 수평 암(250)의 상부면에 설치될 수 있으며 제2 회전 축(264)에 연결될 수 있다. 제2 모터(262)는 회전력을 발생시키고, 제2 회전축(264)에 회전력을 전달할 수 있다. 제2 회전축(264)은 하우징(240)의 상부와 연결되는데, 따라서 제2 회전축(264)이 회전함에 따라서 하우징(240) 및 하우징(240)에 결합되는 트랜스미터(232) 등을 일체로 회전시킬 수가 있다. The second motor 262 may be installed on the upper surface of the horizontal arm 250 and may be connected to the second rotation shaft 264. The second motor 262 may generate a rotational force and transmit the rotational force to the second rotation shaft 264. The second rotating shaft 264 is connected to the upper portion of the housing 240, so that as the second rotating shaft 264 rotates to rotate the housing 240 and the transmitter 232 coupled to the housing 240 integrally. There is a number.

초음파 노즐(290)은 초음파 진동부(232, 234, 238)의 온/오프를 제어하는 제어부(270)를 더 포함할 수 있는데, 초암파 제어부(270)는 트랜스듀서(238)에 인가되는 전기 에너지를 온/오프하여, 초음파 진동부(232, 234, 238)의 온/오프를 제어할 수 있다.The ultrasonic nozzle 290 may further include a controller 270 that controls the on / off of the ultrasonic vibration units 232, 234, and 238, and the ultra-high frequency control unit 270 is applied to the transducer 238. By turning on / off the energy, it is possible to control the on / off of the ultrasonic vibration units 232, 234, and 238.

바울(110)의 일측에는 트랜스미터(232)의 높이를 조절하기 위한 공압 실린더(278)가 배치될 수 있고, 공압 실린더(278)는 트랜스미터(232)를 수평 방향으로 이동시키기 위한 제3 모터(272)와 연결될 수 있다.One side of the pole 110 may be a pneumatic cylinder 278 for adjusting the height of the transmitter 232, the pneumatic cylinder 278 is a third motor 272 for moving the transmitter 232 in the horizontal direction ) Can be connected.

제3 모터(272)의 회전력을 전달하는 제3 회전축(274)은 수평 암(250)과 연결될 수 있다. 공압 실린더(278)는 제3 모터(272)를 수직 방향으로 이동시키며, 제3 모터(272)는 수평 암(250)을 회전시킨다. 트랜스미터(232)가 바울(110) 내에서 수평 방향으로 이동하도록, 수평 암(250)은 일정한 각도 내에서 회전할 수 있다. 기판(10)이 회전하고, 트랜스미터(232)가 수평 방향으로 이동함으로써, 기판(10)의 상면(12) 및 이면(11)에 공급된 세정액에 초음파 진동이 균일하게 인가될 수 있다.The third rotation shaft 274 transmitting the rotational force of the third motor 272 may be connected to the horizontal arm 250. The pneumatic cylinder 278 moves the third motor 272 in the vertical direction, and the third motor 272 rotates the horizontal arm 250. The horizontal arm 250 can rotate within a certain angle so that the transmitter 232 moves in the horizontal direction within the paul 110. As the substrate 10 rotates and the transmitter 232 moves in the horizontal direction, ultrasonic vibrations may be uniformly applied to the cleaning liquids supplied to the upper surface 12 and the rear surface 11 of the substrate 10.

도 1에 도시된 바에 의하면, 트랜스미터(232)의 수평 방향 이동은 수평 암(250)과 제3 모터(272)에 의해 수행되며, 트랜스미터(232)의 수직 방향 이동은 공압 실린더(278)에 의해 수행된다. 그러나, 트랜스미터(232)의 수평 방향 이동 및 수직 방향 이동은 모터와 볼 스크루 타입의 구동 장치에 의해 각각 수행될 수도 있다.As shown in FIG. 1, the horizontal movement of the transmitter 232 is performed by the horizontal arm 250 and the third motor 272, and the vertical movement of the transmitter 232 by the pneumatic cylinder 278. Is performed. However, the horizontal movement and the vertical movement of the transmitter 232 may be performed by a motor and a ball screw type driving device, respectively.

도 3 및 도 4를 참조하여 백노즐부에 대하여 상세히 설명한다. 도 3은 도 1에 도시된 스핀 헤드의 평면도이다. 도 4는 백노즐부의 노즐의 구성과 노즐과 기판과의 관계를 설명하기 위한 도면으로, 도 3에 도시된 I-I' 선을 따라 절단한 백노즐부의 몸체의 단면 및 기판을 도시한 것이다.The back nozzle unit will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. 3 is a plan view of the spin head shown in FIG. 1. FIG. 4 is a view for explaining the configuration of the nozzle of the back nozzle part and the relationship between the nozzle and the substrate, and illustrates a cross section and the substrate of the body of the back nozzle part cut along the line II ′ shown in FIG. 3.

도 3을 참조하면, 백노즐부(130)의 몸체(131)는 원형의 평면 구조를 가질 수 있다. 몸체(131)에는 다수개의 제1 노즐(132) 및 다수개의 제2 노즐(133)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 3, the body 131 of the back nozzle unit 130 may have a circular planar structure. A plurality of first nozzles 132 and a plurality of second nozzles 133 may be formed in the body 131.

도 4를 참조하면, 몸체(131)의 내부에는 세정액 공급 라인(134, 135)이 형성되어 있으며, 세정액 공급 라인(134, 135)의 일단에는 각각 제1 노즐 및 제2 노즐(132, 133)이 설치되어 있다. 제1 노즐(132)은 튜브 형상으로 형성될 수 있으며, 제1 노즐(132)의 끝단에는 기판(10)의 이면(11)에 대하여 수직방향으로 세정액을 분사하는 제1 분사구(136)가 형성된다. Referring to FIG. 4, cleaning liquid supply lines 134 and 135 are formed in the body 131, and first and second nozzles 132 and 133 are respectively formed at one end of the cleaning liquid supply lines 134 and 135. Is installed. The first nozzle 132 may be formed in a tube shape, and a first injection hole 136 is formed at the end of the first nozzle 132 to spray the cleaning liquid in a direction perpendicular to the back surface 11 of the substrate 10. do.

제2 노즐(133)은 상부가 덮힌 튜브 형상으로 형성될 수 있으며, 제2 노즐(133)의 상단부에는 기판(10)의 이면(11)에 대하여 사선방향으로 세정액을 분사하는 제2 분사구(137)이 형성된다. 제2 분사구(137)는 기판(10)의 이면(11)에 대하여 사선방향으로 세정액을 분사하므로, 제2 분사구(137)의 중심축(a)과 기판(10)의 이면(11)이 이루는 각(θ)은 0°보다 크고 90°보다 작다. 또한 제2 분사구(137)는 중심축(a)이 기판(10)의 이면(11)의 중심(c)을 향하도록 형성될 수 있다. 제2 분사 구(137)를 통하여 분사되는 세정액은 기판(10)과의 반발력이 최소화됨으로써, 원심력에 의해 기판(10)의 이면(11)의 에지부까지 도달할 수 있게 된다. 따라서 기판(10)의 이면(11) 세정시 기판(10)의 에지부까지 고른 세정이 가능하며, 세정력을 향상시킬 수 있다. The second nozzle 133 may be formed in the shape of a tube covered with an upper portion, and a second injection hole 137 spraying the cleaning liquid in an oblique direction to the rear surface 11 of the substrate 10 at an upper end of the second nozzle 133. ) Is formed. Since the second injection hole 137 sprays the cleaning liquid in an oblique direction with respect to the rear surface 11 of the substrate 10, the center axis a of the second injection hole 137 and the rear surface 11 of the substrate 10 are formed. The angle θ is greater than 0 ° and less than 90 °. In addition, the second injection hole 137 may be formed such that the central axis a faces the center c of the rear surface 11 of the substrate 10. Since the repelling force with the substrate 10 is minimized, the cleaning liquid sprayed through the second injection hole 137 may reach the edge portion of the back surface 11 of the substrate 10 by centrifugal force. Accordingly, when the back surface 11 of the substrate 10 is cleaned, the edges of the substrate 10 may be evenly cleaned and the cleaning power may be improved.

제1 노즐(132) 및 제2 노즐(133)은 스핀 헤드(121)의 상부면과 수직한 방향으로 설치된다. 제1 분사구(136) 및 제2 분사구(137)를 통하여 세정액은 동시에 분사되며, 제1 분사구(136) 및 제2 분사구(137)는 홀 형상 또는 슬릿 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The first nozzle 132 and the second nozzle 133 are installed in a direction perpendicular to the upper surface of the spin head 121. The cleaning liquid is simultaneously sprayed through the first injection hole 136 and the second injection hole 137, and the first injection hole 136 and the second injection hole 137 may be formed in various shapes such as a hole shape or a slit shape.

기판 지지부(120)의 상부면, 즉 스핀 헤드(121)의 상부면으로부터 제2 분사구(137)까지의 높이(h2)가 스핀 헤드(121)의 상부면으로부터 제1 분사구(136)까지의 높이(h1)보다 크도록 형성할 수 있다. 즉, 제2 분사구(137)를 기판(10)의 이면(11)에 보다 가까이 형성할 수 있다. 이렇게 함으로써, 제2 분사구(137)를 통하여 분사되는 세정액이 기판(10)의 에지부까지 고르게 분사될 수 있으며, 제1 분사구(136)를 통하여 분사되는 세정액과 제2 분사구(137)를 통하여 분사되는 세정액 사이에 간섭이 발생하지 않을 수 있다. The height h2 from the top surface of the substrate support 120, that is, from the top surface of the spin head 121 to the second injection hole 137, is the height from the top surface of the spin head 121 to the first injection hole 136. It can be formed larger than (h1). That is, the second injection hole 137 may be formed closer to the rear surface 11 of the substrate 10. In this way, the cleaning liquid sprayed through the second injection hole 137 may be evenly sprayed to the edge portion of the substrate 10, and the cleaning liquid sprayed through the first injection hole 136 and the second injection hole 137 may be injected. Interference may not occur between the cleaning liquids.

한편, 제2 노즐(133)의 폭이 제1 노즐(132)의 폭보다 크도록 형성할 수도 있다. Meanwhile, the width of the second nozzle 133 may be larger than the width of the first nozzle 132.

도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 이용하여 기판의 상면 및 이면을 동시에 세정하는 공정을 설명한다.A process of simultaneously cleaning the upper and rear surfaces of a substrate using a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

프론트노즐(150) 및 백노즐부(130)로부터 기판(10)의 상면(12) 및 이면(11) 으로 세정액을 분사시켜 기판(10)의 상면(12) 및 이면(11)에 동시에 수막을 형성한다. 이때, 기판(10)의 회전을 최소화하여 상면(12)의 세정액이 이면(11)의 일정 부분까지 흘러가게 하는 동시에, 백노즐부(130), 특히 기판(10)의 이면(11)에 대하여 사선방향으로 세정액을 분사하는 제2 분사구(137)가 형성된 제2 노즐(133)을 이용하여 세정액을 분사하여 세정액의 흐름이 이면(11)의 에지부를 향하도록 함으로써, 상면(12)으로부터 흘러들어온 세정액과 연결되도록 할 수 있다. 이렇게 함으로써, 기판(10)의 상면(12) 및 이면(11)에 동시에 수막을 형성할 수 있다. A water film is sprayed onto the upper surface 12 and the rear surface 11 of the substrate 10 by spraying a cleaning liquid from the front nozzle 150 and the back nozzle unit 130 to the upper surface 12 and the rear surface 11 of the substrate 10. Form. At this time, the rotation of the substrate 10 is minimized so that the cleaning liquid of the upper surface 12 flows to a predetermined portion of the rear surface 11, and at the same time, the back nozzle part 130, in particular, the rear surface 11 of the substrate 10. The cleaning liquid is injected using the second nozzle 133 having the second injection hole 137 for spraying the cleaning liquid in an oblique direction to direct the flow of the cleaning liquid toward the edge portion of the rear surface 11, thereby flowing from the upper surface 12. It can be connected to the cleaning liquid. By doing in this way, a water film can be formed in the upper surface 12 and the back surface 11 of the board | substrate 10 simultaneously.

기판(10)의 상면(12) 및 이면(11)에 수막이 형성될 때 초음파 발생기(290)를 이용하여 초음파를 발생시킴으로써, 기판(10)의 상면(12) 및 이면(11)을 동시에 세정할 수 있다.  When the water film is formed on the upper surface 12 and the rear surface 11 of the substrate 10, ultrasonic waves are generated using the ultrasonic generator 290, thereby simultaneously cleaning the upper surface 12 and the rear surface 11 of the substrate 10. can do.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains have various permutations, modifications, and modifications without departing from the spirit or essential features of the present invention. It is to be understood that modifications may be made and other embodiments may be embodied. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 초음파 발생기를 설명하기 위한 상세도이다. FIG. 2 is a detailed view for explaining the ultrasonic generator illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 스핀 헤드의 평면도이다. 3 is a plan view of the spin head shown in FIG. 1.

도 4는 백노즐부의 노즐의 구성과 노즐과 기판과의 관계를 설명하기 위한 도면으로, 도 3에 도시된 I-I' 선을 따라 절단한 백노즐부의 몸체의 단면 및 기판을 도시한 것이다.FIG. 4 is a view for explaining the configuration of the nozzle of the back nozzle part and the relationship between the nozzle and the substrate, and illustrates a cross section and the substrate of the body of the back nozzle part cut along the line II ′ shown in FIG. 3.

*도면의 주요 부분에 대한 설명** Description of the main parts of the drawings *

110: 바울 120: 기판 지지부110: Paul 120: substrate support

130: 백노즐부 131: 몸체130: back nozzle 131: body

132: 제1 노즐 133: 제2 노즐132: first nozzle 133: second nozzle

136: 제1 분사구 137: 제2 분사구136: first nozzle 137: second nozzle

150: 프론트노즐 290: 초음파 발생기150: front nozzle 290: ultrasonic generator

Claims (5)

기판을 지지하는 기판 지지부; A substrate support for supporting a substrate; 상기 기판의 상면에 세정액을 분사하는 프론트노즐;A front nozzle for spraying a cleaning liquid on the upper surface of the substrate; 상기 기판 지지부의 상부면에 설치되며, 공정시 상기 기판의 이면으로 상기 세정액을 분사하는 백노즐부; 및A back nozzle part installed on an upper surface of the substrate support part and spraying the cleaning liquid to the rear surface of the substrate during a process; And 발생된 초음파를 상기 세정액에 인가하는 초음파 발생기를 포함하되, Including an ultrasonic generator for applying the generated ultrasonic waves to the cleaning liquid, 상기 백노즐부는 상기 기판의 이면에 대하여 수직방향으로 상기 세정액을 분사하는 제1 분사구가 형성된 제1 노즐, 및 상기 기판의 이면에 대하여 사선방향으로 상기 세정액을 분사하는 제2 분사구가 형성된 제2 노즐을 포함하는 기판 세정 장치. The back nozzle part includes a first nozzle having a first nozzle for injecting the cleaning liquid in a direction perpendicular to the rear surface of the substrate, and a second nozzle having a second nozzle for injecting the cleaning liquid in an oblique direction to the rear surface of the substrate. Substrate cleaning apparatus comprising a. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 분사구의 중심축과 상기 기판의 이면이 이루는 각은 0°보다 크고 90°보다 작은 기판 세정 장치. The angle formed between the central axis of the second injection port and the back surface of the substrate is greater than 0 ° and less than 90 °. 제 2항에 있어서, 3. The method of claim 2, 상기 제2 분사구의 중심축은 상기 기판의 이면의 중심을 향하는 기판 세정 장치.And a center axis of the second injection hole faces a center of a rear surface of the substrate. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 기판 지지부의 상부면으로부터 상기 제2 분사구까지의 높이는 상기 기판 지지부의 상부면으로부터 상기 제1 분사구까지의 높이보다 큰 기판 세정 장치.And a height from the upper surface of the substrate support to the second injection hole is greater than a height from the upper surface of the substrate support to the first injection hole. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프론트노즐 및 상기 백노즐부의 상기 제1 분사구와 상기 제2 분사구는 동시에 상기 세정액을 분사하는 기판 세정 장치.And the first injection hole and the second injection hole of the front nozzle and the back nozzle unit simultaneously spray the cleaning liquid.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20200078128A (en) * 2018-12-21 2020-07-01 세메스 주식회사 Apparatus and method for processing substrate

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