KR100870338B1 - 반도체 소자의 커패시터 및 커패시터의 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자의 커패시터 및 커패시터의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (7)
- 트렌치 형태의 하부전극으로서, 내부에 복수개의 실리콘 돌출부들을 구비하는 실리콘 기판;상기 하부전극 상에 상기 돌출부들을 둘러싸는 구조로 형성된 절연층;상기 절연층상에 배치되며, 상기 실리콘 돌출부 사이에 형성되어 상부전극으로서 기능하는 폴리실리콘층; 및상기 실리콘 기판 내의 측벽 외부에는, 타소자들을 분리하기 위한 소자 분리막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 커패시터.
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- 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 커패시터.
- 실리콘 기판 상에 질화막 및 제 1 폴리실리콘층을 차례로 증착하고, 그 위 에 포토레지스트를 1개 이상의 홈모양을 갖도록 패터닝하는 단계;상기 포토레지스트를 식각마스크로 제 1 폴리실리콘층을 식각하는 단계;상기 폴리실리콘층 상에 제 1 산화막을 형성하는 단계;건식 식각 공정을 이용하여 상기 제 1 산화막을 복수개의 돌출부 형상을 포함하도록 형성하는 단계;상기 돌출부 형상의 측벽에 제 1 산화막을 잔류시키고, 상기 제 1 폴리실리콘층을 제거하는 단계;상기 제 1 산화막을 식각마스크로 하여 상기 질화막, 그리고 상기 실리콘 기판의 일부분을 식각하는 단계;상기 전체구조 상에 제 2 산화막을 형성하는 단계; 및상기 질화막상에 제 2 폴리실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 건식 식각 공정은 Cl2 및 HBr등의 플라즈마를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 실리콘 기판과 질화막 사이에 열산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터의 제조방법.
- 상부 표면이 요철(凹凸)부를 포함하는 하부 전극;상기 하부전극 상에 상기 요철(凹凸)부의 표면을 따라 형성된 절연층;상기 요철(凹凸)부 사이를 채우며 상기 절연막층 상에 형성된 상부 전극; 및상기 하부 전극의 외부 측벽에 타소자들과 분리하기 위한 소자 분리막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 커패시터.
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KR980006370A (ko) * | 1996-06-28 | 1998-03-30 | 김주용 | 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 |
JPH10154796A (ja) * | 1996-09-16 | 1998-06-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 基板内に高静電容量の記憶ノード構造を製造するための方法、及び高静電容量の記憶ノードを有する基板 |
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