KR100871876B1

KR100871876B1 - 광검출기를 이용한 포토마스크 표면의 헤이즈 검출장치 및그 검출방법

Info

Publication number: KR100871876B1
Application number: KR1020060093326A
Authority: KR
Inventors: 위해성; 김종수; 이창환
Original assignee: 나노전광 주식회사
Priority date: 2006-09-26
Filing date: 2006-09-26
Publication date: 2008-12-03
Also published as: KR20080028040A

Abstract

본 발명은 포토마스크 표면에 헤이즈(Haze)를 생성시키며, 그 현상을 실시간으로 관측 할 수 있는 헤이즈 검출장치 및 그 검출방법에 관한 것으로, 헤이즈 생성을 유발하는 레이저와, 빔의 모양을 결정하는 빔 형성 텔레스코프와, 빔의 강도를 균일한 에너지 분포로 형성하는 균질기와, 포토마스크 표면에 도달할 빔의 크기를 결정짓는 초점 광학계와, 빔의 일부를 반사시키고 그 나머지를 투과시키는 빔 스프리터와 포토마스크에 도달하는 빔의 에너지의 세기를 빔 스프리터를 이용하여 실시간으로 측정하는 에너지 검출기와, 헤이즈 생성 유무를 실시간으로 검출하는 광검출기로 작동하는 헤이즈 검출기, 및 포토마스크 표면의 변화 및 헤이즈 생성 위치 제어를 위한 현미경으로 구성됨을 특징으로 한다.

포토마스크, 헤이즈, 헤이즈 검출장치

Description

광검출기를 이용한 포토마스크 표면의 헤이즈 검출장치 및 그 검출방법{Apparatus for detecting hazes of photomask surface using photo detector and method for detecting thereof}

도 1은 본 발명에 따른 포토마스크 표면의 헤이즈 생성 및 검출장치

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 포토다이오드를 이용한 헤이즈 검출기

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 광증배관을 이용한 헤이즈 검출기

도 4는 본 발명의 헤이즈 생성 및 검출방법을 나타낸 흐름도

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 레이저 11, 12, 16 : 미러

13 : 빔 형성 텔레스코프 14 : 균질기

15 : 초점 광학계 17 : 빔 스프리터

18 : 에너지 검출기 19 : 포토마스크

20 : 현미경 30 : 헤이즈 검출기

40 : 포토다이오드 41, 59 : 전자 검출기

50 : 광증배관

본 발명은 헤이즈 검출장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토마스크 표면에 성장성 결함(Defect)인 헤이즈(Haze)를 인위적으로 생성시켜 그 원인을 찾는 광검출기를 이용한 헤이즈 검출장치 및 그 검출방법에 관한 것이다.

현재 반도체 공정은 소자의 집적도가 높아짐에 따라 패턴의 해상도를 향상시키기 위해 노광원의 파장이 더욱더 짧아지는 추세이다. 그로 인해 기존의 파장대에서 발생하지 않았던 헤이즈라는 성장성 결함 현상이 나타나게 되었다.

기존의 파장대에서 헤이즈가 생성되지 않았던 것은 기존의 I-line(365nm) 이상의 파장으로 포토리소그래피 공정을 하는 경우 노광에너지가 상대적으로 낮아서 포토마스크 표면에 남아있는 잔존이온(Residue)들이 광화학 반응을 일으키는 현상이 발생하지 않았기 때문이다.

그러나 248nm 이하로 광원의 파장이 짧아짐에 따라, 즉 ArF(193nm), KrF(248nm) 엑시머(Excimer) 레이저를 사용하는 극자외선(DUV: Deep Ultra Violet) 리소그래피 영역에서는 노광에너지가 증가하고 이로 인해 포토마스크 표면에 남아있는 잔존이온들이 광화학 반응을 일으켜 헤이즈라는 성장성 결함을 생성시킨다.

포토마스크를 이루는 물질, 포토마스크 세정후의 잔존이온, 공정에서 생성되는 잔존이온, 펠리클 자체와 펠리클에 사용되는 접착제, 레티클 물질의 탈착, 레티클 보관함(Storage Box), 스텝퍼(Stepper) 및 팹(Fab) 자체의 분위기 물질 등이 모 두 포토마스크 표면의 헤이즈의 생성 원인이 될 수 있다. 이들 잔존이온은 처음에는 단위 분자 수준의 파티클 오염으로 포토마스크 표면에 생성 되지만, 노광에너지가 증가하면서 노광시 일종의 광화학 반응을 일으켜 결정성장하게 되며 팹에서의 사용 횟수가 늘어나면서 노광량 축적에 의해 헤이즈가 생성, 점진적 성장을 하게 된다. 이렇게 헤이즈가 생성 및 성장하여 일정 수준 이상의 크기와 분포를 이루게 되면 노광시 투과도에 영향을 미쳐 웨이퍼에 도달하는 노광에너지의 양에 변화가 생기게 된다. 이는 곧 노광 패턴에 오류를 일으켜 수율에 치명적인 영향을 미치게 된다.

이와 같이 ArF(193nm), KrF(248nm) 엑시머(Excimer) 레이저를 사용하는 극자외선 리소그래피 영역에서는 헤이즈라는 성장성 결함이 점진적으로 생성되어 아무리 철저하게 세정된 포토마스크라도 팹에서의 사용 시간이 일정 한도 이상이 되면 헤이즈의 생성과 성장으로 인한 포토마스크 결함으로 수율에 치명적인 영향을 미치게 되었다. 따라서 이러한 헤이즈의 생성 및 성장이 공정 수율에 가시적인 악영향을 미칠만큼 확대되기 전에 검출해 낼 수 있어야 할 필요성이 대두되었다.

그러나 헤이즈의 생성은 초기에 분자 수준의 파티클 오염에서부터 시작하여 광화학 반응의 누적에 의한 점진적 성장 및 분포로 이루어지므로 어느 정도 성장이 이루어져(~1μm) 가시적인 영향을 미치기 전의 성장 초기 단계에서는 아직 헤이즈의 크기가 작아서 검출하기가 어려운 실정이다. 정확한 헤이즈의 원인과 생성기작은 현재도 계속 연구되고 있다.

이에 대한 원인 규명 및 해결방안을 위해서는 인위적인 헤이즈 생성을 요구 하게 되었으며, 기존에는 웨이퍼 공정에서 사용하는 노광기(Scanner)에서 수백 시간 이상의 노광을 지속적으로 진행하여 헤이즈의 생성을 유도하였다. 그러나 이러한 수백 시간 이상의 노광을 통한 헤이즈 생성 유도는 헤이즈의 생성억제를 위한 기술적 대응방안을 마련하기에 너무나 많은 시간적 소모를 가져오게 되며, 이는 시급히 해결해야 할 과제일 것이다. 그리고 헤이즈의 생성 원인을 밝혀내기 위하여 정량화된 에너지, 이온, 온도, 습도의 제어 또한 반드시 필요할 것이다. 또한 헤이즈 생성 유무를 측정하기 위해서는 별도로 고가의 장비를 이용해서 장시간에 걸친 검사를 통해서 판단함으로 정확한 생성 시점을 파악하기가 어려운 실정이다.

현재 반도체 웨이퍼의 오염 파티클 검출을 위해서는 스캐터링 방식의 파티클 검출기가 나와 있다. 스캐터링(Scattering) 방식의 파티클 검출기는 Ar(488nm), He-Ne(633nm) 레이저 등의 광원을 사용하며 기판 상의 파티클에 의한 스캐터링 광을 집광하여 광증배관(PMT: Photo Muliplier Tube)으로 받아 파티클 신호를 검출하거나 또는 스캐터링 광의 분포 패턴을 분석하여 결정 결함을 검출한다. 하지만 이들 파티클 검출기는 반도체 웨이퍼를 대상으로 하고 있으며 포토마스크 자체의 헤이즈 검출을 위한 장치는 전무한 실정이다. 반도체 웨이퍼를 위한 파티클 검출기의 원리를 포토마스크에 적용한다고 해도 검출가능한 파티클의 크기가 마이크로미터 수준이므로 헤이즈 성장 초기 단계에서의 검출은 불가능하다. 그 외에 포토마스크 패턴 검사 장비도 있으나 역시 오염 파티클이 검출 감도를 넘는 크기로 성장한 후에야 검출이 가능하여 성장 초기 단계에서의 헤이즈 검출은 불가능하다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은 포토마스크 표면에 반복적인 포토리소그래피 공정을 진행함에 따라 생성되는 성장성 결함인 헤이즈를 수 시간 내에 생성을 유도하며, 생성 과정을 실시간으로 관측하여 헤이즈의 성장 초기 단계에서의 검출 및 생성 원인에 대한 정량적 분석이 가능한 헤이즈 검출장치 및 그 검출방법을 제공하는데 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 헤이즈 검출장치는, 고출력 빔을 방출하는 레이저와; 상기 빔의 모양을 결정하는 빔 형성 텔레스코프와; 상기 빔의 강도를 균일한 에너지 분포로 형성하는 균질기와; 포토마스크 표면에 도달할 빔의 초점을 맞추고 빔의 크기를 결정짓는 초점 광학계와; 상기 포토마스크에 도달하는 빔의 에너지 세기를 빔 스프리터를 이용하여 실시간으로 측정하는 에너지 검출기와; 광검출기를 이용하여 헤이즈 생성 유무를 실시간으로 검출하는 헤이즈 검출기; 및 상기 포토마스크 표면의 변화 및 헤이즈 생성 위치 제어를 위한 현미경;을 포함하고, 상기 헤이즈 검출기는, 포토마스크에 표면에 평행한 광을 조사하여 투과광을 생성하는 광원부와, 상기 투과광을 받아 광생성으로 전자의 흐름을 발생하는 포토다이오드, 및 상기 포토다이오드로부터의 전자 신호를 측정하는 전자 검출기로 구성됨을 특징으로 한다.

삭제

또한, 상기 헤이즈 검출기는, 포토마스크에 표면에 평행한 광을 조사하여 투과광을 생성하는 광원부와; 상기 투과광을 받아 광전효과를 일으켜 전자를 방출하 는 광음극과; 상기 광음극으로부터 방출된 전자를 전자 증폭부로 집속시키는 집속전극과; 집속된 전자를 가속시키고 증가된 전자를 방출하는 전극들과; 상기 전극들에 의한 가속 및 증가한 전자를 받아들이는 양극; 및 상기 양극으로부터의 전자 신호를 측정하는 전자 검출기;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 광검출기는 포토다이오드 또는 광증배관을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 광검출기는 포토마스크 표면의 헤이즈와의 상호작용으로 투과도가 변화된 광을 전자 신호 또는 증폭된 전자 신호로 바꾸어 출력하는 것을 특징으로 한다.

상기 광검출기는 투과광의 파장이 상기 광증배관의 광전효과 가능 범위를 벗어날 경우 투과광과 광증배관 사이에 섬광체를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 섬광체는 투과광을 받아들여 상기 광증배관의 광전효과 가능 범위의 파장을 갖는 광을 발산하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 헤이즈 검출방법은, 고출력 레이저로 빔을 방출하는 제1단계와; 빔 형성 텔레스코프를 이용하여 빔의 모양을 결정하는 제2단계와; 균질기를 이용하여 빔의 강도를 균일한 에너지 분포로 형성하는 제3단계와; 초점 광학계를 이용하여 포토마스크 표면에 도달할 빔의 초점을 맞추고 빔의 크기를 결정짓는 제4단계와; 빔 스프리터를 이용하여 포토마스크에 도달하는 빔 에너지 세기를 에너지 검출기로 실시간으로 측정하는 제5단계와; 광검출기로 작동하는 헤이즈 검출기를 이용하여 헤이즈 생성 유무를 실시간으로 검출하는 제6단계; 및 현미경을 이용하여 포토마스크 표면의 변화 및 헤이즈 생성 위치를 제어하는 제7단계를 포함하고, 상기 제6단계는, 포토마스크 표면에 평행한 광을 조사하여 포토마스크 표면의 헤이즈 정보를 포함하는 투과광을 생성하는 제6-1단계와, 광검출기를 이용하여 입력된 투과광을 전자 신호 또는 증폭된 전자 신호로 바꾸어 출력하는 제6-2단계와; 출력된 전자 신호를 측정하여 포토마스크 투과광의 세기 정보를 추출하는 제6-3단계; 및 광검출기로 포토마스크 표면에 헤이즈가 생성되어 있으면 포토마스크 투과광의 광강도 정보로부터 헤이즈를 검출하는 제6-4단계로 이루어짐을 특징으로 한다.

상기 제5단계는, 포토마스크에 노광되는 총 에너지로 환산하여 저장하는 제5-1단계와; 레이저가 작동된 이후 일정한 간격으로 가스 주입량, 온도 및 습도의 챔버 환경과 총 누적 에너지 값을 저장하는 제5-2단계; 및 헤이즈의 생성여부를 실시간으로 디스플레이 해주는 제5-3단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

삭제

이하 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다. 도 1은 본 발명의 헤이즈 생성 및 검출장치를 나타낸 것이다.

도 1을 참조하면, 헤이즈 생성 및 검출장치는 극자외선(Deep Ultra Violet)
의 파장으로 수백 Hz 이상의 고주파수 빔을 방출하는 엑시머 레이저(10)와, 제1,2
미러(11,12)를 거쳐 빔의 모양을 정사각형 혹은 직사각형의 형태로 결정하는 빔 형
성 텔레스코프(Beam Forming Telescope, 13)와, 빔의 에너지 강도 분포를 가우시
안(Gaussian)에서 균일한 에너지 분포로 형성하는 균질기(Homogenizer, 14)와, 포
토마스크(19) 표면에 도달할 빔의 초점을 맞추고 빔의 크기를 결정짓는 초점 광학
계(Focusing Optics, 15)와, 제3미러(16)를 거친 빔의 일부분을 빔 스프리터(17)로
분리하여 포토마스크(19)에 도달하는 에너지의 세기를 정량적으로 측정하는 에너지
검출기(Energy Detector, 18)와, 포토마스크(19) 표면에 형성된 헤이즈 생성유무를
파악하기 위해 포토다이오드를 광검출기로 이용한 헤이즈 검출기(30), 및 상기 포
토마스크 표면의 변화 및 헤이즈 생성 위치 제어를 위한 현미경(20)으로 구성되어 이루어진다.

여기서, 상기 에너지 검출기(18)는 포토마스크(19)에 노광되는 총 에너지로 환산하여 저장하고, 레이저가 작동된 이후 일정한 간격으로 가스 주입량, 온도 및 습도의 챔버 환경과 총 누적 에너지 값을 저장하며, 헤이즈의 생성여부를 실시간으로 디스플레이 해준다.

도 1에 도시되지 않았으나, 상기 포토마스크(19)는 헤이즈 생성을 유발하는 가스 량 및 온 습도를 조절할 수 있는 공정용 챔버 안에 위치하게 되며, 챔버와 결합한 스테이지에 의해 포토마스크(19) 로딩 및 위치가 제어된다.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 포토다이오드를 광검출기로 이용하는 헤이즈 검출기를 나타낸 것이다.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 헤이즈 검출기(30)는 포토마스크(19) 표면에 평행한 입사광(33)을 조사하여 투과광(34)을 생성시키는 광원부(31)와, 상기 투과광(34)을 받아 광생성으로 전자의 흐름을 발생하는 포토다이오드(40)와, 상기 포토다이오드(40)로부터의 전자 신호를 측정하는 전자 검출기(41)로 구성되어 이루어진다.

도 2의 포토다이오드(40)가 포토마스크(19) 표면의 헤이즈(32)를 검출하는 원리는 광원부(31)로부터의 평행한 입사광(33)이 포토마스크(19)에 조사되어 포토마스크 표면의 헤이즈(32)와의 상호작용으로 투과도가 변화된 투과광(34)을 생성하고, 포토다이오드(40)가 투과광(34)을 받아들여 전자의 흐름으로 바꾸고, 포토다이오드(40)로부터의 전자 신호를 전자 검출기(42)에 입력하고, 입력된 전자 신호로부터 포토마스크(19) 투과광(34)의 세기 정보를 추출한다.

이때, 상기 포토다이오드(40)는 광생성을 일으키는 반도체 소자(41)를 사용하여 미소한 세기의 광이라도 전자의 흐름으로 바꾸어 출력하므로 포토마스크(19) 표면에 헤이즈(32)가 생성되어 있으면 그렇지 아니한 경우와 비교하여 포토마스크(19) 투과광(34)의 미소한 차이로부터 헤이즈(32)를 검출할 수 있다.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 광증배관을 광검출기로 이용하는 헤이즈 검출기를 나타낸 것이다.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 헤이즈 검출기(30)는 포토마스크(19) 표면에 평행한 입사광(33)을 조사하여 투과광(34)을 생성시키는 광원부(31)와, 상기 투과광(34)을 받아 광전 효과를 일으켜 전자를 방출하는 광음극(51)과, 상기 광음극(51)으로부터 방출된 전자(52)를 전자 증폭부로 집속시키는 집속전극(53)과, 집속된 전자(52)에 전압을 걸어 가속시키고 충돌반응에 의해 증가된 전자를 방출하는 제1전극(54)과, 상기 제1전극(54)으로부터 방출된 전자를 가속시키고 충돌 반응에 의해 증가된 전자를 방출하는 제2 전극(55), 제3 전극(56),... 제N 전극(57)의 일련의 전극들과, 전극들에 의한 가속 및 충돌반응으로 눈사태처럼 증가한 전자를 받아들이는 양극(58)과, 상기 양극(58)으로부터의 전자 신호를 측정하는 전자 검출기 (59)로 구성되어 있다.

도 3의 광증배관(50)이 포토마스크(19) 표면의 헤이즈(32)를 검출하는 원리는 광원부(31)로부터의 평행한 입사광(33)이 포토마스크(19)에 조사되어 포토마스크 표면의 헤이즈(32)와의 상호작용으로 투과도가 변화된 투과광(34)을 생성하고, 광증배관(50)이 투과광(34)을 받아들여 전자(52)로 바꾸어 증폭하고, 증폭된 전자 신호를 전자 검출기(59)에 입력하고, 입력된 전자 신호로부터 포토마스크(19) 투과광(34)의 세기 정보를 추출한다.

이때, 상기 광증배관(50)은 광전 효과를 일으키는 광음극(51)을 사용하여 미소한 세기의 광이라도 전자로 바꾸어 전극들(54, 55, 56, ...57)에 닿으면서 전자의 수가 폭발적으로 늘어난 것을 출력하므로 포토마스크(19) 표면에 헤이즈(32)가 생성되어 있으면 그렇지 아니한 경우와 비교하여 포토마스크(19) 투과광(34)의 미소한 차이로부터 헤이즈(32)를 검출할 수 있다.

도 3의 광원부(31)는 헤이즈(32)와의 상호작용에서 가장 흡수가 많이 일어나는 광원을 이용하는 것이 바람직하다. 헤이즈(32)와의 상호작용에서 흡수가 많이 일어나면 헤이즈(32)가 없는 경우와 비교하여 투과도의 변화량이 큰 투과광(34)을 생성하게 되므로 광증배관(50)으로부터의 헤이즈(32) 검출이 용이하게 된다.

도 3의 광원부(31)로부터 생성된 포토마스크(19) 투과광(34)의 파장이 광증배관(50)의 광전효과 가능 범위를 벗어날 경우, 투과광(34)과 광증배관(50) 사이에 섬광체를 설치하여 투과광의 파장을 변화시켜 광증배관(50)으로 입사시킬 수 있다.

여기서, 상기 섬광체는 투과광(34)을 받아들여 광증배관(50)의 광전효과 가 능 범위의 파장을 갖는 광을 발산하는 것을 특징으로 한다.

도 4는 본 발명의 헤이즈 생성 및 검출방법의 흐름도를 나타낸 것이다.

도 4를 참조하면, 먼저 공정 챔버에 공정을 수행하고자 하는 샘플 포토마스크를 로딩한 다음(500), 제어용 인터페이스 장치를 통해 레이저의 노광 조건을 설정하고(501), 공정 챔버의 헤이즈 생성 테스트 조건을 설정(502)한 후 레이저 빔을 조사하여 헤이즈를 생성시키며, 또한 광검출기로 작동하는 헤이즈 검출기로 실시간으로 검출하여(503), 이때 얻어지는 모든 데이터를 컴퓨터에 저장하고(504), 공정 챔버 내를 세정 한 후(505), 공정이 완료된 포토마스크를 언로딩 하여(506) 헤이즈 생성 및 검출 공정을 완료한다.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 웨이퍼의 리소그래피 공정과 동일한 환경에서 기존의 수백 시간에 걸친 노광과 별도의 검사 장비를 이용하여 헤이즈 생성유무를 파악하는 것을 수 시간 만으로 단축시키는 효과를 나타내며, 챔버의 환경 제어와, 노광에너지의 측정 및 생성된 헤이즈의 실시간 검출이 가능해짐으로써 헤이즈가 생성되는 원인을 정량적으로 분석할 수 있는 장점이 있으며, 별도의 고가 장비를 이용해서 헤이즈 생성 유무를 오랜 시간에 걸쳐 검사하는 것을 생성과 동시에 실시간으로 검출하는 장점이 있다.

Claims

헤이즈 검출장치에 있어서

고출력 빔을 방출하는 레이저와;

상기 빔의 모양을 결정하는 빔 형성 텔레스코프와;

상기 빔의 강도를 균일한 에너지 분포로 형성하는 균질기와;

포토마스크 표면에 도달할 빔의 초점을 맞추고 빔의 크기를 결정짓는 초점 광학계와;

상기 포토마스크에 도달하는 빔의 에너지 세기를 빔 스프리터를 이용하여 실시간으로 측정하는 에너지 검출기와;

광검출기를 이용하여 헤이즈 생성 유무를 실시간으로 검출하는 헤이즈 검출기; 및

상기 포토마스크 표면의 변화 및 헤이즈 생성 위치 제어를 위한 현미경;을 포함하고,

상기 헤이즈 검출기는,

포토마스크에 표면에 평행한 광을 조사하여 투과광을 생성하는 광원부와, 상기 투과광을 받아 광생성으로 전자의 흐름을 발생하는 포토다이오드, 및 상기 포토다이오드로부터의 전자 신호를 측정하는 전자 검출기로 구성된 것을 특징으로 하는 헤이즈 검출장치.
제 1 항에 있어서,

상기 광검출기는 포토다이오드 또는 광증배관을 이용하는 것을 특징으로 하는 헤이즈 검출장치.
제 1 항에 있어서,

상기 광검출기는 포토마스크 표면의 헤이즈와의 상호작용으로 투과도가 변화된 광을 전자 신호 또는 증폭된 전자 신호로 바꾸어 출력하는 것을 특징으로 하는 헤이즈 검출장치.
삭제
삭제
제 1 항에 있어서,

상기 광검출기는 투과광의 파장이 광증배관의 광전효과 가능 범위를 벗어날 경우 투과광과 광증배관 사이에 섬광체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 헤이즈 검출장치.
제 6 항에 있어서,

상기 섬광체는 투과광을 받아들여 상기 광증배관의 광전효과 가능 범위의 파장을 갖는 광을 발산하는 것을 특징으로 하는 헤이즈 검출장치.
헤이즈 검출 방법에 있어서,

고출력 레이저로 빔을 방출하는 제1단계와;

빔 형성 텔레스코프를 이용하여 빔의 모양을 결정하는 제2단계와;

균질기를 이용하여 빔의 강도를 균일한 에너지 분포로 형성하는 제3단계와;

초점 광학계를 이용하여 포토마스크 표면에 도달할 빔의 초점을 맞추고 빔의 크기를 결정짓는 제4단계와;

빔 스프리터를 이용하여 포토마스크에 도달하는 빔 에너지 세기를 에너지 검출기로 실시간으로 측정하는 제5단계와;

광검출기로 작동하는 헤이즈 검출기를 이용하여 헤이즈 생성 유무를 실시간으로 검출하는 제6단계; 및

현미경을 이용하여 포토마스크 표면의 변화 및 헤이즈 생성 위치를 제어하는 제7단계를 포함하고,

상기 제6단계는,

포토마스크 표면에 평행한 광을 조사하여 포토마스크 표면의 헤이즈 정보를 포함하는 투과광을 생성하는 제6-1단계와, 광검출기를 이용하여 입력된 투과광을 전자 신호 또는 증폭된 전자 신호로 바꾸어 출력하는 제6-2단계와, 출력된 전자 신호를 측정하여 포토마스크 투과광의 세기 정보를 추출하는 제6-3단계, 및 광검출기로 포토마스크 표면에 헤이즈가 생성되어 있으면 포토마스크 투과광의 광강도 정보로부터 헤이즈를 검출하는 제6-4단계로 이루어짐을 특징으로 하는 헤이즈 검출방법.
제 8 항에 있어서,

상기 제5단계는,

포토마스크에 노광되는 총 에너지로 환산하여 저장하는 제5-1단계와;

레이저가 작동된 이후 일정한 간격으로 가스 주입량, 온도 및 습도의 챔버 환경과 총 누적 에너지 값을 저장하는 제5-2단계; 및

헤이즈의 생성여부를 실시간으로 디스플레이 해주는 제5-3단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 헤이즈 검출방법.
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