KR100861818B1 - 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치 - Google Patents

반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100861818B1
KR100861818B1 KR1020060133386A KR20060133386A KR100861818B1 KR 100861818 B1 KR100861818 B1 KR 100861818B1 KR 1020060133386 A KR1020060133386 A KR 1020060133386A KR 20060133386 A KR20060133386 A KR 20060133386A KR 100861818 B1 KR100861818 B1 KR 100861818B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust pipe
exhaust
process chamber
manufacturing
high temperature
Prior art date
Application number
KR1020060133386A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080059731A (ko
Inventor
김백원
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020060133386A priority Critical patent/KR100861818B1/ko
Publication of KR20080059731A publication Critical patent/KR20080059731A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100861818B1 publication Critical patent/KR100861818B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L55/00—Devices or appurtenances for use in, or in connection with, pipes or pipe systems
    • F16L55/07—Arrangement or mounting of devices, e.g. valves, for venting or aerating or draining
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2258/00—Sources of waste gases
    • B01D2258/02—Other waste gases
    • B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치에 관한 것이다.
본 발명은, 공정진행에 따라 공정챔버(100)내에서 생성되는 오염물을 배기시키기 위해 상기 공정챔버(100)로부터 외부로 연장되는 배기관(210)상에 진공펌프(216, 218)를 구비하는 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치에 있어서, 상기 배기관(210)의 벽체 자체의 내부에 형성되어 고온 유체가 공급됨으로써 상기 배기관(210)을 가열하게 되는 유로(210a-1)와, 상기 배기관(210)에 대해 부설되어 상기 배기관(210)에 대해 진동 충격을 부여하게 되는 진동부여수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 고온 유체를 이용한 가열 및 진동 충격의 부가를 통해 배기되는 오염물이 배기관의 내벽에 부착되어 침적되는 것을 방지할 수 있게 되므로, 항시 적정 배기압이 유지될 수 있어 보다 완벽하게 오염물을 배기시킬 수 있게 됨으로써, 웨이퍼에 대한 오염 방지로 제조수율을 향상시키고, 설비가동율 증대에 따른 생산성 향상을 기할 수 있는 효과가 있게 된다.
배기, 진공, 터보펌프, 드라이펌프, 배기관, 포어라인, 고온, 유체, 초음파, 진동, 공정챔버, 식각, 반도체

Description

반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치{EXHAUSTING APPARATUS OF THE PROCESS CHAMBER FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE}
도 1은 종래의 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치를 보여주는 구성도,
도 2는 종래에 있어 배기장치의 포어라인(foreline) 내벽에 오염물이 침적된 것을 보여주는 사진들,
도 3은 종래에 있어 제조되는 웨이퍼가 오염되어 해당 웨이퍼상에 블록 식각 결함(block etch defect)이 발생된 것을 보여주는 전자현미경 사진,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치의 요부에 대한 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 공정챔버 210 : 배기관
210a : 포어라인 210a-1 : 유로
212 : 압력게이지 214 : 밸브수단
216 : 터보펌프 218 : 드라이펌프
220 : 초음파발생수단 d : 블록 식각 결함
x : 침적 오염물
본 발명은 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 배기되는 오염물이 배기관의 내벽측에 부착되어 침적되는 것을 방지하기 위해 해당 배기관의 벽체 내부로 고온 유체를 공급함과 아울러, 주기적인 진동 충격을 가하게 되는 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼(wafer)에 대한 일련된 여러 단위공정을 실시하여 제조되게 되며, 각 단위공정을 수행하기 위한 제조설비에는 외부와 격리되는 밀폐된 작업공간을 내부에 형성하기 위해 공정챔버(process chamber)를 구비하게 된다.
그리고, 공정진행시, 공정챔버의 내부는 청정한 고진공상태로 형성되어야 함은 물론, 공정진행에 따라 내부에서 생성되는 각종 이물질을 완벽하게 배기시킴으로써 제조되는 웨이퍼가 오염되지 않도록 해야 한다.
예컨대, 식각(etching) 가공 공정을 실시하는 식각설비에서는 그 공정챔버 내부를 고진공상태로 만든 다음, 내부에 플라즈마(plasma)를 형성함과 아울러, 소정의 공정가스를 도입하여 웨이퍼상의 소정영역을 식각하여 제거하게 되는데, 공정진행에 따라 공정챔버의 내부에는 미반응 공정가스, 반응부산물(by-product), 파티클(particle), 폴리머(polymer) 등의 각종 오염물이 생성되게 되고, 이 오염물을 정확하게 배기시키지 않으면, 해당 오염물에 의해 웨이퍼가 오염되어 수율 저하가 초래되게 된다.
따라서, 공정챔버에 대해서는 그 내부를 고진공상태로 만듦과 아울러, 공정진행시 내부에서 생성되는 각종 오염물을 외부 배기시켜 제거하기 위한 진공배기장치가 필수적으로 구비되게 되며, 도 1은 종래의 해당 진공배기장치를 보여준다.
도면을 참조하면, 공정챔버(100)의 측부 소정부위에 연통되도록 일단이 연결되어 외부로 길게 연장되는 배기관(210)이 구비되며, 해당 배기관(210)상에는 배기 작용을 위한 진공펌프(vacuum pump)들(216, 218)이 설치되게 된다.
여기서, 진공펌프(216, 218)로는 공정챔버(100)에 대해 근접하도록 설치되어 강한 펌핑력을 제공하게 되는 고진공 펌프인 터보펌프(turbo pump)(216)와, 터보펌프(216) 외측의 공정챔버(100)로부터 다소 원거리상에 설치되어 상대적으로 낮은 펌핑력을 제공하게 되는 저진공 펌프인 드라이펌프(dry pump)(218)로 이루어지게 된다.
전술한 터보펌프(216)는 유입되는 기체분자들에 방향성을 주고 운동량을 증가시키기 위해 고속회전하는 회전체를 구비하는 것으로, 대기로의 직접 배기를 실시할 수 없어 통상 다른 종류의 펌프에 의해 보조되게 된다.
그리고, 전술한 드라이펌프(218)는 피스톤의 왕복운동을 통해 다소 낮은 펌핑력을 제공하게 되는 것으로, 전술한 터보펌프(216)를 외측에서 보조하게 된다.
즉, 터보펌프(216)와 드라이펌프(218)의 조합 구성을 통해 원활한 진공 및 배기 작용을 제공하게 된다.
그리고, 전술한 배기관(210)은 오염물이 원활히 통과되어 배출되도록 하기 위한 적정 직경을 갖게 되며, 이 배기관(210)의 부분중 드라이펌프(218)에 대한 전방측 부분의 진공라인을 통상 포어라인(foreline)이라 칭하며, 해당 포어라인은 공정챔버(100)와 드라이펌프(218) 사이 부분을 지칭하기도 하나, 보다 좁은 의미로는 터보펌프(216)와 드라이펌프(218) 사이 부분을 지칭하게 된다.
나아가, 배기관(210)상에는 개폐작동되면서 펌핑력을 단속하게 되는 밸브(valve)수단(214)이 또한 적정위치에 각기 구비되게 되며, 압력 측정을 위한 압력게이지(gauge)(212) 등도 구비되게 된다.
이로써, 그 작용에 대해 설명하면, 공정챔버(100)내로 웨이퍼(미도시)가 로딩되게 되면, 밸브수단들(214)이 모두 개방되고, 이어서 배기관(210)상의 터보펌프(216) 및 드라이펌프(218)가 동시에 작동되어 펌핑력을 발휘하게 되며, 이에 따라 공정챔버(100) 내부는 고진공상태로 형성되어 유지되게 됨과 아울러, 공정진행에 따라 공정챔버(100) 내부에서 생성되는 각종 오염물은 배기관(210)을 통해 외부로 배기되게 된다.
그러나, 이상과 같은 종래의 배기장치에서는, 진공펌프들(216, 218)을 사용하고 있음에도 불구하고, 실제로는 배기되는 오염물이 배기관(210)을 통해 배기되는 과정에서 해당 배기관(210), 특히 포어라인(210a)의 내벽측에 부착되어 침적되게 되는 문제점이 발생되게 된다.
일 예로서, 식각설비의 경우 공정챔버에서 생성된 오염물은 배기 시점에서도 여전히 높은 반응성을 갖고 있어 배기관(210)의 내벽에 대해 쉽게 증 착(deposition)되어 부착되곤 하는데, 해당 식각설비의 포어라인(210a)의 내벽에 오염물(x)이 심각하게 증착되어 누적된 것을 도 2의 사진을 통해 나타낸다.
이와 같이, 배기관(210)의 내벽에 대해 오염물(x)이 부착되어 적재되게 되면, 제조되는 웨이퍼의 오염을 야기하여 제조수율을 저하시키게 되는데, 즉 펌핑력이 저하되게 됨에 따라 공정챔버(100)내에서 생성되는 오염물을 완벽하게 제거하지 못하게 되어 공정챔버(100)내에는 오염물이 잔류하게 됨과 아울러, 압력 이상이 발생되는 경우 배기관(210)에 부착되어 있던 오염물(x)이 역류(back-stream)되어 공정챔버(100)내로 유입되게 됨으로써, 제조되는 웨이퍼를 오염시키게 된다.
여기서, 도 3은 웨이퍼상에 오염물이 떨어져 웨이퍼상에 블록 식각 결함(block etch defect)(d)을 유발한 것을 보여준다.
또한, 공정챔버(100)의 내부가 오염되게 되면, 식각 가공시 언더(under) 식각이나 오버(over) 식각도 빈번히 발생되게 된다.
나아가, 이상과 같이 배기관(210)내에 오염물(x)이 적재되게 되면, 펌핑력이 급속히 저하되게 되어 원활한 공정진행을 방해하게 됨으로써, 잦은 가동 중지로 생산성도 대폭 저하시키게 된다.
따라서, 최근에는 이러한 문제점을 보완하기 위하여 다양한 방법을 채택하고 있는데, 그 대표적인 예로서, 배기관(210)을 외측에서 감싸도록 히팅재킷(heating jacket)을 설치하여 강제적으로 열을 가함으로써 배기되는 오염물이 온도 강하되면서 배기관(210)의 내벽상에 침적되는 것을 방지하거나, 배기관(210)의 내벽에 대해 별도의 다양한 코팅(coating)을 실시하여 오염물이 부착되는 것을 방지하고 있다.
그러나, 이러한 방법들은 부착 방지 효과가 다소 낮을 뿐만 아니라, 그 실시에 고가의 비용이 소요되며, 특히 한번 오염물이 부착되면 이후 급속한 속도로 적재되고 만다는 수명이 매우 짧은 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 배기관의 벽체내에 유로를 형성하고 해당 유로를 통해 고온 유체를 공급하여 열을 가함과 아울러 주기적인 진동 충격을 가하는 것에 의해 오염물의 부착을 보다 완벽하게 방지할 수 있게 되는 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적과 여러가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치는, 공정진행에 따라 공정챔버내에서 생성되는 오염물을 배기시키기 위해 상기 공정챔버로부터 외부로 연장되는 배기관상에 진공펌프를 구비하는 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치에 있어서, 상기 배기관의 벽체 자체의 내부에 형성되어 고온 유체가 공급됨으로써 상기 배기관을 가열하게 되는 유로와, 상기 배기관에 대해 부설되어 상기 배기관에 대해 진동 충격을 부여하게 되는 진동부여수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치에 대한 요부를 보여주는 구성도이다.
설명에 앞서, 종래와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부기하고, 그 상세한 설명은 일부 생략함을 밝힌다.
공정진행에 따라 공정챔버(100) 내부에서 생성되는 각종 오염물을 배기시키기 위해 필수적으로 배기장치가 구비되는데, 해당 배기장치는, 공정챔버(100)로부터 외부로 길게 연장되는 배기관(210)과, 해당 배기관(210)상에 구비되어 배기 작용을 제공하게 되는 진공펌프들인 터보펌프(216)와 드라이펌프(218) 등으로 구성되게 된다.
그러나, 종래에는 배기되는 오염물이 배기관(210) 특히, 포어라인(210a)의 내벽에 쉽게 부착되어 쌓이곤 하였는데, 이에 따라 펌핑력이 급속히 저하되어 원활한 공정진행을 전반적으로 방해하였었다.
이에, 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고자, 배기관(210) 특히, 포어라인(210a)의 벽체 자체의 내부에 유로(210a-1)를 형성하여 해당 유로(210a-1)를 통해 고온 유체를 연속적으로 공급하여 배기관(210)이 가열되도록 함으로써, 배기되는 오염물이 온도 강하되어 배기관(210)의 내벽에 대해 침적되는 것이 방지되도록 하게 된다.
여기서, 고온 유체로는 일반적인 핫 워터(hot water)가 이용될 수 있고, 해 당 고온 유체는 공장내의 유틸리티 시스템(utility system)으로부터 공급되거나, 별도의 공급수단으로부터 공급될 수 있다.
그리고, 전술한 유로(210a-1)는 배기관(210)의 둘레를 따라 전반적으로 형성되도록 환 형상으로 형성될 수 있으며, 배기관(210)의 길이방향을 따라서도 길게 형성될 수 있다.
그러나, 해당 유로(210a-1)의 형성 위치 및 개수 등은 특별히 한정되지 않음은 당연하다.
또한, 배기관(210), 특히 포어라인(210a)에 대해서는 진동부여수단이 구비되게 되며, 해당 진동부여수단은 그 작동에 의해 배기관(210)에 대하여 주기적인 진동 충격을 가하게 됨으로써 더욱 배기관(210)의 내벽에 대해 오염물이 부착되는 것이 방지되도록 하게 된다.
이때, 해당 진동부여수단으로는 전압의 인가에 따라 주기적인 초음파 진동을 발생할 수 있는 초음파발생수단(220)일 수 있으며, 해당 초음파발생수단(220)은 바람직하게 유로(210a-1)내의 고온 유체에 대해 직접적으로 주기적인 초음파 파동을 발생시켜 해당 초음파 파동이 해당 고온 유체를 매질로 하여 전파된 다음 배기관(210)의 내벽측에 충격을 가하도록 구비될 수 있다.
물론, 해당 진동부여수단은 배기관(210)의 벽체 자체의 내부에 형성되는 빈공간내에 구비되어 직접적으로 고온 유체에 대해 진동을 부가할 수 있으나, 이와 다르게 배기관(210)의 외측벽에 대한 외부에 구비되어 배기관(210) 자체에 대해 진동을 부가하도록 구비될 수도 있을 것이다.
이로써, 본 발명에 의하면, 공정진행시 진공펌프(216, 218)의 작용에 의해 배기관(210)을 통해 공정챔버(100)로부터 오염물이 배기되는 과정에서 해당 배기관(210)의 벽체 내부에 대해서는 고온 유체가 계속적으로 공급되어 해당 배기관(210)이 적정하게 가열되게 됨으로써, 배기되는 오염물이 온도 강하 등에 따라 해당 배기관(210)의 내벽측에 대해 쉽게 부착되어 침적되는 것이 방지될 수 있게 됨과 아울러, 공급되는 고온 유체에 대해서는 초음파 진동이 부가되어 해당 고온 유체가 매질 역할을 수행하여 배기관(210)의 내벽측에 주기적인 충격도 가하게 됨으로써 더욱 배기되는 오염물이 배기관(210)의 내벽에 대해 부착되어 침적되는 것이 방지되도록 하게 된다.
이에 따라, 배기관(210) 내벽에의 오염물의 부착이 최대한 방지될 수 있게 되므로, 적정 배기압이 계속적으로 이상 없이 유지될 수 있게 되고, 공정챔버(100)로부터 오염물이 보다 완벽하게 제거될 수 있게 되므로, 오염 방지에 따른 제조수율의 향상 및 설비가동율 증대에 따른 생산성 향상을 기할 수 있게 된다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정과 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.
본 발명에 따르면, 고온 유체를 이용한 가열 및 진동 충격의 부가를 통해 배기되는 오염물이 배기관의 내벽에 부착되어 침적되는 것을 방지할 수 있게 되므로, 항시 적정 배기압이 유지될 수 있어 보다 완벽하게 오염물을 배기시킬 수 있게 됨 으로써, 웨이퍼에 대한 오염 방지로 제조수율을 향상시키고, 설비가동율 증대에 따른 생산성 향상을 기할 수 있는 효과가 달성될 수 있다.

Claims (5)

  1. 공정진행에 따라 공정챔버(100)내에서 생성되는 오염물을 배기시키기 위해 상기 공정챔버(100)로부터 외부로 연장되는 배기관(210)상에 진공펌프(216, 218)를 구비하는 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치에 있어서,
    상기 배기관(210)의 벽체 자체의 내부에 형성되어 고온 유체가 공급됨으로써 상기 배기관(210)을 가열하게 되는 유로(210a-1)와,
    주기적인 초음파 진동을 발생하도록 상기 배기관(210)에 대해 부설되어 상기 배기관(210)에 대해 진동 충격을 부여하게 되는 초음파발생수단(220)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유로(210a-1) 및 상기 초음파발생수단(220)은,
    상기 배기관(210)중의 특히 상기 공정챔버(100)와 진공펌프(216, 218)간을 연결하는 부분인 포어라인(210a)에 대해 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 고온 유체는,
    핫 워터(hot water)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조를 위한 공정챔 버의 배기장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 초음파발생수단(220)은,
    상기 유로(210a-1)내의 상기 고온 유체에 대해 초음파 진동을 발생시켜 초음파 진동이 상기 고온 유체를 매질로 하여 전파된 다음 상기 배기관(210)의 내벽측에 충격을 가하도록 하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치.
KR1020060133386A 2006-12-26 2006-12-26 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치 KR100861818B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060133386A KR100861818B1 (ko) 2006-12-26 2006-12-26 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060133386A KR100861818B1 (ko) 2006-12-26 2006-12-26 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080059731A KR20080059731A (ko) 2008-07-01
KR100861818B1 true KR100861818B1 (ko) 2008-10-07

Family

ID=39812459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060133386A KR100861818B1 (ko) 2006-12-26 2006-12-26 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100861818B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140070513A (ko) 2014-05-20 2014-06-10 이재영 반도체 제조 설비용 초음파 스크러버

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990020325U (ko) * 1997-11-25 1999-06-15 구본준 반도체 웨이퍼 제조장치용 배관라인
KR20030033674A (ko) * 2001-10-24 2003-05-01 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비의 배기 시스템

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990020325U (ko) * 1997-11-25 1999-06-15 구본준 반도체 웨이퍼 제조장치용 배관라인
KR20030033674A (ko) * 2001-10-24 2003-05-01 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비의 배기 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140070513A (ko) 2014-05-20 2014-06-10 이재영 반도체 제조 설비용 초음파 스크러버

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080059731A (ko) 2008-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6876158B2 (ja) プラズマ処理装置
WO2010047953A3 (en) A remote plasma clean process with cycled high and low pressure clean steps
CN105195487B (zh) 一种石英玻璃清洗方法
KR100806041B1 (ko) 반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법
WO2019122873A1 (en) A vacuum pumping arrangement
WO2016060773A1 (en) Corrosion resistant abatement system
KR100861818B1 (ko) 반도체 소자 제조를 위한 공정챔버의 배기장치
KR100861819B1 (ko) 반도체 제조를 위한 공정챔버의 배기장치
KR20170061962A (ko) 반도체 제조장치의 관체 유지보수 시스템
TWI740668B (zh) 軟管及其的製造方法
TWI551711B (zh) 薄膜形成裝置及薄膜形成裝置之清潔方法
KR100924654B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법
JP2010027836A (ja) プラズマ処理装置
US6539953B2 (en) Method and apparatus for cleaning a heater bellow in a chemical vapor deposition chamber
JP5013484B2 (ja) 半導体製造装置のクリーニング方法および半導体製造装置
CN211951853U (zh) 一种气体排污管
JP2005161493A (ja) マイクロ構造体の製造方法とその製造装置
US20240165681A1 (en) Methods and apparatus for cleaning a vessel
KR100841343B1 (ko) 기판 처리 장치
US20080060932A1 (en) Pumping line device of dry etching apparatus
KR19980074785A (ko) 배출 라인의 파우더 제거 장치
CN102347207A (zh) 用于等离子体工艺的系统
CN112460285B (zh) 真空压力计的寿命提升装置和方法
KR20080058652A (ko) 반도체 제조설비
KR200374862Y1 (ko) 모듈화된 가스 진공 정화기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee