KR100858046B1 - Trap for semiconductor fabrication equipment - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 트랩을 설명하기 위한 개념도,1 is a conceptual diagram illustrating a trap for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention;
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 트랩의 사시도,2 is a perspective view of a trap for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention;
도 3은 도 2의 부분 절개 사시도, 및3 is a partial cutaway perspective view of FIG. 2, and
도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 트랩의 단면도. 4 is a cross-sectional view of a trap for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing
10 : 프로세스 챔버 20 : 펌프10
30 : 냉매 공급관 40 : 냉매 배출관30: refrigerant supply pipe 40: refrigerant discharge pipe
100 : 트랩 110 : 제 1하우징100: trap 110: first housing
112, 162 : 가스 유입구 114, 164 : 내부 공간112, 162:
116, 166 : 가스 배출구 118 : 외부 케이스116, 166: gas outlet 118: outer case
120 : 제 1배플 플레이트 122, 172 : 구멍120:
130 : 히터 140 : 온도 센서130: heater 140: temperature sensor
160 : 제 2하우징 168 : 배출관160: the second housing 168: discharge pipe
170 : 제 2배플 플레이트 181 : 냉매 유입구170: second baffle plate 181: refrigerant inlet
182 : 냉매 배출구 183 : 냉각관182: refrigerant outlet 183: cooling tube
184 : 냉매 탱크184: Refrigerant Tank
본 발명은 반도체 또는 LCD 제조시 CVD(Chemical Vapor Deposition) 프로세스 챔버로부터 펌프로 배출되는 가스 중의 반응부산물을 포집하기 위한 반도체 제조장비용 트랩에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to traps for semiconductor manufacturing equipment for capturing reaction by-products in gases discharged from a chemical vapor deposition (CVD) process chamber to a pump in semiconductor or LCD manufacturing.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어진다. In general, the semiconductor manufacturing process is largely composed of a pre-process (Fabrication process) and a post-process (Assembly process).
전 공정은 각종 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼(Wafer) 상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 에칭하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공함으로써, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말한다. In the previous process, a semiconductor chip is manufactured by repeatedly depositing a thin film on wafers in various process chambers and selectively etching the deposited thin film to process a specific pattern. Say.
후공정은 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드 프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.The post process refers to a process of separately separating chips manufactured in the previous process and then assembling them into a finished product by combining with a lead frame.
이때, 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나 웨이퍼 상에 증착된 박막을 에칭하는 공정의 경우는, 프로세스 챔버 내에서 유해 가스를 사용하여 고온에서 수행된다. 이러한 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 가스 등이 다량 발생한다. 즉, 챔버 내부에서는 유해 가스의 약 30%만 웨이퍼의 표면에 증착되고, 일부 반응하지 않은 가스는 배출되는 것이다. At this time, in the case of the process of depositing a thin film on the wafer or etching the thin film deposited on the wafer, it is carried out at a high temperature using a harmful gas in the process chamber. During this process, a large amount of ignitable gases, corrosive foreign substances, and gases containing toxic components are generated in the process chamber. That is, only about 30% of noxious gas is deposited on the surface of the wafer inside the chamber, and some unreacted gas is discharged.
따라서, 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에는, 프 로세스 챔버로부터 배출되는 가스를 정화한 후 대기로 방출하기 위한 스크러버가 설치된다. Therefore, a scrubber is provided at the rear end of the vacuum pump for vacuuming the process chamber to purify the gas discharged from the process chamber and discharge it to the atmosphere.
그런데, 프로세스 챔버와 펌프 사이에서 가스는 고형화되어 파우더로 변하는 일이 발생하였으며, 파우더는 배기관에 고착되어 배기 압력을 상승시킴과 동시에 펌프로 유입될 경우 펌프의 고장을 유발하는 문제점이 있었다. 즉, 프로세스 챔버로부터 펌프로 배출되는 가스 중의 반응부산물은 배기관 내벽에 고착되어 배기관 막힘 현상을 유발하였으며, 펌프의 몸체에 결합하여 펌프를 손상시킴으로써 수명을 단축시켰다. By the way, the gas is solidified between the process chamber and the pump to turn into a powder, the powder is stuck to the exhaust pipe to increase the exhaust pressure and at the same time there is a problem causing the failure of the pump when entering the pump. In other words, the reaction by-products in the gas discharged from the process chamber to the pump is fixed to the inner wall of the exhaust pipe causing clogging of the exhaust pipe, it is coupled to the body of the pump damage the pump to shorten the life.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 프로세서 챔버로부터 펌프로 배출되는 가스 중의 반응부산물을 효과적으로 포집함으로써, 펌프의 고장 또는 손상을 방지하여 펌프의 내구성을 확보하기 위한 반도체 제조장비용 트랩을 제공하는 데에 있다. The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention to effectively trap the reaction by-products in the gas discharged from the processor chamber to the pump, to prevent the failure or damage of the pump to ensure the durability of the pump To provide a trap for semiconductor manufacturing equipment.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 트랩은, The trap for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention for achieving the above object,
반도체 제조장비의 프로세스 챔버로부터 펌프로 배출되는 가스 중의 반응부산물을 포집하기 위하여, In order to capture the reaction by-products in the gas discharged from the process chamber of the semiconductor manufacturing equipment to the pump,
프로세스 챔버와 연통하는 가스 유입구, 유입된 가스가 통과하는 내부 공간, 및 가스를 외부로 배출하기 위한 가스 배출구가 제공된 제 1하우징;A first housing provided with a gas inlet communicating with the process chamber, an inner space through which the introduced gas passes, and a gas outlet for discharging the gas to the outside;
유입된 가스가 이동하는 동안 접촉하도록 제 1하우징 내에 복수개가 제공되 며 구멍이 형성되어 있는 제 1배플 플레이트;A first baffle plate provided with a plurality of holes in the first housing so as to be in contact with the introduced gas during movement thereof;
제 1배플 플레이트를 가열하기 위하여 제 1배플 플레이트에 접촉하여 제공된 히터;A heater provided in contact with the first baffle plate to heat the first baffle plate;
제 1하우징의 가스 배출구와 연통하는 가스 유입구, 유입된 가스가 통과하는 내부 공간, 및 펌프와 연통하는 가스 배출구가 제공된 제 2하우징;A second housing provided with a gas inlet communicating with the gas outlet of the first housing, an inner space through which the inlet gas passes, and a gas outlet communicating with the pump;
유입된 가스가 이동하는 동안 접촉하도록 제 2하우징 내에 복수개가 제공되며 구멍이 형성되어 있는 제 2배플 플레이트;A second baffle plate provided with a plurality of holes in the second housing to be in contact with the introduced gas during movement thereof;
제 2배플 플레이트를 냉각하기 위하여 제 2배플 플레이트에 접촉하여 제공된 냉각수단을 포함하여 이루어지고,
상기 제 1배플 플레이트는 가스 이동 경로상 후방으로 갈수록 배치 간격이 좁아져 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 트랩을 제공함으로써 달성되는 것다. It comprises a cooling means provided in contact with the second baffle plate to cool the second baffle plate,
The first baffle plate is achieved by providing a trap for semiconductor manufacturing equipment, characterized in that the arrangement interval is narrowed toward the rear in the gas flow path.
여기서, 바람직하게는, 제 1배플 플레이트는 가스 이동 경로상 후방으로 갈수록 좁은 간격으로 배치된다. Here, preferably, the first baffle plates are arranged at narrow intervals toward the rear in the gas flow path.
바람직하게는, 제 1배플 플레이트는 가스 이동 경로상 전방의 배플 플레이트의 구멍과 후방의 배플 플레이트의 구멍이 서로 지그재그로 배치된다. Preferably, in the first baffle plate, the holes of the front baffle plate and the holes of the rear baffle plate are arranged in a zigzag manner with each other.
바람직하게는, 제 1배플 플레이트의 구멍은 타원형이다. Preferably, the holes of the first baffle plate are elliptical.
바람직하게는, 제 1배플 플레이트의 구멍에는 메쉬 필터가 제공된다. Preferably, the aperture of the first baffle plate is provided with a mesh filter.
바람직하게는, 제 2배플 플레이트는 가스 이동 경로상 전방으로 갈수록 좁은 간격으로 배치된다. Preferably, the second baffle plates are arranged at narrow intervals toward the front of the gas flow path.
바람직하게는, 제 2배플 플레이트는 가스 이동 경로상 전방의 배플 플레이트의 구멍과 후방의 배플 플레이트의 구멍이 서로 지그재그로 배치된다. Preferably, in the second baffle plate, the holes of the front baffle plate and the holes of the rear baffle plate are arranged zigzag with each other.
바람직하게는, 제 2배플 플레이트의 구멍은 타원형이다. Preferably, the holes of the second baffle plate are oval.
바람직하게는, 제 2배플 플레이트의 구멍에는 메쉬 필터가 제공된다. Preferably, the hole of the second baffle plate is provided with a mesh filter.
바람직하게는, 냉각수단은, 제 2하우징의 내부로 냉매를 주입하기 위하여 제 2하우징에 제공된 냉매 유입구와, 제 2하우징의 내부를 경유한 냉매를 제 2하우징의 외부로 배출하기 위하여 제 2하우징에 제공된 냉매 배출구와, 일단이 냉매 유입구와 연통하고 타단이 냉매 배출구와 연통하며 내부에 저온의 냉매가 순환하고 제 2배플 플레이트에 접촉하여 통과하도록 제공된 냉각관, 및 냉각관과 연통하며 냉매를 일시 저장하기 위하여 제 2하우징 내부에 제공된 냉매 탱크를 포함한다. Preferably, the cooling means includes a refrigerant inlet provided in the second housing for injecting the refrigerant into the second housing, and a second housing for discharging the refrigerant via the inside of the second housing to the outside of the second housing. A coolant outlet provided in the cooling chamber, one end of which communicates with the refrigerant inlet, the other end of which communicates with the refrigerant outlet, and a cooling tube provided to circulate and pass through the low temperature refrigerant in contact with the second baffle plate; A refrigerant tank provided inside the second housing for storage.
바람직하게는, 제 1하우징의 가스 유입구 및 가스 배출구의 단부에는 금속 개스킷이 제공된다. Preferably, the metal gasket is provided at the ends of the gas inlet and the gas outlet of the first housing.
바람직하게는, 제 1하우징의 외측에는 외부 케이스가 더 제공된다. Preferably, the outer case is further provided on the outside of the first housing.
바람직하게는, 제 1하우징 및 외부 케이스에는 내부에 포집된 반응부산물을 외부에서 확인할 수 있도록 투시창이 제공된다. Preferably, the first housing and the outer case are provided with a viewing window so as to externally identify the reaction by-products collected therein.
바람직하게는, 제 1하우징의 내부 및 외벽의 온도를 감지하기 위한 온도 센서, 및 온도 센서로부터 측정된 값을 이용하여 제 1하우징의 내부 온도를 일정 범위 내로 제어하기 위한 제어부를 더 포함한다. Preferably, the apparatus further includes a temperature sensor for sensing the temperature of the inner and outer walls of the first housing, and a controller for controlling the internal temperature of the first housing to a predetermined range using a value measured from the temperature sensor.
바람직하게는, 온도감지 시스템에는 PID(Proportional Integral Derivative) 제어가 적용된다.Preferably, Proportional Integral Derivative (PID) control is applied to the temperature sensing system.
이와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 프로세스 챔버로부터 펌프로 유입되는 반응부산물을 효과적으로 포집함으로써, 펌프의 고장 또는 손상을 방지하여 펌프의 내구성을 확보할 수 있다. According to the present invention configured as described above, by effectively collecting the reaction by-products flowing into the pump from the process chamber, it is possible to prevent the failure or damage of the pump to ensure the durability of the pump.
이하에서는, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.
첨부 도면 중, 도 1 내지 도 4에는 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 트랩이 나타나 있다.1 to 4 show traps for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
도 1을 참조하면, 프로세스 챔버(10)와 펌프(20) 사이에는 프로세스 챔버(10)로부터 배출되는 가스 중의 반응부산물을 포집하기 위한 트랩(100)이 제공되어 있다. Referring to FIG. 1, a
트랩(100)에는 내부로 냉매를 공급하기 위한 냉매 공급관(30), 및 냉매를 사용한 후 배출하기 위한 냉매 배출관(40)이 연결되어 있다. The
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 트랩(100)은 제 1하우징(110) 및 제 2하우징(160)을 포함하고 있다. 제 1하우징(110)에는 프로세스 챔버(10)와 연통하는 가스 유입구(112), 유입된 가스가 통과하는 내부 공간(114), 및 가스를 외부로 배출하기 위한 가스 배출구(116)가 제공되어 있다. 2 and 3, the
한편, 도시되지 않았으나, 제 1하우징(110)으로부터 가스 누출을 방지하기 위하여, 제 1하우징(110)의 가스 유입구(112) 및 가스 배출구(116)의 단부에는 금속 개스킷이 제공되어 있다. Although not shown, in order to prevent gas leakage from the
또한, 제 1하우징(110)의 외측에는 외부 케이스(118)가 제공되며, 도시되지 않았으나 제 1하우징(110) 및 상기 외부 케이스(118)에는 내부에 포집된 반응부산물을 외부에서 확인하기 위하여 투시창이 제공되어 있다. In addition, the
한편, 본 발명에 따른 트랩(100)에는 제 1하우징(110)의 내부 온도를 일정 범위 내로 제어하기 위하여 온도감지 시스템이 제공될 수 있다. 온도감지 시스템은 제 1하우징(110)의 내부 및 외벽의 온도를 감지하기 위한 각각의 온도 센서(140), 및 제 1하우징(110)의 내부 온도를 일정 범위 내로 제어하기 위한 제어부를 포함한다. 온도감지 시스템의 제어에는 PID 제어가 적용될 수 있다. On the other hand, the
제 1하우징(110)의 내부에는 제 1배플 플레이트(120)가 복수개 제공되어 있으며, 제 1배플 플레이트(120)를 가열하기 위하여 히터(130)가 제공되어 있다. 히터(130)는 제 1배플 플레이트(120)에 접촉하여 배치되어 있다. A plurality of
제 1배플 플레이트(120)에는 타원형의 구멍(122)이 형성되어 있으며, 도시되지 않았으나 구멍(122)에는 메쉬 필터가 제공될 수 있다. 또한, 제 1배플 플레이트(120)는 가스 이동 경로상 후방으로 갈수록 좁은 간격으로 배치되어 있다. An
제 1하우징(110)의 내부 공간(114)으로 유입된 가스는 이동하는 동안 제 1배플 플레이트(120)에 접촉하게 된다. 여기서, 가스의 이동 경로를 증가하기 위해, 가스 이동 경로상 전방의 제 1배플 플레이트(120)의 구멍(122)과 후방의 제 1배플 플레이트(120)의 구멍(122)은 지그재그로 배치되어 있다. Gas introduced into the
제 2하우징(160)에는 제 1하우징(110)의 가스 배출구(112)와 연통하는 가스 유입구(162), 유입된 가스가 통과하는 내부 공간(164), 펌프(20)와 연통하는 가스 배출구(166), 및 포집된 고형물을 배출하기 위한 배출관(168)이 제공되어 있다. The
그리고, 제 2하우징(160)의 내부에는 제 2배플 플레이트(170)가 복수개 제공되어 있으며, 제 2배플 플레이트(170)를 냉각하기 위하여 냉각수단(180)이 제공되어 있다. 냉각수단(180)은 제 2배플 플레이트(170)에 접촉하여 배치되어 있다. In addition, a plurality of
제 2배플 플레이트(170)에는 타원형의 구멍(172)이 형성되어 있으며, 도시되지 않았으나 구멍(172)에는 메쉬 필터가 제공될 수 있다. 또한, 제 2배플 플레이트(170)는 가스 이동 경로상 전방으로 갈수록 좁은 간격으로 배치되어 있다. An
제 2하우징(160)의 내부 공간(164)으로 유입된 가스는 이동하는 동안 제 2배플 플레이트(170)에 접촉하게 된다. 여기서, 가스의 이동 경로를 증가하기 위해, 가스 이동 경로상 전방의 제 2배플 플레이트(170)의 구멍(172)과 후방의 제 2배플 플레이트(170)의 구멍(172)은 지그재그로 배치되어 있다. The gas introduced into the
제 2하우징(160)에는 내부로 냉매를 주입하기 위한 냉매 유입구(181), 및 제 2하우징(160)의 내부를 경유한 냉매를 외부로 배출하기 위한 냉매 배출구(182)가 제공되어 있다. 냉매 유입구(181)는 냉매 공급관(30)과, 냉매 배출구(182)는 냉매 배출관(40)과 각각 연결되어 있다. The
그리고, 제 2하우징(160)의 내부에는 일단이 냉매 유입구(181)와 연통하고 타단이 냉매 배출구(182)와 연통하도록 냉각관(183)이 제공되어 있다. 냉각관(183)은 제 2배플 플레이트(170)에 접촉하여 통과하면서 제 2하우징(160)의 내부를 순환하도록 제공되어 있다. 냉각관(183)의 내부에는 저온의 냉매가 순환하고 있다. In addition, a
또한, 제 2하우징(160)의 내부에는 냉각관(183)과 연통하며 냉매를 일시 저장하기 위한 냉매 탱크(184)가 제공되어 있다. In addition, a
이하에서는, 다시 도 2 내지 도 3을 참조하여 반도체 제조장비용 트랩(100)의 작동을 설명한다.Hereinafter, the operation of the semiconductor
프로세스 챔버(10)로부터 배출된 가스는 제 1하우징(110)의 가스 유입구 (112)를 통해 제 1하우징(110)의 내부로 유입된다. 유입된 가스는 복수개의 제 1배플 플레이트(120)에 접촉하여 가열되면서, 제 1하우징(110)의 내부 공간(114)을 통과하여 가스 배출구(116)를 통해 제 2하우징(160)으로 이동한다. 이 가스는 제 1하우징(110)의 내부 공간(114)을 통과하는 동안, 복수개의 제 1배플 플레이트(120)의 타원형 구멍(122)을 통해 지그재그로 이동한다. 이렇게 가스의 경로를 증가함으로써, 펌프(20)의 처리 속도를 저해하지 않을 수 있다. The gas discharged from the
프로세스 챔버(10)로부터 배출된 가스가 제 1하우징(110)을 통과하는 동안, 가스는 제 1배플 플레이트(120)에 의해 가열되므로 가스 중의 반응부산물이 화학적 변화를 일으킨다. 가스는 제 1배플 플레이트(120)에 의한 가열이 히터(130)의 복사열에 의한 가열보다 제 1하우징(110)의 내부에서 균일한 온도 분포를 가질 수 있다. 한편, 반응부산물 중에 입자가 큰 물질은 제 1배플 플레이트(120)의 구멍(122)에 제공된 메쉬 필터에 의해 여과된다. While the gas discharged from the
제 1하우징(110)의 내부 온도는 온도감지 시스템에 의해 일정 범위 내로 제어되기 때문에 가스가 효과적으로 가열될 수 있다. 또한, 제 1하우징(110)의 외벽의 온도는 일정 범위 내로 제어되며 제 1하우징(110)의 외측에는 외부 케이스(118)가 제공되기 때문에 사용자에게 안전성을 제공할 수 있다. Since the internal temperature of the
한편, 사용자는 제 1하우징(110) 및 외부 케이스(118)의 투시창을 통해 상기 과정 동안 포집된 반응부산물의 양을 외부에서 확인할 수 있다. On the other hand, the user can externally check the amount of the reaction by-products collected during the process through the viewing window of the
제 1하우징(110)으로부터 배출된 가스는 제 2하우징(160)으로 이동한다. 제 2하우징(160)의 내부는 냉각수단(180)에 의해 냉각되므로, 제 1하우징(110) 보다 내부 온도가 낮은 상태이다. 따라서, 제 1하우징(110)에서 가열된 후 제 2하우징(160)으로 유입된 가스는 제 2하우징(160)의 내부에서 위로 상승한다. 가스는 제 2하우징(160)의 내부 공간(164)에서 이동하는 동안, 복수개의 제 2배플 플레이트(170)의 타원형 구멍(172)을 통해 지그재그로 이동한다. 그러면, 가스는 제 2배플 플레이트(170)에 접촉하면서 냉각되어 가스 중의 반응부산물이 제 2배플 플레이트(170)에 고형물로 증착된다. 여기서, 제 2배플 플레이트(170)는 가스가 유입되는 경로측으로 갈수록 좁은 간격으로 배치되어 있으므로, 제 1하우징(110)으로부터 고온의 증기 상태로 유입된 가스는 초기에 제 2하우징(160)에서 긴 경로를 따라 이동하여 급속 냉각된다. The gas discharged from the
이와 같이, 본 발명에 따르면, 프로세스 챔버(10)로부터 펌프(20)로 배출되는 가스 중의 반응부산물은 트랩(100) 내에서 기체 상태에서 고체 상태로 급속 전환되어 제 1 및 제 2배플 플레이트(120,170)의 표면에 증착되므로, 펌프(20)로 반응부산물이 유입되지 않아 펌프(20)의 고장 또는 파손이 방지될 수 있다. As such, according to the present invention, the reaction by-products in the gas discharged from the
본 발명에 따르면, 트랩(100) 내부에 하부측의 제 1 및 제 2배플 플레이트(120,170)를 좁은 간격으로 배치함으로써, 가스의 이동 경로를 늘려서 반응부산물을 효과적으로 포집할 수 있다. According to the present invention, the first and
또한, 본 발명에 따르면, 제 1 및 제 2배플 플레이트(120,170)의 구멍(122,172)을 전방과 후방이 서로 지그재그로 배치되게 함으로써, 가스의 속도 및 경로가 증가되어 펌프(20)의 처리 속도를 저해하지 않는다.In addition, according to the present invention, the front and rear of the
또한, 본 발명에 따르면, 트랩(100)의 입구(112) 및 출구(166)가 상부에 위 치하여 펌프(20)측으로 반응부산물이 떨어지는 것을 방지할 수 있으며, 제 1 및 제 2배플 플레이트(120,170)의 구멍(122,172)에 각각 메쉬 필터를 제공하여 큰 입자의 금속성 가루 등이 펌프(20)로 유입되지 않는다. In addition, according to the present invention, the
또한, 본 발명에 따르면, 제 1하우징(110)의 가스 유입구(112) 및 가스 배출구(116)에 금속 개스킷을 적용함으로써, 제 1하우징(110)의 내부 온도가 급격히 상승하는 경우에도 가스의 누출을 방지할 수 있다. In addition, according to the present invention, by applying a metal gasket to the
또한, 본 발명에 따르면, 제 1하우징(110)의 외측에 외부 케이스(118)를 제공함으로써 사용자의 안전을 고려하였으며, 제 1하우징(110) 및 외부 케이스(118)에는 각각 투시창이 제공되어 사용자가 내부에 포집된 반응부산물 양을 확인한 후 설비유지 주기를 결정할 수 있다. In addition, according to the present invention, by considering the safety of the user by providing the
또한, 본 발명에 따르면, 제 1하우징(110)의 내부와 외부 온도를 감지하고 PID제어를 통해 제 1하우징(110)의 내부 온도를 일정 범위 내로 제어할 수 있다. In addition, according to the present invention, the internal and external temperatures of the
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 수정한 것도 본 발명의 권리범위에 속함은 당연하다.Although preferred embodiments of the present invention have been described above, modifications and changes made by those skilled in the art without departing from the technical spirit of the present invention belong to the scope of the present invention. Of course.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 트랩에 따르면, 반도체 제조시 프로세서 챔버로부터 펌프로 배출되는 가스 중의 반응부산물을 가열한 후 급속 냉각함으로써 기체상에서 고체상으로 전환하여 신속하게 포집할 수 있다.As described above, according to the trap for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the reaction by-product in the gas discharged from the processor chamber to the pump during the semiconductor manufacturing is heated and then rapidly cooled to be collected quickly by switching from the gas phase to the solid phase.
이에 따라, 반응부산물이 펌프로 유입되지 않으므로 펌프의 고장 또는 손상을 방지하여 펌프의 내구성을 확보할 수 있다. Accordingly, since the reaction by-product does not flow into the pump, it is possible to prevent the failure or damage of the pump to ensure the durability of the pump.
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KR1020070056842A KR100858046B1 (en) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | Trap for semiconductor fabrication equipment |
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- 2007-06-11 KR KR1020070056842A patent/KR100858046B1/en active IP Right Grant
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