KR101447629B1 - Semiconductor byproduct trapping device - Google Patents

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KR101447629B1
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차일수
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(주) 엠엠티케이
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B01D—SEPARATION
    • B01D51/00—Auxiliary pretreatment of gases or vapours to be cleaned
    • B01D51/02—Amassing the particles, e.g. by flocculation

Abstract

The present invention relates to a semiconductor byproduct trapping apparatus for trapping a semiconductor (reaction) byproduct, capable of preventing the semiconductor byproduct, which is produced and discharged in a process chamber, from being sucked into a vacuum pump, when a thin film is deposited and etched during the manufacturing process of a semiconductor. More specifically, the present invention relates to a semiconductor byproduct trapping apparatus including a semiconductor byproduct trapping and blocking unit to block and trap the semiconductor byproduct so that the semiconductor byproduct can be prevented from being discharged into a second connection pipe when the semiconductor byproduct is introduced into a first connection pipe and discharged from the second connection pipe. The semiconductor byproduct trapping apparatus including the semiconductor byproduct trapping and blocking unit according to the present invention includes: a cylindrical housing including the first and second connection pipes, a plurality of trap plates installed in the housing, and a temperature adjusting unit to adjust an internal temperature of the housing, thereby preventing the semiconductor byproduct produced in the process chamber in the manufacturing process of the semiconductor from being absorbed into the vacuum pump. A distal end of the second connection pipe protruding from an inner circumferential surface of a housing is provided to block the semiconductor byproduct from being discharged. The semiconductor byproduct trapping and blocking unit includes: an upper blocking plate installed above the distal end of the second connection pipe while being spaced apart from the distal end of the second connection pipe by a predetermined distance to block the semiconductor byproduct that is dropped; and a lower blocking plate installed downward of the distal end of the second connection pipe along an outer circumferential surface of the second connection pipe to block the semiconductor byproduct that is moved up.

Description

반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치{Semiconductor byproduct trapping device}[0001] Semiconductor byproduct trapping device having a semiconductor by-

본 발명은 반도체 제조공정 중 박막의 증착 및 식각시 프로세서 챔버에서 발생하여 배기(배출)되는 반도체(반응) 부산물이 진공펌프로 흡입되는 것을 방지하기 위한 반도체 부산물을 포집하도록 이루어진 반도체 부산물 포집장치에 관한 것으로, 상세하게는 제1연결관으로 유입된 후 제2연결관으로 배출시 반도체 부산물이 제2연결관으로 배출되는 것을 방지하기 위하여 제2연결관에 반도체 부산물이 배출되는 것을 방지할 수 있도록 차단과 포집을 할 수 있도록 이루어진 반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a semiconductor by-product trapping apparatus for collecting semiconductor by-products to prevent semiconductor (reaction) by-products generated in a processor chamber from being deposited (deposited) and etched during the semiconductor manufacturing process from being sucked into a vacuum pump Specifically, in order to prevent semiconductor byproducts from being discharged to the second connection pipe in order to prevent semiconductor byproducts from being discharged to the second connection pipe after being introduced into the first connection pipe and then discharged into the second connection pipe, And a semiconductor by-product trapping unit configured to collect the byproducts.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세서 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.Generally, a semiconductor manufacturing process is largely performed by a fabrication process and a post-process (assembly process). The pre-process refers to a process of depositing a thin film on a wafer in various processor chambers, A semiconductor chip is manufactured by repeatedly performing a process of selectively etching a thin film formed on a semiconductor substrate and then processing a specific pattern. The term " post-process " And then joining with the lead frame to assemble into the finished product.

이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세서 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세서 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세서 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.The process of depositing the thin film on the wafer or etching the thin film deposited on the wafer may be performed by injecting a process gas such as silane, arsine, and boron chloride into the processor chamber, And a large amount of various ignitable gases, corrosive foreign substances, and toxic gases containing toxic components are generated in the interior of the processor chamber during the process.

따라서, 반도체 제조장비에는 프로세서 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세서 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크루버(Scrubber)를 설치한다. 하지만, 상기 프로세서 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 파우더로 변하게 되는데, 상기 파우더는 배기라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세서 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.Accordingly, in the semiconductor manufacturing equipment, a scrubber for purifying the exhaust gas discharged from the processor chamber and discharging the exhaust gas to the atmosphere is installed at the rear end of the vacuum pump which makes the processor chamber vacuum. However, when the exhaust gas discharged from the processor chamber contacts the atmosphere or the ambient temperature is low, the powder is solidified and changed into powder. The powder is fixed to the exhaust line to increase the exhaust pressure, Causing a failure of the pump, leading to a reverse flow of the exhaust gas and contaminating the wafers in the processor chamber.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 첨부된 특허문헌들과 같이 다양한 반도체 부산물 포집장치가 제공되어 있다.In order to solve the above-mentioned problems, various semiconductor by-product collecting apparatuses are provided as in the attached patent documents.

일반적인 반도체 부산물 포집장치는, 반응부산물이 파우더 상태로 전환되는 시간을 단축하기 위하여 프로세서 챔버와 진공펌프 사이에 상기 프로세서 챔버에서 배출되는 배기가스를 냉각하여 파우더 상태로 응착시키는 냉각수단이 구비된 반도체 부산물 포집장치를 설치하여 사용하고 있다.A general semiconductor by-product collecting apparatus includes a semiconductor by-product containing cooling means for cooling the exhaust gas discharged from the processor chamber between the processor chamber and the vacuum pump to reduce the time for the reaction by- A collecting device is installed and used.

그러나 이러한, 냉각수단이 구비된 반도체 부산물 포집장치의 경우에는 냉각수단이 반도체 부산물이 노출되어 있어 반도체 부산물이 냉각수단에 부착되어 냉각효율의 저하 및 포진된 부산물의 제거(크리닝)시 냉각수단에 부착된 반도체 부산물에 의하여 냉각수단이 파손되어 유지보수비용을 상승시키는 문제점이 있다.However, in the case of the semiconductor by-product collecting apparatus equipped with the cooling means, the cooling means is exposed to the semiconductor by-products, so that the semiconductor by-products are adhered to the cooling means to deteriorate the cooling efficiency and to remove There is a problem that the cooling means is damaged by the semiconductor byproducts, which increases the maintenance cost.

또한 (KR) 등록특허 10-0621660호의 반도체 부산물 트랩장치에서는 제2연결관(130)의 입구부분에 위치하는 차단용 캡(160)이 제시되어 있으나, 상기 차단용 캡(160)이 설치되지 않을 시보다는 차단효과가 있으나, 진공펌프의 진공압에 의하여 반도체 부산물을 빨려들어가는 현상이 발생하는 한편, 장기간 사용시에는 주변에 포집되어 있는 반도체 부산물이 빨려들어가는 현상이 증가하여 급속하게 반도체 부산물의 포집효율이 떨어지는 단점이 있다. 이로 인하여 포집된 반도체 부산물을 제거하기 위한 보수주기가 짧아 생산 및 제거효율이 떨어지는 단점이 있다.Also, in the semiconductor by-product trap apparatus of (KR) 10-0621660, a blocking cap 160 located at the entrance of the second connection pipe 130 is shown, but when the blocking cap 160 is not installed However, there is a phenomenon in which semiconductor by-products are sucked in by the vacuum pressure of the vacuum pump, while the semiconductor by-products caught in the surroundings are sucked in for a long period of time, There is a downside. As a result, there is a disadvantage that the production and removal efficiency is inferior due to a short maintenance period for removing the semiconductor by-products.

(KR) 등록특허 10-0555385호(KR) Patent No. 10-0555385 (KR) 등록특허 10-0621660호(KR) Patent No. 10-0621660 (KR) 등록특허 10-0647725호(KR) Patent No. 10-0647725

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로,SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems,

본 발명은 반도체 부산물 포집장치로 유입되어 포집되는 반도체 (반응)부산물이 공기의 흐름을 타고 배출되는 것을 방지할 수 있도록 하는 한편, 장시간 사용시에도 포집효율이 저하되지 않도록 함으로써 청소(보수)에 의한 생산효율을 감소되는 것을 방지할 수 있도록 이루어진 반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치를 제공하고자 한다.The present invention can prevent the semiconductor (reaction) by-products, which are introduced into the semiconductor by-product collecting device and collected, from being discharged through the flow of air, while preventing the collection efficiency from being lowered even during long- And a semiconductor by-product trapping means for preventing the efficiency from being reduced.

또한, 본 발명은 반도체 부산물 포집장치로 유입되어 포집되는 반도체 (반응)부산물의 제거(크리닝)시 반도체 부산물에 의하여 반도체 부산물 포집장치의 구성품인 온도조절을 위하여 구비되는 온도조절용 코일이 파손되는 문제점을 해소할 수 있는 반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치를 제공하고자 한다.
In addition, the present invention has a problem in that, when removing (cleaning) semiconductor (reaction) by-products which are introduced into the semiconductor by-product collecting device, the temperature controlling coil provided for temperature control, which is a component of the semiconductor by- And to provide a semiconductor by-product trapping apparatus having a semiconductor by-product trapping and blocking means capable of eliminating the by-products.

이러한 상기 목적을 해결하고자 이루어진 본 발명인 반도체 부산물 포집장치는, 본 발명의 반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치는, 제1연결관과 제2연결관이 형성된 원통형의 하우징과, 상기 하우징 내에 설치된 다수의 트랩 플레이트과, 상기 하우징 내의 온도를 조절하기 위한 온도조절수단을 포함하여 반도체 제조공정 시 프로세서 챔버에서 발생하는 반도체 부산물이 진공펌프로 흡입되는 것을 방지하도록 하는 반도체 부산물 포집장치에 있어서, 상기 하우징 내주면으로 돌출되는 제2연결관의 끝단부에는 반도체 부산물의 배출을 차단하도록 이루어지는 반도체 부산물 포집차단수단을 포함하며, 상기 반도체 부산물 포집차단수단은, 제2연결관의 끝단부와 상측으로 이격되게 설치되는 경사진 빗면을 가지는 상부 차단판과, 상기 끝단부의 하측으로 제2연결관의 외주연에 설치되는 경사진 빗면을 가지는 하부 차단판을 포함하도록 이루어짐을 특징으로 한다.In order to solve the above-mentioned problems, a semiconductor by-product trapping apparatus according to the present invention comprises a cylindrical housing having a first connection pipe and a second connection pipe formed therein, And a temperature control means for controlling the temperature in the housing to prevent the semiconductor byproducts generated in the processor chamber during the semiconductor manufacturing process from being sucked into the vacuum pump, And a semiconductor by-product collecting and blocking means for preventing the semiconductor by-product from being discharged is provided at an end of the second connecting pipe projecting from the inner circumferential surface of the housing, An upper shield plate having an inclined oblique surface to be installed Characterized the yirueojim to cover the lower portion having an inclined bevel provided in the outer periphery of the second connection pipe blocking plate in the lower end portion.

상기 상부 차단판의 상부에는 낙화하는 반도체 부산물을 포집하는 상부 포집부를 포함할 수 있으며, 상기 하부 차단판은 복수개로 설치되며, 하측에는 하부 차단판에 의하여 반도체 부산물을 포집하는 하부 포집부가 형성됨을 특징으로 한다.
The upper blocking plate may include an upper collecting unit for collecting semiconductor by-products. The lower blocking plate may be provided in plurality and the lower collecting plate may collect a semiconductor by-product by a lower blocking plate. .

상기와 같이 이루어진 본 발명인 반도체 부산물 포집장치는, 프로세서 챔버에서 배기되는 반도체 부산물을 포집함에 있어 포집되는 반도체 부산물이 히팅수단(또는 냉각수단)의 히팅 봉(또는 냉각 코일)과의 접촉을 방지함으로써 포집되는 반도체 부산물로 인한 문제점을 해소할 수 있는 장점이 있다.The apparatus for collecting semiconductor by-products of the present invention as described above is characterized in that the semiconductor by-products collected in collecting the semiconductor by-products discharged from the processor chamber prevent contact with the heating rod (or cooling coil) of the heating means There is an advantage that the problem caused by the semiconductor by-products can be solved.

즉, 포집되는 반도체 부산물이 히팅수단(또는 냉각수단)의 히팅 봉(또는 냉각 코일)에 부착되는 경우 효율저하와, 포집되는 반도체 부산물을 제거(크리닝)시 히팅수단 또는 냉각수단이 파손되는 문제점을 해결할 수 있음으로써 효율저하와 유지보수비용의 상승 등에 대한 문제점을 해소할 수 있는 장점이 있다.That is, when the collected semiconductor by-products adhere to the heating rod (or the cooling coil) of the heating means (or the cooling means), there is a problem that the heating means or the cooling means is damaged when the collected by- It is possible to solve the problem of lowering the efficiency and increasing the maintenance cost.

또한, 제2연결관에 구비되는 반도체 부산물 차단수단은 하우징 내로 유입 후 제2연결관을 통해 배기 시 낙화 또는 충돌하여 반사되어 반도체 부산물의 배기(배출)되는 것을 방지할 수 있어 반도체 부산물의 포집효율을 상승시킬 수 있다.
In addition, the semiconductor by-product blocking means provided in the second connection pipe can prevent the semiconductor by-product from being exhausted (emitted) after being introduced into the housing, reflected by the exhaust through the second connection pipe during the exhaustion or collision, Can be increased.

도 1은 본 발명인 반도체 부산물 포집장치와 프로세서 챔버와 진공펌프와의 연결상태를 보인 개념개략도.
도 2는 본 발명의 실시 예를 나타낸 반도체 부산물 포집장치의 사시개략도.
도 3은 본 발명의 실시 예를 나타낸 반도체 부산물 포집장치의 정면인 일부 단면개략도.
도 4는 본 발명의 실시 예를 나타낸 반도체 부산물 포집장치의 측면인 단면개략도.
도 5는 본 발명의 실시 예를 나타낸 반도체 부산물 포집장치의 트랩 플레이트의 사시개략도.
도 6은 도 3의 'A'부분에 대한 사시개략도.
도 7은 도 4의 'A'부분에 대한 상세개략도.
도 8은 본 발명의 실시 예를 나타낸 반도체 부산물 포집장치의 반도체 부산물 포집차단수단에 대한 사시개략도.
도 9는 도 4의 'B'부분에 대한 상세개략도.
도 10은 도 4의 'B'부분에 대한 다른 실시 예를 나타낸 상세개략도.1 is a conceptual diagram showing a connection state of a semiconductor by-product collecting apparatus, a processor chamber, and a vacuum pump according to the present invention.
2 is a perspective view of a semiconductor by-product trapping apparatus showing an embodiment of the present invention.
3 is a partial schematic cross-sectional view of a semiconductor by-product trapping apparatus showing a front view of an embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional side view of a semiconductor by-product trapping apparatus showing an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view of a trap plate of a semiconductor by-product trapping apparatus showing an embodiment of the present invention.
6 is a perspective view schematically illustrating a portion "A" of FIG. 3;
FIG. 7 is a detailed schematic view of the 'A' portion of FIG. 4; FIG.
8 is a perspective view of a semiconductor by-product trapping means of the semiconductor by-product trapping apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a detailed schematic view of the 'B' portion of FIG. 4; FIG.
FIG. 10 is a detailed schematic view showing another embodiment of the 'B' portion of FIG. 4; FIG.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 될 것이며, 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
It is to be understood that the terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to a conventional or dictionary sense and that the configurations shown in the embodiments and drawings described herein are only the most preferred embodiments of the present invention It is to be understood that the invention is not limited to the specific embodiments disclosed herein, and that various equivalents and modifications may be made thereto without departing from the scope of the present invention.

본 발명인 반도체 부산물 포집장치(1)는 도 1과 같이 반도체 제조공정 중 박막의 증착 및 식각시 프로세서 챔버(a)와 진공펌프(b) 사이에 설치되어 상기 프로세서 챔버(a)에서 발생하여 배기되는 반도체(반응) 부산물이 진공펌프(b)로 흡입되는 것을 방지하기 위한 것으로, 이하, 일 실시 예를 나타내고 있는 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
As shown in FIG. 1, the semiconductor by-product collecting apparatus 1 of the present invention is installed between a processor chamber a and a vacuum pump b during deposition and etching of a thin film in a semiconductor manufacturing process, Hereinafter, the semiconductor (reaction) by-products are prevented from being sucked into the vacuum pump (b), which will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 내지 도 4를 참조하여 살펴보면,Referring to FIGS. 2 to 4,

본 발명인 반도체 부산물 포집장치(1)의 구성은, 크게 프로세서 챔버(a) 쪽과 연결하기 위한 입구인 제1연결관(11)과 진공펌프(b) 쪽과 연결하기 위한 출구인 제2연결관(12)을 구비하는 원통형의 하우징(10)과, 상기 하우징(10) 내에 분리가능하도록 설치되는 트랩 플레이트(20)와, 하우징(10) 내의 온도를 조절하기 위한 온도조절용 코일(32)을 구비하는 온도조절수단(30)과, 상기 제2연결관(12)의 상단부분에 설치되어 반도체 부산물이 배출되는 것을 방지하도록 차단하고 포집하도록 이루어진 반도체 부산물 포집차단수단(40)으로 구성된다.The configuration of the semiconductor by-product collecting apparatus 1 according to the present invention comprises a first connection pipe 11 which is an inlet for connecting to the side of the processor chamber a and a second connection pipe 11 which is an outlet for connection to the side of the vacuum pump b, A trap plate 20 removably installed in the housing 10 and a temperature control coil 32 for controlling the temperature in the housing 10 are provided in the housing 10, And a semiconductor by-product trapping and blocking means 40 installed at an upper portion of the second connection pipe 12 for blocking and collecting the semiconductor byproducts from being discharged.

상기 하우징(10)은, 원통형태로 이루어지며, 외주면에는 프로세서 챔버(a) 쪽과 연결하기 위한 제1연결관(11)과 진공펌프(b) 쪽과 연결하기 위한 제2연결관(12)이 형성되고, 양단부는 플랜지부가 형성되어 경판이 설치된다.The housing 10 is formed in a cylindrical shape and has a first connection pipe 11 for connecting to the processor chamber a side and a second connection pipe 12 for connecting to the vacuum pump b side, And a flange portion is formed at both ends to provide a hard plate.

특히, 하우징(10) 내에 위치하는 상기 제2연결관(12)의 끝단부(12a)는 반도체 부산물 포집차단수단(40)가 설치될 수 있도록 하우징(10)의 내주면으로 돌출되게 형성된다.Particularly, the end 12a of the second connection pipe 12 located in the housing 10 is formed to protrude from the inner circumferential surface of the housing 10 so that the semiconductor by-product trapping and blocking means 40 can be installed.

도 2 내지 도 5를 참조하면,Referring to Figures 2 to 5,

상기 트랩 플레이트(20)는, 카트리지 형태로 형성될 수 있으며, 하우징(10)의 내측에 형성된 트랩 플레이트용 가이드부재에 안착되어 설치되도록 하여 설치 및 분리가 용이하도록 설치된다.The trap plate 20 may be formed in the form of a cartridge, and may be mounted on the guide plate for the trap plate formed on the inner side of the housing 10 so as to be easily installed and separated.

이러한 상기 트랩 플레이트(20)는 다수의 타공(22)이 형성된 플레이트(21)와, 상기 플레이트(21)에 격자 형태로 형성된 수직 플레이트(23)로 이루어지며, 다수개가 적층된다.The trap plate 20 includes a plate 21 on which a plurality of pores 22 are formed and a vertical plate 23 formed on the plate 21 in a lattice pattern.

또한, 상기 플레이트(21)의 하측으로는 온도조절수단(30)의 온도조절용 코일(32)이 삽입되어 설치될 수 있도록 이루어진 설치용 브라켓(24)이 형성된다.A mounting bracket 24 is formed at a lower side of the plate 21 so that the temperature controlling coil 30 of the temperature controlling unit 30 can be inserted therein.

상기 타공(22)은 격자 형태로 형성된 수직 플레이트(23)로 구획되는 구획공간에 각각 형성되며, 하측 또는 상측에 위치하는 플레이트(21)에 형성된 타공(22)과 일직선(수선)에 위치하지 않도록 지그재그 형태로 설치되는 것이 바람직하다. 즉, 도 2에서 보이는 바와 같이 제1연결관(11)로 유입되는 반도체 부산물의 이동거리가 길도록 하측 또는 상측에 위치하는 플레이트(21)에 형성된 타공(22)과 일직선(수선)에 위치하지 않고 지그재그 형태로 위치하도록 한다.The perforations 22 are each formed in a partition space defined by a vertical plate 23 formed in a lattice shape and are formed so as not to be aligned with the perforations 22 formed on the lower or upper plate 21 in a straight line It is preferable that they are installed in a zigzag form. That is, as shown in FIG. 2, the perforations 22 formed in the plate 21 located at the lower side or the upper side are located at a straight line (perpendicular line) to the long side so that the moving distance of the semiconductor by- So that they are located in a zigzag form.

도 3과 도 6과 도 7을 참조하면,Referring to Figures 3, 6 and 7,

상기 온도조절수단(30)은 하우징(10) 내부의 온도를 조절하도록 하는 구성으로, 하우징(10) 외측의 일측 밑면에 설치되는 온도조절장치(31)와, 상기 온도조절장치(31)에 연결되어 하우징(10) 내부를 가열하도록 하는 다수의 온도조절용 코일(32)과, 상기 각 온도조절용 코일(32)의 외주면을 감싸는 보호용 튜브(33)와, 상기 보호용 튜브(33)의 단부를 온도조절용 코일(32)에 밀착시키도록 하는 클립(34)으로 구성된다. 또한 온도조절장치(31)에는 온도조절용 코일(32)을 이용하여 온도를 조절할 수 있도록 제어수단이 구비된 제어부를 포함함은 당연하다.The temperature regulating means 30 regulates the temperature inside the housing 10 and includes a temperature regulating device 31 installed on one side of the outside of the housing 10, A plurality of temperature control coils 32 for heating the inside of the housing 10 and a protection tube 33 surrounding the outer circumferential surface of each of the temperature control coils 32, And a clip (34) for bringing it into close contact with the coil (32). The temperature control device 31 includes a control unit having a temperature control coil 32 for controlling the temperature.

이와 같이 이루어진 온도조절수단(30)은 하우징(10) 내부의 온도를 조절하여 제1연결관(11)로 유입되는 반도체 부산물을 포집할 수 있도록 히팅을 시키거나, 또는 냉각시킬 수 있는 것으로, 포집된 반도체 부산물의 제거(크리닝)시 온도조절용 코일(32)은 보호용 튜브(33)에 의하여 보호됨으로써 온도조절용 코일(32)의 파손을 방지할 수 있다.The temperature control means 30 can heat or cool the semiconductor by-product to be collected into the first connection pipe 11 by controlling the temperature inside the housing 10, The temperature control coil 32 is protected by the protection tube 33 when the semiconductor by-product is removed (cleaned), thereby preventing the temperature control coil 32 from being damaged.

즉, 포집된 반도체 부산물의 제거(크리닝)시 클립(34)을 제거한 후 온도조절용 코일(32)에서 보호용 튜브(33)를 분리하게 되면 반도체 부산물에 의하여 온도조절용 코일(32)이 파손되는 현상을 방지할 수 있게 된다.That is, if the protective tube 33 is removed from the temperature control coil 32 after removing the clip 34 during the removal (cleaning) of the collected semiconductor by-products, the temperature control coil 32 is damaged by the semiconductor by- .

상기 온도조절수단(30)의 온도조절장치(31)는 반도체 부산물의 종류 또는 목적 등의 환경적 요인에 따라 하우징(10) 내부의 온도조절시 승온 또는 냉각을 시킬 수 있도록 하는 구성으로, 승온(가열)시에는 가열장치가 이용되고, 냉각시에는 냉각장치가 이용된다.
The temperature regulating device 31 of the temperature regulating means 30 is configured to be able to raise or lower the temperature of the inside of the housing 10 according to environmental factors such as the kind or purpose of semiconductor byproducts, A heating apparatus is used at the time of heating, and a cooling apparatus is used at the time of cooling.

도 2 내지 도 4와 도 8 내지 도 10을 참조하면,2 to 4 and 8 to 10,

상기 반도체 부산물 포집차단수단(40)은, 제2연결관(12)의 끝단부(12a)에 설치되어 반도체 부산물이 제2연결관(12)을 통하여 배출되는 것을 방지하여 위한 구성이다.The semiconductor by-product trapping and blocking means 40 is installed at the end portion 12a of the second connection pipe 12 to prevent the semiconductor by-product from being discharged through the second connection pipe 12. [

즉, 1차로 트랩 플레이트(20)에서 반도체 부산물을 포집하고, 2차로 반도체 부산물 포집차단수단(40)에서 반도체 부산물을 포집 및 차단함으로써 포집효율과, 사용기간을 연장시킬 수 있도록 하는 구성이다. That is, the semiconductor by-product is firstly trapped in the trap plate 20, and the semiconductor by-product trapping and blocking means 40 secondarily collects and blocks the semiconductor by-products to thereby increase the collection efficiency and the use period.

이러한 상기 반도체 부산물 포집차단수단(40)은, 상기 하우징(10)의 내주면으로부터 돌출된 제2연결관(12)의 끝단부(12a)의 상부에 소정의 간격을 가지도록 이격되게 설치되어 상부에서 떨어지는 반도체 부산물을 차단하도록 하는 갓(Cone) 형태의 상부 차단판(41)과, 제2 연결관(12)의 끝단부의 외주연에 설치되어 하측에서 올라오는 반도체 부산물을 차단하도록 하부 차단판(42)으로 이루어진다.The semiconductor by-product trapping and shielding means 40 is installed at an upper portion of an end portion 12a of the second connection pipe 12 protruding from the inner circumferential surface of the housing 10 so as to be spaced apart from each other by a predetermined distance, And an upper shield plate 41 in the form of a cone for blocking the semiconductor byproducts that fall off the lower shield plate 42. The lower shield plate 42 is provided at the outer periphery of the end of the second connection tube 12 to block semiconductor by- ).

상기 상부 차단판(41)은 낙화하는 반도체 부산물이 제2 연결관(12)으로 유입되지 않고 하측 바닥으로 떨어지게 유도함으로써 상측에서 떨어지는 반도체 부산물의 배출을 차단하는 한편, 상부에 낙화하는 반도체 부산물을 포집하도록 평면부와 턱을 형성하여 이루어지는 상부 포집부(45)를 구비하여 반도체 부산물을 포집할 수도 있다(도 8과 도 9 참조).The upper shielding plate 41 prevents the semiconductor byproducts falling from the upper side from being discharged to the lower floor without flowing into the second connection pipe 12, and collects the semiconductor by- An upper collecting portion 45 formed by forming a planar portion and a jaw to collect semiconductor by-products (see FIGS. 8 and 9).

상기 상부 포집부(45)에는 포집된 반도체 부산물이 배출되지 않도록 격자모양의 차단판이 더 구비될 수도 있을 것이다.The upper collecting unit 45 may further include a lattice-shaped blocking plate so as to prevent the collected semiconductor by-products from being discharged.

상기 하부 차단판(42)은 상부 차단판(41)의 하측으로 떨어지는 반도체 부산물이 공기의 흐름을 타서 하측에서 상측으로 올라오는 것을 차단하는 한편, 반도체 부산물을 포집하도록 하는 구성으로, 제1 하부 차단판(43)과 제2 하부 차단판(44)으로 구성된다. 즉, 상기 하부 차단판(42)은 다수의 차단판으로 이루어진다. 특히 맨 하측에 위치하는 제2 하부 차단판(44)에 의하여 반도체 부산물을 포집하는 하부 포집부(46)가 형성된다. 상기 하부 포집부(46)는 상부 차단판(41)의 하측으로 떨어지는 반도체 부산물을 포집함으로써 공기의 흐름을 타고 제2 연결관(12)을 통해 배출되는 것을 방지할 수 있다(도 8과 도 9 참조).The lower shielding plate 42 is configured to block the semiconductor byproducts falling to the lower side of the upper shielding plate 41 from rising from the lower side to the upper side due to the flow of air and to collect the semiconductor byproducts, A plate 43 and a second lower shielding plate 44. [ That is, the lower shielding plate 42 is composed of a plurality of shielding plates. The lower collecting part 46 for collecting the semiconductor by-product is formed by the second lower blocking plate 44 located at the bottom of the bottom. The lower collecting unit 46 can collect the semiconductor by-products falling to the lower side of the upper blocking plate 41 to prevent the exhaust of the air through the second connecting pipe 12 due to the air flow (FIGS. 8 and 9 Reference).

또한, 상기 하부 포집부(46)를 형성하는 제2 하부 차단판(44)은 포집된 반도체 부산물이 외부로 배출되지 않도록 하기 위하여 빗면을 라운드(R) 형상으로 형성할 수도 있다. 즉, 빗면을 라운드(R) 형상으로 형성하게 되면 포집된 반도체 부산물이 외부로 배출이 잘 이루어지지 않게 할 수 있다(도 10 참조).
In addition, the second lower shielding plate 44 forming the lower collecting unit 46 may be formed in an oblique (R) shape to prevent the collected semiconductor by-products from being discharged to the outside. That is, if the oblique surface is formed in a round (R) shape, the collected semiconductor byproducts can be prevented from being discharged to the outside (see FIG. 10).

이와 같이 이루어진 본 발명인 반도체 부산물 포집장치(1)는, 1차로 트랩 플레이트(20)에서 포집하고, 2차로 반도체 부산물 포집차단수단(40)에서 포집 및 차단을 함으로써 반도체 부산물의 차단 및 포집 효율을 높일 수 있다.The semiconductor by-product trapping apparatus 1 according to the present invention as described above collects in the primary trap plate 20 and collects and blocks the secondary by-product trapping and shielding means 40 to increase the blocking and collecting efficiency of the semiconductor by- .

더욱이, 반도체 부산물 포집차단수단(40)에서 차단과 포집을 함으로써 종래의 포집장치보다 장기간 사용시에도 포집효율이 떨어지는 것을 방지할 수 있어 보수(청소)에 의한 생산활동의 정지 등으로 인한 손실을 해소할 수 있다.Moreover, by blocking and collecting by the semiconductor by-product trapping and shielding means 40, it is possible to prevent the collection efficiency from being lowered even when the trapping apparatus is used for a longer time than the conventional trapping apparatus, thereby eliminating losses due to stoppage of production .

또한, 포집되는 반도체 부산물이 온도조절수단(30)의 온도조절용 코일(32)에 부착되어 크리닝시 온도조절용 코일(32)을 파손시키는 현상을 방지함과 크리닝을 용이하도록 함으로써 유지보수가 쉬운 장점을 가진다.
Further, the semiconductor by-products collected are attached to the temperature control coil 32 of the temperature control means 30 to prevent the temperature control coil 32 from being damaged during cleaning and to facilitate the cleaning, I have.

1 : 반도체 부산물 포집장치
10 : 하우징
20, 20' : 트랩 플레이트
30 : 온도조절수단 32 : 온도조절용 코일
33 : 보호용 튜브 34 : 클립
40 : 반도체 부산물 포집차단수단 41 : 상부 차단판
42, 43, 44 : 하부 차단판 45 : 상부 포집부
46 : 하부 포집부1: Semiconductor by-product collecting device
10: Housing
20, 20 ': Trap plate
30: Temperature control means 32: Temperature control coil
33: protective tube 34: clip
40: Semiconductor by-product trapping blocking means 41: Upper blocking plate
42, 43, 44: lower blocking plate 45: upper collecting part
46: Lower collecting part

Claims (5)

제1연결관(11)과 제2연결관(12)이 형성된 원통형의 하우징(10)과, 상기 하우징(10) 내에 설치된 다수의 트랩 플레이트(20)과, 상기 하우징(10) 내의 온도를 조절하기 위한 온도조절수단(30)을 포함하여 반도체 제조공정 시 프로세서 챔버에서 발생하는 반도체 부산물이 진공펌프로 흡입되는 것을 방지하도록 하는 반도체 부산물 포집장치에 있어서,
상기 하우징(10) 내주면으로 돌출되는 제2연결관(12)의 끝단부(12a)에는 반도체 부산물의 배출을 차단하도록 이루어지는 반도체 부산물 포집차단수단(40)을 포함하며,
상기 반도체 부산물 포집차단수단(40)은, 제2연결관(12)의 끝단부(12a)와 상측으로 이격되게 설치되는 경사진 빗면을 가지는 상부 차단판(41)과, 상기 끝단부(12a)의 하측으로 제2연결관(12)의 외주연에 설치되는 경사진 빗면을 가지는 하부 차단판(42)을 포함하는 한편,
상기 하부 차단판(42)은 복수개로 설치되며, 하측에는 반도체 부산물을 포집하는 하부 포집부(46)가 형성됨을 특징으로 하는 반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치.A plurality of trap plates 20 provided in the housing 10 to control the temperature in the housing 10 and a second connecting pipe 11 having a first connecting pipe 11 and a second connecting pipe 12, And a temperature control means (30) for controlling the temperature of the process chamber (30) so as to prevent the semiconductor byproducts generated in the processor chamber during the semiconductor manufacturing process from being sucked into the vacuum pump,
And a semiconductor by-product trapping and blocking means 40 for blocking the discharge of semiconductor by-products at the end portion 12a of the second connection pipe 12 projecting to the inner circumferential surface of the housing 10,
The semiconductor by-product trapping and blocking means 40 includes an upper shield plate 41 having an inclined oblique surface and spaced apart from an upper end portion 12a of the second connection pipe 12, And a lower shield plate 42 having an inclined oblique surface provided on the outer circumference of the second connection pipe 12 to the lower side of the second connection pipe 12,
Wherein the lower shielding plate (42) is provided in a plurality of units, and a lower collecting unit (46) for collecting semiconductor byproducts is formed on the lower side of the lower shielding plate (42). 제1연결관(11)과 제2연결관(12)이 형성된 원통형의 하우징(10)과, 상기 하우징(10) 내에 설치된 다수의 트랩 플레이트(20)과, 상기 하우징(10) 내의 온도를 조절하기 위한 온도조절수단(30)을 포함하여 반도체 제조공정 시 프로세서 챔버에서 발생하는 반도체 부산물이 진공펌프로 흡입되는 것을 방지하도록 하는 반도체 부산물 포집장치에 있어서,
상기 하우징(10) 내주면으로 돌출되는 제2연결관(12)의 끝단부(12a)에는 반도체 부산물의 배출을 차단하도록 이루어지는 반도체 부산물 포집차단수단(40)을 포함하며,
상기 반도체 부산물 포집차단수단(40)은, 제2연결관(12)의 끝단부(12a)와 상측으로 이격되게 설치되어 낙화하는 반도체 부산물을 차단하는 상부 차단판(41)과, 상기 끝단부(12a)의 하측으로 제2연결관(12)의 외주연에 설치되어 하측에서 올라오는 반도체 부산물을 차단하는 하부 차단판(42)을 포함하는 한편,
상기 하부 차단판(42)은 복수개로 설치되며, 하측에는 반도체 부산물을 포집하는 하부 포집부(46)가 형성됨을 특징으로 하는 반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치.A plurality of trap plates 20 provided in the housing 10 to control the temperature in the housing 10 and a second connecting pipe 11 having a first connecting pipe 11 and a second connecting pipe 12, And a temperature control means (30) for controlling the temperature of the process chamber (30) so as to prevent the semiconductor byproducts generated in the processor chamber during the semiconductor manufacturing process from being sucked into the vacuum pump,
And a semiconductor by-product trapping and blocking means 40 for blocking the discharge of semiconductor by-products at the end portion 12a of the second connection pipe 12 projecting to the inner circumferential surface of the housing 10,
The semiconductor by-product trapping and blocking means 40 includes an upper blocking plate 41 spaced apart from the upper end portion 12a of the second connection pipe 12 to block the semiconductor byproducts that fall off, And a lower shielding plate 42 installed on the outer circumference of the second connection pipe 12 to block the semiconductor byproducts coming from the lower side,
Wherein the lower shielding plate (42) is provided in a plurality of units, and a lower collecting unit (46) for collecting semiconductor byproducts is formed on the lower side of the lower shielding plate (42). 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 상부 차단판(41)의 상부에는 낙화하는 반도체 부산물을 포집하는 상부 포집부(45)를 포함함을 특징으로 하는 반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치.3. The method according to claim 1 or 2,
And an upper collecting unit (45) for collecting semiconductor byproducts which are decayed in the upper part of the upper blocking plate (41). 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 하부 포집부(46)를 형성하도록 하측에 설치된 제2 하부 차단판(44)은 하부 포집부(46)로 포집되는 반도체 부산물이 외측으로 다시 배출되는 것을 방지하도록 라운드(R)지게 형성됨을 특징으로 하는 반도체 부산물 포집차단수단을 구비한 반도체 부산물 포집장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The second lower blocking plate 44 provided below the lower collecting unit 46 is formed in a rounded shape to prevent the semiconductor by-products collected by the lower collecting unit 46 from being discharged again to the outside. By-product trapping means. 삭제delete
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