KR100867936B1

KR100867936B1 - 냉음극 형광램프용 전극 제조방법 및 그 전극

Info

Publication number: KR100867936B1
Application number: KR1020080014925A
Authority: KR
Inventors: 손석현
Original assignee: (주)성진포머
Priority date: 2008-02-19
Filing date: 2008-02-19
Publication date: 2008-11-10

Abstract

본 발명은, 냉음극 형광램프의 전극을 제조하는 방법에 있어서, 철, 니켈, 코발트가 포함된 합금재질로 된 와이어선재를 절단하여 원기둥소재를 얻는 제1과정과, 원기둥소재를 초소형 다단성형기를 이용하여 업셋팅가공하여 업셋팅된 1차 예비성형 소재를 얻는 제2과정과, 1차 예비성형소재를 초소형 다단성형기를 이용하여 중심점 확보 및 업셋팅 가공하여 상부 요입홈을 갖고 하측부 외경이 테이퍼가 형성되며 몸통 업셋팅된 2차 예비성형소재를 얻는 제3과정과, 2차 예비성형소재를 초소형 다단성형기를 이용하여 전후방 압출가공을 하여서 전방압출에 의한 컵부와 후방압출에 의한 리드부가 일체 성형된 3차 예비성형소재를 얻는 제4과정과, 3차 예비성형소재를 초소형 다단성형기를 이용하여 후방 압출가공하여서 리드부가 추가 후방압출에 의해 인너리드와 아웃터리드로 일체 성형된 최종 성형소재를 얻는 제5과정으로 이루어진다.

냉음극 형광램프, 전극, 초소형 다단성형기

Description

냉음극 형광램프용 전극 제조방법 및 그 전극{METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE OF COLD CATHODE FLUORESCENT LAMP AND ELECTRODE THEREFOR}

본 발명은 평판형 디스플레이 부품에 관한 것으로, 특히 평판형 디스플레이의 백라이트유닛(backlight unit)중 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp: CCFL)의 전극을 제조하는 방법 및 그 CCFL전극에 관한 것이다.

평판형 디스플레이장치의 대표적인 일예인 LCD(액정표시장치)는 그 자체에서 발광이 아니고 LCD모듈인 백라이트유닛(backlight unit)에 의해서 발광되어진다. 백라이트유닛은 LCD의 뒤쪽에서 빛을 내는 발광체 모듈로서, LCD 화면에서의 가시성 및 가독성을 향상시켜 주는 중요한 구성부품이다.

백라이트유닛은 빛을 전달하는 도광판의 양측면에 광원용 램프가 설치되게 하고, 도광판(light guide plate)의 전면에는 빛을 확산시키는 확산시트가 부착되어진 구조로서, 그 전면으로 방출되는 빛은 균일도를 유지하게 된다. 백라이트유닛의 광원용 램프 종류에는 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp: CCFL), 외부전극 형광램프(External Electrode Fluorescent Lamp: EEFL), 발광 다이오 드(Light Emitting Diode: LED), 평판형 형광램프(Flat Florescent Lamp: FFL)등이 있다.

그 중 냉음극 형광램프(CCFL)는 백라이트유닛의 광원으로서 가장 많이 사용되고 있는 튜브형 램프로서, 장수명과 낮은 전력소비 특성과 아울러 높은 휘도의 백색광을 포함하고 있어 색재현성이 우수하다. 냉음극 형광램프는 유리관의 양단에 전극이 각각 장치되며, 유리관 내면에는 형광체가 도포되고 유리관내에는 네온과 아르곤의 혼합가스 및 수은가스 등의 가스가 주입 밀봉되어 있다.

이러한 냉음극 형광램프(CCFL)의 수명을 단축시키는 요인으로는 유리관 내면에 도포된 형광체의 열화나 유리흑화, 이온과의 충돌에 의한 전극 스퍼터링(sputtering), 유리관내에 봉입된 수은가스의 소모 등이 있다. 형광체의 열화나 유리 흑화는 휘도유지율을 저하시키고, 이온과의 충돌에 의한 전극 스퍼터링은 전극소모, 수은소모, 유리흑화를 야기시킨다.

이온과의 충돌에 의한 전극 스퍼터링을 최소화되도록 하기 위해선 CCFL 전극을 구성하는 각 부품을 내스퍼터링성을 갖도록 제대로 제조하여야 함과 동시에 저단가로 제조할 수 있어야 경쟁력이 있게된다.

도 1에 도시된 바와 같이, CCFL 전극(10)을 구성하는 부품들로는 컵부(cup)(2)과 인너리드(inner-lead)(4)와 아웃터리드(outer-lead)(6)가 있으며, 컵부(2) 후단에 인너리드(4)와 아웃터리드(6)를 차례대로 용접 연결한 구성이다. 컵부(2)는 램프에 전압인가시 전자를 방출하는 부분이고, 인너리드(4)는 비드(bead)(8)가 봉착되어진 구조로서 램프 유리관 내부에 기밀성이 유지되도록 하는 부분이며, 아웃터리드(6)는 동작전압이 인가되는 단자부이다.

전극(10)의 구성부품들중 컵부(2)는 전극의 수명을 좌우하는 중요한 부품으로서 스퍼터링에 의한 홀(hole) 발생이 없도록 제조하여야 한다. 컵부(2)는 전자방출이 용이할뿐만 아니라 이차 전자방출을 위한 낮은 일함수(work function)를 갖음과 동시에 높은 내스터퍼링성을 갖도록 구현되는데, 주로 몰리브덴(Mo)이나 니켈(Ni), 또는 Ni-Nb합금, Th-W합금 등의 재질을 사용하며, 프레스나 프레스 단조와 같은 성형방법으로 제작된다. 인너리드(4)는 비드(8)와 봉착하여 램프 기밀성을 담당해야하는 관계로 유리재질과 열팽창계수와 유사한 재질로 선정되어야 하며, 또 열전도도를 함께 고려하여 그 재질이 선정되어야 한다. 아웃터리드(6)는 산화가 없어야 하고 인너리드(4)와의 용접성이 좋아야 하며 전기전도율도 좋은 재질을 선정하여야 한다. 인너리드(4)의 재질로는 텅스텐이나 몰리브덴(Mo), 또는 철과 니켈 및 코발트 등의 성분들이 포함된 합금인 코바(Kovar) 등이 사용되고, 아웃터리드(6)의 재질로는 니켈망간(MnNi)이나 듀랄렉스(DUX-BN) 등이 사용된다.

상기와 같이 전극의 구성부품의 재질이 모두 다른 관계로 종래에는 각 부품인 컵부, 인너리드, 아웃터리드를 별개로 제조하여 각 조립품을 서로 용접하여서 CCFL 전극을 제조완성하게 된다.

하지만 종래기술과 같은 CCFL 전극은 부품 용접에 따른 불량율이 전체 불량율의 상당한 비중을 차지하며, 부품용접에 따른 작업성 저하 및 생산 수율이 저하되는 단점이 있었다. 또한 CCFL 전극을 구성하는 컵부품의 제조가 딥 드로잉(deep drawing)방식의 프레스단조로 이루어지므로 컵부품 제조수율도 좋지 않았다.

따라서 본 발명의 목적은 생산수율이 좋고 제품불량율도 낮은 냉음극 형광램프용 전극의 제조방법 및 그 전극을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 냉음극 형광램프용 전극을 구성하는 부품들간 용접에 의한 불량율이 없도록 하는 냉음극 형광램프용 전극의 제조방법 및 그 전극을 제공하는데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 냉음극 형광램프의 전극을 제조하는 방법에 있어서, 철, 니켈, 코발트가 포함된 합금재질로 된 와이어선재를 절단하여 원기둥소재를 얻는 제1과정과, 상기 원기둥소재를 초소형 다단성형기를 이용하여 업셋팅가공하여 업셋팅된 1차 예비성형 소재를 얻는 제2과정과, 상기 1차 예비성형소재를 초소형 다단성형기를 이용하여 중심점 확보 및 업셋팅 가공하여 상부 요입홈을 갖고 하측부 외경이 테이퍼가 형성되며 몸통 업셋팅된 2차 예비성형소재를 얻는 제3과정과, 상기 2차 예비성형소재를 초소형 다단성형기를 이용하여 전후방 압출가공을 하여서 전방압출에 의한 컵부와 후방압출에 의한 리드부가 일체 성형된 3차 예비성형소재를 얻는 제4과정과, 상기 3차 예비성형소재를 초소형 다단성형기를 이용하여 후방 압출가공하여서 상기 리드부가 추가 후방압출에 의해 인너리드와 아웃터리드로 일체 성형된 최종 성형소재를 얻는 제5과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.

본 발명은 초소형 다단성형기로 냉음극 형광램프용 전극의 부품들 모두를 일체로 성형 제조함으로써 냉음극 형광램프용 전극의 생산수율이 좋고 제품불량율은 최소화되게 할 수 있다. 또한 냉음극 형광램프용 전극을 구성하는 부품들간 용접 이 불필요하므로 그에 따른 제품 불량율이 제거되어진다.

이하 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 냉음극 형광램프용 전극의 컵부, 인너리드및 아웃터리드를 일체형으로 성형 제조하는 공정도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 초소형 다단성형기의 요부 평단면도이고, 도 4 내지 7은 도 3에 도시된 초소형 다단성형기의 각단의 확대 평단면도이다.

본 발명의 실시 예에서는 냉음극 형광램프용 전극을 제조함에 있어 도 1에서와 같은 CCFL전극(10)을 구성하는 부품들인 컵부(2)와 인너리드(4) 및 아웃터리드(6) 모두를 초소형 다단성형기를 이용하여서 일체형으로 일괄 성형 제조한다. 도 8은 본 발명의 실시 예에 따라 초소형 다단성형기로 제조된 CCFL전극(200)으로서, 컵부(2), 인너리드(4) 및 아웃터리드(6) 모두가 전혀 용접없이 일체형으로 형성되 어진다.

CCFL 전극은 통상 컵부(2)의 외경이 3mm이하이고 총 길이가 대략 20mm이하이므로 CCFL전극(10)의 컵부(2)와 인너리드(4)를 다단성형기로 성형 작업하기 위해서는 그 다단성형기를 초소형으로 구현하여야 한다.

본 발명의 초소형 다단성형기는 도 3에 도시된 바와 같이 다이측부(20)와 펀치측부(22)로 구성하되, 다이측부(20)와 펀치측부(22)의 각 선단부에는 다이금형(50)(60,62)(80,82)(100,102,104)을 갖는 각 다이블록(58)(74)(94)(118)과 펀치금형(59)(71)(93)(119)을 갖는 각 펀치블록(54)(68)(90)(110)이 장치된다. 다이블록(58)(74)(94)(118)의 다이금형(50)(60,62)(80,82)(100,102,104)은 초경합금 재질이다. 상기 초소형 다단성형기는 원소재를 절단하는 절단나이프블록(knife block)(미도시함)과 제1단(30), 제2단(32), 제3단(34) 및 제4단(36)으로 된 블록어셈블리로 구성되며, 각단 간에는 이전 단에서 가공된 소재를 이후 단으로 옮겨주기 위한 이송지그(미도시함)가 설치된다.

또한 본 발명의 실시 예에서는 컵부(2), 인너리드(4) 및 아웃터리드(6)를 모두 일체형으로 성형하여야 하므로 원재료의 재질을 택일하여야 한다. 기존에는 컵부(2)의 재질을 몰리브덴(Mo)이나 니켈(Ni) 등으로 하고, 인너리드(4)의 재질을 유리재질과 열팽창계수가 유사하고 열전도도가 함께 고려된 텅스텐(W)이나 몰리브덴(Mo), 또는 코바(Kovar) 등으로 하며, 아웃터리드(6)의 재질을 산화가 없고 인너리드(4)와의 용접성이 좋으며 전기전도율도 좋은 재질을 선정하였다. 하지만 본 발명에서는 컵부(2)와 인너리드(4) 및 아웃터리드(6)의 기능을 모두 함께 할 수 있는 재질로 선정하여야 하는데 본원 발명자가 많은 실험해 본 결과, 니켈코발트 철합금(nickel-cobalt ferrous alloy)(이하 등록상표명인 '코바(Kovar)'로 약칭함)을 선정하는 것이 바람직함을 확인하였다.

본 발명의 실시 예에 따라 선정된 코바(Kovar) 재질은 컵부(2)와 인너리드(4) 및 아웃터리드(6)의 기능을 모두 할 수 있는 합금재질의 일예로서, 철(Fe) 40~60중량%, 니켈(Ni) 10~30중량%, 코발트(Co) 10~30중량%가 적어도 포함되며 망간(Mn)과 실리콘(Si)도 미량 포함된다.

본 발명의 실시 예에 따라 선정된 코바재질은 비철금속이 많이 포함되어 있는 관계로 단조성이 탄소성분이 함유된 철금속에 비해서 상당히 떨어진다. 따라서 본 발명의 실시 예에서는 초소형 다단성형기에서 CCFL전극을 성형하는데 용이하도록 코바재질의 원재료를 소성이나 소둔과 같은 열처리를 미리 수행하여서 경도(硬度), 대변형(對變形), 대열(對熱), 대마찰(對摩擦), 대피로(對疲勞), 강도(强度) 등의 기계적 성질이 코바 원재료재질에 비해서 낮아지도록 하는 것이 바람직하다. 이렇게 하게 되면 코바재질의 단조성이 다소 향상되어진다.

본 발명의 실시 예에 따른 CCFL전극(200)의 컵부(2), 인너리드(4) 및 아웃터리드(6) 모두는 초소형 다단성형기에 의해서 일체형으로 일괄 제조되어지되, 초소형 다단성형기의 절단나이프블록에서 수행되는 예비공정과 그후 초소형 다단성형기의 제1단(30) 내지 제4단(36)에서 차례로 수행되는 제1공정 내지 제4공정에 의해서 제조 완성된다.

도 4는 도 3에 도시된 제1단(30)의 확대 평단면도이고, 도 5는 도 3에 도시 된 제2단(32)의 확대 평단면도이며, 도 6은 도 3에 도시된 제3단(34)의 확대 평단면도이다. 그리고, 도 7은 도 3에 도시된 제4단(36)의 확대 평단면도이다.

이제 초소형 다단성형기를 이용하여 CCFL전극의 컵부(2), 인너리드(4) 및 아웃터리드(6) 모두가 일체형로 된 성형소재를 제조하는 절차를 보다 상세히 설명하면 하기와 같다.

(ⅰ) 예비공정- 절단가공

본 발명의 실시 예에 따라 선정된 코바재질의 1~3mm직경의 원형와이어(wire) 선재를 초소형 다단성형기의 절단나이프블록에서 일정길이(예컨대, 3~5mm)로 절단하여서 도 2에 도시된 바와 같은 원기둥 소재(40)를 얻는다.

(ⅱ) 제1공정- 업셋팅가공

도 2에 도시된 원기둥소재(40)는 초소형 다단성형기의 절단나이프블록과 제1단(30)사이에 위치된 이송지그에 의해서 이송되어 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1단(30)의 다이금형(50)내에 관통 형성된 가공소재 안착부에 삽입되어지되, 그 하부면은 가공소재 안착부에 후방 삽입된 제1단 다이핀(52)에 의해서 받침된다.

그후 초소형 다단성형기의 펀치들을 하강시켜 제1단 펀치블록(54)의 펀치핀(56)이 제1단 다이금형(50)내 원기둥소재(40)의 상면을 가압 펀칭함에 따라 도 2에서와 같이 길이는 줄고 직경단면이 확대 업셋팅된 1차 예비성형 소재(42)가 얻어진다. 상기 얻어진 1차 예비성형 소재(42)는 원기둥소재(40)의 상하 절단면이 교정되어져 평면부가 확보된 상태이며 소재 내부 조직이 균일화가 이루어진 상태이다. 본 명세서에서, '업셋팅'이라 함은 이 기술분야의 당업자에게 공지된 바와 같이 축방향 가압에 의해서 길이는 줄고 직경단면은 확대되는 것을 일컫는다.

(ⅲ) 제2공정- 중심점 확보 및 업셋팅가공

도 2에 도시된 1차 예비성형 소재(42)는 후부 다이봉(57) 및 압축스프링(53)작동에 따른 제1단 다이핀(52)의 탈거 승강에 의해서 제1단 다이금형(50)내 가공소재 안착부로부터 탈거되어지고, 초소형 다단성형기의 제1단(30)과 제2단(32)사이에 위치된 이송지그에 의해서 제2단(32)으로 이송된다.

업셋팅되어진 1차 예비성형 소재(42)는 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제2단(32)의 두개로 적층된 다이금형(60)(62)내에 관통 형성된 가공소재 안착부에 삽입되어지되, 그 하부면은 가공소재 안착부에 후방 삽입된 다이핀(64)에 의해서 받침된다. 두개로 나눠져 적층된 다이금형(60)(62)간에는 공기(air)가 빠질 수 있는 틈이 형성되어서 성형시 압축공기가 가공소재 안착부에 차있지 않도록 해준다. 만일 성형시 공기가 가공소재 안착부에 차있으면 성형이 제대로 되지 않게된다.

제2단(32)에서 펀치블록(68)의 펀치핀(70) 선단부에는 섬형 돌출부가 가공형성되어 있으며, 다이금형(60)(62)내 형성된 가공소재 안착부의 하단 테두리는 15˚정도 경사지게 형성되어 있다. 다이금형(60)(62)중 원기둥소재(42)의 업셋팅을 위한 몸통부 성형구조는 상부측에 있는 다이금형(60)에 마련되어 있고, 몸통부 하측단 외경 테이퍼성형을 위한 구조는 하부측에 있는 다이금형(62)에 마련되어 있다.

그러므로 초소형 다단성형기의 펀치들을 하강시켜 제2단 펀치블록(68)의 펀 치핀(70)이 제2단 다이금형(60)(62)내 1차 예비성형 소재(42)의 상면을 가압 펀칭함에 따라 도 2에서와 같이 중심점 확보 및 업셋팅되어진 2차 예비성형 소재(44)가 얻어진다. 제2공정 수행에 의해서 얻어진 2차 예비성형 소재(44)의 몸통은 약간 업셋팅되어지고, 그 상단면에는 도 2에 도시된 바와 같이, 얕은 요입홈(45)이 형성된다. 상기의 얕은 요입홈(45)은 차후 제3공정에서 제3단 펀치핀(92)의 중심이 2차 예비성형소재(44)의 중심부로 정확히 안내되게 하는 역할을 담당한다. 또한 상기 2차 예비성형 소재(44)의 하측단 외경이 약 15˚정도 테이퍼 성형되어서 차후공정에서의 압출가공시에 마찰저항 감소와 합금조직의 유동성이 확보되도록 해준다.

(ⅳ) 제3공정- 전후방 압출가공

도 2에 도시된 2차 예비성형 소재(44)는 후부 다이봉(72) 및 압축스프링(67) 작동에 따른 제2단 다이핀(66)의 탈거 승강에 의해서 제2단 다이금형(60)(62)내 가공소재 안착부로부터 탈거되어지고, 초소형 다단성형기의 제2단(32)과 제3단(34)사이에 위치된 이송지그에 의해서 제3단(34)으로 이송된다.

중심점 확보 및 업셋팅되어진 2차 예비성형 소재(44)는 도 3 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제3단(34)의 두개로 적층된 다이금형(80)(82)내에 관통 형성된 가공소재 안착부에 삽입되어지되, 가공소재 안착부의 하방은 후방 삽입된 다이핀(88)에 의해서 막혀있다. 두개로 나눠져 적층된 다이금형(80)(82)간에는 공기(air)가 빠질 수 있는 틈이 형성되어서 성형시 압축공기가 가공소재 안착부에 차있지 않도록 해준다. 만일 성형시 공기가 가공소재 안착부에 차있으면 성형이 제대로 되지 않게된 다.

제3단(34)에서 펀치블록(90)의 펀치핀(92) 선단부에는 CCFL전극의 컵부(2)의 요홈이 형성가능하도록 하는 돌출봉이 형성된다.

도 9는 도 3의 초소형 다단성형기에서 제3단 펀치핀(92)의 선단부를 설명하기 위한 도면이다. 본 발명의 실시 예에서는 제3단 편치핀(92)으로 제3공정에서 비철금속들이 포함된 합금재질(코바재질)임에도 전방 및 후방압출이 동시에 수행될 수 있도록 제3단 편치핀(92)의 선단부(92a) 형상을 "A"로 지시한 확대 원표시와 같이 가공한다.

도 9를 참조하면, 제3단 펀치핀(92)의 선단부(92a)는 그 종단면 중심부(L)가 평면형태이고 그 종단면 외곽측부(S)가 경사 및 만곡형태이며, 종단면 상부로 가면서 핀봉이 확개되게 수직선에서 θ각도로 테이퍼진 형상으로 가공되어 있다. 여기서, 중심부(L)의 평면(land)은 선단부(92a)의 직경의 40~50%가 바람직하며, θ값은 1~5°가 바람직하다.

또 제3단 다이금형(80)(82)내 형성된 가공소재 안착부 구조에서 상부측 다이금형(80)에는 CCFL전극의 컵부(2)가 성형될 수 있는 관통구조가 마련되고 하부측 다이금형(82)에는 CCFL전극의 인너리드(4)가 성형될 수 있는 관통구조가 마련되어 있다. 또 상기 다이금형(80)(82)는 보강케이스(84)에 삽입되어서 제3단(34)의 다이블록(94)에 장치된다.

그러므로 초소형 다단성형기의 펀치들을 하강시켜 제3단 펀치블록(90)의 펀치핀(92)이 제3단 다이금형(80)(82)내 2차 예비성형소재(44)의 상면을 가압 펀칭함 에 따라 도 2에서와 같이 전방 및 후방 압출되어진 3차 예비성형소재(46)가 얻어진다.

(ⅴ) 제4공정- 후방 압출가공

도 2에 도시된 3차 예비성형 소재(46)는 후부 다이봉 및 압축스프링(89) 작동에 따른 제3단 다이핀(88)의 탈거 승강에 의해서 제3단 다이금형(80)(82)내 가공소재 안착부로부터 탈거되어지고, 초소형 다단성형기의 제3단(34)과 제4단(36)사이에 위치된 이송지그에 의해서 제4단(36)으로 이송된다.

전후방 압출가공되어진 3차 예비성형 소재(46)는 도 3 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제4단(36)의 세개로 적층된 다이금형(100)(102)(104)내에 관통 형성된 가공소재 안착부에 삽입되어지되, 가공소재 안착부의 하방은 후방 삽입된 다이핀(108)에 의해서 막혀있다. 세개로 나눠져 적층된 다이금형(100)(102)(104)간에는 공기(air)가 빠질 수 있는 틈이 형성되어서 성형시 압축공기가 가공소재 안착부에 차있지 않도록 해준다. 만일 성형시 공기가 가공소재 안착부에 차있으면 성형이 제대로 되지 않게된다.

제4단(36)에서 펀치블록(110)의 펀치핀(112) 선단부에는 CCFL전극의 컵부(2)의 요홈에 삽입가능한 직경의 돌출봉이 형성된다. 또 제4단 다이금형(100)(102)(104)내 형성된 가공소재 안착부 구조에서 상부측 다이금형(100)에는 CCFL전극의 컵부(2)가 수납될 수 있는 관통구조가 마련되고 중간측 다이금형(102)에는 CCFL전극의 인너리드(4)가 성형될 수 있는 관통구조가 마련된다. 그리고, 하 부측 다이금형(104)에는 CCFL전극의 아웃터리드(6)가 성형될 수 있는 관통구조가 마련되어 있다. 또 상기 다이금형(100)(102)(104)는 보강케이스(106)에 삽입되어서 제4단(36)의 다이블록(118)에 장치된다.

그러므로 초소형 다단성형기의 펀치들을 하강시켜 제4단 펀치블록(110)의 펀치핀(112)이 제4단 다이금형(100)(112)(114)내 3차 예비성형소재(46)의 상면을 가압 펀칭함에 따라 리드부가 도 2에서와 같이 추가 후방압출에 의해 CCFL전극(200)의 인너리드(4)와 아웃터리드(6)로 일체 성형되어진 최종 성형소재(48)가 얻어진다.

최종성형 소재(48)는 후부 다이봉(116) 및 압축스프링(114) 작동에 따른 제4단 다이핀(108)의 탈거 승강에 의해서 제4단 다이금형(100)(102)(104)내 가공소재 안착부로부터 탈거되어진다.

제4단(36)에서의 제4공정 수행에 의해서 얻어진 최종 성형소재(48)는 도 2에 도시된 바와 같이, 전방 압출에 의해서 예컨대, 1.5~3.5mm 외경과 4~6mm길이를 갖는 CCFL전극(200)의 컵부(2)가 형성되고 추가적인 후방압출에 의해서 예컨대, 0.5~1.5mm직경과 2~4mm 길이를 갖는 CCFL전극(200)의 인너리드(4)와 0.3~1.3mm직경과 3~7mm 길이를 갖는 아웃터리드(6)가 형성된다.

상기와 같은 제조방법으로 컵부(2), 인너리드(4) 및 아웃터리드(6)가 일체로 성형된 최종 성형소재(48)는 도 8에 도시된 바와 같은 CCFL전극(200)이 된다. 도 8에 도시된 CCFL전극(200)는 전극을 구성하는 부품들간의 용접이 전혀 없다.

상술한 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 여러 가지 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 실시할 수 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위의 균등한 것에 의해 정해 져야 한다.

본 발명은 특히 평판형 디스플레이의 백라이트유닛중 냉음극 형광램프의 전극 제조에 이용될 수 있다.

도 1은 일반적인 냉음극 형광램프의 전극 구조도,

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 냉음극 형광램프용 전극의 컵부, 인너리드및 아웃터리드를 일체형으로 성형 제조하는 공정도,

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 초소형 다단성형기의 요부 평단면도,

도 4 내지 7은 도 3에 도시된 초소형 다단성형기의 각단의 확대 평단면도,

도 8은 본 발명의 실시 예에 따라 제조된 냉음극 형광램프의 전극 구조도,

도 9는 도 3의 초소형 다단성형기에서 제3단 펀치핀의 선단부를 설명하기 위한 도면.

Claims

냉음극 형광램프의 전극을 제조하는 방법에 있어서,

철, 니켈, 코발트가 포함된 합금재질로 된 와이어선재를 절단하여 원기둥소재를 얻는 제1과정과,

상기 원기둥소재를 다단성형기를 이용하여 업셋팅가공하여 업셋팅된 1차 예비성형 소재를 얻는 제2과정과,

상기 1차 예비성형소재를 다단성형기를 이용하여 중심점 확보 및 업셋팅 가공하여 상부 요입홈을 갖고 하측부 외경이 테이퍼가 형성되며 몸통 업셋팅된 2차 예비성형소재를 얻는 제3과정과,

상기 2차 예비성형소재를 다단성형기를 이용하여 전후방 압출가공을 하여서 전방압출에 의한 컵부와 후방압출에 의한 리드부가 일체 성형된 3차 예비성형소재를 얻는 제4과정과,

상기 3차 예비성형소재를 다단성형기를 이용하여 후방 압출가공하여서 상기 리드부가 추가 후방압출에 의해 인너리드와 아웃터리드로 일체 성형된 최종 성형소재를 얻는 제5과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 냉음극 형광램프용 전극 제조방법.
제1항에 있어서, 상기 제3과정,제4과정 및 제5과정에서 다단성형기의 다이측부 다이금형은 두개로 적층된 다이금형들로 구성하여 내부에 각 가공소재 안착부를 형성하며, 상기 제4과정에서의 전후방 압출가공을 위한 펀치핀의 선단부 형상은 합금재질 압출을 위한 형상으로 가공됨을 특징으로 하는 냉음극 형광램프용 전극 제조방법.
제2항에 있어서, 상기 펀치핀의 선단부 형상은 종단면 중심부가 평면이고 종단면 외곽측부가 경사 및 만곡형태이며, 종단면 상부로 가면서 핀봉이 확개되도록 테이퍼진 형상임을 특징으로 하는 냉음극 형광램프용 전극 제조방법.
삭제
제1항에 있어서, 상기 합금재질의 와이어선재를 합금재질 원재료보다 단조성이 향상되도록 사전 열처리하는 과정을 더 가짐을 특징으로 하는 냉음극 형광램프용 전극 제조방법.
제1항의 전극 제조방법으로 철, 니켈, 코발트가 포함된 합금재질로서 컵부, 인너리드 및 아웃터리드가 일체 성형되어서 전극을 구성함을 특징으로 하는 냉음극 형광램프용 전극.