KR100870132B1 - Spectroscopic ellipsometer using acoustic-optic tunable filter and ellipsometry using thereof - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 타원해석기의 작용을 보여주는 모식도. 1 is a schematic diagram showing the operation of the conventional ellipsometer.
도 2는 본 발명에 따른 분광타원해석기의 구성을 보여주는 블록도.Figure 2 is a block diagram showing the configuration of a spectroscopic ellipsometer according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 음향광학변조필터의 구성을 보여주는 블록도.Figure 3 is a block diagram showing the configuration of an acoustic optical modulation filter according to the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 음향광학변조필터에서 발생하는 회절 편광을 보여주는 모식도.Figure 4 is a schematic diagram showing the diffraction polarization generated in the acoustic optical modulation filter according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 음향광학변조필터의 구성을 보여주는 블록도.Figure 5 is a block diagram showing the configuration of an acoustic optical modulation filter according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 시편의 두께와 굴절률을 측정하는 타원해석법을 나타내는 절차도.Figure 6 is a procedure showing an elliptic analysis method for measuring the thickness and refractive index of the specimen according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>
1:분광타원해석기,1: spectroscopic ellipsometer,
2:광원부,2: light source,
3:시편부,3: Psalm,
4:분광 및 편광변조부,4: spectral and polarization modulator,
5:검출부,5: detection unit,
6:신호처리 및 제어부,6: signal processing and control unit,
7:입사광,7: Incident light,
9:측정광,9: measuring light,
9a:e- 회절광,9a: e- diffracted light,
9b:o- 회절광,9b: o- diffracted light,
40:음향광학 변조필터,40: acoustic optical modulation filter,
55:측정데이터,55: measurement data,
61:음향광학 변조필터 드라이버,61: acoustic optical modulation filter driver,
62:음향광학 변조필터 조절신호,62: acoustic optical modulation filter control signal,
63:RF신호,63: RF signal,
64:광원부 편광 조절신호.64: light source polarization control signal.
본 발명은 음향광학 변조필터를 이용한 분광타원해석기 및 이를 이용한 타원해석방법에 대한 것으로, 더욱 상세하게는 여러 파장에서의 편광 특성을 이용하여 다층 박막을 포함한 박막 측정의 정확도를 향상시킬 수 있는 분광타원해석기 및 그 타원해석방법에 관한 것이다.The present invention relates to a spectroscopic ellipsometer using an acoustic optical modulation filter and an elliptic analysis method using the same, and more particularly, to a spectroscopic ellipse that can improve the accuracy of thin film measurement including a multilayer thin film using polarization characteristics at various wavelengths. The present invention relates to an analyzer and an elliptic analysis method thereof.
일반적으로 타원해석방법은 시료에서 반사, 혹은 투과되어 나오는 빛의 편광 상태 변화를 측정하여 시료의 광학적 또는 구조적인 특성을 알아내는 분석방법이다. 초기에는 주로 얇은 산화막의 두께 정도에 사용하였으나, 개인용 컴퓨터의 발달과 더불어 자동화되고, 분광능력을 갖춘 분광타원해석기가 개발되고, 이와 함께 소위 모형화 과정이 자리를 잡게 됨에 따라 표면 및 다층박막에 대한 정량적인 분석이 가능해졌다. In general, an elliptic analysis method is an analysis method for determining optical or structural characteristics of a sample by measuring a change in polarization state of light reflected or transmitted from the sample. Initially mainly used for the thickness of thin oxide films, but with the development of personal computers, automated and spectroscopic ellipsometers were developed, and the so-called modeling process was established to quantitatively quantify surface and multilayer thin films. Phosphorus analysis was possible.
이러한 분광타원해석기(SE)는 미합중국 특허 제 5,625,455호 및 5,373,359호 등에 자세하게 소개되어 있다. Such a spectroscopic ellipsometer (SE) is described in detail in US Pat. Nos. 5,625,455 and 5,373,359.
분광타원 해석기는 광학적인 측정장비로서 가지는 비파괴성, 비간섭성과 다층박막의 구조 분석 능력, 높은 두께 분해능(수 Å단위) 등의 장점을 살려 분광타원해석기 독자적으로 또는 다른 장비와 연계하여 박막 및 표면에 관한 많은 연구 및 산업적 응용에 크게 기여하고 있다. 1980년대 후반 부터는 박막 성장과정의 실시간 측정에 대한 관심이 크게 높아져 단파장 타원해석기나 분광타원해석기를 박막 성장장비 또는 식각장비에 설치한 후 박막 성장 과정을 실시간으로 관찰하므로써 박막의 초기 성장시 틈새분포 굴절률의 변화를 측정하거나 박막의 두께 및 조성비 등을 실시간으로 측정하는 연구가 활발하게 진행되고 있다. The spectroscopic ellipsometer is an optical measuring instrument that has the advantages of nondestructiveness, non-interference, structure analysis ability of multi-layer thin film, and high thickness resolution (units of several units). Has contributed greatly to many research and industrial applications. Since the late 1980s, interest in real-time measurement of thin film growth has been greatly increased, and since the short-wave ellipsometer or spectroscopic ellipsometer was installed in the thin film growth equipment or the etching equipment, the gap growth refractive index during the initial growth of the thin film was observed. Research to measure the change in the film thickness or composition ratio of the thin film in real time is being actively conducted.
음향광학 변조필터는 비등방성 결정의 양단에 피에조를 이용하여 음향파를 발생시킨다. 결정내에서 음향파의 정상파가 형성되며 회절 격자와 같은 역할을 하게 됨으로써 파장에 대한 밴드 패스필터로서 사용할 수 있다. 음향광학 변조 필터의 장점은 피에조에 가해지는 RF신호의 주파수를 변화시키면, 결정내의 정상파의 주기가 변화하게 되어, 밴드 패스필터의 중심파장을 변화시킬 수 있다. 즉 RF신호 를 변화시킴으로써 임의의 파장 대역만을 통과시킬 수 있는 필터로서 사용할 수 있다. The acoustooptic modulation filter generates acoustic waves using piezos on both ends of the anisotropic crystal. The standing wave of the acoustic wave is formed in the crystal and acts as a diffraction grating, so that it can be used as a band pass filter for the wavelength. An advantage of the acousto-optic modulation filter is that changing the frequency of the RF signal applied to the piezo changes the period of the standing wave in the crystal, thereby changing the center wavelength of the band pass filter. That is, it can be used as a filter that can pass only an arbitrary wavelength band by changing the RF signal.
음향광학 변조필터의 또 다른 특징은 비등방성에 의하여 서로 수직한 방향의 서로 다른 편광상태의 회절광이 발생한다는 점이다. 즉 임의의 파장 대역폭과 임의의 편광상태를 갖는 빛이 음향 광학 변조필터에 입사하게 되면, 결정의 방향에 의하여 정해진 서로 다른 2개의 편광상태를 가진 회절광이 서로 다른 각도로 발생하며, 각 회절광의 파장대역은 결정에 가해준 RF신호에 의해 정해진다. Another characteristic of the acoustooptic modulation filter is that anisotropy produces diffracted light of different polarization states in a direction perpendicular to each other. That is, when light having an arbitrary wavelength bandwidth and an arbitrary polarization state is incident on the acoustooptic modulation filter, diffracted light having two different polarization states determined by the direction of the crystal is generated at different angles. The wavelength band is determined by the RF signal applied to the crystal.
음향광학 변조필터의 편광특성을 이용하는 경우, 비등방성 결정이나 정상파가 완벽하지 않기 때문에 각 편광의 회절광사이에 혼선오차가 발생하게 된다. When the polarization characteristic of the acoustooptic modulation filter is used, crosstalk errors occur between diffracted light of each polarization because anisotropic crystals or standing waves are not perfect.
타원해석기는 박막에 입사하는 빛을 미리 정의된 편광상태로 변형한 후, 박막에서 반사되는 빛의 편광상태를 분석한다. 즉 박막에 의한 편광상태 변화를 추출한 후 미리 고려된 이론적 모델에 의하여 박막의 굴절률 및 두께를 계산해낸다. 타원해석기는 여러 가지 형태가 있지만 가장 기본적인 장치는 단색광원부분에 선형편광기가 위치한다. 따라서 빛은 선형 편광상태가 된다. 선형 편광된 빛은 시편부에서 반사되며, 편광의 변화를 겪은 뒤에 따라 측정광의 세기가 변화하게 되며, 이 변화를 측정하여 박막의 두께와 굴절률을 계산해내게 된다. 광원부의 편광기와 검출부의 회전 편광기는 서로 위치를 바꿀 수 있으며, 이 밖에도 편광상태를 변화시키는 다양한 소자들을 사용할 수 있다. The ellipsometer analyzes the light incident on the thin film to a predefined polarization state and then analyzes the polarization state of the light reflected from the thin film. That is, the refractive index and the thickness of the thin film are calculated by extracting the change of the polarization state by the thin film by the previously considered theoretical model. Elliptical analyzers come in many forms, but the most basic device is a linear polarizer located in a monochromatic light source. Thus, light is in a linearly polarized state. The linearly polarized light is reflected from the specimen, and the intensity of the measured light changes as the polarization changes, and the change is calculated to calculate the thickness and refractive index of the thin film. The polarizer of the light source unit and the rotating polarizer of the detector may be interchanged with each other. In addition, various elements for changing the polarization state may be used.
타원해석기의 측정원리에 대해 설명하면 다음과 같다.The measuring principle of the elliptical analyzer is as follows.
도 1은 타원해석방법을 이용한 시편의 두께와 굴절률을 측정하는 원리를 보 여주는 모식도이다. 즉, 도 1과 같이 빛은 시편의 표면에서 반사되면 그 편광상태가 달라진다. 반사광의 편광상태가 물질의 광학적 성질과 층의 두께 등에 의하여 달라진다는 사실은 1889년 드러드(Drude)에 의하여 발견되었으나, 전기 화학 분야에서 시작하여 이 측정법의 장점이 알려지고 점차 다른 분야의 연구에 사용되기 까지는 수십년의 세월이 필요하였다. 1 is a schematic diagram showing the principle of measuring the thickness and refractive index of the specimen using the elliptic analysis method. That is, as shown in FIG. 1, when light is reflected from the surface of the specimen, its polarization state is changed. The fact that the polarization state of the reflected light varies with the optical properties of the material and the thickness of the layer was discovered by Drude in 1889.However, starting from the field of electrochemistry, the advantages of this method are known and are increasingly being studied in other fields. It required decades of use before it could be used.
타원해석기(1)는 광원을 선형 편광시키는 편광기(미도시)와 측정할 시편(미도시), 그리고 시편(미도시)에 의해서 변형된 편광상태를 측정하는 분석기와 검출기로 구분할 수 있다는 것은 널리 알려져 있는 사실이다. It is well known that the
이러한 타원해석기(1)에서는 굴절률(n)과 허수부분인 소광계수(k)를 동시에 간단히 측정할 수 있다. 반사율 측정에서는 정밀한 측정을 하려면 매우 까다로운 과정을 거치지만 타원해석기(1)의 경우에는 하나의 편광상태가 다른 편광상태의 기준이 되므로 실험기구를 다시 움직이거나 할 필요가 없고, 광원이나 온도에 따른 측정오차가 매우 적은 편이다 In this
물질의 광학적인 특성이나 유전적 성질이 빛의 파장에 따라 그 값이 달라지는 분산현상에 의해 유전율은 상수가 아닌 유전함수가 된다. The dielectric constant becomes a dielectric function, not a constant, due to the dispersion phenomenon in which the optical or dielectric properties of a material vary depending on the wavelength of light.
유전함수는 ε(w)=ε1+iε2 로 실수부와 허수부로 구성된 복소함수로 표시되며, 복소굴절률과는 다음과 같은 관계가 있다. The dielectric function is expressed as a complex function consisting of real and imaginary parts with ε (w) = ε 1 + i ε 2 , and has a relation with the complex refractive index as follows.
실제로 타원해석기(1)의 측정값은 타원해석기 값 또는 타원해석기 각이라 불리우는 (φ,Δ)이다. 이 두 변수의 값을 이용하여 물질의 광학적 성질이나 미세 구조적 특성 등의 원하는 정보를 알아내게 된다. In practice, the measured value of the
순수한 덩이의 표면이라든지 박막이 덮여 있든지 관계없이, 시료의 구조와 그 구성물질들의 광학적 두께와 굴절률 그리고 입사각 등을 알면 다음과 같은 식에 의해 그 반사계수를 계산해 낼 수 있다. Regardless of the surface of a pure tube or covered with a thin film, the reflection coefficient can be calculated by the following equation by knowing the structure of the sample, the optical thickness, refractive index, and angle of incidence of its components.
여기서 |rp (s)|는 입사파의 전기장 세기(Eip (s))와 반사파의 전기장의 세기(Erp (s))의 크기의 비이다. 그리고 δp(s) 는 반사후의 위상변화이다. 이를 이용하여 복소반사계수비(ρ)를 정의할 수 있다.Where | r p (s) | is the ratio of the magnitude of the electric field strength (E ip (s) ) of the incident wave and the electric field strength (E rp (s) ) of the reflected wave. And δ p (s) is the phase change after reflection. Using this, the complex reflection coefficient ratio ρ can be defined.
이로부터 두 각이 정의된다. 즉, 타원해석기(1) 수학식은 From this two angles are defined. That is, the elliptic analyzer (1) equation
이 되며, Δ와 φ의 입력식은 [수학식 7] 또는 [수학식 8]과 같다.The input formulas of Δ and φ are the same as in [Equation 7] or [Equation 8].
Δ와 같은 위상으로 입사한 p-파와 s-파가 반사 후에 갖게 되는 상호간의 위상차이고 tanφ는 반사계수의 크기의 비율이다. 입사각이 0°일 때에는 이 두각이 의미가 없다. 따라서 두 타원해석기(1) 사이각은 물질이 비등방성이 있는 경우가 아니면 항시 특정입사각을 가져야 측정이 가능하다. 또한 위상차가 0°에서 180°이므로 벌크 물질의 경우 타원해석기각은 일정한 범위를 갖지만, 박막이 있는 경우는 (φ,Δ)값에 제한이 없다. 일반적으로 반사된 후 p-파와 s-파의 크기가 다르고, 또한 그 위상차가 있기 때문에 반사된 빛은 도 1에서처럼 타원편광이 된다. The phase difference between the p-wave and the s-wave incident on the same phase as Δ is obtained after reflection, and tanφ is the ratio of the magnitude of the reflection coefficient. When the angle of incidence is 0 °, the two angles are meaningless. Therefore, the angle between two ellipsometers (1) can be measured only if the material has an incidence angle at all times unless the material is anisotropic. In addition, since the phase difference is 0 ° to 180 °, the elliptic solver angle of the bulk material has a certain range, but there is no limitation on the (φ, Δ) value in the case of the thin film. In general, the reflected light becomes elliptical polarization as shown in FIG.
특히 다층 박막의 경우 산란 행렬S는 계면 행렬I와 층 행렬 L로 표현이 가능한데, 이러한 행렬은 다음과 같이 표현된다. In particular, in the case of a multi-layered thin film, the scattering matrix S can be expressed by the interfacial matrix I and the layer matrix L, which are expressed as follows.
여기서 Ijj +1 은 j 번째와 (j+1)번째 층간의 경계면에서의 현상을 나타내는 계면행렬이고, Lj +1은 (j+1)번째 층을 지날 때의 현상을 표현한 층 행렬이다. 이들 행렬은 프레넬의 반사계수 및 투과계수 등으로 표현이 된다.Where I jj +1 is the interface matrix representing the phenomenon at the interface between the jth and (j + 1) th layers, and L j +1 is the layer matrix representing the phenomenon when passing through the (j + 1) th layer. These matrices are represented by Fresnel's reflection coefficient, transmission coefficient, and the like.
이에 대한 상세는 당업자에게 용이한 사항이므로 구체적인 설명을 생략한다. 결국 산란 행렬은 2×2의 인자를 갖는데 p파와 s파에 대한 산란 행렬을 각각 계산한 후 반사계수를 다음과 같이 구할 수 있다. Details thereof are easy to those skilled in the art, and thus detailed descriptions thereof will be omitted. After all, the scattering matrix has a factor of 2 × 2. After calculating the scattering matrices for the p-wave and the s-wave, respectively, the reflection coefficient can be obtained as follows.
이러한 복소 반사계수비는 타원해석기 각(φ,Δ)을 구하는 데 사용된다. This complex reflection coefficient ratio is used to find the ellipsometer angle φ, Δ.
이러한 타원해석기는 측정결과를 이용하여 이론적인 모델에 피팅을 하여 굴절률과 두께를 얻어내기 때문에, 다층박막을 측정하거나 보다 정밀한 측정을 위해 서는 다양한 측정결과를 필요로 한다. 이를 위해 분광타원해석기가 제안되었다. 분광타원해석기는 일반적인 타원해석기를 다양한 파장에서 측정할 수 있도록 개선한 것으로서, 파장을 주사할 수 있는 단색화 장치나 분광기가 사용되기도 한다. Since the ellipsometer is used to obtain the refractive index and thickness by fitting to the theoretical model using the measurement results, various measurement results are required for measuring the multilayer thin film or for more accurate measurement. For this purpose, a spectroscopic ellipsometer has been proposed. Spectroscopic ellipsometer is an improved elliptical analyzer to measure at various wavelengths, and monochromator or spectrometer which can scan wavelength is used.
타원해석기의 또 다른 단점으로는 단일 측정점을 얻는데 있다. 따라서 측정 면적이 넓은 경우에는 시편을 움직이면서 측정해야 한다. 따라서 기술적 수준으로볼 때, 가장 진보한 타원해석기는 분광결상 타원해석기이며, 본 발명도 결상 타원해석방법을 적용할 수 있으므로 분광타원 해석기로 구현가능하다. 이러한 분광타원 해석기는 사용되는 광학 소자의 개수가 증가함으로써 장치가 복잡하고, 그에 따른 정렬오차나 각 소자간의 간섭 및 편광오차가 누적되어 장치의 기계 및 소프트웨어적 정렬이 쉽지 않으며 유지관리가 어렵다.Another drawback of elliptical analyzers is obtaining a single measurement point. Therefore, if the measuring area is large, it should be measured while moving the specimen. Therefore, in view of the technical level, the most advanced ellipsometer is a spectroscopic elliptical analyzer, and the present invention can also be implemented as a spectroscopic ellipsoidal analyzer because the present invention can apply an imaging elliptic analysis method. The spectroscopic ellipsometer is complicated by the increase in the number of optical elements used, the alignment error or interference and polarization error between each accumulate cumulative mechanical and software alignment of the device is difficult and difficult to maintain.
기존의 음향광학 변조 필터(40)를 이용한 편광 측정장치는 측정시편에 입사하는 편광상태를 조절하는 부분이 없다. 또한 기존의 음향광학 변조 필터를 이용하는 결상타원 해석기는 음향광학 변조 필터를 단순히 분광소자로서 사용하며, 2개의 음향 광학 변조 필터를 사용하거나 편광기들을 추가로 이용하고 있는 바 구성이 간단하지 않고, 실질적으로 측정시간이 길어지게 되는 단점이 있었다. The polarization measuring apparatus using the conventional acousto-
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로써, 미리 정해진 편광상태의 입사광이 시편부에서 반사되어 발생하는 편광변화를 음향광학 변조필터에서 발생하는 서로 다른 편광상태의 두 회절광을 동시에 측정하여, 검출부의 앞단에 별도의 편광기나 편광상태를 조절하는 광학 소자없이도 편광상태를 측정할 수 있다.In order to solve this problem, the present invention is to measure the polarization change generated by the incident light of a predetermined polarization state reflected from the specimen and simultaneously measure two diffracted light of different polarization states generated by the acoustic optical modulation filter. In addition, the polarization state can be measured without a separate polarizer or an optical element for controlling the polarization state in front of the detector.
본 발명의 또다른 목적은 음향광학 변조필터에서 발생하는 두 회절광을 모두 측정함으로써 음성광학 변조필터에서 발생하는 편광에 의한 혼선 오차를 보상하여 보다 정밀한 분석을 가능하게 하는 것이다.Another object of the present invention is to measure both diffracted light generated by the acoustooptic modulation filter to compensate for crosstalk errors due to polarization generated by the acoustooptic modulation filter to enable more accurate analysis.
본 발명의 그 밖의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부 도면들과 관련되어 설명되는 이하의 상세한 설명의 바람직한 실시예들로부터 더욱 명확해질 것이다. Other objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the following detailed description which is described in connection with the accompanying drawings.
본 발명에 따른 음향광학변조필터를 이용한 타원해석기(1)는 단사광을 출사하는 광원(21); 광원(21)으로부터 조사되는 단색광이 반사되는 시편부(3)와,; 음향광학변조필터(40)를 포함한 파장 및 편광 변조부(4)와; 음향광학변조필터(40)로부터의 2개의 회절광(9a,9b)을 2차원 결상 소자(51a,51b)로 측정하는 검출부(5)와; 편광혼선 오차를 보상하고, 시편(31)의 굴절률 및 두께를 계산하는 신호처리 제어부(6);를 포함하는 것을 특징으로 한다.The
다음으로는 본 발명에 따른 음향광학 변조필터(40)를 이용한 분광타원해석기(1) 및 이를 이용한 타원해석방법에 관하여 첨부되어진 도면과 더불어 설명하기로 한다. Next, the
도 2는 본 발명에 따른 음향광학필터를 이용한 분광타원해석기의 구성도이다. 이러한 음향광학 필터를 이용한 분광타원해석기의 구성도를 살펴보면, 광원(2)에서 나온 빛이 편광기(22)를 통해 편광상태를 갖는 빛이 되어 시편(31)을 투과하 게 되고, 시편(31)을 지나온 빛은 시편(31)이 지닌 비 등방성 때문에 타원편광이 된다. 이와 같이 시편(31)에 의해 반사된 빛은 음향광학 변조필터(40)로 입사되며, 편광 및 분광특성에 따라 변형된다. 이때 서로 다른 2개 편광상태의 회절광(9a,9b)을 발생시키게 되며, 이들은 또한 음향광학변조필터드라이버(61)로 부터 출사되는 RF신호(63)에 의해 정해지는 특정파장 밴드폭을 갖게 된다. 음향광학변조필터(40)에서 나온 두 개의 회절광(9a,9b)은 2개의 2차원 회전 결상 소자(51a, 51b)로 측정된다. 이렇게 측정된 결과(55a,55b)는 신호처리 및 제어부(6)로 전송되어 편광혼선 오차를 보상하고 시편의 굴절률 및 두께를 계산하게 된다. 2 is a block diagram of a spectroscopic ellipsometer using an acoustic optical filter according to the present invention. Looking at the configuration diagram of the spectroscopic ellipsometer using the acoustooptic filter, the light from the
이 때. 음향광학 변조필터(40)에서 발생하는 두 회절광(9a,9b)을 모두 측정함으로써, 음향광학변조필터(40)에서 발생하는 편광에 의한 혼선오차(crosstalk)를 보상하여 보다 정밀한 분석을 하는 것이 가능하게 된다. 특히 분광타원해석기(1)에서는 파장에 따라 편광의 혼선 오차량이 다르기 때문에 미리 측정을 통하여 파장에 따른 각 회절광의 혼선 오차량을 측정한다. 그 후 실제 측정에서 얻어진 값에 대하여 미리 측정한 결과를 이용하여 교정한다. At this time. By measuring both the diffracted light 9a and 9b generated by the
서로 수직한 편광상태의 방향을 e-방향과 o-방향으로 표현하면 다음과 같다.The directions of polarization states perpendicular to each other are expressed in the e-direction and the o-direction as follows.
δe(λ): 파장 λ에서 o-방향 회절광 측정부로부터 측정되는 e-편광상태의 비율δ e (λ): ratio of the e-polarized state measured from the o-direction diffraction light measurement unit at the wavelength λ
δo(λ): 파장 λ에서 e-방향 회절광 측정부로부터 측정되는 o-편광상태의 비율δ o (λ): The ratio of the o-polarized state measured from the e-direction diffracted light measuring unit at the wavelength λ
Ie(λ): 파장 λ에서 e-방향 회절광 측정부로부터 측정되는 빛의 세기I e (λ): Intensity of light measured from the e-direction diffracted light measurement unit at wavelength λ
Io(λ): 파장 λ에서 o-방향 회절광 측정부로부터 측정되는 빛의 세기I o (λ): Intensity of light measured from the o-directional diffracted light measurement unit at wavelength λ
ie(λ): 파장 λ에서 입사광의 e-방향 성분의 세기i e (λ): the intensity of the e-direction component of the incident light at the wavelength λ
io(λ): 파장 λ에서 입사광의 o-방향 성분의 세기i o (λ): the intensity of the o-direction component of the incident light at the wavelength λ
각 회절광에서 측정되는 빛의 세기는 다음과 같이 표현할 수 있다. The intensity of light measured in each diffracted light can be expressed as follows.
따라서 2개의 회절광(9a,9b)을 각각 측정하고 위의 수학식을 이용하면 입사광의 세기 변화에 상관없이 편광혼선 오차를 보상하여 각 입사광의 편광상태를 정확하게 얻어낼 수 있다. Therefore, by measuring the two diffracted light (9a, 9b) and using the above equation, it is possible to accurately obtain the polarization state of each incident light by compensating the polarization crosstalk error irrespective of the change in the intensity of the incident light.
이에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다. 음향광학변조필터(40)를 통과하게 되면, 도 2에서와 같이 +1차와 -1차의 광을 동시에 획득하게 된다. 이를 o-회절광(9b)과 e-회절광(9a)이라고 부른다. 그런데 이러한 두 개의 회절광(9a,9b)은 서로 파면이 서로 수직하게 되는데, 이는 앞에서 상술한 타원해석기(1)에서 서로 파면이 수직하는 s파와 p파를 측정하는 것과 같은 효과를 나타낸다. 따라서 o-회절광과 e-회절광의 강도를 알게 되면 [수학식7]과 [수학식8]에 의해서 (φ,Δ)를 계산 해낼 수 있게 된다. 이러한 측정된 (φ,Δ)와 이론적인 모델의 (φ,Δ)를 비교하여 최소자승오차(Square Error)이 최소가 되도록 하여 시편의 두께와 굴절률을 측정하게 된다. 이러한 입사광(7)의 강도를 알아내기 위해서 회절광(9a,9b)의 강도가 필요한 데, 이러한 회절광의 강도를 알게 되면 상술한 바와 같이 주사되는 빛의 파장(λ)이 고정되어 있으므로 [수학식12]와 [수학식13]을 사용하여 입사광의 강도를 계산하게 된다. This will be described in detail below. Passing through the acoustic
즉 이 때 e-회절광(9a)과 o-회절광(9b)은 각각 편광 방향에 위치하고 있는 두 개의 촬상소자에 입사하게 되는데, 음향광학 변조필터(40)의 특성상 e-회절광(9a)과 o-회절광(9b)이 완전하게 분광이 되지 않고, 일부의 e-회절광(9a)와 o-회절광(9b)에 포함(마찬가지로 일부의 o-회절광이 e-회절광에 포함)되어 촬상소자(미도시)에 입사하게 된다. That is, at this time, the
박막의 두께 및 굴절률을 정확하게 측정하기 위해서는 두 개의 촬상소자(미도시)에 완전하게 분리된 채로 입사된 e-회절광과 o-회절광의 정보를 알고 있어야 하는데, 음향광학 변조필터(40)를 이용할 경우 이러한 조건을 만족시키지 못하는 한계가 있으므로 두 개의 촬상소자(미도시)에 입사된 완전하지 못한 e-회절광(9a)과 o-회절광(9b)의 강도정보(Io(λ),Ie(λ))로부터 실제 입사광(8)의 완전한 e-입사광(7)와 o-입사광(7)의 강도정보ie(λ), io(λ)를 추출해내야 한다. In order to accurately measure the thickness and refractive index of the thin film, it is necessary to know the information of the e-diffraction light and the o-diffraction light which are completely separated from the two imaging devices (not shown). In this case, since there is a limit that does not satisfy this condition, the intensity information (I o (λ), I of incomplete e-diffraction light 9a and o-
도 3은 음향광학 변조필터(40)의 구성을 보여주는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the
음향광학 변조필터(40)는 비등방성 결정(41)의 양단에 피에조패드(42a,42b) 가 부착되어 있고, 음향광학 변조 필터드라이버(61)로부터 오는 RF 신호(63)에 의해 음향파의 정상파(44)가 발생한다. 입사광(8)은 결정(41)의 비등방구조내에서 회절을 일으키며, 그 결과로 서로 수직인 2개의 편광상태를 갖는 회절광(9a,9b)이 발생한다. 또한 이 회절광(9a,9b)은 회절 현상에 의하여 RF 신호(63)에 해당하는 특정파장 밴드폭을 갖게 된다. 회절광(9a,9b)의 파장λ는 광속 c, 비등방성 결정의 각 방향의 굴절률 차이Δn, 그리고 RF 신호의 주파수F에 의해 다음과 같이 정해진다. The
도 4는 회절광이 분리되는 것을 보여주는 상세도이고, 이 때 회절광의 분리를 정확하게 계산하기 위해서 e-회절광 검출부(51a)에는 o-회절광 차단필터(10a)를 설치하고, o-회절광 검출부(51b)에는 o- 회절광 차단필터(10b)를 설치한다. 4 is a detailed view showing that the diffracted light is separated, and in order to accurately calculate the separation of the diffracted light, an e-diffraction
즉 도 4와 같이 o-회절광(9b)이 지나가는 방향에 o-회절광(9b)만을 차단시킬 수 있는 차단필터(10b)를 두게 되면 o-방향 검출부(51b)에서는 원래 아무런 신호도 검출되어서는 아니된다. That is, as shown in FIG. 4, if the blocking
그러나 앞서 설명하였던 것과 같이 음향광학 변조필터(40)의 특성상 e-회절광(9a)와 o-회절광(9b)이 완전하게 분리되지 않음에 따라 o-방향 검출부(51b)에서는 원래 포함되지 말아야 하는 e-회절광(9a)이 측정된다. However, as described above, since the
e-방향 검출부(51a)에서는 o-회절광(9b)를 필터시킴으로서 e-회절광(9a)만이 검출된다. 이렇게 측정된 e-회절광(9a)의 비를 δe(λ)로 표시하며, 도 4에서 o-회절광 차단필터(10b)대신 e-회절광 차단필터(10a)를 설치하여 두 방향 검출부(51a, 51b)에서 검출되는 o-회절광(9b)의 비를 δo(λ)로 표시한다. In the
사전에 이러한 셋팅을 통하여 δe(λ),δo(λ)를 미리 측정해두면 e 방향 측정부와 o 방향 측정부에서 측정되는 강도 정보로부터 실제 입사광의 완전한 e-회절광과 o-회절광의 강도 정보(ie(λ), io(λ))를 추출해낼 수 있다. 즉 e방향 측정부에서 측정되는 Ie(λ)는 실제 e-회절광 강도 ie(λ)중 o방향으로 흘러간 비율인 δe(λ)를 제외한 부분인, (1-δe(λ)) ie(λ)만큼의 강도 양에 원래 입사되지 말았어야 하는 o-회절광의 성분, δo(λ)io(λ)만큼의 강도 양이 합쳐져서 나타나게 된다. o방항 측정부에서 측정되는 Io(λ)에 대해서도 같은 해석이 가능하다. If δ e (λ) and δ o (λ) are measured in advance through these settings, the intensity information measured by the e-direction measuring unit and the o-direction measuring unit is used to determine the complete e-diffracted light and o-diffracted light of the actual incident light. The intensity information i e (λ), i o (λ) can be extracted. That is, I e (λ) measured by the e-direction measuring unit is (1-δ e (λ), which is a portion except for δ e (λ), which is a ratio flowing in the o direction among the actual e-diffraction light intensities i e (λ). ) The sum of the intensities of o -diffracted light, δ o (λ) i o (λ), that should not have been originally incident on the intensities of i e (λ). The same interpretation is also possible for I o (λ) measured at the o-bar measurement unit.
도 5는 음향광학 변조 필터(40)를 이용한 분광타원해석기(1)의 실시예에 관한 것이다. 5 relates to an embodiment of a
광원부(2)는 광원(21)과 편광기(22)로 구성되며 시간에 따른 광원세기 변화를 보상하기 위한 보조 검출장치(23)가 부착될 수 있다. 편광기(22)는 일반 편광기를 사용할 수 있으며 선형 편광의 방향을 바꾸기 위해 회전시킬 수도 있다. 또한 위상지연기(phase retarder)나 울라스톤 프리즘(woollaston prism)과 같은 편광상태를 장치가 원하는 상태로 변화시킬 수 있는 광학 소자가 사용하면 된다. 특히 LCVR(Liquid Crystal Variable Retarder)와 같은 소자는 전기 신호를 이용하여 지 연되는 위상의 양을 조절할 수 있다. 편광기(22)의 상태를 변화시키기 위한 신호(64)는 신호처리 및 제어부(6)로부터 받는다. The
이러한 신호는 상술한 회절 편광된 빛의 강도데이터라고 할 수 있는데, 이러한 강도데이터로부터 역으로 입사광의 e-방향 회절광(9a)와 o-방향 회절광(9b)의 강도 보상해주는 방법으로 측정된 굴절률과 두께에 대한 데이터를 보정하고 이의 반복적인 시행을 통해 시편(31)의 정확한 두께와 굴절률을 계산하는 것이 가능하게 된다.This signal may be referred to as the intensity data of the diffracted polarized light described above, and is measured in such a manner as to compensate for the intensity of the
도 6은 위와 같은 음향광학변조필터(40)를 이용한 분광타원해석기의 두께와 굴절률의 측정절차를 보여주는 절차도이다. 먼저 광원부(2)에서 빛이 방출되고 나면, (S10) 이 빛은 편광기(22)에서 선형편광이 된다(S20). 이렇게 선형 편광이 된 빛은 시편(31)이 장착되어 있는 시편부(3)로 입사된다. 이렇게 시편부(3)로 입사되는 빛은 시편의 두께 및 굴절률에 따라 타원편광이 되어 반사되는 현상이 일어난다(S30).6 is a procedure showing the measurement procedure of the thickness and refractive index of the spectroscopic ellipsometer using the above-described acoustic
여기서 타원해석기의 구조나 광원의 집광 정도에 따라 별도의 렌즈부(24a,24b)가 장착될 수 있다. 위와 같은 방식으로 광원으로부터 방출된 빛은 편광상태가 조절이 된 상태로 선형 편광이 되어 시편(31)에 입사하게 된다. Here,
이렇게 반사되면서 편광된 빛은 음향광학변조필터(40)가 위치하는 분광 및 편광 변조부(4)로 입사하게 된다(S40). 음향광학변조필터(40)는 음향광학변조필터 드라이버(61)로부터 RF신호(63)를 받는데, 이 때 타원해석기(1)의 종류에 따라 시편부(3) 쪽에 렌즈(43)가 장착될 수 있다. 위의 RF 신호(63)는 음향광학 변조필 터(40)에서 발생된 회절광(9a,9b)을 특정파장의 밴드 폭을 갖도록 만들어준다 (S50). The reflected and polarized light is incident on the spectral and
이렇게 특정파장의 밴드 폭을 갖는 두 개의 회절광(9a,9b)은 검출부(5)로 입사하는 단계를 거치게 된다. 이러한 검출부에는 결상 또는 빛의 집광을 위한 렌즈부(50a,50b)가 장착되어 있으며, 렌즈부(50a,50b)를 거친 두 회절광(9a,9b)은 2차원 결상소자(51a, 51b)로 측정이 된다(S60). 이러한 2차원 결상소자(51a,51b)는 신호처리 및 제어부(6)에 의해서 동기화 제어되며, 측정된 회절광(9a,9b)의 강도(55a,55b)는 신호처리 및 제어부(6)로 전송되어 앞서 상술된 방법으로 편광혼선 오차를 보상하고, 시편(31)의 굴절률 및 두께를 계산하게 된다(S70,S80).Two diffracted
이때 신호 처리 및 제어부(6)는 광원(21)에서 발생한 선형편광기(22)를 조절하여 입사광(7)의 선형편광상태를 조절할 뿐만 아니라, 음향광학 변조필터를 조절하기 위한 신호(62)를 산출하는 역할을 동시에 수행한다. At this time, the signal processing and
본 발명에 따른 음향광학 변조필터를 이용한 분광타원해석기는, 음향광학 변조 필터(40)를 분광 및 편광 소자로 동시에 사용하여 분광 결상 타원해석기를 포함한 분광 타원해석기를 보다 간편하게 구현함으로써, 다중 박막을 포함한 시편의 두께와 굴절률을 고속으로 정밀하게 측정할 수 있다. The spectroscopic ellipsometer using the acoustooptic modulator according to the present invention uses the
이러한 분광타원해석기를 보다 간편하게 구현하기 위한 방법으로 음향광학 변조필터를 구비하고 있으며 여기에서 방출되는 신호와 입사되는 선형편광된 상태를 조절할 수 있는 신호처리 및 제어부를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다. In order to more easily implement such a spectroscopic ellipsometer, the optical optical modulation filter is provided, and the signal processing and control unit for controlling the linearly polarized state of the emitted signal and the incident light is provided.
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