KR100858045B1 - Apparatus for trapping semiconductor residual product - Google Patents

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KR100858045B1
KR100858045B1 KR1020070117250A KR20070117250A KR100858045B1 KR 100858045 B1 KR100858045 B1 KR 100858045B1 KR 1020070117250 A KR1020070117250 A KR 1020070117250A KR 20070117250 A KR20070117250 A KR 20070117250A KR 100858045 B1 KR100858045 B1 KR 100858045B1
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김기남
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주식회사 엠아이
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Abstract

An apparatus for trapping a semiconductor residual product is provided to enhance a pumping speed of a vacuum pump by securing a sufficient path between cold plates. A first trap(100) includes a first housing(110) having a cavity, one or more cooling pipes(120) arranged in the inside of the first housing, and one or more ball type cold plates(130) arranged in the inside of the first housing. A second trap(200) includes a second housing(210) having a cavity connected to an outlet of the first housing, and a heat member formed in the inside of the second housing. The first housing has a cylindrical structure. The first housing includes an outer housing having one open side and the other closed side, an inner housing(114) inserted into the inside of the outer housing, and a cover(116) for closing the inner housing. The inner housing is filled with the cold plates. A concave space is formed on an outer circumference of the cold plate in order to form a gas path in a contacting state thereof.

Description

반도체 반응부산물 트랩장치{APPARATUS FOR TRAPPING SEMICONDUCTOR RESIDUAL PRODUCT}Semiconductor Reaction Byproduct Trap Device {APPARATUS FOR TRAPPING SEMICONDUCTOR RESIDUAL PRODUCT}

본 발명은 반도체 반응부산물 트랩장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 볼형 콜드 플레이트(ball type cold plate)를 적용하여 박막의 증착 및 식각시 프로세스 챔버에서 발생하는 반응부산물이 진공펌프로 흡입되는 것을 적극적으로 차단하며, 반응 부산물이 실제로 포집될 수 있는 유효 표면적을 최대한 확보하여 반응부산물의 포집 효과 및 포집 용량을 증대시키며 포집된 반응부산물에 대해서는 용이하게 제거할 수 있는 개량된 반도체 반응부산물 트랩장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor reaction byproduct trap device, and more particularly, by applying a plurality of ball type cold plates, the reaction byproducts generated in the process chamber during deposition and etching of a thin film are sucked into the vacuum pump. It is an advanced semiconductor reaction byproduct trap device that actively blocks and increases the collection effect and collection capacity of reaction byproducts by securing the maximum effective surface area where reaction byproducts can be actually collected, and can easily remove the collected reaction byproducts. It is about.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 구별되며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber) 내에서 웨이퍼(Wafer) 상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드 프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.In general, the semiconductor manufacturing process is largely divided into a pre-process (Fabrication process) and a post-process (Assembly process), the pre-process is to deposit a thin film on a wafer (wafer) in various process chambers (Chamber), It is a process of manufacturing a so-called semiconductor chip by repeatedly performing a process of selectively etching the prepared thin film, and processing a specific pattern, and the post process refers to the chips manufactured in the previous process individually. After separating, refers to the process of assembling the finished product by combining with the lead frame.

상기한 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.The process of depositing a thin film on the wafer or etching the thin film deposited on the wafer uses a process gas such as hydrogen and harmful gases such as silane, arsine and boron chloride in a process chamber. It is carried out at a high temperature, a large amount of harmful gases such as various ignitable gases, corrosive foreign substances and toxic components are generated in the process chamber during the process.

한편 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화한 후 대기로 방출하는 스크러버(Scrubber)를 설치한다. 이때, 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 파우더로 변On the other hand, the semiconductor manufacturing equipment is equipped with a scrubber (Scrubber) to clean the exhaust gas discharged from the process chamber to the atmosphere at the rear end of the vacuum pump to make the process chamber in a vacuum state. At this time, the exhaust gas discharged from the process chamber is solidified when it is in contact with the atmosphere or the ambient temperature is low to turn into a powder

하게 되는바, 상기한 파우더는 배기 라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.When the powder is stuck to the exhaust line to increase the exhaust pressure and flows into the vacuum pump at the same time, it causes the failure of the vacuum pump and the backflow of the exhaust gas to contaminate the wafer in the process chamber. There was this.

상기한 프로세스 챔버내에서 박막의 증착 또는 식각시 발생하는 반응부산물을 포집하기 위한 종래 기술한 반도체 반응부산물 트랩장치는, 출원인 주식회사 뉴프로텍과 이승룡에 의해 대한민국 특허출원번호 제2005-0045158호(발명의 명칭; 반도체 반응부산물 트랩장치)로 선출원 된 바 있다.The prior art semiconductor reaction byproduct trap device for capturing reaction byproducts generated during deposition or etching of a thin film in the process chamber is disclosed in Korean Patent Application No. 2005-0045158 by Applicants New Protec Co. and Lee Seung Ryong. It has been filed as a name; semiconductor reaction byproduct trap device.

이에 도시된 바와 같이, 내벽면을 따라 쿨링라인이 설치된 중공의 쿨링챔버와; 쿨링챔버의 중공부에 쿨링챔버의 내벽면과 이격되어 설치되고 프로세스 챔버로부터 반응부산물이 유입되는 히팅챔버를 포함하여 구성되되, 쿨링챔버는, 프로세스 챔버와의 연결을 위한 제1 연결구 및 진공펌프와의 연결을 위한 제2 연결구를 갖는 제1 하우징과, 제1 하우징의 내부에 복수 층으로 설치되되, 그 중심부는 히팅챔버가 끼워질 수 있을 정도의 통공을 갖는 제1 플레이트들과, 제1 플레이트들을 관통하여 설치되어 제1 플레이트들을 지지하는 복수의 서포팅 바를 포함하여 구성되었다.As shown in the figure, a hollow cooling chamber in which a cooling line is installed along the inner wall; It comprises a heating chamber which is spaced apart from the inner wall of the cooling chamber in the hollow portion of the cooling chamber and the reaction by-product flows from the process chamber, the cooling chamber, and the first connector and the vacuum pump for connecting to the process chamber A first housing having a second connector for connection of the first housing, a plurality of layers installed in the interior of the first housing, the central portion of which includes first plates having through holes sufficient to fit the heating chamber, and a first plate It was configured to include a plurality of supporting bars installed to penetrate the first plate to support the first plate.

히팅챔버는, 제1 플레이트들에 형성된 통공에 끼워져 설치되는 중공의 제2 하우징과, 제1 연결구와 연통되어 제2 하우징의 내부로 연장되는 반응부산물 유입관과, 제2 하우징의 내부에 복수 층으로 설치되되, 그 중심부에 반응부산물 유입관이 관통될 수 있도록 통공이 형성된 제2 플레이트들과, 반응부산물 유입관의 주변에 설치되는 복수의 히터를 포함하여 구성된다.The heating chamber includes a hollow second housing fitted into a through hole formed in the first plates, a reaction by-product inlet pipe communicating with the first connector and extending into the second housing, and a plurality of layers inside the second housing. Is installed, but comprises a second plate formed through the through-hole so that the reaction byproduct inlet pipe in the center, and comprises a plurality of heaters installed around the reaction byproduct inlet pipe.

이와 같이 구성된 종래 기술에 따른 반도체 반응부산물 트랩장치는, 프로세스 챔버에서 유입되는 미반응 가스 등의 반응부산물의 상변화가 가능한 정도의 높은 온도를 유지하는 히팅챔버를 쿨링챔버의 내부에 설치하여 상기 반응부산물이 신속하게 파우더 상태로 변화된 상태로 쿨링챔버로 유입되기 때문에 쿨링챔버에서 보다 신속하게 파우더 상태의 반응부산물을 트랩 할 수 있는 등의 효과가 있었다.The semiconductor reaction byproduct trap device according to the related art configured as described above includes a heating chamber inside the cooling chamber that maintains a temperature at which the phase change of the reaction byproducts such as unreacted gas introduced into the process chamber is possible. Since the by-products are rapidly introduced into the cooling chamber in a state of changing the powder state, there was an effect such that the reaction by-products in the powder state can be trapped in the cooling chamber more quickly.

상술한 종래 기술의 파우더 트랩장치는, 프로세스 챔버에서 유입되는 미반응 가스 등의 반응 부산물의 상변화가 가능한 정도의 높은 온도를 유지하는 히팅챔버를 쿨링챔버의 내부에 설치하였다. 이에 따라 반응 부산물이 신속하게 파우더 상태로 변화된 상태로 쿨링챔버로 유입되기 때문에, 쿨링챔버에서 보다 신속하게 파우더 상태의 반응 부산물을 트랩할 수가 있는 효과가 있었다. 또한 종래 기술의 파우더 트랩장치는 히팅챔버 내에서 파우더 상태로 변환된 반응 부산물이 쿨링챔버 내 에서 신속하게 트랩할 수 있는 효과가 있었다. In the above-described powder trap apparatus of the prior art, a heating chamber is maintained inside the cooling chamber to maintain a high temperature such that a phase change of reaction by-products such as unreacted gas introduced into the process chamber is possible. As a result, the reaction by-products are rapidly introduced into the cooling chamber in a state of being changed into a powder state, so that the reaction by-products in the powder state can be trapped more quickly in the cooling chamber. In addition, the powder trap device of the prior art has the effect that the reaction by-products converted into the powder state in the heating chamber can quickly trap in the cooling chamber.

그러나, 종래 기술에서는 히팅챔버의 제1 하우징에는 다수의 제1 플레이트들을 서로에 대하여 수평이 되도록 배치하고 있으며, 제2 하우징에는 다수의 제2 플레이트들을 서로에 대하여 수평이 되도록 배치하고 있었다. 이에 따라, 제1 하우징 및 제2 하우징에는 제1 플레이트 및 제2 플레이트의 설치에 많은 제한이 있었다. 이러한 제한은 가스 통로의 확보를 위하여 제1 플레이트 및 제2 플레이트의 설치 갯수에 영향을 주었다. 이로 인해, 필요한 만큼의 표면적 확보하지 못해 포집 능력의 저하 문제가 예상되었다. 또한 다수의 제1 플레이트 및 제2 플레이트들을 서로에 대하여 수평이 되도록 배치된 상태에서, 이들 플레이트들에 형성된 다수의 통공을 통해 가스가 통과되기 때문에 원활한 펌핑 속도를 얻을 수 없는 등의 문제가 예상되었다.However, in the prior art, a plurality of first plates are arranged to be horizontal to each other in the first housing of the heating chamber, and a plurality of second plates are arranged to be horizontal to each other in the second housing. Accordingly, the first housing and the second housing have many limitations in the installation of the first plate and the second plate. This limitation influenced the number of installations of the first plate and the second plate to secure the gas passages. For this reason, the problem of the fall of a collection capability was anticipated because it was unable to secure the surface area as needed. In addition, since the gas is passed through the plurality of through holes formed in these plates in a state in which the plurality of first plates and the second plates are arranged horizontally with respect to each other, a smooth pumping speed cannot be obtained. .

따라서, 필요한 표면적을 확보하여 가스의 포집 능력을 향상시키며, 원활한 가스의 흐름에 따른 펌핑 속도들 얻을 수 있는 파우더 트랩장치가 요구되었다. 협소한 공간에서도 핫트랩 역할을 충분히 수행할 수 있는 파우더 트랩장치가 요구되고 있는 실정이다.Therefore, there is a need for a powder trapping apparatus that secures a required surface area to improve gas trapping ability and obtains pumping speeds due to smooth gas flow. There is a need for a powder trap device capable of sufficiently performing a hot trap role even in a narrow space.

본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 진공펌프의 펌핑 속도를 향상시키며 쿨링 플레이트의 표면적을 확대함으로써, 반응 부산물의 포집 효과 및 포집 용량을 증대시켜 포집된 반응부산물을 용이하게 제거할 수 있는 반도체 반응부산물 트랩장치를 제공하는 데 있다.The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to improve the pumping speed of the vacuum pump and to increase the surface area of the cooling plate, thereby increasing the capture effect and the collection capacity of the reaction by-products to collect the reaction by-products The present invention provides a semiconductor reaction byproduct trap device that can be easily removed.

본 발명의 다른 목적은 협소한 공간에서도 핫 트랩의 기능을 충분히 수행할 수 있는 반도체 반응 부산물 트랩장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor reaction byproduct trap device capable of sufficiently performing the function of a hot trap even in a narrow space.

상기 목적들을 달성하기 위해, 본 발명은 In order to achieve the above objects, the present invention

프로세스 챔버 내에서 박막의 증착 및 식각 과정에서 발생하는 반응 부산물을 포집하기 위한 반도체 반응 부산물 트랩장치로서, A semiconductor reaction by-product trap device for trapping reaction by-products generated during deposition and etching of a thin film in a process chamber,

입구와 출구가 대향 배치되는 중공의 제1 하우징, 상기 제1 하우징 내에 적어도 하나 또는 그 이상 배치되는 쿨링 파이프, 상기 제1 하우징의 내부에 채워지며 서로에 대하여 부분 접촉되는 다수의 볼형 콜드 플레이트(ball type cold plate)로 구성되는 제1 트랩; 및 A hollow first housing having an inlet and an outlet facing each other, a cooling pipe disposed at least one or more in the first housing, a plurality of ball-shaped cold plates filled in the interior of the first housing and partially contacting each other; a first trap consisting of a cold plate; And

상기 제1 하우징의 출구에 연결되는 중공의 제2 하우징, 상기 제2 하우징의 내부에 제공되는 히트 부재(heat member)로 구성되는 제2 트랩; 을 포함하며,
상기 제1 하우징은 원통형으로 형성되고, 상기 제1 하우징은 일측이 개방되며 타측이 폐쇄되는 중공의 외부 하우징; 상기 외부 하우징의 내부에 끼워져 제공되며, 각각의 상기 콜드 플레이트가 채워지는 내부 하우징; 및 상기 외부의 개방된 부분을 덮어 상기 내부 하우징을 폐쇄시키는 덮개; 를 포함하고, A second trap composed of a hollow second housing connected to an outlet of the first housing and a heat member provided inside the second housing; Including;
The first housing is formed in a cylindrical shape, the first housing is a hollow outer housing one side is open and the other side is closed; An inner housing inserted into the outer housing and filled with each of the cold plates; A cover covering the outer open portion to close the inner housing; Including,

상기 콜드 플레이트의 외주면에는 자체에 소정의 오목한 공간이 형성되어 다수개가 서로 접촉되었을 때 가스의 통로가 형성되는 반도체 반응 부산물 트랩장치 를 제공함으로써 달성되는 것이다.The outer circumferential surface of the cold plate is achieved by providing a semiconductor reaction by-product trap device in which a predetermined concave space is formed in itself and a passage of gas is formed when a plurality of them are in contact with each other.

상기 콜드 플레이트는 제1 플레이트; 및 상기 제1 플레이트에 대하여 수직으로 직교하도록 설치되며 서로에 대하여 소정 각도로 벌어져 제공되는 적어도 하나 또는 그 이상의 제2 플레이트; 를 포함하는 것이 바람직하다.The cold plate is a first plate; At least one or more second plates disposed perpendicular to the first plate and provided at a predetermined angle with respect to each other; It is preferable to include.

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상기 제1 플레이트 및 제2 플레이트는 원판인 것이 바람직하다.It is preferable that the said 1st plate and the 2nd plate are a disc.

상기 히트 부재는 코일형인 것이 바람직하다.It is preferable that the said heat member is a coil type.

상기 히트 부재는 제2 하우징에 대하여 교체 가능하도록 교차 배치되는 것이 바람직하다.The heat members are preferably arranged to be interchangeable with respect to the second housing.

상기 제2 하우징의 내벽에는 격자형 가이드가 제공되는 것이 바람직하다.Preferably, the inner wall of the second housing is provided with a lattice guide.

상기 제2 하우징의 일측에는 상기 히트 부재의 일단이 일부 끼워지도록 중공의 설치 안내관이 돌출되며, 상기 설치 안내관의 개방된 자유 단부에는 밀폐 커버가 분리 가능하게 제공되는 것이 바람직하다.A hollow installation guide tube protrudes so that one end of the heat member is partially fitted to one side of the second housing, and a closed cover is detachably provided at an open free end of the installation guide tube.

상기 밀폐 커버에는 상기 히트 부재의 길이를 조절하기 위한 조절구가 제공되는 것이 바람직하다.Preferably, the sealing cover is provided with a control mechanism for adjusting the length of the heat member.

본 발명에 따른 반도체 반응 부산물 트랩장치는 제1 플레이트에 적어도 하나 또는 그 이상의 제2 플레이트들을 직교하여 형성된 볼 형상을 갖는 콜드 플레이트들을 제1 하우징 내에 채워주며, 이러한 콜드 플레이트들은 서로에 대하여 부분 접촉되게 함으로써, 제1 플레이트 및 제2 플레이트 들에 의해 충분한 표면적이 확보되어 포집 능력이 향상될 수 있는 것은 물론, 콜드 플레이트들 사이에는 충분한 통로가 확보되기 때문에 반응 부산물을 포함한 가스가 원활하게 통과될 수 있게 되어 진공펌프의 펌핑 속도를 향상시킬 수 있다. The semiconductor reaction by-product trap apparatus according to the present invention fills the first housing with cold plates having a ball shape formed by orthogonal to at least one or more second plates on the first plate, and the cold plates are brought into partial contact with each other. In this way, sufficient surface area is secured by the first and second plates to improve the collection capacity, and a sufficient passage is secured between the cold plates so that the gas including the reaction by-products can be smoothly passed. This can improve the pumping speed of the vacuum pump.

이하에서는, 실시예를 통해 본 발명의 내용을 첨부된 도면을 참조하여 상술한다. 하기 실시예는 예시에 불과한 것으로서 본 발명의 권리범위를 제한하는 것이 아님은 물론이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings the contents of the present invention through the embodiments will be described in detail. The following examples are by way of example only and are not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 반도체 반응 부산물 트랩장치(SBT)를 진공펌프 어셈블리(PA)에 적용한 상태를 보여주는 도면이다. 도 2는 본 발명의 반도체 반응 부산물 트랩장치(SBT)를 분해한 상태를 보여주는 도면이다. 도 3은 제1 하우징(110) 내의 콜드 플레이트(130)의 설치 상태를 보여주기 위한 도 1의 결합 상태 사시도이다. 도 4는 제1 하우징(110) 및 제2 하우징(210)의 내부를 보여주기 위한 도 3의 A-A 선에 따른 단면도이다. 도 5는 도 4의 제1 하우징(110)으로부터 에서 콜드 플레이트(130)들을 제거한 상태의 도면이다. 도 6은 도 1에서 콜드 플레이트(130)를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a state in which the semiconductor reaction by-product trap device (SBT) of the present invention is applied to a vacuum pump assembly (PA). 2 is a view showing a state in which the semiconductor reaction by-product trap device (SBT) of the present invention is decomposed. 3 is a perspective view of the coupled state of FIG. 1 for illustrating an installation state of the cold plate 130 in the first housing 110. 4 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 3 to show the interior of the first housing 110 and the second housing 210. 5 is a view illustrating a state in which the cold plates 130 are removed from the first housing 110 of FIG. 4. FIG. 6 is a view illustrating the cold plate 130 in FIG. 1.

도 1 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 반도체 반응 부산물 트랩장치(SBT)(이 하, "트랩장치"라 한다)는 진공펌프 어셈블리(PA)에 연결된다. 즉, 진공펌프 어셈블리(PA)는 추후에 설명될 트랩장치(SBT)의 출구(110b)에 연결된다. 1 and 6, the semiconductor reaction byproduct trap device SBT (hereinafter referred to as “trap device”) of the present invention is connected to a vacuum pump assembly PA. That is, the vacuum pump assembly PA is connected to the outlet 110b of the trap device SBT which will be described later.

본 발명의 트랩장치(SBT)는 프로세스 챔버(미도시됨) 내에서 박막의 증착 및 식각 과정에서 발생하는 반응 부산물을 포집한다. 트랩장치(SBT)는 제1 트랩(100)과 제2 트랩(200)을 포함한다. The trap apparatus SBT of the present invention captures reaction by-products generated during deposition and etching of a thin film in a process chamber (not shown). The trap device SBT includes a first trap 100 and a second trap 200.

제1 트랩(100)은 중공의 제1 하우징(110) 내에 쿨링 파이프(120) 및 볼형 콜드 플레이트(130)(ball type cold plate)가 제공되어 구성된다. 제1 하우징(110)에는 입구(110a)와 출구(110b)가 서로에 대하여 대향 배치된다. 입구(110a)는 제1 하우징(110)의 일측면으로부터 대략 수직하게 돌출 형성되며, 출구(110b)는 제1 하우징(110)의 입구(110a)와는 정반대의 위치에 형성되는 것이 바람직하나 이에 한정되는 것은 아니다.The first trap 100 is configured by providing a cooling pipe 120 and a ball type cold plate 130 in a hollow first housing 110. The inlet 110a and the outlet 110b are disposed to face each other in the first housing 110. The inlet 110a is formed to protrude substantially perpendicularly from one side of the first housing 110, and the outlet 110b is preferably formed at a position opposite to the inlet 110a of the first housing 110. It doesn't happen.

제1 하우징(110)은 외부 하우징(112)에 내부 하우징(114)과 덮개(116)를 제공하여 이루어진다. 외부 하우징(112)은 속이 빈 대략 원통형으로 형성되는 것이 바람직하나 이에 한정되는 것은 아니다. 외부 하우징(112)의 일측면은 개방되며 타측면은 폐쇄된다. 내부 하우징(114)은 외부 하우징(112)의 내부에 끼워진다. 내부 하우징(114)의 내부에는 각각의 콜드 플레이트(130)가 채워진다. 덮개(116)는 내부 하우징(114)의 개방된 부분을 덮어 폐쇄시킨다. 이때, 덮개(116)는 볼팅 등의 방법으로 내부 하우징(114)에 고정될 수 있다. 집진통(136)은 제1 하우징(110)내의 입구(110a)측에 근접 위치되어 제공될 수 있다.The first housing 110 is provided by providing the inner housing 114 and the cover 116 to the outer housing 112. The outer housing 112 is preferably formed as a hollow substantially cylindrical, but is not limited thereto. One side of the outer housing 112 is open and the other side is closed. The inner housing 114 is fitted inside the outer housing 112. Each cold plate 130 is filled in the inner housing 114. The cover 116 covers and closes the open portion of the inner housing 114. In this case, the cover 116 may be fixed to the inner housing 114 by bolting or the like. The dust collecting container 136 may be provided located close to the inlet 110a side in the first housing 110.

쿨링 파이프(120)는 제1 하우징(110)의 내부에 적어도 하나 또는 그 이상 배 치된다. 각각의 쿨링 파이프(120)는 서로에 대하여 서로 평행하게 배치되는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 콜드 플레이트(130)는 다수개 구비된다. 제1 하우징(110)의 내부에 콜드 플레이트(130)를 채웠을 때, 각각의 콜드 플레이트(130)는 서로에 대하여 부분 접촉된다. 콜드 플레이트(130)의 외주면에는 자체에 소정의 오목한 공간이 형성되어 다수개가 서로 접촉되었을 때 각각의 콜드 플레이트(130)들 사이의 오목한 공간이 가스의 통로가 된다.The cooling pipe 120 is disposed at least one or more inside the first housing 110. Each cooling pipe 120 is preferably arranged in parallel to each other with respect to each other, but is not limited thereto. Cold plate 130 is provided with a plurality. When the cold plate 130 is filled in the interior of the first housing 110, the respective cold plates 130 are partially in contact with each other. A predetermined concave space is formed on the outer circumferential surface of the cold plate 130 so that a plurality of concave spaces between the respective cold plates 130 become gas passages when a plurality of concave spaces contact each other.

콜드 플레이트(130)는 제1 플레이트(132) 및 제2 플레이트(134)를 포함하여 이루어진다. 제1 플레이트(132) 및 제2 플레이트(134)는 원판으로 형성되는 것이 바람직하나 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 플레이트(134)는 적어도 하나 또는 그 이상이 구비된다. 제2 플레이트(134)는 제1 플레이트(132)에 대하여 수직으로 직교하도록 설치된다. 이 상태가 되면, 제1 플레이트(132)들은 서로에 대하여 소정 각도로 벌어져 위치된다. .The cold plate 130 includes a first plate 132 and a second plate 134. The first plate 132 and the second plate 134 is preferably formed of a disc, but is not limited thereto. The second plate 134 is provided with at least one or more. The second plate 134 is installed to be perpendicular to the first plate 132 perpendicularly. In this state, the first plates 132 are spaced apart at a predetermined angle with respect to each other. .

제2 트랩(200)은 제2 하우징(210)에 히트 부재(heat member)가 제공되어 구성된다. 제2 하우징(210)은 제1 하우징(110)의 출구(110b)에 연결된다. The second trap 200 is configured by providing a heat member to the second housing 210. The second housing 210 is connected to the outlet 110b of the first housing 110.

히트 부재는 제2 하우징(210)의 내부에 제공된다. 히트 부재는 코일 형상을 갖는 히트 코일(220)이다. 히트 코일(220)은 제2 하우징(210)에 대하여 교차 배치되는 것이 바람직하다. 히트 코일(220)은 제2 하우징(210)으로부터 분리 가능하다. 가이드(212)는 격자형으로 형성되는 것이 바람직하며, 제2 하우징(210)의 내벽에 제공된다.The heat member is provided inside the second housing 210. The heat member is a heat coil 220 having a coil shape. Preferably, the heat coils 220 are arranged crosswise with respect to the second housing 210. The heat coil 220 is detachable from the second housing 210. The guide 212 is preferably formed in a lattice shape, and is provided on an inner wall of the second housing 210.

중공의 설치 안내관(214)은 제2 하우징(210)의 일측에 돌출되어 히트 코일(220)의 일단이 일부 끼워지도록 한다. 밀폐 커버(216)는 설치 안내관(214)의 개방된 자유 단부에 분리 가능하게 제공되는 것이 바람직하다. 조절구(218)는 밀폐 커버(216)에 제공되어 히트 코일(220)의 길이를 강제로 조절한다. 조절구(218)는 밀폐 커버(216)에 나사 결합되는 방식으로 결합되는 것이 바람직하다. 히트 코일(220)은 조절구(218)의 회전에 의한 전진 및/또는 후진에 의해 그 길이가 조절된다.The hollow installation guide tube 214 protrudes to one side of the second housing 210 so that one end of the heat coil 220 is partially fitted. The hermetic cover 216 is preferably detachably provided at the open free end of the installation guide tube 214. The adjuster 218 is provided to the closure cover 216 to forcely adjust the length of the heat coil 220. The adjuster 218 is preferably coupled in a screwed manner to the hermetic cover 216. The length of the heat coil 220 is adjusted by the forward and / or backward by the rotation of the control 218.

여기서, 제1 하우징(110)의 입구(110a) 및 출구(110b), 제2 하우징(210)은 가스의 흐름이 원활하도록 서로에 대하여 일직선상으로 배치되는 것이 바람직하다.Here, the inlet 110a, the outlet 110b, and the second housing 210 of the first housing 110 may be disposed in a straight line with respect to each other so that the gas flows smoothly.

상기와 같은 구조를 가지는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 반응 부산물 트랩장치의 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.The operation of the semiconductor reaction byproduct trap device according to the preferred embodiment of the present invention having the structure as described above will be described with reference to the accompanying drawings.

다시 도 1 내지 도 6을 참조하면, 제1 하우징(110)에는 입구(110a)와 출구(110b)가 형성되고, 이러한 제1 하우징(110)의 내부에는 다수의 콜드 플레이트(130)가 채워져 있으며, 적어도 하나 또는 그 이상의 쿨링 파이프(120)가 배치되어 있다.Referring back to FIGS. 1 to 6, the inlet 110a and the outlet 110b are formed in the first housing 110, and a plurality of cold plates 130 are filled in the first housing 110. , At least one or more cooling pipes 120 are arranged.

이 상태에서, 프로세스 챔버(도시안됨) 내의 박막의 증착 및 식각 과정에서 발생하는 반응 부산물을 포함한 가스는 제1 하우징(110)의 내부로 먼저 유입된다. 이렇게 유입된 반응 부산물은 집진통(136)의 바닥에 일차적으로 포집된다. 이어 가스는 집진통(136) 자체에 형성된 통공(137)을 통해 제1 하우징(110) 내의 다른 공간으로 배출된다. In this state, the gas including the reaction by-products generated during the deposition and etching of the thin film in the process chamber (not shown) is first introduced into the first housing 110. The reaction by-products thus introduced are primarily collected at the bottom of the dust collector 136. The gas is then discharged to another space in the first housing 110 through the through hole 137 formed in the dust collecting container 136 itself.

이때, 제1 하우징(110)의 내부에는 다수의 콜드 플레이트(130)가 서로 부분 접촉된 상태로 채워져 있다. 이들 콜드 플레이트(130)는 제1 플레이트(132)에 적어도 하나 또는 그 이상의 제2 플레이트(134)가 교차하여 구성된다. 즉 콜드 플레이트(130)가 하나의 구형태로 본다면, 제1 플레이트(132)와 각각의 제2 플레이트(134) 사이에는 공간이 형성된다. 이러한 콜드 플레이트(130)가 제1 하우징(110) 내에 적층되면, 각각의 제1 플레이트(132)와 제2 플레이트(134)들 사이의 공간으로 인해 가스가 통과될 수 있는 통로가 충분하게 형성되는 것이다. At this time, the plurality of cold plates 130 are filled in a state of partially contacting each other inside the first housing 110. These cold plates 130 are configured such that at least one or more second plates 134 intersect the first plate 132. That is, when the cold plate 130 is viewed as a spherical shape, a space is formed between the first plate 132 and each second plate 134. When the cold plate 130 is stacked in the first housing 110, a passage through which gas can pass is formed due to the space between each of the first plate 132 and the second plate 134. will be.

이에 따라, 가스는 콜드 플레이트(130)의 제1 플레이트(132)와 제2 플레이트(134)에 각각 접촉된 상태에서 상기한 바와 같은 통로를 통해 제1 하우징(110)의 출구(110b)측 방향으로 이동되는 것이다. 이때, 제1 하우징(110) 내에는 쿨링 파이프(120)가 제공되기 때문에, 쿨링 파이프(120) 내의 냉각수에 의한 냉기가 콜드 플레이트(130)의 제1 플레이트(132)와 제2 플레이트(134)들에 전달된다. 이로 인해, 제1 플레이트(132) 및 제2 플레이트(134)에는 반응 부산물의 일부가 포집되며, 나머지 일부는 출구(110b)를 통해 제2 하우징(210) 내로 유입된다. 이 과정에서, 제1 하우징(110)의 내부에는 제1 플레이트(132)와 제2 플레이트(134)를 포함한 콜드 플레이트(130)가 다수개 구비되어 있기 때문에 충분한 표면적이 확보되는 것이다. Accordingly, the gas is in contact with the first plate 132 and the second plate 134 of the cold plate 130 in the direction of the outlet 110b of the first housing 110 through the passage as described above. Will be moved to. At this time, since the cooling pipe 120 is provided in the first housing 110, the cold air by the coolant in the cooling pipe 120 may be the first plate 132 and the second plate 134 of the cold plate 130. Delivered to the field. As a result, a part of the reaction by-product is collected in the first plate 132 and the second plate 134, and the other part is introduced into the second housing 210 through the outlet 110b. In this process, since a plurality of cold plates 130 including the first plate 132 and the second plate 134 are provided inside the first housing 110, sufficient surface area is secured.

이렇게 제2 하우징(210) 내로 유입된 반응 부산물을 포함한 가스는 제2 하우징(210)의 내벽에 제공된 가이드(212)들을 따라 안내되어 히트 코일(220)을 통과하게 된다. 이때, 히트 코일(220)에는 열이 발생하게 되고, 그 히트 코일(220)을 통과하는 가스는 냉각된 상태에서 진공펌브 어셈블리(PA)의 펌프 조건에 맞도록 다시 온도가 상승된다.The gas including the reaction by-product introduced into the second housing 210 is guided along the guides 212 provided on the inner wall of the second housing 210 to pass through the heat coil 220. At this time, heat is generated in the heat coil 220, and the gas passing through the heat coil 220 is heated again to meet the pump condition of the vacuum pump assembly PA in the cooled state.

여기서, 히트 코일(220)은 필요에 따라 제2 하우징(210)으로 분리하여 포집된 반응 부산물을 제거할 수 있으며, 새로운 히트 코일(220)로 교환하여 제2 하우징(210) 내에 설치할 수 있다. 즉, 히트 코일(220)은 밀폐 커버(216)를 설치 안내관(214)으로부터 개방하여 제거 및 교체할 수 있다. 게다가, 밀폐 커버(216)에 설치된 조절구(218)의 회전 동작에 의해 히트 코일(220)의 길이가 조정된다. 즉, 조절구(218)가 히트 코일(220)의 방향으로 전진하게 되면, 히트 코일(220)은 압축되어 그 길이가 짧아지는 반면, 후진하게 되면, 히트 코일(220)의 복원력에 의해 길이가 길어지는 것이다.Here, the heat coil 220 may be separated into the second housing 210 to remove the collected reaction by-products as necessary, and may be replaced with a new heat coil 220 to be installed in the second housing 210. That is, the heat coil 220 may be removed and replaced by opening the sealing cover 216 from the installation guide tube 214. In addition, the length of the heat coil 220 is adjusted by the rotation operation of the adjusting mechanism 218 provided in the sealing cover 216. That is, when the adjusting opening 218 moves forward in the direction of the heat coil 220, the heat coil 220 is compressed to shorten its length, and when it is reversed, the length of the control opening 218 is restored by the restoring force of the heat coil 220. It will be longer.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. It will be appreciated.

도 1은 본 발명의 반도체 트랩장치의 적용 상태를 보여주는 개략도; 1 is a schematic view showing an application state of a semiconductor trap device of the present invention;

도 2는 본 발명의 반도체 반응 부산물 트랩장치의 분해 사시도; 2 is an exploded perspective view of a semiconductor reaction byproduct trap device of the present invention;

도 3은 도 1의 결합 상태 사시도; 3 is a perspective view of the coupled state of FIG.

도 4는 도 3의 A-A 선에 따른 단면도; 4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 5는 도 4에서 콜드 플레이트들을 제거한 상태의 도면; 및 FIG. 5 is a view of the cold plates removed from FIG. 4; FIG. And

도 6은 도 1에서 콜드 플레이트의 사시도이다.6 is a perspective view of the cold plate in FIG. 1.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

SBT: 트랩장치 PA: 펌프 어셈블리SBT: Trap Device PA: Pump Assembly

100: 제1 트랩 110: 제1 하우징100: first trap 110: first housing

112: 외부 하우징 114: 내부 하우징112: outer housing 114: inner housing

116: 덮개(116) 120: 쿨링 파이프116: cover 116 120: cooling pipe

130: 콜드 플레이트 132: 제1 플레이트130: cold plate 132: first plate

134: 제2 플레이트 200: 제2 트랩134: second plate 200: second trap

210: 제2 하우징 212: 가이드210: second housing 212: guide

214: 설치 안내관 216: 밀폐 커버214: installation guide 216: airtight cover

218: 조절구 220: 히트 코일218: regulator 220: heat coil

Claims (10)

프로세스 챔버 내에서 박막의 증착 및 식각 과정에서 발생하는 반응 부산물을 포집하기 위한 반도체 반응 부산물 트랩장치로서, A semiconductor reaction by-product trap device for trapping reaction by-products generated during deposition and etching of a thin film in a process chamber, 입구와 출구가 대향 배치되는 중공의 제1 하우징, 상기 제1 하우징 내에 적어도 하나 또는 그 이상 배치되는 쿨링 파이프, 상기 제1 하우징의 내부에 채워지며 서로에 대하여 부분 접촉되는 다수의 볼형 콜드 플레이트(ball type cold plate)로 구성되는 제1 트랩; 및 A hollow first housing having an inlet and an outlet facing each other, a cooling pipe disposed at least one or more in the first housing, a plurality of ball-shaped cold plates filled in the interior of the first housing and partially contacting each other; a first trap consisting of a cold plate; And 상기 제1 하우징의 출구에 연결되는 중공의 제2 하우징, 상기 제2 하우징의 내부에 제공되는 히트 부재(heat member)로 구성되는 제2 트랩; 을 포함하며, A second trap composed of a hollow second housing connected to an outlet of the first housing and a heat member provided inside the second housing; Including; 상기 제1 하우징은 원통형으로 형성되고, 상기 제1 하우징은 일측이 개방되며 타측이 폐쇄되는 중공의 외부 하우징; 상기 외부 하우징의 내부에 끼워져 제공되며, 각각의 상기 콜드 플레이트가 채워지는 내부 하우징; 및 상기 외부의 개방된 부분을 덮어 상기 내부 하우징을 폐쇄시키는 덮개; 를 포함하고, The first housing is formed in a cylindrical shape, the first housing is a hollow outer housing one side is open and the other side is closed; An inner housing inserted into the outer housing and filled with each of the cold plates; A cover covering the outer open portion to close the inner housing; Including, 상기 콜드 플레이트의 외주면에는 자체에 소정의 오목한 공간이 형성되어 다수개가 서로 접촉되었을 때 가스의 통로가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 반응 부산물 트랩장치.The outer circumferential surface of the cold plate is a predetermined concave space is formed in the semiconductor reaction by-product trap device, characterized in that the passage of the gas is formed when a plurality of contact with each other. 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 콜드 플레이트는 The method according to claim 1, wherein the cold plate 제1 플레이트; 및 A first plate; And 상기 제1 플레이트에 대하여 수직으로 직교하도록 설치되며 서로에 대하여 소정 각도로 벌어져 제공되는 적어도 하나 또는 그 이상의 제2 플레이트; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 반응 부산물 트랩장치.At least one or more second plates installed perpendicular to the first plate and provided at a predetermined angle with respect to each other; Semiconductor reaction by-product trap device comprising a. 청구항 4에 있어서, 상기 제1 플레이트 및 제2 플레이트는 원판인 것을 특징으로 하는 반도체 반응 부산물 트랩장치.The apparatus of claim 4, wherein the first plate and the second plate are discs. 청구항 1에 있어서, 상기 히트 부재는 코일형인 것을 특징으로 하는 반도체 반응 부산물 트랩장치.The semiconductor reaction by-product trap apparatus according to claim 1, wherein the heat member is coiled. 청구항 6에 있어서, 상기 히트 부재는 제2 하우징에 대하여 분리 가능하도록 교차 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 반응 부산물 트랩장치.The semiconductor reaction by-product trap device according to claim 6, wherein the heat members are arranged to be separated from each other with respect to the second housing. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 하우징의 내벽에는 격자형 가이드가 제공된 것을 특징으로 하는 반도체 반응 부산물 트랩장치.The semiconductor reaction by-product trap device according to claim 1, wherein a lattice guide is provided on an inner wall of the second housing. 청구항 8에 있어서, 상기 제2 하우징의 일측에는 상기 히트 부재의 일단이 일부 끼워지도록 중공의 설치 안내관이 돌출되며, 상기 설치 안내관의 개방된 자유 단부에는 밀폐 커버가 분리 가능하게 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 반응 부산물 트랩장치.The method of claim 8, wherein one side of the second housing is provided with a hollow installation guide tube protrudes so that one end of the heat member is partially fitted, the open free end of the installation guide tube is provided with a detachable cover is detachably provided. Semiconductor reaction by-product trap device. 청구항 9에 있어서, 상기 밀폐 커버에는 상기 히트 부재의 길이를 조절하기 위한 조절구가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 반응 부산물 트랩장치.The semiconductor reaction by-product trap device according to claim 9, wherein the sealing cover is provided with a control mechanism for adjusting the length of the heat member.
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